View source for मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र

[[File:2N140_PNP_Germanium_Alloy_Junction_Transistor_closeup.jpg|thumb|एक RCA 2N140 PNP जर्मेनियम मिश्रधातु जंक्शन ट्रांजिस्टर के आंतरिक भाग का निकट से दृश्य, लगभग 1953]]
[[File:2N1307 transistor die with bond wires attached.jpg|thumb|1960 के दशक के जनरल इलेक्ट्रिक 2N1307 PNP जर्मेनियम एलॉय जंक्शन ट्रांजिस्टर के आंतरिक भाग का नज़दीक से दृश्य]][[जर्मेनियम]] '''मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र''' या '''मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र''', एक प्रारंभिक प्रकार का [[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|द्विध्रुवी संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र]] था, जिसे 1951 में [[ सामान्य विद्युतीय |सामान्य विद्युतीय]] और [[आरसीए]] में विकसित किया गया था, जो पहले [[विकसित-जंक्शन ट्रांजिस्टर|संवृद्ध-]][[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|संयोजन]] [[प्रतिरोधान्तरित्र]] पर सुधार के रूप में था। 

एक मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र का सामान्य निर्माण एक [[जर्मेनियम]] क्रिस्टल है जो आधार बनाता है, जिसमें उत्सर्जक और संग्राहक मिश्र धातु के मोती विपरीत दिशा में जुड़े होते हैं। एन-क्षेत्र जर्मेनियम की एक पट्टी पर मिश्र धातु संयोजन बनाने के लिए आमतौर पर[[ ईण्डीयुम | इन्डियम]] और [[सुरमा|ऐन्टिमनी]] का उपयोग किया जाता था। संग्राहक संयोजन गोला व्यास में लगभग 50 मील (एक इंच का हजारवां हिस्सा) और उत्सर्जक गोला लगभग 20 मील होगा। आधार क्षेत्र लगभग 1 मील (0.001 इंच, 25 माइक्रोन) मोटा होगा।<ref>Lloyd P. Hunter (ed.), ''Handbook of Semiconductor Electronics'', Mc Graw Hill, 1956  pp. 7–18, 7–19</ref> कई प्रकार के बेहतर मिश्र धातु-जंक्शन ट्रांजिस्टर विकसित किए गए थे जो कि वे निर्मित किए गए थे।

1960 के दशक की शुरुआत में सभी प्रकार के मिश्र धातु-जंक्शन ट्रांजिस्टर अप्रचलित हो गए, जिसमें [[प्लानर ट्रांजिस्टर]] की शुरुआत हुई, जिसे आसानी से बड़े पैमाने पर उत्पादित किया जा सकता था, जबकि मिश्र धातु-जंक्शन ट्रांजिस्टर को व्यक्तिगत रूप से बनाया जाना था। पहले जर्मेनियम प्लानर ट्रांजिस्टर की अवधि के मिश्र धातु-जंक्शन जर्मेनियम ट्रांजिस्टर की तुलना में बहुत खराब विशेषताएं थीं, लेकिन उनकी लागत बहुत कम थी, और प्लानर ट्रांजिस्टर की विशेषताओं में बहुत तेजी से सुधार हुआ, जो पहले के सभी जर्मेनियम ट्रांजिस्टर से अधिक था।

== माइक्रो-मिश्र धातु ट्रांजिस्टर ==
माइक्रो-मिश्र धातु ट्रांजिस्टर (एमएटी) को फिल्को द्वारा एक बेहतर प्रकार के मिश्र धातु-जंक्शन ट्रांजिस्टर के रूप में विकसित किया गया था, इसने बहुत अधिक गति की पेशकश की।

यह आधार बनाने वाले अर्धचालक क्रिस्टल का निर्माण होता है, जिसमें कुओं की एक जोड़ी को विपरीत दिशा में उकेरा जाता है ([[फ़िल्को]] के पहले के [[सतह-बाधा ट्रांजिस्टर]] के समान) और फिर कुओं में उत्सर्जक और कलेक्टर मिश्र धातु के मोतियों को फ्यूज़ किया जाता है।

== माइक्रो-मिश्र धातु विसरित ट्रांजिस्टर ==
माइक्रो-अलॉय डिफ्यूज्ड ट्रांजिस्टर (MADT), या माइक्रो-अलॉय [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर]], फिल्को द्वारा एक बेहतर प्रकार के माइक्रो-अलॉय ट्रांजिस्टर के रूप में विकसित किया गया था; इसने और भी उच्च गति की पेशकश की। यह एक प्रकार का विसरित-बेस ट्रांजिस्टर है।

बेस सेमीकंडक्टर क्रिस्टल सामग्री में इलेक्ट्रोकेमिकल तकनीकों और नक़्क़ाशीदार अवसाद कुओं का उपयोग करने से पहले, एक एन-टाइप ग्रेडेड बेस सेमीकंडक्टर सामग्री बनाने के लिए पूरे आंतरिक सेमीकंडक्टर बेस क्रिस्टल पर एक गर्म विसरित फॉस्फोरस गैसीय परत बनाई जाती है। उत्सर्जक कुआँ इस विसरित आधार परत में बहुत उथला है।

हाई-स्पीड ऑपरेशन के लिए, कलेक्टर कुएं को विसरित आधार परत के माध्यम से और अधिकांश आंतरिक आधार अर्धचालक क्षेत्र के माध्यम से, एक अत्यंत पतले आधार क्षेत्र का निर्माण करते हुए, सभी तरह से उकेरा जाता है।<ref>A High Frequency Transistor Analysis by James K. Keihner, 1956</ref><ref>Wall Street Journal, Article: "Philco Says It Is Producing A New Kind Of Transistor", October 9, 1957, pg 19</ref> एक [[डोपिंग (सेमीकंडक्टर)]] | डोपिंग-इंजीनियर [[विद्युत क्षेत्र]] [[ प्रभारी वाहक ]] बेस ट्रांजिट टाइम ([[ बहाव-क्षेत्र ट्रांजिस्टर ]] के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में बनाया गया था।

== पोस्ट मिश्र धातु दूर तक फैला हुआ ट्रांजिस्टर ==
पोस्ट-अलॉय डिफ्यूज्ड ट्रांजिस्टर (PADT), या पोस्ट-अलॉय डिफ्यूज्ड-बेस ट्रांजिस्टर, [[ PHILIPS ]] द्वारा विकसित किया गया था (लेकिन GE और RCA ने पेटेंट के लिए दायर किया और RCA के जैक्स पैंकोव ने इसके लिए पेटेंट प्राप्त किया) जर्मेनियम मिश्र धातु-जंक्शन में सुधार के रूप में ट्रांजिस्टर, इसने और भी उच्च गति प्रदान की। यह एक प्रकार का विसरित-बेस ट्रांजिस्टर है।

फिल्को माइक्रो-अलॉय डिफ्यूज ट्रांजिस्टर में एक यांत्रिक कमजोरी थी जिसने अंततः उनकी गति को सीमित कर दिया; बहुत पतली होने पर पतली विसरित आधार परत टूट जाएगी, लेकिन उच्च गति प्राप्त करने के लिए इसे जितना संभव हो उतना पतला होना चाहिए। साथ ही इतनी पतली परत के दोनों तरफ मिश्रधातु को नियंत्रित करना बहुत कठिन था।

पोस्ट-मिश्र धातु विसरित ट्रांजिस्टर ने बल्क सेमीकंडक्टर क्रिस्टल को संग्राहक (आधार के बजाय) बनाकर इस समस्या को हल किया, जो यांत्रिक शक्ति के लिए आवश्यक रूप से मोटा हो सकता है। इसके ऊपर डिफ्यूज्ड बेस लेयर बनाई गई थी। फिर दो अलॉय बीड्स, एक पी-टाइप और एक एन-टाइप को डिफ्यूज्ड बेस लेयर के ऊपर फ्यूज किया गया। आधार डोपेंट के समान प्रकार वाला मनका तब आधार का हिस्सा बन गया और आधार डोपेंट से विपरीत प्रकार का मनका उत्सर्जक बन गया।

एक डोपिंग (सेमीकंडक्टर) | डोपिंग-इंजीनियर विद्युत क्षेत्र चार्ज कैरियर बेस ट्रांजिट टाइम (ड्रिफ्ट-फील्ड ट्रांजिस्टर के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में बनाया गया था।

== फोटो गैलरी ==

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Image: TG51 Transistor 02.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित TG 51 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
Image: TG51 Transistor 03.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित TG 51 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
Image: 2N1307 transistor die.jpg|जनरल इलेक्ट्रिक 2N1307 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
Image: 2N1307 transistor bond wires.jpg|जनरल इलेक्ट्रिक 2N1307 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
Image: 2N404.jpg|आरसीए 2N404 जर्मेनियम पीएनपी ट्रांजिस्टर। मध्यम गति स्विच
Image: ACY21.jpg|पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर एएफ एम्पलीफायर / स्विच के रूप में अभिप्रेत है
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== यह भी देखें ==
* [[टेट्रोड ट्रांजिस्टर]]

== संदर्भ ==
{{Reflist}}


== बाहरी संबंध ==
*[http://www.thevalvepage.com/trans/manufac/manufac1.htm Manufacture of Junction Transistors]
<!-- Note: copyrighted *[http://www.iop.org/EJ/abstract/0508-3443/5/4/301 New advances in the junction transistor] Abstract, full text available, for a fee, in PDF.
*[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/31557/01472374.pdf?arnumber=1472374 Microalloy Transistor] (PDF) Covers Philco's MAT and MADT.  -->
<!-- This doesn'y really have anything to do with the general subject of this article
*{{cite book
 | title = High Speed Switching Transistor Handbook
 | edition = 2nd edition
 | year = 1963
 | publisher = Motorola
 | pages = p. 17
 | quote = Significant improvements in base-width control of simple alloy devices can be achieved by electrochemically etching a deep pit for the collector and a shallow pit for the emitter into the base region prior to alloying.  With this process, the base thickness can be controlled to within one ten-thousandth of an inch through the use of light transmission during the etching operation.  Very thin layers of indium, or similar materials, are plated to the bottom of these pits and alloyed into the base with a very shallow penetration. Transistors made with this process (referred to as the micro-alloy transistor), have an extremely thin base layer with a corresponding improvement of switching time.  Although there is a slight increase in base resistance, which is not particularly harmful, collector and emitter resistances are relatively unchanged.  The major difficulty with such units is caused by the very thin base region which reduce the voltage rating.  However, by limiting collector voltage to 6 volts, switching rate to about 2 mcs [added note: i.e., 2 mega-cycles/second] can be achieved. These devices are rather fragile because the collector and emitter contacts are supported only on a very thin membrane of semiconductor material.
 }}[http://groups.google.vu/group/sci.electronics.components/tree/browse_frm/month/2003-04/c97c04dc783ab61e?rnum=21&_done=%2Fgroup%2Fsci.electronics.components%2Fbrowse_frm%2Fmonth%2F2003-04%3F] -->
<!--  *[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/10933/4065428/04065458.pdf?tp=&isnumber=&arnumber=4065458 Technology of Micro-Alloy Diffused Transistors] (PDF) Covers Philco's MADT.
*[http://ieeexplore.ieee.org/iel6/8223/25329/01136310.pdf The Universal Communications Transistor] (PDF) Covers Philip's PADT.

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