View source for विसरण धारिता

'''विसरण [[ समाई |धारिता]]''' वह धारिता है जो किसी उपकरण के दो टर्मिनलों के बीच आवेश वाहकों के परिवहन के कारण होता है उदाहरण के लिए अग्र अभिनति [[डायोड]] में एनोड से कैथोड तक या [[ट्रांजिस्टर]] के एमिटर से बेसफॉरवर्ड-बायस्ड [[पी-एन जंक्शन]] तक वाहक का विसरण <ref group="note">The "forward biased" in this context means that the diode/transistor allows the current to flow.</ref> [[अर्धचालक उपकरण]] में इसके माध्यम से बहने वाली धारा (उदाहरण के लिए [[प्रसार|विसरण]]  द्वारा आवेश का सतत परिवहन) विशेष क्षण में उपकरण के माध्यम से पारगमन की प्रक्रिया में आवश्यक रूप से कुछ आवेश होता है। यदि प्रयुक्त वोल्टेज अलग मान में बदल जाता है और वर्तमान भी अलग मान में बदल जाता है तो नई परिस्थितियों में आवेश की अलग मात्रा पारगमन में होगी। पारगमन आवेश की मात्रा में परिवर्तन वोल्टेज में परिवर्तन से विभाजित होता है जिससे यह विसरण  क्षमता होती है। विशेषण विसरण  का उपयोग किया जाता है क्योंकि इस शब्द का मूल उपयोग जंक्शन डायोड के लिए था जहां आवेश परिवहन विसरण  तंत्र के माध्यम से होता था। फिक के विसरण के नियम देखें।

इस धारणा को मात्रात्मक रूप से प्रयुक्त करने के लिए किसी विशेष समय पर उपकरण में वोल्टेज <math>V</math> है और अब मान लें कि वोल्टेज समय के साथ धीरे-धीरे इतना बदलता है कि प्रत्येक क्षण धारा डीसी धारा के समान होता है जो उस वोल्टेज पर प्रवाहित होता है <math>\Iota = \Iota (V) </math>(क्वासिस्टेटिक सन्निकटन)। आगे मान लीजिए कि उपकरण को पार करने का समय 'फॉरवर्ड ट्रांजिट टाइम' <math>{\tau}_F</math> है इस स्थितियों में इस विशेष क्षण में उपकरण के माध्यम से ट्रांज़िट में आवेश की मात्रा को <math>Q</math> द्वारा दर्शाया गया है

::<math>Q=I(V){\tau}_F </math>.

परिणाम स्वरुप इसी विसरण  धारिता:<math>C_{diff} </math>. है

::<math>C_{diff} =\begin{matrix}\frac{dQ}{dV}\end{matrix}=\begin{matrix}\frac{dI(V)}{dV}\end{matrix} {\tau}_F </math>.

घटना में अर्ध-स्थैतिक सन्निकटन धारण नहीं करता है अर्थात अधिक तेज़ वोल्टेज परिवर्तन के लिए पारगमन समय से कम समय में होता <math>{\tau}_F</math> है उपकरण में समय-निर्भर परिवहन को नियंत्रित करने वाले समीकरणों को पारगमन में आवेश खोजने के लिए हल किया जाना चाहिए उदाहरण के लिए बोल्टज़मैन समीकरण यह समस्या गैर-क्वासिस्टैटिक प्रभावों के विषय के तहत निरंतर शोध का विषय है। लियू और गिल्डनब्लैट एट अल देखें।<ref name=Liu>
{{cite book 
|author=William Liu
|title=MOSFET Models for Spice Simulation 
|year= 2001 
|publisher=Wiley-Interscience 
|location=New York 
|isbn=0-471-39697-4 |pages=42–44 
|url=http://worldcat.org/isbn/0471396974}}
</ref><ref name=":0">Hailing Wang, Ten-Lon Chen, and Gennady Gildenblat, ''Quasi-static and Nonquasi-static Compact MOSFET Models'' http://pspmodel.asu.edu/downloads/ted03.pdf {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070103055142/http://pspmodel.asu.edu/downloads/ted03.pdf |date=2007-01-03 }}</ref>
==टिप्पणियाँ                                                                         ==
<references group="note"/>


== संदर्भ नोट्स ==
<references/>


==बाहरी संबंध==
* [http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/pncap.htm Junction capacitance]
[[Category: समाई]] [[Category: विद्युत पैरामीटर]] [[Category: अर्धचालक]] 



[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category:Created On 11/06/2023]]
[[Category:Vigyan Ready]]