View source for थर्मली स्टिम्युलेटेड करंट स्पेक्ट्रोस्कोपी

{{Short description|Experimental method}}
'''थर्मली स्टिम्युलेटेड करंट (टीएससी) [[स्पेक्ट्रोस्कोपी]]''' ([[तापीय रूप से उत्तेजित विध्रुवण धारा|थर्मली उत्तेजित विध्रुवण धारा]] के साथ भ्रमित न हों) प्रायोगिक तकनीक है जिसका उपयोग [[अर्धचालक]] या [[थर्मल इन्सुलेशन]] (कार्बनिक या अकार्बनिक) में [[ऊर्जा स्तर]] का अध्ययन करने के लिए किया जाता है। इस प्रकार ऊर्जा के स्तर को पहले या तो ऑप्टिकल या विद्युत इंजेक्शन द्वारा सामान्यतः अपेक्षाकृत कम तापमान पर भरा जाता है, इसके पश्चात् इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों को उच्च तापमान पर गर्म करके उत्सर्जित किया जाता है। उत्सर्जित धारा का वक्र रिकॉर्ड किया जाएगा और तापमान के विरुद्ध प्लॉट किया जाएगा, जिसके परिणामस्वरूप टीएससी स्पेक्ट्रम प्राप्त होता है। इस प्रकार टीएससी स्पेक्ट्रा का विश्लेषण करके अर्धचालक या इन्सुलेटर में ऊर्जा स्तर के संबंध में जानकारी प्राप्त की जा सकती है।

जब प्रारूप तापमान बढ़ाया जा रहा हो तो उत्सर्जित वाहकों के प्रवाह के लिए प्रेरक बल की आवश्यकता होती है। यह प्रेरक शक्ति [[विद्युत क्षेत्र]] या [[तापमान प्रवणता]] हो सकती है। सामान्यतः, अपनाई जाने वाली प्रेरक शक्ति विद्युत क्षेत्र है; चूँकि, इलेक्ट्रॉन जालक और छिद्रित जालक को पृथक नहीं किया जा सकता है। यदि अपनाया गया प्रेरक बल तापमान प्रवणता है, जिससे इलेक्ट्रॉन जालक और छिद्रित जालक को धारा के संकेत से पृथक किया जा सकता है। इस प्रकार पूर्व-[[यूगोस्लाविया]] के 2 वैज्ञानिकों (सैंटिक और डेस्निका) के अनुसार तापमान प्रवणता पर आधारित टीएससी को थर्मोइलेक्ट्रिक इफेक्ट स्पेक्ट्रोस्कोपी (टीईईएस) के रूप में भी जाना जाता है; उन्होंने सेमी-इंसुलेटिंग [[गैलियम आर्सेनाइड]] (जीएएएस) पर अपनी तकनीक का प्रदर्शन किया था। (नोट: तापमान प्रवणता पर आधारित टीएससी का आविष्कार सैंटिक और डेस्निका से पहले किया गया था और इसे कार्बनिक प्लास्टिक पदार्थ के अध्ययन के लिए प्रयुक्त किया गया था। चूँकि, सैंटिक और डेस्निका ने तकनीकी रूप से महत्वपूर्ण अर्धचालक पदार्थ का अध्ययन करने के लिए तापमान प्रवणता के आधार पर टीएससी को प्रयुक्त किया और नया नाम टीज़ लिखा था।)

ऐतिहासिक रूप से, फ़्रेई और ग्रोएट्ज़िंगर ने 1936 में [[इलेक्ट्रेट|इलेक्ट्रेट्स]] के संलयन के समय विद्युत ऊर्जा की मुक्ति (जर्मन में मूल शीर्षक का अंग्रेजी अनुवाद) शीर्षक के साथ जर्मन में पेपर प्रकाशित किया था। यह टीएससी पर पहला पेपर हो सकता है। इस प्रकार गहरे स्तर के क्षणिक स्पेक्ट्रोस्कोपी (डीएलटीएस) के आविष्कार से पहले, थर्मली उत्तेजित वर्तमान (टीएससी) स्पेक्ट्रोस्कोपी अर्धचालकों में जालक का अध्ययन करने के लिए लोकप्रिय तकनीक थी। आजकल, [[शोट्की डायोड]] या [[पी-एन जंक्शन]] में जालक के लिए, डीएलटीएस जालक का अध्ययन करने की मानक विधि है। चूँकि, डीएलटीएस में महत्वपूर्ण कमी है: इसका उपयोग इन्सुलेशन पदार्थ के लिए नहीं किया जा सकता है जबकि टीएससी को ऐसी स्थिति में प्रयुक्त किया जा सकता है। (नोट: इन्सुलेटर को बहुत बड़े बैंडगैप अर्धचालक के रूप में माना जा सकता है।) इसके अतिरिक्त, मानक क्षणिक कैपेसिटेंस आधारित डीएलटीएस विधि पिन डायोड के आई-क्षेत्र में जालक के अध्ययन के लिए बहुत अच्छी नहीं हो सकती है जबकि क्षणिक वर्तमान आधारित है डीएलटीएस (आई-डीएलटीएस) अधिक उपयोगी हो सकता है।

टीएससी का उपयोग अर्ध-इन्सुलेटिंग गैलियम आर्सेनाइड (जीएएएस) सब्सट्रेट्स में जालक का अध्ययन करने के लिए किया गया है। इस प्रकार इसे परमाणु अनुसंधान में उपयोग किए जाने वाले [[कण डिटेक्टर|कण संसूचक]] या [[अर्धचालक डिटेक्टर|अर्धचालक संसूचक]] के लिए उपयोग की जाने वाली पदार्थो पर भी प्रयुक्त किया गया है, उदाहरण के लिए, उच्च प्रतिरोधकता वाले [[सिलिकॉन]], [[कैडमियम टेलुराइड]] (सीडीटीई), आदि। इस प्रकार टीएससी को विभिन्न कार्बनिक इंसुलेटर पर भी प्रयुक्त किया गया है। इस प्रकार टीएससी इलेक्ट्रेट अनुसंधान के लिए उपयोगी है। टीएससी के अधिक उन्नत संशोधनों को अल्ट्राथिन हाई-के परावैद्युत पतली फिल्मों में जालक का अध्ययन करने के लिए प्रयुक्त किया गया है। डब्ल्यू.एस. लाउ (लाउ वाई शिंग, सिंगापुर गणराज्य) ने अल्ट्राथिन [[टैंटलम पेंटोक्साइड]] प्रतिरूपों पर शून्य-पूर्वाग्रह थर्मली उत्तेजित धारा या शून्य-तापमान-स्लोप शून्य-पूर्वाग्रह थर्मली उत्तेजित धारा प्रयुक्त की थी। कुछ सामान्य जालक वाले प्रतिरूपों के लिए जिन्हें कम तापमान पर भरा जा सकता है और कुछ गहरे जालक जिन्हें केवल उच्च तापमान पर भरा जा सकता है, दो-स्कैन टीएससी उपयोगी हो सकता है जैसा कि 2007 में लाउ ने सुझाव दिया था। इस प्रकार टीएससी को [[हेफ़नियम ऑक्साइड]] पर भी प्रयुक्त किया गया है।

टीएससी तकनीक का उपयोग परावैद्युत पदार्थ और पॉलिमर का अध्ययन करने के लिए किया जाता है। इस प्रकार अंतिम मापदंडों की गणना करने के लिए इस तकनीक के लिए प्रतिक्रिया वक्र का वर्णन करने के लिए विभिन्न सिद्धांत बनाए गए थे, जो कि [[सक्रियण ऊर्जा]] और आराम समय हैं।

==संदर्भ                                                                                                                                                                                  ==

*von Heinrich Frei and Gerhart Groetzinger, "Liberation of electrical energy during the fusion of electrets" (English translation of the original title in German), Physikalische Zeiटीएससीhrift, vol. 37, pp.&nbsp;720–724 (October 1936). (Note: This may be the first publication on thermally stimulated current.)
*{{cite journal | last1=Šantić | first1=B. | last2=Desnica | first2=U. V. | title=Thermoelectric effect spectroscopy of deep levels—application to semi‐insulating GaAs | journal=Applied Physics Letters | publisher=AIP Publishing | volume=56 | issue=26 | date=1990-06-25 | issn=0003-6951 | doi=10.1063/1.102860 | pages=2636–2638| bibcode=1990ApPhL..56.2636S }}
*W.S. Lau, "Zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current technique to characterize defects in semiconductors or insulators”, US Patent 6,909,273, filed in 2000 and granted in 2005.
*{{cite journal | last1=Lau | first1=W. S. | last2=Wong | first2=K. F. | last3=Han | first3=Taejoon | last4=Sandler | first4=Nathan P. | title=Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization | journal=Applied Physics Letters | publisher=AIP Publishing | volume=88 | issue=17 | date=2006-04-24 | issn=0003-6951 | doi=10.1063/1.2199590 | page=172906| bibcode=2006ApPhL..88q2906L }}
*{{cite journal | last=Lau | first=W. S. | title=Similarity between the first ionized state of the oxygen vacancy double donor in tantalum oxide and the first ionized state of the cadmium vacancy double acceptor in cadmium sulfide | journal=Applied Physics Letters | publisher=AIP Publishing | volume=90 | issue=22 | date=2007-05-28 | issn=0003-6951 | doi=10.1063/1.2744485 | page=222904| bibcode=2007ApPhL..90v2904L }} (Note: This paper explains two-scan thermally stimulated current spectroscopy.)
*{{cite journal | last1=Yousif | first1=M. Y. A. | last2=Johansson | first2=M. | last3=Engström | first3=O. | title=Extremely small hole capture cross sections in HfO<sub>2</sub> / Hf<sub>x</sub>Si<sub>y</sub>O<sub>z</sub> / p-Si structures | journal=Applied Physics Letters | publisher=AIP Publishing | volume=90 | issue=20 | date=2007-05-14 | issn=0003-6951 | doi=10.1063/1.2740188 | page=203506| bibcode=2007ApPhL..90t3506Y }}
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