View source for इंटेल 1103

{{short description|Early solid state memory}}
{{Infobox storage medium
| name          = Intel 1103
| logo          = 
| image         = Intel_C1103.jpg
| caption       = A ceramic C1103 variant.
| type          = [[10 μm process|8&nbsp;μm]] [[PMOS logic|''p''-MOS]] [[Dynamic random-access memory|DRAM]]
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| standard      = 18-pin [[Dual in-line package|DIP]]
| owner         = Intel
| use           = [[HP 9800 series]],<ref name=Bellis>{{cite web|url=https://www.thoughtco.com/who-invented-the-intel-1103-dram-chip-4078677|title=Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip|author=Mary Bellis|date=August 25, 2016|publisher=[[ThoughtCo]]}}</ref> [[PDP-11]],<ref>{{cite book|url=http://bitsavers.org/pdf/dec/pdp11/1145/EK-11045-MM-007.pdf|title=PDP-11/45, 11/50, and 11/55 System Maintenance Manual|publisher=[[Digital Equipment Corporation]]|date=September 1976}}</ref> [[PDP-10#Clones|MAXC]]<ref>{{cite web |url=https://github.com/PDP-10/maxc/blob/master/pdf/the_maxc_systems.pdf |title=The Maxc Systems |last=Fiala |first=Edward R. |date=May 1978 |website=GitHub |publisher=IEEE Computer Society |access-date=October 12, 2022 |quote=The most significant contributor to reliability has been main-memory error correction. During the first six months of operation, we replaced about 12 failing 1Kx1 MOS RAMs per month: this has gradually declined to about three failures a month during the last three years. However, because of error correction, a negligible number of these failures has caused crashes.}}</ref> and others
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| released      = {{Start date|1970|10}}<ref>{{cite web |title=Defining Intel: 25 Years/25 Events |url=https://www.intel.com/Assets/PDF/General/25yrs.pdf |publisher=Intel Corporation}} Page 6.</ref>
| discontinued  = 1979<ref>Intel Corporation, "The 1103 retires!", Intel Preview, March/April 1979, page 23</ref>
}}
1103 एक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (डीआरएएम) [[ एकीकृत परिपथ |इंटीग्रेटेड परिपथ]] (आईसी) है जिसे [[इंटेल]] द्वारा विकसित और [[सेमीकंडक्टर निर्माण|सेमीकंडक्टर निर्मित]] किया गया है। अक्टूबर 1970 में प्रस्तुत किया गया, 1103 पहला व्यावसायिक रूप से उपलब्ध डीआरएएम आईसी था; और इसके छोटे भौतिक आकार और [[चुंबकीय-कोर मेमोरी|मैग्नेटिक-कोर मेमोरी]] के सापेक्ष कम कीमत के कारण, इसने बाद वाले को कई अनुप्रयोगों में बदल दिया।<ref>Jacob, Bruce et al. (2008). ''Memory Systems: Cache, DRAM, Disk''. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457&ndash;458.</ref><ref name=Bellis /> जब इसे 1970 में प्रस्तुत किया गया था, प्रारंभिक उत्पादन उत्पत्ति खराब थी, और यह उत्पादन मास्क के पांचवें चरण के स्तर तक नहीं था कि यह 1971 के समय बड़ी मात्रा में उपलब्ध हो गया। इंटेल ने जून 1974 में 250,000वीं 1103 रैम को भेज दिया।<ref name=":0">[https://timeline.intel.com/1974/a-milestone-for-the-1103 A Milestone for the 1103]</ref>
== विकास ==

1969 में [[हनीवेल]] में विलियम रेजिट्ज़ और उनके सहयोगियों ने तीन-[[ट्रांजिस्टर]] डायनेमिक [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]] का आविष्कार किया और एक निर्माता के लिए सेमीकंडक्टर उद्योग का प्रचार करना प्रारंभ किया। वर्तमान में स्थापित इंटेल कॉर्पोरेशन ने दो बहुत ही समान 1024-बिट चिप्स, 1102 और 1103 का विकास किया और [[जोएल कार्प]] के नेतृत्व में विलियम रेजिट्ज़ के साथ मिलकर काम किया।<ref>[http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Karp_Joel/102658274.05.01.pdf Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie] March 3, 2003 | Atherton, California</ref> अंतत: केवल 1103 उत्पादन में चला गया।

[[माइक्रोसिस्टम्स इंटरनेशनल]] 1971 में 1103 के लिए पहला [[दूसरा स्रोत]] बन गया।<ref name="Tedlow2006">{{cite book
|title=Andy Grove: The Life and Times of an American
|first=Richard S.
|last=Tedlow
|publisher=Portfolio
|year=2006
|pages=[https://archive.org/details/andygrovelifeand00tedl/page/141 141–142]
|isbn=9781591841395
}}</ref> बाद में [[ राष्ट्रीय सेमीकंडक्टर |नेशनल सेमीकंडक्टर]] , [[सिग्नेटिक्स]] और [[ सिनर्टेक |सिनर्टेक]] ने 1103 का भी निर्माण किया।

== तकनीकी विवरण ==

[[Image:Intel i1103.JPG|thumb|DRAM मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग) इंटेल i1103 चिप की।]]

{|class="wikitable" style="text-align:center;"
|-
|''t''<sub>RWC</sub>||580&nbsp;ns||align=left|रैंडम पढ़ने या लिखने का चक्र समय (एक +ve प्रीचार्ज एज से अगले तक)
|-
|''t''<sub>PO</sub>||300&nbsp;ns||align=left|एक्सेस टाइम: प्रीचार्ज हाई टू वैलिड डेटा आउट
|-
|''t''<sub>REF</sub>||2&nbsp;ms||align=left|रिफ्रेश टाइम
|-
|V<sub>CC</sub>||16&nbsp;V||align=left|सप्लाई वोल्टेज
|-
|[[PMOS logic|''p''-MOS]]||[[10 μm process|8&nbsp;μm]]<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=History of Semiconductor Engineering |date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm<sup>2</sup> memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>||align=left|प्रोडक्शन प्रोसेस ([[silicon gate|सिलिकॉन गेट]] [[MOSFET|एमओएसएफईटी]])
|-
|Capacity||1024x1||align=left|क्षमता x बस चौड़ाई
|}
== संदर्भ ==
{{Reflist}}
{{Intel}}
   

{{engineering-stub}}

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