प्रो इलेक्ट्रॉन: Difference between revisions

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प्रो इलेक्ट्रॉन प्रकार के डिज़ाइनर के उदाहरण हैं:
प्रो इलेक्ट्रॉन प्रकार के डिज़ाइनर के उदाहरण हैं:
* एडी162 - ऑडियो आवृत्ति उपयोग के लिए जर्मेनियम पावर [[ट्रांजिस्टर]]
* एडी162 - ऑडियो आवृत्ति उपयोग के लिए जर्मेनियम पावर [[ट्रांजिस्टर]]
* बीवाई133 - सिलिकॉन सही करनेवाला
* बीवाई133 - सिलिकॉन शोधक
* बीजेडवाई88C5वी1 - सिलिकॉन 5.1 वोल्ट [[ ज़ेनर डायोड |ज़ेनर डायोड]]
* बीजेडवाई88C5वी1 - सिलिकॉन 5.1 वोल्ट [[ ज़ेनर डायोड |ज़ेनर डायोड]]
* सीक्यूवाई97 - [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]]
* सीक्यूवाई97 - [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]]
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* एसएए1300 - डिजिटल इंटीग्रेटेड सर्किट
* एसएए1300 - डिजिटल इंटीग्रेटेड सर्किट


प्रो इलेक्ट्रॉन ने सन 1934 के आसपास वाल्व (ट्यूब) अर्थात मुलार्ड-फिलिप्स ट्यूब पदनाम के लिए लोकप्रिय यूरोपीय कोडिंग प्रणाली का उपयोग किया और अनिवार्य रूप से अर्धचालकों के लिए शायद ही कभी इस्तेमाल किए जाने वाले हीटर पदनामों (भाग संख्या का पहला अक्षर) को पुनः आवंटित किया। दूसरे अक्षर का उपयोग वाल्व नामकरण सम्मेलन में समान प्रकार से किया गया था: "ए" सिग्नल डायोड के लिए, "सी" कम-शक्ति द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या ट्रायोड के लिए, "डी" उच्च-शक्ति ट्रांजिस्टर (या ट्रायोड) के लिए और "वाई" "रेक्टीफायर के लिए परंतु अन्य अक्षर पदनामों ने वैक्यूम ट्यूब मोड का इतनी सावधानी से पालन नहीं किया।
प्रो इलेक्ट्रॉन ने सन 1934 के आसपास वाल्व (ट्यूब) अर्थात मुलार्ड-फिलिप्स ट्यूब पदनाम के लिए लोकप्रिय यूरोपीय कोडिंग प्रणाली का उपयोग किया और अनिवार्य रूप से अर्धचालकों के लिए शायद ही कभी उपयोग किए जाने वाले हीटर पदनामों (भाग संख्या का पहला अक्षर) को पुनः आवंटित किया। दूसरे अक्षर का उपयोग वाल्व नामकरण सम्मेलन में समान प्रकार से किया गया था: "ए" सिग्नल डायोड के लिए, "सी" कम-शक्ति द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या ट्रायोड के लिए, "डी" उच्च-शक्ति ट्रांजिस्टर (या ट्रायोड) के लिए और "वाई" "रेक्टीफायर के लिए परंतु अन्य अक्षर पदनामों ने वैक्यूम ट्यूब मोड का इतनी सावधानी से पालन नहीं किया।


प्रथम दो अक्षरों के बाद के तीन अंक (या दो अंकों के पश्चात का अक्षर) अनिवार्य रूप से एक अनुक्रम संख्या थे। (पहले) वाल्व-युग सम्मेलन के अवशेष के साथ कि पहले एक या दो अंक आधार (पैकेज) प्रकार का संकेत देंगे उदाहरणों में जैसे सामान्य-उद्देश्य ट्रांजिस्टर के इस परिवार में:
प्रथम दो अक्षरों के बाद के तीन अंक (या दो अंकों के पश्चात का अक्षर) अनिवार्य रूप से एक अनुक्रम संख्या थे। (पहले) वाल्व-युग सम्मेलन के अवशेष के साथ कि पहले एक या दो अंक आधार (पैकेज) प्रकार का संकेत देंगे उदाहरणों में जैसे सामान्य-उद्देश्य ट्रांजिस्टर के इस परिवार में:
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*"यू" हो सकता है...
*"यू" हो सकता है...
** (मुलार्ड-फिलिप्स) 100mA श्रृंखला हीटर आपूर्ति के लिए ट्यूब, या
** (मुलार्ड-फिलिप्स) 100mA श्रृंखला हीटर आपूर्ति के लिए ट्यूब, या
** मिश्रित डिजिटल/एनालॉग एकीकृत परिपथ
** मिश्रित डिजिटल/ एनालॉग एकीकृत परिपथ


== इलेक्ट्रॉन ट्यूब ==
== इलेक्ट्रॉन ट्यूब ==
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! 2nd letter !! Usage  !! Example
! 2nd letter !! Usage  !! Example
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|A||Low-power/small-signal diode || AA119, BA121
|ए||कम ऊर्जा / छोटे सिग्नल डायोड || एए119, बीए121
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|B||[[Varicap|Varicap diode]] ||BB105G
|बी||[[Varicap|वैरिकैप डायोड]] ||बीबी105जी
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|C||Small signal transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BC546C
|सी||छोटे सिग्नल ट्रांजिस्टर, R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || बीसी546सी
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|D||High-power, low-frequency power transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BD139
|डी||उच्च शक्ति, कम आवृत्ति बिजली ट्रांजिस्टर, R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || बीडी139
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|E||[[Tunnel diode|Tunnel (Esaki-)diode]] || AE100
|ई||[[Tunnel diode|टनल (एसाकी-) डायोड]] || एई100
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|F||Low-power, [[Radio Frequency|RF]] (high-frequency) [[BJT|bipolar]] or [[FET]], R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BF245
|एफ||कम-शक्ति, [[Radio Frequency|आरएफ]] (उच्च-आवृत्ति) [[BJT|द्विध्रुवी]] या [[FET|एफईटी]], R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || बीएफ245
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|G||[[Hybrid integrated circuit|Hybrid device]] || BGY32, BGY585
|जी||[[Hybrid integrated circuit|हाइब्रिड डिवाइस]] || बीजीवाई32, बीजीवाई585
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|H||[[Hall effect sensor]]/diode ||
|एच||[[Hall effect sensor|हॉल इफेक्ट सेंसर]]/डायोड ||
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|L||High-frequency, high-power transistor (for transmitters), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BLW34
|एल||उच्च-आवृत्ति, उच्च-शक्ति ट्रांजिस्टर (ट्रांसमीटरों के लिए), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || बीएलडब्लू34
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|M||[[Ring modulation|Ring modulator]]-type [[frequency mixer]] ||
|एम||[[Ring modulation|रिंग मॉड्यूलेटर]]-टाइप [[frequency mixer|फ्रीक्वेंसी मिक्सर]]||
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|N||[[Opto-isolator]] || CNY17
|एन||[[Opto-isolator|ऑप्टो आइसोलेटर]] || सीएनवाई17
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|P||Radiation detector ([[photodiode]], [[phototransistor]])|| BPW34
|पी||विकिरण डिटेक्टर ([[photodiode|फोटोडायोड]], [[phototransistor|फोटोट्रांसिस्टर]])|| बीपीडब्लू34
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|Q||Radiation generator ([[Light-emitting diode|LED]])|| CQY99
|क्यू||विकिरण जनरेटर ([[Light-emitting diode|एलईडी]])|| सीक्यूवाई99
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|R||Low-power control or switching device: [[thyristor]]s, [[diac]]s, [[TRIAC|triac]]s, [[Unijunction transistor|UJT]]s, programmable unijunction transistors (PUT), silicon bidirectional switch (SBS), opto-triacs etc. || BR100
|आर||लो-पावर कंट्रोल या स्विचिंग डिवाइस: [[thyristor|थाइरिस्टर्स]], [[diac|डियाक्स]], [[TRIAC|ट्राइक]], [[Unijunction transistor|यूजेटी]], प्रोग्रामेबल यूनिजंक्शन ट्रांजिस्टर (पीयूटी), सिलिकॉन बिडायरेक्शनल स्विच (एसबीएस), ऑप्टो-ट्राइक्स आदि। || बीआर100
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|S||Low-power switching transistor, bipolar or [[MOSFET]], R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BS170
|एस||लो-पावर स्विचिंग ट्रांजिस्टर, बाइपोलर या [[MOSFET|MOSFET (मॉस्फेट)]], R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || बीएस170
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|T||High-power control or switching device: [[thyristor]]s, [[TRIAC]]s, silicon bidirectional switch (SBS), etc. || BT138
|टी||उच्च-शक्ति नियंत्रण या स्विचिंग डिवाइस: [[thyristor|थाइरिस्टर्स]], [[TRIAC|टीआरआईएसी]], सिलिकॉन द्विदिश स्विच (एसबीएस), आदि। || बीटी138
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|U||High-power switching transistors, bipolar or [[MOSFET]], R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BU508, BUZ11
|यू||उच्च-शक्ति स्विचिंग ट्रांजिस्टर, बाइपोलर या  [[MOSFET|मॉस्फेट]], R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || बीयू508, बीयूजेड11
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|V||[[Antenna (radio)|Antenna]] ||
|वी||[[Antenna (radio)|एंटीना]] ||
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|W||[[Surface acoustic wave#Application in electronic components|Surface-acoustic-wave device]] ||
|डब्लू||[[Surface acoustic wave#Application in electronic components|भूतल-ध्वनिक-तरंग डिवाइस]] ||
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|X||[[Frequency multiplier]]: [[varactor]], [[step recovery diode]] ||
|एक्स||[[Frequency multiplier|फ्रीक्वेंसी मल्टीप्लायर]]: [[varactor|वैक्टर]], [[step recovery diode|स्टेप रिकवरी डायोड]] ||
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|Y||High-power rectifying diode || BY228
|वाई||उच्च शक्ति सुधारक डायोड || बीवाई228
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|Z||[[Avalanche diode|Avalanche]], [[Transient voltage suppressor|TVS]], [[Zener diode|Zener]] diode || BZY91
|जेड||[[Avalanche diode|एवलांच]], [[Transient voltage suppressor|टीवीएस]], [[Zener diode|जेनर]] डायोड || बीजेडवाई91
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Revision as of 21:18, 23 March 2023

प्रो इलेक्ट्रॉन या ईईसीए, सक्रिय घटकों (जैसे अर्धचालक, लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले, संवेदी उपकरण,वेक्यूम - ट्यूब और कैथोड रे ट्यूब) के लिए यूरोपीय प्रकार का पदनाम और पंजीकरण प्रणाली है।

प्रो इलेक्ट्रॉन की स्थापना सन 1966 में ब्रसेल्स, बेल्जियम में हुई थी। सन 1983 में इसे यूरोपियन इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट मैन्युफैक्चरर्स एसोसिएशन (ईईसीए) के साथ मिला दिया गया और तभी से ईईसीए एक एजेंसी के रूप में कार्य करती है।

प्रो इलेक्ट्रॉन का लक्ष्य कई अलग-अलग निर्माताओं द्वारा बनाए जाने पर भी इलेक्ट्रॉनिक भागों की स्पष्ट पहचान की अनुमति देना है। इसके लिए निर्माता एजेंसी के साथ नए उपकरणों को पंजीकृत करते हैं और उनके लिए नए प्रकार के प्रारूप प्राप्त करते हैं।

पदनाम प्रणाली

प्रो इलेक्ट्रॉन प्रकार के डिज़ाइनर के उदाहरण हैं:

  • एडी162 - ऑडियो आवृत्ति उपयोग के लिए जर्मेनियम पावर ट्रांजिस्टर
  • बीवाई133 - सिलिकॉन शोधक
  • बीजेडवाई88C5वी1 - सिलिकॉन 5.1 वोल्ट ज़ेनर डायोड
  • सीक्यूवाई97 - प्रकाश उत्सर्जक डायोड
  • ईसीसी83 - 6.3 वोल्ट हीटर नोवल डुअल ट्रायोड
  • ए63ईएए00XX01 - रंगीन टीवी पिक्चर ट्यूब
  • एसएए1300 - डिजिटल इंटीग्रेटेड सर्किट

प्रो इलेक्ट्रॉन ने सन 1934 के आसपास वाल्व (ट्यूब) अर्थात मुलार्ड-फिलिप्स ट्यूब पदनाम के लिए लोकप्रिय यूरोपीय कोडिंग प्रणाली का उपयोग किया और अनिवार्य रूप से अर्धचालकों के लिए शायद ही कभी उपयोग किए जाने वाले हीटर पदनामों (भाग संख्या का पहला अक्षर) को पुनः आवंटित किया। दूसरे अक्षर का उपयोग वाल्व नामकरण सम्मेलन में समान प्रकार से किया गया था: "ए" सिग्नल डायोड के लिए, "सी" कम-शक्ति द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या ट्रायोड के लिए, "डी" उच्च-शक्ति ट्रांजिस्टर (या ट्रायोड) के लिए और "वाई" "रेक्टीफायर के लिए परंतु अन्य अक्षर पदनामों ने वैक्यूम ट्यूब मोड का इतनी सावधानी से पालन नहीं किया।

प्रथम दो अक्षरों के बाद के तीन अंक (या दो अंकों के पश्चात का अक्षर) अनिवार्य रूप से एक अनुक्रम संख्या थे। (पहले) वाल्व-युग सम्मेलन के अवशेष के साथ कि पहले एक या दो अंक आधार (पैकेज) प्रकार का संकेत देंगे उदाहरणों में जैसे सामान्य-उद्देश्य ट्रांजिस्टर के इस परिवार में:

Package NPN PNP
टीओ -18 बीसी10x बीसी17x
लॉकफिट बीसी14x बीसी15x
टीओ-92 बीसी54x बीसी55x

... जहां x हो सकता है:

  • 7 उच्च वोल्टेज के लिए
  • 8 सामान्य प्रयोजन के लिए
  • 9 कम ध्वनि/ उच्च लाभ के लिए

विश्व में अर्धचालक निर्माताओं द्वारा ट्रांजिस्टर और जेनर डायोड के लिए प्रो इलेक्ट्रॉन नामकरण व्यापक रूप से लिया गया है। एकीकृत परिपथों के प्रो इलेक्ट्रॉन नामकरण, कुछ विशेष (जैसे टेलीविजन सिग्नल-प्रोसेसिंग) चिप्स के अतिरिक्त (यूरोप में भी) बहुत अधिक चलन में नहीं आया। कई एकीकृत परिपथों के लिए अन्य लोकप्रिय पदनाम प्रणालियों का उपयोग किया गया था।

प्रो इलेक्ट्रॉन और पहले के वाल्व-नामकरण सम्मेलनों के बीच अंतर

  • ट्यूब नामकरण परिपाटी के विपरीत यदि एक लिफाफे में दो ट्रांजिस्टर हैं तो टाइप अक्षर कभी दोहराया नहीं गया था इसलिए दोहरे एनपीएन आरएफ ट्रांजिस्टर को उदाहरण के लिए "बीएफएफ 505" जैसी किसी वस्तु के स्थान पर "बीएफएम 505" प्रकार मिल सकता है।
  • जबकि कुछ सबसे लोकप्रिय उपकरण अनुक्रमिक अंको के एक तरीके के अनुरूप होते हैं जो पैकेज प्रकार और ध्रुवीयता की पहचान करते हैं, कई नहीं करते हैं।
  • ट्रांजिस्टर और डायोड प्रकार की संख्याओं के दूसरे वर्ण के लिए निर्दिष्ट अक्षर कई तरह से भिन्न होते हैं, उदा
    • बी का उपयोग दोहरे वैरिकैप डायोड के लिए किया जाता है।
    • एल ट्रांजिस्टर के संदर्भ में आरएफ पावर (संचारण) ट्रांजिस्टर को नामित करता है; वाल्वों के लिए इसका अर्थ उच्च-शक्ति पेंटोड ट्यूब (पावर आरएफ के लिए सामान्य विकल्प) है।
    • (फुल-वेव) रेक्टिफायर वाल्व (वैक्यूम ट्यूब) के स्थान पर अर्धचालक जेनर डायोड के लिए "जेड" का उपयोग किया जाता है।

यूरोपीय सक्रिय उपकरणों में अधिकतर पहले अक्षरों का उपयोग किया जाता है।

इलेक्ट्रॉन ट्यूब

  • विवरण के लिए मुलार्ड-फिलिप्स ट्यूब पदनाम देखें। अधिक सामान्य अक्षरों का एक संक्षिप्त सारांश है:
    ईसीसी81
   / \ \\__ अंतिम अंक = क्रम संख्या
  / \\__ पहला अंक=बेस (3=8पिन 8,18,80=ट्यूब बेस नोवल (बी9ए), 9=ट्यूब बेस मिनिएचर 7-पिन (बी7जी)
 / \___ ट्यूब में प्रति वॉल्व यूनिट अक्षर:
डी=1.4v ​​या उससे कम ए=एकल-डायोड (कम शक्ति)
ई=6.3v* बी=डबल-डायोड (सामान्य रूप से साझा कैथोड, परन्तु सदैव नहीं)
पी = 300 एमए सी = ट्रायोड
यू=100mA F=पेंटोड (कम शक्ति)
                    एल = पेंटोड (उच्च शक्ति)
                    वाई = एकल-चरण सुधारक
                    जेड = पूर्ण-वेव सुधारक
* नोट: कुछ 6.3 वोल्ट हीटर प्रकारों में एक विभाजित हीटर होता है जो श्रृंखला (12.6 वोल्ट; B9A पिन 4 से 5 के लिए डिफ़ॉल्ट) या समानांतर (6.3 वोल्ट) संचालन को अनुमति देता है ।

अर्धचालक डायोड और ट्रांजिस्टर

पहला अक्षर अर्धचालक प्रकार देता है

(ऊपर देखें)

दूसरा अक्षर इच्छित उपयोग को दर्शाता है

2nd letter Usage Example
ए कम ऊर्जा / छोटे सिग्नल डायोड एए119, बीए121
बी वैरिकैप डायोड बीबी105जी
सी छोटे सिग्नल ट्रांजिस्टर, RthG > 15K/W बीसी546सी
डी उच्च शक्ति, कम आवृत्ति बिजली ट्रांजिस्टर, RthG ≤ 15K/W बीडी139
ई टनल (एसाकी-) डायोड एई100
एफ कम-शक्ति, आरएफ (उच्च-आवृत्ति) द्विध्रुवी या एफईटी, RthG > 15K/W बीएफ245
जी हाइब्रिड डिवाइस बीजीवाई32, बीजीवाई585
एच हॉल इफेक्ट सेंसर/डायोड
एल उच्च-आवृत्ति, उच्च-शक्ति ट्रांजिस्टर (ट्रांसमीटरों के लिए), RthG ≤ 15K/W बीएलडब्लू34
एम रिंग मॉड्यूलेटर-टाइप फ्रीक्वेंसी मिक्सर
एन ऑप्टो आइसोलेटर सीएनवाई17
पी विकिरण डिटेक्टर (फोटोडायोड, फोटोट्रांसिस्टर) बीपीडब्लू34
क्यू विकिरण जनरेटर (एलईडी) सीक्यूवाई99
आर लो-पावर कंट्रोल या स्विचिंग डिवाइस: थाइरिस्टर्स, डियाक्स, ट्राइक, यूजेटी, प्रोग्रामेबल यूनिजंक्शन ट्रांजिस्टर (पीयूटी), सिलिकॉन बिडायरेक्शनल स्विच (एसबीएस), ऑप्टो-ट्राइक्स आदि। बीआर100
एस लो-पावर स्विचिंग ट्रांजिस्टर, बाइपोलर या MOSFET (मॉस्फेट), RthG > 15K/W बीएस170
टी उच्च-शक्ति नियंत्रण या स्विचिंग डिवाइस: थाइरिस्टर्स, टीआरआईएसी, सिलिकॉन द्विदिश स्विच (एसबीएस), आदि। बीटी138
यू उच्च-शक्ति स्विचिंग ट्रांजिस्टर, बाइपोलर या मॉस्फेट, RthG ≤ 15K/W बीयू508, बीयूजेड11
वी एंटीना
डब्लू भूतल-ध्वनिक-तरंग डिवाइस
एक्स फ्रीक्वेंसी मल्टीप्लायर: वैक्टर, स्टेप रिकवरी डायोड
वाई उच्च शक्ति सुधारक डायोड बीवाई228
जेड एवलांच, टीवीएस, जेनर डायोड बीजेडवाई91


सीरियल नंबर

प्रो इलेक्ट्रॉन द्वारा निर्दिष्ट इन दो अक्षरों के बाद एक 3- या 4-अंकीय सीरियल नंबर (या अंक के बाद कोई अन्य अक्षर) है। यह हमेशा केवल एक अनुक्रम संख्या नहीं होती है; कभी-कभी संख्या में जानकारी दी जाती है:

  • केवल शुरुआती उपकरणों में, सीरियल नंबर अक्सर केस/पैकेज प्रकार को इंगित करता था (उदाहरण के लिए AF114-7 TO-5 केस के लिए, जबकि AF124-7 उसी ट्रांजिस्टर के TO-72 संस्करण थे); आधुनिक सरफेस-माउंट डिवाइस अक्सर 8 से शुरू होते हैं,
  • शुरुआती सिलिकॉन ट्रांजिस्टर ने एनपीएन के लिए 0-5 के मध्य अंक और पीएनपी के लिए 6-9 के उपयोग के सम्मेलन का पालन किया।
  • अंतिम अंक अक्सर एक विशेष विनिर्देश या एप्लिकेशन ग्रुपिंग का संकेत देता है, उदा। AF117 और AF127 समान IF एम्पलीफायर डिवाइस विभिन्न मामलों में थे; BC109, BC149, BC169 और BC549 समान कम शोर वाले ट्रांजिस्टर हैं)।
  • कुछ आधुनिक उपकरण एचबीटी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर को इंगित करने के लिए बी जैसे अक्षरों का उपयोग करते हैं।[1]

प्रत्यय और संस्करण विनिर्देशक

प्रत्यय का उपयोग किया जा सकता है, अक्षर या शायद सीरियल नंबर से / या - द्वारा सीमांकित अंकों के ब्लॉक, अक्सर निश्चित अर्थ के बिना लेकिन कुछ अधिक सामान्य सम्मेलन हैं:

  • छोटे-सिग्नल ट्रांजिस्टर के लिए A से C का अर्थ अक्सर निम्न से उच्च h होता हैFE, जैसे: BC549C[2]),
  • संख्यात्मक प्रत्यय का उपयोग एच दिखाने के वैकल्पिक तरीके के रूप में किया जा सकता हैFE (जैसे BC327-25), या वोल्टेज रेटिंग (जैसे BUK854-800A[3]).
  • वोल्टेज संदर्भ डायोड के लिए पत्र सहनशीलता दिखाते हैं (ए, बी, सी, डी, ई 1%/2%/5%/10*/20%) इंगित करते हैं और वी द्वारा पीछा किया जा सकता हैz मान, उदा. 6.8 वोल्ट के लिए 6V8 या 18 वोल्ट के लिए 18V।
  • R का मतलब रिवर्स पोलरिटी हो सकता है।

मूल अनुक्रम संख्या में प्रत्यय और निर्माताओं के एक्सटेंशन के उदाहरणों में शामिल हैं:

Prefix class Usage Example Notes
AC Germanium small signal transistor AC127/01 an AC127 (TO-1 case) with built-on heat-conducting block
AF Germanium RF transistor AFY40R the "Y40" sequence number implies industrial uses,
the "R" indicates reduced specifications
BC Silicon, small-signal transistor ("allround" or "G.P.") BC183LB the "L" indicates Base-Collector-Emitter pinout while
the "B" suffix indicates medium gain (240-500 hFE) selection
BC Silicon, small-signal transistor BC337-25 -25 indicates an hFE of around 250 (140-400 range)
BD Silicon Darlington-pair power transistor BDT60B the "B" suffix here indicates medium voltage (-100VCBO)
BF Silicon RF (high-frequency) BJT or FET BF493S a BF493 with a -350VCEO rating
BL Silicon high-frequency, high-power (for transmitters) BLY49A BLY49 in a TO-66 case
BS Silicon switching transistor, bipolar or MOSFET BSV52LT1 SOT-23 (surface-mount) package
BT Silicon Thyristor or TRIAC BT138/800 800V-rated TRIAC
BU Silicon high-voltage (for CRT horizontal deflection circuits) BU508D a BU508 with integral damper diode
BZ Silicon regulator ("Zener") diode BZY88-C5V6 "C" indicates 5% tolerance, "5V6" indicates 5.6Vz

नोट: एक BC546 को कुछ निर्माताओं द्वारा केवल C546 के रूप में चिह्नित किया जा सकता है, इस प्रकार संभवतः JIS संक्षिप्त चिह्नों के साथ भ्रम पैदा कर सकता है, क्योंकि C546 चिह्नित एक ट्रांजिस्टर भी 2SC546 हो सकता है।

सबसे आम अर्धचालक डायोड और ट्रांजिस्टर पदनामों का संक्षिप्त सारांश: 

      BC549C
     / |--- \___ वैरिएंट (ट्रांजिस्टर के लिए A,B,C निम्न, मध्यम या उच्च लाभ दर्शाता है)
    / | \___ सीरियल नंबर (कम से कम 3 अंक या अक्षर और 2 अंक)
   /  उपकरण का प्रकार:
A=Ge A=सिग्नल डायोड
B=Si C=LF लो-पॉवर ट्रांजिस्टर
         डी = एलएफ पावर ट्रांजिस्टर
         एफ = आरएफ ट्रांजिस्टर (या एफईटी)
         पी = सहज ट्रांजिस्टर आदि।
         टी = त्रिक या थाइरिस्टर
         वाई = रेक्टीफायर डायोड
         जेड = जेनर डायोड

पूर्वी ब्लॉक में प्रयोग

पोलैंड, हंगरी, रोमानिया के समाजवादी गणराज्य में इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग, और क्यूबा ने ज्यादातर पश्चिमी यूरोप की तरह असतत अर्धचालकों के लिए प्रो इलेक्ट्रॉन पदनामों का इस्तेमाल किया। 1971 से शुरू होकर, पोलैंड में P अक्षर डाला गया, उदा। BUY54 BUYP54 बन गया।[4] पूर्वी जर्मनी में माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक एरफर्ट को मिलाएं (केएमई) और टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी) ने प्रो इलेक्ट्रॉन योजना से प्राप्त पदनामों का इस्तेमाल किया। विशेष रूप से, सामग्री को निर्दिष्ट करने वाला पहला अक्षर भिन्न था जबकि दूसरा अक्षर ऊपर दी गई तालिका का अनुसरण करता है (केएमई के लिए कुछ अपवादों के साथ नीचे उल्लेख किया गया है)।[5]

Material 1st letter Pro Electron 1st letter KME East Germany 1st letter Tesla
Germanium A G G
Silicon B S K
Compound materials (GaAs etc.) C V L
Multiple materials (e.g. Si + GaAs) C M —
2nd letter KME East Germany usage
B Optoisolator (varicaps were included with other diodes under letter A)
M MOSFET (Pro Electron includes MOSFETs in letters C, D, F, L, S, U)
W Sensors other than radiation detectors

Examples: [[Commons:File:GD241 Transistor.jpg|GD241C - Germanium power transistor from KME; [[Commons:File:Opto-isolator (aka).jpg|एमबी111 - केएमई से ऑप्टोआइसोलेटर; केडी503 - Silicon power transistor from Tesla; [[Commons:File:Tesla LQ100.jpg|LQ100 - टेस्ला से एलईडी।

इंटीग्रेटेड सर्किट

एकीकृत सर्किट पदनाम में तीन अक्षर होते हैं, जिसके बाद तीन से पांच अंकों की क्रम संख्या होती है।[1] प्रारंभ में, केवल तीन अंकों की क्रम संख्या की अनुमति थी। तीन अंकों की क्रम संख्या वाले पदनामों के लिए तीसरे प्रारंभिक अक्षर का डिजिटल एकीकृत सर्किट (नीचे देखें) के लिए एक परिभाषित अर्थ था और ऑपरेटिंग तापमान रेंज सीरियल नंबर के अंतिम अंक में एन्कोड किया गया था।[6]विनिर्देश 1973 में बदल दिया गया था[6]लंबे सीरियल नंबर की अनुमति देने के लिए। तीन अंकों से अधिक की क्रम संख्या वाले पदों के लिए तीसरा प्रारंभिक अक्षर तापमान सीमा को कूटबद्ध करता है।[1][6]वैकल्पिक रूप से, एक संस्करण अक्षर (ए, बी, ...) और / या एक पैकेज पदनाम सीरियल नंबर के बाद हो सकता है।[1]

1st letter Usage Example
F, G, H, I Digital integrated circuit that is part of a family FLH101
M Microprocessor MAB2650A
N Charge-transfer devices and switched capacitors
P Digital integrated circuit that is part of a family PMB2205
S Digital integrated circuit that is not part of a family ("solitary") SAA1099
T Analogue integrated circuit TEA1002
U Mixed-signal integrated circuit (analogue and digital) UAA180
Operating temperature ranges[1]
Range 3-digit serial number) serial number with more than 3 digits
3rd digit Example 3rd letter Example
No temperature range specified 0 TCA220 A TDA5140A
0−0 °C to +70 °C 1 FLH241 B PSB2115F
−55 °C to +125 °C 2 TAA762[6] C HCC4012B[7]
−10 °C to +85 °C 3 — —
+15 °C to +55 °C 4 — —
−25 °C to +70 °C 5 FLH185 D SAD1009P
−25 °C to +85 °C — — E TBE2335[6]
−40 °C to +85 °C 6 FJH106[8] F HEF4011BP
Common package designations[1]
Package Description Example
E Ball grid array (BGA) PMB2800E
H Quad Flat Package (QFP) SAA7146AH
N Quad Flat Package (QFP) non leaded PEB2086N
P Plastic dual in-line package (DIP) PCF8574P
T Small Outline Package (SOP) PCF8574AT


डिजिटल तर्क परिवार

पहले अक्षर और दूसरे अक्षर का संयोजन एक विशिष्ट निर्माता को सौंपा गया है।[1] 

   FCH171
  // \\__ सीरियल नंबर (तापमान सीमा सहित)
 // \___ एच=गेट (कॉम्बिनेटोरियल सर्किट), जे=फ्लिप-फ्लॉप, के=मोनोस्टेबल, एल=स्तर शिफ्टर , क्यू=रैम, आर=केवल पढ़ने के लिये मेमोरी , वाई=विविध इत्यादि।
PHILIPS  द्वारा एफसी = डायोड-ट्रांजिस्टर तर्क[9]/ मुलर्ड[8]
FD = डायनेमिक लॉजिक (डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक्स) फिलिप्स द्वारा PMOS लॉजिक[9]/ मुलार्ड[8]
फिलिप्स द्वारा एफई = पीएमओएस तर्क[9]/ मुलार्ड[8]
FH=फिलिप्स द्वारा ट्रांजिस्टर-ट्रांजिस्टर लॉजिक[9](ट्रांजिस्टर–ट्रांजिस्टर तर्क#इतिहास)
FJ=फिलिप्स द्वारा ट्रांजिस्टर-ट्रांजिस्टर लॉजिक[9]/ मुलार्ड[8](7400 श्रृंखला)
एफके = ई2फिलिप्स द्वारा सीएल[9]
FL = सीमेंस द्वारा ट्रांजिस्टर-ट्रांजिस्टर तर्क (7400 श्रृंखला)[10]
telefunken द्वारा एफएन = एमिटर-युग्मित तर्क[11]
एफपी = टेलीफंकन द्वारा उच्च दहलीज तर्क[11][12]
FQ = एसजीएस-एटीईएस द्वारा डायोड-ट्रांजिस्टर तर्क[13][14]
टेलीफंकन द्वारा एफएस = एसईसीएल[11]
FY = सीमेंस द्वारा एमिटर-युग्मित तर्क[10]
FZ = सीमेंस द्वारा हाई थ्रेशोल्ड लॉजिक[10]
GD = सीमेंस द्वारा PMOS तर्क (MEM1000 श्रृंखला)[15]
फिलिप्स द्वारा जीएच = एमिटर-युग्मित तर्क[16]
मुलार्ड द्वारा GJ=ट्रांजिस्टर-ट्रांजिस्टर लॉजिक (7400 श्रृंखला)[8]
मुलार्ड द्वारा जीआर = इंटरफ़ेस डिवाइस (7500 श्रृंखला)[8]
मुलार्ड द्वारा जीटी = ट्रांजिस्टर-ट्रांजिस्टर तर्क (7400 श्रृंखला)[8]

दुर्भाग्य से सीरियल नंबर प्रत्येक परिवार में एक ही प्रकार के गेट को निर्दिष्ट नहीं करता है, उदा। जबकि एक FJH131 चौगुना 2-इनपुट NAND गेट है (7400 श्रृंखला की तरह), एक FCH131 एक दोहरा 4-इनपुट NAND गेट है,[8]और एक FLH131 एक 8-इनपुट NAND गेट (7430 के बराबर) है।[10]कम से कम 7400 श्रृंखला के लिए भ्रम को कम करने के लिए, कुछ बिंदु पर निर्माताओं ने अपने साहित्य और स्वयं एकीकृत परिपथों दोनों में प्रसिद्ध 7400 श्रृंखला पदनाम शामिल किए।

यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 "इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए यूरोपीय प्रकार पदनाम कोड सिस्टम" (PDF) (16 ed.). Brussels, Belgium: Pro Electron. July 2010. Archived from the original (PDF) on 2017-07-14. Retrieved 2022-05-04.
  2. ↑ Datasheet for BC549, with A,B and C gain groupings
  3. ↑ datasheet for BUK854-800A (800 volt IGBT)
  4. ↑ Matuschek (1973). "Typenbezeichnungssystem für polnische Halbleiterbauelemente" [System of type designations for Polish semiconductor devices]. Radio Fernsehen Elektronik (in Deutsch). Berlin: VEB Verlag Technik. 22 (10): 340. ISSN 0033-7900.
  5. ↑ TGL 38015: Halbleiterbauelemente; Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise; Bildung der Typbezeichnung und Gestaltung der Typkennzeichnung [TGL 38015: Semiconductor Devices; Discrete Semiconductor Devices and Integrated Semiconductor Circuits; Formation of Type Designation and Marking] (PDF) (in Deutsch). Leipzig: Verlag für Standardisierung. May 1986. Retrieved 2017-12-02.
  6. ↑ 6.0 6.1 6.2 6.3 6.4 Analog Integrated Circuits Data Book 1976/77 (PDF). München: Siemens AG. Retrieved 2022-05-04.
  7. ↑ "HCC4011B/12B/23B HCF4011B/12B/23B" (PDF). SGS-Thomson Microelectronics. 1984. Retrieved 2022-11-21.
  8. ↑ 8.0 8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 Mullard semiconductors quick reference guide 1972-73 (PDF). London: Mullard Limited. Retrieved 2022-05-04.
  9. ↑ 9.0 9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 "circuiti integrati". Sperimentare (in italiano). May 1969. Retrieved 2022-10-19.
  10. ↑ 10.0 10.1 10.2 10.3 Discrete Semiconductors - Integrated Circuits - Power Semiconductors - Delivery Program 1973/74. München: Siemens AG. Retrieved 2022-05-05.
  11. ↑ 11.0 11.1 11.2 Semiconductor survey 1972/1973. Heilbronn: AEG-Telefunken. Retrieved 2022-08-23.
  12. ↑ P. Sieber; J. Kuhlmann. Die Flip-Flops der DTLZ-FP-Familie (PDF) (in Deutsch). Heilbronn: AEG-Telefunken. Archived from the original (PDF) on 7 January 2020. Retrieved 2022-05-04.
  13. ↑ Bernard B. Babani (1974). Handbook of Integrated Circuits (IC's) Equivalents and Substitutes (PDF). London: Bernards. ISBN 0 900162 35 X.
  14. ↑ Садченков, Дмитрий Андреевич (2009). Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных Справ. пособие т. 2 [Marking of domestic and foreign electronic components, reference guide, volume 2] (in русский). Moscow: Solon-P. pp. 8–10. ISBN 5934551299.
  15. ↑ "equivalenze dei transistori". Sperimentare (in italiano). January 1973. pp. 100–104. Retrieved 2022-05-05.
  16. ↑ "Integrati Logici CML" (PDF). Radio Elettronica (in italiano). Milano: Etas Kompass. March 1973. p. 6. Retrieved 2022-05-05.


बाहरी संबंध

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