एल्युमिनियम आर्सेनाइड: Difference between revisions
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एल्युमिनियम आर्सेनाइड ({{chem2|auto=1|AlAs}}) [ | एल्युमिनियम आर्सेनाइड ({{chem2|auto=1|AlAs}}) [<nowiki/>[[गैलियम]] आर्सेनाइड] और [[एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड]] की तुलना में व्यापक [[ऊर्जा अंतराल]] के रूप में लगभग समान जाली स्थिरांक वाला अर्धचालक पदार्थ है। (AlAs) गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) के साथ एक सुपरलैटिस बना सकता है जिसके परिणामस्वरूप इसके अर्धचालक गुण होते हैं।<ref>Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". ''Journal of Nanoparticle Research''. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.</ref> क्योंकि GaAs और AlAs में लगभग समान जाली स्थिरांक है, परतों में बहुत कम प्रेरित तनाव है, जो उन्हें लगभग मनमाने ढंग से मोटा होने की अनुमति देता है। यह अत्यधिक उच्च प्रदर्शन उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, एचईएमटी ट्रांजिस्टर और अन्य [[ क्वांटम अच्छी तरह से ]] उपकरणों के लिए अनुमति देता है।<ref name=":0">S. Adachi, ''GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties''. (World Scientific, Singapore, 1994)</ref> '''यह अत्यधिक उच्च प्रदर्शन उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, एचईएमटी ट्रांजिस्टर और अन्य [[ क्वांटम अच्छी तरह से | क्वांटम अच्छी तरह से]] उपकरणों के लिए अनुमति देता है।<ref name=":0" />{{page needed|date=August 2017}}''' | ||
== गुण == | == गुण == | ||
इसके निम्नलिखित गुण हैं:<ref name=berger>{{cite book | author = Berger, L. I. | title = सेमीकंडक्टर सामग्री| publisher = CRC Press | year = 1996 | isbn = 978-0-8493-8912-2 | page = [https://archive.org/details/semiconductormat0000berg/page/125 125] | url = https://archive.org/details/semiconductormat0000berg | url-access = registration }}</ref> | इसके निम्नलिखित गुण हैं:<ref name=berger>{{cite book | author = Berger, L. I. | title = सेमीकंडक्टर सामग्री| publisher = CRC Press | year = 1996 | isbn = 978-0-8493-8912-2 | page = [https://archive.org/details/semiconductormat0000berg/page/125 125] | url = https://archive.org/details/semiconductormat0000berg | url-access = registration }}</ref> | ||
*[[थर्मल विस्तार गुणांक]] 5 µm/(°C*m) | *[[थर्मल विस्तार गुणांक]] 5 µm/(°C*m) | ||
* डेबाई तापमान | * डेबाई तापमान 417k | ||
*सूक्ष्म कठोरता 5.0 जीपीए (50 ग्राम लोड) | *सूक्ष्म कठोरता 5.0 जीपीए (50 ग्राम लोड) | ||
*परमाणुओं की संख्या 1 सेंटीमीटर<sup>3</sup> में | *परमाणुओं की संख्या 1 सेंटीमीटर<sup>3</sup> में (4.42-0.17x)·10<sup>22<ref name="multiple">Dierks, S. [http://sauvignon.mit.edu/fitz/safety/aluminumarsenide.pdf "Aluminum Arsenide - Material Safety Data"] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20131029211735/http://sauvignon.mit.edu/fitz/safety/aluminumarsenide.pdf |date=2013-10-29 }}. The Fitzgerald Group, MIT, 1994.</ref> | ||
*[[ समान बल के खिलाफ किसी वस्तु का प्रतिरोध | समान बल के विपरीत किसी वस्तु का प्रतिरोध]] (7.55+0.26x)·10<sup>11</sup> डाइन सेमी<sup>-2</सुप><ref name="multiple"/>*मोह्स पैमाने पर कठोरता: ~ 5<ref name="multiple"/>* एच में अघुलनशीलता<sub>2</sub>O<ref name="multiple"/> | *[[ समान बल के खिलाफ किसी वस्तु का प्रतिरोध | समान बल के विपरीत किसी वस्तु का प्रतिरोध]] (7.55+0.26x)·10<sup>11</sup> डाइन सेमी<sup>-2</सुप><ref name="multiple"/>*मोह्स पैमाने पर कठोरता: ~ 5<ref name="multiple"/>* एच में अघुलनशीलता<sub>2</sub>O<ref name="multiple"/> | ||
== उपयोग करता है == | == उपयोग करता है == | ||
एल्युमिनियम [[आर्सेन|आर्सेनाइड]] III-V यौगिक अर्धचालक सामग्री है और [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] जैसे [[optoelectronic|ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक]] उपकरणों के निर्माण के लिए लाभप्रद सामग्री है। | एल्युमिनियम [[आर्सेन|आर्सेनाइड]] III-V यौगिक अर्धचालक सामग्री है और [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] जैसे [[optoelectronic|ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक]] उपकरणों के निर्माण के लिए लाभप्रद सामग्री है। | ||
एल्युमिनियम आर्सेनाइड को जाने-माने तरीकों का उपयोग करके तैयार किया जा सकता है, जैसे कि एपिटैक्सी | एल्युमिनियम आर्सेनाइड को जाने-माने तरीकों का उपयोग करके तैयार किया जा सकता है, जैसे कि एपिटैक्सी लिक्विड और वेपर-फेज [[एपिटाक्सी]] तकनीक या मेल्ट-ग्रोथ तकनीक। चूंकि , इन विधियों द्वारा तैयार किए गए एल्यूमीनियम आर्सेनाइड क्रिस्टल सामान्यतः अस्थिर होते हैं और नम हवा के संपर्क में आने पर आर्सिन ((AsH<sub>3</sub>) उत्पन्न करते हैं। | ||
== संश्लेषण == | == संश्लेषण == | ||
मुख्य रूप से | मुख्य रूप से सम्मिलित व्यावहारिक कठिनाइयों के कारण, एल्यूमीनियम आर्सेनाइड की तैयारी पर बहुत कम काम की सूचना मिली है। यौगिक के उच्च [[गलनांक]] (लगभग 1,700 डिग्री सेल्सियस) और इस तापमान पर एल्यूमीनियम की अत्यधिक प्रतिक्रियाशीलता के कारण पिघल से तैयारी कठिन है। कुछ श्रमिकों ने पिघल से छोटे क्रिस्टल तैयार किए हैं और [[सिल्लियां]] भी बनाई गई हैं। इस सामग्री के सर्वश्रेष्ठ में 10<sup>19</sup>सेमी<sup>3</sup> के क्रम की अशुद्धता वाहक घनत्व है और पी-टाइप है।<ref>Willardson, R., and Goering, H. (eds.), ''Compound Semiconductors'', pp. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).</ref> | ||
== प्रतिक्रियाशीलता == | == प्रतिक्रियाशीलता == | ||
एल्यूमीनियम आर्सेनाइड स्थिर यौगिक है; चूंकि , एसिड, एसिड के धुएं और नमी से बचना चाहिए। खतरनाक पॉलिमरीकरण नहीं होगा। एल्यूमीनियम आर्सेनाइड का अपघटन भयानक आर्सेन गैस और आर्सेनिक धुएं का उत्पादन करता है। | एल्यूमीनियम आर्सेनाइड स्थिर यौगिक है; चूंकि , एसिड, एसिड के धुएं और नमी से बचना चाहिए। खतरनाक पॉलिमरीकरण नहीं होगा। एल्यूमीनियम आर्सेनाइड का अपघटन भयानक आर्सेन गैस और आर्सेनिक धुएं का उत्पादन करता है। | ||
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एल्यूमीनियम यौगिकों के कई व्यावसायिक उपयोग हैं और सामान्यतः उद्योग में पाए जाते हैं। इनमें से कई सामग्रियां रासायनिक रूप से सक्रिय हैं और इस प्रकार भयानक विषैले और प्रतिक्रियाशील गुण प्रदर्शित करती हैं। एल्यूमीनियम आर्सेनाइड के रासायनिक, भौतिक और विष विज्ञान की पूरी तरह से जांच और रिकॉर्ड नहीं किया गया है; चूंकि, रासायनिक वितरण के आधार पर कुछ ज्ञात [[जीर्ण (दवा)]] और [[तीव्र (दवा)]] लक्षण हैं। | एल्यूमीनियम यौगिकों के कई व्यावसायिक उपयोग हैं और सामान्यतः उद्योग में पाए जाते हैं। इनमें से कई सामग्रियां रासायनिक रूप से सक्रिय हैं और इस प्रकार भयानक विषैले और प्रतिक्रियाशील गुण प्रदर्शित करती हैं। एल्यूमीनियम आर्सेनाइड के रासायनिक, भौतिक और विष विज्ञान की पूरी तरह से जांच और रिकॉर्ड नहीं किया गया है; चूंकि, रासायनिक वितरण के आधार पर कुछ ज्ञात [[जीर्ण (दवा)]] और [[तीव्र (दवा)]] लक्षण हैं। | ||
एल्यूमीनियम आर्सेनाइड का साँस लेना श्वसन प्रणाली में तीव्र जलन उत्पन कर सकता है। यह पुरानी [[आर्सेनिक विषाक्तता]], नाक पट का अल्सरेशन, जिगर की क्षति और रक्त, गुर्दे और तंत्रिका तंत्र के कैंसर | एल्यूमीनियम आर्सेनाइड का साँस लेना श्वसन प्रणाली में तीव्र जलन उत्पन कर सकता है। यह पुरानी [[आर्सेनिक विषाक्तता]], नाक पट का अल्सरेशन, जिगर की क्षति और रक्त, गुर्दे और तंत्रिका तंत्र के कैंसर बीमारियों का कारण भी हो सकता है। एल्युमिनियम आर्सेनाइड जहरीला होता है अगर निगला जाता है और गैस्ट्रोइंटेस्टाइनल और त्वचा पर प्रभाव और तीव्र आर्सेनिक विषाक्तता उत्पन कर सकता है। घूस से गंभीर प्रभाव में आर्सेनिक विषाक्तता, गैस्ट्रोइंटेस्टाइनल गड़बड़ी, जिगर की क्षति, और रक्त, गुर्दे और तंत्रिका तंत्र के कैंसर रोग सम्मिलित हैं। यदि त्वचा पर प्रयुक्त किया जाता है, तो एल्यूमीनियम आर्सेनाइड तीव्र जलन उत्पन कर सकता है, लेकिन कोई पुराना स्वास्थ्य प्रभाव दर्ज नहीं किया गया है।<ref>Sax. ''Dangerous Properties of Industrial Materials''. Eighth edition. 2005.</ref> | ||
== विशेष सावधानियां == | == विशेष सावधानियां == | ||
Revision as of 01:24, 23 March 2023
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| Identifiers | |
|---|---|
3D model (JSmol)
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| ChemSpider | |
| EC Number |
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PubChem CID
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| Properties | |
| AlAs | |
| Molar mass | 101.9031 g/mol |
| Appearance | orange crystals |
| Density | 3.72 g/cm3 |
| Melting point | 1,740 °C (3,160 °F; 2,010 K) |
| reacts | |
| Solubility | reacts in ethanol |
| Band gap | 2.12 eV (indirect)[1] |
| Electron mobility | 200 cm2/(V·s) (300 K) |
| Thermal conductivity | 0.9 W/(cm·K) (300 K) |
Refractive index (nD)
|
3 (infrared) |
| Structure | |
| Zinc Blende | |
| T2d-F-43m | |
a = 566.0 pm
| |
| Tetrahedral | |
| Thermochemistry | |
Std molar
entropy (S⦵298) |
60.3 J/mol K |
Std enthalpy of
formation (ΔfH⦵298) |
-116.3 kJ/mol |
| Hazards | |
| NIOSH (US health exposure limits): | |
PEL (Permissible)
|
[1910.1018] TWA 0.010 mg/m3[2] |
REL (Recommended)
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Ca C 0.002 mg/m3 [15-minute][2] |
IDLH (Immediate danger)
|
Ca [5 mg/m3 (as As)][2] |
| Related compounds | |
Related semiconductor materials
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Aluminium gallium arsenide, Aluminium indium arsenide, Aluminium antimonide, Boron arsenide |
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).
| |
एल्युमिनियम आर्सेनाइड (AlAs) [गैलियम आर्सेनाइड] और एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड की तुलना में व्यापक ऊर्जा अंतराल के रूप में लगभग समान जाली स्थिरांक वाला अर्धचालक पदार्थ है। (AlAs) गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) के साथ एक सुपरलैटिस बना सकता है जिसके परिणामस्वरूप इसके अर्धचालक गुण होते हैं।[3] क्योंकि GaAs और AlAs में लगभग समान जाली स्थिरांक है, परतों में बहुत कम प्रेरित तनाव है, जो उन्हें लगभग मनमाने ढंग से मोटा होने की अनुमति देता है। यह अत्यधिक उच्च प्रदर्शन उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, एचईएमटी ट्रांजिस्टर और अन्य क्वांटम अच्छी तरह से उपकरणों के लिए अनुमति देता है।[4] यह अत्यधिक उच्च प्रदर्शन उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, एचईएमटी ट्रांजिस्टर और अन्य क्वांटम अच्छी तरह से उपकरणों के लिए अनुमति देता है।[4][page needed]
गुण
इसके निम्नलिखित गुण हैं:[5]
- थर्मल विस्तार गुणांक 5 µm/(°C*m)
- डेबाई तापमान 417k
- सूक्ष्म कठोरता 5.0 जीपीए (50 ग्राम लोड)
- परमाणुओं की संख्या 1 सेंटीमीटर3 में (4.42-0.17x)·1022[6]
- समान बल के विपरीत किसी वस्तु का प्रतिरोध (7.55+0.26x)·1011 डाइन सेमी-2</सुप>[6]*मोह्स पैमाने पर कठोरता: ~ 5[6]* एच में अघुलनशीलता2O[6]
उपयोग करता है
एल्युमिनियम आर्सेनाइड III-V यौगिक अर्धचालक सामग्री है और प्रकाश उत्सर्जक डायोड जैसे ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए लाभप्रद सामग्री है।
एल्युमिनियम आर्सेनाइड को जाने-माने तरीकों का उपयोग करके तैयार किया जा सकता है, जैसे कि एपिटैक्सी लिक्विड और वेपर-फेज एपिटाक्सी तकनीक या मेल्ट-ग्रोथ तकनीक। चूंकि , इन विधियों द्वारा तैयार किए गए एल्यूमीनियम आर्सेनाइड क्रिस्टल सामान्यतः अस्थिर होते हैं और नम हवा के संपर्क में आने पर आर्सिन ((AsH3) उत्पन्न करते हैं।
संश्लेषण
मुख्य रूप से सम्मिलित व्यावहारिक कठिनाइयों के कारण, एल्यूमीनियम आर्सेनाइड की तैयारी पर बहुत कम काम की सूचना मिली है। यौगिक के उच्च गलनांक (लगभग 1,700 डिग्री सेल्सियस) और इस तापमान पर एल्यूमीनियम की अत्यधिक प्रतिक्रियाशीलता के कारण पिघल से तैयारी कठिन है। कुछ श्रमिकों ने पिघल से छोटे क्रिस्टल तैयार किए हैं और सिल्लियां भी बनाई गई हैं। इस सामग्री के सर्वश्रेष्ठ में 1019सेमी3 के क्रम की अशुद्धता वाहक घनत्व है और पी-टाइप है।[7]
प्रतिक्रियाशीलता
एल्यूमीनियम आर्सेनाइड स्थिर यौगिक है; चूंकि , एसिड, एसिड के धुएं और नमी से बचना चाहिए। खतरनाक पॉलिमरीकरण नहीं होगा। एल्यूमीनियम आर्सेनाइड का अपघटन भयानक आर्सेन गैस और आर्सेनिक धुएं का उत्पादन करता है।
विषाक्तता
एल्युमीनियम आर्सेनाइड के रासायनिक, भौतिक और विषैले गुणों की पूरी तरह से जांच और रिकॉर्ड नहीं किया गया है।
एल्यूमीनियम यौगिकों के कई व्यावसायिक उपयोग हैं और सामान्यतः उद्योग में पाए जाते हैं। इनमें से कई सामग्रियां रासायनिक रूप से सक्रिय हैं और इस प्रकार खतरनाक विषैले और प्रतिक्रियाशील गुण प्रदर्शित करती हैं।
सुरक्षा
एक्सपोजर के प्रभाव
एल्यूमीनियम यौगिकों के कई व्यावसायिक उपयोग हैं और सामान्यतः उद्योग में पाए जाते हैं। इनमें से कई सामग्रियां रासायनिक रूप से सक्रिय हैं और इस प्रकार भयानक विषैले और प्रतिक्रियाशील गुण प्रदर्शित करती हैं। एल्यूमीनियम आर्सेनाइड के रासायनिक, भौतिक और विष विज्ञान की पूरी तरह से जांच और रिकॉर्ड नहीं किया गया है; चूंकि, रासायनिक वितरण के आधार पर कुछ ज्ञात जीर्ण (दवा) और तीव्र (दवा) लक्षण हैं।
एल्यूमीनियम आर्सेनाइड का साँस लेना श्वसन प्रणाली में तीव्र जलन उत्पन कर सकता है। यह पुरानी आर्सेनिक विषाक्तता, नाक पट का अल्सरेशन, जिगर की क्षति और रक्त, गुर्दे और तंत्रिका तंत्र के कैंसर बीमारियों का कारण भी हो सकता है। एल्युमिनियम आर्सेनाइड जहरीला होता है अगर निगला जाता है और गैस्ट्रोइंटेस्टाइनल और त्वचा पर प्रभाव और तीव्र आर्सेनिक विषाक्तता उत्पन कर सकता है। घूस से गंभीर प्रभाव में आर्सेनिक विषाक्तता, गैस्ट्रोइंटेस्टाइनल गड़बड़ी, जिगर की क्षति, और रक्त, गुर्दे और तंत्रिका तंत्र के कैंसर रोग सम्मिलित हैं। यदि त्वचा पर प्रयुक्त किया जाता है, तो एल्यूमीनियम आर्सेनाइड तीव्र जलन उत्पन कर सकता है, लेकिन कोई पुराना स्वास्थ्य प्रभाव दर्ज नहीं किया गया है।[8]
विशेष सावधानियां
रख-रखाव और भंडारण में बरती जाने वाली सावधानियाँ: कसकर सीलबंद कंटेनरों में ठंडी, सूखी जगह में स्टोर करें। सुनिश्चित करें कि अच्छा हवादार है। कंटेनर को सावधानी से खोलें और संभालें। एसिड के साथ स्टोर न करें। कंटेनर को कसकर सील करके रखें।
संदर्भ
- ↑ "AlxGa1−xAs". Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
- ↑ 2.0 2.1 2.2 NIOSH Pocket Guide to Chemical Hazards. "#0038". National Institute for Occupational Safety and Health (NIOSH).
- ↑ Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.
- ↑ 4.0 4.1 S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties. (World Scientific, Singapore, 1994)
- ↑ Berger, L. I. (1996). सेमीकंडक्टर सामग्री. CRC Press. p. 125. ISBN 978-0-8493-8912-2.
- ↑ 6.0 6.1 6.2 6.3 Dierks, S. "Aluminum Arsenide - Material Safety Data" Archived 2013-10-29 at the Wayback Machine. The Fitzgerald Group, MIT, 1994.
- ↑ Willardson, R., and Goering, H. (eds.), Compound Semiconductors, pp. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).
- ↑ Sax. Dangerous Properties of Industrial Materials. Eighth edition. 2005.
