कैथोडोल्यूमिनेसेंस: Difference between revisions

Latest revision as of 17:49, 15 April 2023

क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में एक हीरे का रंग कैथोडोल्यूमिनेसेंस, वास्तविक रंग

कैथोडोल्यूमिनेसेंस एक प्रकाशिक घटना और विद्युत चुंबकत्व है जिसमें इलेक्ट्रॉनों को संदीप्त पदार्थ जैसे फॉस्फर पर प्रभाव पड़ता है, जो फोटॉन के उत्सर्जन का कारण बनता है, जो दृश्यमान वर्णक्रम में तरंग दैर्ध्य हो सकता है। एक परिचित उदाहरण कैथोड किरण नलिका का उपयोग करने वाले टेलीविजन की स्क्रीन की फॉस्फोर-लेपित आंतरिक सतह को क्रमवीक्षण करके एक इलेक्ट्रॉन बीम द्वारा प्रकाश की पीढ़ी है। कैथोडोल्यूमिनेसेंस प्रकाश विद्युत प्रभाव का व्युत्क्रम है, जिसमें फोटॉनों के साथ विकिरण द्वारा इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन को प्रेरित किया जाता है।

उत्पत्ति

एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस प्रणाली का रेखा चित्र : इलेक्ट्रॉन बीम परवलयिक दर्पण में छोटे छिद्र से होकर गुजरता है जो प्रकाश को एकत्र करता है और इसे स्पेक्ट्रोमीटर में दर्शाता है। एक आवेश-युग्मित उपकरण(सीसीडी) या प्रकाशगुणक(पीएमटी) का उपयोग क्रमशः समानांतर या एकवर्णी संसूचन के लिए किया जा सकता है। इलेक्ट्रॉन बीम-प्रेरित धारा(EBIC) संकेत एक साथ अभिलिखित किया जा सकता है।

अर्धचालक में संदीप्त का परिणाम तब होता है जब चालन बैंड में इलेक्ट्रॉन संयोजी बंध में एक इलेक्ट्रॉन छिद्र के साथ पुनर्संयोजित होता है। इस संक्रमण की अंतर ऊर्जा(बैंड अंतर) को फोटॉन के रूप में उत्सर्जित किया जा सकता है। फोटॉन की ऊर्जा(रंग), और संभावना है कि फोटॉन और फोनन नहीं उत्सर्जित किया जाएगा, पदार्थ, इसकी शुद्धता और दोषों की उपस्थिति पर निर्भर करता है। सबसे पहले, इलेक्ट्रॉन को संयोजी बैंड से चालन बैंड में उत्तेजित करना होता है। कैथोडोल्यूमिनेसेंस में, यह अर्धचालक पर उच्च ऊर्जा इलेक्ट्रॉन बीम के प्रभाव के परिणामस्वरूप होता है। यद्यपि, ये प्राथमिक इलेक्ट्रॉन इलेक्ट्रॉनों को सीधे उत्तेजित करने के लिए बहुत अधिक ऊर्जा ले जाते हैं। इसके अतिरिक्त, क्रिस्टल में प्राथमिक इलेक्ट्रॉनों के अप्रत्यास्थ प्रकीर्णन से द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों, ओज़े इलेक्ट्रॉनों और एक्स-किरण का उत्सर्जन होता है, जो इसके स्थान पर प्रकीर्णित भी हो सकते हैं। प्रकीर्णन की घटनाओं का ऐसा सोपानी प्रति घटना इलेक्ट्रॉन10³ द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों तक ले जाता है।^[1] ये द्वितीयक इलेक्ट्रॉन चालन बैंड में संयोजी इलेक्ट्रॉनों को उत्तेजित कर सकते हैं जब उनके समीप पदार्थ की ऊर्जा अंतराल ऊर्जा के लगभग तीन गुना गतिज ऊर्जा होती है $(E_{kin}\approx 3E_{g})$ ।^[2] वहां से इलेक्ट्रॉन संयोजी बैंड में एक छिद्र के साथ पुन: जुड़ता है और एक फोटॉन बनाता है। अतिरिक्त ऊर्जा फोनन में स्थानांतरित हो जाती है और इस प्रकार जाली को गर्म करती है। इलेक्ट्रॉन बीम के साथ उत्तेजना के लाभों में से एक यह है कि जिन पदार्थों की जांच की जाती है, उनकी बैंड अंतर ऊर्जा घटना प्रकाश की ऊर्जा द्वारा सीमित नहीं होती है, जैसा कि फोटोलुमिनेसेंस की स्थिति में होता है। इसलिए, कैथोडोल्यूमिनेसेंस में, अर्धचालक की जांच की जा सकती है, वस्तुतः, लगभग कोई भी गैर-धातु पदार्थ हो सकती है। बैंड संरचना के संदर्भ में, शास्त्रीय अर्धचालक, विसंवाहक, चीनी मिट्टी की वस्तुएं, रत्न, खनिज और ऐनक को उसी प्रकार से व्यवहार किया जा सकता है।

सूक्ष्मदर्शिकी

एक InGaN पॉलीक्रिस्टल की क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी प्रतिबिम्ब पर रंग कैथोडोल्यूमिनेसेंस अधिचित्रित। नीले और हरे चैनल वास्तविक रंगों का प्रतिनिधित्व करते हैं, लाल चैनल यूवी उत्सर्जन से मेल खाता है।

भूविज्ञान, खनिज विज्ञान, पदार्थ विज्ञान और इंजीनियरिंग और अर्धचालक इंजीनियरिंग में, एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी(एसईएम) एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस संसूचक के साथ लगाया जाता है, या एक प्रकाशिक कैथोडोल्यूमिनेसेंस सूक्ष्मदर्शी का उपयोग अर्धचालक, चट्टानों, मिट्टी के पात्र, कांच आदि की आंतरिक संरचनाओं की जांच के लिए किया जा सकता है। पदार्थ की संरचना, विकास और गुणवत्ता के विषय में जानकारी प्राप्त करना है।

एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में

इन उपकरणों में इलेक्ट्रॉनों की एक केंद्रित किरण प्रतिदर्श पर टकराती है और इसे प्रकाश का उत्सर्जन करने के लिए प्रेरित करती है जिसे प्रकाशिक प्रणाली, जैसे कि दीर्घवृत्तीय दर्पण द्वारा एकत्र किया जाता है। वहां से, एक प्रकाशित तंतु प्रकाश को सूक्ष्मदर्शी से बाहर स्थानांतरित करेगा जहां इसे एकवर्णक द्वारा इसके घटक तरंग दैर्ध्य में अलग किए जाते है और फिर एक प्रकाशगुणक नलिका के साथ इसका पता लगाया जाता है। सूक्ष्मदर्शी के बीम को XY प्रतिरूप में क्रमवीक्षण करके और प्रत्येक बिंदु पर बीम के साथ उत्सर्जित प्रकाश को मापकर, प्रतिदर्श की प्रकाशिक गतिविधि का एक प्रतिचित्र प्राप्त किया जा सकता है(कैथोडोल्यूमिनेसेंस प्रतिबिंबन)। इसके अतिरिक्त, एक निश्चित बिंदु या एक निश्चित क्षेत्र के लिए तरंग दैर्ध्य निर्भरता को मापकर, वर्णक्रमीय विशेषताओं को अभिलिखित किया जा सकता है(कैथोडोल्यूमिनेसेंस स्पेक्ट्रोमिकी)। इसके अतिरिक्त, यदि प्रकाशगुणक नलिका को सीसीडी कैमरा से बदल दिया जाता है, तो प्रतिचित्र के प्रत्येक बिंदु(अतिवर्णक्रमीय प्रतिबिंबन) पर एक पूरे वर्णक्रम को मापा जा सकता है। इसके अतिरिक्त, किसी वस्तु के प्रकाशिक गुणों को इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी से देखे गए संरचनात्मक गुणों से जोड़े जा सकते है।

इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी आधारित तकनीक का प्राथमिक लाभ इसका स्थानिक विभेदन है। एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में, प्राप्य विभेदन कुछ दस नैनोमीटर के क्रम पर होता है,^[3] जबकि(क्रमवीक्षण) संचरण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी(टीईएम) में, नैनोमीटर-आकार की विशेषताओं को हल किया जा सकता है।^[4] इसके अतिरिक्त, यदि इलेक्ट्रॉन बीम को बीम-ब्लैंकर या स्पंदित इलेक्ट्रॉन स्रोत के साथ नैनो- या पिको-सेकंड स्पंदित में काटा जा सकता है, तो इसके अतिरिक्त, नैनोसेकंड- पिकोसेकंड-स्तर समय-हल मापन करना संभव है। ये उन्नत तकनीकें कम-आयामी अर्धचालक संरचनाओं, जैसे क्वांटम कूप या क्वांटम बिंदु की जांच के लिए उपयोगी हैं।

जबकि एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस संसूचक के साथ इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी उच्च आवर्धन प्रदान करता है, प्रकाशिक कैथोडोल्यूमिनेसेंस सूक्ष्मदर्शी सीधे नेत्रिका के माध्यम से वास्तविक दृश्य रंग सुविधाओं को दिखाने की क्षमता से लाभान्वित होते है। वर्तमान में विकसित प्रणालियाँ इन दोनों तकनीकों का लाभ उठाने के लिए प्रकाशिक और इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी दोनों को संयोजित करने का प्रयास करती हैं।^[5]

विस्तारित अनुप्रयोग

यद्यपि प्रत्यक्ष बैंडअंतर अर्धचालक जैसे GaAs या GaN की इन तकनीकों द्वारा सबसे सरलता से जांच की जाती है, अप्रत्यक्ष अर्धचालक जैसे सिलिकॉन भी मन्द कैथोडोल्यूमिनिसेंस का उत्सर्जन करते हैं, और इसकी जांच भी की जा सकती है। विशेष रूप से, विस्थापित सिलिकॉन की संदीप्त आंतरिक सिलिकॉन से भिन्न होती है, और इसका उपयोग एकीकृत परिपथों में दोषों को प्रतिचित्रित करने के लिए किया जा सकता है।

वर्तमान में, इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में किए गए कैथोडोल्यूमिनेसेंस का उपयोग धातु के नैनोकणों में सतह समतल अनुनादों का अध्ययन करने के लिए भी किया जा रहा है।^[6] धातु नैनोकणों में सतह द्रव्यैकक प्रकाश को अवशोषित और उत्सर्जित कर सकते हैं, यद्यपि यह प्रक्रिया अर्धचालक से अलग है। इसी प्रकार, कैथोडोल्यूमिनेसेंस का उपयोग तलीय परावैद्युत फोटोनिक क्रिस्टल और नैनोसंरचित फोटोनिक पदार्थ अवस्थाओं के स्थानीय घनत्व को प्रतिचित्रित करने के लिए एक जांच के रूप में किया गया है।^[7]

यह भी देखें

कैथोडोल्यूमिनेसेंस सूक्ष्मदर्शी
इलेक्ट्रॉन-उत्तेजित संदीप्ति
संदीप्ति
फोटोलुमिनेसेंस
क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शिकी

संदर्भ

↑ Mitsui, T; Sekiguchi, T; Fujita, D; Koguchi, N. (2005). "Comparison between electron beam and near-field light on the luminescence excitation of GaAs/AlGaAs semiconductor quantum dots". Jpn. J. Appl. Phys. 44 (4A): 1820–1824. Bibcode:2005JaJAP..44.1820M. doi:10.1143/JJAP.44.1820. S2CID 56031946.{{cite journal}}: CS1 maint: uses authors parameter (link)
↑ Klein, C. A. (1968). "अर्धचालकों में बैंडगैप निर्भरता और विकिरण आयनीकरण ऊर्जा की संबंधित विशेषताएं". J. Appl. Phys. 39 (4): 2029–2038. Bibcode:1968JAP....39.2029K. doi:10.1063/1.1656484.
↑ Lähnemann, J.; Hauswald, C.; Wölz, M.; Jahn, U.; Hanke, M.; Geelhaar, L.; Brandt, O. (2014). "Localization and defects in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures investigated by spatially resolved luminescence spectroscopy". J. Phys. D: Appl. Phys. 47 (39): 394010. arXiv:1405.1507. Bibcode:2014JPhD...47M4010L. doi:10.1088/0022-3727/47/39/394010. S2CID 118314773.
↑ Zagonel; et al. (2011). "नैनोवायरों में क्वांटम उत्सर्जकों की नैनोमीटर स्केल स्पेक्ट्रल इमेजिंग और उनके परमाणु रूप से हल की गई संरचना से इसका संबंध". Nano Letters. 11 (2): 568–73. arXiv:1209.0953. Bibcode:2011NanoL..11..568Z. doi:10.1021/nl103549t. PMID 21182283. S2CID 18003378.
↑ "What is Quantitative Cathodoluminescence?". 2013-10-21. Archived from the original on 2016-10-29. Retrieved 2013-10-21.
↑ García de Abajo, F. J. (2010). "इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी में ऑप्टिकल उत्तेजना" (PDF). Reviews of Modern Physics. 82 (1): 209–275. arXiv:0903.1669. Bibcode:2010RvMP...82..209G. doi:10.1103/RevModPhys.82.209. hdl:10261/79235. S2CID 119246090.
↑ Sapienza, R.;Coenen, R.; Renger, J.; Kuttge, M.; van Hulst, N. F.; Polman, A (2012). "प्रकाश के मोडल फैलाव की गहरी-सबवेवलेंथ इमेजिंग". Nature Materials. 11 (9): 781–787. Bibcode:2012NatMa..11..781S. doi:10.1038/nmat3402. PMID 22902895. S2CID 31259521.{{cite journal}}: CS1 maint: uses authors parameter (link)

अग्रिम पठन

Coenen, T. (2014). Angle-resolved cathodoluminescence nanoscopy (Thesis). University of Amsterdam. hdl:11245/1.417564.
Electron beams set nanostructures aglow [PDF], E. S. Reich, Nature 493, 143(2013)
Lähnemann, J. (2013). Luminescence of group-III-V nanowires containing heterostructures (pdf) (PhD Thesis). Humboldt-Universität zu Berlin.
Kuttge, M. (2009). Cathodoluminescence plasmon microscopy (pdf) (Thesis). Utrecht University.
Scanning Cathodoluminescence Microscopy, C. M. Parish and P. E. Russell, in Advances in Imaging and Electron Physics, V.147, ed. P. W. Hawkes, P. 1(2007)
Quick look cathodoluminescence analyses and their impact on the interpretation of carbonate reservoirs. Case study of mid-Jurassic oolitic reservoirs in the Paris Basin Archived 2018-09-25 at the Wayback Machine, B. Granier and C. Staffelbach(2009)
Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids,, B. G. Yacobi and D. B. Holt, New York, Springer(1990)

बाहरी संबंध

Scientific Results about High Spatial Resolution Cathodoluminescence

[1] Mitsui, T; Sekiguchi, T; Fujita, D; Koguchi, N. (2005). "Comparison between electron beam and near-field light on the luminescence excitation of GaAs/AlGaAs semiconductor quantum dots". Jpn. J. Appl. Phys. 44 (4A): 1820–1824. Bibcode:2005JaJAP..44.1820M. doi:10.1143/JJAP.44.1820. S2CID 56031946.{{cite journal}}: CS1 maint: uses authors parameter (link)

[2] Klein, C. A. (1968). "अर्धचालकों में बैंडगैप निर्भरता और विकिरण आयनीकरण ऊर्जा की संबंधित विशेषताएं". J. Appl. Phys. 39 (4): 2029–2038. Bibcode:1968JAP....39.2029K. doi:10.1063/1.1656484.

[3] Lähnemann, J.; Hauswald, C.; Wölz, M.; Jahn, U.; Hanke, M.; Geelhaar, L.; Brandt, O. (2014). "Localization and defects in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures investigated by spatially resolved luminescence spectroscopy". J. Phys. D: Appl. Phys. 47 (39): 394010. arXiv:1405.1507. Bibcode:2014JPhD...47M4010L. doi:10.1088/0022-3727/47/39/394010. S2CID 118314773.

[4] Zagonel; et al. (2011). "नैनोवायरों में क्वांटम उत्सर्जकों की नैनोमीटर स्केल स्पेक्ट्रल इमेजिंग और उनके परमाणु रूप से हल की गई संरचना से इसका संबंध". Nano Letters. 11 (2): 568–73. arXiv:1209.0953. Bibcode:2011NanoL..11..568Z. doi:10.1021/nl103549t. PMID 21182283. S2CID 18003378.

[5] "What is Quantitative Cathodoluminescence?". 2013-10-21. Archived from the original on 2016-10-29. Retrieved 2013-10-21.

[6] García de Abajo, F. J. (2010). "इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी में ऑप्टिकल उत्तेजना" (PDF). Reviews of Modern Physics. 82 (1): 209–275. arXiv:0903.1669. Bibcode:2010RvMP...82..209G. doi:10.1103/RevModPhys.82.209. hdl:10261/79235. S2CID 119246090.

[7] Sapienza, R.;Coenen, R.; Renger, J.; Kuttge, M.; van Hulst, N. F.; Polman, A (2012). "प्रकाश के मोडल फैलाव की गहरी-सबवेवलेंथ इमेजिंग". Nature Materials. 11 (9): 781–787. Bibcode:2012NatMa..11..781S. doi:10.1038/nmat3402. PMID 22902895. S2CID 31259521.{{cite journal}}: CS1 maint: uses authors parameter (link)

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-[[File:Diamond (side view).png|thumb|[[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप]] में एक हीरे का रंग कैथोडोल्यूमिनेसेंस, वास्तविक रंग]]कैथोडो[[ चमक ]] एक [[ऑप्टिकल घटना]] और [[ विद्युत चुंबकत्व ]] है जिसमें इलेक्ट्रॉन ल्यूमिनेसेंस सामग्री जैसे [[ भास्वर ]] पर प्रभाव डालते हैं, [[फोटॉनों]] के उत्सर्जन का कारण बनते हैं, जो दृश्यमान स्पेक्ट्रम में तरंग दैर्ध्य हो सकते हैं। एक परिचित उदाहरण एक [[कैथोड रे ट्यूब]] का उपयोग करने वाले [[टेलीविजन]] की स्क्रीन की फॉस्फोर-लेपित आंतरिक सतह को स्कैन करके एक इलेक्ट्रॉन बीम द्वारा प्रकाश की पीढ़ी है। कैथोडोल्यूमिनेसेंस [[प्रकाश विद्युत प्रभाव]] का व्युत्क्रम है, जिसमें फोटॉनों के साथ विकिरण द्वारा इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन को प्रेरित किया जाता है।
+[[File:Diamond (side view).png|thumb|[[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप|क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी]] में एक हीरे का रंग कैथोडोल्यूमिनेसेंस, वास्तविक रंग]][[ चमक |कैथोडोल्यूमिनेसेंस]] एक [[ऑप्टिकल घटना|प्रकाशिक घटना]] और [[ विद्युत चुंबकत्व |विद्युत चुंबकत्व]] है जिसमें इलेक्ट्रॉनों को संदीप्त पदार्थ जैसे [[ भास्वर |फॉस्फर]] पर प्रभाव पड़ता है, जो [[फोटॉनों|फोटॉन]] के उत्सर्जन का कारण बनता है, जो दृश्यमान वर्णक्रम में तरंग दैर्ध्य हो सकता है। एक परिचित उदाहरण [[कैथोड रे ट्यूब|कैथोड किरण नलिका]] का उपयोग करने वाले [[टेलीविजन]] की स्क्रीन की फॉस्फोर-लेपित आंतरिक सतह को क्रमवीक्षण करके एक इलेक्ट्रॉन बीम द्वारा प्रकाश की पीढ़ी है। कैथोडोल्यूमिनेसेंस [[प्रकाश विद्युत प्रभाव]] का व्युत्क्रम है, जिसमें फोटॉनों के साथ विकिरण द्वारा इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन को प्रेरित किया जाता है।
 == उत्पत्ति ==
-[[File:Cl-scheme.svg|thumb|एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस सिस्टम का स्केच: इलेक्ट्रॉन बीम परवलयिक दर्पण में एक छोटे छिद्र से होकर गुजरता है जो प्रकाश को एकत्र करता है और इसे [[स्पेक्ट्रोमीटर]] में दर्शाता है। एक चार्ज-युग्मित डिवाइस (सीसीडी) या [[फोटोमल्टीप्लायर]] (पीएमटी) का उपयोग क्रमशः समानांतर या मोनोक्रोमैटिक डिटेक्शन के लिए किया जा सकता है। एक इलेक्ट्रॉन बीम-प्रेरित करंट (EBIC) सिग्नल एक साथ रिकॉर्ड किया जा सकता है।]]सेमीकंडक्टर में ल्यूमिनेसेंस का परिणाम तब होता है जब [[चालन बैंड]] में एक [[इलेक्ट्रॉन]] [[संयोजी बंध]] में एक [[इलेक्ट्रॉन छेद]] के साथ पुनर्संयोजित होता है। इस संक्रमण की अंतर ऊर्जा (बैंड गैप) को फोटॉन के रूप में उत्सर्जित किया जा सकता है। फोटॉन की ऊर्जा (रंग), और संभावना है कि एक फोटॉन और [[फोनन]] नहीं उत्सर्जित किया जाएगा, सामग्री, इसकी शुद्धता और दोषों की उपस्थिति पर निर्भर करता है। सबसे पहले, इलेक्ट्रॉन को वैलेंस बैंड से कंडक्शन बैंड में उत्तेजित करना होता है। कैथोडोल्यूमिनेसेंस में, यह [[अर्धचालक]] पर एक उच्च ऊर्जा इलेक्ट्रॉन बीम के प्रभाव के परिणामस्वरूप होता है। हालाँकि, ये प्राथमिक इलेक्ट्रॉन इलेक्ट्रॉनों को सीधे उत्तेजित करने के लिए बहुत अधिक ऊर्जा ले जाते हैं। इसके बजाय, क्रिस्टल में प्राथमिक इलेक्ट्रॉनों के अप्रत्यास्थ प्रकीर्णन से [[द्वितीयक इलेक्ट्रॉन]]ों, [[बरमा इलेक्ट्रॉन]]ों और [[एक्स-रे]] का उत्सर्जन होता है, जो बदले में बिखर भी सकते हैं। बिखरने की घटनाओं का ऐसा झरना 10 तक ले जाता है<sup>3</sup> द्वितीयक इलेक्ट्रॉन प्रति घटना इलेक्ट्रॉन।<ref>{{cite journal|authors=Mitsui, T; Sekiguchi, T; Fujita, D; Koguchi, N.|s2cid=56031946|title=Comparison between electron beam and near-field light on the luminescence excitation of GaAs/AlGaAs semiconductor quantum dots|journal=Jpn. J. Appl. Phys.|volume=44|issue=4A|pages=1820–1824|year=2005|doi=10.1143/JJAP.44.1820|bibcode = 2005JaJAP..44.1820M }}</ref> ये द्वितीयक इलेक्ट्रॉन चालन बैंड में वैलेंस इलेक्ट्रॉनों को उत्तेजित कर सकते हैं जब उनके पास सामग्री की [[ऊर्जा अंतराल]] ऊर्जा का लगभग तीन गुना गतिज ऊर्जा होती है। <math>(E_{kin}\approx 3 E_g)</math>.<ref>{{cite journal|first1=C. A.|last1=Klein|title=अर्धचालकों में बैंडगैप निर्भरता और विकिरण आयनीकरण ऊर्जा की संबंधित विशेषताएं|journal=J. Appl. Phys.|volume=39|issue=4|pages=2029–2038|year=1968|doi=10.1063/1.1656484|bibcode = 1968JAP....39.2029K }}</ref> वहां से इलेक्ट्रॉन वैलेंस बैंड में एक छेद के साथ पुन: जुड़ता है और एक फोटॉन बनाता है। अतिरिक्त ऊर्जा फोनन में स्थानांतरित हो जाती है और इस प्रकार जाली को गर्म करती है। इलेक्ट्रॉन बीम के साथ उत्तेजना के फायदों में से एक यह है कि जिन सामग्रियों की जांच की जाती है, उनकी बैंड गैप ऊर्जा घटना प्रकाश की ऊर्जा द्वारा सीमित नहीं होती है, जैसा कि [[फोटोलुमिनेसेंस]] के मामले में होता है। इसलिए, कैथोडोल्यूमिनेसेंस में, अर्धचालक की जांच की जा सकती है, वास्तव में, लगभग कोई भी गैर-धातु सामग्री हो सकती है। [[बैंड संरचना]] के संदर्भ में, शास्त्रीय अर्धचालक, इन्सुलेटर, चीनी मिट्टी की चीज़ें, रत्न, खनिज और चश्मे को उसी तरह से व्यवहार किया जा सकता है।
+[[File:Cl-scheme.svg|thumb|एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस प्रणाली का रेखा चित्र : इलेक्ट्रॉन बीम परवलयिक दर्पण में छोटे छिद्र से होकर गुजरता है जो प्रकाश को एकत्र करता है और इसे [[स्पेक्ट्रोमीटर]] में दर्शाता है। एक आवेश-युग्मित उपकरण(सीसीडी) या [[फोटोमल्टीप्लायर|प्रकाशगुणक]](पीएमटी) का उपयोग क्रमशः समानांतर या एकवर्णी संसूचन के लिए किया जा सकता है। इलेक्ट्रॉन बीम-प्रेरित धारा(EBIC) संकेत एक साथ अभिलिखित किया जा सकता है।]]अर्धचालक में संदीप्त का परिणाम तब होता है जब [[चालन बैंड]] में [[इलेक्ट्रॉन]] [[संयोजी बंध]] में एक [[इलेक्ट्रॉन छेद|इलेक्ट्रॉन छिद्र]] के साथ पुनर्संयोजित होता है। इस संक्रमण की अंतर ऊर्जा(बैंड अंतर) को फोटॉन के रूप में उत्सर्जित किया जा सकता है। फोटॉन की ऊर्जा(रंग), और संभावना है कि फोटॉन और [[फोनन]] नहीं उत्सर्जित किया जाएगा, पदार्थ, इसकी शुद्धता और दोषों की उपस्थिति पर निर्भर करता है। सबसे पहले, इलेक्ट्रॉन को संयोजी बैंड से चालन बैंड में उत्तेजित करना होता है। कैथोडोल्यूमिनेसेंस में, यह [[अर्धचालक]] पर उच्च ऊर्जा इलेक्ट्रॉन बीम के प्रभाव के परिणामस्वरूप होता है। यद्यपि, ये प्राथमिक इलेक्ट्रॉन इलेक्ट्रॉनों को सीधे उत्तेजित करने के लिए बहुत अधिक ऊर्जा ले जाते हैं। इसके अतिरिक्त, क्रिस्टल में प्राथमिक इलेक्ट्रॉनों के अप्रत्यास्थ प्रकीर्णन से [[द्वितीयक इलेक्ट्रॉन|द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों]], [[बरमा इलेक्ट्रॉन|ओज़े इलेक्ट्रॉनों]] और [[एक्स-रे|एक्स]]-किरण का उत्सर्जन होता है, जो इसके स्थान पर प्रकीर्णित भी हो सकते हैं। प्रकीर्णन की घटनाओं का ऐसा सोपानी प्रति घटना इलेक्ट्रॉन10<sup>3</sup> द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों तक ले जाता है।<ref>{{cite journal|authors=Mitsui, T; Sekiguchi, T; Fujita, D; Koguchi, N.|s2cid=56031946|title=Comparison between electron beam and near-field light on the luminescence excitation of GaAs/AlGaAs semiconductor quantum dots|journal=Jpn. J. Appl. Phys.|volume=44|issue=4A|pages=1820–1824|year=2005|doi=10.1143/JJAP.44.1820|bibcode = 2005JaJAP..44.1820M }}</ref> ये द्वितीयक इलेक्ट्रॉन चालन बैंड में संयोजी इलेक्ट्रॉनों को उत्तेजित कर सकते हैं जब उनके समीप पदार्थ की [[ऊर्जा अंतराल]] ऊर्जा के लगभग तीन गुना गतिज ऊर्जा होती है<math>(E_{kin}\approx 3 E_g)</math>।<ref>{{cite journal|first1=C. A.|last1=Klein|title=अर्धचालकों में बैंडगैप निर्भरता और विकिरण आयनीकरण ऊर्जा की संबंधित विशेषताएं|journal=J. Appl. Phys.|volume=39|issue=4|pages=2029–2038|year=1968|doi=10.1063/1.1656484|bibcode = 1968JAP....39.2029K }}</ref> वहां से इलेक्ट्रॉन संयोजी बैंड में एक छिद्र के साथ पुन: जुड़ता है और एक फोटॉन बनाता है। अतिरिक्त ऊर्जा फोनन में स्थानांतरित हो जाती है और इस प्रकार जाली को गर्म करती है। इलेक्ट्रॉन बीम के साथ उत्तेजना के लाभों में से एक यह है कि जिन पदार्थों की जांच की जाती है, उनकी बैंड अंतर ऊर्जा घटना प्रकाश की ऊर्जा द्वारा सीमित नहीं होती है, जैसा कि [[फोटोलुमिनेसेंस]] की स्थिति में होता है। इसलिए, कैथोडोल्यूमिनेसेंस में, अर्धचालक की जांच की जा सकती है, वस्तुतः, लगभग कोई भी गैर-धातु पदार्थ हो सकती है। [[बैंड संरचना]] के संदर्भ में, शास्त्रीय अर्धचालक, विसंवाहक, चीनी मिट्टी की वस्तुएं, रत्न, खनिज और ऐनक को उसी प्रकार से व्यवहार किया जा सकता है।
-== माइक्रोस्कोपी ==
+== सूक्ष्मदर्शिकी ==
-[[File:InGaN_crystal_SEM%2BCL.png|thumb|एक [[InGaN]] पॉलीक्रिस्टल की स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप छवि पर रंग कैथोडोल्यूमिनेसेंस ओवरले। नीले और हरे चैनल वास्तविक रंगों का प्रतिनिधित्व करते हैं, लाल चैनल यूवी उत्सर्जन से मेल खाता है।]]भूविज्ञान, खनिज विज्ञान, [[सामग्री विज्ञान और इंजीनियरिंग]] और सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग में, एक स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप | स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप (एसईएम) एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस डिटेक्टर के साथ लगाया जाता है, या एक ऑप्टिकल [[कैथोडोल्यूमिनेसेंस माइक्रोस्कोप]] का उपयोग अर्धचालक, चट्टानों, मिट्टी के पात्र की आंतरिक संरचनाओं की जांच के लिए किया जा सकता है। सामग्री की संरचना, विकास और गुणवत्ता के बारे में जानकारी प्राप्त करने के लिए कांच आदि।
+[[File:InGaN_crystal_SEM%2BCL.png|thumb|एक [[InGaN]] पॉलीक्रिस्टल की क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी प्रतिबिम्ब पर रंग कैथोडोल्यूमिनेसेंस अधिचित्रित। नीले और हरे चैनल वास्तविक रंगों का प्रतिनिधित्व करते हैं, लाल चैनल यूवी उत्सर्जन से मेल खाता है।]]भूविज्ञान, खनिज विज्ञान, [[सामग्री विज्ञान और इंजीनियरिंग|पदार्थ विज्ञान और इंजीनियरिंग]] और अर्धचालक इंजीनियरिंग में, एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी(एसईएम) एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस संसूचक के साथ लगाया जाता है, या एक प्रकाशिक [[कैथोडोल्यूमिनेसेंस माइक्रोस्कोप|कैथोडोल्यूमिनेसेंस सूक्ष्मदर्शी]] का उपयोग अर्धचालक, चट्टानों, मिट्टी के पात्र, कांच आदि की आंतरिक संरचनाओं की जांच के लिए किया जा सकता है। पदार्थ की संरचना, विकास और गुणवत्ता के विषय में जानकारी प्राप्त करना है।
-=== एक स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप में ===
+=== एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में ===
-इन उपकरणों में इलेक्ट्रॉनों की एक केंद्रित किरण एक नमूने पर टकराती है और इसे प्रकाश का उत्सर्जन करने के लिए प्रेरित करती है जिसे एक ऑप्टिकल प्रणाली, जैसे कि अण्डाकार दर्पण द्वारा एकत्र किया जाता है। वहां से, एक [[ प्रकाशित तंतु ]] प्रकाश को माइक्रोस्कोप से बाहर स्थानांतरित करेगा जहां इसे एक [[मोनोक्रोमेटर]] द्वारा इसके घटक तरंग दैर्ध्य में अलग किया जाता है और फिर एक फोटोमल्टीप्लायर ट्यूब के साथ इसका पता लगाया जाता है। माइक्रोस्कोप के बीम को XY पैटर्न में स्कैन करके और प्रत्येक बिंदु पर बीम के साथ उत्सर्जित प्रकाश को मापकर, नमूने की ऑप्टिकल गतिविधि का एक नक्शा प्राप्त किया जा सकता है (कैथोडोल्यूमिनेसेंस इमेजिंग)। इसके बजाय, एक निश्चित बिंदु या एक निश्चित क्षेत्र के लिए तरंग दैर्ध्य निर्भरता को मापकर, वर्णक्रमीय विशेषताओं को रिकॉर्ड किया जा सकता है (कैथोडोल्यूमिनेसेंस स्पेक्ट्रोस्कोपी)। इसके अलावा, अगर फोटोमल्टीप्लायर ट्यूब को [[सीसीडी कैमरा]] से बदल दिया जाता है, तो मानचित्र के प्रत्येक बिंदु ([[हाइपरस्पेक्ट्रल इमेजिंग]]) पर एक पूरे [[स्पेक्ट्रम]] को मापा जा सकता है। इसके अलावा, किसी वस्तु के ऑप्टिकल गुणों को इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप से देखे गए संरचनात्मक गुणों से जोड़ा जा सकता है।
+इन उपकरणों में इलेक्ट्रॉनों की एक केंद्रित किरण प्रतिदर्श पर टकराती है और इसे प्रकाश का उत्सर्जन करने के लिए प्रेरित करती है जिसे प्रकाशिक प्रणाली, जैसे कि दीर्घवृत्तीय दर्पण द्वारा एकत्र किया जाता है। वहां से, एक [[ प्रकाशित तंतु |प्रकाशित तंतु]] प्रकाश को सूक्ष्मदर्शी से बाहर स्थानांतरित करेगा जहां इसे [[मोनोक्रोमेटर|एकवर्णक]] द्वारा इसके घटक तरंग दैर्ध्य में अलग किए जाते है और फिर एक प्रकाशगुणक नलिका के साथ इसका पता लगाया जाता है। सूक्ष्मदर्शी के बीम को XY प्रतिरूप में क्रमवीक्षण करके और प्रत्येक बिंदु पर बीम के साथ उत्सर्जित प्रकाश को मापकर, प्रतिदर्श की प्रकाशिक गतिविधि का एक प्रतिचित्र प्राप्त किया जा सकता है(कैथोडोल्यूमिनेसेंस प्रतिबिंबन)। इसके अतिरिक्त, एक निश्चित बिंदु या एक निश्चित क्षेत्र के लिए तरंग दैर्ध्य निर्भरता को मापकर, वर्णक्रमीय विशेषताओं को अभिलिखित किया जा सकता है(कैथोडोल्यूमिनेसेंस स्पेक्ट्रोमिकी)। इसके अतिरिक्त, यदि प्रकाशगुणक नलिका को [[सीसीडी कैमरा]] से बदल दिया जाता है, तो प्रतिचित्र के प्रत्येक बिंदु([[हाइपरस्पेक्ट्रल इमेजिंग|अतिवर्णक्रमीय प्रतिबिंबन]]) पर एक पूरे [[स्पेक्ट्रम|वर्णक्रम]] को मापा जा सकता है। इसके अतिरिक्त, किसी वस्तु के प्रकाशिक गुणों को इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी से देखे गए संरचनात्मक गुणों से जोड़े जा सकते है।
-इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप आधारित तकनीक का प्राथमिक लाभ इसका स्थानिक विभेदन है। एक स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में, प्राप्य विभेदन कुछ दस नैनोमीटर के क्रम पर होता है,<ref>{{cite journal|doi=10.1088/0022-3727/47/39/394010|arxiv=1405.1507|bibcode=2014JPhD...47M4010L|title= Localization and defects in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures investigated by spatially resolved luminescence spectroscopy
+इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी आधारित तकनीक का प्राथमिक लाभ इसका स्थानिक विभेदन है। एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में, प्राप्य विभेदन कुछ दस नैनोमीटर के क्रम पर होता है,<ref>{{cite journal|doi=10.1088/0022-3727/47/39/394010|arxiv=1405.1507|bibcode=2014JPhD...47M4010L|title= Localization and defects in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures investigated by spatially resolved luminescence spectroscopy
-|journal=J. Phys. D: Appl. Phys.|volume=47|issue=39|pages=394010|year=2014|last1=Lähnemann|first1=J.|last2=Hauswald|first2=C.|last3=Wölz|first3=M.|last4=Jahn|first4=U.|last5=Hanke|first5=M.|last6=Geelhaar|first6=L.|last7=Brandt|first7=O.|s2cid=118314773 }}</ref> जबकि (स्कैनिंग) [[ संचरण इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप ]] (टीईएम) में, नैनोमीटर-आकार की विशेषताओं को हल किया जा सकता है।<ref>{{cite journal|last1=Zagonel|title=नैनोवायरों में क्वांटम उत्सर्जकों की नैनोमीटर स्केल स्पेक्ट्रल इमेजिंग और उनके परमाणु रूप से हल की गई संरचना से इसका संबंध|journal=Nano Letters|volume=11|issue=2|pages=568–73|year=2011|doi=10.1021/nl103549t|display-authors=etal|pmid=21182283|arxiv = 1209.0953 |bibcode = 2011NanoL..11..568Z |s2cid=18003378 }}</ref> इसके अतिरिक्त, यदि इलेक्ट्रॉन बीम को बीम-ब्लैंकर या स्पंदित इलेक्ट्रॉन स्रोत के साथ नैनो- या पिको-सेकंड दालों में काटा जा सकता है, तो इसके अतिरिक्त, नैनोसेकंद- पिकोसेकंद-स्तर समय-समाधान मापन करना संभव है। ये उन्नत तकनीकें कम-आयामी अर्धचालक संरचनाओं, जैसे क्वांटम कुओं या [[क्वांटम डॉट्स]] की जांच के लिए उपयोगी हैं।
+|journal=J. Phys. D: Appl. Phys.|volume=47|issue=39|pages=394010|year=2014|last1=Lähnemann|first1=J.|last2=Hauswald|first2=C.|last3=Wölz|first3=M.|last4=Jahn|first4=U.|last5=Hanke|first5=M.|last6=Geelhaar|first6=L.|last7=Brandt|first7=O.|s2cid=118314773 }}</ref> जबकि(क्रमवीक्षण) [[ संचरण इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप |संचरण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी]](टीईएम) में, नैनोमीटर-आकार की विशेषताओं को हल किया जा सकता है।<ref>{{cite journal|last1=Zagonel|title=नैनोवायरों में क्वांटम उत्सर्जकों की नैनोमीटर स्केल स्पेक्ट्रल इमेजिंग और उनके परमाणु रूप से हल की गई संरचना से इसका संबंध|journal=Nano Letters|volume=11|issue=2|pages=568–73|year=2011|doi=10.1021/nl103549t|display-authors=etal|pmid=21182283|arxiv = 1209.0953 |bibcode = 2011NanoL..11..568Z |s2cid=18003378 }}</ref> इसके अतिरिक्त, यदि इलेक्ट्रॉन बीम को बीम-ब्लैंकर या स्पंदित इलेक्ट्रॉन स्रोत के साथ नैनो- या पिको-सेकंड स्पंदित में काटा जा सकता है, तो इसके अतिरिक्त, नैनोसेकंड- पिकोसेकंड-स्तर समय-हल मापन करना संभव है। ये उन्नत तकनीकें कम-आयामी अर्धचालक संरचनाओं, जैसे क्वांटम कूप या [[क्वांटम डॉट्स|क्वांटम बिंदु]] की जांच के लिए उपयोगी हैं।
-जबकि एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस डिटेक्टर के साथ एक इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप उच्च आवर्धन प्रदान करता है, एक ऑप्टिकल कैथोडोल्यूमिनेसेंस माइक्रोस्कोप सीधे आईपीस के माध्यम से वास्तविक दृश्य रंग सुविधाओं को दिखाने की क्षमता से लाभान्वित होता है। हाल ही में विकसित प्रणालियाँ इन दोनों तकनीकों का लाभ उठाने के लिए एक ऑप्टिकल और एक इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप दोनों को संयोजित करने का प्रयास करती हैं।<ref>{{cite web
+जबकि एक कैथोडोल्यूमिनेसेंस संसूचक के साथ इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी उच्च आवर्धन प्रदान करता है, प्रकाशिक कैथोडोल्यूमिनेसेंस सूक्ष्मदर्शी सीधे नेत्रिका के माध्यम से वास्तविक दृश्य रंग सुविधाओं को दिखाने की क्षमता से लाभान्वित होते है। वर्तमान में विकसित प्रणालियाँ इन दोनों तकनीकों का लाभ उठाने के लिए प्रकाशिक और इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी दोनों को संयोजित करने का प्रयास करती हैं।<ref>{{cite web
   |title        = What is Quantitative Cathodoluminescence?
   |url          = http://www.attolight.com/technology/what-is-quantitative-cathodoluminescence/
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 == विस्तारित अनुप्रयोग ==
-हालांकि [[प्रत्यक्ष बैंडगैप]] अर्धचालक जैसे [[GaAs]] या [[GaN]] की इन तकनीकों द्वारा सबसे आसानी से जांच की जाती है, अप्रत्यक्ष अर्धचालक जैसे [[सिलिकॉन]] भी कमजोर कैथोडोल्यूमिनिसेंस का उत्सर्जन करते हैं, और इसकी जांच भी की जा सकती है। विशेष रूप से, [[अव्यवस्था]] सिलिकॉन की ल्यूमिनेसेंस आंतरिक सिलिकॉन से भिन्न होती है, और इसका उपयोग एकीकृत परिपथों में दोषों को मैप करने के लिए किया जा सकता है।
+यद्यपि [[प्रत्यक्ष बैंडगैप|प्रत्यक्ष बैंडअंतर]] अर्धचालक जैसे [[GaAs]] या [[GaN]] की इन तकनीकों द्वारा सबसे सरलता से जांच की जाती है, अप्रत्यक्ष अर्धचालक जैसे [[सिलिकॉन]] भी मन्द कैथोडोल्यूमिनिसेंस का उत्सर्जन करते हैं, और इसकी जांच भी की जा सकती है। विशेष रूप से, [[अव्यवस्था|विस्थापित]] सिलिकॉन की संदीप्त आंतरिक सिलिकॉन से भिन्न होती है, और इसका उपयोग एकीकृत परिपथों में दोषों को प्रतिचित्रित करने के लिए किया जा सकता है।
-हाल ही में, इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में किए गए कैथोडोल्यूमिनेसेंस का उपयोग धातु के [[नैनोकणों]] में सतह समतल अनुनादों का अध्ययन करने के लिए भी किया जा रहा है।<ref>{{cite journal| title=इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी में ऑप्टिकल उत्तेजना|first1=F. J.|last1=García de Abajo|journal=Reviews of Modern Physics|volume=82|issue=1|pages=209–275|year=2010|doi=10.1103/RevModPhys.82.209|arxiv = 0903.1669 |bibcode = 2010RvMP...82..209G |url=https://digital.csic.es/bitstream/10261/79235/1/Garc%c3%ada.pdf|hdl=10261/79235|s2cid=119246090 }}</ref> धातु नैनोकणों में सतह [[plasmon]] प्रकाश को अवशोषित और उत्सर्जित कर सकते हैं, हालांकि यह प्रक्रिया अर्धचालक से अलग है। इसी तरह, कैथोडोल्यूमिनेसेंस का उपयोग प्लेनर डाइइलेक्ट्रिक [[फोटोनिक क्रिस्टल]] और नैनोसंरचित फोटोनिक सामग्री राज्यों के स्थानीय घनत्व को मैप करने के लिए एक जांच के रूप में किया गया है।<ref>{{cite journal|title=प्रकाश के मोडल फैलाव की गहरी-सबवेवलेंथ इमेजिंग|authors=Sapienza, R.;Coenen, R.; Renger, J.; Kuttge, M.; van Hulst, N. F.; Polman, A|s2cid=31259521|journal=Nature Materials|volume=11|issue=9|pages=781–787|year=2012|doi=10.1038/nmat3402|bibcode = 2012NatMa..11..781S|pmid=22902895}}</ref>
+वर्तमान में, इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में किए गए कैथोडोल्यूमिनेसेंस का उपयोग धातु के [[नैनोकणों]] में सतह समतल अनुनादों का अध्ययन करने के लिए भी किया जा रहा है।<ref>{{cite journal| title=इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी में ऑप्टिकल उत्तेजना|first1=F. J.|last1=García de Abajo|journal=Reviews of Modern Physics|volume=82|issue=1|pages=209–275|year=2010|doi=10.1103/RevModPhys.82.209|arxiv = 0903.1669 |bibcode = 2010RvMP...82..209G |url=https://digital.csic.es/bitstream/10261/79235/1/Garc%c3%ada.pdf|hdl=10261/79235|s2cid=119246090 }}</ref> धातु नैनोकणों में सतह [[plasmon|द्रव्यैकक]] प्रकाश को अवशोषित और उत्सर्जित कर सकते हैं, यद्यपि यह प्रक्रिया अर्धचालक से अलग है। इसी प्रकार, कैथोडोल्यूमिनेसेंस का उपयोग तलीय परावैद्युत [[फोटोनिक क्रिस्टल]] और नैनोसंरचित फोटोनिक पदार्थ अवस्थाओं के स्थानीय घनत्व को प्रतिचित्रित करने के लिए एक जांच के रूप में किया गया है।<ref>{{cite journal|title=प्रकाश के मोडल फैलाव की गहरी-सबवेवलेंथ इमेजिंग|authors=Sapienza, R.;Coenen, R.; Renger, J.; Kuttge, M.; van Hulst, N. F.; Polman, A|s2cid=31259521|journal=Nature Materials|volume=11|issue=9|pages=781–787|year=2012|doi=10.1038/nmat3402|bibcode = 2012NatMa..11..781S|pmid=22902895}}</ref>
 == यह भी देखें ==
-* कैथोडोल्यूमिनेसेंस माइक्रोस्कोप
+* कैथोडोल्यूमिनेसेंस सूक्ष्मदर्शी
-* [[इलेक्ट्रॉन-उत्तेजित चमक]]
+* [[इलेक्ट्रॉन-उत्तेजित चमक|इलेक्ट्रॉन-उत्तेजित संदीप्ति]]
-* चमक
+* संदीप्ति
 * फोटोलुमिनेसेंस
-* [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी]]
+* [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी|क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शिकी]]
 ==संदर्भ==
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 == अग्रिम पठन ==
 *{{cite thesis|title=Angle-resolved cathodoluminescence nanoscopy|first1=T.|last1=Coenen|publisher=University of Amsterdam|year=2014|hdl=11245/1.417564}}
-*[http://www.nature.com/polopoly_fs/1.12162!/menu/main/topColumns/topLeftColumn/pdf/493143a.pdf ''Electron beams set nanostructures aglow'' <nowiki>[PDF]</nowiki>], E. S. Reich, Nature 493, 143 (2013)
+*[http://www.nature.com/polopoly_fs/1.12162!/menu/main/topColumns/topLeftColumn/pdf/493143a.pdf ''Electron beams set nanostructures aglow'' <nowiki>[PDF]</nowiki>], E. S. Reich, Nature 493, 143(2013)
 *{{cite thesis|title=Luminescence of group-III-V nanowires containing heterostructures|last1=Lähnemann|first1=J.|type=PhD Thesis|publisher=Humboldt-Universität zu Berlin|year=2013|url=http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-100212149|format=pdf}}
 *{{cite thesis|url=http://dspace.library.uu.nl/bitstream/handle/1874/33317/kuttge.pdf?sequence=1|title=Cathodoluminescence plasmon microscopy|first1=M.|last1=Kuttge|publisher=Utrecht University|year=2009|format=pdf}}
-*[https://doi.org/10.1016/S1076-5670(07)47001-X ''Scanning Cathodoluminescence Microscopy''], C. M. Parish and P. E. Russell, in '''Advances in Imaging and Electron Physics, V.147,''' ed. P. W. Hawkes, P. 1 (2007)
+*[https://doi.org/10.1016/S1076-5670(07)47001-X ''Scanning Cathodoluminescence Microscopy''], C. M. Parish and P. E. Russell, in '''Advances in Imaging and Electron Physics, V.147,''' ed. P. W. Hawkes, P. 1(2007)
-*[http://paleopolis.rediris.es/cg/CG2009_A07/index.html ''Quick look cathodoluminescence analyses and their impact on the interpretation of carbonate reservoirs. Case study of mid-Jurassic oolitic reservoirs in the Paris Basin''] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180925041016/http://paleopolis.rediris.es/cg/CG2009_A07/index.html |date=2018-09-25 }}, B. Granier and C. Staffelbach (2009)
+*[http://paleopolis.rediris.es/cg/CG2009_A07/index.html ''Quick look cathodoluminescence analyses and their impact on the interpretation of carbonate reservoirs. Case study of mid-Jurassic oolitic reservoirs in the Paris Basin''] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180925041016/http://paleopolis.rediris.es/cg/CG2009_A07/index.html |date=2018-09-25 }}, B. Granier and C. Staffelbach(2009)
-*[https://doi.org/10.1007/978-1-4757-9595-0 ''Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids,''], B. G. Yacobi and D. B. Holt, New York, Springer (1990)
+*[https://doi.org/10.1007/978-1-4757-9595-0 ''Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids,''], B. G. Yacobi and D. B. Holt, New York, Springer(1990)
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 {{Authority control}}
-[[Category: इलेक्ट्रॉन बीम]] [[Category: प्रकाश के स्रोत]] [[Category: चमक]] [[Category: पदार्थ विज्ञान]] [[Category: वैज्ञानिक तकनीकें]]
+[[Category:CS1 maint]]
-[[Category: Machine Translated Page]]
 [[Category:Created On 31/03/2023]]
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एक क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में

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