द्वितीयक इलेक्ट्रॉन: Difference between revisions
No edit summary |
m (added Category:Vigyan Ready using HotCat) |
||
| Line 24: | Line 24: | ||
[[Category: Machine Translated Page]] | [[Category: Machine Translated Page]] | ||
[[Category:Created On 25/04/2023]] | [[Category:Created On 25/04/2023]] | ||
[[Category:Vigyan Ready]] | |||
Revision as of 15:24, 2 May 2023
द्वितीयक इलेक्ट्रॉन आयनीकरण उत्पादों के रूप में उत्पन्न इलेक्ट्रॉन होते हैं। उन्हें 'द्वितीयक' कहा जाता है क्योंकि वे अन्य विकिरण (प्राथमिक विकिरण) द्वारा उत्पन्न होते हैं। यह विकिरण पर्याप्त उच्च ऊर्जा वाले आयनों, इलेक्ट्रॉनों या फोटॉन के रूप में हो सकता है अर्थात आयनीकरण क्षमता से अधिक हो सकता है। प्रकाश-इलेक्ट्रॉनो को द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों का एक उदाहरण माना जा सकता है जहां प्राथमिक विकिरण फोटॉन होते हैं; कुछ चर्चाओं में उच्च ऊर्जा (>50 इलेक्ट्रान वोल्ट) वाले प्रकाश-इलेक्ट्रॉनो को अभी भी "प्राथमिक" माना जाता है जबकि प्रकाश-इलेक्ट्रॉनो द्वारा मुक्त इलेक्ट्रॉनों को "द्वितीयक" माना जाता है।
अनुप्रयोग
क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी (एसईएम) में छवियों को देखने का मुख्य साधन द्वितीयक इलेक्ट्रॉन भी हैं। द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों की सीमा ऊर्जा पर निर्भर करती है। ऊर्जा के फलन के रूप में अप्रत्यास्थ माध्य मुक्त पथ को आलेखन करना प्रायः सार्वभौमिक वक्र की विशेषताओं को दर्शाता है [1] इलेक्ट्रॉन स्पेक्ट्रमिकीविद् और सतह विश्लेषकों से परिचित है। यह दूरी धातुओं में कुछ नैनोमीटर और विद्युत-रोधक में दस नैनोमीटर के क्रम में है।[2][3] यह कम दूरी क्रमवीक्षण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी में इस तरह के परिशुद्ध विश्लेषण को प्राप्त करने की स्वीकृति देती है।
सिलिकॉन डाइऑक्साइड (SiO2) के लिए 100 इलेक्ट्रॉन वोल्ट(eV) की प्राथमिक इलेक्ट्रॉन ऊर्जा के लिए, द्वितीयक इलेक्ट्रॉन परास आपतन बिंदु से 20 नैनोमीटर तक होती है।[4][5]
यह भी देखें
संदर्भ
- ↑ Zangwill, Andrew (1988). सतहों पर भौतिकी. Cambridge Cambridgeshire New York: Cambridge University Press. p. 21. ISBN 978-0-521-34752-5. OCLC 15855885.
- ↑ Seiler, H (1983). "स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप में माध्यमिक इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. 54 (11): R1–R18. Bibcode:1983JAP....54R...1S. doi:10.1063/1.332840. ISSN 0021-8979.
- ↑ Cazaux, Jacques (15 January 1999). "Some considerations on the secondary electron emission, δ, from e− irradiated insulators". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. 85 (2): 1137–1147. doi:10.1063/1.369239. ISSN 0021-8979.
- ↑ Schreiber, E.; Fitting, H.-J. (2002). "Monte Carlo simulation of secondary electron emission from the insulator SiO2". Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. Elsevier BV. 124 (1): 25–37. doi:10.1016/s0368-2048(01)00368-1. ISSN 0368-2048.
- ↑ Fitting, H.-J.; Boyde, J.; Reinhardt, J. (16 January 1984). "Monte-Carlo Approach of Electron Emission from SiO2". Physica Status Solidi A. Wiley. 81 (1): 323–332. Bibcode:1984PSSAR..81..323F. doi:10.1002/pssa.2210810136. ISSN 0031-8965.
