टैंटलम कार्बाइड: Difference between revisions

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शुद्धता और माप स्थितियों के आधार पर पर टैंटलम कार्बाइड के गलनांक पहले लगभग 3,880 °C (4,150 K; 7,020 °F) होने का अनुमान लगाया गया था; यह मान द्विआधारी यौगिकों के लिए उच्चतम होता है।<ref>The claim of melting point of {{convert|4000|°C|K F|abbr=on}} in TaC<sub>0.89</sub> is based not on actual measurement but on an extrapolation of the phase diagram, using an analogy with NbC, see Emeléus</ref><ref name="b1">{{cite book|first=Harry |last=Emeléus|title=अकार्बनिक रसायन विज्ञान और रेडियोरसायन में अग्रिम|url=https://books.google.com/books?id=-SnCsg5jM_kC&pg=PA169|accessdate=3 May 2011|year=1968|publisher=Academic Press|isbn=978-0-12-023611-4|pages=174–176|author-link=Harry Julius Emeléus}}</ref> और केवल [[टैंटलम हेफ़नियम कार्बाइड]] का उच्च गलनांक 3,942 °C (4,215 K; 7,128 °F) होने का अनुमान लगाया गया था।<ref>{{cite journal|title=उच्च गलनांक पर कार्बाइड के साथ प्रणालियों पर शोध और कार्बन संलयन की समस्या में योगदान|issn=0373-0093|journal=Zeitschrift für technische Physik|last1=Agte|first1= C.|last2= Alterthum|first2= H.| volume= 11|year= 1930|pages=182–191}}</ref> चूँकि नए परीक्षणों ने निर्णायक रूप से सिद्ध किया है कि TaC का वास्तव में 3,768 °C का गलनांक होता है और टैंटलम [[हेफ़नियम कार्बाइड]] और हेफ़नियम कार्बाइड दोनों का गलनांक अधिक होता है।<ref>{{cite web | url=https://phys.org/news/2016-12-world-resistant-material.html | title=New record set for world's most heat resistant material }}</ref>
शुद्धता और माप स्थितियों के आधार पर पर टैंटलम कार्बाइड के गलनांक पहले लगभग 3,880 °C (4,150 K; 7,020 °F) होने का अनुमान लगाया गया था; यह मान द्विआधारी यौगिकों के लिए उच्चतम होता है।<ref>The claim of melting point of {{convert|4000|°C|K F|abbr=on}} in TaC<sub>0.89</sub> is based not on actual measurement but on an extrapolation of the phase diagram, using an analogy with NbC, see Emeléus</ref><ref name="b1">{{cite book|first=Harry |last=Emeléus|title=अकार्बनिक रसायन विज्ञान और रेडियोरसायन में अग्रिम|url=https://books.google.com/books?id=-SnCsg5jM_kC&pg=PA169|accessdate=3 May 2011|year=1968|publisher=Academic Press|isbn=978-0-12-023611-4|pages=174–176|author-link=Harry Julius Emeléus}}</ref> और केवल [[टैंटलम हेफ़नियम कार्बाइड]] का उच्च गलनांक 3,942 °C (4,215 K; 7,128 °F) होने का अनुमान लगाया गया था।<ref>{{cite journal|title=उच्च गलनांक पर कार्बाइड के साथ प्रणालियों पर शोध और कार्बन संलयन की समस्या में योगदान|issn=0373-0093|journal=Zeitschrift für technische Physik|last1=Agte|first1= C.|last2= Alterthum|first2= H.| volume= 11|year= 1930|pages=182–191}}</ref> चूँकि नए परीक्षणों ने निर्णायक रूप से सिद्ध किया है कि TaC का वास्तव में 3,768 °C का गलनांक होता है और टैंटलम [[हेफ़नियम कार्बाइड]] और हेफ़नियम कार्बाइड दोनों का गलनांक अधिक होता है।<ref>{{cite web | url=https://phys.org/news/2016-12-world-resistant-material.html | title=New record set for world's most heat resistant material }}</ref>
== तैयारी ==
== निर्मिति ==
टीएसी<sub>''x''</sub> वैक्यूम या अक्रिय-गैस वातावरण ([[आर्गन]]) में टैंटलम और ग्रेफाइट पाउडर के मिश्रण को गर्म करके वांछित संरचना के TaC<sub>''x''</sub> पाउडर तैयार किए जाते हैं। तापन लगभग 2,000 °C (2,270 K; 3,630 °F) के तापमान पर एक भट्टी या आर्क-आर्क व्यवस्था का उपयोग करके किया जाता है ।<ref name=j1/><ref name=j2/> वैकल्पिक तकनीक तापमान 1,500–1,700 °C (1,770–1,970 K; 2,730–3,090 °F) पर वैक्यूम या हाइड्रोजन वातावरण में कार्बन द्वारा [[टैंटलम पेंटोक्साइड]] का [[प्रगलन]] होता है इस पद्धति का उपयोग 1876 में टैंटलम कार्बाइड प्राप्त करने के लिए किया गया था <ref>{{cite journal|author=Joly, A.|title=नाइओबियम और टैंटलम के एज़ाइड्स और कार्बाइड्स पर|year=1876 |page=1195 |journal=[[Compt. Rend.]] |volume=82|language=fr|url=http://gallica.bnf.fr/ark:/12148/bpt6k30396/f1190.item}}</ref> किन्तु इसमें उत्पाद के स्टोइकोमेट्री पर नियंत्रण का अभाव होता है।<ref name=b1/> तत्वों से सीधे टीएसी का उत्पादन [[स्व-प्रसार उच्च तापमान संश्लेषण]] के माध्यम से सूचित किया गया है।<ref>{{cite journal|last1=Shuck|first1=Christopher E.|last2=Manukyan|first2=Khachatur V.|last3=Rouvimov|first3=Sergei|last4=Rogachev|first4=Alexander S.|last5=Mukasyan|first5=Alexander S.|title=Solid-flame: Experimental validation|journal=Combustion and Flame|date=January 2016|volume=163|pages=487–493|doi=10.1016/j.combustflame.2015.10.025|doi-access=free}}</ref>
वैक्यूम या अक्रिय-गैस वातावरण (आर्गन) में टैंटलम और ग्रेफाइट पाउडर के मिश्रण को गर्म करके वांछित संरचना के TaCx पाउडर तैयार किए जाते हैं। तापन लगभग 2,000 °C (2,270 K; 3,630 °F) के तापमान पर एक भट्टी या आर्क गलन व्यवस्था का उपयोग करके किया जाता है।  ।<ref name=j1/><ref name=j2/> वैकल्पिक तकनीक 1,500–1,700 °C (1,770–1,970 K; 2,730–3,090 °F) तापमान पर निर्वात या हाइड्रोजन वातावरण में कार्बन द्वारा [[टैंटलम पेंटोक्साइड]] का [[प्रगलन]] होता है इस पद्धति का उपयोग 1876 में टैंटलम कार्बाइड प्राप्त करने के लिए किया गया था, <ref>{{cite journal|author=Joly, A.|title=नाइओबियम और टैंटलम के एज़ाइड्स और कार्बाइड्स पर|year=1876 |page=1195 |journal=[[Compt. Rend.]] |volume=82|language=fr|url=http://gallica.bnf.fr/ark:/12148/bpt6k30396/f1190.item}}</ref> किन्तु इसमें उत्पाद के स्टोइकोमेट्री पर नियंत्रण का अभाव होता है।<ref name=b1/> तत्वों से सीधे टीएसी का उत्पादन [[स्व-प्रसार उच्च तापमान संश्लेषण]] के माध्यम से सूचित किया जाता है।<ref>{{cite journal|last1=Shuck|first1=Christopher E.|last2=Manukyan|first2=Khachatur V.|last3=Rouvimov|first3=Sergei|last4=Rogachev|first4=Alexander S.|last5=Mukasyan|first5=Alexander S.|title=Solid-flame: Experimental validation|journal=Combustion and Flame|date=January 2016|volume=163|pages=487–493|doi=10.1016/j.combustflame.2015.10.025|doi-access=free}}</ref>
== क्रिस्टल संरचना ==
== क्रिस्टल संरचना ==
[[File:Β-Ta2C-bas.png|160px|thumbnail|left|β-TaC<sub>0.5</sub> यूनिट सेल के साथ, नीला रंग टैंटलम है]]TaCx यौगिकों में x = 0.7-1.0 के लिए एक घनीय (रॉक-नमक) क्रिस्टल संरचना होती है;<ref name=j5>{{cite journal|title=Electronic structure of cubic HfxTa1–xCy carbides from X-ray spectroscopy studies and cluster self-consistent calculations|doi=10.1016/j.jallcom.2007.08.018|year=2008|last1=Lavrentyev|first1=A|last2=Gabrelian|first2=B|last3=Vorzhev|first3=V|last4=Nikiforov|first4=I|last5=Khyzhun|first5=O|last6=Rehr|first6=J|journal=Journal of Alloys and Compounds|volume=462|issue=1–2|pages=4–10 }}</ref> लैटिस पैरामीटर x के साथ बढ़ता है।<ref name=j3/>TaC0.5 के दो प्रमुख क्रिस्टलीय रूप हैं। अधिक स्थिर एक में एक एंटी-[[कैडमियम आयोडाइड]]-प्रकार की त्रिकोणीय संरचना होती है, जो कार्बन परमाणुओं के लिए लंबी दूरी के क्रम के साथ हेक्सागोनल लैटिस  में लगभग 2,000 डिग्री सेल्सियस तक गर्म होने पर बदल जाती है।<ref name=j1>{{cite journal|doi=10.1016/0022-5088(86)90648-X |title=A neutron powder diffraction study of Ta2C and W2C|year=1986|last1=Lonnberg|first1=B|last2=Lundstrom|first2=T|last3=Tellgren|first3=R|journal=Journal of the Less Common Metals|volume=120|issue=2|pages=239–245 }}</ref>
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Revision as of 09:14, 9 May 2023

Tantalum carbide
γ-tantalum carbide in cubic phase
Powder of tantalum carbide
Names
IUPAC name
Tantalum carbide
Other names
Tantalum(IV) carbide
Identifiers
3D model (JSmol)
ChemSpider
EC Number
  • (TaC): 235-118-3
  • (TaC0.5): 235-119-9
UNII
  • (TaC): InChI=1S/C.Ta/q-1;+1
    Key: DUMHRFXBHXIRTD-UHFFFAOYSA-N
  • (TaC0.5): InChI=1S/C.2Ta
    Key: VDBAWDHDCVOEAA-UHFFFAOYSA-N
  • (TaC): [Ta+]#[C-]
  • (TaC0.5): [C].[Ta].[Ta]
Properties
TaC
Molar mass 192.96 g/mol
Appearance Brown-gray powder
Odor Odorless
Density 14.3–14.65 g/cm3 (TaC)
15.1 g/cm3 (TaC0.5)[1]
Melting point 3,768 °C (6,814 °F; 4,041 K)
(TaC)[3]
3,327 °C (6,021 °F; 3,600 K)
(TaC0.5)[1]
Boiling point 4,780–5,470 °C (8,640–9,880 °F; 5,050–5,740 K)
(TaC)[1][2]
Insoluble
Solubility Soluble in HF-HNO3 mixture[1]
Thermal conductivity 21 W/m·K[2]
Thermochemistry
36.71 J/mol·K[4]
42.29 J/mol·K
−144.1 kJ/mol
Related compounds
Related refractory ceramic materials
 Zirconium nitride
Niobium carbide
Zirconium carbide
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).
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टैंटलम कार्बाइड (TaC) अनुभवजन्य सूत्र TaCx, के साथ टैंटलम और कार्बन के द्विआधारी रासायनिक यौगिक की एक श्रेणी बनाता है। जहां x सामान्यतः 0.4 और 1 के बीच भिन्न होता है। वे धात्विक विद्युत चालकता के साथ अत्यंत ठोस, भंगुर, दुर्दम्य (धातु विज्ञान) सिरेमिक सामग्री होते हैं। वे ब्राउन-ग्रे पाउडर के रूप में दिखाई देते हैं, जिन्हें सामान्यतः तापपुंजन द्वारा संसाधित किया जाता है।

महत्वपूर्ण सर्मेट सामग्री होने के नाते, टैंटलम कार्बाइड का व्यावसायिक रूप से टूल बिट्स में अनुप्रयोगों को काटने के लिए उपयोग किया जाता है और कभी-कभी टंगस्टन कार्बाइड मिश्र धातुओं में जोड़ा जाता है।[5]

शुद्धता और माप स्थितियों के आधार पर पर टैंटलम कार्बाइड के गलनांक पहले लगभग 3,880 °C (4,150 K; 7,020 °F) होने का अनुमान लगाया गया था; यह मान द्विआधारी यौगिकों के लिए उच्चतम होता है।[6][7] और केवल टैंटलम हेफ़नियम कार्बाइड का उच्च गलनांक 3,942 °C (4,215 K; 7,128 °F) होने का अनुमान लगाया गया था।[8] चूँकि नए परीक्षणों ने निर्णायक रूप से सिद्ध किया है कि TaC का वास्तव में 3,768 °C का गलनांक होता है और टैंटलम हेफ़नियम कार्बाइड और हेफ़नियम कार्बाइड दोनों का गलनांक अधिक होता है।[9]

निर्मिति

वैक्यूम या अक्रिय-गैस वातावरण (आर्गन) में टैंटलम और ग्रेफाइट पाउडर के मिश्रण को गर्म करके वांछित संरचना के TaCx पाउडर तैयार किए जाते हैं। तापन लगभग 2,000 °C (2,270 K; 3,630 °F) के तापमान पर एक भट्टी या आर्क गलन व्यवस्था का उपयोग करके किया जाता है। ।[10][11] वैकल्पिक तकनीक 1,500–1,700 °C (1,770–1,970 K; 2,730–3,090 °F) तापमान पर निर्वात या हाइड्रोजन वातावरण में कार्बन द्वारा टैंटलम पेंटोक्साइड का प्रगलन होता है इस पद्धति का उपयोग 1876 में टैंटलम कार्बाइड प्राप्त करने के लिए किया गया था, [12] किन्तु इसमें उत्पाद के स्टोइकोमेट्री पर नियंत्रण का अभाव होता है।[7] तत्वों से सीधे टीएसी का उत्पादन स्व-प्रसार उच्च तापमान संश्लेषण के माध्यम से सूचित किया जाता है।[13]

क्रिस्टल संरचना

β-TaC0.5 यूनिट सेल के साथ, नीला रंग टैंटलम है

TaCx यौगिकों में x = 0.7-1.0 के लिए एक घनीय (रॉक-नमक) क्रिस्टल संरचना होती है;[14] लैटिस पैरामीटर x के साथ बढ़ता है।[15]TaC0.5 के दो प्रमुख क्रिस्टलीय रूप हैं। अधिक स्थिर एक में एक एंटी-कैडमियम आयोडाइड-प्रकार की त्रिकोणीय संरचना होती है, जो कार्बन परमाणुओं के लिए लंबी दूरी के क्रम के साथ हेक्सागोनल लैटिस में लगभग 2,000 डिग्री सेल्सियस तक गर्म होने पर बदल जाती है।[10]

सूत्र समरूपता प्रकार पियर्सन प्रतीक त्रिविम ग्रुप नहीं जेड ρ (जी / सेमी 3) ए एन (एम) सी (एनएम)
टीएसी घन NaCl[15] सीएफ8 एफएम3एम 225 4 14.6 0.4427
टीएसी0.75 त्रिकोणीय[16] एचआर24 आर3एम 166 12 15.01 0.3116 3
टीएसी0.5 त्रिकोणीय[17] anti-CdI2 एचपी3 पी3एम1 164 1 15.08 0.3103 0.4938
टीएसी0.5 हेक्सागोनल[11] एचपी4 पी63/एमएमसी 194 2 15.03 0.3105 0.4935

यहाँ Z प्रति यूनिट सेल में सूत्र इकाइयों की संख्या है, ρ लैटिस पैरामीटर से परिकलित घनत्व होता है।

गुण

टैंटलम कार्बाइड में टैंटलम और कार्बन परमाणुओं के बीच का संबंध आयनिक, धातु और सहसंयोजक योगदान का एक जटिल मिश्रण है, और मजबूत सहसंयोजक घटक के कारण, ये कार्बाइड बहुत कठोर और भंगुर पदार्थ हैं। उदाहरण के लिए, टीएसी की सूक्ष्म कठोरता 1,600–2,000 किग्रा/मिमी2 है[18] (~9 मोह) और 285 जीपीए का लोचदार मापांक है, जबकि टैंटलम के लिए संबंधित मान 110 किग्रा/मिमी2 और 186 जीपीए हैं।

टैंटलम कार्बाइड में धात्विक विद्युत चालकता होती है, इसकी परिमाण और तापमान निर्भरता दोनों के संदर्भ में होती है। टीएसी अतिचालकता होती है जिसका टीसी = 10.35 के अपेक्षाकृत उच्च संक्रमण तापमान होता है। [15]

टीएसीx के चुंबकीय गुण x ≤ 0.9 के लिए प्रति-चुंबकीय से बड़े x पर पैरामैग्नेटिक में बदलते हैं। एचएफसीx, के लिए एक व्युत्क्रम व्यवहार (बढ़ते x के साथ पैरा-डायमैग्नेटिक ट्रांज़िशन) देखा गया है, इसकेअतिरिक्त इसमें TaC के समान क्रिस्टल संरचना है।[19]

आवेदन

टैंटलम कार्बाइड का व्यापक रूप से अति-उच्च तापमान सिरेमिक (यूएचटीसी) में सिंटरिंग योजक के रूप में या उच्च-एन्ट्रॉपी मिश्र धातु (एचईए) में सिरेमिक सुदृढीकरण के रूप में पिघलने बिंदु, कठोरता, लोचदार मापांक, तापीय चालकता, थर्मल शॉक में उत्कृष्ट भौतिक गुणों के कारण उपयोग किया जाता है। प्रतिरोध, और रासायनिक स्थिरता, जो इसे एयरोस्पेस उद्योगों में विमान और रॉकेट के लिए एक वांछनीय सामग्री बनाती है।

वांग एट अल। यांत्रिक मिश्रधातु प्लस प्रतिक्रियाशील तप्त दाबन सिंटरिंग विधियों द्वारा TaC जोड़ के साथ सीबीसीएन सिरेमिक मैट्रिक्स को संश्लेषित किया जाता है, जिसमें बीएन, ग्रेफाइट और टीएसी पाउडर को गुलिका पेषण के साथ मिलाया जाता है और 1,900 डिग्री सेल्सियस (2,170 के; 3,450 डिग्री फारेनहाइट) पर सीबीसीएन -TaC सम्मिश्र प्राप्त करने के लिए सिंटर किया जाता है, संश्लेषण के लिए, गुलिका पेषण प्रक्रिया ने अन्य घटकों के साथ प्रतिक्रिया किए बिना टीएसी पाउडर को 5 एनएम तक परिष्कृत किया, जिससे पिंड बनाने की अनुमति मिली, जो 100 एनएम-200 एनएम के व्यास के साथ गोलाकार समूहों से बना होता है। टीईएम विश्लेषण से पता चला है कि टीएसी मैट्रिक्स के भीतर 10-20 एनएम के आकार के साथ नैनोकणों के रूप में यादृच्छिक रूप से वितरित किया जाता है, या बीएन में 3-5 एनएम के छोटे आकार के साथ वितरित किया जाता है। परिणामस्वरुप, टीएसी के 10 wt% जोड़ के साथ सम्मिश्र ने मैट्रिक्स की फ्रैक्चर कठोरता में सुधार किया, जो 127.9 एमपीए की तुलना में 399.5 एमपीए तक पहुंच गया। यह मुख्य रूप से TaC और सीबीसीएन सिरेमिक मैट्रिक्स के बीच थर्मल विस्तार गुणांकों के बेमेल होने के कारण है। चूँकि TaC में सीबीसीएन मैट्रिक्स की तुलना में थर्मल विस्तार का एक बड़ा गुणांक है, TaC कण तन्यता प्रतिबल को सहन करते हैं, जबकि मैट्रिक्स तन्यता प्रतिबल को रेडियल दिशा में और संपीड़ित प्रतिबल को स्पर्शरेखा दिशा में सहन करता है। यह कणों को बायपास करने के लिए दरारें बनाता है और सख्त होने के लिए कुछ ऊर्जा को अवशोषित करता है। इसके अतिरिक्त, टीएसी कणों का समान वितरण अनाज के आकार में कमी के कारण हॉल-पेट संबंध द्वारा समझाए गए उपज प्रतिबल में योगदान देता है।[20]


वी एट अल। ने निर्वात आर्क मेल्टिंग का उपयोग करते हुए नोवल दुर्दम्य MoNbRe0.5W(TaC)x HEA मैट्रिक्स को संश्लेषित किया है। एक्सआरडी पैटर्न से पता चला है कि परिणामी सामग्री मुख्य रूप से आधार मिश्र धातु MoNbRe0.5W में एक एकल बीसीसी क्रिस्टल संरचना से बना है और एक बहु-घटक (एमसी) प्रकार कार्बाइड (एनबी, टा, मो, डब्ल्यू) सी एक लैमेलर गलनक्रांतिक संरचना बनाने के लिए टीएसी जोड़ के आनुपातिक एमसी चरण की मात्रा के साथ होता है। टीईएम विश्लेषण से पता चला है कि बीसीसी और एमसी चरण के बीच लैमेलर इंटरफ़ेस एक समतल और आनुपातिक आकृति विज्ञान प्रस्तुत करता है जो बिना लैटेस अनुपयुक्त अव्यवस्था के साथ अच्छी श्लेषण प्रदर्शित करता है। परिणाम स्वरुप, रेणु आमाप टीएसी के बढ़ने के साथ घटता है जो हॉल-पेट संबंध द्वारा समझाया गया उपज प्रतिबल में सुधार करता है। लैमेलर संरचना का निर्माण इसलिए होता है क्योंकि ऊंचे तापमान पर, क्योंकि ऊंचे तापमान पर, MoNbRe0.5W(TaC)x सम्मिश्र में अपघटन प्रतिक्रिया होती है: (Mo, Nb, W, Ta)2C → (Mo, Nb, W, Ta) + (Mo, Nb, W, Ta)C जिसमें Re दोनों घटकों में भंग किया जाता है ताकि निम्नलिखित में BCC चरण पहले और MC चरण को न्यूक्लियेट किया जा सके चरण आरेखों के अनुसार।[21] इसके अतिरिक्त, बीसीसी चरण की तुलना में एमसी चरण अपनी शृंखला और अधिक लोचदार संपत्ति के कारण संमिश्रित की क्षमता में भी सुधार करता है।[22]

वू एट अल। 1,683 K (1,410 °C; 2,570 °F) पर गुलिका पेषण और सिंटरिंग के साथ TaC जोड़ के साथ Ti(C, N)-आधारित सर्मेट को भी संश्लेषित किया है। टीईएम विश्लेषण से पता चला है कि टीएसी कार्बनिट्राइड चरण के विघटन में मदद करता है और टीएसी-बाइंडर चरण में परिवर्तित हो जाता है। परिणामस्वरूप "ब्लैक-कोर-व्हाइट रिम" संरचना का निर्माण होता है जिसमें 3-5 wt% TaC जोड़ के क्षेत्र में अनाज का आकार घटता है और ट्रांसवर्स रप्चर स्ट्रेंथ (TRS) बढ़ता है। 0-3 wt% TaC क्षेत्र ने TRS में कमी दिखाई क्योंकि TaC जोड़ बाइंडर और कार्बोनाइट्राइड चरण के बीच वेटेबिलिटी को कम करता है और छिद्र बनाता है। आगे 5 wt% से अधिक TaC जोड़ने से भी TRS घट जाता है क्योंकि sintering और सरंध्रता के दौरान TaC ढेर हो जाता है। सबसे अच्छा टीआरएस 5wt% जोड़ पर पाया जाता है जहां कम अनाज की सीमा फिसलने के लिए महीन अनाज और सजातीय सूक्ष्म संरचना प्राप्त की जाती है।[23]


प्राकृतिक घटना

टैंटलकार्बाइड टैंटलम कार्बाइड का एक प्राकृतिक रूप है। यह घनाकार, अत्यंत दुर्लभ खनिज है।[24]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 1.3 Lide, David R., ed. (2009). CRC Handbook of Chemistry and Physics (90th ed.). Boca Raton, Florida: CRC Press. ISBN 978-1-4200-9084-0.
  2. ↑ 2.0 2.1 US 5196273, Tsantrizos, Peter; Mavropoulos, Lakis T. & Shanker, Kartik et al., "Tantalum carbide composite materials", published 1993-03-23, assigned to Noranda Inc. 
  3. ↑ Cedillos-Barraza, Omar; Manara, Dario; Boboridis, K.; Watkins, Tyson; Grasso, Salvatore; Jayaseelan, Daniel D.; Konings, Rudy J. M.; Reece, Michael J.; Lee, William E. (2016). "Investigating the highest melting temperature materials: A laser melting study of the TaC-HFC system". Scientific Reports. 6: 37962. doi:10.1038/srep37962. PMC 5131352. PMID 27905481.
  4. ↑ Tantalum carbide in Linstrom, Peter J.; Mallard, William G. (eds.); NIST Chemistry WebBook, NIST Standard Reference Database Number 69, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg (MD) (retrieved 2014-07-02)
  5. ↑ Emsley, John (11 August 2003). Nature's building blocks: an A-Z guide to the elements. Oxford University Press. pp. 421–. ISBN 978-0-19-850340-8. Retrieved 2 May 2011.
  6. ↑ The claim of melting point of 4,000 °C (4,270 K; 7,230 °F) in TaC0.89 is based not on actual measurement but on an extrapolation of the phase diagram, using an analogy with NbC, see Emeléus
  7. ↑ 7.0 7.1 Emeléus, Harry (1968). अकार्बनिक रसायन विज्ञान और रेडियोरसायन में अग्रिम. Academic Press. pp. 174–176. ISBN 978-0-12-023611-4. Retrieved 3 May 2011.
  8. ↑ Agte, C.; Alterthum, H. (1930). "उच्च गलनांक पर कार्बाइड के साथ प्रणालियों पर शोध और कार्बन संलयन की समस्या में योगदान". Zeitschrift für technische Physik. 11: 182–191. ISSN 0373-0093.
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