10 एनएम प्रक्रिया: Difference between revisions

Revision as of 21:25, 28 May 2023

अर्धचालक निर्माण में, अर्धचालक के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकीय रोडमैप (आईटीआरएस) 10 एनएम प्रक्रिया को 14 एनएम प्रक्रिया नोड के बाद मोसफेटप्रौद्योगिकीय नोड के रूप में परिभाषित करता है और इस प्रकार 10 एनएम वर्ग 10 और 20 नैनोमीटर के बीच प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों का उपयोग करके बनाए गए चिप को दर्शाता है।

सभी उत्पादन 10 एनएम प्रक्रियाएं फिनफेट फिन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकीय पर आधारित होती है, जो कि मल्टी-गेट मोसफेट प्रौद्योगिकीय के रूप में है, जो प्लानर सिलिकॉन सीएमओएस प्रौद्योगिकीय का गैर-प्लानर विकास के रूप में है। सैमसंग ने पहली बार 2013 में अपने बहु स्तरीय सेल (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप के लिए 10 एनएम श्रेणी के चिप का उत्पादन प्रारंभ किया था, इसके बाद 2016 में उनके एसओसी ने 10 एनएम प्रक्रिया का उपयोग किया था और इस प्रकार टीएसएमसी ने 2016 में 10 एनएम चिप का व्यावसायिक उत्पादन प्रारंभ किया और इंटेल ने बाद में 12018 में 10 एनएम चिप्स का उत्पादन शुरू किया था।

चूंकि , 1997 से मार्केटिंग उद्देश्यों के लिए नोड एक व्यावसायिक रूप में नाम बन गया है https://www.eejournal.com/article/no-more-nanometers/जो गेट की लंबाई मेटल पिच या गेट पिच से किसी भी संबंध के बिना प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों की नई पीढ़ी को इंगित करता है। शुक्ला, प्रियंका. "प्रक्रिया नोड विकास का एक संक्षिप्त इतिहास". design-reuse.com. Retrieved 2019-07-09.^[1]^[2] उदाहरण के लिए, ग्लोबल फाउंड्रीज की 7 एनएम प्रक्रियाएँ इंटेल की 10 एनएम प्रक्रिया के समान हैं, इस प्रकार एक प्रक्रिया नोड की पारंपरिक धारणा धुंधली हो गई है।^[3] टीएसएमसी और सैमसंग की 10 एनएम प्रक्रियाएँ ट्रांजिस्टर घनत्व में इंटेल की 14 एनएम और 10 एनएम प्रक्रियाओं के बीच कहीं हैं और इस प्रकार ट्रांजिस्टर घनत्व प्रति वर्ग मिलीमीटर में ट्रांजिस्टर की संख्या ट्रांजिस्टर के आकार से अधिक महत्वपूर्ण होती है, क्योंकि छोटे ट्रांजिस्टर का अर्थ अच्छा प्रदर्शन या ट्रांजिस्टर की संख्या में वृद्धि नहीं है।

पृष्ठभूमि

इस प्रौद्योगिकीय नोड का आईटीआरएस का मूल नामकरण 11 एनएम था। वर्ष 2022 तक रोडमैप के 2007 संस्करण के अनुसार, डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए हाफ-पिच अर्थात एक सरणी में समान फीचर्स के बीच की आधी दूरी 11 नैनोमीटर होनी चाहिए।

2008 में, इंटेल के मुख्य प्रौद्योगिकीय अधिकारी के रूप में कार्यरत पैट गेलसिंगर ने कहा कि इंटेल ने 10 एनएम नोड की ओर एक 'स्पष्ट रास्ता' देखा था।^[4]^[5]

2011 में, सैमसंग ने अगले वर्ष 10 एनएम प्रक्रिया शुरू करने की योजना की घोषणा की थी।^[6] वर्ष 2012 में सैमसंग ने इएमएमसी फ्लैश मेमोरी चिप की घोषणा की थी, जो 10 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर उत्पादित की गई थी।^[7]

वास्तव में, जैसा कि 2018 में सामान्यतः समझा जाता है कि10 एनएम केवल सैमसंग में उच्च मात्रा के रूप में उत्पादन होता है। ग्लोबल फाउंड्रीज ने 10 एनएम उत्पादन को छोड़ दिया है, इंटेल ने अभी तक उच्च मात्रा 10 एनएम उत्पादन शुरू नहीं किया है और टीएसएमसी ने 10 एनएम को एक अल्पकालिक नोड के रूप में माना है,^[8] जो मुख्य रूप से 2018 के समय एप्पल इंक के लिए समर्पित है और 2018 में 7 एनएम तक बढ़ रहा है।

फाउंड्री द्वारा मार्केटिंग के रूप में 10 एनएम और डीआरएएम कंपनियों द्वारा मार्केटिंग के रूप में 10 एनएम के बीच बेचे जाने में अंतर किया जाना है।

प्रौद्योगिकीय उत्पादन इतिहास

अप्रैल 2013 में, सैमसंग ने घोषणा की कि उसने मल्टी-लेवल सेल (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ कर दिया है। 10 एनएम-श्रेणी की प्रक्रिया जिसे टॉम हार्डवेयर के अनुसार, सैमसंग ने 10 एनएम और 20 एनएम के बीच कहीं भी प्रक्रिया प्रौद्योगिकी नोड के रूप में परिभाषित किया है।^[9] 17 अक्टूबर 2016 को सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 10 एनएम पर सॉकेट चिप के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की है।^[10] प्रौद्योगिकीय की मुख्य घोषणा चुनौती इसकी धातु की परत के लिए कई पैटर्निंग की है।^[11]^[12]

टीएसएमसी ने 2017 की शुरुआत में बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ करने से पहले 2016 की शुरुआत में 10 एनएम चिप का व्यावसायिक उत्पादन प्रारंभ कर दिया था।^[13]

21 अप्रैल 2017 को, सैमसंग ने अपने गैलेक्सी एस 8 स्मार्टफोन की शिपिंग प्रारंभ कर दिया था, जो कंपनी के 10 एनएम प्रोसेसर के संस्करण का उपयोग करता है।^[14] 12 जून 2017 को एप्पल ने दूसरी पीढ़ी के आईपैड प्रो टैबलेट को टीएसएमसी द्वारा निर्मित एप्पल A10X चिप के साथ 10 एनएम फिनफिट प्रक्रिया का उपयोग करके वितरित किया था।^[15]

12 सितंबर 2017 को एप्पल ने एप्पल A11 की घोषणा की थी, जो एक चिप पर 64-बिट एआरएम आधारित प्रणाली है, जिसे टीएसएमसी द्वारा 10एनएम फिनफिट प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया है और इसमें 87.66 मिमी^{2 की डाई पर 4.3 बिलियन ट्रांजिस्टर के रूप में हैं।}

अप्रैल 2018 में, इंटेल ने 2019 में कुछ समय तक 10 एनएम मेनस्ट्रीम के सीपीयू के परिमाण उत्पादन में देरी की घोषणा की थी।^[16] जुलाई में छुट्टियों के मौसम के लिए सटीक समय नीचे पिन कर दिया गया था।^[17] चूंकि, इस बीच उन्होंने कम-शक्ति वाली 10 एनएम मोबाइल चिप जारी की थी और इस प्रकार यह विशेष रूप से चीनी बाजारों के लिए अधिकांश चिप के रूप में डिसएबल थी।^[18]

जून 2018 में वीएलएसआई 2018 में, सैमसंग ने अपने 11 एलपीपी और 8 एलपीपी प्रक्रियाओं की घोषणा की थी और इस प्रकार 11एलपीपी सैमसंग 14 एनएम और 10 एनएम प्रौद्योगिकी पर आधारित हाइब्रिड के रूप में है। 11 एलपीपी उनके 10 एनएम बीईओएल पर आधारित है और इस प्रकार उनके 20 एनएम बीईओएल उनके 14 एलपीपी की तरह नहीं हैं। 8 एलपीपी उनकी 10 एलपीपी प्रक्रिया पर आधारित है।^[19]^[20]

एनवीडिया ने सितंबर 2020 में अपना जी फ़ोर्स 30 सीरीज़ जीपीयू जारी किया था। वे सैमसंग की 8 एनएम प्रक्रिया के एक कस्टम संस्करण पर बने हैं, जिसे सैमसंग 8N कहा जाता है, जिसमें 44.56 मिलियन ट्रांजिस्टर प्रति मिमी^{2 का ट्रांजिस्टर घनत्व है।^{^[21]^[22]}}

10 एनएम प्रक्रिया नोड्स

फाउंड्री

	ITRS Logic Device Ground Rules (2015)		Samsung					TSMC	Intel
Process name	16/14 nm	11/10 nm	10LPE (10 nm)	10LPP (10 nm)	8LPP (8 nm)	8LPU (8 nm)	8LPA (8 nm)	10FF (10 nm)	10nm^[23]	10एनएम SF (10 nm)^{[lower-alpha 1]}
Transistor density (MTr / mm²)	Unknown	Unknown	51.82^[20]		61.18^[20]		?	52.51^[24]	100.76^[25]^{[lower-alpha 2]}
Transistor gate pitch (nm)	70	48	68		64		?	66	54
Interconnect pitch (nm)	56	36	51		?		?	44	36
Transistor fin pitch (nm)	42	36	42		42		?	36	34
Transistor fin height (nm)	42	42	49		?		?	42	53
Production year	2015	2017	2017 production^[20]	2017 production^[20]	2018 production	2019 production	2021 production	2016 risk production^[13] 2017 production^[13]	2018 production (Cannon Lake)^[27]	2020 production (Tiger Lake)^[28]

↑ For 10nm ESF renamed Intel 7, see 7 nm)
↑ Intel uses this formula:^[26] ${\rm {No.\ Transistors/mm^{2}=0.6\cdot {\frac {\rm {NAND2\ Tr\ Count}}{\rm {NAND2\ Cell\ Area}}}+0.4\cdot {\frac {\rm {Scan\ Flip\ Flop\ Tr\ Count}}{\rm {Scan\ Flip\ Flop\ Cell\ Area}}}}}$

ट्रांजिस्टर गेट पिच को सीपीपी (संपर्कित पॉली पिच) के रूप में भी जाना जाता है और इंटरकनेक्ट पिच को एमएमपी (न्यूनतम धातु पिच) भी कहा जाता है। सैमसंग ने अपनी 10 एनएम प्रक्रिया को 64 एनएम ट्रांजिस्टर गेट पिच और 48 एनएम इंटरकनेक्ट पिच के रूप में बताया। टीएसएमसी ने बताया कि उनकी 10 एनएम प्रक्रिया में 64 एनएम ट्रांजिस्टर गेट पिच और 42 एनएम इंटरकनेक्ट पिच है। टेक इनसाइट्स द्वारा आगे की जांच से पता चला कि ये मान गलत हैं और उन्हें तदनुसार अपडेट किया गया है। इसके अतिरिक्त , सैमसंग की 10 एनएम प्रोसेस के ट्रांजिस्टर फिन की ऊंचाई MSSCORPS CO द्वारा SEMICON ताइवान 2017 में अपडेट की गई थी।^[29]^[30]^[31]^[32]^[33] ग्लोबल फाउंड्रीज ने 10 एनएम नोड विकसित नहीं करने का निर्णय लिया, क्योंकि उसका मानना था कि यह अल्पकालिक होगा।^[34] सैमसंग की 8 एनएम प्रक्रिया विशेष रूप से डीयूवी लिथोग्राफी का उपयोग करने वाली कंपनी की आखिरी प्रक्रिया है।^[35]

घूंट 10 एनएम वर्ग

DRAM उद्योग के लिए, 10 एनएम-क्लास शब्द का प्रयोग अधिकांशतः किया जाता है और यह आयाम सामान्यतः सक्रिय क्षेत्र की आधी पिच को संदर्भित करता है।^{[citation needed]} 10 एनएम फाउंड्री संरचनाएं सामान्यतः बहुत बड़ी होती हैं।^{[citation needed]}

सामान्यतः 10 एनएम वर्ग 10-19 एनएम सुविधा आकार के साथ डीआरएएम को संदर्भित करता है, और इसे पहली बार प्रस्तुत किया गया था। 2016. 2020 तक 10 एनएम क्लास डीआरएएम की तीन पीढ़ियां हैं: 1x एनएम (19-17 एनएम, जेन1); 1y एनएम (16-14 एनएम, Gen2); और 1z एनएम (13-11 nm, Gen3)।^[36] तीसरी पीढ़ी के 1z DRAM को पहली बार सैमसंग द्वारा c.2019 में प्रस्तुत किया गया था, और प्रारंभ में इसे EUV लिथोग्राफी के उपयोग के बिना ArF लिथोग्राफी का उपयोग करके उत्पादित करने के लिए कहा गया था;^[37]^[38] बाद के उत्पादन ने ईयूवी लिथोग्राफी का उपयोग किया।^[39] 1z से परे सैमसंग ने अपने अगले नोड (चौथी पीढ़ी के 10 एनएम वर्ग) DRAM को नाम दिया: D1a (2021 के लिए), और उस D1b से आगे (2022 की उम्मीद); जबकि माइक्रोन प्रौद्योगिकीय सफल नोड्स को D1α और D1β के रूप में संदर्भित करती है।^[40] माइक्रोन ने 2021 की शुरुआत में 1α क्लास DRAM के वॉल्यूम शिपमेंट की घोषणा की।^[41]

संदर्भ

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Preceded by 14 nm	MOSFET manufacturing processes	Succeeded by 7 nm

[24] For 10nm ESF renamed Intel 7, see 7 nm)

[28] Intel uses this formula:^[26] ${\rm {No.\ Transistors/mm^{2}=0.6\cdot {\frac {\rm {NAND2\ Tr\ Count}}{\rm {NAND2\ Cell\ Area}}}+0.4\cdot {\frac {\rm {Scan\ Flip\ Flop\ Tr\ Count}}{\rm {Scan\ Flip\ Flop\ Cell\ Area}}}}}$

[1] Hruska, Joel. "14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists..." ExtremeTech.

[2] "Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022". wccftech.com. 2016-09-10.

[3] "Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms". eejournal.com. 2018-03-12.

[4] Damon Poeter (July 2008). "इंटेल के जेलसिंगर ने 10एनएम चिप्स के लिए स्पष्ट रास्ता देखा". Archived from the original on 2009-04-25. Retrieved 2009-06-20.

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[40] Samsung Develops Industry's First 3rd-generation 10nm-Class DRAM for Premium Memory Applications (press release), Samsung, 25 Mar 2019

[41] Samsung Announces Industry's First EUV DRAM with Shipment of First Million Modules (press release), Samsung, 25 Mar 2020

[42] Choe, Jeongdong (18 Feb 2021), "Teardown: Samsung's D1z DRAM with EUV Lithography", www.eetimes.com

[43] Micron Delivers Industry's First 1α DRAM Technology (press release), Micron, 26 Jan 2021

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 [[ अर्धचालक निर्माण ]] में,  [[सेमीकंडक्टर के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप|अर्धचालक के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकीय  रोडमैप]] (आईटीआरएस) 10 एनएम प्रक्रिया को [[14 एनएम प्रक्रिया]] नोड के बाद मोसफेट[[प्रौद्योगिकी नोड|प्रौद्योगिकीय  नोड]] के रूप में परिभाषित करता है और इस प्रकार 10 एनएम वर्ग 10 और 20 [[नैनोमीटर]] के बीच प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों का उपयोग करके बनाए गए चिप  को दर्शाता है।
-सभी उत्पादन 10 एनएम प्रक्रियाएं [[FinFET|फिनफेट]] फिन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकीय पर आधारित होती है, जो कि मल्टी-गेट [[MOSFET|मोसफेट]] प्रौद्योगिकीय के रूप में है, जो प्लानर [[सिलिकॉन]] [[CMOS|सीएमओएस]] प्रौद्योगिकीय का गैर-प्लानर विकास के रूप में है। [[ SAMSUNG ]] ने पहली बार 2013 में अपने [[ बहु स्तरीय सेल ]] (एमएलसी) [[फ्लैश मेमोरी]] चिप  के लिए 10 एनएम-श्रेणी के चिप  का उत्पादन प्रारंभ किया था, इसके बाद 2016 में उनके एसओसी ने 10 एनएम प्रक्रिया का उपयोग किया था और इस प्रकार [[टीएसएमसी]] ने 2016 में 10 एनएम चिप  का व्यावसायिक उत्पादन प्रारंभ  किया और [[इंटेल]] ने बाद में 12018 में 10 एनएम चिप्स का उत्पादन शुरू किया था।
+सभी उत्पादन 10 एनएम प्रक्रियाएं [[FinFET|फिनफेट]] फिन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकीय पर आधारित होती है, जो कि मल्टी-गेट [[MOSFET|मोसफेट]] प्रौद्योगिकीय के रूप में है, जो प्लानर [[सिलिकॉन]] [[CMOS|सीएमओएस]] प्रौद्योगिकीय का गैर-प्लानर विकास के रूप में है। [[ SAMSUNG | सैमसंग]] ने पहली बार 2013 में अपने [[ बहु स्तरीय सेल ]] (एमएलसी) [[फ्लैश मेमोरी]] चिप  के लिए 10 एनएम श्रेणी के चिप  का उत्पादन प्रारंभ किया था, इसके बाद 2016 में उनके एसओसी ने 10 एनएम प्रक्रिया का उपयोग किया था और इस प्रकार [[टीएसएमसी]] ने 2016 में 10 एनएम चिप  का व्यावसायिक उत्पादन प्रारंभ  किया और [[इंटेल]] ने बाद में 12018 में 10 एनएम चिप्स का उत्पादन शुरू किया था।
 चूंकि , 1997 से मार्केटिंग  उद्देश्यों के लिए नोड एक व्यावसायिक रूप में नाम बन गया है https://www.eejournal.com/article/no-more-nanometers/<nowiki/>जो गेट की लंबाई मेटल पिच या गेट पिच से किसी भी संबंध के बिना प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों की नई पीढ़ी को इंगित करता है। {{cite web|url=https://www.design-reuse.com/articles/43316/a-brief-history-of-process-node-evolution.html|title=प्रक्रिया नोड विकास का एक संक्षिप्त इतिहास|last=शुक्ला|first=प्रियंका|website=design-reuse.com|access-date=2019-07-09}}<ref>{{cite web|url=https://www.extremetech.com/computing/184946-14nm-7nm-5nm-how-low-can-cmos-go-it-depends-if-you-ask-the-engineers-or-the-economists|title=14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists...|last=Hruska|first=Joel|website=[[ExtremeTech]]}}</ref><ref>{{cite web|url=https://wccftech.com/intel-losing-process-lead-analysis-7nm-2022/|title=Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022|website=wccftech.com|date=2016-09-10}}</ref> उदाहरण के लिए, [[GlobalFoundries|ग्लोबल फाउंड्रीज]] की 7 एनएम प्रक्रियाएँ इंटेल की 10 एनएम प्रक्रिया के समान हैं, इस प्रकार एक प्रक्रिया नोड की पारंपरिक धारणा धुंधली हो गई है।<ref>{{cite web|url=https://www.eejournal.com/article/life-at-10nm-or-is-it-7nm-and-3nm/|title=Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms|website=eejournal.com|date=2018-03-12}}</ref> टीएसएमसी और सैमसंग की 10 एनएम प्रक्रियाएँ [[ट्रांजिस्टर घनत्व]] में इंटेल की 14 एनएम और 10 एनएम प्रक्रियाओं के बीच कहीं हैं और इस प्रकार ट्रांजिस्टर घनत्व प्रति वर्ग मिलीमीटर में ट्रांजिस्टर की संख्या ट्रांजिस्टर के आकार से अधिक महत्वपूर्ण होती है, क्योंकि छोटे ट्रांजिस्टर का अर्थ अच्छा प्रदर्शन या ट्रांजिस्टर की संख्या में वृद्धि नहीं है।
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 == प्रौद्योगिकीय  उत्पादन इतिहास ==
-अप्रैल 2013 में, सैमसंग ने घोषणा की कि उसने मल्टी-लेवल सेल (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप  का [[बड़े पैमाने पर उत्पादन]] प्रारंभ  कर दिया है।एनएम-श्रेणी की प्रक्रिया, जिसे, टॉम के हार्डवेयर के अनुसार, सैमसंग ने 10-एनएम और 20-एनएम के बीच कहीं एक प्रक्रिया प्रौद्योगिकीय  नोड के रूप में परिभाषित किया है।<ref name="tomshardware">{{cite news |title=Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash |url=https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html |access-date=21 June 2019 |work=[[Tom's Hardware]] |date=11 April 2013 |archive-date=21 June 2019 |archive-url=https://web.archive.org/web/20190621175628/https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html |url-status=dead }}</ref> 17 अक्टूबर 2016 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने 10 एनएम पर चिप चिप  पर सिस्टम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की।<ref>{{citation| url = https://news.samsung.com/global/samsung-starts-industrys-first-mass-production-of-system-on-chip-with-10-nanometer-finfet-technology | title = Samsung Starts Industry's First Mass Production of System-on-Chip with 10-Nanometer FinFET Technology| date = Oct 2016 }}</ref> प्रौद्योगिकीय  की मुख्य घोषित चुनौती इसकी धातु की परत के लिए कई पैटर्निंग रही है।<ref>{{Cite web|url=https://news.samsung.com/global/samsung-starts-industrys-first-mass-production-of-system-on-chip-with-10-nanometer-finfet-technology|title=सैमसंग ने 10-नैनोमीटर FinFET तकनीक के साथ सिस्टम-ऑन-चिप का उद्योग का पहला बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया|website=news.samsung.com}}</ref><ref>{{Cite web|url=http://www.cse.cuhk.edu.hk/~byu/papers/N01-SPIE-TPL.pdf|title=triple patterning for 10nm metal}}</ref>
+अप्रैल 2013 में, सैमसंग ने घोषणा की कि उसने मल्टी-लेवल सेल (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप  का [[बड़े पैमाने पर उत्पादन]] प्रारंभ  कर दिया है। 10 एनएम-श्रेणी की प्रक्रिया जिसे टॉम हार्डवेयर के अनुसार, सैमसंग ने 10 एनएम और 20 एनएम के बीच कहीं भी प्रक्रिया प्रौद्योगिकी नोड के रूप में परिभाषित किया है।<ref name="tomshardware">{{cite news |title=Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash |url=https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html |access-date=21 June 2019 |work=[[Tom's Hardware]] |date=11 April 2013 |archive-date=21 June 2019 |archive-url=https://web.archive.org/web/20190621175628/https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html |url-status=dead }}</ref> 17 अक्टूबर 2016 को [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने 10 एनएम पर सॉकेट चिप  के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की है।<ref>{{citation| url = https://news.samsung.com/global/samsung-starts-industrys-first-mass-production-of-system-on-chip-with-10-nanometer-finfet-technology | title = Samsung Starts Industry's First Mass Production of System-on-Chip with 10-Nanometer FinFET Technology| date = Oct 2016 }}</ref> प्रौद्योगिकीय की मुख्य घोषणा चुनौती इसकी धातु की परत के लिए कई पैटर्निंग की है।<ref>{{Cite web|url=https://news.samsung.com/global/samsung-starts-industrys-first-mass-production-of-system-on-chip-with-10-nanometer-finfet-technology|title=सैमसंग ने 10-नैनोमीटर FinFET तकनीक के साथ सिस्टम-ऑन-चिप का उद्योग का पहला बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया|website=news.samsung.com}}</ref><ref>{{Cite web|url=http://www.cse.cuhk.edu.hk/~byu/papers/N01-SPIE-TPL.pdf|title=triple patterning for 10nm metal}}</ref>
-TSMC ने 2017 की शुरुआत में बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ  करने से पहले 2016 की शुरुआत में 10 एनएम चिप  का व्यावसायिक उत्पादन प्रारंभ  किया था।<ref name="tsmc">{{cite web |title=10 एनएम प्रौद्योगिकी|url=https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/10nm.htm |publisher=[[TSMC]] |access-date=30 June 2019}}</ref>
-अप्रैल 2017 को, सैमसंग ने अपने [[गैलेक्सी एस 8]] स्मार्टफोन की शिपिंग प्रारंभ  की, जो कंपनी के 10 एनएम प्रोसेसर के संस्करण का उपयोग करता है।<ref>{{Cite web | url=http://www.samsung.com/us/explore/galaxy-s8/buy/ | title=Buy}}</ref> 12 जून 2017 को, Apple ने दूसरी पीढ़ी के [[iPad Pro]] टैबलेट को TSMC द्वारा निर्मित [[Apple A10X]] चिप  के साथ 10 एनएम FinFET प्रक्रिया का उपयोग करके वितरित किया।<ref>{{Cite web|url=http://www.techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/10nm-rollout-marching-right-along/|title=10nm रोलआउट ठीक साथ-साथ आगे बढ़ रहा है|last=techinsights.com|website=techinsights.com|access-date=2017-06-30|archive-url=https://web.archive.org/web/20170803141307/http://www.techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/10nm-rollout-marching-right-along/|archive-date=2017-08-03|url-status=dead}}</ref>
-सितंबर 2017 को, Apple ने [[Apple A11]] की घोषणा की, जो एक चिप पर 64-बिट ARM-आधारित प्रणाली है, जिसे TSMC द्वारा 10एनएम FinFET प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया है और इसमें 87.66 मिमी की डाई पर 4.3 बिलियन ट्रांजिस्टर हैं।<sup>2</उप>।
-अप्रैल 2018 में, इंटेल ने 2019 में कुछ समय तक 10 एनएम मेनस्ट्रीम सीपीयू के वॉल्यूम उत्पादन में देरी की घोषणा की।<ref>{{cite web|url=https://www.fool.com/investing/2018/04/29/intel-corp-delays-10nm-chip-production.aspx|title=Intel Corp. Delays 10nm Chip Production - Mass production is now scheduled for 2019.|date=2018-04-29|access-date=2018-08-01}}</ref> जुलाई में छुट्टियों के मौसम के लिए सटीक समय को और कम कर दिया गया था।<ref>{{cite news|url=https://arstechnica.com/gadgets/2018/07/intel-says-not-to-expect-mainstream-10nm-chips-until-2h19/|title=Intel says not to expect mainstream 10nm chips until 2H19|date=2018-07-28|access-date=2018-08-01}}</ref> चूंकि , इस बीच, उन्होंने कम-शक्ति वाली 10 एनएम मोबाइल चिप जारी की, चूंकि  यह विशेष रूप से चीनी बाजारों के लिए थी और अधिकांश चिप अक्षम थी।<ref>{{cite web|url=https://www.tomshardware.com/news/intel-10nm-processor-core-i3-8121u,37054.html|title=इंटेल का पहला 10एनएम प्रोसेसर चीन में उतरा|date=2018-05-15|access-date=2018-09-11}}</ref>
+टीएसएमसी ने 2017 की शुरुआत में बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ  करने से पहले 2016 की शुरुआत में 10 एनएम चिप  का व्यावसायिक उत्पादन प्रारंभ कर दिया था।<ref name="tsmc">{{cite web |title=10 एनएम प्रौद्योगिकी|url=https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/10nm.htm |publisher=[[TSMC]] |access-date=30 June 2019}}</ref>
-जून 2018 में वीएलएसआई 2018 में, सैमसंग ने अपनी 11LPP और 8LPP प्रक्रियाओं की घोषणा की। 11LPP सैमसंग 14 एनएम और 10 एनएम प्रौद्योगिकीय   पर आधारित एक हाइब्रिड है। 11LPP उनके 10 एनएम BEOL पर आधारित है, न कि उनके 14LPP की तरह उनके 20 एनएम BEOL पर। 8LPP उनकी 10LPP प्रक्रिया पर आधारित है।<ref>{{Cite web|url=https://fuse.wikichip.org/news/1425/vlsi-2018-samsungs-11nm-11lpp/|title=VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP|date=2018-06-30|website=WikiChip Fuse|language=en-US|access-date=2019-05-31}}</ref><ref name=":0">{{Cite web|url=https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/|title=VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension|date=2018-07-01|website=WikiChip Fuse|language=en-US|access-date=2019-05-31}}</ref>
-Nvidia ने सितंबर 2020 में अपना GeForce 30 सीरीज़ GPU जारी किया। वे सैमसंग की 8 एनएम प्रक्रिया के एक कस्टम संस्करण पर बने हैं, जिसे सैमसंग 8N कहा जाता है, जिसमें 44.56 मिलियन ट्रांजिस्टर प्रति मिमी का ट्रांजिस्टर घनत्व है।<sup>2</उप>।<ref>{{Cite web|url=https://www.pcgamer.com/amp/nvidia-ampere-samsung-8nm-process/|title=Nvidia confirms Samsung 8nm process for RTX 3090, RTX 3080, and RTX 3070 {{pipe}} PC Gamer|website=www.pcgamer.com}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://wccftech.com/nvidia-geforce-rtx-30-series-ampere-graphics-cards-deep-dive/|title=NVIDIA GeForce RTX 30 Ampere GPU Deep-Dive, Full Specs, Thermals, Power & Performance Detailed|date=September 4, 2020}}</ref>
+अप्रैल 2017 को, सैमसंग ने अपने [[गैलेक्सी एस 8]] स्मार्टफोन की शिपिंग प्रारंभ कर दिया था, जो कंपनी के 10 एनएम प्रोसेसर के संस्करण का उपयोग करता है।<ref>{{Cite web | url=http://www.samsung.com/us/explore/galaxy-s8/buy/ | title=Buy}}</ref> 12 जून 2017 को एप्पल ने दूसरी पीढ़ी के [[iPad Pro|आईपैड प्रो]] टैबलेट को टीएसएमसी द्वारा निर्मित [[Apple A10X|एप्पल A10X]] चिप के साथ 10 एनएम फिनफिट प्रक्रिया का उपयोग करके वितरित किया था।<ref>{{Cite web|url=http://www.techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/10nm-rollout-marching-right-along/|title=10nm रोलआउट ठीक साथ-साथ आगे बढ़ रहा है|last=techinsights.com|website=techinsights.com|access-date=2017-06-30|archive-url=https://web.archive.org/web/20170803141307/http://www.techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/10nm-rollout-marching-right-along/|archive-date=2017-08-03|url-status=dead}}</ref>
+सितंबर 2017 को एप्पल ने [[Apple A11|एप्पल A11]] की घोषणा की थी, जो एक चिप पर 64-बिट एआरएम आधारित प्रणाली है, जिसे टीएसएमसी द्वारा 10एनएम फिनफिट प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया है और इसमें 87.66 मिमी<sup>2 की डाई पर 4.3 बिलियन ट्रांजिस्टर के रूप में हैं।
+अप्रैल 2018 में, इंटेल ने 2019 में कुछ समय तक 10 एनएम मेनस्ट्रीम के सीपीयू के परिमाण उत्पादन में देरी की घोषणा की थी।<ref>{{cite web|url=https://www.fool.com/investing/2018/04/29/intel-corp-delays-10nm-chip-production.aspx|title=Intel Corp. Delays 10nm Chip Production - Mass production is now scheduled for 2019.|date=2018-04-29|access-date=2018-08-01}}</ref> जुलाई में छुट्टियों के मौसम के लिए सटीक समय नीचे पिन कर दिया गया था।<ref>{{cite news|url=https://arstechnica.com/gadgets/2018/07/intel-says-not-to-expect-mainstream-10nm-chips-until-2h19/|title=Intel says not to expect mainstream 10nm chips until 2H19|date=2018-07-28|access-date=2018-08-01}}</ref> चूंकि, इस बीच उन्होंने कम-शक्ति वाली 10 एनएम मोबाइल चिप जारी की थी और इस प्रकार यह विशेष रूप से चीनी बाजारों के लिए अधिकांश चिप के रूप में डिसएबल थी।<ref>{{cite web|url=https://www.tomshardware.com/news/intel-10nm-processor-core-i3-8121u,37054.html|title=इंटेल का पहला 10एनएम प्रोसेसर चीन में उतरा|date=2018-05-15|access-date=2018-09-11}}</ref>
+जून 2018 में वीएलएसआई 2018 में, सैमसंग ने अपने 11 एलपीपी और 8 एलपीपी प्रक्रियाओं की घोषणा की थी और इस प्रकार 11एलपीपी सैमसंग 14 एनएम और 10 एनएम प्रौद्योगिकी पर आधारित हाइब्रिड के रूप में है। 11 एलपीपी उनके 10 एनएम बीईओएल पर आधारित है और इस प्रकार उनके 20 एनएम बीईओएल उनके 14 एलपीपी की तरह नहीं हैं। 8 एलपीपी उनकी 10 एलपीपी  प्रक्रिया पर आधारित है।<ref>{{Cite web|url=https://fuse.wikichip.org/news/1425/vlsi-2018-samsungs-11nm-11lpp/|title=VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP|date=2018-06-30|website=WikiChip Fuse|language=en-US|access-date=2019-05-31}}</ref><ref name=":0">{{Cite web|url=https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/|title=VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension|date=2018-07-01|website=WikiChip Fuse|language=en-US|access-date=2019-05-31}}</ref>
+एनवीडिया ने सितंबर 2020 में अपना जी फ़ोर्स 30 सीरीज़ जीपीयू जारी किया था। वे सैमसंग की 8 एनएम प्रक्रिया के एक कस्टम संस्करण पर बने हैं, जिसे सैमसंग 8N कहा जाता है, जिसमें 44.56 मिलियन ट्रांजिस्टर प्रति मिमी<sup>2 का ट्रांजिस्टर घनत्व है।<sup><ref>{{Cite web|url=https://www.pcgamer.com/amp/nvidia-ampere-samsung-8nm-process/|title=Nvidia confirms Samsung 8nm process for RTX 3090, RTX 3080, and RTX 3070 {{pipe}} PC Gamer|website=www.pcgamer.com}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://wccftech.com/nvidia-geforce-rtx-30-series-ampere-graphics-cards-deep-dive/|title=NVIDIA GeForce RTX 30 Ampere GPU Deep-Dive, Full Specs, Thermals, Power & Performance Detailed|date=September 4, 2020}}</ref>
 == 10 एनएम प्रक्रिया नोड्स ==
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 {{notelist}}
-ट्रांजिस्टर गेट पिच को सीपीपी (संपर्कित पॉली पिच) के रूप में भी जाना जाता है और इंटरकनेक्ट पिच को एमएमपी (न्यूनतम धातु पिच) भी कहा जाता है। सैमसंग ने अपनी 10 एनएम प्रक्रिया को 64 एनएम ट्रांजिस्टर गेट पिच और 48 एनएम इंटरकनेक्ट पिच के रूप में बताया। TSMC ने बताया कि उनकी 10 एनएम प्रक्रिया में 64 एनएम ट्रांजिस्टर गेट पिच और 42 एनएम इंटरकनेक्ट पिच है। टेक इनसाइट्स द्वारा आगे की जांच से पता चला कि ये मान गलत हैं और उन्हें तदनुसार अपडेट किया गया है। इसके अतिरिक्त , सैमसंग की 10 एनएम प्रोसेस के ट्रांजिस्टर फिन की ऊंचाई MSSCORPS CO द्वारा SEMICON ताइवान 2017 में अपडेट की गई थी।<ref>{{Cite web|url=http://hothardware.com/news/intel-details-advanced-10nm-node|title=इंटेल विवरण कैनोनलेक के उन्नत 10nm FinFET नोड, प्रतिद्वंद्वियों पर पूर्ण जनरेशन लीड का दावा करता है|date=2017-03-28|access-date=2017-03-30|archive-date=2017-03-30|archive-url=https://web.archive.org/web/20170330151945/http://hothardware.com/news/intel-details-advanced-10nm-node|url-status=dead}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://www.semiconductors.org/wp-content/uploads/2018/06/0_2015-ITRS-2.0-Executive-Report-1.pdf|title=International Technology Roadmap for Semiconductors 2.0 2015 Edition Executive Report|access-date=2018-12-27}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/intel/6713-14nm-16nm-10nm-and-7nm-what-we-know-now/|title=14nm 16nm 10nm and 7nm - What we know now|first=Scotten|last=Jones}}</ref><ref name=TI-Sam-10LPE>{{Cite web|url=http://www.techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/qualcomm-snapdragon-835-first-to-10-nm/|title=Qualcomm Snapdragon 835 First to 10&nbsp;nm |quote=Samsung 10LPE process }}</ref><ref name=wikichip-10>{{Cite web|url=https://en.wikichip.org/wiki/10_nm_lithography_process|title=10 एनएम लिथोग्राफी प्रक्रिया|website=wikichip}}</ref> ग्लोबल फाउंड्रीज  ने 10 एनएम नोड विकसित नहीं करने का निर्णय लिया, क्योंकि उसका मानना था कि यह अल्पकालिक होगा।<ref>{{Cite web|url=https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/globalfoundries/6879-exclusive-globalfoundries-discloses-7nm-process-detail/|title=Exclusive - GLOBALFOUNDRIES discloses 7nm process detail|first=Scotten|last=Jones}}</ref> सैमसंग की 8 एनएम प्रक्रिया विशेष रूप से डीयूवी लिथोग्राफी का उपयोग करने वाली कंपनी की आखिरी प्रक्रिया है।<ref>{{Cite web|url=https://www.anandtech.com/show/11946/samsungs-8lpp-process-technology-qualified-ready-for-production|title=Samsung's 8LPP Process Technology Qualified, Ready for Production|first=Anton|last=Shilov|website=www.anandtech.com}}</ref>
+ट्रांजिस्टर गेट पिच को सीपीपी (संपर्कित पॉली पिच) के रूप में भी जाना जाता है और इंटरकनेक्ट पिच को एमएमपी (न्यूनतम धातु पिच) भी कहा जाता है। सैमसंग ने अपनी 10 एनएम प्रक्रिया को 64 एनएम ट्रांजिस्टर गेट पिच और 48 एनएम इंटरकनेक्ट पिच के रूप में बताया। टीएसएमसी ने बताया कि उनकी 10 एनएम प्रक्रिया में 64 एनएम ट्रांजिस्टर गेट पिच और 42 एनएम इंटरकनेक्ट पिच है। टेक इनसाइट्स द्वारा आगे की जांच से पता चला कि ये मान गलत हैं और उन्हें तदनुसार अपडेट किया गया है। इसके अतिरिक्त , सैमसंग की 10 एनएम प्रोसेस के ट्रांजिस्टर फिन की ऊंचाई MSSCORPS CO द्वारा SEMICON ताइवान 2017 में अपडेट की गई थी।<ref>{{Cite web|url=http://hothardware.com/news/intel-details-advanced-10nm-node|title=इंटेल विवरण कैनोनलेक के उन्नत 10nm FinFET नोड, प्रतिद्वंद्वियों पर पूर्ण जनरेशन लीड का दावा करता है|date=2017-03-28|access-date=2017-03-30|archive-date=2017-03-30|archive-url=https://web.archive.org/web/20170330151945/http://hothardware.com/news/intel-details-advanced-10nm-node|url-status=dead}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://www.semiconductors.org/wp-content/uploads/2018/06/0_2015-ITRS-2.0-Executive-Report-1.pdf|title=International Technology Roadmap for Semiconductors 2.0 2015 Edition Executive Report|access-date=2018-12-27}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/intel/6713-14nm-16nm-10nm-and-7nm-what-we-know-now/|title=14nm 16nm 10nm and 7nm - What we know now|first=Scotten|last=Jones}}</ref><ref name=TI-Sam-10LPE>{{Cite web|url=http://www.techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/qualcomm-snapdragon-835-first-to-10-nm/|title=Qualcomm Snapdragon 835 First to 10&nbsp;nm |quote=Samsung 10LPE process }}</ref><ref name=wikichip-10>{{Cite web|url=https://en.wikichip.org/wiki/10_nm_lithography_process|title=10 एनएम लिथोग्राफी प्रक्रिया|website=wikichip}}</ref> ग्लोबल फाउंड्रीज  ने 10 एनएम नोड विकसित नहीं करने का निर्णय लिया, क्योंकि उसका मानना था कि यह अल्पकालिक होगा।<ref>{{Cite web|url=https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/globalfoundries/6879-exclusive-globalfoundries-discloses-7nm-process-detail/|title=Exclusive - GLOBALFOUNDRIES discloses 7nm process detail|first=Scotten|last=Jones}}</ref> सैमसंग की 8 एनएम प्रक्रिया विशेष रूप से डीयूवी लिथोग्राफी का उपयोग करने वाली कंपनी की आखिरी प्रक्रिया है।<ref>{{Cite web|url=https://www.anandtech.com/show/11946/samsungs-8lpp-process-technology-qualified-ready-for-production|title=Samsung's 8LPP Process Technology Qualified, Ready for Production|first=Anton|last=Shilov|website=www.anandtech.com}}</ref>

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