22 एनएम प्रक्रिया: Difference between revisions

From Vigyanwiki
No edit summary
No edit summary
 
(7 intermediate revisions by 3 users not shown)
Line 1: Line 1:
{{Semiconductor manufacturing processes}}
{{Semiconductor manufacturing processes}}
{{short description|Process in semiconductor device fabrication}}
{{short description|Process in semiconductor device fabrication}}
22 एनएम नोड [[सीएमओएस]] मॉस्फेट [[ अर्धचालक उपकरण निर्माण ]] में [[32 एनएम प्रक्रिया]] के बाद की प्रक्रिया का चरण है। सामान्य अर्ध-पिच अर्थात इस प्रक्रिया का उपयोग करने वाले मेमोरी सेल के लिए एक सरणी में समान सुविधाओं के बीच की आधी दूरी लगभग 22 [[नैनोमीटर]] होती है। इसका पहली बार 2008 में [[ रैंडम एक्सेस मेमोरी ]] मेमोरी में उपयोग के लिए [[अर्धचालक कंपनियों]] द्वारा प्रदर्शन किया गया था। 2010 में[[ तोशीबा ]] ने 24 एनएम [[फ्लैश मेमोरी]] चिप की शिपिंग प्रारंभ की गई थी और [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने बड़े पैमाने पर 20 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप का उत्पादन प्रारंभ किया था। [[इंटेल]] [[आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] प्रोसेसर के साथ अप्रैल 2012 में प्रारंभ हुई 22 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर प्रथम उपभोक्ता स्तर सीपीयू डिलीवरी शुरू हुई थी।
22 एनएम नोड [[सीएमओएस]] मॉस्फेट [[ अर्धचालक उपकरण निर्माण |अर्धचालक डिवाइस फैब्रिकेशन]] में [[32 एनएम प्रक्रिया|32 एनएम]] के पश्चात् की प्रक्रिया है। सामान्य अर्ध-पिच अर्थात इस प्रक्रिया का उपयोग करने वाले मेमोरी सेल के लिए एक सरणी में समान सुविधाओं के बीच की आधी दूरी लगभग 22 [[नैनोमीटर]] होती है। इसका पहली बार 2008 में [[ रैंडम एक्सेस मेमोरी |रैंडम एक्सेस मेमोरी]] में उपयोग के लिए [[अर्धचालक कंपनियों]] द्वारा प्रदर्शन किया गया था। 2010 में[[ तोशीबा | तोशीबा]] ने 24 एनएम [[फ्लैश मेमोरी]] चिप की शिपिंग प्रारंभ की गई और [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने बड़े पैमाने पर 20 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप का उत्पादन प्रारंभ किया था। [[इंटेल]] [[आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] प्रोसेसर के साथ अप्रैल 2012 में प्रारंभ हुआ और 22 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करने वाली पहली उपभोक्ता स्तरीय सीपीयू डिलीवरी शुरू हुई थी।


अर्धचालक 2006 फ्रंट एंड प्रक्रिया अपडेट के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप इंगित करता है कि समतुल्य भौतिक ऑक्साइड मोटाई 0.5 एनएम एक [[सिलिकॉन]] परमाणु के व्यास का लगभग दोगुना से कम नहीं होती है, जो कि 22 एनएम नोड पर अपेक्षित मूल्य के रूप में है। यह एक संकेत है कि इस क्षेत्र में सीएमओएस स्केलिंग इस बिंदु पर एक दीवार तक पहुंच गया है और इस प्रकार संभवतः मूर के नियम को को बाधित करती है।
अर्धचालक 2006 फ्रंट एंड प्रक्रिया अपडेट के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकीय रोडमैप को इंगित करता है और इस प्रकार समतुल्य भौतिक ऑक्साइड मोटाई 0.5 एनएम एक [[सिलिकॉन]] परमाणु के व्यास का लगभग दोगुना से कम होता है, जो कि 22 एनएम नोड पर अपेक्षित मूल्य के रूप में होता है। यह एक संकेत है कि इस क्षेत्र में सीएमओएस स्केलिंग इस बिंदु पर एक दीवार तक पहुंच गया है और इस प्रकार संभवतः मूर के नियम को को बाधित करता है।


20-नैनोमीटर नोड 22-नैनोमीटर प्रक्रिया के आधार पर एक मध्यवर्ती आधा-नोड [[ मरना सिकुड़ना | डाई श्रिंक]] के रूप में होते है।
20-नैनोमीटर नोड 22-नैनोमीटर प्रक्रिया के आधार पर एक मध्यवर्ती अर्ध-नोड [[ मरना सिकुड़ना |डाई श्रिंक]] के रूप में होता है।


[[TSMC|टीएसएमसी]] ने 2014 में 20 एनएम नोड्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था।<ref>{{cite web |title=20nm Technology |url=https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/20nm.htm |publisher=[[TSMC]] |access-date=30 June 2019}}</ref> वर्ष 2014 में वाणिज्यिक 14 एनएम [[FinFET|फिनफिट]] प्रौद्योगिकी द्वारा 22 एनएम प्रक्रिया का स्थान दिया गया था।
[[TSMC|टीएसएमसी]] ने 2014 में 20 एनएम नोड्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था।<ref>{{cite web |title=20nm Technology |url=https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/20nm.htm |publisher=[[TSMC]] |access-date=30 June 2019}}</ref> वर्ष 2014 में वाणिज्यिक 14 एनएम [[FinFET|फिनफिट]] प्रौद्योगिकीय द्वारा 22 एनएम प्रक्रिया का स्थान दिया गया था।


== प्रौद्योगिकी डेमो ==
== प्रौद्योगिकीय डेमो ==
18 अगस्त, 2008 को, [[एएमडी]], [[फ्रीस्केल]], [[आईबीएम]], [[STMicroelectronics]], तोशिबा और [[कॉलेज ऑफ नैनोस्केल साइंस एंड इंजीनियरिंग]] (सीएनएसई) ने घोषणा की कि उन्होंने संयुक्त रूप से एक 22 एनएम [[स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी]] सेल का विकास और निर्माण किया है, जो एक पारंपरिक छह-[[ट्रांजिस्टर]] पर बनाया गया है। 300 मिमी वेफ़र (इलेक्ट्रॉनिक्स) पर डिज़ाइन, जिसकी मेमोरी सेल का आकार केवल 0.1 माइक्रोमीटर|μm था<sup>2</उप>।<ref>{{Cite web |url=http://www.tgdaily.com/content/view/38941/135/ |title=टीजी डेली न्यूज रिपोर्ट|access-date=2008-08-18 |archive-url=https://web.archive.org/web/20080819150858/http://www.tgdaily.com/content/view/38941/135/ |archive-date=2008-08-19 |url-status=dead }}</ref> सेल को [[विसर्जन लिथोग्राफी]] का उपयोग करके मुद्रित किया गया था।<ref>[http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=210101316 EETimes news report]</ref>
18 अगस्त, 2008 को, [[एएमडी]], [[फ्रीस्केल]], [[आईबीएम]], [[STMicroelectronics|एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स]], तोशिबा और [[कॉलेज ऑफ नैनोस्केल साइंस एंड इंजीनियरिंग]] (सीएनएसई) ने घोषणा की कि उन्होंने संयुक्त रूप से एक 22 एनएम [[स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी]] सेल का निर्माण किया है, जो एक पारंपरिक छह-[[ट्रांजिस्टर]] पर बनाया गया है। 300 मिमी वेफ़र इलेक्ट्रॉनिक्स पर डिज़ाइन किया गया है, जिसकी मेमोरी सेल का आकार केवल 0.1 माइक्रोमीटर<sup>2 था।<ref>{{Cite web |url=http://www.tgdaily.com/content/view/38941/135/ |title=टीजी डेली न्यूज रिपोर्ट|access-date=2008-08-18 |archive-url=https://web.archive.org/web/20080819150858/http://www.tgdaily.com/content/view/38941/135/ |archive-date=2008-08-19 |url-status=dead }}</ref> सेल को इमर्शन लिथोग्राफी का उपयोग करके मुद्रित किया गया था।<ref>[http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=210101316 EETimes news report]</ref>
22 एनएम नोड पहली बार हो सकता है जहां गेट की लंबाई आवश्यक रूप से प्रौद्योगिकी नोड पदनाम से छोटी नहीं है। उदाहरण के लिए, 25 एनएम गेट की लंबाई 22 एनएम नोड के लिए विशिष्ट होगी।


22 सितंबर, 2009 को, इंटेल डेवलपर फोरम#2009 इवेंट्स के दौरान, इंटेल ने 22 एनएम वेफर दिखाया और घोषणा की कि 22 एनएम तकनीक वाले चिप  2011 की दूसरी छमाही में उपलब्ध होंगे।<ref>[https://www.engadget.com/2009/09/22/intel-announces-22nm-chips-for-2011/ Intel announces 22nm chips for 2011]</ref> SRAM सेल का आकार 0.092 माइक्रोन बताया गया है<sup>2</sup>, अब तक की सबसे छोटी रिपोर्ट।
22 एनएम नोड पहली बार किया जा सकता है, जहां की गेट लंबाई प्रौद्योगिकीय नोड पदनाम से छोटी नहीं है। उदाहरण के लिए 25 एनएम गेट की लंबाई 22 एनएम नोड के लिए विशिष्ट रूप में होती है।


3 जनवरी, 2010 को इंटेल और [[ माइक्रोन प्रौद्योगिकी ]] ने 25 एनएम एनएएनडी गेट उपकरणों के परिवार में पहली घोषणा की।
22 सितंबर, 2009 को इंटेल डेवलपर फोरम 2009 इवेंट्स के समय इंटेल ने 22 एनएम वेफर दिखाया और घोषणा की कि 22 एनएम प्रौद्योगिकीय वाले चिप 2011 की दूसरी छमाही में उपलब्ध होंगे।<ref>[https://www.engadget.com/2009/09/22/intel-announces-22nm-chips-for-2011/ Intel announces 22nm chips for 2011]</ref> एसआरएम सेल का आकार 0.092 माइक्रोनमीटर<sup>2</sup> कहा जाता है, जो अब तक की सबसे छोटी रिपोर्ट के रूप में किया गया है।


2 मई, 2011 को, इंटेल ने अपने पहले 22 एनएम माइक्रोप्रोसेसर, कोडनेम आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) की घोषणा की, जिसमें 3-डी [[त्रि-गेट]] नामक FinFET तकनीक का उपयोग किया गया था।<ref>[http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2032 Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology]</ref>
3 जनवरी, 2010 को इंटेल और [[ माइक्रोन प्रौद्योगिकी |माइक्रोन प्रौद्योगिकीय]] ने 25 एनएम एनएएनडी गेट उपकरणों के फॅमिली के रूप में पहली घोषणा की थी।
IBM [[POWER8]] प्रोसेसर इंसुलेटर प्रक्रिया पर 22 nm सिलिकॉन में निर्मित होता है।<ref>[https://www.theregister.co.uk/2011/08/31/ibm_power_chip_roadmap_update/ IBM opens Power8 kimono (a little bit more)]</ref>


2 मई, 2011 को इंटेल ने अपने पहले 22 एनएम माइक्रोप्रोसेसर, कोडनेम आइवी ब्रिज माइक्रोआर्किटेक्चर की घोषणा की थी, जिसमें 3-डी [[त्रि-गेट]] नामक फिनफिट प्रौद्योगिकीय का उपयोग किया गया था।<ref>[http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2032 Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology]</ref>


आईबीएम की [[पावर8]] प्रोसेसर इंसुलेटर प्रक्रिया पर 22 एनएम सिलिकॉन के रूप में उत्पादित होते हैं।<ref>[https://www.theregister.co.uk/2011/08/31/ibm_power_chip_roadmap_update/ IBM opens Power8 kimono (a little bit more)]</ref>
== शिप किए गए उपकरण ==
== शिप किए गए उपकरण ==
* तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।<ref>[http://www.toshiba.co.jp/about/press/2010_08/pr3101.htm?from=RSS_PRESS&uid=20100831-1112e Toshiba launches 24nm process NAND flash memory]</ref>
* तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।<ref>[http://www.toshiba.co.jp/about/press/2010_08/pr3101.htm?from=RSS_PRESS&uid=20100831-1112e Toshiba launches 24nm process NAND flash memory]</ref>
* 2010 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ  किया{{nbsp}}[[ उसे जाना होगा ]] एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर रहा है।<ref name="samsung-history">{{cite web |title=इतिहास|url=https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/company/history/ |website=[[Samsung Electronics]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=19 June 2019}}</ref>
* 2010 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप का 20 एनएम प्रक्रिया का प्रयोग कर बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था।<ref name="samsung-history">{{cite web |title=इतिहास|url=https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/company/history/ |website=[[Samsung Electronics]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=19 June 2019}}</ref>
* इसके अतिरिक्त 2010 में, [[हाइनिक्स]] ने 64 प्रस्तुत  किया जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर रही है।<ref>{{cite web |title=History: 2010s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019 |archive-date=29 April 2021 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210429202547/https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp |url-status=dead }}</ref>
* इसके अतिरिक्त 2010 में, [[हाइनिक्स]] ने 64 जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का प्रयोग कर प्रारंभ किया था।<ref>{{cite web |title=History: 2010s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019 |archive-date=29 April 2021 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210429202547/https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp |url-status=dead }}</ref>
* 23 अप्रैल 2012 को, Intel के आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) पर आधारित [[Intel Core]] i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर, श्रृंखला 7 चिपसेट के लिए 22 nm तकनीक दुनिया भर में बिक्री के लिए चली गई।<ref>[http://semiaccurate.com/2012/04/23/intel-launches-ivy-bridge-amid-crushing-marketing-buzzwords/ Intel launches Ivy Bridge...]</ref> 22 एनएम प्रोसेसर का वॉल्यूम उत्पादन छह महीने पहले प्रारंभ हुआ था, जैसा कि 19 अक्टूबर, 2011 को इंटेल के पूर्व सीईओ पॉल ओटेलिनी ने पुष्टि की थी।<ref>[http://www.tomshardware.com/news/ivy-bridge-processor-release-22nm-3d-transistor,13753.html Tom's Hardware: Intel to Sell] [[Ivy Bridge (microarchitecture)|Ivy Bridge]] Late in Q4 2011</ref>
* 23 अप्रैल 2012 को, इंटेल के आइवी ब्रिज माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित होते है [[Intel Core|इंटेल कोर]] i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर, श्रृंखला 7 चिपसेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकीय दुनिया भर में बिक्री के लिए चली गई।<ref>[http://semiaccurate.com/2012/04/23/intel-launches-ivy-bridge-amid-crushing-marketing-buzzwords/ Intel launches Ivy Bridge...]</ref> और इस प्रकार 22 एनएम प्रोसेसर का वॉल्यूम उत्पादन छह महीने पहले प्रारंभ हुआ था, जैसा कि 19 अक्टूबर, 2011 को इंटेल के पूर्व सीईओ पॉल ओटेलिनी ने पुष्टि की थी।<ref>[http://www.tomshardware.com/news/ivy-bridge-processor-release-22nm-3d-transistor,13753.html Tom's Hardware: Intel to Sell] [[Ivy Bridge (microarchitecture)|Ivy Bridge]] Late in Q4 2011</ref>
* 3 जून 2013 को, Intel ने Intel के Haswell (माइक्रोआर्किटेक्चर) माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर को श्रृंखला 8 चिपसेट के लिए 22 nm ट्राई-गेट FinFET तकनीक में शिपिंग करना प्रारंभ किया।<ref>{{Cite web |url=http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2013/04/26/chip-shot-4th-generation-intel-core-coming-soon/ |title=4th Generation Intel Core Processors Coming Soon |access-date=2013-04-27 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150209212845/http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2013/04/26/chip-shot-4th-generation-intel-core-coming-soon/ |archive-date=2015-02-09 |url-status=dead }}</ref>
* 3 जून 2013 को, इंटेल ने इंटेल के हस्वेल्ल माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर को श्रृंखला 8 चिपसेट के लिए 22 एनएम ट्राई-गेट फिनफिट प्रौद्योगिकीय में शिपिंग करना प्रारंभ किया गया था।<ref>{{Cite web |url=http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2013/04/26/chip-shot-4th-generation-intel-core-coming-soon/ |title=4th Generation Intel Core Processors Coming Soon |access-date=2013-04-27 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150209212845/http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2013/04/26/chip-shot-4th-generation-intel-core-coming-soon/ |archive-date=2015-02-09 |url-status=dead }}</ref>
 


==संदर्भ==
==संदर्भ==
Line 39: Line 37:
}}
}}


{{DEFAULTSORT:22 nanometre}}[[Category: सेमीकंडक्टर लिथोग्राफी नोड्स के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप|*00022]]
{{DEFAULTSORT:22 nanometre}}
 
 


[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category:Created On 25/05/2023|22 nanometre]]
[[Category:Created On 25/05/2023]]
[[Category:Lua-based templates|22 nanometre]]
[[Category:Machine Translated Page|22 nanometre]]
[[Category:Pages with script errors|22 nanometre]]
[[Category:Templates Vigyan Ready|22 nanometre]]
[[Category:Templates that add a tracking category|22 nanometre]]
[[Category:Templates that generate short descriptions|22 nanometre]]
[[Category:Templates using TemplateData|22 nanometre]]
[[Category:सेमीकंडक्टर लिथोग्राफी नोड्स के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप|*00022]]

Latest revision as of 11:47, 5 June 2023

Semiconductor
device
fabrication
4-fach-NAND-C10.JPG
MOSFET scaling
(process nodes)
Future

22 एनएम नोड सीएमओएस मॉस्फेट अर्धचालक डिवाइस फैब्रिकेशन में 32 एनएम के पश्चात् की प्रक्रिया है। सामान्य अर्ध-पिच अर्थात इस प्रक्रिया का उपयोग करने वाले मेमोरी सेल के लिए एक सरणी में समान सुविधाओं के बीच की आधी दूरी लगभग 22 नैनोमीटर होती है। इसका पहली बार 2008 में रैंडम एक्सेस मेमोरी में उपयोग के लिए अर्धचालक कंपनियों द्वारा प्रदर्शन किया गया था। 2010 में तोशीबा ने 24 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप की शिपिंग प्रारंभ की गई और सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने बड़े पैमाने पर 20 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप का उत्पादन प्रारंभ किया था। इंटेल आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) प्रोसेसर के साथ अप्रैल 2012 में प्रारंभ हुआ और 22 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करने वाली पहली उपभोक्ता स्तरीय सीपीयू डिलीवरी शुरू हुई थी।

अर्धचालक 2006 फ्रंट एंड प्रक्रिया अपडेट के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकीय रोडमैप को इंगित करता है और इस प्रकार समतुल्य भौतिक ऑक्साइड मोटाई 0.5 एनएम एक सिलिकॉन परमाणु के व्यास का लगभग दोगुना से कम होता है, जो कि 22 एनएम नोड पर अपेक्षित मूल्य के रूप में होता है। यह एक संकेत है कि इस क्षेत्र में सीएमओएस स्केलिंग इस बिंदु पर एक दीवार तक पहुंच गया है और इस प्रकार संभवतः मूर के नियम को को बाधित करता है।

20-नैनोमीटर नोड 22-नैनोमीटर प्रक्रिया के आधार पर एक मध्यवर्ती अर्ध-नोड डाई श्रिंक के रूप में होता है।

टीएसएमसी ने 2014 में 20 एनएम नोड्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था।[1] वर्ष 2014 में वाणिज्यिक 14 एनएम फिनफिट प्रौद्योगिकीय द्वारा 22 एनएम प्रक्रिया का स्थान दिया गया था।

प्रौद्योगिकीय डेमो

18 अगस्त, 2008 को, एएमडी, फ्रीस्केल, आईबीएम, एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स, तोशिबा और कॉलेज ऑफ नैनोस्केल साइंस एंड इंजीनियरिंग (सीएनएसई) ने घोषणा की कि उन्होंने संयुक्त रूप से एक 22 एनएम स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी सेल का निर्माण किया है, जो एक पारंपरिक छह-ट्रांजिस्टर पर बनाया गया है। 300 मिमी वेफ़र इलेक्ट्रॉनिक्स पर डिज़ाइन किया गया है, जिसकी मेमोरी सेल का आकार केवल 0.1 माइक्रोमीटर2 था।[2] सेल को इमर्शन लिथोग्राफी का उपयोग करके मुद्रित किया गया था।[3]

22 एनएम नोड पहली बार किया जा सकता है, जहां की गेट लंबाई प्रौद्योगिकीय नोड पदनाम से छोटी नहीं है। उदाहरण के लिए 25 एनएम गेट की लंबाई 22 एनएम नोड के लिए विशिष्ट रूप में होती है।

22 सितंबर, 2009 को इंटेल डेवलपर फोरम 2009 इवेंट्स के समय इंटेल ने 22 एनएम वेफर दिखाया और घोषणा की कि 22 एनएम प्रौद्योगिकीय वाले चिप 2011 की दूसरी छमाही में उपलब्ध होंगे।[4] एसआरएम सेल का आकार 0.092 माइक्रोनमीटर2 कहा जाता है, जो अब तक की सबसे छोटी रिपोर्ट के रूप में किया गया है।

3 जनवरी, 2010 को इंटेल और माइक्रोन प्रौद्योगिकीय ने 25 एनएम एनएएनडी गेट उपकरणों के फॅमिली के रूप में पहली घोषणा की थी।

2 मई, 2011 को इंटेल ने अपने पहले 22 एनएम माइक्रोप्रोसेसर, कोडनेम आइवी ब्रिज माइक्रोआर्किटेक्चर की घोषणा की थी, जिसमें 3-डी त्रि-गेट नामक फिनफिट प्रौद्योगिकीय का उपयोग किया गया था।[5]

आईबीएम की पावर8 प्रोसेसर इंसुलेटर प्रक्रिया पर 22 एनएम सिलिकॉन के रूप में उत्पादित होते हैं।[6]

शिप किए गए उपकरण

  • तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।[7]
  • 2010 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप का 20 एनएम प्रक्रिया का प्रयोग कर बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था।[8]
  • इसके अतिरिक्त 2010 में, हाइनिक्स ने 64 जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का प्रयोग कर प्रारंभ किया था।[9]
  • 23 अप्रैल 2012 को, इंटेल के आइवी ब्रिज माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित होते है इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर, श्रृंखला 7 चिपसेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकीय दुनिया भर में बिक्री के लिए चली गई।[10] और इस प्रकार 22 एनएम प्रोसेसर का वॉल्यूम उत्पादन छह महीने पहले प्रारंभ हुआ था, जैसा कि 19 अक्टूबर, 2011 को इंटेल के पूर्व सीईओ पॉल ओटेलिनी ने पुष्टि की थी।[11]
  • 3 जून 2013 को, इंटेल ने इंटेल के हस्वेल्ल माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर को श्रृंखला 8 चिपसेट के लिए 22 एनएम ट्राई-गेट फिनफिट प्रौद्योगिकीय में शिपिंग करना प्रारंभ किया गया था।[12]

संदर्भ

  1. ↑ "20nm Technology". TSMC. Retrieved 30 June 2019.
  2. ↑ "टीजी डेली न्यूज रिपोर्ट". Archived from the original on 2008-08-19. Retrieved 2008-08-18.
  3. ↑ EETimes news report
  4. ↑ Intel announces 22nm chips for 2011
  5. ↑ Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology
  6. ↑ IBM opens Power8 kimono (a little bit more)
  7. ↑ Toshiba launches 24nm process NAND flash memory
  8. ↑ "इतिहास". Samsung Electronics. Samsung. Retrieved 19 June 2019.
  9. ↑ "History: 2010s". SK Hynix. Archived from the original on 29 April 2021. Retrieved 8 July 2019.
  10. ↑ Intel launches Ivy Bridge...
  11. ↑ Tom's Hardware: Intel to Sell Ivy Bridge Late in Q4 2011
  12. ↑ "4th Generation Intel Core Processors Coming Soon". Archived from the original on 2015-02-09. Retrieved 2013-04-27.
Preceded by
32 nm (CMOS) 		MOSFET manufacturing processes Succeeded by
14 nm (FinFET)
Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=22_एनएम_प्रक्रिया&oldid=174743’