मेमोरी लेटेंसी: Difference between revisions

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Revision as of 22:34, 2 June 2023

30-पिन SIMM मॉड्यूल पर 70 ns विलंबता के साथ 1 मेगाबिट डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी। आधुनिक DDR4 DIMM में 15ns से कम विलंबता होती है।[1]

स्मृति विलंबता एक बाइट या शब्द के लिए स्मृति में अनुरोध शुरू करने के बीच का समय (विलंबता (इंजीनियरिंग)) है जब तक कि इसे केंद्रीय प्रसंस्करण इकाई द्वारा पुनर्प्राप्त नहीं किया जाता है। यदि डेटा सीपीयू कैश | प्रोसेसर के कैश में नहीं है, तो उन्हें प्राप्त करने में अधिक समय लगता है, क्योंकि प्रोसेसर को बाहरी कंप्यूटर मेमोरी सेल के साथ संचार करना होगा। विलंबता इसलिए स्मृति की गति का एक मौलिक उपाय है: विलंबता जितनी कम होगी, पढ़ने की क्रिया उतनी ही तेज होगी।

लेटेंसी को मेमोरी बैंडविड्थ के साथ भ्रमित नहीं होना चाहिए, जो मेमोरी के THROUGHPUT को मापता है। विलंबता को घड़ी चक्रों में या नैनोसेकंड में मापे गए समय में व्यक्त किया जा सकता है। समय के साथ, घड़ी चक्रों में व्यक्त स्मृति विलंबता काफी स्थिर रही है, लेकिन समय के साथ उनमें सुधार हुआ है।[1]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. 1.0 1.1 Crucial Technology, "Speed vs. Latency: Why CAS latency isn't an accurate measure of memory performance" [1]


बाहरी संबंध