कार्बनिक विद्युत ट्रांजिस्टर: Difference between revisions

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ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल [[ट्रांजिस्टर]] (OECT) एक ऑर्गेनिक इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस है जो ट्रांजिस्टर की तरह काम करता है। डिवाइस के माध्यम से बहने वाली धारा को [[इलेक्ट्रोलाइट]] और कार्बनिक कंडक्टर या [[अर्धचालक]] से बने ओईसीटी चैनल के बीच [[आयन]]ों के आदान-प्रदान द्वारा नियंत्रित किया जाता है।<ref name=Bernards2007>{{cite journal | last1=Bernards | first1=D. A. | last2=Malliaras | first2=G. G. | title=कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर की स्थिर-अवस्था और क्षणिक व्यवहार| journal=Advanced Functional Materials | publisher=Wiley | volume=17 | issue=17 | date=2007-10-16 | issn=1616-301X | doi=10.1002/adfm.200601239 | pages=3538–3544| s2cid=97447440 }}</ref> आयनों का आदान-प्रदान गेट इलेक्ट्रोड पर लागू वोल्टेज द्वारा संचालित होता है जो इलेक्ट्रोलाइट के माध्यम से चैनल के साथ आयनिक संपर्क में होता है। चैनल और इलेक्ट्रोलाइट के बीच आयनों का प्रवास चैनल सामग्री में होने वाली इलेक्ट्रोकेमिकल रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं के साथ होता है। आयन प्रवासन के साथ-साथ चैनल का इलेक्ट्रोकेमिकल रेडॉक्स इलेक्ट्रोकेमिकल डोपिंग नामक प्रक्रिया में चैनल की चालकता को बदलता है। [[बायोसेंसर]], [[ bioelectronics ]] और बड़े क्षेत्र, कम लागत वाले इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोगों के लिए ओईसीटी का पता लगाया जा रहा है। ओईसीटी का उपयोग मल्टी-बिट मेमोरी डिवाइस के रूप में भी किया जा सकता है जो मस्तिष्क की सिनैप्टिक कार्यात्मकताओं की नकल करता है। इस कारण से, न्यूरोमॉर्फिक कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों में तत्वों के रूप में ओईसीटी की भी जांच की जा सकती है।
'''[[ट्रांजिस्टर|कार्बनिक विद्युत ट्रांजिस्टर]] (ओ इ सी टी)''' एक कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण है जो ट्रांजिस्टर की तरह काम करता है। उपकरण के माध्यम से बहने वाली धारा को [[इलेक्ट्रोलाइट]] और कार्बनिक कंडक्टर या [[अर्धचालक]] से बने ओईसीटी चैनल के बीच [[आयन|आयनों]] के आदान-प्रदान द्वारा नियंत्रित किया जाता है।<ref name=Bernards2007>{{cite journal | last1=Bernards | first1=D. A. | last2=Malliaras | first2=G. G. | title=कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर की स्थिर-अवस्था और क्षणिक व्यवहार| journal=Advanced Functional Materials | publisher=Wiley | volume=17 | issue=17 | date=2007-10-16 | issn=1616-301X | doi=10.1002/adfm.200601239 | pages=3538–3544| s2cid=97447440 }}</ref> आयनों का आदान-प्रदान गेट इलेक्ट्रोड पर लागू वोल्टेज द्वारा संचालित होता है जो इलेक्ट्रोलाइट के माध्यम से चैनल के साथ आयनिक संपर्क में होता है। चैनल और इलेक्ट्रोलाइट के बीच आयनों का प्रवास चैनल सामग्री में होने वाली इलेक्ट्रोकेमिकल रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं के साथ होता है। आयन प्रवासन के साथ-साथ चैनल का इलेक्ट्रोकेमिकल रेडॉक्स इलेक्ट्रोकेमिकल डोपिंग नामक प्रक्रिया में चैनल की चालकता को बदलता है। [[बायोसेंसर]], [[ bioelectronics |जैव इलेक्ट्रानिकी]] और बड़े क्षेत्र, कम लागत वाले इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोगों के लिए ओईसीटी का पता लगाया जा रहा है। ओईसीटी का उपयोग मल्टी-बिट मेमोरी डिवाइस के रूप में भी किया जा सकता है जो मस्तिष्क की सिनैप्टिक कार्यात्मकताओं की नकल करता है। इस कारण से, न्यूरोमॉर्फिक कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों में तत्वों के रूप में ओईसीटी की भी जांच की जा सकती है।


==OECT डिवाइस निर्माण और संचालन तंत्र ==
==ओईसीटी डिवाइस निर्माण और संचालन तंत्र ==
ओईसीटी में एक अर्धचालक पतली-फिल्म (चैनल) होती है, जो आमतौर पर [[संयुग्मित प्रणाली]] से बनी होती है, जो इलेक्ट्रोलाइट के सीधे संपर्क में होती है।<ref>{{Cite journal|last1=Zeglio|first1=Erica|last2=Inganäs|first2=Olle|date=2018|title=कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर के लिए सक्रिय सामग्री|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201800941|journal=Advanced Materials|language=en|volume=30|issue=44|pages=1800941|doi=10.1002/adma.201800941|pmid=30022545 |bibcode=2018AdM....3000941Z |s2cid=51699034 |issn=1521-4095}}</ref> स्रोत और नाली इलेक्ट्रोड चैनल के लिए विद्युत संपर्क स्थापित करते हैं, जबकि एक गेट इलेक्ट्रोड इलेक्ट्रोलाइट से विद्युत संपर्क स्थापित करता है। इलेक्ट्रोलाइट तरल, जेल या ठोस हो सकता है। सबसे आम बायसिंग कॉन्फ़िगरेशन में, स्रोत को ग्राउंड किया जाता है और ड्रेन पर एक वोल्टेज (ड्रेन वोल्टेज) लगाया जाता है। यह चैनल में मौजूद इलेक्ट्रॉनिक चार्ज (आमतौर पर [[इलेक्ट्रॉन छेद]]) के कारण करंट प्रवाहित (ड्रेन करंट) का कारण बनता है। जब गेट पर वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रोलाइट से आयनों को चैनल में इंजेक्ट किया जाता है और इलेक्ट्रॉनिक चार्ज घनत्व को बदल देता है, और इसलिए नाली का प्रवाह होता है। जब गेट वोल्टेज को हटा दिया जाता है, तो इंजेक्ट किए गए आयन इलेक्ट्रोलाइट में वापस आ जाते हैं और ड्रेन करंट वापस अपने मूल मान पर चला जाता है। हालाँकि, कुछ चैनल सामग्री गेट वोल्टेज को हटाने के बाद भी माइग्रेट किए गए आयनों को स्मृति उपकरणों के रूप में उनके उपयोग को सक्षम कर सकती है।
ओईसीटी में एक अर्धचालक या यहां तक कि कंडक्टर पतली-फिल्म (चैनल) होती है, जो प्रायः [[संयुग्मित प्रणाली|संयुग्मित बहुलक]] से बनी होती है, जो इलेक्ट्रोलाइट के सीधे संपर्क में होती है।<ref>{{Cite journal|last1=Zeglio|first1=Erica|last2=Inganäs|first2=Olle|date=2018|title=कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर के लिए सक्रिय सामग्री|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201800941|journal=Advanced Materials|language=en|volume=30|issue=44|pages=1800941|doi=10.1002/adma.201800941|pmid=30022545 |bibcode=2018AdM....3000941Z |s2cid=51699034 |issn=1521-4095}}</ref> स्रोत और निर्गम इलेक्ट्रोड चैनल के लिए विद्युत संपर्क स्थापित करते हैं, जबकि एक गेट इलेक्ट्रोड इलेक्ट्रोलाइट से विद्युत संपर्क स्थापित करता है। इलेक्ट्रोलाइट तरल, गाढ़ा जैल  या ठोस हो सकता है। सबसे सामान्य बायसिंग विन्यास में, स्रोत को भूसंपर्कित किया जाता है और निर्गम पर एक वोल्टेज (निर्गम वोल्टेज) लगाया जाता है। यह चैनल में निहित इलेक्ट्रॉनिक चार्ज (प्रायः [[इलेक्ट्रॉन छेद|कोठर]]) के कारण धारा प्रवाहित (निर्गम धारा) का कारण बनता है। जब गेट पर वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रोलाइट से आयनों को चैनल में अंतःक्षिप्त किया जाता है और इलेक्ट्रॉनिक चार्ज घनत्व को बदल देता है, और इसलिए निर्गम का प्रवाह होता है। जब गेट वोल्टेज को हटा दिया जाता है, तो अंतःक्षिप्त किए गए आयन इलेक्ट्रोलाइट में वापस आ जाते हैं और निर्गम धारा वापस अपने मूल मान पर चली जाती है। हालाँकि, कुछ चैनल सामग्री गेट वोल्टेज को हटाने के बाद भी माइग्रेट किए गए आयनों को स्मृति उपकरणों के रूप में उनके उपयोग को सक्षम कर सकती है।


ओईसीटी आमतौर पर पेडॉट का उपयोग करते हैं: पीएसएस चैनल सामग्री के रूप में, और [[कमी और वृद्धि मोड]] में काम करते हैं।<ref>{{cite journal | last1=Owens | first1=Róisín M. | last2=Malliaras | first2=George G. | title=जीव विज्ञान के साथ इंटरफेस पर कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स| journal=MRS Bulletin | publisher=Cambridge University Press (CUP) | volume=35 | issue=6 | year=2010 | issn=0883-7694 | doi=10.1557/mrs2010.583 | pages=449–456}}</ref> [[कार्बनिक अर्धचालक]] PEDOT को डोप किया गया है: पीएसएस में मौजूद [[ सल्फ़ोनेट ]] आयनों द्वारा बाह्य अर्धचालक | पी-प्रकार<ref>
ओईसीटी प्रायः पेडॉट:पीएसएस को चैनल सामग्री के रूप में उपयोग करते हैं, और अवक्षय मोड में काम करते हैं।<ref>{{cite journal | last1=Owens | first1=Róisín M. | last2=Malliaras | first2=George G. | title=जीव विज्ञान के साथ इंटरफेस पर कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स| journal=MRS Bulletin | publisher=Cambridge University Press (CUP) | volume=35 | issue=6 | year=2010 | issn=0883-7694 | doi=10.1557/mrs2010.583 | pages=449–456}}</ref> पीएसएस में निहित [[ सल्फ़ोनेट |सल्फ़ोनेट]] आयनों द्वारा [[कार्बनिक अर्धचालक]] पेडॉट को पी-टाइप डोप किया गया है<ref>
A. Elschner, S. Kirchmeyer, W. Lövenich, U. Merker and K. Reuter, in PEDOT, Principles and Applications of an Intrinsically Conductive Polymer (CRC Press, 2010), pp. 113-166.
A. Elschner, S. Kirchmeyer, W. Lövenich, U. Merker and K. Reuter, in PEDOT, Principles and Applications of an Intrinsically Conductive Polymer (CRC Press, 2010), pp. 113-166.
</ref> और इसलिए PEDOT: PSS एक उच्च इलेक्ट्रॉनिक चालकता प्रदर्शित करता है। जब कोई गेट वोल्टेज लागू नहीं होता है, तो अत्यधिक प्रवाहकीय चैनल के माध्यम से एक उच्च नाली का प्रवाह होता है, और ओईसीटी को चालू स्थिति में कहा जाता है।
</ref> और इसलिए पेडॉट:पीएसएस एक उच्च इलेक्ट्रॉनिक चालकता प्रदर्शित करता है। जब कोई गेट वोल्टेज लागू नहीं होता है, तो अत्यधिक प्रवाहकीय चैनल के माध्यम से एक उच्च निर्गम का प्रवाह होता है, और ओईसीटी को चालू स्थिति में कहा जाता है। जब गेट पर सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रोलाइट से धनायनों को पेडॉट: पीएसएस चैनल में अंतःक्षिप्त किया जाता है, जहां वे सल्फोनेट आयनों पर नकारात्मक आवेश की भरपाई करते हैं। यह पेडॉट की ऑक्सीकृत अवस्था से इसकी तटस्थ अवस्था में विद्युत रासायनिक कमी की ओर जाता है जिसके परिणामस्वरूप ओईसीटी चैनल का डी-डोपिंग होता है। ओईसीटी को तब ऑफ अवस्था में कहा जाता है।<ref name="Bernards2007" />संचय मोड ओईसीटी, [[आंतरिक अर्धचालक|आंतरिक कार्बनिक अर्धचालकों]] (उदाहरण के लिए p(g2T-TT)) पर आधारित है, का भी वर्णन किया गया है।<ref>{{cite journal | last1=Cho | first1=Jeong Ho | last2=Lee | first2=Jiyoul | last3=Xia | first3=Yu | last4=Kim | first4=BongSoo | last5=He | first5=Yiyong | last6=Renn | first6=Michael J. | last7=Lodge | first7=Timothy P. | last8=Daniel Frisbie | first8=C. | title=प्लास्टिक पर लो-वोल्टेज पॉलीमर थिन-फिल्म ट्रांजिस्टर के लिए प्रिंट करने योग्य आयन-जेल गेट डाइलेक्ट्रिक्स| journal=Nature Materials | publisher=Springer Nature | volume=7 | issue=11 | date=2008-10-19 | issn=1476-1122 | doi=10.1038/nmat2291 | pages=900–906| pmid=18931674 | bibcode=2008NatMa...7..900C }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Inal | first1=Sahika | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Leleux | first3=Pierre | last4=Ferro | first4=Marc | last5=Ramuz | first5=Marc | last6=Brendel | first6=Johannes C. | last7=Schmidt | first7=Martina M. | last8=Thelakkat | first8=Mukundan | last9=Malliaras | first9=George G. | title=एक उच्च पारगमन संचय मोड इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=26 | issue=44 | date=2014-10-13 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201403150 | pages=7450–7455| pmid=25312252 | bibcode=2014AdM....26.7450I | s2cid=205257151 }}</ref>
जब गेट पर सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है, इलेक्ट्रोलाइट से आयन को पेडॉट: पीएसएस चैनल में इंजेक्शन दिया जाता है, जहां वे सल्फोनेट आयनों पर नकारात्मक चार्ज की भरपाई करते हैं। यह PEDOT की ऑक्सीकृत अवस्था से इसकी तटस्थ अवस्था में विद्युत रासायनिक कमी की ओर जाता है जिसके परिणामस्वरूप OECT चैनल का डी-डोपिंग होता है। OECT को तब ऑफ स्टेट में कहा जाता है।<ref name="Bernards2007" />[[आंतरिक अर्धचालक]] कार्बनिक अर्धचालकों (उदाहरण के लिए p(g2T-TT)) पर आधारित संचय मोड OECTs का भी वर्णन किया गया है।<ref>{{cite journal | last1=Cho | first1=Jeong Ho | last2=Lee | first2=Jiyoul | last3=Xia | first3=Yu | last4=Kim | first4=BongSoo | last5=He | first5=Yiyong | last6=Renn | first6=Michael J. | last7=Lodge | first7=Timothy P. | last8=Daniel Frisbie | first8=C. | title=प्लास्टिक पर लो-वोल्टेज पॉलीमर थिन-फिल्म ट्रांजिस्टर के लिए प्रिंट करने योग्य आयन-जेल गेट डाइलेक्ट्रिक्स| journal=Nature Materials | publisher=Springer Nature | volume=7 | issue=11 | date=2008-10-19 | issn=1476-1122 | doi=10.1038/nmat2291 | pages=900–906| pmid=18931674 | bibcode=2008NatMa...7..900C }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Inal | first1=Sahika | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Leleux | first3=Pierre | last4=Ferro | first4=Marc | last5=Ramuz | first5=Marc | last6=Brendel | first6=Johannes C. | last7=Schmidt | first7=Martina M. | last8=Thelakkat | first8=Mukundan | last9=Malliaras | first9=George G. | title=एक उच्च पारगमन संचय मोड इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=26 | issue=44 | date=2014-10-13 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201403150 | pages=7450–7455| pmid=25312252 | bibcode=2014AdM....26.7450I | s2cid=205257151 }}</ref>
 
ओईसीटी इलेक्ट्रोलाइट-गेटेड [[ फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर ]] से अलग हैं। बाद के प्रकार के उपकरण में, आयन चैनल में प्रवेश नहीं करते हैं, बल्कि इसकी सतह के पास जमा होते हैं (या एक ढांकता हुआ परत की सतह के पास, जब ऐसी परत चैनल पर जमा होती है)।<ref>{{cite journal |last1=Kim |first1=Se Hyun |last2=Hong |first2=Kihyon |last3=Xie |first3=Wei |last4=Lee |first4=Keun Hyung |last5=Zhang |first5=Sipei |last6=Lodge |first6=Timothy P. |last7=Frisbie |first7=C. Daniel |date=2012-12-02 |title=कार्बनिक और मुद्रित इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए इलेक्ट्रोलाइट-गेटेड ट्रांजिस्टर|journal=Advanced Materials |publisher=Wiley |volume=25 |issue=13 |pages=1822–1846 |doi=10.1002/adma.201202790 |issn=0935-9648 |pmid=23203564|s2cid=205247030 }}</ref> यह चैनल के अंदर, सतह के पास इलेक्ट्रॉनिक चार्ज के संचय को प्रेरित करता है। इसके विपरीत, ओईसीटी में, आयनों को चैनल में इंजेक्ट किया जाता है और इसकी संपूर्ण मात्रा में इलेक्ट्रॉनिक चार्ज घनत्व को बदल देता है। आयनिक और इलेक्ट्रॉनिक चार्ज के बीच इस थोक युग्मन के परिणामस्वरूप, ओईसीटी एक बहुत ही उच्च [[ transconductance ]] दिखाते हैं<ref>{{cite journal |last1=Khodagholy |first1=Dion |last2=Rivnay |first2=Jonathan |last3=Sessolo |first3=Michele |last4=Gurfinkel |first4=Moshe |last5=Leleux |first5=Pierre |last6=Jimison |first6=Leslie H. |last7=Stavrinidou |first7=Eleni |last8=Herve |first8=Thierry |last9=Sanaur |first9=Sébastien |last10=Owens |first10=Róisín M. |last11=Malliaras |first11=George G. |display-authors=5 |date=2013-07-12 |title=उच्च पारगमन कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर|journal=Nature Communications |publisher=Springer Science and Business Media LLC |volume=4 |issue=1 |page=2133 |doi=10.1038/ncomms3133 |issn=2041-1723 |pmc=3717497 |pmid=23851620 |bibcode=2013NatCo...4.2133K |doi-access=free}}</ref> एक उत्कृष्ट आंतरिक लाभ के साथ।<ref name="Ferro2021">{{cite journal |last1=Ferro |first1=Letícia M. M. |last2=Merces |first2=Leandro |last3=de Camargo |first3=Davi H. S. |last4=Bof Bufon |first4=Carlos C. |date=2021-07-22 |title=स्व-घुमावदार नैनोमेम्ब्रेन्स पर आधारित अल्ट्राहाई-गेन ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर केमोसेंसर|journal=Advanced Materials |publisher=Wiley |volume=33 |issue=29 |pages=2101518 |doi=10.1002/adma.202101518 |pmid=34061409 |bibcode=2021AdM....3301518F |s2cid=235269557 |issn=0935-9648}}</ref> ओईसीटी का नुकसान यह है कि वे धीमे हैं, क्योंकि वे चैनल के भीतर और बाहर आयनों के स्वाभाविक रूप से धीमे प्रवासन द्वारा सीमित हैं। हालाँकि, माइक्रो-फैब्रिकेटेड OECTs सैकड़ों [[ microseconds ]] के क्रम का प्रतिक्रिया समय दिखाते हैं।<ref>{{cite journal |last1=Khodagholy |first1=Dion |last2=Gurfinkel |first2=Moshe |last3=Stavrinidou |first3=Eleni |last4=Leleux |first4=Pierre |last5=Herve |first5=Thierry |last6=Sanaur |first6=Sébastien |last7=Malliaras |first7=George G. |date=2011-10-17 |title=उच्च गति और उच्च घनत्व कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर सरणी|journal=Applied Physics Letters |publisher=AIP Publishing |volume=99 |issue=16 |page=163304 |doi=10.1063/1.3652912 |bibcode=2011ApPhL..99p3304K |issn=0003-6951 |doi-access=free}}</ref> बहाव-प्रसार मॉडल का उपयोग करके ओईसीटी का सटीक अनुकरण संभव है।<ref>{{Cite journal |last1=Szymanski |first1=Marek |last2=Tu |first2=Deyu |last3=Forchheimer |first3=Robert |year=2017 |title=2-D Drift-Diffusion Simulation of Organic Electrochemical Transistors |journal=IEEE Transactions on Electron Devices |volume=64 |issue=12 |pages=5114–5120 |doi=10.1109/TED.2017.2757766 |bibcode=2017ITED...64.5114S |s2cid=28231599}}</ref>
ओईसीटी इलेक्ट्रोलाइट-गेटेड[[ फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर | फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर]] से अलग हैं। बाद के प्रकार के उपकरण में, आयन चैनल में प्रवेश नहीं करते हैं, बल्कि इसकी सतह के पास जमा होते हैं (या परावैघ्दुत परत की सतह के पास, जब ऐसी परत चैनल पर जमा होती है)।<ref>{{cite journal |last1=Kim |first1=Se Hyun |last2=Hong |first2=Kihyon |last3=Xie |first3=Wei |last4=Lee |first4=Keun Hyung |last5=Zhang |first5=Sipei |last6=Lodge |first6=Timothy P. |last7=Frisbie |first7=C. Daniel |date=2012-12-02 |title=कार्बनिक और मुद्रित इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए इलेक्ट्रोलाइट-गेटेड ट्रांजिस्टर|journal=Advanced Materials |publisher=Wiley |volume=25 |issue=13 |pages=1822–1846 |doi=10.1002/adma.201202790 |issn=0935-9648 |pmid=23203564|s2cid=205247030 }}</ref> यह चैनल के अंदर, सतह के पास इलेक्ट्रॉनिक चार्ज के संचय को प्रेरित करता है। इसके विपरीत, ओईसीटी में, आयनों को चैनल में अंतःक्षेप किया जाता है और इसकी संपूर्ण मात्रा में इलेक्ट्रॉनिक चार्ज घनत्व को बदल देता है। आयनिक और इलेक्ट्रॉनिक चार्ज के बीच इस स्थूल युग्मन के परिणामस्वरूप, ओईसीटी एक एक उत्कृष्ट आंतरिक लाभ के साथ बहुत ही उच्च [[ transconductance |अंतराचालकता]] दिखाते हैं।<ref>{{cite journal |last1=Khodagholy |first1=Dion |last2=Rivnay |first2=Jonathan |last3=Sessolo |first3=Michele |last4=Gurfinkel |first4=Moshe |last5=Leleux |first5=Pierre |last6=Jimison |first6=Leslie H. |last7=Stavrinidou |first7=Eleni |last8=Herve |first8=Thierry |last9=Sanaur |first9=Sébastien |last10=Owens |first10=Róisín M. |last11=Malliaras |first11=George G. |display-authors=5 |date=2013-07-12 |title=उच्च पारगमन कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर|journal=Nature Communications |publisher=Springer Science and Business Media LLC |volume=4 |issue=1 |page=2133 |doi=10.1038/ncomms3133 |issn=2041-1723 |pmc=3717497 |pmid=23851620 |bibcode=2013NatCo...4.2133K |doi-access=free}}</ref><ref name="Ferro2021">{{cite journal |last1=Ferro |first1=Letícia M. M. |last2=Merces |first2=Leandro |last3=de Camargo |first3=Davi H. S. |last4=Bof Bufon |first4=Carlos C. |date=2021-07-22 |title=स्व-घुमावदार नैनोमेम्ब्रेन्स पर आधारित अल्ट्राहाई-गेन ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर केमोसेंसर|journal=Advanced Materials |publisher=Wiley |volume=33 |issue=29 |pages=2101518 |doi=10.1002/adma.202101518 |pmid=34061409 |bibcode=2021AdM....3301518F |s2cid=235269557 |issn=0935-9648}}</ref> ओईसीटी का नुकसान यह है कि वे धीमे हैं, क्योंकि वे चैनल के भीतर और बाहर आयनों के स्वाभाविक रूप से धीमे प्रवासन द्वारा सीमित हैं। हालाँकि, माइक्रो-फैब्रिकेटेड ओईसीटी सैकड़ों [[ microseconds |माइक्रोसेकंड]] के क्रम का प्रतिक्रिया समय दिखाते हैं।<ref>{{cite journal |last1=Khodagholy |first1=Dion |last2=Gurfinkel |first2=Moshe |last3=Stavrinidou |first3=Eleni |last4=Leleux |first4=Pierre |last5=Herve |first5=Thierry |last6=Sanaur |first6=Sébastien |last7=Malliaras |first7=George G. |date=2011-10-17 |title=उच्च गति और उच्च घनत्व कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर सरणी|journal=Applied Physics Letters |publisher=AIP Publishing |volume=99 |issue=16 |page=163304 |doi=10.1063/1.3652912 |bibcode=2011ApPhL..99p3304K |issn=0003-6951 |doi-access=free}}</ref> ड्रिफ्ट-डिफ्यूश़न मॉडल का उपयोग करके ओईसीटी का सटीक अनुकरण संभव है।<ref>{{Cite journal |last1=Szymanski |first1=Marek |last2=Tu |first2=Deyu |last3=Forchheimer |first3=Robert |year=2017 |title=2-D Drift-Diffusion Simulation of Organic Electrochemical Transistors |journal=IEEE Transactions on Electron Devices |volume=64 |issue=12 |pages=5114–5120 |doi=10.1109/TED.2017.2757766 |bibcode=2017ITED...64.5114S |s2cid=28231599}}</ref>
OECT को सबसे पहले 80 के दशक में मार्क राइटन के समूह द्वारा विकसित किया गया था।<ref>{{cite journal | last1=White | first1=Henry S. | last2=Kittlesen | first2=Gregg P. | last3=Wrighton | first3=Mark S. | title=Chemical derivatization of an array of three gold microelectrodes with polypyrrole: fabrication of a molecule-based transistor | journal=Journal of the American Chemical Society | publisher=American Chemical Society (ACS) | volume=106 | issue=18 | year=1984 | issn=0002-7863 | doi=10.1021/ja00330a070 | pages=5375–5377}}</ref>
 
वे वर्तमान में अनुप्रयोगों के लिए गहन विकास का ध्यान केंद्रित कर रहे हैं: बायोइलेक्ट्रॉनिक्स,<ref>{{cite journal | last1=Strakosas | first1=Xenofon | last2=Bongo | first2=Manuelle | last3=Owens | first3=Róisín M. | title=जैविक अनुप्रयोगों के लिए जैविक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Journal of Applied Polymer Science | publisher=Wiley | volume=132 | issue=15 | date=2015-01-07 | issn=0021-8995 | doi=10.1002/app.41735 | pages=41735|doi-access=free}}</ref>
ओईसीटी को सबसे पहले 80 के दशक में मार्क राइटन के समूह द्वारा विकसित किया गया था।<ref>{{cite journal | last1=White | first1=Henry S. | last2=Kittlesen | first2=Gregg P. | last3=Wrighton | first3=Mark S. | title=Chemical derivatization of an array of three gold microelectrodes with polypyrrole: fabrication of a molecule-based transistor | journal=Journal of the American Chemical Society | publisher=American Chemical Society (ACS) | volume=106 | issue=18 | year=1984 | issn=0002-7863 | doi=10.1021/ja00330a070 | pages=5375–5377}}</ref> वे वर्तमान में जैव इलेक्ट्रानिकी,<ref>{{cite journal | last1=Strakosas | first1=Xenofon | last2=Bongo | first2=Manuelle | last3=Owens | first3=Róisín M. | title=जैविक अनुप्रयोगों के लिए जैविक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Journal of Applied Polymer Science | publisher=Wiley | volume=132 | issue=15 | date=2015-01-07 | issn=0021-8995 | doi=10.1002/app.41735 | pages=41735|doi-access=free}}</ref> और बड़े क्षेत्र, कम लागत वाले इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोगों के लिए गहन विकास का ध्यान केंद्रित कर रहे हैं।<ref>{{cite journal | last1=Nilsson | first1=D. | last2=Robinson | first2=N. | last3=Berggren | first3=M. | last4=Forchheimer | first4=R. | title=इलेक्ट्रोकेमिकल लॉजिक सर्किट| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=17 | issue=3 | date=2005-02-10 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.200401273 | pages=353–358| bibcode=2005AdM....17..353N | s2cid=135787001 }}</ref> सीधा निर्माण और लघुकरण, कम लागत वाली छपाई तकनीकों के साथ अनुकूलता,<ref>
और बड़े क्षेत्र में, कम लागत वाले: इलेक्ट्रॉनिक्स।<ref>{{cite journal | last1=Nilsson | first1=D. | last2=Robinson | first2=N. | last3=Berggren | first3=M. | last4=Forchheimer | first4=R. | title=इलेक्ट्रोकेमिकल लॉजिक सर्किट| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=17 | issue=3 | date=2005-02-10 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.200401273 | pages=353–358| bibcode=2005AdM....17..353N | s2cid=135787001 }}</ref>
D. Nilsson, M. X. Chen, T. Kugler, T. Remonen, M. Armgarth and M. Berggren, Adv. Mater. 14, 51 (2002).</ref><ref>{{cite journal | last1=Basiricò | first1=L. | last2=Cosseddu | first2=P. | last3=Scidà | first3=A. | last4=Fraboni | first4=B. | last5=Malliaras | first5=G.G. | last6=Bonfiglio | first6=A. | title=स्याही-जेट मुद्रित, सभी-बहुलक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताएं| journal=Organic Electronics | publisher=Elsevier BV | volume=13 | issue=2 | year=2012 | issn=1566-1199 | doi=10.1016/j.orgel.2011.11.010 | pages=244–248}}</ref>यांत्रिक समर्थन की एक विस्तृत श्रृंखला के साथ संगतता (फाइबर सहित,<ref>{{cite journal | last1=Hamedi | first1=Mahiar | last2=Forchheimer | first2=Robert | last3=Inganäs | first3=Olle | title=कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक फाइबर से बुने हुए तर्क की ओर| journal=Nature Materials | publisher=Springer Nature | volume=6 | issue=5 | date=2007-04-04 | issn=1476-1122 | doi=10.1038/nmat1884 | pages=357–362| pmid=17406663 | bibcode=2007NatMa...6..357H }}</ref>कागज़,<ref>{{cite journal | last=Nilsson | first=D | title=An all-organic sensor–transistor based on a novel electrochemical transducer concept printed electrochemical sensors on paper | journal=Sensors and Actuators B: Chemical | publisher=Elsevier BV | volume=86 | issue=2–3 | date=2002-09-20 | issn=0925-4005 | doi=10.1016/s0925-4005(02)00170-3 | pages=193–197}}</ref> प्लास्टिक<ref>{{cite journal | last1=Zhang | first1=Shiming | last2=Hubis | first2=Elizabeth | last3=Girard | first3=Camille | last4=Kumar | first4=Prajwal | last5=DeFranco | first5=John | last6=Cicoira | first6=Fabio | title=प्लास्टिक पर लचीले माइक्रो-इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर की जल स्थिरता और ऑर्थोगोनल पैटर्निंग| journal=Journal of Materials Chemistry C | publisher=Royal Society of Chemistry (RSC) | volume=4 | issue=7 | year=2016 | issn=2050-7526 | doi=10.1039/c5tc03664j | pages=1382–1385}}</ref> और इलास्टोमेर<ref>{{cite journal | last1=Zhang | first1=Shiming | last2=Hubis | first2=Elizabeth | last3=Tomasello | first3=Gaia | last4=Soliveri | first4=Guido | last5=Kumar | first5=Prajwal | last6=Cicoira | first6=Fabio | title=स्ट्रेचेबल ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर की पैटर्निंग| journal=Chemistry of Materials | publisher=American Chemical Society (ACS) | volume=29 | issue=7 | date=2017-03-08 | issn=0897-4756 | doi=10.1021/acs.chemmater.7b00181 | pages=3126–3132}}</ref>), और जलीय वातावरण में स्थिरता, बायोसेंसर में विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उनके उपयोग के लिए प्रेरित करती है।<ref>{{cite journal | last1=Zhang | first1=Shiming | last2=Cicoira | first2=Fabio | title=लचीले स्व-संचालित बायोसेंसर| journal=Nature | publisher=Springer Science and Business Media LLC | volume=561 | issue=7724 | year=2018 | issn=0028-0836 | doi=10.1038/d41586-018-06788-1 | pages=466–467| pmid=30258144 | bibcode=2018Natur.561..466Z | s2cid=52844636 }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Lin | first1=Peng | last2=Yan | first2=Feng | title=रासायनिक और जैविक संवेदन के लिए कार्बनिक पतली-फिल्म ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=24 | issue=1 | date=2011-11-21 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201103334 | pages=34–51| pmid=22102447 | hdl=10397/11453 | s2cid=205242523 | hdl-access=free }}</ref> इसके अलावा, उनका उच्च पारगमन ओईसीटी को शक्तिशाली प्रवर्धक ट्रांसड्यूसर बनाता है।<ref>{{cite journal | last1=Rivnay | first1=Jonathan | last2=Leleux | first2=Pierre | last3=Sessolo | first3=Michele | last4=Khodagholy | first4=Dion | last5=Hervé | first5=Thierry | last6=Fiocchi | first6=Michel | last7=Malliaras | first7=George G. | title=जीरो गेट बायस पर अधिकतम ट्रांसकंडक्शन वाले ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=25 | issue=48 | date=2013-10-02 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201303080 | pages=7010–7014| pmid=24123258 | bibcode=2013AdM....25.7010R | s2cid=205251741 }}</ref> ओईसीटी का उपयोग आयनों का पता लगाने के लिए किया गया है,<ref>{{cite journal | last1=Svensson | first1=Per-Olof | last2=Nilsson | first2=David | last3=Forchheimer | first3=Robert | last4=Berggren | first4=Magnus | title=कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर में संदर्भ-आधारित चालन स्विचिंग का उपयोग कर एक सेंसर सर्किट| journal=Applied Physics Letters | publisher=AIP Publishing | volume=93 | issue=20 | date=2008-11-17 | issn=0003-6951 | doi=10.1063/1.2975377 | page=203301| bibcode=2008ApPhL..93t3301S }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Sessolo | first1=Michele | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Bandiello | first3=Enrico | last4=Malliaras | first4=George G. | last5=Bolink | first5=Henk J. | title=आयन-चयनात्मक कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=26 | issue=28 | date=2014-05-23 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201400731 | pages=4803–4807| pmid=24862110 | bibcode=2014AdM....26.4803S | s2cid=205255158 }}</ref> : न्यूरोट्रांसमीटर,<ref name="Ferro2021" />: मेटाबोलाइट,<ref>{{cite journal | last1=Zhu | first1=Zheng-Tao | last2=Mabeck | first2=Jeffrey T. | last3=Zhu | first3=Changcheng | last4=Cady | first4=Nathaniel C. | last5=Batt | first5=Carl A. | last6=Malliaras | first6=George G. | title=A simple poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/poly(styrene sulfonic acid) transistor for glucose sensing at neutral pH | journal=Chemical Communications | publisher=Royal Society of Chemistry (RSC) | issue=13 | year=2004 | pages=1556–1557 | issn=1359-7345 | doi=10.1039/b403327m | pmid=15216378 }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Tang | first1=Hao | last2=Yan | first2=Feng | last3=Lin | first3=Peng | last4=Xu | first4=Jianbin | last5=Chan | first5=Helen L. W. | title=एंजाइम और नैनो सामग्री के साथ संशोधित प्लेटिनम गेट इलेक्ट्रोड का उपयोग करके कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर पर आधारित अत्यधिक संवेदनशील ग्लूकोज बायोसेंसर| journal=Advanced Functional Materials | publisher=Wiley | volume=21 | issue=12 | date=2011-04-26 | issn=1616-301X | doi=10.1002/adfm.201002117 | pages=2264–2272| hdl=10397/33050 | s2cid=98742240 | hdl-access=free }}</ref>डीएनए,<ref>{{cite journal | last1=Lin | first1=Peng | last2=Luo | first2=Xiaoteng | last3=Hsing | first3=I-Ming | last4=Yan | first4=Feng | title=ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर लचीले माइक्रोफ्लुइडिक सिस्टम में एकीकृत और लेबल-मुक्त डीएनए सेंसिंग के लिए उपयोग किया जाता है| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=23 | issue=35 | date=2011-07-27 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201102017 | pages=4035–4040| pmid=21793055 | bibcode=2011AdM....23.4035L | hdl=10397/11943 | s2cid=205241505 | hdl-access=free }}</ref>रोगज़नक़ जीवों,<ref>{{cite journal | last1=He | first1=Rong-Xiang | last2=Zhang | first2=Meng | last3=Tan | first3=Fei | last4=Leung | first4=Polly H. M. | last5=Zhao | first5=Xing-Zhong | last6=Chan | first6=Helen L. W. | last7=Yang | first7=Mo | last8=Yan | first8=Feng | title=कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर के साथ बैक्टीरिया का पता लगाना| journal=Journal of Materials Chemistry | publisher=Royal Society of Chemistry (RSC) | volume=22 | issue=41 | year=2012 | issn=0959-9428 | doi=10.1039/c2jm33667g | page=22072| hdl=10397/12945 | hdl-access=free }}</ref> साथ ही सेल बन्ध की जांच करने के लिए,<ref>{{cite journal | last1=Lin | first1=Peng | last2=Yan | first2=Feng | last3=Yu | first3=Jinjiang | last4=Chan | first4=Helen L. W. | last5=Yang | first5=Mo | title=सेल-आधारित बायोसेंसर में कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर का अनुप्रयोग| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=22 | issue=33 | date=2010-08-20 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201000971 | pages=3655–3660| pmid=20661950 | bibcode=2010AdM....22.3655L | hdl=10397/15450 | s2cid=39442648 | hdl-access=free }}</ref> बैरियर ऊतक की अविकलता को मापने,<ref>{{cite journal | last1=Jimison | first1=Leslie H | last2=Tria | first2=Scherrine A. | last3=Khodagholy | first3=Dion | last4=Gurfinkel | first4=Moshe | last5=Lanzarini | first5=Erica | last6=Hama | first6=Adel | last7=Malliaras | first7=George G. | last8=Owens | first8=Róisín M. | title=एक कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर के साथ बैरियर ऊतक अखंडता का मापन| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=24 | issue=44 | date=2012-09-05 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201202612 | pages=5919–5923| pmid=22949380 | bibcode=2012AdM....24.5919J | s2cid=22510220 }}</ref>चूहों में मिरगी की गतिविधि का पता लगाने,<ref>{{cite journal | last1=Khodagholy | first1=Dion | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Sessolo | first3=Michele | last4=Gurfinkel | first4=Moshe | last5=Leleux | first5=Pierre | last6=Jimison | first6=Leslie H. | last7=Stavrinidou | first7=Eleni | last8=Herve | first8=Thierry | last9=Sanaur | first9=Sébastien | last10=Owens | first10=Róisín M. | last11=Malliaras | first11=George G. | title=उच्च पारगमन कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Nature Communications | publisher=Springer Science and Business Media LLC | volume=4 | issue=1 | date=2013-07-12 | issn=2041-1723 | doi=10.1038/ncomms3133 | page=1575| pmid=23851620 | pmc=3717497 | bibcode=2013NatCo...4.2133K | doi-access=free }}</ref>और विद्युत रूप से सक्रिय कोशिकाओं और ऊतकों के साथ इंटरफेस में इसका उपयोग किया जाता है।<ref>{{cite journal | last1=Campana | first1=Alessandra | last2=Cramer | first2=Tobias | last3=Simon | first3=Daniel T. | last4=Berggren | first4=Magnus | last5=Biscarini | first5=Fabio | title=Organic Electrochemical Transistors: Electrocardiographic Recording with Conformable Organic Electrochemical Transistor Fabricated on Resorbable Bioscaffold | journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=26 | issue=23 | year=2014 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201470165 | pages=3873| doi-access=free }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Leleux | first1=Pierre | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Lonjaret | first3=Thomas | last4=Badier | first4=Jean-Michel | last5=Bénar | first5=Christian | last6=Hervé | first6=Thierry | last7=Chauvel | first7=Patrick | last8=Malliaras | first8=George G. | title=नैदानिक ​​अनुप्रयोगों के लिए कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Healthcare Materials | publisher=Wiley | volume=4 | issue=1 | date=2014-09-29 | issn=2192-2640 | doi=10.1002/adhm.201400356 | pages=142–147| pmid=25262967 | s2cid=32442448 }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Yao | first1=Chunlei | last2=Li | first2=Qianqian | last3=Guo | first3=Jing | last4=Yan | first4=Feng | last5=Hsing | first5=I-Ming | title=इलेक्ट्रोजेनिक कोशिकाओं से कार्य क्षमता की निगरानी के लिए कठोर और लचीले कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर एरे| journal=Advanced Healthcare Materials | publisher=Wiley | volume=4 | issue=4 | date=2014-10-31 | issn=2192-2640 | doi=10.1002/adhm.201400406 | pages=528–533| pmid=25358525 | s2cid=28927047 }}</ref>
सीधा निर्माण और लघुकरण जैसे लाभ, कम लागत वाली छपाई तकनीकों के साथ अनुकूलता,<ref>
 
D. Nilsson, M. X. Chen, T. Kugler, T. Remonen, M. Armgarth and M. Berggren, Adv. Mater. 14, 51 (2002).</ref><ref>{{cite journal | last1=Basiricò | first1=L. | last2=Cosseddu | first2=P. | last3=Scidà | first3=A. | last4=Fraboni | first4=B. | last5=Malliaras | first5=G.G. | last6=Bonfiglio | first6=A. | title=स्याही-जेट मुद्रित, सभी-बहुलक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताएं| journal=Organic Electronics | publisher=Elsevier BV | volume=13 | issue=2 | year=2012 | issn=1566-1199 | doi=10.1016/j.orgel.2011.11.010 | pages=244–248}}</ref>
यांत्रिक समर्थन की एक विस्तृत श्रृंखला के साथ संगतता (फाइबर सहित,<ref>{{cite journal | last1=Hamedi | first1=Mahiar | last2=Forchheimer | first2=Robert | last3=Inganäs | first3=Olle | title=कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक फाइबर से बुने हुए तर्क की ओर| journal=Nature Materials | publisher=Springer Nature | volume=6 | issue=5 | date=2007-04-04 | issn=1476-1122 | doi=10.1038/nmat1884 | pages=357–362| pmid=17406663 | bibcode=2007NatMa...6..357H }}</ref>
कागज़,<ref>{{cite journal | last=Nilsson | first=D | title=An all-organic sensor–transistor based on a novel electrochemical transducer concept printed electrochemical sensors on paper | journal=Sensors and Actuators B: Chemical | publisher=Elsevier BV | volume=86 | issue=2–3 | date=2002-09-20 | issn=0925-4005 | doi=10.1016/s0925-4005(02)00170-3 | pages=193–197}}</ref> प्लास्टिक<ref>{{cite journal | last1=Zhang | first1=Shiming | last2=Hubis | first2=Elizabeth | last3=Girard | first3=Camille | last4=Kumar | first4=Prajwal | last5=DeFranco | first5=John | last6=Cicoira | first6=Fabio | title=प्लास्टिक पर लचीले माइक्रो-इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर की जल स्थिरता और ऑर्थोगोनल पैटर्निंग| journal=Journal of Materials Chemistry C | publisher=Royal Society of Chemistry (RSC) | volume=4 | issue=7 | year=2016 | issn=2050-7526 | doi=10.1039/c5tc03664j | pages=1382–1385}}</ref> और इलास्टोमेर<ref>{{cite journal | last1=Zhang | first1=Shiming | last2=Hubis | first2=Elizabeth | last3=Tomasello | first3=Gaia | last4=Soliveri | first4=Guido | last5=Kumar | first5=Prajwal | last6=Cicoira | first6=Fabio | title=स्ट्रेचेबल ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर की पैटर्निंग| journal=Chemistry of Materials | publisher=American Chemical Society (ACS) | volume=29 | issue=7 | date=2017-03-08 | issn=0897-4756 | doi=10.1021/acs.chemmater.7b00181 | pages=3126–3132}}</ref>),
और जलीय वातावरण में स्थिरता, बायोसेंसर में विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उनके उपयोग का कारण बनी।<ref>{{cite journal | last1=Zhang | first1=Shiming | last2=Cicoira | first2=Fabio | title=लचीले स्व-संचालित बायोसेंसर| journal=Nature | publisher=Springer Science and Business Media LLC | volume=561 | issue=7724 | year=2018 | issn=0028-0836 | doi=10.1038/d41586-018-06788-1 | pages=466–467| pmid=30258144 | bibcode=2018Natur.561..466Z | s2cid=52844636 }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Lin | first1=Peng | last2=Yan | first2=Feng | title=रासायनिक और जैविक संवेदन के लिए कार्बनिक पतली-फिल्म ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=24 | issue=1 | date=2011-11-21 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201103334 | pages=34–51| pmid=22102447 | hdl=10397/11453 | s2cid=205242523 | hdl-access=free }}</ref>
इसके अलावा, उनका उच्च ट्रांसकंडक्शन ओईसीटी को शक्तिशाली एम्पलीफाइंग ट्रांसड्यूसर बनाता है।<ref>{{cite journal | last1=Rivnay | first1=Jonathan | last2=Leleux | first2=Pierre | last3=Sessolo | first3=Michele | last4=Khodagholy | first4=Dion | last5=Hervé | first5=Thierry | last6=Fiocchi | first6=Michel | last7=Malliaras | first7=George G. | title=जीरो गेट बायस पर अधिकतम ट्रांसकंडक्शन वाले ऑर्गेनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=25 | issue=48 | date=2013-10-02 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201303080 | pages=7010–7014| pmid=24123258 | bibcode=2013AdM....25.7010R | s2cid=205251741 }}</ref>
आयन का पता लगाने के लिए ओईसीटी का उपयोग किया गया है,<ref>{{cite journal | last1=Svensson | first1=Per-Olof | last2=Nilsson | first2=David | last3=Forchheimer | first3=Robert | last4=Berggren | first4=Magnus | title=कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर में संदर्भ-आधारित चालन स्विचिंग का उपयोग कर एक सेंसर सर्किट| journal=Applied Physics Letters | publisher=AIP Publishing | volume=93 | issue=20 | date=2008-11-17 | issn=0003-6951 | doi=10.1063/1.2975377 | page=203301| bibcode=2008ApPhL..93t3301S }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Sessolo | first1=Michele | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Bandiello | first3=Enrico | last4=Malliaras | first4=George G. | last5=Bolink | first5=Henk J. | title=आयन-चयनात्मक कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=26 | issue=28 | date=2014-05-23 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201400731 | pages=4803–4807| pmid=24862110 | bibcode=2014AdM....26.4803S | s2cid=205255158 }}</ref> : न्यूरोट्रांसमीटर,<ref name=Ferro2021 />: मेटाबोलाइट,<ref>{{cite journal | last1=Zhu | first1=Zheng-Tao | last2=Mabeck | first2=Jeffrey T. | last3=Zhu | first3=Changcheng | last4=Cady | first4=Nathaniel C. | last5=Batt | first5=Carl A. | last6=Malliaras | first6=George G. | title=A simple poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/poly(styrene sulfonic acid) transistor for glucose sensing at neutral pH | journal=Chemical Communications | publisher=Royal Society of Chemistry (RSC) | issue=13 | year=2004 | pages=1556–1557 | issn=1359-7345 | doi=10.1039/b403327m | pmid=15216378 }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Tang | first1=Hao | last2=Yan | first2=Feng | last3=Lin | first3=Peng | last4=Xu | first4=Jianbin | last5=Chan | first5=Helen L. W. | title=एंजाइम और नैनो सामग्री के साथ संशोधित प्लेटिनम गेट इलेक्ट्रोड का उपयोग करके कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर पर आधारित अत्यधिक संवेदनशील ग्लूकोज बायोसेंसर| journal=Advanced Functional Materials | publisher=Wiley | volume=21 | issue=12 | date=2011-04-26 | issn=1616-301X | doi=10.1002/adfm.201002117 | pages=2264–2272| hdl=10397/33050 | s2cid=98742240 | hdl-access=free }}</ref>
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: रोगज़नक़ जीव,<ref>{{cite journal | last1=He | first1=Rong-Xiang | last2=Zhang | first2=Meng | last3=Tan | first3=Fei | last4=Leung | first4=Polly H. M. | last5=Zhao | first5=Xing-Zhong | last6=Chan | first6=Helen L. W. | last7=Yang | first7=Mo | last8=Yan | first8=Feng | title=कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर के साथ बैक्टीरिया का पता लगाना| journal=Journal of Materials Chemistry | publisher=Royal Society of Chemistry (RSC) | volume=22 | issue=41 | year=2012 | issn=0959-9428 | doi=10.1039/c2jm33667g | page=22072| hdl=10397/12945 | hdl-access=free }}</ref> साथ ही जांच करने के लिए: सेल आसंजन,<ref>{{cite journal | last1=Lin | first1=Peng | last2=Yan | first2=Feng | last3=Yu | first3=Jinjiang | last4=Chan | first4=Helen L. W. | last5=Yang | first5=Mo | title=सेल-आधारित बायोसेंसर में कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर का अनुप्रयोग| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=22 | issue=33 | date=2010-08-20 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201000971 | pages=3655–3660| pmid=20661950 | bibcode=2010AdM....22.3655L | hdl=10397/15450 | s2cid=39442648 | hdl-access=free }}</ref>
बाधा ऊतक की अखंडता को मापें,<ref>{{cite journal | last1=Jimison | first1=Leslie H | last2=Tria | first2=Scherrine A. | last3=Khodagholy | first3=Dion | last4=Gurfinkel | first4=Moshe | last5=Lanzarini | first5=Erica | last6=Hama | first6=Adel | last7=Malliaras | first7=George G. | last8=Owens | first8=Róisín M. | title=एक कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर के साथ बैरियर ऊतक अखंडता का मापन| journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=24 | issue=44 | date=2012-09-05 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201202612 | pages=5919–5923| pmid=22949380 | bibcode=2012AdM....24.5919J | s2cid=22510220 }}</ref>
पता लगाएँ: चूहों में मिर्गी गतिविधि,<ref>{{cite journal | last1=Khodagholy | first1=Dion | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Sessolo | first3=Michele | last4=Gurfinkel | first4=Moshe | last5=Leleux | first5=Pierre | last6=Jimison | first6=Leslie H. | last7=Stavrinidou | first7=Eleni | last8=Herve | first8=Thierry | last9=Sanaur | first9=Sébastien | last10=Owens | first10=Róisín M. | last11=Malliaras | first11=George G. | title=उच्च पारगमन कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Nature Communications | publisher=Springer Science and Business Media LLC | volume=4 | issue=1 | date=2013-07-12 | issn=2041-1723 | doi=10.1038/ncomms3133 | page=1575| pmid=23851620 | pmc=3717497 | bibcode=2013NatCo...4.2133K | doi-access=free }}</ref>
और विद्युत रूप से सक्रिय कोशिकाओं और ऊतकों के साथ इंटरफेस।<ref>{{cite journal | last1=Campana | first1=Alessandra | last2=Cramer | first2=Tobias | last3=Simon | first3=Daniel T. | last4=Berggren | first4=Magnus | last5=Biscarini | first5=Fabio | title=Organic Electrochemical Transistors: Electrocardiographic Recording with Conformable Organic Electrochemical Transistor Fabricated on Resorbable Bioscaffold | journal=Advanced Materials | publisher=Wiley | volume=26 | issue=23 | year=2014 | issn=0935-9648 | doi=10.1002/adma.201470165 | pages=3873| doi-access=free }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Leleux | first1=Pierre | last2=Rivnay | first2=Jonathan | last3=Lonjaret | first3=Thomas | last4=Badier | first4=Jean-Michel | last5=Bénar | first5=Christian | last6=Hervé | first6=Thierry | last7=Chauvel | first7=Patrick | last8=Malliaras | first8=George G. | title=नैदानिक ​​अनुप्रयोगों के लिए कार्बनिक विद्युत रासायनिक ट्रांजिस्टर| journal=Advanced Healthcare Materials | publisher=Wiley | volume=4 | issue=1 | date=2014-09-29 | issn=2192-2640 | doi=10.1002/adhm.201400356 | pages=142–147| pmid=25262967 | s2cid=32442448 }}</ref><ref>{{cite journal | last1=Yao | first1=Chunlei | last2=Li | first2=Qianqian | last3=Guo | first3=Jing | last4=Yan | first4=Feng | last5=Hsing | first5=I-Ming | title=इलेक्ट्रोजेनिक कोशिकाओं से कार्य क्षमता की निगरानी के लिए कठोर और लचीले कार्बनिक इलेक्ट्रोकेमिकल ट्रांजिस्टर एरे| journal=Advanced Healthcare Materials | publisher=Wiley | volume=4 | issue=4 | date=2014-10-31 | issn=2192-2640 | doi=10.1002/adhm.201400406 | pages=528–533| pmid=25358525 | s2cid=28927047 }}</ref>




==बाहरी संबंध==
==बाहरी संबंध==
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==संदर्भ==
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कार्बनिक विद्युत ट्रांजिस्टर (ओ इ सी टी) एक कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण है जो ट्रांजिस्टर की तरह काम करता है। उपकरण के माध्यम से बहने वाली धारा को इलेक्ट्रोलाइट और कार्बनिक कंडक्टर या अर्धचालक से बने ओईसीटी चैनल के बीच आयनों के आदान-प्रदान द्वारा नियंत्रित किया जाता है।[1] आयनों का आदान-प्रदान गेट इलेक्ट्रोड पर लागू वोल्टेज द्वारा संचालित होता है जो इलेक्ट्रोलाइट के माध्यम से चैनल के साथ आयनिक संपर्क में होता है। चैनल और इलेक्ट्रोलाइट के बीच आयनों का प्रवास चैनल सामग्री में होने वाली इलेक्ट्रोकेमिकल रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं के साथ होता है। आयन प्रवासन के साथ-साथ चैनल का इलेक्ट्रोकेमिकल रेडॉक्स इलेक्ट्रोकेमिकल डोपिंग नामक प्रक्रिया में चैनल की चालकता को बदलता है। बायोसेंसर, जैव इलेक्ट्रानिकी और बड़े क्षेत्र, कम लागत वाले इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोगों के लिए ओईसीटी का पता लगाया जा रहा है। ओईसीटी का उपयोग मल्टी-बिट मेमोरी डिवाइस के रूप में भी किया जा सकता है जो मस्तिष्क की सिनैप्टिक कार्यात्मकताओं की नकल करता है। इस कारण से, न्यूरोमॉर्फिक कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों में तत्वों के रूप में ओईसीटी की भी जांच की जा सकती है।

ओईसीटी डिवाइस निर्माण और संचालन तंत्र

ओईसीटी में एक अर्धचालक या यहां तक कि कंडक्टर पतली-फिल्म (चैनल) होती है, जो प्रायः संयुग्मित बहुलक से बनी होती है, जो इलेक्ट्रोलाइट के सीधे संपर्क में होती है।[2] स्रोत और निर्गम इलेक्ट्रोड चैनल के लिए विद्युत संपर्क स्थापित करते हैं, जबकि एक गेट इलेक्ट्रोड इलेक्ट्रोलाइट से विद्युत संपर्क स्थापित करता है। इलेक्ट्रोलाइट तरल, गाढ़ा जैल या ठोस हो सकता है। सबसे सामान्य बायसिंग विन्यास में, स्रोत को भूसंपर्कित किया जाता है और निर्गम पर एक वोल्टेज (निर्गम वोल्टेज) लगाया जाता है। यह चैनल में निहित इलेक्ट्रॉनिक चार्ज (प्रायः कोठर) के कारण धारा प्रवाहित (निर्गम धारा) का कारण बनता है। जब गेट पर वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रोलाइट से आयनों को चैनल में अंतःक्षिप्त किया जाता है और इलेक्ट्रॉनिक चार्ज घनत्व को बदल देता है, और इसलिए निर्गम का प्रवाह होता है। जब गेट वोल्टेज को हटा दिया जाता है, तो अंतःक्षिप्त किए गए आयन इलेक्ट्रोलाइट में वापस आ जाते हैं और निर्गम धारा वापस अपने मूल मान पर चली जाती है। हालाँकि, कुछ चैनल सामग्री गेट वोल्टेज को हटाने के बाद भी माइग्रेट किए गए आयनों को स्मृति उपकरणों के रूप में उनके उपयोग को सक्षम कर सकती है।

ओईसीटी प्रायः पेडॉट:पीएसएस को चैनल सामग्री के रूप में उपयोग करते हैं, और अवक्षय मोड में काम करते हैं।[3] पीएसएस में निहित सल्फ़ोनेट आयनों द्वारा कार्बनिक अर्धचालक पेडॉट को पी-टाइप डोप किया गया है[4] और इसलिए पेडॉट:पीएसएस एक उच्च इलेक्ट्रॉनिक चालकता प्रदर्शित करता है। जब कोई गेट वोल्टेज लागू नहीं होता है, तो अत्यधिक प्रवाहकीय चैनल के माध्यम से एक उच्च निर्गम का प्रवाह होता है, और ओईसीटी को चालू स्थिति में कहा जाता है। जब गेट पर सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रोलाइट से धनायनों को पेडॉट: पीएसएस चैनल में अंतःक्षिप्त किया जाता है, जहां वे सल्फोनेट आयनों पर नकारात्मक आवेश की भरपाई करते हैं। यह पेडॉट की ऑक्सीकृत अवस्था से इसकी तटस्थ अवस्था में विद्युत रासायनिक कमी की ओर जाता है जिसके परिणामस्वरूप ओईसीटी चैनल का डी-डोपिंग होता है। ओईसीटी को तब ऑफ अवस्था में कहा जाता है।[1]संचय मोड ओईसीटी, आंतरिक कार्बनिक अर्धचालकों (उदाहरण के लिए p(g2T-TT)) पर आधारित है, का भी वर्णन किया गया है।[5][6]

ओईसीटी इलेक्ट्रोलाइट-गेटेड फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर से अलग हैं। बाद के प्रकार के उपकरण में, आयन चैनल में प्रवेश नहीं करते हैं, बल्कि इसकी सतह के पास जमा होते हैं (या परावैघ्दुत परत की सतह के पास, जब ऐसी परत चैनल पर जमा होती है)।[7] यह चैनल के अंदर, सतह के पास इलेक्ट्रॉनिक चार्ज के संचय को प्रेरित करता है। इसके विपरीत, ओईसीटी में, आयनों को चैनल में अंतःक्षेप किया जाता है और इसकी संपूर्ण मात्रा में इलेक्ट्रॉनिक चार्ज घनत्व को बदल देता है। आयनिक और इलेक्ट्रॉनिक चार्ज के बीच इस स्थूल युग्मन के परिणामस्वरूप, ओईसीटी एक एक उत्कृष्ट आंतरिक लाभ के साथ बहुत ही उच्च अंतराचालकता दिखाते हैं।[8][9] ओईसीटी का नुकसान यह है कि वे धीमे हैं, क्योंकि वे चैनल के भीतर और बाहर आयनों के स्वाभाविक रूप से धीमे प्रवासन द्वारा सीमित हैं। हालाँकि, माइक्रो-फैब्रिकेटेड ओईसीटी सैकड़ों माइक्रोसेकंड के क्रम का प्रतिक्रिया समय दिखाते हैं।[10] ड्रिफ्ट-डिफ्यूश़न मॉडल का उपयोग करके ओईसीटी का सटीक अनुकरण संभव है।[11]

ओईसीटी को सबसे पहले 80 के दशक में मार्क राइटन के समूह द्वारा विकसित किया गया था।[12] वे वर्तमान में जैव इलेक्ट्रानिकी,[13] और बड़े क्षेत्र, कम लागत वाले इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोगों के लिए गहन विकास का ध्यान केंद्रित कर रहे हैं।[14] सीधा निर्माण और लघुकरण, कम लागत वाली छपाई तकनीकों के साथ अनुकूलता,[15][16]यांत्रिक समर्थन की एक विस्तृत श्रृंखला के साथ संगतता (फाइबर सहित,[17]कागज़,[18] प्लास्टिक[19] और इलास्टोमेर[20]), और जलीय वातावरण में स्थिरता, बायोसेंसर में विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उनके उपयोग के लिए प्रेरित करती है।[21][22] इसके अलावा, उनका उच्च पारगमन ओईसीटी को शक्तिशाली प्रवर्धक ट्रांसड्यूसर बनाता है।[23] ओईसीटी का उपयोग आयनों का पता लगाने के लिए किया गया है,[24][25] : न्यूरोट्रांसमीटर,[9]: मेटाबोलाइट,[26][27]डीएनए,[28]रोगज़नक़ जीवों,[29] साथ ही सेल बन्ध की जांच करने के लिए,[30] बैरियर ऊतक की अविकलता को मापने,[31]चूहों में मिरगी की गतिविधि का पता लगाने,[32]और विद्युत रूप से सक्रिय कोशिकाओं और ऊतकों के साथ इंटरफेस में इसका उपयोग किया जाता है।[33][34][35]


बाहरी संबंध


संदर्भ

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