अर्धचालक प्रक्रिया अनुकरण: Difference between revisions
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[[सेमीकंडक्टर निर्माण|अर्धचालक]] प्रोसेस | [[सेमीकंडक्टर निर्माण|अर्धचालक]] प्रोसेस अनुरूपण उपकरणों जैसे [[ट्रांजिस्टर]] का प्रतिरूपण है। यह[[ इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन | विद्युतकीय प्रारूप स्वचालन]] की एक शाखा है, और एक उप-क्षेत्र का भाग है जिसे [[प्रौद्योगिकी सीएडी]] या टीसीएडी के रूप में जाना जाता है।<ref name=":0">{{Cite book |url=https://www.worldcat.org/oclc/948286295 |title=आईसी कार्यान्वयन, सर्किट डिजाइन और प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन|date=2016 |others=Luciano Lavagno, Igor L. Markov, Grant Martin, Lou Scheffer |isbn=978-1-4822-5461-7 |edition=2 |location=Boca Raton |language=en |oclc=948286295}}</ref><ref name=":1">{{Cite book |url=https://www.worldcat.org/oclc/61748500 |title=आईसी कार्यान्वयन, सर्किट डिजाइन और प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए ईडीए|date=2006 |publisher=CRC Taylor & Francis |others=Lou Scheffer, Luciano Lavagno, Grant Martin |isbn=0-8493-7924-5 |location=Boca Raton, FL |oclc=61748500}} This summary was derived (with permission) from Vol I, Chapter 24, Process Simulation, by Mark Johnson.</ref> | ||
[[Image:SemiProcSimRslt.png|400px|right|thumb|यह आंकड़ा अर्धचालक प्रक्रिया से परिणाम दिखाता है। इनपुट अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया का विवरण है; परिणाम जैसा कि यहां दिखाया गया है, अंतिम ज्यामिति और सभी डोपेंट की सांद्रता है। इसके बाद अन्य कार्यक्रमों द्वारा गठित उपकरणों के विद्युत गुणों की भविष्यवाणी करने के लिए इसका उपयोग किया जाएगा। | [[Image:SemiProcSimRslt.png|400px|right|thumb|यह आंकड़ा अर्धचालक प्रक्रिया से परिणाम दिखाता है। इनपुट अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया का विवरण है; परिणाम जैसा कि यहां दिखाया गया है, अंतिम ज्यामिति और सभी डोपेंट की सांद्रता है। इसके बाद अन्य कार्यक्रमों द्वारा गठित उपकरणों के विद्युत गुणों की भविष्यवाणी करने के लिए इसका उपयोग किया जाएगा। | ||
(आईसी हैंडबुक के लिए सीआरसी इलेक्ट्रॉनिक प्रारूप ऑटोमेशन, अध्याय 24)]]प्रक्रिया | (आईसी हैंडबुक के लिए सीआरसी इलेक्ट्रॉनिक प्रारूप ऑटोमेशन, अध्याय 24)]]प्रक्रिया अनुरूपण का अंतिम लक्ष्य सक्रिय डोपेंट वितरण, दाब वितरण और उपकरण ज्यामिति की सटीक पूर्वानुमान करना होता है। प्रक्रिया अनुरूपण सामान्यतः डिवाइस अनुरूपण के लिए एक इनपुट के रूप में उपयोग किया जाता है, जो डिवाइस की विद्युतीय विशेषताओं के प्रारूपण को कहते हैं।सामूहिक रूप से प्रक्रिया और डिवाइस अनुरूपण प्रारूप चरण के लिए मुख्य उपकरण बनाते हैं जिन्हें टेक्नोलॉजी सीएडी या टेक्नोलॉजी कंप्यूटर एडेड प्रारूप के रूप में जाना जाता है। ।{{r|:0|p=692}}एक समेकित [[एकीकृत सर्किट डिजाइन|परिपथ प्रारूप]] प्रक्रिया को अवसरवाद के स्तर को कम करते हुए एक क्रमशः चरणों के रूप में विचार किया जा सकता है, तो तार्किक [[तर्क संश्लेषण|संश्लेषण]] सबसे ऊचे स्तर पर होगा और टीसैडी सबसे कम अवसरवाद वाला चरण होगा, क्योंकि वह निर्माण के सबसे समीप होता है। क्योंकि विस्तृत भौतिक प्रारूपण के कारण, प्रक्रिया अनुरूपण का उपयोग मुख्य रूप से एकल या समेकित परिपथ के उपकरण के विकास में सहायता करने के लिए किया जाता है। प्रक्रिया अनुरूपण में डोपेंट और दाब प्रोफाइल प्राप्त करने के लिए प्रक्रिया प्रवाह में सभी आवश्यक कदमों को प्रारूपण करना सम्मिलित है, और कुछ हद तक, डिवाइस ज्यामिति प्रक्रिया अनुरूपण के लिए इनपुट प्रक्रिया प्रवाह और एक विन्यास है। विन्यास को 2डी अनुरूपण के लिए पूर्ण विन्यास में रैखिक कट के रूप में या 3डी अनुरूपण के लिए विन्यास से आयताकार कट के रूप में चुना गया है। | ||
टीसीएडी ने परंपरागत रूप से मुख्य रूप से स्रोत और नाली संपर्कों के गठन के साथ समाप्त होने वाली प्रक्रिया प्रवाह के ट्रांजिस्टर निर्माण भाग पर ध्यान केंद्रित किया है - जिसे लाइन मैन्युफैक्चरिंग के फ्रंट एंड के रूप में भी जाना जाता है। लाइन निर्माण का पिछला सिरा, उदा. इंटरकनेक्ट और डाइइलेक्ट्रिक परतों पर विचार नहीं किया जाता है। चित्रण का एक कारण इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी तकनीक, [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप]] (एसईएम) और [[ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी]] (टीईएम) जैसे शक्तिशाली विश्लेषण उपकरणों की उपलब्धता है, जो डिवाइस ज्यामिति के सटीक माप की अनुमति देते हैं। डोपेंट या तनाव प्रोफाइल के सटीक उच्च रिज़ॉल्यूशन माप के लिए समान उपकरण उपलब्ध नहीं हैं। | टीसीएडी ने परंपरागत रूप से मुख्य रूप से स्रोत और नाली संपर्कों के गठन के साथ समाप्त होने वाली प्रक्रिया प्रवाह के ट्रांजिस्टर निर्माण भाग पर ध्यान केंद्रित किया है - जिसे लाइन मैन्युफैक्चरिंग के फ्रंट एंड के रूप में भी जाना जाता है। लाइन निर्माण का पिछला सिरा, उदा. इंटरकनेक्ट और डाइइलेक्ट्रिक परतों पर विचार नहीं किया जाता है। चित्रण का एक कारण इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी तकनीक, [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप]] (एसईएम) और [[ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी]] (टीईएम) जैसे शक्तिशाली विश्लेषण उपकरणों की उपलब्धता है, जो डिवाइस ज्यामिति के सटीक माप की अनुमति देते हैं। डोपेंट या तनाव प्रोफाइल के सटीक उच्च रिज़ॉल्यूशन माप के लिए समान उपकरण उपलब्ध नहीं हैं। | ||
फिर भी, फ्रंट एंड और बैक एंड मैन्युफैक्चरिंग स्टेप्स के बीच की बातचीत की जांच करने में रुचि बढ़ रही है। उदाहरण के लिए, बैक एंड मैन्युफैक्चरिंग ट्रांजिस्टर क्षेत्र में डिवाइस के प्रदर्शन को बदलने में तनाव पैदा कर सकता है। ये इंटरैक्शन बैकएंड | फिर भी, फ्रंट एंड और बैक एंड मैन्युफैक्चरिंग स्टेप्स के बीच की बातचीत की जांच करने में रुचि बढ़ रही है। उदाहरण के लिए, बैक एंड मैन्युफैक्चरिंग ट्रांजिस्टर क्षेत्र में डिवाइस के प्रदर्शन को बदलने में तनाव पैदा कर सकता है। ये इंटरैक्शन बैकएंड अनुरूपण टूल के लिए बेहतर इंटरफेस की आवश्यकता को प्रोत्साहित करेंगे या उनमें से कुछ क्षमताओं को TCAD टूल्स में एकीकृत करने की ओर ले जाएंगे। | ||
प्रक्रिया | प्रक्रिया अनुरूपण के हाल के विस्तार के दायरे के अलावा, हमेशा अधिक सटीक अनुरूपण करने की इच्छा रही है। हालांकि, संगणना समय को कम करने के लिए सरलीकृत भौतिक मॉडल का सबसे अधिक उपयोग किया गया है। लेकिन, सिकुड़ते उपकरण आयामों ने डोपेंट और तनाव प्रोफाइल की सटीकता पर बढ़ती मांगों को रखा है, इसलिए नई सटीकता मांगों से मेल खाने के लिए प्रत्येक पीढ़ी के उपकरणों के लिए नए प्रक्रिया मॉडल जोड़े गए हैं। कई मॉडलों की कल्पना शोधकर्ताओं द्वारा उनकी आवश्यकता से बहुत पहले की गई थी, लेकिन कभी-कभी नए प्रभावों को तभी पहचाना और समझा जाता है जब प्रक्रिया इंजीनियरों को एक समस्या का पता चलता है और प्रयोग किए जाते हैं। किसी भी मामले में, अधिक भौतिक मॉडल जोड़ने और अधिक विस्तृत भौतिक प्रभावों पर विचार करने की प्रवृत्ति जारी रहेगी और इसमें तेजी आ सकती है। | ||
== इतिहास == | == इतिहास == | ||
स्टैनफोर्ड यूनिवर्सिटी प्रोसेस | स्टैनफोर्ड यूनिवर्सिटी प्रोसेस प्रारूपण प्रोग्राम के विकास के साथ वाणिज्यिक प्रक्रिया सिमुलेटर का इतिहास शुरू हुआ। इस शुरुआत पर बेहतर मॉडल के साथ SUPREM II और SUPREM III विकसित किए गए थे। टेक्नोलॉजी प्रारूपण एसोसिएट्स, इंक. (टीएमए) जिसका गठन 1979 में हुआ था, वह पहली कंपनी थी जिसने सुप्रीम III का व्यावसायीकरण किया। बाद में [[सिल्वाको]] ने भी SUPREM का व्यावसायीकरण किया और उत्पाद का नाम एथेना रखा। TMA ने SUPREM-IV (2D संस्करण) का व्यावसायीकरण किया और इसे TSUPREM4 कहा। 1992 में, इंटीग्रेटेड सिस्टम इंजीनियरिंग (ISE) 1D प्रोसेस सिम्युलेटर TESIM और 2D प्रोसेस सिम्युलेटर DIOS के साथ सामने आया। लगभग उसी समय TMA में एक नई 3D प्रक्रिया और डिवाइस सिम्युलेटर का विकास शुरू हुआ और [[ अवंती निगम ]] द्वारा TMA के अधिग्रहण के बाद, उत्पाद को 1998 में वृषभ के रूप में जारी किया गया। 1994 के आसपास फ्लोरिडा ऑब्जेक्ट ओरिएंटेड प्रोसेस सिम्युलेटर (FLOOPS) का पहला संस्करण पूरा हुआ। FLOOPS का बाद में 2002 में ISE द्वारा व्यावसायीकरण किया गया। एक अन्य प्रक्रिया सिम्युलेटर [http://nanohub.org/resources/prophet?rec_ref=973 PROPHET] को 1994 के आसपास बेल लैब्स में बनाया गया था जो बाद में Agere बन गया, लेकिन व्यावसायिक रूप से बेचा नहीं गया। 2002 में [[Synopsys]] ने Avant!, कॉर्प का अधिग्रहण किया। और 2004 में Synopsys ने ISE का अधिग्रहण कर लिया। Synopsys ने टॉरस और TSUPREM4 की विशेषताओं को FLOOPS प्लेटफॉर्म में संयोजित किया और इसे सेंटॉरस प्रोसेस कहा। वर्तमान सिल्वाको उत्पाद 2डी/3डी अनुरूपण के लिए विक्ट्री प्रोसेस और विक्ट्री डिवाइस हैं, और 2डी प्रोसेस अनुरूपण के लिए लीगेसी उत्पाद एथेना और 2डी डिवाइस अनुरूपण के लिए एटलस हैं।<ref>{{cite web | url=https://www.silvaco.com/products/tcad.html | title= टीसीएडी उत्पाद| website= Silvaco.com | access-date= 30 August 2019}}</ref> 2013 में, [https://www.coventor.com Coventor] ने [https://www.coventor.com/products/semulator3d/ SEMulator3D] जारी किया, जो वॉक्सल प्रारूपण और सतह के विकास पर आधारित एक उन्नत प्रक्रिया सिम्युलेटर है।<ref>{{Cite web|last=Fangaria|first=Pawan|title=SEMulator3D – A Virtual Fab Platform|url=https://semiwiki.com/x-subscriber/coventor/2430-semulator3d-a-virtual-fab-platform/|access-date=2021-07-02|website=Semiwiki|language=en-US}}</ref> इन सिमुलेटरों के अलावा, कई अन्य विश्वविद्यालय और वाणिज्यिक सिमुलेटर हैं जैसे प्रोमिस, प्रिडिक्ट, प्रोसिम, आईसीईसीआरईएम, डैडोस, टाइटन, माइक्रोटेक, डोपेडीस, अलामोड। | ||
== प्रक्रिया अनुकरण के तरीके == | == प्रक्रिया अनुकरण के तरीके == | ||
प्रक्रिया | प्रक्रिया अनुरूपण के साथ सबसे अधिक बार जुड़े प्रक्रिया चरण [[आयन आरोपण]], एनीलिंग (प्रसार और [[डोपेंट सक्रियण]]), शुष्क नक़्क़ाशी, जमाव, ऑक्सीकरण और [[epitaxy]] हैं। अन्य सामान्य कदमों में [[रासायनिक-यांत्रिक समतलीकरण]] (सीएमपी), सिलिसाइडेशन और रिफ्लो शामिल हैं।{{r|:0|p=692}} | ||
सभी व्यावसायिक प्रक्रिया सिमुलेटर परिमित तत्व विश्लेषण (एफई) और/या [[परिमित मात्रा विधि]]यों (एफवी) विधियों के संयोजन का उपयोग करते हैं।{{r|:0|p=692}} एफई/एफवी पद्धति का पूरा विवरण इस लेख के दायरे से बाहर है, लेकिन कई बेहतरीन किताबें हैं जो विषय का पूरी तरह से वर्णन करती हैं। हालांकि, सटीक परिणाम प्राप्त करने के लिए प्रक्रिया अनुकरण के लिए आवश्यकताओं पर चर्चा करना महत्वपूर्ण है। ये आवश्यकताएं डिवाइस के अनुरूपित निर्माण के दौरान ज्यामिति में परिवर्तन से आने वाली अतिरिक्त कठिनाई के साथ FE/FV तकनीकों के लिए सामान्य आवश्यकताओं पर आधारित हैं। प्रक्रिया | सभी व्यावसायिक प्रक्रिया सिमुलेटर परिमित तत्व विश्लेषण (एफई) और/या [[परिमित मात्रा विधि]]यों (एफवी) विधियों के संयोजन का उपयोग करते हैं।{{r|:0|p=692}} एफई/एफवी पद्धति का पूरा विवरण इस लेख के दायरे से बाहर है, लेकिन कई बेहतरीन किताबें हैं जो विषय का पूरी तरह से वर्णन करती हैं। हालांकि, सटीक परिणाम प्राप्त करने के लिए प्रक्रिया अनुकरण के लिए आवश्यकताओं पर चर्चा करना महत्वपूर्ण है। ये आवश्यकताएं डिवाइस के अनुरूपित निर्माण के दौरान ज्यामिति में परिवर्तन से आने वाली अतिरिक्त कठिनाई के साथ FE/FV तकनीकों के लिए सामान्य आवश्यकताओं पर आधारित हैं। प्रक्रिया अनुरूपण डोपेंट और तनाव प्रोफाइल की गणना और स्टोर करने के लिए एफई/एफवी जाल का उपयोग करता है। अनुरूपण डोमेन में प्रत्येक ज्यामितीय परिवर्तन के लिए एक नई जाली की आवश्यकता होती है जो नई सीमाओं के अनुकूल हो। जैसा कि नीचे वर्णित किया जाएगा, बड़ी संख्या में शामिल ज्यामिति संशोधित कदम और प्रक्रिया अनुरूपण की प्रकृति जहां प्रत्येक चरण पिछले सभी चरणों के संचयी परिणामों पर निर्भर करता है, प्रक्रिया अनुरूपण को FE/FV तकनीक का विशेष रूप से चुनौतीपूर्ण अनुप्रयोग बनाते हैं।{{r|:0|p=693}} | ||
प्रक्रिया | प्रक्रिया अनुरूपण के सबसे महत्वपूर्ण परिणामों में से एक प्रसंस्करण के बाद डोपेंट प्रोफाइल है। अनुरूपण के दौरान किसी भी समय प्रोफ़ाइल की सटीकता जाल बिंदुओं के उचित घनत्व को बनाए रखने पर दृढ़ता से निर्भर करती है। सभी डोपेंट और दोष प्रोफाइल को हल करने के लिए बिंदुओं का घनत्व पर्याप्त होना चाहिए, लेकिन अधिक नहीं क्योंकि प्रसार समीकरणों को हल करने की गणना व्यय जाल बिंदुओं की संख्या के साथ बढ़ जाती है। एक विशिष्ट पूर्ण प्रवाह CMOS प्रक्रिया अनुरूपण में 50 से अधिक मेश परिवर्तन हो सकते हैं और यदि अनुकूली मेशिंग की जाती है तो मेश परिवर्तनों की संख्या नाटकीय रूप से बढ़ सकती है। प्रत्येक मेष परिवर्तन के लिए, नए जाल पर डेटा मान प्राप्त करने के लिए प्रक्षेप का उपयोग किया जाता है। प्रक्षेप त्रुटि के कारण सटीकता में गिरावट से बचने के लिए इस तरह से मेश परिवर्तनों का प्रबंधन करना महत्वपूर्ण है। ऐसा करने का सबसे आसान तरीका यह है कि एक बार मेष में पेश किए जाने के बाद हमेशा अंक बनाए रखें, लेकिन इसमें बहुत अधिक जाल बिंदुओं का उत्पादन करने का दोष है जो कम्प्यूटेशनल रूप से महंगा हो सकता है। कम से कम कम्प्यूटेशनल व्यय के साथ सटीक परिणाम प्राप्त करने के लिए इंटरपोलेशन त्रुटि, कम्प्यूटेशनल व्यय और आवश्यक उपयोगकर्ता इनपुट को कम करने के बीच संतुलन बनाए रखना महत्वपूर्ण है। 3D में उपकरणों का अनुकरण करते समय यह विशेष रूप से सच है। मेश के सावधानीपूर्वक प्लेसमेंट के बिना या तो सटीकता अस्वीकार्य रूप से प्रभावित होगी, या कम्प्यूटेशनल व्यय उपयोगी होने के लिए बहुत अधिक होगा। प्रक्रिया अनुरूपण उपकरण को अब तक जाल अनुकूलन को पूरी तरह से स्वचालित करने में सीमित सफलता मिली है, जैसे कि किसी उपयोगकर्ता के हस्तक्षेप की आवश्यकता नहीं है। यह उपयोगकर्ता को मेशिंग को समझने की आवश्यकता देता है और यह अनुरूपण सटीकता और रन टाइम को कैसे प्रभावित करता है और उचित मेश बनाए रखने के लिए अनुरूपण के दौरान मेश परिवर्तनों को ट्रैक करने के लिए उपयोगकर्ता को बोझ करता है। | ||
TCAD टूल्स के सबसे महत्वपूर्ण उपयोगों में से एक नई डिवाइस तकनीक का पता लगाना है, जहां डिवाइस प्रारूप र को संभावित लाभों के साथ-साथ किसी तकनीक की कमियों की बेहतर समझ देने के लिए कई खोजपूर्ण | TCAD टूल्स के सबसे महत्वपूर्ण उपयोगों में से एक नई डिवाइस तकनीक का पता लगाना है, जहां डिवाइस प्रारूप र को संभावित लाभों के साथ-साथ किसी तकनीक की कमियों की बेहतर समझ देने के लिए कई खोजपूर्ण अनुरूपण किए जाते हैं। यह उपयोग मामला बीच में कुछ विश्लेषण के साथ अनुक्रमिक अनुरूपण की मांग करता है। उपयोगी होने के लिए, अनुरूपण चलाने के समय को कम करने पर उच्च प्राथमिकता देते हुए, अन्वेषण के लिए आवंटित समय के भीतर कई अनुरूपण चक्र चलाना चाहिए। वर्तमान में, पूर्ण प्रवाह मानक CMOS अनुरूपण अक्सर 1D और 2D अनुरूपण के संयोजन के साथ पूरा किया जाता है और 2.6 GHz पेंटियम 4 पर कुछ घंटों से भी कम समय लेता है। इन अनुरूपण को 3D में करने के लिए (गेट के गठन से) कम से कम लगेगा न्यूनतम सटीकता अनुकरण के लिए 24 घंटे। टीसीएडी अनुरूपण से वांछित अधिकांश जानकारी सरलीकरण से निकाली जा सकती है कि डिवाइस को समान रूप से गहराई से व्यवहार किया जा सकता है (अर्थात 2डी अनुरूपण )। गहराई के साथ प्रभाव डिवाइस आकार को शामिल करने या इम्प्लांट शैडोइंग की जांच करने के लिए, 3डी अनुरूपण किया जाना चाहिए। | ||
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Revision as of 17:52, 14 June 2023
अर्धचालक प्रोसेस अनुरूपण उपकरणों जैसे ट्रांजिस्टर का प्रतिरूपण है। यह विद्युतकीय प्रारूप स्वचालन की एक शाखा है, और एक उप-क्षेत्र का भाग है जिसे प्रौद्योगिकी सीएडी या टीसीएडी के रूप में जाना जाता है।[1][2]
प्रक्रिया अनुरूपण का अंतिम लक्ष्य सक्रिय डोपेंट वितरण, दाब वितरण और उपकरण ज्यामिति की सटीक पूर्वानुमान करना होता है। प्रक्रिया अनुरूपण सामान्यतः डिवाइस अनुरूपण के लिए एक इनपुट के रूप में उपयोग किया जाता है, जो डिवाइस की विद्युतीय विशेषताओं के प्रारूपण को कहते हैं।सामूहिक रूप से प्रक्रिया और डिवाइस अनुरूपण प्रारूप चरण के लिए मुख्य उपकरण बनाते हैं जिन्हें टेक्नोलॉजी सीएडी या टेक्नोलॉजी कंप्यूटर एडेड प्रारूप के रूप में जाना जाता है। ।[1]: 692 एक समेकित परिपथ प्रारूप प्रक्रिया को अवसरवाद के स्तर को कम करते हुए एक क्रमशः चरणों के रूप में विचार किया जा सकता है, तो तार्किक संश्लेषण सबसे ऊचे स्तर पर होगा और टीसैडी सबसे कम अवसरवाद वाला चरण होगा, क्योंकि वह निर्माण के सबसे समीप होता है। क्योंकि विस्तृत भौतिक प्रारूपण के कारण, प्रक्रिया अनुरूपण का उपयोग मुख्य रूप से एकल या समेकित परिपथ के उपकरण के विकास में सहायता करने के लिए किया जाता है। प्रक्रिया अनुरूपण में डोपेंट और दाब प्रोफाइल प्राप्त करने के लिए प्रक्रिया प्रवाह में सभी आवश्यक कदमों को प्रारूपण करना सम्मिलित है, और कुछ हद तक, डिवाइस ज्यामिति प्रक्रिया अनुरूपण के लिए इनपुट प्रक्रिया प्रवाह और एक विन्यास है। विन्यास को 2डी अनुरूपण के लिए पूर्ण विन्यास में रैखिक कट के रूप में या 3डी अनुरूपण के लिए विन्यास से आयताकार कट के रूप में चुना गया है।
टीसीएडी ने परंपरागत रूप से मुख्य रूप से स्रोत और नाली संपर्कों के गठन के साथ समाप्त होने वाली प्रक्रिया प्रवाह के ट्रांजिस्टर निर्माण भाग पर ध्यान केंद्रित किया है - जिसे लाइन मैन्युफैक्चरिंग के फ्रंट एंड के रूप में भी जाना जाता है। लाइन निर्माण का पिछला सिरा, उदा. इंटरकनेक्ट और डाइइलेक्ट्रिक परतों पर विचार नहीं किया जाता है। चित्रण का एक कारण इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी तकनीक, स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप (एसईएम) और ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (टीईएम) जैसे शक्तिशाली विश्लेषण उपकरणों की उपलब्धता है, जो डिवाइस ज्यामिति के सटीक माप की अनुमति देते हैं। डोपेंट या तनाव प्रोफाइल के सटीक उच्च रिज़ॉल्यूशन माप के लिए समान उपकरण उपलब्ध नहीं हैं। फिर भी, फ्रंट एंड और बैक एंड मैन्युफैक्चरिंग स्टेप्स के बीच की बातचीत की जांच करने में रुचि बढ़ रही है। उदाहरण के लिए, बैक एंड मैन्युफैक्चरिंग ट्रांजिस्टर क्षेत्र में डिवाइस के प्रदर्शन को बदलने में तनाव पैदा कर सकता है। ये इंटरैक्शन बैकएंड अनुरूपण टूल के लिए बेहतर इंटरफेस की आवश्यकता को प्रोत्साहित करेंगे या उनमें से कुछ क्षमताओं को TCAD टूल्स में एकीकृत करने की ओर ले जाएंगे।
प्रक्रिया अनुरूपण के हाल के विस्तार के दायरे के अलावा, हमेशा अधिक सटीक अनुरूपण करने की इच्छा रही है। हालांकि, संगणना समय को कम करने के लिए सरलीकृत भौतिक मॉडल का सबसे अधिक उपयोग किया गया है। लेकिन, सिकुड़ते उपकरण आयामों ने डोपेंट और तनाव प्रोफाइल की सटीकता पर बढ़ती मांगों को रखा है, इसलिए नई सटीकता मांगों से मेल खाने के लिए प्रत्येक पीढ़ी के उपकरणों के लिए नए प्रक्रिया मॉडल जोड़े गए हैं। कई मॉडलों की कल्पना शोधकर्ताओं द्वारा उनकी आवश्यकता से बहुत पहले की गई थी, लेकिन कभी-कभी नए प्रभावों को तभी पहचाना और समझा जाता है जब प्रक्रिया इंजीनियरों को एक समस्या का पता चलता है और प्रयोग किए जाते हैं। किसी भी मामले में, अधिक भौतिक मॉडल जोड़ने और अधिक विस्तृत भौतिक प्रभावों पर विचार करने की प्रवृत्ति जारी रहेगी और इसमें तेजी आ सकती है।
इतिहास
स्टैनफोर्ड यूनिवर्सिटी प्रोसेस प्रारूपण प्रोग्राम के विकास के साथ वाणिज्यिक प्रक्रिया सिमुलेटर का इतिहास शुरू हुआ। इस शुरुआत पर बेहतर मॉडल के साथ SUPREM II और SUPREM III विकसित किए गए थे। टेक्नोलॉजी प्रारूपण एसोसिएट्स, इंक. (टीएमए) जिसका गठन 1979 में हुआ था, वह पहली कंपनी थी जिसने सुप्रीम III का व्यावसायीकरण किया। बाद में सिल्वाको ने भी SUPREM का व्यावसायीकरण किया और उत्पाद का नाम एथेना रखा। TMA ने SUPREM-IV (2D संस्करण) का व्यावसायीकरण किया और इसे TSUPREM4 कहा। 1992 में, इंटीग्रेटेड सिस्टम इंजीनियरिंग (ISE) 1D प्रोसेस सिम्युलेटर TESIM और 2D प्रोसेस सिम्युलेटर DIOS के साथ सामने आया। लगभग उसी समय TMA में एक नई 3D प्रक्रिया और डिवाइस सिम्युलेटर का विकास शुरू हुआ और अवंती निगम द्वारा TMA के अधिग्रहण के बाद, उत्पाद को 1998 में वृषभ के रूप में जारी किया गया। 1994 के आसपास फ्लोरिडा ऑब्जेक्ट ओरिएंटेड प्रोसेस सिम्युलेटर (FLOOPS) का पहला संस्करण पूरा हुआ। FLOOPS का बाद में 2002 में ISE द्वारा व्यावसायीकरण किया गया। एक अन्य प्रक्रिया सिम्युलेटर PROPHET को 1994 के आसपास बेल लैब्स में बनाया गया था जो बाद में Agere बन गया, लेकिन व्यावसायिक रूप से बेचा नहीं गया। 2002 में Synopsys ने Avant!, कॉर्प का अधिग्रहण किया। और 2004 में Synopsys ने ISE का अधिग्रहण कर लिया। Synopsys ने टॉरस और TSUPREM4 की विशेषताओं को FLOOPS प्लेटफॉर्म में संयोजित किया और इसे सेंटॉरस प्रोसेस कहा। वर्तमान सिल्वाको उत्पाद 2डी/3डी अनुरूपण के लिए विक्ट्री प्रोसेस और विक्ट्री डिवाइस हैं, और 2डी प्रोसेस अनुरूपण के लिए लीगेसी उत्पाद एथेना और 2डी डिवाइस अनुरूपण के लिए एटलस हैं।[3] 2013 में, Coventor ने SEMulator3D जारी किया, जो वॉक्सल प्रारूपण और सतह के विकास पर आधारित एक उन्नत प्रक्रिया सिम्युलेटर है।[4] इन सिमुलेटरों के अलावा, कई अन्य विश्वविद्यालय और वाणिज्यिक सिमुलेटर हैं जैसे प्रोमिस, प्रिडिक्ट, प्रोसिम, आईसीईसीआरईएम, डैडोस, टाइटन, माइक्रोटेक, डोपेडीस, अलामोड।
प्रक्रिया अनुकरण के तरीके
प्रक्रिया अनुरूपण के साथ सबसे अधिक बार जुड़े प्रक्रिया चरण आयन आरोपण, एनीलिंग (प्रसार और डोपेंट सक्रियण), शुष्क नक़्क़ाशी, जमाव, ऑक्सीकरण और epitaxy हैं। अन्य सामान्य कदमों में रासायनिक-यांत्रिक समतलीकरण (सीएमपी), सिलिसाइडेशन और रिफ्लो शामिल हैं।[1]: 692
सभी व्यावसायिक प्रक्रिया सिमुलेटर परिमित तत्व विश्लेषण (एफई) और/या परिमित मात्रा विधियों (एफवी) विधियों के संयोजन का उपयोग करते हैं।[1]: 692 एफई/एफवी पद्धति का पूरा विवरण इस लेख के दायरे से बाहर है, लेकिन कई बेहतरीन किताबें हैं जो विषय का पूरी तरह से वर्णन करती हैं। हालांकि, सटीक परिणाम प्राप्त करने के लिए प्रक्रिया अनुकरण के लिए आवश्यकताओं पर चर्चा करना महत्वपूर्ण है। ये आवश्यकताएं डिवाइस के अनुरूपित निर्माण के दौरान ज्यामिति में परिवर्तन से आने वाली अतिरिक्त कठिनाई के साथ FE/FV तकनीकों के लिए सामान्य आवश्यकताओं पर आधारित हैं। प्रक्रिया अनुरूपण डोपेंट और तनाव प्रोफाइल की गणना और स्टोर करने के लिए एफई/एफवी जाल का उपयोग करता है। अनुरूपण डोमेन में प्रत्येक ज्यामितीय परिवर्तन के लिए एक नई जाली की आवश्यकता होती है जो नई सीमाओं के अनुकूल हो। जैसा कि नीचे वर्णित किया जाएगा, बड़ी संख्या में शामिल ज्यामिति संशोधित कदम और प्रक्रिया अनुरूपण की प्रकृति जहां प्रत्येक चरण पिछले सभी चरणों के संचयी परिणामों पर निर्भर करता है, प्रक्रिया अनुरूपण को FE/FV तकनीक का विशेष रूप से चुनौतीपूर्ण अनुप्रयोग बनाते हैं।[1]: 693
प्रक्रिया अनुरूपण के सबसे महत्वपूर्ण परिणामों में से एक प्रसंस्करण के बाद डोपेंट प्रोफाइल है। अनुरूपण के दौरान किसी भी समय प्रोफ़ाइल की सटीकता जाल बिंदुओं के उचित घनत्व को बनाए रखने पर दृढ़ता से निर्भर करती है। सभी डोपेंट और दोष प्रोफाइल को हल करने के लिए बिंदुओं का घनत्व पर्याप्त होना चाहिए, लेकिन अधिक नहीं क्योंकि प्रसार समीकरणों को हल करने की गणना व्यय जाल बिंदुओं की संख्या के साथ बढ़ जाती है। एक विशिष्ट पूर्ण प्रवाह CMOS प्रक्रिया अनुरूपण में 50 से अधिक मेश परिवर्तन हो सकते हैं और यदि अनुकूली मेशिंग की जाती है तो मेश परिवर्तनों की संख्या नाटकीय रूप से बढ़ सकती है। प्रत्येक मेष परिवर्तन के लिए, नए जाल पर डेटा मान प्राप्त करने के लिए प्रक्षेप का उपयोग किया जाता है। प्रक्षेप त्रुटि के कारण सटीकता में गिरावट से बचने के लिए इस तरह से मेश परिवर्तनों का प्रबंधन करना महत्वपूर्ण है। ऐसा करने का सबसे आसान तरीका यह है कि एक बार मेष में पेश किए जाने के बाद हमेशा अंक बनाए रखें, लेकिन इसमें बहुत अधिक जाल बिंदुओं का उत्पादन करने का दोष है जो कम्प्यूटेशनल रूप से महंगा हो सकता है। कम से कम कम्प्यूटेशनल व्यय के साथ सटीक परिणाम प्राप्त करने के लिए इंटरपोलेशन त्रुटि, कम्प्यूटेशनल व्यय और आवश्यक उपयोगकर्ता इनपुट को कम करने के बीच संतुलन बनाए रखना महत्वपूर्ण है। 3D में उपकरणों का अनुकरण करते समय यह विशेष रूप से सच है। मेश के सावधानीपूर्वक प्लेसमेंट के बिना या तो सटीकता अस्वीकार्य रूप से प्रभावित होगी, या कम्प्यूटेशनल व्यय उपयोगी होने के लिए बहुत अधिक होगा। प्रक्रिया अनुरूपण उपकरण को अब तक जाल अनुकूलन को पूरी तरह से स्वचालित करने में सीमित सफलता मिली है, जैसे कि किसी उपयोगकर्ता के हस्तक्षेप की आवश्यकता नहीं है। यह उपयोगकर्ता को मेशिंग को समझने की आवश्यकता देता है और यह अनुरूपण सटीकता और रन टाइम को कैसे प्रभावित करता है और उचित मेश बनाए रखने के लिए अनुरूपण के दौरान मेश परिवर्तनों को ट्रैक करने के लिए उपयोगकर्ता को बोझ करता है।
TCAD टूल्स के सबसे महत्वपूर्ण उपयोगों में से एक नई डिवाइस तकनीक का पता लगाना है, जहां डिवाइस प्रारूप र को संभावित लाभों के साथ-साथ किसी तकनीक की कमियों की बेहतर समझ देने के लिए कई खोजपूर्ण अनुरूपण किए जाते हैं। यह उपयोग मामला बीच में कुछ विश्लेषण के साथ अनुक्रमिक अनुरूपण की मांग करता है। उपयोगी होने के लिए, अनुरूपण चलाने के समय को कम करने पर उच्च प्राथमिकता देते हुए, अन्वेषण के लिए आवंटित समय के भीतर कई अनुरूपण चक्र चलाना चाहिए। वर्तमान में, पूर्ण प्रवाह मानक CMOS अनुरूपण अक्सर 1D और 2D अनुरूपण के संयोजन के साथ पूरा किया जाता है और 2.6 GHz पेंटियम 4 पर कुछ घंटों से भी कम समय लेता है। इन अनुरूपण को 3D में करने के लिए (गेट के गठन से) कम से कम लगेगा न्यूनतम सटीकता अनुकरण के लिए 24 घंटे। टीसीएडी अनुरूपण से वांछित अधिकांश जानकारी सरलीकरण से निकाली जा सकती है कि डिवाइस को समान रूप से गहराई से व्यवहार किया जा सकता है (अर्थात 2डी अनुरूपण )। गहराई के साथ प्रभाव डिवाइस आकार को शामिल करने या इम्प्लांट शैडोइंग की जांच करने के लिए, 3डी अनुरूपण किया जाना चाहिए।
संदर्भ
- ↑ 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 आईसी कार्यान्वयन, सर्किट डिजाइन और प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन (in English). Luciano Lavagno, Igor L. Markov, Grant Martin, Lou Scheffer (2 ed.). Boca Raton. 2016. ISBN 978-1-4822-5461-7. OCLC 948286295.
{{cite book}}: CS1 maint: location missing publisher (link) CS1 maint: others (link) - ↑ आईसी कार्यान्वयन, सर्किट डिजाइन और प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए ईडीए. Lou Scheffer, Luciano Lavagno, Grant Martin. Boca Raton, FL: CRC Taylor & Francis. 2006. ISBN 0-8493-7924-5. OCLC 61748500.
{{cite book}}: CS1 maint: others (link) This summary was derived (with permission) from Vol I, Chapter 24, Process Simulation, by Mark Johnson. - ↑ "टीसीएडी उत्पाद". Silvaco.com. Retrieved 30 August 2019.
- ↑ Fangaria, Pawan. "SEMulator3D – A Virtual Fab Platform". Semiwiki (in English). Retrieved 2021-07-02.
बाहरी संबंध
- A TCAD Lab: assembly of TCAD tools that enables circuit, device and process simulations
- Process Lab:Oxidation PROPHET based process simulator
- Process Lab : Concentration-Dependent Diffusion Simulates both the standard diffusion and concentration dependent diffusion (PROPHET based process simulator)
- Process Lab : Defect-coupled diffusion Simulates dopant diffusion coupled with point defects (based on PROPHET)
- PROPHET PROPHET is a computer program for solution of sets of partial differential equations in one, two, or three spatial dimensions. All model coefficients and material parameters are contained in a database library which can be modified or added to by the user. Even the equations to be solved can be specified by the end user.PROPHET was originally developed for semiconductor process simulation. Device simulation capabilities also exist now.
- Stanford University TCAD Tools Non-commercial version including unix source code for SUPREM 3 and 4.
