परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन: Difference between revisions
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'''परिचालन-स्तरीय धारिता | '''परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन (डीएलसीपी)''' धारा-विद्युत -दाब प्रोफाइलन का एक प्रकार है। धारिता विद्युत दाब-प्रोफाइलन लक्षण वर्णन तकनीक विशेष रूप से [[अनाकार ठोस]] और [[ polycrystalline | बहुक्रिस्टलीय]] पदार्थ के लिए विकसित की गई है, जिसमें अधस्थ तल,अंतराफलक अवस्था या गैर-एकरूपता जैसी अधिक विसंगतियाँ हैं। | ||
जबकि मानक C-V | जबकि मानक C-V प्रोफाइलन में आवेश प्रतिक्रिया को रैखिक (dQ = CdV) माना जाता है, परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन में आवेश प्रतिक्रिया में महत्वपूर्ण गैर-रेखीय व्यवहार (dQ = C<sub>0</sub>dV + C<sub>1</sub>(dV)<sup>2</sup> + C<sub>2</sub>(dV)<sup>3</sup>) होने की अपेक्षा होती है, परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन तकनीक में उपयोग किए जाने वाले महत्वपूर्ण बड़े प्रत्यावर्ती धारा-सिग्नल आयाम के कारण होता है। | ||
परिचालन-स्तरीय धारिता | परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन, प्रवेश [[स्पेक्ट्रोस्कोपी|स्पेक्ट्रमदर्शी]] की तरह, दोषों के स्थानिक और ऊर्जावान वितरण दोनों को प्राप्त कर सकता है। ऊर्जावान वितरण प्रत्यावर्ती धारा सिग्नल की [[आवृत्ति]] को अलग करके प्राप्त किया जाता है, जबकि स्थानिक वितरण प्रयुक्त दिष्ट धारा-अभिनति में संशोधनों द्वारा बनाए रखा जाता है। | ||
परिचालन-स्तरीय धारिता | परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन दृढ़ता से गतिशील माप है, जिसका अर्थ है कि C–V प्रोफाइलन में अभिलेखित स्थिर-स्थिति गतिविधि को अलग कर दिया गया है। परिणामस्वरूप, परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन अंतरफलक अवस्थाओं के प्रति असंवेदनशील है। | ||
== संदर्भ == | == संदर्भ == | ||
Heath, Jennifer T., J. David Cohen, William N. Shafarman. "Bulk and MetaStable Defects in CuIn(1-x)Ga(x)Se2 Thin Films Using Drive Level Capacitance Profiling." ''Journal of Applied Physics.'' 95.3 (2004). | Heath, Jennifer T., J. David Cohen, William N. Shafarman. "Bulk and MetaStable Defects in CuIn(1-x)Ga(x)Se2 Thin Films Using Drive Level Capacitance Profiling." ''Journal of Applied Physics.'' 95.3 (2004). | ||
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परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन (डीएलसीपी) धारा-विद्युत -दाब प्रोफाइलन का एक प्रकार है। धारिता विद्युत दाब-प्रोफाइलन लक्षण वर्णन तकनीक विशेष रूप से अनाकार ठोस और बहुक्रिस्टलीय पदार्थ के लिए विकसित की गई है, जिसमें अधस्थ तल,अंतराफलक अवस्था या गैर-एकरूपता जैसी अधिक विसंगतियाँ हैं।
जबकि मानक C-V प्रोफाइलन में आवेश प्रतिक्रिया को रैखिक (dQ = CdV) माना जाता है, परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन में आवेश प्रतिक्रिया में महत्वपूर्ण गैर-रेखीय व्यवहार (dQ = C0dV + C1(dV)2 + C2(dV)3) होने की अपेक्षा होती है, परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन तकनीक में उपयोग किए जाने वाले महत्वपूर्ण बड़े प्रत्यावर्ती धारा-सिग्नल आयाम के कारण होता है।
परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन, प्रवेश स्पेक्ट्रमदर्शी की तरह, दोषों के स्थानिक और ऊर्जावान वितरण दोनों को प्राप्त कर सकता है। ऊर्जावान वितरण प्रत्यावर्ती धारा सिग्नल की आवृत्ति को अलग करके प्राप्त किया जाता है, जबकि स्थानिक वितरण प्रयुक्त दिष्ट धारा-अभिनति में संशोधनों द्वारा बनाए रखा जाता है।
परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन दृढ़ता से गतिशील माप है, जिसका अर्थ है कि C–V प्रोफाइलन में अभिलेखित स्थिर-स्थिति गतिविधि को अलग कर दिया गया है। परिणामस्वरूप, परिचालन-स्तरीय धारिता प्रोफाइलन अंतरफलक अवस्थाओं के प्रति असंवेदनशील है।
संदर्भ
Heath, Jennifer T., J. David Cohen, William N. Shafarman. "Bulk and MetaStable Defects in CuIn(1-x)Ga(x)Se2 Thin Films Using Drive Level Capacitance Profiling." Journal of Applied Physics. 95.3 (2004).
