मेमोरी स्क्रबिंग: Difference between revisions
No edit summary |
No edit summary |
||
| Line 10: | Line 10: | ||
== अवलोकन == | == अवलोकन == | ||
एक ही शब्द के भीतर कई बिट त्रुटियों के होने की संभावना से पहले, समय-समय पर | एक ही शब्द के भीतर कई बिट त्रुटियों के होने की संभावना से पहले,,प्रत्येक मेमोरी स्थान को समय-समय पर पर्याप्त रूप से जांचना महत्वपूर्ण है, क्योंकि बिट त्रुटियों को ठीक किया जा सकता है, परन्तु सामान्य (2008 तक) ईसीसी मेमोरी मॉड्यूल के मामले में कई बिट त्रुटियां ठीक नहीं की जा सकती हैं। | ||
[[सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट]] से नियमित मेमोरी अनुरोधों को चिंतित न करने के लिए और इस प्रकार कंप्यूटर के निष्पादन को कम करने से रोकने के लिए, मार्जन सामान्यतः निष्क्रिय अवधि के दौरान ही की जाती है। चूंकि मार्जन में सामान्य पढ़ने और लिखने के ऑपरेशन होते हैं, यह नॉन-मार्जन ऑपरेशन की तुलना में मेमोरी के लिए [[बिजली की खपत|विद्युत्की खपत]] बढ़ा सकता है। इसलिए मार्जन निरंतर नहीं बल्कि समय-समय पर की जाती है। कई सर्वरों के लिए, [[BIOS|बायोस]] सेटअप प्रोग्राम में स्क्रब अवधि को समनुरूप किया जा सकता है। | [[सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट]] से नियमित मेमोरी अनुरोधों को चिंतित न करने के लिए और इस प्रकार कंप्यूटर के निष्पादन को कम करने से रोकने के लिए, मार्जन सामान्यतः निष्क्रिय अवधि के दौरान ही की जाती है। चूंकि मार्जन में सामान्य पढ़ने और लिखने के ऑपरेशन होते हैं, यह नॉन-मार्जन ऑपरेशन की तुलना में मेमोरी के लिए [[बिजली की खपत|विद्युत्की खपत]] बढ़ा सकता है। इसलिए मार्जन निरंतर नहीं बल्कि समय-समय पर की जाती है। कई सर्वरों के लिए, [[BIOS|बायोस]] सेटअप प्रोग्राम में स्क्रब अवधि को समनुरूप किया जा सकता है। | ||
Revision as of 07:46, 14 June 2023
मेमोरी मार्जन में प्रत्येक मेमोरी स्थिति से रीडिंग,बिट त्रुटि (यदि कोई हो) को त्रुटि संसोधन कोड (त्रुटि संशोधन संकेत)के साथ ठीक करना और उचित डेटा को उसी स्थान पर वापस लिखना सम्मिलित है। [1] आधुनिक कंप्यूटर मेमोरी एकीकृत परिपथ के उच्च एकीकरण घनत्व के कारण, व्यक्तिगत मेमोरी सेल संरचनाएं ब्रह्मांडीय किरणों और अल्फा कण उत्सर्जन के प्रति संवेदनशील होने के लिए अत्यधिक छोटी हो गई हैं। इन घटनाओं के कारण होने वाली त्रुटियों को मृदुत्रुटि कहा जाता है। 8% से अधिक डीआईएमएम मॉड्यूल प्रति वर्ष कम से कम एक सुधार योग्य त्रुटि का अनुभव करते हैं।[2] यह डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी और स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी आधारित मेमोरी के लिए एक समस्या हो सकती है। किसी भी व्यक्तिगत मेमोरी बिट में क्षणिक त्रुटि की संभावना बहुत कम है। यद्यपि , बड़ी मात्रा में मेमोरी के साथ-साथ आधुनिक कंप्यूटर—विशेष रूप से सर्वर (कंप्यूटिंग)—उपरिकाल की विस्तारित अवधि के साथ सुसज्जित हैं, और साथ में स्थापित कुल मेमोरी में क्षणिक त्रुटियों की संभावना महत्वपूर्ण है।[citation needed]
एक ईसीसी मेमोरी में सूचना प्रति मेमोरी शब्द एक बिट त्रुटि को ठीक करने के लिए पर्याप्त रूप से संग्रहीत की जाती है। इसलिए, ईसीसी मेमोरी वस्तु की मार्जन का समर्थन कर सकती है। अर्थात्, यदि मेमोरी नियंत्रक मेमोरी के माध्यम से व्यवस्थित रूप से क्रमवीक्षणकरता है, तो एकल बिट त्रुटियों का पता लगाया जा सकता है, अनुचित बिट को ईसीसी योग की जांच का उपयोग करके निर्धारित किया जा सकता है, और उचितडेटा को मेमोरी में वापस लिखा जा सकता है।
अवलोकन
एक ही शब्द के भीतर कई बिट त्रुटियों के होने की संभावना से पहले,,प्रत्येक मेमोरी स्थान को समय-समय पर पर्याप्त रूप से जांचना महत्वपूर्ण है, क्योंकि बिट त्रुटियों को ठीक किया जा सकता है, परन्तु सामान्य (2008 तक) ईसीसी मेमोरी मॉड्यूल के मामले में कई बिट त्रुटियां ठीक नहीं की जा सकती हैं।
सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट से नियमित मेमोरी अनुरोधों को चिंतित न करने के लिए और इस प्रकार कंप्यूटर के निष्पादन को कम करने से रोकने के लिए, मार्जन सामान्यतः निष्क्रिय अवधि के दौरान ही की जाती है। चूंकि मार्जन में सामान्य पढ़ने और लिखने के ऑपरेशन होते हैं, यह नॉन-मार्जन ऑपरेशन की तुलना में मेमोरी के लिए विद्युत्की खपत बढ़ा सकता है। इसलिए मार्जन निरंतर नहीं बल्कि समय-समय पर की जाती है। कई सर्वरों के लिए, बायोस सेटअप प्रोग्राम में स्क्रब अवधि को समनुरूप किया जा सकता है।
सीपीयू या प्रत्यक्ष मेमोरी एक्सेस डिवाइस द्वारा जारी की गई सामान्य मेमोरी रीड्स को ईसीसी त्रुटियों के लिए जांचा जाता है, परन्तु संदर्भ कारणों की स्थानीयता के कारण उन्हें पतों की एक छोटी श्रृंखला तक सीमित रखा जा सकता है और अन्य मेमोरी स्थानों को बहुत लंबे समय तक अछूता रखा जा सकता है। ये स्थान एक से अधिक क्षणिक त्रुटि के लिए असुरक्षित हो सकते हैं, जबकि मार्जन गारंटीकृत समय के भीतर पूरी मेमोरी की जाँच सुनिश्चित करता है।
कुछ प्रणालियों पर, न मात्र मुख्य मेमोरी ( डायनेमिक रैन्डम एक्सेस मेमोरी -आधारित) स्क्रब करने में सक्षम है बल्कि सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट कैश (स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी -आधारित) भी है। अधिकांश प्रणालियों पर दोनों के लिए मार्जन दरें स्वतंत्र रूप से निर्धारित की जा सकती हैं। क्योंकि कैश मुख्य मेमोरी से बहुत छोटा होता है, कैश के लिए मार्जन को बार-बार करने की आवश्यकता नहीं होती है।
मेमोरी मार्जन से विश्वसनीयता बढ़ती है, इसलिए इसे आर ए एस विशेषता के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है।
वेरिएंट
सामान्यतः दो प्रकार होते हैं, जिन्हें पेट्रोल मार्जन और अनुरोध मार्जन के रूप में जाना जाता है। जबकि वे दोनों अनिवार्य रूप से मेमोरी मार्जन और संबंधित त्रुटि सुधार (यदि यह करने योग्य है) करते हैं, तो मुख्य अंतर यह है कि इन दो प्रकार को कैसे प्रारम्भ और निष्पादित किया जाता है। गश्ती मार्जन स्वचालित विधि से चलती है जब सिस्टम निष्क्रिय होता है, जबकि अनुरोध मार्जन त्रुटि सुधार करता है जब डेटा वस्तुता में मुख्य मेमोरी से अनुरोध किया जाता है।[3]
यह भी देखें
- डेटा मार्जन, एक सामान्य श्रेणी जिसमें मेमोरी मार्जन होती है
- क्षणिक त्रुटि, मेमोरी मार्जन करने का एक महत्वपूर्ण कारण
- त्रुटि संसूचक एवं संशोधन , मेमोरी मार्जन के लिए उपयोग किया जाने वाला एक सामान्य सिद्धांत
- मेमोरी रिफ्रेश, जो मेमोरी में संग्रहीत सूचना को सुरक्षित रखता है
संदर्भ
- ↑ Ronald K. Burek. "The NEAR Solid-State Data Recorders". Johns Hopkins APL Technical Digest. 1998.
- ↑ DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study
- ↑ "Supermicro X9SRA motherboard manual" (PDF). Supermicro. March 5, 2014. p. 4–10. Retrieved February 22, 2015.
