मेमोरी स्क्रबिंग: Difference between revisions
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Latest revision as of 11:21, 23 June 2023
मेमोरी मार्जन में प्रत्येक मेमोरी स्थिति से रीडिंग,बिट त्रुटि (यदि कोई हो) को त्रुटि संसोधन कोड (त्रुटि संशोधन संकेत) के साथ ठीक करना और उचित डेटा को उसी स्थान पर वापस लिखना सम्मिलित है।[1]
आधुनिक कंप्यूटर मेमोरी एकीकृत परिपथ के उच्च एकीकरण घनत्व के कारण, व्यक्तिगत मेमोरी सेल संरचनाएं ब्रह्मांडीय किरणों और/या अल्फा कण उत्सर्जन के प्रति संवेदनशील होने के लिए अत्यधिक छोटी हो गई हैं। इन घटनाओं के कारण होने वाली त्रुटियों को क्षणिकत्रुटि कहा जाता है। 8% से अधिक डीआईएमएम मॉड्यूल प्रति वर्ष कम से कम संशोधन योग्य त्रुटि का अनुभव करते हैं।[2] यह डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी और स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी आधारित मेमोरी के लिए एक समस्या हो सकती है। किसी भी व्यक्तिगत मेमोरी बिट में क्षणिक त्रुटि की संभावना बहुत कम है। यद्यपि, बड़ी मात्रा में मेमोरी के साथ-साथ आधुनिक कंप्यूटर—विशेष रूप से सर्वर (कंप्यूटिंग) —साथ सुसज्जित हैं, और साथ में उपरिकाल की विस्तारित अवधि के साथ, स्थापित कुल मेमोरी में क्षणिक त्रुटियों की संभावना महत्वपूर्ण है।[citation needed]
एक ईसीसी मेमोरी में सूचना प्रति मेमोरी शब्द एकबिट त्रुटि को ठीक करने के लिए पर्याप्त रूप से संग्रहीत की जाती है। इसलिए, ईसीसी मेमोरी वस्तु के मार्जन का समर्थन कर सकती है। अर्थात, यदि मेमोरी नियंत्रक मेमोरी के माध्यम से व्यवस्थित रूप से क्रमवीक्षण करते है, तो एकल बिट त्रुटियों का पता लगाया जा सकता है, अनुचित बिट को ईसीसी योगज का उपयोग करके निर्धारित किए जा सकते है, और उचित डेटा को मेमोरी में वापस लिखा जा सकता है।
अवलोकन
एक ही शब्द के भीतर कई बिट त्रुटियों के होने की संभावना से पहले, प्रत्येक मेमोरी स्थान को समय-समय पर पर्याप्त रूप से जांचना महत्वपूर्ण है, क्योंकि सामान्य (2008 तक) ईसीसी मेमोरी मॉड्यूल की स्थिति में एक बिट त्रुटियों को ठीक किया जा सकता है, परन्तु कई बिट त्रुटियों को ठीक नहीं किया जा सकता है।
सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट से नियमित मेमोरी अनुरोधों को विक्षोभ न करने के लिए और इस प्रकार घटते निष्पादन को रोकने के लिए, मार्जन सामान्यतः निष्क्रिय अवधि के समय ही की जाती है। चूंकि मार्जन में सामान्य पढ़ने और लिखने के संचालन होते हैं, यह गैर-मार्जन संचालन की तुलना में मेमोरी के लिए विद्युत खपत बढ़ा सकती है। इसलिए मार्जन निरंतर नहीं बल्कि समय-समय पर की जाती है। कई सर्वरों के लिए, बायोस व्यवस्था प्रोग्राम में मार्जन अवधि को समनुरूप किया जा सकता है।
सीपीयू या प्रत्यक्ष मेमोरी एक्सेस युक्ति द्वारा जारी की गई सामान्य मेमोरी रीड को ईसीसी त्रुटियों के लिए जांचा जाता है, परन्तु संदर्भ कारणों की स्थानीयता के कारण उन्हें एड्रेस की छोटी श्रृंखला तक सीमित रखा जा सकता है और अन्य मेमोरी स्थानों को बहुत लंबे समय तक अप्रभावित रखा जा सकता है। ये स्थान एक से अधिक क्षणिक त्रुटि के लिए असुरक्षित हो सकते हैं, जबकि मार्जन गारंटीकृत समय के भीतर पूर्ण मेमोरी की जाँच सुनिश्चित करते है।
कुछ प्रणालियों पर, न मात्र मुख्य मेमोरी (डायनेमिक रैन्डम एक्सेस मेमोरी-आधारित) मार्जन करने में सक्षम है बल्कि सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट कैश (स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी-आधारित) भी है। अधिकांश प्रणालियों पर दोनों के लिए मार्जन दरें स्वतंत्र रूप से निर्धारित की जा सकती हैं। क्योंकि कैश मुख्य मेमोरी से बहुत छोटा होता है, कैश के लिए मार्जन को बार-बार करने की आवश्यकता नहीं होती है।
मेमोरी मार्जन से विश्वसनीयता बढ़ती है, इसलिए इसे आरएएस विशेषता के रूप में वर्गीकृत किए जा सकते है।
प्रकार
सामान्यतः दो प्रकार होते हैं, जिन्हें गश्त मार्जन और अनुरोध मार्जन के रूप में जाना जाता है। जबकि वे दोनों अनिवार्य रूप से मेमोरी मार्जन और संबंधित त्रुटि संशोधन (यदि यह करने योग्य है) करते हैं, तो मुख्य अंतर यह है कि इन दो प्रकार को कैसे प्रारम्भ और निष्पादित किया जाता है। गश्त मार्जन स्वचालित विधि से चलती है जब तंत्र निष्क्रिय होता है, जबकि अनुरोध मार्जन त्रुटि संशोधन करते है जब डेटा वस्तुता में मुख्य मेमोरी से अनुरोध किया जाता है।[3]
यह भी देखें
- डेटा मार्जन, सामान्य श्रेणी जिसमें मेमोरी मार्जन होती है
- क्षणिक त्रुटि, मेमोरी मार्जन करने का महत्वपूर्ण कारण
- त्रुटि संसूचक एवं संशोधन, मेमोरी मार्जन के लिए उपयोग किए जाने वाले सामान्य सिद्धांत
- मेमोरी रिफ्रेश, जो मेमोरी में संग्रहीत सूचना को सुरक्षित रखते है
संदर्भ
- ↑ Ronald K. Burek. "The NEAR Solid-State Data Recorders". Johns Hopkins APL Technical Digest. 1998.
- ↑ DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study
- ↑ "Supermicro X9SRA motherboard manual" (PDF). Supermicro. March 5, 2014. p. 4–10. Retrieved February 22, 2015.
