इंटेल 1103: Difference between revisions

From Vigyanwiki
(Created page with "{{short description|Early solid state memory}} {{Infobox storage medium | name = Intel 1103 | logo = | image = Intel_C1103.jpg | caption = A c...")
 
No edit summary
 
(13 intermediate revisions by 3 users not shown)
Line 21: Line 21:
| discontinued  = 1979<ref>Intel Corporation, "The 1103 retires!", Intel Preview, March/April 1979, page 23</ref>
| discontinued  = 1979<ref>Intel Corporation, "The 1103 retires!", Intel Preview, March/April 1979, page 23</ref>
}}
}}
1103 एक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (DRAM) [[ एकीकृत परिपथ ]] (IC) विकसित और [[इंटेल]] द्वारा [[सेमीकंडक्टर निर्माण]] है। अक्टूबर 1970 में पेश किया गया, 1103 पहला व्यावसायिक रूप से उपलब्ध DRAM IC था; और इसके छोटे भौतिक आकार और [[चुंबकीय-कोर मेमोरी]] के सापेक्ष कम कीमत के कारण, इसने बाद वाले को कई अनुप्रयोगों में बदल दिया।<ref>Jacob, Bruce et al. (2008). ''Memory Systems: Cache, DRAM, Disk''. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457&ndash;458.</ref><ref name=Bellis /> जब इसे 1970 में पेश किया गया था, प्रारंभिक उत्पादन पैदावार खराब थी, और यह उत्पादन मास्क के पांचवें चरण के स्तर तक नहीं था कि यह 1971 के दौरान बड़ी मात्रा में उपलब्ध हो गया। इंटेल ने जून 1974 में 250,000वीं 1103 रैम को भेज दिया।<ref>[https://timeline.intel.com/1974/a-milestone-for-the-1103 A Milestone for the 1103]</ref>
1103 एक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (डीआरएएम) [[ एकीकृत परिपथ |इंटीग्रेटेड परिपथ]] (आईसी) है जिसे [[इंटेल]] द्वारा विकसित और [[सेमीकंडक्टर निर्माण|सेमीकंडक्टर निर्मित]] किया गया है। अक्टूबर 1970 में प्रस्तुत किया गया, 1103 पहला व्यावसायिक रूप से उपलब्ध डीआरएएम आईसी था; और इसके छोटे भौतिक आकार और [[चुंबकीय-कोर मेमोरी|मैग्नेटिक-कोर मेमोरी]] के सापेक्ष कम कीमत के कारण, इसने बाद वाले को कई अनुप्रयोगों में बदल दिया।<ref>Jacob, Bruce et al. (2008). ''Memory Systems: Cache, DRAM, Disk''. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457&ndash;458.</ref><ref name=Bellis /> जब इसे 1970 में प्रस्तुत किया गया था, प्रारंभिक उत्पादन उत्पत्ति खराब थी, और यह उत्पादन मास्क के पांचवें चरण के स्तर तक नहीं था कि यह 1971 के समय बड़ी मात्रा में उपलब्ध हो गया। इंटेल ने जून 1974 में 250,000वीं 1103 रैम को भेज दिया।<ref name=":0">[https://timeline.intel.com/1974/a-milestone-for-the-1103 A Milestone for the 1103]</ref>
 
 
== विकास ==
== विकास ==


1969 में [[हनीवेल]] में विलियम रेजिट्ज़ और उनके सहयोगियों ने एक तीन-[[ट्रांजिस्टर]] डायनेमिक [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]] का आविष्कार किया और एक निर्माता के लिए सेमीकंडक्टर उद्योग का प्रचार करना शुरू किया। हाल ही में स्थापित इंटेल कॉर्पोरेशन ने दो बहुत ही समान 1024-बिट चिप्स, 1102 और 1103 का जवाब दिया और [[जोएल कार्प]] के नेतृत्व में विलियम रेजिट्ज़ के साथ मिलकर काम किया।<ref>[http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Karp_Joel/102658274.05.01.pdf Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie] March 3, 2003 | Atherton, California</ref> अंतत: केवल 1103 उत्पादन में चला गया।
1969 में [[हनीवेल]] में विलियम रेजिट्ज़ और उनके सहयोगियों ने तीन-[[ट्रांजिस्टर]] डायनेमिक [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]] का आविष्कार किया और एक निर्माता के लिए सेमीकंडक्टर उद्योग का प्रचार करना प्रारंभ किया। वर्तमान में स्थापित इंटेल कॉर्पोरेशन ने दो बहुत ही समान 1024-बिट चिप्स, 1102 और 1103 का विकास किया और [[जोएल कार्प]] के नेतृत्व में विलियम रेजिट्ज़ के साथ मिलकर काम किया।<ref>[http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Karp_Joel/102658274.05.01.pdf Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie] March 3, 2003 | Atherton, California</ref> अंतत: केवल 1103 उत्पादन में चला गया।


[[माइक्रोसिस्टम्स इंटरनेशनल]] 1971 में 1103 के लिए पहला [[दूसरा स्रोत]] बन गया।<ref name="Tedlow2006">{{cite book
[[माइक्रोसिस्टम्स इंटरनेशनल]] 1971 में 1103 के लिए पहला [[दूसरा स्रोत]] बन गया।<ref name="Tedlow2006">{{cite book
Line 36: Line 34:
|pages=[https://archive.org/details/andygrovelifeand00tedl/page/141 141–142]
|pages=[https://archive.org/details/andygrovelifeand00tedl/page/141 141–142]
|isbn=9781591841395
|isbn=9781591841395
}}</ref> बाद में [[ राष्ट्रीय सेमीकंडक्टर ]], [[सिग्नेटिक्स]] और [[ सिनर्टेक ]] ने 1103 का भी निर्माण किया।
}}</ref> बाद में [[ राष्ट्रीय सेमीकंडक्टर |नेशनल सेमीकंडक्टर]] , [[सिग्नेटिक्स]] और [[ सिनर्टेक |सिनर्टेक]] ने 1103 का भी निर्माण किया।


== तकनीकी विवरण ==
== तकनीकी विवरण ==
Line 44: Line 42:
{|class="wikitable" style="text-align:center;"
{|class="wikitable" style="text-align:center;"
|-
|-
|''t''<sub>RWC</sub>||580&nbsp;ns||align=left|Random read or write cycle time (from one +ve Precharge edge to the next)
|''t''<sub>RWC</sub>||580&nbsp;ns||align=left|रैंडम पढ़ने या लिखने का चक्र समय (एक +ve प्रीचार्ज एज से अगले तक)
|-
|-
|''t''<sub>PO</sub>||300&nbsp;ns||align=left|Access time: Precharge High to valid data out
|''t''<sub>PO</sub>||300&nbsp;ns||align=left|एक्सेस टाइम: प्रीचार्ज हाई टू वैलिड डेटा आउट
|-
|-
|''t''<sub>REF</sub>||2&nbsp;ms||align=left|Refresh time
|''t''<sub>REF</sub>||2&nbsp;ms||align=left|रिफ्रेश टाइम
|-
|-
|V<sub>CC</sub>||16&nbsp;V||align=left|Supply voltage
|V<sub>CC</sub>||16&nbsp;V||align=left|सप्लाई वोल्टेज
|-
|-
|[[PMOS logic|''p''-MOS]]||[[10 μm process|8&nbsp;μm]]<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=History of Semiconductor Engineering |date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm<sup>2</sup> memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>||align=left|Production process ([[silicon gate]] [[MOSFET]])
|[[PMOS logic|''p''-MOS]]||[[10 μm process|8&nbsp;μm]]<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=History of Semiconductor Engineering |date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm<sup>2</sup> memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>||align=left|प्रोडक्शन प्रोसेस ([[silicon gate|सिलिकॉन गेट]] [[MOSFET|एमओएसएफईटी]])
|-
|-
|Capacity||1024x1||align=left|Capacity x bus width
|Capacity||1024x1||align=left|क्षमता x बस चौड़ाई
|}
|}
== संदर्भ ==
== संदर्भ ==
{{Reflist}}
{{Reflist}}
{{Intel}}
{{Intel}}
[[Category: इंटेल उत्पाद | 1103]] [[Category: 1970 में कंप्यूटर से संबंधित परिचय]] [[Category: स्मृति]]
 
 


{{engineering-stub}}
{{engineering-stub}}


 
[[Category:1970 में कंप्यूटर से संबंधित परिचय]]
 
[[Category:All stub articles]]
[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category:Collapse templates]]
[[Category:Created On 31/05/2023]]
[[Category:Created On 31/05/2023]]
[[Category:Engineering stubs]]
[[Category:Infobox templates|storage medium]]
[[Category:Lua-based templates]]
[[Category:Machine Translated Page]]
[[Category:Navigational boxes| ]]
[[Category:Navigational boxes without horizontal lists]]
[[Category:Pages with script errors]]
[[Category:Sidebars with styles needing conversion]]
[[Category:Template documentation pages|Documentation/doc]]
[[Category:Templates Vigyan Ready]]
[[Category:Templates generating microformats]]
[[Category:Templates that add a tracking category]]
[[Category:Templates that are not mobile friendly]]
[[Category:Templates that generate short descriptions]]
[[Category:Templates using TemplateData]]
[[Category:Wikipedia metatemplates]]
[[Category:इंटेल उत्पाद| 1103]]
[[Category:स्मृति]]

Latest revision as of 12:31, 23 June 2023

Intel 1103
Intel C1103.jpg
A ceramic C1103 variant.
मीडिया प्रकार8 μm p-MOS DRAM
क्षमता1 kilobit
मानक18-pin DIP
द्वारा विकसितIntel
उपयोगHP 9800 series,[1] PDP-11,[2] MAXC[3] and others
जारी कियाOctober 1970 (1970-10)[4]
बंद कर दिया1979[5]

1103 एक डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डीआरएएम) इंटीग्रेटेड परिपथ (आईसी) है जिसे इंटेल द्वारा विकसित और सेमीकंडक्टर निर्मित किया गया है। अक्टूबर 1970 में प्रस्तुत किया गया, 1103 पहला व्यावसायिक रूप से उपलब्ध डीआरएएम आईसी था; और इसके छोटे भौतिक आकार और मैग्नेटिक-कोर मेमोरी के सापेक्ष कम कीमत के कारण, इसने बाद वाले को कई अनुप्रयोगों में बदल दिया।[6][1] जब इसे 1970 में प्रस्तुत किया गया था, प्रारंभिक उत्पादन उत्पत्ति खराब थी, और यह उत्पादन मास्क के पांचवें चरण के स्तर तक नहीं था कि यह 1971 के समय बड़ी मात्रा में उपलब्ध हो गया। इंटेल ने जून 1974 में 250,000वीं 1103 रैम को भेज दिया।[7]

विकास

1969 में हनीवेल में विलियम रेजिट्ज़ और उनके सहयोगियों ने तीन-ट्रांजिस्टर डायनेमिक मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग) का आविष्कार किया और एक निर्माता के लिए सेमीकंडक्टर उद्योग का प्रचार करना प्रारंभ किया। वर्तमान में स्थापित इंटेल कॉर्पोरेशन ने दो बहुत ही समान 1024-बिट चिप्स, 1102 और 1103 का विकास किया और जोएल कार्प के नेतृत्व में विलियम रेजिट्ज़ के साथ मिलकर काम किया।[8] अंतत: केवल 1103 उत्पादन में चला गया।

माइक्रोसिस्टम्स इंटरनेशनल 1971 में 1103 के लिए पहला दूसरा स्रोत बन गया।[9] बाद में नेशनल सेमीकंडक्टर , सिग्नेटिक्स और सिनर्टेक ने 1103 का भी निर्माण किया।

तकनीकी विवरण

DRAM मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग) इंटेल i1103 चिप की।
tRWC 580 ns रैंडम पढ़ने या लिखने का चक्र समय (एक +ve प्रीचार्ज एज से अगले तक)
tPO 300 ns एक्सेस टाइम: प्रीचार्ज हाई टू वैलिड डेटा आउट
tREF 2 ms रिफ्रेश टाइम
VCC 16 V सप्लाई वोल्टेज
p-MOS 8 μm[10] प्रोडक्शन प्रोसेस (सिलिकॉन गेट एमओएसएफईटी)
Capacity 1024x1 क्षमता x बस चौड़ाई

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 Mary Bellis (August 25, 2016). "Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip". ThoughtCo.
  2. ↑ PDP-11/45, 11/50, and 11/55 System Maintenance Manual (PDF). Digital Equipment Corporation. September 1976.
  3. ↑ Fiala, Edward R. (May 1978). "The Maxc Systems" (PDF). GitHub. IEEE Computer Society. Retrieved October 12, 2022. The most significant contributor to reliability has been main-memory error correction. During the first six months of operation, we replaced about 12 failing 1Kx1 MOS RAMs per month: this has gradually declined to about three failures a month during the last three years. However, because of error correction, a negligible number of these failures has caused crashes.
  4. ↑ "Defining Intel: 25 Years/25 Events" (PDF). Intel Corporation. Page 6.
  5. ↑ Intel Corporation, "The 1103 retires!", Intel Preview, March/April 1979, page 23
  6. ↑ Jacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457–458.
  7. ↑ A Milestone for the 1103
  8. ↑ Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie March 3, 2003 | Atherton, California
  9. ↑ Tedlow, Richard S. (2006). Andy Grove: The Life and Times of an American. Portfolio. pp. 141–142. ISBN 9781591841395.
  10. ↑ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. pp. 362–363. ISBN 9783540342588. The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.


Stub icon

This engineering-related article is a stub. You can help Wikipedia by expanding it.

Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=इंटेल_1103&oldid=195370’