लेजर-हीटेड पेडस्टल ग्रोथ: Difference between revisions

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लेजर-हीटेड पेडस्टल ग्रोथ (LHPG) या लेजर फ्लोटिंग ज़ोन (LFZ) एक [[ क्रिस्टल वृद्धि ]] तकनीक है। एक क्रिस्टल का एक संकीर्ण क्षेत्र एक शक्तिशाली कार्बन डाइऑक्साइड लेजर | सीओ से पिघलाया जाता है<small>2</small>या [[येट्रियम एल्यूमीनियम गार्नेट]] लेजर। लेज़र और इसलिए जोन पिघलता है, [[क्रिस्टल]] के साथ ले जाया जाता है। पिघला हुआ क्षेत्र अशुद्ध ठोस को उसके आगे के किनारे पर पिघला देता है और उसके पीछे जमी हुई शुद्ध सामग्री का आभास छोड़ जाता है। सामग्री अनुसंधान में पिघल (तरल / ठोस [[चरण संक्रमण]]) से बढ़ते क्रिस्टल के लिए इस तकनीक का उपयोग किया जाता है।<ref> {{cite book |last=Feigelson |first=R.S. |year=1985 |chapter=Growth of fiber crystals |editor=Kaldis, E |title=Crystal Growth of Electronic Materials |page=127 |isbn=978-0-444-86919-7 }}</ref><ref> {{cite book |last=Andreeta |first=M.R.B. |author2=Hernandes, A.C. |year=2010 |chapter=Laser-Heated Pedestal Growth of Oxide Fibers |editor=Dhanaraj, G. |editor2=Byrappa, K. |editor3=Prasad, V. |editor4=Dudley, M. |title=Springer Handbook of Crystal Growth |page=393 |isbn=978-3-540-74182-4 }}</ref>
लेजर-हीटेड पेडस्टल ग्रोथ (LHPG) या लेजर फ्लोटिंग जोन (LFZ) एक क्रिस्टल विकास तकनीक है।जिसमे क्रिस्टल के एक संकीर्ण क्षेत्र को शक्तिशाली CO<sub>2</sub> या YAG लेजर से पिघलाया जाता है।इस कारण यह लेज़र और तैरते हुए क्षेत्र क्रिस्टल के साथ चलता है। पिघला हुआ क्षेत्र अपने आगे के किनारे पर अशुद्ध ठोस को पिघला देता है और इसके पीछे यह ठोस पदार्थ की एक किरण छोड़ देता है। पिघले हुए द्रव (द्रव/ठोस चरण संक्रमण) से क्रिस्टल वृद्धि की इस तकनीक का उपयोग सामग्री अनुसंधान में किया जाता है।<ref> {{cite book |last=Feigelson |first=R.S. |year=1985 |chapter=Growth of fiber crystals |editor=Kaldis, E |title=Crystal Growth of Electronic Materials |page=127 |isbn=978-0-444-86919-7 }}</ref><ref> {{cite book |last=Andreeta |first=M.R.B. |author2=Hernandes, A.C. |year=2010 |chapter=Laser-Heated Pedestal Growth of Oxide Fibers |editor=Dhanaraj, G. |editor2=Byrappa, K. |editor3=Prasad, V. |editor4=Dudley, M. |title=Springer Handbook of Crystal Growth |page=393 |isbn=978-3-540-74182-4 }}</ref>
=== लाभ ===
इस तकनीक का मुख्य लाभ उच्च खींचने की दर (पारंपरिक कज़ोक्राल्स्की तकनीक से 60 गुना अधिक) और उच्च गलनांक वाली सामग्री को उत्पन्न करने की संभावना पर निर्भर करता है।<ref> {{cite journal |last=Ardila |first=D.R. |author2=Andreeta, M.R.B. |author3=Cuffini, S.L. |year=1997 |title=Laser heated pedestal growth of Sr<sub>2</sub>RuO<sub>4</sub> single-crystal fibers from SrRuO<sub>3</sub> |journal=Journal of Crystal Growth |volume=177 |issue=1–2 |pages=52–56 |doi=10.1016/S0022-0248(96)00904-9 |bibcode = 1997JCrGr.177...52A |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=De Camargo |first=A.S.S |author2=Nunes, L.A.O. |author3=Andreeta, M.R.B. |year=2002 |title=Near-infrared and upconversion properties of neodymium-doped RE<sub>0.8</sub>La<sub>0.2</sub>VO<sub>4</sub> (RE = Y, Gd) single-crystal fibres grown by the laser-heated pedestal growth technique |journal=[[Journal of Physics: Condensed Matter]] |volume=14 |issue=50 |pages=13889–13897 |doi=10.1088/0953-8984/14/50/314 |bibcode=2002JPCM...1413889D |s2cid=250907003 |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=De Vicente |first=F.S. |year=1999 |author2=Hernandes, A.C. |author3=De Castro, A.C. |title=Photoluminescence spectrum of rare earth doped zirconia fibre and power excitation dependence |journal=Radiation Effects and Defects in Solids |volume=149 |issue=1–4 |pages=153–157 |doi=10.1080/10420159908230149 |bibcode = 1999REDS..149..153D |display-authors=etal}}</ref>इसके अतिरिक्त LHPG एक कुल्हिया-मुक्त तकनीक है, जो एकल क्रिस्टल को उच्च शुद्धता और कम तनाव के साथ विकसित करने की अनुमति देती है।क्रिस्टल का ज्यामितीय आकार (तकनीक छोटे व्यास का उत्पादन कर सकती है), और कम उत्पादन लागत, LHPG द्वारा उत्पादित एकल-क्रिस्टल फाइबर (SCF) को कई उपकरणों में थोक क्रिस्टल के लिए उपयुक्त विकल्प के रूप में प्रयोग करता है, विशेष रूप से वे जो उच्च क्वथनांक बिंदु का उपयोग करते हैं।<ref> {{cite journal |last=De Camargo |first=A.S.S. |author2=Andreeta, M.R.B |author3=Hernandes, A.C. |year=2006 |title=1.8&nbsp;µm emission and excited state absorption in LHPG grown Gd<sub>0.8</sub>La<sub>0.2</sub>VO<sub>4</sub>:Tm<sup>3+</sup> single crystal fibers for miniature lasers |journal=[[Optical Materials]] |volume=28 |issue=5 |pages=551–555 |doi=10.1016/j.optmat.2005.07.002 |bibcode = 2006OptMa..28..551D |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=Romero |first=J.J. |author2=Montoya, E. |author3=Bausa, L.E. |year=2004 |title=Multiwavelength laser action of Nd<sup>3+</sup>:YAlO<sub>3</sub> single crystals grown by the laser heated pedestal growth method |journal=[[Optical Materials]] |volume=24 |issue=4 |pages=643–650 |doi=10.1016/S0925-3467(03)00179-4 |bibcode = 2004OptMa..24..643R |s2cid=95249182 |display-authors=etal}}</ref> यद्यपि तकनीकी उपकरणों में स्थानापन्न स्थापित करने के लिए एकल-क्रिस्टल फाइबर में थोक क्रिस्टल की तुलना में समान या बेहतर प्रकाशकीय और संरचनात्मक गुण होने चाहिए। इसे विकास स्थितियों को सावधानीपूर्वक नियंत्रित करके प्राप्त किया जा सकता है।<ref> {{cite journal |author1=Prokofiev, V.V. |author2=Andreeta, J.P. |author3=Delima, C.J. |year=1995 |title=Microstructure of single-crystal sillenite fibers |journal=Radiation Effects and Defects in Solids |volume=134 |issue=1–4 |pages=209–211 |doi=10.1080/10420159508227216 |bibcode = 1995REDS..134..209P |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |author1=Prokofiev, V.V. |author2=Andreeta, J.P. |author3=Delima, C.J. |date=1995 |title=The influence of temperature gradients on structural perfection of single-crystal sillenite fibers grown by the LHPG method |journal=[[Optical Materials]] |volume=4 |issue=4 |pages=521–527 |doi=10.1016/0925-3467(94)00123-5 |bibcode = 1995OptMa...4..521P |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=Andreeta|first=M.R.B. |author2=Andreeta, E.R.M. |author3=Hernandes, A.C. |date=2002 |title=Thermal gradient control at the solid–liquid interface in the laser-heated pedestal growth technique |journal=Journal of Crystal Growth |volume=234 |issue=4 |pages=759–761 |doi=10.1016/S0022-0248(01)01736-5 |bibcode = 2002JCrGr.234..759A |display-authors=etal}}</ref>


=== प्रकाशीय तत्व ===
LFZ प्रणाली का योजनाबद्ध आरेख


== लाभ ==
1980 तक, लेज़र-हीटेड क्रिस्टल विकास में स्रोत सामग्री पर केंद्रित केवल दो लेज़र बीम का उपयोग किया जाता था।<ref> {{cite journal |last=Burrus |first=C.A. |author2=Stone, J. |year=1975 |title=Single−crystal fiber optical devices: A Nd:YAG fiber laser |journal=[[Applied Physics Letters]] |volume=26 |pages=318 |doi=10.1063/1.88172 |bibcode = 1975ApPhL..26..318B |issue=6 }}</ref> इस स्थिति ने पिघले हुए क्षेत्र में एक उच्च त्रिज्यीय उष्मीय अनुप्रवण उत्पन्न किया, जिससे प्रक्रिया अस्थिर हो गई। बीमों की संख्या बढ़ाकर चार करने से समस्या का समाधान नहीं हुआ,यद्यपि इससे विकास प्रक्रिया में सुधार हुआ।<ref> {{Cite journal |last=Haggerty |first=J.S. |title=Production of fibers by a floating zone fiber drawing technique, Final Report |id=NASA-CR-120948 |year=1972 }}</ref>लेजर-तापीय क्रिस्टल विकास तकनीक में सुधार फेजर एट अल द्वारा किया गया था।<ref> {{cite conference |last=Fejer |first=M.M. |author2=Byer, R.L. |author3=Feigelson R. |author4= Kway W. |title=Growth and characterization of single crystal refractory oxide fibers |book-title=Proceedings of the SPIE, Advances in Infrared Fibers II |volume=320 |year=1982 |page=50 |location=Bellingham, WA |publisher=[[SPIE]] |isbn=978-0-89252-355-9 }}</ref>जिन्होंने इसमें एक विशेष प्रकाशीय घटक को सम्मिलित  किया था जिसे रिफ्लेक्सिकॉन के रूप में जाना जाता है, जिसमें एक बड़े समाक्षीय शंकु खंड से घिरा एक आंतरिक शंकु दोनों परावर्तक सतहों के साथ सम्मिलित होता है। यह प्रकाशीय तत्व बेलनाकार लेजर बीम को एक बड़े व्यास वाले खोखले सिलेंडर की सतह में परिवर्तित करता है।<ref> {{cite journal |last=Edmonds |first=W.R. |year=1973 |title=The reflaxicon: a new reflective optical element, and some applications |journal=[[Applied Optics]] |volume=12 |issue=8 |pages=1940–5 |url=http://www.opticsinfobase.org/ao/abstract.cfm?URI=ao-12-8-1940 |doi=10.1364/AO.12.001940 |pmid=20125635 |bibcode = 1973ApOpt..12.1940E }}</ref> यह प्रकाशीय घटक पिघले हुए क्षेत्र पर लेजर ऊर्जा के त्रिज्यीय  वितरण की अनुमति देता है, जिससे त्रिज्यीय उष्मीय अनुप्रवन कम हो जाते हैं। इस तकनीक में अक्षीय तापमान प्रवणता 10000 डिग्री सेल्सियस/सेमी तक जा सकती है, जो पारंपरिक क्रिस्टल विकास तकनीकों (10-100 डिग्री सेल्सियस/सेमी) की तुलना में बहुत अधिक है।
इस तकनीक का मुख्य लाभ उच्च खींचने की दर (पारंपरिक [[Czochralski तकनीक]] से 60 गुना अधिक) और बहुत उच्च गलनांक वाली सामग्री के बढ़ने की संभावना है।<ref> {{cite journal |last=Ardila |first=D.R. |author2=Andreeta, M.R.B. |author3=Cuffini, S.L. |year=1997 |title=Laser heated pedestal growth of Sr<sub>2</sub>RuO<sub>4</sub> single-crystal fibers from SrRuO<sub>3</sub> |journal=Journal of Crystal Growth |volume=177 |issue=1–2 |pages=52–56 |doi=10.1016/S0022-0248(96)00904-9 |bibcode = 1997JCrGr.177...52A |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=De Camargo |first=A.S.S |author2=Nunes, L.A.O. |author3=Andreeta, M.R.B. |year=2002 |title=Near-infrared and upconversion properties of neodymium-doped RE<sub>0.8</sub>La<sub>0.2</sub>VO<sub>4</sub> (RE = Y, Gd) single-crystal fibres grown by the laser-heated pedestal growth technique |journal=[[Journal of Physics: Condensed Matter]] |volume=14 |issue=50 |pages=13889–13897 |doi=10.1088/0953-8984/14/50/314 |bibcode=2002JPCM...1413889D |s2cid=250907003 |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=De Vicente |first=F.S. |year=1999 |author2=Hernandes, A.C. |author3=De Castro, A.C. |title=Photoluminescence spectrum of rare earth doped zirconia fibre and power excitation dependence |journal=Radiation Effects and Defects in Solids |volume=149 |issue=1–4 |pages=153–157 |doi=10.1080/10420159908230149 |bibcode = 1999REDS..149..153D |display-authors=etal}}</ref> इसके अलावा, एलएचपीजी एक [[क्रूसिबल]]-मुक्त तकनीक है, जो [[एकल क्रिस्टल]] को उच्च शुद्धता और कम तनाव के साथ उगाने की अनुमति देती है।


क्रिस्टल का ज्यामितीय आकार (तकनीक छोटे व्यास का उत्पादन कर सकती है), और कम उत्पादन लागत, एलएचपीजी द्वारा उत्पादित सिंगल-क्रिस्टल फाइबर (एससीएफ) को कई उपकरणों में बल्क क्रिस्टल के लिए उपयुक्त विकल्प बनाती है, विशेष रूप से वे जो उच्च-पिघलने बिंदु का उपयोग करते हैं। | [[गलनांक]] सामग्री।<ref> {{cite journal |last=De Camargo |first=A.S.S. |author2=Andreeta, M.R.B |author3=Hernandes, A.C. |year=2006 |title=1.8&nbsp;µm emission and excited state absorption in LHPG grown Gd<sub>0.8</sub>La<sub>0.2</sub>VO<sub>4</sub>:Tm<sup>3+</sup> single crystal fibers for miniature lasers |journal=[[Optical Materials]] |volume=28 |issue=5 |pages=551–555 |doi=10.1016/j.optmat.2005.07.002 |bibcode = 2006OptMa..28..551D |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=Romero |first=J.J. |author2=Montoya, E. |author3=Bausa, L.E. |year=2004 |title=Multiwavelength laser action of Nd<sup>3+</sup>:YAlO<sub>3</sub> single crystals grown by the laser heated pedestal growth method |journal=[[Optical Materials]] |volume=24 |issue=4 |pages=643–650 |doi=10.1016/S0925-3467(03)00179-4 |bibcode = 2004OptMa..24..643R |s2cid=95249182 |display-authors=etal}}</ref> हालांकि, तकनीकी उपकरणों में उनके स्थानापन्न करने के लिए बल्क क्रिस्टल की तुलना में सिंगल-क्रिस्टल फाइबर में समान या बेहतर ऑप्टिकल और संरचनात्मक गुण होने चाहिए। यह विकास स्थितियों को सावधानीपूर्वक नियंत्रित करके प्राप्त किया जा सकता है।<ref> {{cite journal |author1=Prokofiev, V.V. |author2=Andreeta, J.P. |author3=Delima, C.J. |year=1995 |title=Microstructure of single-crystal sillenite fibers |journal=Radiation Effects and Defects in Solids |volume=134 |issue=1–4 |pages=209–211 |doi=10.1080/10420159508227216 |bibcode = 1995REDS..134..209P |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |author1=Prokofiev, V.V. |author2=Andreeta, J.P. |author3=Delima, C.J. |date=1995 |title=The influence of temperature gradients on structural perfection of single-crystal sillenite fibers grown by the LHPG method |journal=[[Optical Materials]] |volume=4 |issue=4 |pages=521–527 |doi=10.1016/0925-3467(94)00123-5 |bibcode = 1995OptMa...4..521P |display-authors=etal}}</ref><ref> {{cite journal |last=Andreeta|first=M.R.B. |author2=Andreeta, E.R.M. |author3=Hernandes, A.C. |date=2002 |title=Thermal gradient control at the solid–liquid interface in the laser-heated pedestal growth technique |journal=Journal of Crystal Growth |volume=234 |issue=4 |pages=759–761 |doi=10.1016/S0022-0248(01)01736-5 |bibcode = 2002JCrGr.234..759A |display-authors=etal}}</ref>
=== संवहन गति ===
LHPG तकनीक की एक विशेषता मारंगोनी संवहन के कारण द्रव चरण में इसकी उच्च संवहन गति है।<ref> {{cite journal |last=Liu  |first=M. |author2=Chen, J.C. |author3=Chiang, C.H. |author4=Hu, L.J. |author5= Lin, S.P. |year=2006 |title=Mg-doped sapphire crystal fibers grown by laser-heated pedestal growth method |journal=[[Japanese Journal of Applied Physics]] |volume=45 |issue=1A |pages=194–199 |doi=10.1143/JJAP.45.194 |bibcode = 2006JaJAP..45..194L |s2cid=120615103 }}</ref><ref>The video presented in the following reference shows the liquid phase convection during [[lithium niobate]] (LiNbO<sub>3</sub>) fiber pulling using a very small piece of [[platinum]] wire inside the liquid that is allowed to spin. {{cite web |url=https://www.youtube.com/watch?v=b-oynmLOYrg |title=Convection in Laser Heated Pedestal Growth technique |website=YouTube }}</ref>इसके लिए यह देखना संभव है कि यह बहुत तेजी से घूमता है। यहां तक ​​कि जब यह स्थिर खड़ा प्रतीत होता है, तब भी यह वास्तव में अपनी धुरी पर तेजी से घूम रहा होता है।


=== यह भी देखें ===


== ऑप्टिकल तत्व ==
[[File:LFZ.svg|thumb|300px|एलएफजेड प्रणाली की योजनाबद्ध]]1980 तक, लेज़र-हीटेड क्रिस्टल ग्रोथ में स्रोत सामग्री पर केंद्रित केवल दो लेज़र बीम का उपयोग किया जाता था।<ref> {{cite journal |last=Burrus |first=C.A. |author2=Stone, J. |year=1975 |title=Single−crystal fiber optical devices: A Nd:YAG fiber laser |journal=[[Applied Physics Letters]] |volume=26 |pages=318 |doi=10.1063/1.88172 |bibcode = 1975ApPhL..26..318B |issue=6 }}</ref> इस स्थिति ने पिघले हुए क्षेत्र में एक उच्च रेडियल थर्मल ग्रेडिएंट उत्पन्न किया, जिससे प्रक्रिया अस्थिर हो गई। बीमों की संख्या बढ़ाकर चार करने से समस्या का समाधान नहीं हुआ, हालांकि इसने विकास प्रक्रिया में सुधार किया।<ref> {{Cite journal |last=Haggerty |first=J.S. |title=Production of fibers by a floating zone fiber drawing technique, Final Report |id=NASA-CR-120948 |year=1972 }}</ref> फेजर एट अल द्वारा लेजर-हीटेड क्रिस्टल ग्रोथ तकनीक में सुधार किया गया था।<ref> {{cite conference |last=Fejer |first=M.M. |author2=Byer, R.L. |author3=Feigelson R. |author4= Kway W. |title=Growth and characterization of single crystal refractory oxide fibers |book-title=Proceedings of the SPIE, Advances in Infrared Fibers II |volume=320 |year=1982 |page=50 |location=Bellingham, WA |publisher=[[SPIE]] |isbn=978-0-89252-355-9 }}</ref> जिन्होंने एक विशेष ऑप्टिकल घटक को शामिल किया, जिसे [[ reflexicon ]] के रूप में जाना जाता है, जिसमें एक आंतरिक शंकु होता है जो एक बड़े समाक्षीय शंकु खंड से घिरा होता है, दोनों परावर्तक सतहों के साथ। यह ऑप्टिकल तत्व बेलनाकार लेजर बीम को एक बड़े व्यास की खोखली सिलेंडर सतह में परिवर्तित करता है।<ref> {{cite journal |last=Edmonds |first=W.R. |year=1973 |title=The reflaxicon: a new reflective optical element, and some applications |journal=[[Applied Optics]] |volume=12 |issue=8 |pages=1940–5 |url=http://www.opticsinfobase.org/ao/abstract.cfm?URI=ao-12-8-1940 |doi=10.1364/AO.12.001940 |pmid=20125635 |bibcode = 1973ApOpt..12.1940E }}</ref> यह ऑप्टिकल घटक रेडियल थर्मल ग्रेडियेंट को कम करने, पिघला हुआ क्षेत्र पर लेजर ऊर्जा के रेडियल वितरण की अनुमति देता है। इस तकनीक में अक्षीय [[तापमान प्रवणता]] 10000 °C/cm तक जा सकती है, जो पारंपरिक क्रिस्टल विकास तकनीकों (10–100 °C/cm) की तुलना में बहुत अधिक है।
== संवहन गति ==
एलएचपीजी तकनीक की एक विशेषता [[मारंगोनी प्रभाव]] के कारण तरल चरण में इसकी उच्च संवहन गति है।<ref> {{cite journal |last=Liu  |first=M. |author2=Chen, J.C. |author3=Chiang, C.H. |author4=Hu, L.J. |author5= Lin, S.P. |year=2006 |title=Mg-doped sapphire crystal fibers grown by laser-heated pedestal growth method |journal=[[Japanese Journal of Applied Physics]] |volume=45 |issue=1A |pages=194–199 |doi=10.1143/JJAP.45.194 |bibcode = 2006JaJAP..45..194L |s2cid=120615103 }}</ref><ref>The video presented in the following reference shows the liquid phase convection during [[lithium niobate]] (LiNbO<sub>3</sub>) fiber pulling using a very small piece of [[platinum]] wire inside the liquid that is allowed to spin. {{cite web |url=https://www.youtube.com/watch?v=b-oynmLOYrg |title=Convection in Laser Heated Pedestal Growth technique |website=YouTube }}</ref> यह देखा जा सकता है कि यह बहुत तेजी से घूमता है। यहां तक ​​कि जब यह स्थिर दिखाई देता है, यह वास्तव में अपनी धुरी पर तेजी से घूम रहा है।
== यह भी देखें ==
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* [[स्फटिक]] की संरचना
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==संदर्भ==
===संदर्भ===
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Latest revision as of 11:33, 7 August 2023

Crystallization
Process-of-Crystallization-200px.png
Fundamentals
Crystal · Crystal structure · Nucleation
Concepts
Crystallization · Crystal growth
Recrystallization · Seed crystal
Protocrystalline · Single crystal
Methods and technology
Boules
Bridgman–Stockbarger method
Van Arkel–de Boer process
Czochralski method
Epitaxy · Flux method
Fractional crystallization
Fractional freezing
Hydrothermal synthesis
Kyropoulos method
Laser-heated pedestal growth
Micro-pulling-down
Shaping processes in crystal growth
Skull crucible
Verneuil method
Zone melting

लेजर-हीटेड पेडस्टल ग्रोथ (LHPG) या लेजर फ्लोटिंग जोन (LFZ) एक क्रिस्टल विकास तकनीक है।जिसमे क्रिस्टल के एक संकीर्ण क्षेत्र को शक्तिशाली CO2 या YAG लेजर से पिघलाया जाता है।इस कारण यह लेज़र और तैरते हुए क्षेत्र क्रिस्टल के साथ चलता है। पिघला हुआ क्षेत्र अपने आगे के किनारे पर अशुद्ध ठोस को पिघला देता है और इसके पीछे यह ठोस पदार्थ की एक किरण छोड़ देता है। पिघले हुए द्रव (द्रव/ठोस चरण संक्रमण) से क्रिस्टल वृद्धि की इस तकनीक का उपयोग सामग्री अनुसंधान में किया जाता है।[1][2]

लाभ

इस तकनीक का मुख्य लाभ उच्च खींचने की दर (पारंपरिक कज़ोक्राल्स्की तकनीक से 60 गुना अधिक) और उच्च गलनांक वाली सामग्री को उत्पन्न करने की संभावना पर निर्भर करता है।[3][4][5]इसके अतिरिक्त LHPG एक कुल्हिया-मुक्त तकनीक है, जो एकल क्रिस्टल को उच्च शुद्धता और कम तनाव के साथ विकसित करने की अनुमति देती है।क्रिस्टल का ज्यामितीय आकार (तकनीक छोटे व्यास का उत्पादन कर सकती है), और कम उत्पादन लागत, LHPG द्वारा उत्पादित एकल-क्रिस्टल फाइबर (SCF) को कई उपकरणों में थोक क्रिस्टल के लिए उपयुक्त विकल्प के रूप में प्रयोग करता है, विशेष रूप से वे जो उच्च क्वथनांक बिंदु का उपयोग करते हैं।[6][7] यद्यपि तकनीकी उपकरणों में स्थानापन्न स्थापित करने के लिए एकल-क्रिस्टल फाइबर में थोक क्रिस्टल की तुलना में समान या बेहतर प्रकाशकीय और संरचनात्मक गुण होने चाहिए। इसे विकास स्थितियों को सावधानीपूर्वक नियंत्रित करके प्राप्त किया जा सकता है।[8][9][10]

प्रकाशीय तत्व

LFZ प्रणाली का योजनाबद्ध आरेख

1980 तक, लेज़र-हीटेड क्रिस्टल विकास में स्रोत सामग्री पर केंद्रित केवल दो लेज़र बीम का उपयोग किया जाता था।[11] इस स्थिति ने पिघले हुए क्षेत्र में एक उच्च त्रिज्यीय उष्मीय अनुप्रवण उत्पन्न किया, जिससे प्रक्रिया अस्थिर हो गई। बीमों की संख्या बढ़ाकर चार करने से समस्या का समाधान नहीं हुआ,यद्यपि इससे विकास प्रक्रिया में सुधार हुआ।[12]लेजर-तापीय क्रिस्टल विकास तकनीक में सुधार फेजर एट अल द्वारा किया गया था।[13]जिन्होंने इसमें एक विशेष प्रकाशीय घटक को सम्मिलित  किया था जिसे रिफ्लेक्सिकॉन के रूप में जाना जाता है, जिसमें एक बड़े समाक्षीय शंकु खंड से घिरा एक आंतरिक शंकु दोनों परावर्तक सतहों के साथ सम्मिलित होता है। यह प्रकाशीय तत्व बेलनाकार लेजर बीम को एक बड़े व्यास वाले खोखले सिलेंडर की सतह में परिवर्तित करता है।[14] यह प्रकाशीय घटक पिघले हुए क्षेत्र पर लेजर ऊर्जा के त्रिज्यीय  वितरण की अनुमति देता है, जिससे त्रिज्यीय उष्मीय अनुप्रवन कम हो जाते हैं। इस तकनीक में अक्षीय तापमान प्रवणता 10000 डिग्री सेल्सियस/सेमी तक जा सकती है, जो पारंपरिक क्रिस्टल विकास तकनीकों (10-100 डिग्री सेल्सियस/सेमी) की तुलना में बहुत अधिक है।

संवहन गति

LHPG तकनीक की एक विशेषता मारंगोनी संवहन के कारण द्रव चरण में इसकी उच्च संवहन गति है।[15][16]इसके लिए यह देखना संभव है कि यह बहुत तेजी से घूमता है। यहां तक ​​कि जब यह स्थिर खड़ा प्रतीत होता है, तब भी यह वास्तव में अपनी धुरी पर तेजी से घूम रहा होता है।

यह भी देखें

संदर्भ

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  2. ↑ Andreeta, M.R.B.; Hernandes, A.C. (2010). "Laser-Heated Pedestal Growth of Oxide Fibers". In Dhanaraj, G.; Byrappa, K.; Prasad, V.; Dudley, M. (eds.). Springer Handbook of Crystal Growth. p. 393. ISBN 978-3-540-74182-4.
  3. ↑ Ardila, D.R.; Andreeta, M.R.B.; Cuffini, S.L.; et al. (1997). "Laser heated pedestal growth of Sr2RuO4 single-crystal fibers from SrRuO3". Journal of Crystal Growth. 177 (1–2): 52–56. Bibcode:1997JCrGr.177...52A. doi:10.1016/S0022-0248(96)00904-9.
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  12. ↑ Haggerty, J.S. (1972). "Production of fibers by a floating zone fiber drawing technique, Final Report". NASA-CR-120948. {{cite journal}}: Cite journal requires |journal= (help)
  13. ↑ Fejer, M.M.; Byer, R.L.; Feigelson R.; Kway W. (1982). "Growth and characterization of single crystal refractory oxide fibers". Proceedings of the SPIE, Advances in Infrared Fibers II. Vol. 320. Bellingham, WA: SPIE. p. 50. ISBN 978-0-89252-355-9.
  14. ↑ Edmonds, W.R. (1973). "The reflaxicon: a new reflective optical element, and some applications". Applied Optics. 12 (8): 1940–5. Bibcode:1973ApOpt..12.1940E. doi:10.1364/AO.12.001940. PMID 20125635.
  15. ↑ Liu, M.; Chen, J.C.; Chiang, C.H.; Hu, L.J.; Lin, S.P. (2006). "Mg-doped sapphire crystal fibers grown by laser-heated pedestal growth method". Japanese Journal of Applied Physics. 45 (1A): 194–199. Bibcode:2006JaJAP..45..194L. doi:10.1143/JJAP.45.194. S2CID 120615103.
  16. ↑ The video presented in the following reference shows the liquid phase convection during lithium niobate (LiNbO3) fiber pulling using a very small piece of platinum wire inside the liquid that is allowed to spin. "Convection in Laser Heated Pedestal Growth technique". YouTube.
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