आणविक परत निक्षेपण: Difference between revisions

Revision as of 09:48, 14 August 2023

आणविक परत निक्षेपण (एमएलडी) एक वाष्प अवस्था की पतली परत निक्षेपण तकनीक है जो क्रमबद्ध रूप से की गई स्व-सीमित सतह प्रतिक्रियाओं पर आधारित है।^[1] सामान्यतः आणविक परत निक्षेपण तकनीक परमाणु परत निक्षेपण (एएलडी) की अच्छी तरह से स्थापित तकनीक के अनुरूप है, जबकि परमाणु परत निक्षेपण तकनीक विशेष रूप से अकार्बनिक लेपन तक ही सीमित है। आणविक परत निक्षेपण में पूर्ववर्ती रसायन विज्ञान के छोटे द्वि-क्रियात्मक कार्बनिक अणुओं का भी उपयोग किया जा सकता है। यह बहुलकीकरण जैसी प्रक्रिया में कार्बनिक परतों के विकास के साथ कार्बनिक या अकार्बनिक हाइब्रिड पदार्थ बनाने के लिए नियंत्रित रूप से दोनों प्रकार के निर्मित ब्लॉकों को एक साथ जोड़ने में सक्षम होता है।

आणविक परत निक्षेपण पतली परत के क्षेत्र में एक ज्ञात तकनीक है। इसके सापेक्ष हाइब्रिड पदार्थ होने के कारण इसके अकार्बनिक परमाणुओ की परमाणु परत निक्षेपण के रूप में खोज नहीं की गई है। सामान्यतः इसके आगामी वर्षों में व्यापक क्षेत्र के विकास की संभावना है।

इतिहास

आणविक परत निक्षेपण परमाणु परत निक्षेपण की एक सहयोगी तकनीक है। जबकि परमाणु परत निक्षेपण का इतिहास 1970 के दशक का है, जिसका श्रेय वैलेन्टिन बोरिसोविच एलेस्कोवस्की और तुओमो सनटोला के स्वतंत्र कार्य को जाता है।^[2]^[3] कार्बनिक अणुओं के साथ पहला आणविक परत निक्षेपण प्रयोग 1991 तक प्रकाशित नहीं हुआ था, जब टेटसुज़ो योशिमुरा और उनके सहकर्मियों का एक लेख सामने आया था।^[4] जिसमें अभिकारकों के रूप में एमाइन और एनहाइड्राइड का उपयोग करके पॉलीमाइड के संश्लेषण के विषय में बताया गया था।^[5]^[6] 1990 के दशक में कार्बनिक यौगिकों पर कुछ कार्य करने के बाद परमाणु परत निक्षेपण और आणविक परत निक्षेपण दोनों तकनीकों के संयोजन की हाइब्रिड पदार्थों से संबंधित पहला पेपर सामने आया था। तब से आणविक परत निक्षेपण पर प्रति वर्ष प्रस्तुत लेखों की संख्या में निरंतर वृद्धि हुई है और निक्षेपण परतों की एक अधिक विविध श्रृंखला देखी गई है, जिसमें पॉलियामाइड्स,^[7]^[8]^[9] पॉलीइमाइन्स^[10] और पॉल्यूरिया सम्मिलित हैं।^[11] पॉलिथियोरिया^[12] और कुछ कॉपोलिमर हाइब्रिड परतो के निक्षेपण में विशेष रुचि रखते हैं।^[13]

अभिक्रिया क्रियाविधि

परमाणु परत निक्षेपण प्रक्रिया के समान आणविक परत निक्षेपण प्रक्रिया के समय अभिकारकों को अनुक्रमिक या चक्रीय प्रकार से स्पंदित किया जाता है और सभी गैस-ठोस प्रतिक्रियाएं प्रतिस्थापन पर स्व-सीमित होती हैं। इनमें से प्रत्येक चक्र को आणविक परत निक्षेपण चक्र कहा जाता है और परत वृद्धि को प्रति चक्र वृद्धि (जीपीसी) के रूप में मापा जाता है, जिसे सामान्यतः एनएम/चक्र या Å/चक्र में व्यक्त किया जाता है।^[1] एक मॉडल दो पूर्ववर्ती प्रयोग के समय आणविक परत निक्षेपण चक्र निम्नानुसार आगे बढ़ता है:

सबसे पहले निर्माता द्वारा अभिकारक 1 को परमाणु भट्टी में स्पंदित किया जाता है, जहां यह प्रारूप सतह पर सतह की प्रजातियों के साथ प्रतिक्रिया और केमिसोर्ब (रसोवशोषित) करता है। एक बार जब सभी अधिशोषण वाली क्षेत्र अधिकृत हो जाते हैं और संतृप्ति अभिगम्य हो जाती है तब कोई और पूर्ववर्ती प्रयोग संलग्न नहीं होता है। इसके अतिरिक्त निर्माता अणुओं और उत्पन्न उप-उत्पादों को परमाणु भट्टी से वापस ले लिया जाता है या तो अक्रिय गैस से शुद्ध करके या परमाणु भट्टी कक्ष को नीचे पंप करता है। यह केवल तभी करता है जब चैम्बर को अक्रिय गैस से ठीक से शुद्ध किया गया हो या आधार दाब (~ 10⁻⁶ एमबार दूरी) तक पंप किया गया हो और पिछले कक्ष के सभी अवांछित अणुओं को पृथक कर दिया गया हो, तब अभिकारक 2 को प्रस्तुत किया जा सकता है।^[14] अन्यथा प्रक्रिया सीवीडी-प्रकार की वृद्धि का जोखिम उत्पन्न कर सकती है, जहां दो पूर्ववर्ती प्रारूप सतह से जुड़ने से पहले गैसीय अवस्था में प्रतिक्रिया करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप विभिन्न विशेषताओं के साथ एक लेपन प्रतिक्रिया होती है।

इसके बाद अभिकारक 2 स्पंदित होता है, जो सतह पर स्थित पिछले अभिकारक 1 अणुओं के साथ प्रतिक्रिया करता है। यह सतह प्रतिक्रिया फिर से स्व-सीमित होती है और परमाणु भट्टी के आधार दाब को फिर से शुद्ध पंप करने के बाद सतह समूहों के साथ समाप्त होने वाली एक परत को पीछे छोड़ देती है जो अगले कक्ष में अभिकारक 1 के साथ फिर से प्रतिक्रिया कर सकती है। आदर्श स्थिति में एमएलडी चक्र के पुनरावृत्ति समय में मोनोएटोमिक परत में एक कार्बनिक/अकार्बनिक परत का निर्माण होता है जो शुद्ध मोटाई नियंत्रण और परत शुद्धता के साथ अत्यधिक अनुरूप लेप को सक्षम करता है।^[14]

यदि परमाणु परत निक्षेपण और आणविक परत निक्षेपण को मिला दिया जाए, तो व्यापक श्रेणी में अधिक अभिकारकों जैसे अकार्बनिक और कार्बनिक दोनों का उपयोग किया जा सकता है।^[3]^[5] इसके अतिरिक्त अन्य प्रतिक्रियाओं जैसे प्लाज्मा या पूर्ण एक्सपोज़र को भी एएलडी/एमएलडी चक्रों में सम्मिलित किया जा सकता है। इसी प्रकार एएलडी और एमएलडी चक्रों की संख्या और चक्रों के भीतर निहित चरणों को समायोजित करके एक प्रयोग को अनुसंधान आवश्यकताओं के अनुसार स्वतंत्र रूप से अनुकूलित किया जा सकता है।^[14]

रासायनिक प्रक्रिया और सतह प्रतिक्रियाएँ

आणविक परत निक्षेपण में रासायनिक अभिकारक एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। अभिकारक अणुओं के रासायनिक गुणों को हाइब्रिड पदार्थ के संघटन, संरचना और स्थिरता को संचालित करते हैं। कम समय में संतृप्ति चरण तक अभिगमन और उपयुक्त निक्षेपण दर को सुनिश्चित करने के लिए अभिकारकों को सतह पर केमिसोर्ब करना होता है। जिससे सतह सक्रिय समूहों मे एक दूसरे अणुओं के साथ तीव्रता से प्रतिक्रिया करती है। जिसके लिए सामान्यतः वांछित एमएलडी प्रतिक्रियाओं का बड़ा ऋणात्मक मान ∆G आवश्यक होता है।^[15]^[16]

कार्बनिक यौगिकों को आणविक परत निक्षेपण के अभिकारक के रूप में नियोजित किया जाता है। उनके प्रभावी उपयोग के लिए अभिकारक के पास गैस अवस्था में विघटित हुए अतिरिक्त प्रतिक्रिया क्षेत्र में ले जाने के लिए पर्याप्त वाष्प दाब और ऊष्मीय स्थिरता होनी चाहिए। अस्थिरता आणविक भार और अंतर-आणविक अंतःक्रियाओं से प्रभावित होती है। एमएलडी में चुनौतियों में से एक ऐसे कार्बनिक अभिकारक को खोजना है, जिसमें पर्याप्त वाष्प दाब, प्रतिक्रियाशीलता और ऊष्मीय स्थिरता हो। अधिकांश कार्बनिक अभिकारकों में अपेक्षाकृत कम अस्थिरता होती है और प्रतिस्थापन तक वाष्प की पर्याप्त आपूर्ति सुनिश्चित करने के लिए ऊष्मा आवश्यक है। कार्बनिक अभिकारकों मे अपेक्षाकृत नम्यता हो सकती है अर्थात स्निग्ध या जटिल कार्यात्मक समूहों के साथ नियोजित सुगंधित कार्बनिक अभिकारक सामान्यतः -OH, -COOH, -NH₂, -CONH₂, -CHO, -COCl, -SH, -CNO, -CN, एल्कीन आदि कार्यात्मक समूहों के साथ सम या विषमलैंगिक अणु होते हैं। निरंतर परत विकास के लिए अभिकारकों की द्विकार्यात्मक प्रकृति आवश्यक है क्योंकि एक समूह से सतह के साथ प्रतिक्रिया करने की संभावना की जाती है और दूसरा सह-अभिकारक की अगली पल्स के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए सुलभ होता है। संलग्न कार्यात्मक समूह अभिकारक की प्रतिक्रियाशीलता और बंधन मोड में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं और उन्हें सतह पर सम्मिलित कार्यात्मक समूहों के साथ प्रतिक्रिया करने में सक्षम होना बनाते हैं। सामान्यतः नम्य अभिकारक पिछले समन्वय द्वारा सतत और घनी परत के विकास में बाधा उत्पन्न कर सकते है और प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों को अवरुद्ध कर सकते है। इस प्रकार परत की वृद्धि दर अपेक्षाकृत कम हो सकती है और उपरोक्त सभी आवश्यकताओं को पूरा करने वाले आणविक परत निक्षेपण अभिकारक को खोजने के लिए कोई स्पष्ट प्रक्रिया नहीं है। ^[17]

सतह समूह प्रतिक्रिया मध्यवर्ती रासायनिक प्रतिक्रिया के रूप में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती हैं। जिसमे सामान्यतः हाइड्रॉक्सिलेटेड या हाइड्रोजन समाप्त हो जाते है और हाइड्रॉक्सिल धातुओं के साथ संघनन प्रतिक्रियाओं के लिए प्रतिक्रियाशील लिंकर के रूप में कार्य करता है। अकार्बनिक अभिकारक संबंधित लिंकिंग रसायन विज्ञान के माध्यम से सतह प्रतिक्रियाशील समूहों के साथ प्रतिक्रिया करता है जिससे नए ओ- धात्विक बंध का निर्माण होता है। धातु अभिकारक चरण सतह समाप्ति को परिवर्तित कर देते है, जिससे सतह कार्बनिक अभिकारक के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए तैयार नए प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों के साथ निकल जाते है। कार्बनिक अभिकारक परिणामी सतह पर धातु स्थलों के साथ सहसंयोजक रूप से जुड़कर प्रतिक्रिया करता है और धातु लिगेंड प्रस्तुत करता है। अगली पल्स के लिए तैयार अणु एक प्रतिक्रियाशील आणविक परत छोड़ता है। जिसमे प्रत्येक अधिशोषित चरण के बाद उत्पाद प्रारम्भ होता हैं। सामान्यतः प्रतिक्रियाओं की व्याख्या संक्षेप मे नीचे दी गई है।^[18]

प्रक्रिया संबंधी विचार

एमएलडी प्रक्रिया निष्पादित करते समय एएलडी के एक प्रकार के रूप में पर्याप्त शुद्धता और विकास दर के साथ वांछित परत प्राप्त करने के लिए कुछ दृष्टिकोणों को ध्यान में रखा जाना आवश्यक होता है:

संतृप्तीकरण

प्रतिक्रिया प्रारम्भ करने से पहले शोधकर्ता को यह अवश्य जानना चाहिए कि डिज़ाइन की गई प्रक्रिया से संतृप्त या असंतृप्त स्थितियाँ प्राप्त होंगी या नहीं प्राप्त होंगी।^[19] यदि यह जानकारी अज्ञात है तो शुद्ध परिणाम प्राप्त करने के लिए इसे जानना प्राथमिकता है। यदि लंबे समय तक पूर्ववर्ती स्पंदन समय की स्वीकृति नहीं है तो पप्रारूप की सतह प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों के पास गैसीय अणुओं के साथ प्रतिक्रिया करने और एक मोनोलेयर बनाने के लिए पर्याप्त समय नहीं होगा, जो प्रति चक्र (जीपीसी) में अपेक्षाकृत कम वृद्धि में अनुवादित होगा। इस समस्या को हल करने के लिए एक संतृप्ति प्रयोग किया जा सकता है। जहां परत के विकास का संरक्षण अलग-अलग अभिकारकों के स्पंदन समय पर किया जाता है, जिससे जीपीसी की पुनः संतृप्ति स्थितियों को खोजने के लिए स्पंदन समय के विरुद्ध अभिकारकों को आलेखित किया जाता है।^[19] इसके अतिरिक्त अपेक्षाकृत बहुत कम शुद्धिकरण समय के परिणामस्वरूप परमाणु भट्टी कक्ष में पूर्ववर्ती अणु शेष रह जाते है, जो अगले चरण के समय प्रस्तुत किए गए नए अभिकारक अणुओं के प्रति गैसीय अवस्था में प्रतिक्रियाशील होते है। इसके अतिरिक्त एक अवांछित सीवीडी-विकसित परत प्राप्त को प्राप्त करते हैं।^[19]

एमएलडी विंडो (खिड़की)

परत की वृद्धि सामान्यतः निक्षेपण के तापमान पर निर्भर करती है, जिसे एमएलडी विंडो कहा जाता है।^[1] एक तापमान सीमा जिसमें आदर्श रूप से परत की वृद्धि स्थिर होती है। सामान्यतः उसमे एमएलडी विंडो के बाहर कार्य करते समय कई समस्याएं हो सकती हैं:

अपेक्षाकृत कम तापमान पर कार्य करते समय अपर्याप्त प्रतिक्रिया के कारण सीमित वृद्धि या संक्षेपण जो अपेक्षा से अधिक उच्च जीपीसी जैसा दिखाई देगा।^[19]
उच्च तापमान पर कार्य करते समय अभिकारक अपघटन जो गैर-संतृप्त मे अनियंत्रित वृद्धि उत्पन्न करता है या विशोषण जो निक्षेपण दर को कम कर सकता है।^[19]

इसके अतिरिक्त एमएलडी विंडो के भीतर कार्य करते समय जीपीसी कभी-कभी अन्य तापमान-निर्भर कारकों, जैसे परत प्रसार, प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों की संख्या या प्रतिक्रिया तंत्र के प्रभाव के कारण तापमान के साथ भिन्न हो सकता है।^[1]

गैर-आदर्शता

गैर-मोनोलेयर विकास

एमएलडी प्रक्रिया को निष्पादित करते समय प्रति चक्र एक मोनोलेयर की आदर्श स्थिति सामान्यतः प्रयुक्त नहीं होती है। वास्तविक विश्व में कई पैरामीटर परत की वास्तविक विकास दर को प्रभावित करते हैं, जो परिवर्तन में उप-मोनोलेयर विकास (प्रति चक्र एक पूर्ण परत से कम का निक्षेपण), द्वीप विकास और द्वीपों के सह-अस्तित्व जैसी गैर-आदर्शता को उत्पन्न करते हैं।^[19]

कार्यद्रव्य प्रभाव

एमएलडी प्रक्रिया के समय परत विकास सामान्यतः एक स्थिर मान (जीपीसी) प्राप्त करती है। हालाँकि पहले चक्रों के समय आने वाले अभिकारक अणु विकसित पदार्थ की सतह के साथ कार्यद्रव्य के रूप मे प्रतिक्रिया करते हैं। इस प्रकार विभिन्न प्रतिक्रिया दरों के साथ विभिन्न रासायनिक प्रतिक्रियाओं से गुजरते हैं। इसके परिणामस्वरूप विकास दर कार्यद्रव्य वृद्धि (परत-परत प्रतिक्रियाओं की तुलना में तीव्र उपसमूह-परत प्रतिक्रिया) का अनुभव कर सकती है। इसलिए पहले चक्र में उच्च जीपीसी या कार्यद्रव्य अवरोध (परत-परत प्रतिक्रियाओं की तुलना में धीमी उपसमूह-परत प्रतिक्रिया) प्रारम्भ में जीपीसी में अपेक्षाकृत कमी के साथ किसी भी अवस्था में प्रक्रिया वृद्धि दर दोनों अवस्थाओ में बहुत समान हो सकती है।^[20]

प्रत्याशित वृद्धि से कम

एमएलडी में यह देखना असामान्य नहीं है कि प्रायः प्रयोगों से प्रत्याशित विकास दर से कम परिणाम प्राप्त होते हैं। इसका कारण कई अभीकारकों पर निर्भर करता है,^[21] जैसे कि:

अणु का झुकाव: लंबी श्रृंखला वाले कार्बनिक अणुओं की सतह पर अणुओं के पूरी तरह से लंबवत नहीं रहने की संभावना होती है, जिससे सतह स्थलों की संख्या कम हो जाती है।
बाइडेंटेट लिगैंड्स: जब एक प्रतिक्रियाशील अणु में दो कार्यात्मक समूह होते हैं, तो यह सतह पर सीधे रहने के अतिरिक्त झुक सकता है और दो सतह क्षेत्रों के साथ प्रतिक्रिया कर सकती है। उदाहरण के लिए एथिलीन ग्लाइकॉल और ग्लिसरॉल के साथ उत्पन्न किए गए टाइटैनिकोन के लिए यह दिखाया गया है। क्योंकि ग्लिसरॉल में एथिलीन ग्लाइकॉल की तुलना में एक अतिरिक्त हाइड्रॉक्सिल समूह होता है और सतह के साथ टर्मिनल हाइड्रॉक्सिल समूहों की दोहरी प्रतिक्रिया की अवस्था में एक अतिरिक्त प्रतिक्रियाशील हाइड्रॉक्सिल समूह प्रदान करने में सक्षम होता है।^[22]
त्रिविमी बाधा: कार्बनिक अभिकारक प्रायः भारी होते हैं और सतह से जुड़े होने पर कई सतह समूहों को अधिकृत कर सकते हैं।
लंबे समय तक स्पंदन समय: कार्बनिक अभिकारकों में बहुत कम वाष्प दाब हो सकता है और संतृप्ति प्राप्त करने के लिए बहुत लंबे समय तक स्पंदन समय आवश्यक हो सकता है। इसके अतिरिक्त बाद में कक्ष से सभी अप्रतिक्रिया न किए गए अणुओं को पृथक करने के लिए सामान्यतः लंबे समय तक शुद्धिकरण की आवश्यकता होती है।
कम तापमान: अभिकारक वाष्प दाब को बढ़ाने के लिए कोई भी इसका तापमान बढ़ाने के विषय में सोच सकता है। फिर भी कार्बनिक अभिकारक सामान्यतः ऊष्मीय रूप से बहुत नम्य होते हैं और तापमान में वृद्धि अपघटन को प्रेरित कर सकते हैं।
गैस-अवस्था: कई कार्बनिक प्रतिक्रियाएं सामान्यतः तरल अवस्था में की जाती हैं। इसलिए अम्ल-क्षार अंतःक्रिया या विलायक संकरण पर निर्भर होती हैं। ये प्रभाव गैसीय अवस्था में सम्मिलित नहीं हैं। जिसके परिणामस्वरूप कई प्रक्रियाएं कम प्रतिक्रिया दर उत्पन्न करती है या सामान्यतः संभव नहीं होती हैं।^[1]

जटिल कार्बनिक अभिकारको, दो से अधिक कार्यात्मक समूहों और तीन अवस्था वाली प्रतिक्रियाओ उपयोग करके इस घटना से यथासंभव बचा जा सकता है।^[23]^[24] जिनमें वलय विवर्तक प्रतिक्रियाएं होती हैं।^[22] रेफरी>Keskiväli L, Putkonen M, Puhakka E, Kenttä E, Kint J, Ramachandran RK, et al. (July 2018). "रिंग-ओपनिंग प्रतिक्रियाओं का उपयोग करके आणविक परत जमाव: फिल्म विकास की आणविक मॉडलिंग और हाइड्रोजन पेरोक्साइड के प्रभाव". ACS Omega. 3 (7): 7141–7149. doi:10.1021/acsomega.8b01301. PMC 6644646. PMID 31458876.</ref>

अभिकारको की भौतिक अवस्था

तरल अभिकारक

उच्च अस्थिरता और संचालन में तरल अभिकारकों को एएलडी/एमएलडी के लिए पसंदीदा विकल्प बनाती है। सामान्यतः तरल अभिकारकों में कमरे के तापमान पर पर्याप्त उच्च वाष्प दाब होता है और इसलिए सीमित ऊष्मा की आवश्यकता होती है। वे केकिंग, कण आकार परिवर्तन, चैनलिंग जैसे ठोस अभिकारको के साथ सामान्य समस्याओं से ग्रस्त नहीं होते हैं और निरंतर स्थिर वाष्प वितरण प्रदान करते हैं। इसलिए, कम गलनांक वाले कुछ ठोस अभिकारको का उपयोग सामान्यतः उनकी तरल अवस्था में किया जाता है।

एक वाहक गैस का उपयोग सामान्यतः वाष्प को उसके स्रोत से परमाणु भट्टी तक ले जाने के लिए किया जाता है। वाष्पों को सोलनॉइड और सुई वाल्व की सहायता से सीधे इस वाहक गैस में प्रवेश किया जा सकता है।^[25] दूसरी ओर वाहक गैस को अभिकारक वाले कंटेनर के मुख्य स्थान पर प्रवाहित किया जा सकता है या अभिकारक के माध्यम से बुलबुला किया जा सकता है। बाद के लिए डिप-ट्यूब बब्बलर का सामान्यतः उपयोग किया जाता है। सेटअप में एक खोखली ट्यूब (इनलेट) होती है जो वाहक गैस से भरी एक सीलबंद शीशी के लगभग नीचे खुलती है और शीशी के शीर्ष पर एक आउटलेट होता है। नाइट्रोजन/आर्गन जैसी अक्रिय वाहक गैस को ट्यूब के माध्यम से तरल के माध्यम से बुलबुला किया जाता है और आउटलेट के माध्यम से परमाणु भट्टी को नीचे की ओर ले जाया जाता है। तरल पदार्थों की अपेक्षाकृत तीव्र वाष्पीकरण गतिकी के कारण, बाहर निकलने वाली वाहक गैस लगभग पूर्ववर्ती वाष्प से संतृप्त होती है। परमाणु भट्टी में वाष्प की आपूर्ति को वाहक गैस प्रवाह, अभिकारक के तापमान को समायोजित करके नियंत्रित किया जा सकता है। यदि आवश्यक हो, तो लाइन के नीचे इसे और पतला किया जा सकता है। यह सुनिश्चित किया जाना चाहिए कि बब्बलर से निम्न प्रवाह संबद्धता को पर्याप्त उच्च तापमान पर रखा जाए ताकि पूर्ववर्ती संघनन से बचा जा सके। सेटअप का उपयोग स्थानिक परमाणु भट्टी में भी किया जा सकता है जो अभिकारक वाष्प की अत्यधिक उच्च, स्थिर और निरंतर आपूर्ति की मांग करते हैं।

पारंपरिक परमाणु भट्टी में होल्ड सेल का उपयोग अभिकारक वाष्प के अस्थायी भंडार के रूप में भी किया जा सकता है।^[26]^[27] ऐसे सेटअप में सेल को प्रारम्भ में रिक्त कर दिया जाता है। फिर इसे एक पूर्ववर्ती स्रोत के लिए प्रारम्भ किया जाता है और अभिकारक को वाष्प से भरने की स्वीकृति दी जाती है। फिर सेल को पूर्ववर्ती स्रोत से विभाजित कर दिया जाता है। परमाणु भट्टी के दाब के आधार पर सेल पर एक अक्रिय गैस से दाब डाला जा सकता है। अंत में सेल को परमाणु भट्टी में खोला जाता है और तरल अभिकारक को वितरित किया जाता है। होल्ड (भंडारण) सेल को भरने और रिक्त करने की इस अवस्था को एएलडी अवस्था के साथ समन्वयित किया जा सकता है। यह सेटअप स्थानिक परमाणु भट्टी के लिए उपयुक्त नहीं है जो वाष्प की निरंतर आपूर्ति की मांग करते हैं।

ठोस अभिकारक

ठोस अभिकारक तरल अभिकारको की तरह सामान्य नहीं हैं लेकिन फिर भी उपयोग किए जाते हैं। अर्धचालक उद्योग के लिए एएलडी में संभावित अनुप्रयोगों वाले ठोस अभिकारक का एक बहुत ही सामान्य उदाहरण ट्राइमेथिलिंडियम (TMIn) है। एमएलडी में कुछ ठोस सह-अभिकारक जैसे पी-अमीनोफेनॉल, हाइड्रोक्विनोन, पी-फेनिलेनेडियमिन एथिलीन ग्लाइकोल जैसे तरल अभिकारकों द्वारा सामना की जाने वाली दोहरी प्रतिक्रियाओं की समस्या को दूर कर सकते हैं। इसके कारण उनको ऐरोमैटिक नम्यता माना जा सकता है। ऐसे अभिकारको से प्राप्त विकास दर सामान्यतः नम्य अभिकारको की तुलना में अधिक होती है। हालाँकि, अधिकांश ठोस अभिकारको में अपेक्षाकृत कम वाष्प दाब और धीमी वाष्पीकरण गतिकी होती है।

अस्थायी सेटअप के लिए अभिकारक को सामान्यतः एक गर्म नाव में भर दिया जाता है और ओवरहेड वाष्प को वाहक गैस द्वारा परमाणु भट्टी में ले जाया जाता है। हालाँकि धीमी वाष्पीकरण गतिकी के कारण संतुलन वाष्प दाब प्रदान करना जटिल हो जाता है। अभिकारक वाष्प के साथ वाहक गैस की अधिकतम संतृप्ति सुनिश्चित करने के लिए वाहक गैस और अभिकारक के बीच संपर्क लंबा और पर्याप्त होना चाहिए। एक साधारण डिप-ट्यूब बब्बलर, जो सामान्यतः तरल पदार्थों के लिए उपयोग किया जाता है। उसका का उपयोग इस उद्देश्य के लिए किया जा सकता है। लेकिन इस प्रकार के अभिकारक केकिंग, वाहक गैस चैनलिंग,^[28] पूर्ववर्ती आकृति विज्ञान और कण आकार में परिवर्तन सेटअप से वाष्प वितरण में स्थिरता से अभिकारक के वाष्पीकरण को ठंडा होने का जोखिम होता है।^[29]^[30] इसके अतिरिक्त एक ठोस अभिकारक के माध्यम से वाहक गैस के उच्च प्रवाह को प्रवाहित करने से छोटे कण परमाणु भट्टी या निम्न प्रवाह फिल्टर में चले जाते हैं जिससे यह अवरुद्ध हो जाता है। इन समस्याओं से बचने के लिए अभिकारक को पहले एक गैर-वाष्पशील अक्रिय तरल में विघटित किया जा सकता है या उसमें निलंबित किया जा सकता है और फिर विलयन/निलंबन को बब्बलर सेटअप में उपयोग किया जा सकता है।^[31]

इसके अतिरिक्त लंबी अवधि और उच्च वाहक प्रवाह के लिए अभिकारक वाष्प की स्थिर और निरंतर वितरण सुनिश्चित करने के लिए या ठोस अभिकारकों के लिए कुछ विशेष वाष्प वितरण प्रणालियाँ भी डिज़ाइन की गई हैं।^[28]^[32]

गैसीय अभिकारक

एएलडी/एमएलडी दोनों गैस अवस्था की प्रक्रियाएं हैं। इसलिए अभिकारको को उनके गैसीय रूप में प्रतिक्रिया क्षेत्रों में प्रस्तुत करने की आवश्यकता होती है। गैसीय भौतिक अवस्था में पहले से सम्मिलित अभिकारक परमाणु भट्टी तक अपने परिवहन को बहुत सरल और समस्या मुक्त बना देता है। उदाहरण के लिए अभिकारक को गर्म करने की कोई आवश्यकता नहीं होती है। जिससे संघनन का जोखिम अपेक्षाकृत कम हो जाता है। हालाँकि अभिकारक गैसीय अवस्था में लगभग ही कभी उपलब्ध होते हैं। दूसरी ओर कुछ एएलडी सह-अभिकारक गैसीय रूप में उपलब्ध हैं। उदाहरणों में सल्फाइड परतों के लिए उपयोग किया जाने वाला H₂S^[33] नाइट्राइड परतों के लिए उपयोग किया जाने वाला NH₃ ऑक्साइड का उत्पादन करने के लिए O₂ और O₃ के प्लाज़्मा सम्मिलित हैं।^[34]^[35]^[36] परमाणु भट्टी को इन सह-अभिकारकों की आपूर्ति को विनियमित करने का सबसे सामान्य और साधारण तरीका स्रोत और परमाणु भट्टी के बीच संबद्ध द्रव्यमान प्रवाह नियंत्रक का उपयोग करना है। उनके आंशिक दाब को नियंत्रित करने के लिए उन्हें अक्रिय गैस से भी पतला किया जा सकता है।

परत का चरित्र-चित्रण

समय के साथ कई वर्णन तकनीकें विकसित हुई हैं क्योंकि विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एएलडी/एमएलडी परतें बनाने की मांग बढ़ गई है। इसमें प्रयोगशाला-आधारित वर्णन और कुशल सिंक्रोट्रॉन-आधारित एक्स-रे तकनीके सम्मिलित हैं।

प्रयोगशाला-आधारित वर्णन

चूँकि वे दोनों एक समान प्रोटोकॉल का अनुसरण करते हैं और एएलडी पर प्रयुक्त लगभग सभी वर्णन सामान्यतः एमएलडी पर भी प्रयुक्त होते हैं। एमएलडी परत गुणों जैसे मोटाई, सतह और अंतरापृष्ठ अशिष्टता, संरचना और आकारिकी को चिह्नित करने के लिए कई उपकरण नियोजित किए गए हैं। विकसित एमएलडी परत की मोटाई और अशिष्टता (सतह और अंतरापृष्ठ) अत्यंत महत्वपूर्ण हैं। सामान्यतः एक्स-रे परावर्तन (एक्सआरआर) द्वारा पूर्व-स्थिति की विशेषता होती है।^[37] इन-सीटू तकनीकें अपने पूर्व-सीटू समकक्षों की तुलना में आसान और अधिक कुशल लक्षण वर्णन प्रदान करती हैं, जिनमें से स्पेक्ट्रोस्कोपिक इलिप्सोमेट्री (एसई)और क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस (क्यूसीएम)^[37] असाधारण मोटाई नियंत्रण के साथ कुछ एंगस्ट्रॉम से पतली परतों को मापने के लिए बहुत लोकप्रिय हो गए हैं।^[38]^[39]

एक्स - रे फ़ोटोइलैक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी (एक्सपीएस) और एक्स-रे डिफ्रेक्टोमेट्री (एक्सआरडी) का उपयोग क्रमशः परत संरचना और क्रिस्टलीयता में अंतर्दृष्टि प्राप्त करने के लिए किया जाता है, जबकि परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (एएफएम)^[40] और स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप (एसईएम)^[41] का उपयोग सतह की अशिष्टता और आकारिकी का निरीक्षण करने के लिए प्रायः किया जा रहा है। चूंकि एमएलडी प्रायः हाइब्रिड पदार्थों से संबंधित है, जिसमें कार्बनिक और अकार्बनिक दोनों घटक सम्मिलित हैं। फूरियर रूपांतरण अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी (एफटीआईआर)^[42] एमएलडी अवस्था के समय जोड़े या हटाए गए नए कार्यात्मक समूह को समझने के लिए एक महत्वपूर्ण उपकरण है। सामान्यतः यह एक प्रभावशाली उपकरण भी है। एमएलडी प्रक्रिया के प्रत्येक उपचक्र के समय अंतर्निहित रसायन शास्त्र या सतह प्रतिक्रियाओं को स्पष्ट किया जा सकता है।

सिंक्रोटॉन -आधारित वर्णन

सिंक्रोट्रॉन एक्स-रे का एक प्रभावशाली स्रोत है जो ऊर्जा स्तर तक अभिगम्य होता है जिसे प्रयोगशाला-आधारित वातावरण मे प्राप्त नहीं किया जा सकता है। यह सिंक्रोट्रॉन विकिरण उत्पन्न करता है, विद्युत चुम्बकीय विकिरण जो आवेशित कणों के रेडियल त्वरण से गुजरने पर उत्सर्जित होता है जो उच्च ऊर्जा स्तर प्रक्रियाओं की गहरी समझ प्रदान करते हैं और अत्याधुनिक अनुसंधान आउटपुट की ओर ले जाते हैं।^[43] सिंक्रोट्रॉन-आधारित लक्षण वर्णन आधारिक रसायन विज्ञान को समझने और एमएलडी प्रक्रियाओं मे उनके संभावित अनुप्रयोगों के विषय में मौलिक ज्ञान विकसित करने के संभावित अवसर भी प्रदान करते हैं।^[44]^[45] इन-सीटू एक्स-रे प्रतिदीप्ति (एक्सआरएफ)^[46] और ग्रेज़िंग इन्सिडेंस एक्स-रे स्कैटरिंग (जीआईएसएएक्सएस)^[47] के संयोजन को एएलडी प्रक्रियाओं के समय न्यूक्लिएशन और विकास को अवशोषित करने के लिए एक सफल पद्धति के रूप में प्रदर्शित किया गया है।^[48]^[49] हालांकि एमएलडी प्रक्रियाओं का अध्ययन करने के लिए इस संयोजन की अभी तक विस्तार से जांच नहीं की गई है, लेकिन इसमें एमएलडी या वाष्पीय निस्यंदन अवस्था (वीपीआई) द्वारा विकसित हाइब्रिड पदार्थों की प्रारंभिक न्यूक्लिएशन (केंद्रक) और आंतरिक संरचना की समझ में सुधार करने की अपेक्षाकृत संभावना है।^[50]

संभावित अनुप्रयोग

आणविक पैमाने पर इंजीनियर हाइब्रिड पदार्थों का मुख्य अनुप्रयोग इसके सहक्रियात्मक गुणों पर निर्भर करता है, जो उनके अकार्बनिक और कार्बनिक घटकों के व्यक्तिगत प्रदर्शन को नियंत्रित करता है। आणविक परत निक्षेपण पदार्थ के अनुप्रयोग के मुख्य क्षेत्र निम्न हैं:^[51]

पैकेजिंग/संपुटीकरण: यांत्रिक गुणों (नम्यता, तनाव, कम भंगुरता) के साथ अल्ट्राथिन, पिनहोल-मुक्त और नम्य लेप निक्षेपण कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (ओएलईडी) पर गैस-अवरोधक हैं।
इलेक्ट्रॉनिक्स: विशेष यांत्रिक और डाइ इलैक्ट्रिक गुणों के साथ टेलरिंग पदार्थ, जैसे उन्नत एकीकृत परिपथ जिनके लिए विशेष अवरोधक या उच्च-के गेट डाइलेक्ट्रिक्स के साथ नम्य पतली परत ट्रांजिस्टर की आवश्यकता होती है। इसके अतिरिक्त कुछ थर्मोइलेक्ट्रिक उपकरणों के साथ ऊष्मा के रूप में नष्ट ऊर्जा को विद्युत शक्ति के रूप में पुनर्प्राप्त किया जाता है।
जैव चिकित्सक अनुप्रयोग: कोशिका वृद्धि, आसंजन या इसके विपरीत जीवाणुरोधी गुणों वाले पदार्थ उत्पन्न करने के लिए इनका उपयोग सेंसिंग, डायग्नोस्टिक्स या दवा वितरण जैसे अनुसंधान क्षेत्रों में किया जा सकता है।

अकार्बनिक और कार्बनिक नेटवर्क बनाने के लिए आवश्यक विभिन्न प्रारंभिक स्थितियों के कारण आणविक पैमाने पर अकार्बनिक और कार्बनिक निर्मित ब्लॉकों का संयोजन चुनौतीपूर्ण सिद्ध हुआ है। वर्तमान मे प्रायः समाधान रसायन विज्ञान पर आधारित होते हैं। उदाहरण के लिए सोल-जेल संश्लेषण को प्रचक्रण विलेपन, डिपिंग या छिड़काव के साथ जोड़ा जाता है जो एमएलडी का एक विकल्प है।

डाइ इलैक्ट्रिक पदार्थ के लिए एमएलडी उपयोग

निम्न-स्थिरांक

किसी माध्यम के डाइ इलैक्ट्रिक स्थिरांक (k) को माध्यम के साथ और उसकी अतिरिक्त संधारित्र की धारिता के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।^[52] वर्तमान मे धातु अंतःसंबंधन के प्रतिरोध और नैनोस्केल उपकरणों की डाइ इलैक्ट्रिक परत के कारण होने वाली देरी, क्रॉसस्टॉक और विद्युत क्षय मुख्य कारक बन गए हैं जो डिवाइस के प्रदर्शन को सीमित करते हैं और यदि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को और अधिक छोटा किया जाता है तो अंतःसंबंधन प्रतिरोध धारिता (RC) विलंब समग्र डिवाइस गति पर प्रभावी हो सकता है। इसे हल करने के लिए, वर्तमान कार्य अकार्बनिक और कार्बनिक पदार्थों के संयोजन से पदार्थों के डाइ इलैक्ट्रिक स्थिरांक को कम करने पर केंद्रित है,^[53] जिनकी कम क्षमता धातु लाइनों के बीच अंतर को कम करने की अनुमति देती है और इसके साथ, धातु की परतों की संख्या को कम करने की क्षमता होती है। एक उपकरण में. इस प्रकार की पदार्थों में, कार्बनिक भाग कठोर और प्रतिरोधी होना चाहिए और, उस उद्देश्य के लिए, धातु ऑक्साइड और फ्लोराइड का सामान्यतः उपयोग किया जाता है। हालाँकि, चूंकि यह पदार्थ अधिक भंगुर होती है, इसलिए इसमें कार्बनिक पॉलिमर भी मिलाए जाते हैं, जिससे हाइब्रिड पदार्थ को कम डाइ इलैक्ट्रिक स्थिरांक, अच्छी अंतरालीय क्षमता, उच्च समतलता, कम अवशिष्ट तनाव, कम तापीय चालकता प्रदान की जाती है। वर्तमान शोध में, 3 से कम k मान वाले MLD द्वारा निम्न-k पदार्थ तैयार करने के लिए महान प्रयास किए जा रहे हैं।^[54]

उच्च-स्थिरांक

नवीन कार्बनिक पतली-परत ट्रांजिस्टर को एक उच्च-प्रदर्शन डाइ इलैक्ट्रिक परत की आवश्यकता होती है, जो पतली होनी चाहिए और उच्च k-मान वाली होनी चाहिए। एमएलडी कार्बनिक और अकार्बनिक घटकों की मात्रा और अनुपात को बदलकर उच्च-के और डाइ इलैक्ट्रिक ताकत को संभव बनाता है। इसके अतिरिक्त एमएलडी का उपयोग लचीलेपन के मामले में बेहतर यांत्रिक गुण प्राप्त करने की अनुमति देता है।

विभिन्न हाइब्रिड डाइलेक्ट्रिक्स पहले ही विकसित किए जा चुके हैं: जिरकोनियम टर्ट-ब्यूटॉक्साइड (जेडटीबी) से जिंकोन हाइब्रिड और एथिलीन ग्लाइकॉल (ईजी) Al2O3 आधारित हाइब्रिड जैसे स्व-संयोजन एमएलडी-जमा ऑक्टेनिलट्राइक्लोरोसिलेन (OTS) परतें और Al2O3 लिंकर्स^[55] इसके अतिरिक्त, TiCl4 और फ्यूमरिक एसिड से बने डाइ इलैक्ट्रिक^[56] Ti-आधारित हाइब्रिड ने चार्ज मेमोरी कैपेसिटर में अपनी प्रयोज्यता साबित की है।^[57]

झरझरा पदार्थ के लिए एमएलडी

एमएलडी में धातु-कार्बनिक फ्रेमवर्क (एमओएफ) और सहसंयोजक-कार्बनिक फ्रेमवर्क (सीओएफ) जैसी छिद्रपूर्ण हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक और पूरी तरह कार्बनिक परतों के निक्षेपण की उच्च क्षमता है। परिभाषित छिद्र संरचना और रासायनिक ट्यूनेबिलिटी के लिए धन्यवाद, इन नवीन पदार्थों की पतली परतों को अगली पीढ़ी के गैस सेंसर और लो-के डाइलेक्ट्रिक्स में सम्मिलित किए जाने की उम्मीद है।^[58]^[59] परंपरागत रूप से, एमओएफ और सीओएफ की पतली परतें विलायक-आधारित मार्गों के माध्यम से उगाई जाती हैं, जो साफ-सुथरे वातावरण में हानिकारक होती हैं और पहले से मौजूद सर्किटरी के क्षरण का कारण बन सकती हैं।^[58] क्लीनरूम-संगत तकनीक के रूप में, एमएलडी एक आकर्षक विकल्प प्रस्तुत करता है, जिसे अभी तक पूरी तरह से महसूस नहीं किया गया है। आज तक, एमओएफ और सीओएफ के प्रत्यक्ष एमएलडी पर कोई रिपोर्ट नहीं है। वैज्ञानिक वास्तविक एमएलडी प्रक्रिया की दिशा में सक्रिय रूप से अन्य विलायक-मुक्त सभी-गैस-चरण विधियों का विकास कर रहे हैं।

एमएलडी जैसी प्रक्रिया के शुरुआती उदाहरणों में से एक तथाकथित एमओएफ-सीवीडी है। इसे पहली बार ZIF-8 के लिए दो-चरणीय प्रक्रिया का उपयोग करके महसूस किया गया था: ZnO का एएलडी जिसके बाद 2-मिथाइलिमिडाज़ोल लिंकर वाष्प का संपर्क किया गया।^[60] बाद में इसे कई अन्य एमओएफ तक विस्तारित किया गया।^[61]^[62] एमओएफ-सीवीडी एक एकल-कक्ष निक्षेपण विधि है और इसमें सम्मिलित प्रतिक्रियाएं स्व-सीमित प्रकृति प्रदर्शित करती हैं, जो एक विशिष्ट एमएलडी प्रक्रिया के साथ मजबूत समानता रखती हैं।

धातु अभिकारक और कार्बनिक लिंकर की अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा एमओएफ का प्रत्यक्ष एमएलडी करने का प्रयास सामान्यतः एक घने और अनाकार परत में परिणामित होता है। इनमें से कुछ सामग्रियां विशिष्ट गैस-चरण के बाद के उपचार के बाद एमओएफ अभिकारक के रूप में कार्य कर सकती हैं। यह दो-चरणीय प्रक्रिया MOF-CVD का एक विकल्प प्रस्तुत करती है। इसे कुछ प्रोटोटाइप एमओएफ के लिए सफलतापूर्वक महसूस किया गया है: आईआरएमओएफ-8, ,^[63] एमओएफ-5,^[64] यूआईओ-66,^[65] हालांकि एमओएफ क्रिस्टलीकरण के लिए उपचार के बाद का कदम आवश्यक है, इसके लिए प्रायः कठोर परिस्थितियों की आवश्यकता होती है ( उच्च तापमान, संक्षारक वाष्प) जो खुरदरी और गैर-समान परतों का कारण बनते हैं। औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए शून्य से न्यूनतम उपचार के बाद का निक्षेपण अत्यधिक वांछनीय है।

प्रवाहकीय पदार्थ के लिए एमएलडी।

प्रवाहकीय और लचीली परतें कई उभरते अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं, जैसे कि डिस्प्ले, पहनने योग्य उपकरण, फोटोवोल्टिक्स, व्यक्तिगत चिकित्सा उपकरण इत्यादि। उदाहरण के लिए, एक जिंकोन हाइब्रिड एक ZnO परत से निकटता से संबंधित है और इसलिए, ZnO की चालकता को इसके साथ जोड़ सकता है कार्बनिक परत का लचीलापन। जिंकोन को डायथाइलजिंक (DEZ), हाइड्रोक्विनोन (HQ) और पानी से जमा करके (−Zn-O-फेनिलीन-O−)n के रूप में एक आणविक श्रृंखला उत्पन्न की जा सकती है, जो एक विद्युत चालक है।^[66] शुद्ध ZnO परत के माप ने ~ 14 S/m की चालकता दिखाई, जबकि MLD जिंकोन ने ~ 170 S/m दिखाया, जो परिमाण के एक से अधिक क्रम के हाइब्रिड मिश्र धातु में चालकता में काफी वृद्धि दर्शाता है।

ऊर्जा भंडारण के लिए एमएलडी

बैटरी इलेक्ट्रोड के लिए एमएलडी कोटिंग्स

बैटरी क्षेत्र में एमएलडी के मुख्य अनुप्रयोगों में से एक बैटरी इलेक्ट्रोड को हाइब्रिड (कार्बनिक-अकार्बनिक) कोटिंग के साथ कोट करना है। मुख्य कारण यह है कि, ये कोटिंग्स संभावित रूप से इलेक्ट्रोड को टूटने के मुख्य स्रोतों से बचा सकती हैं, जबकि टूटती नहीं हैं। ये कोटिंग्स विशुद्ध रूप से अकार्बनिक पदार्थों की तुलना में अधिक लचीली होती हैं। इसलिए, चार्ज और डिस्चार्ज होने पर बैटरी इलेक्ट्रोड में होने वाले वॉल्यूम विस्तार से निपटने में सक्षम होना।

एनोड पर एमएलडी कोटिंग: इसकी उच्च सैद्धांतिक क्षमता (4200mAh/g) के कारण बैटरी में सिलिकॉन एनोड का कार्यान्वयन बेहद दिलचस्प है। फिर भी, लिथियम मिश्रधातु और डीलोयिंग पर भारी मात्रा में परिवर्तन एक बड़ा मुद्दा है क्योंकि इससे सिलिकॉन एनोड का क्षरण होता है। एमएलडी पतली परत कोटिंग्स, जैसे एलुकोन्स (एएल-जीएल, एएल-एचक्यू) का उपयोग उच्च लचीलेपन और कठोरता के कारण सिलिकॉन पर बफरिंग मैट्रिक्स के रूप में किया जा सकता है। इसलिए, सी एनोड के लिए वॉल्यूम विस्तार से राहत मिलती है, और साइक्लिंग प्रदर्शन में महत्वपूर्ण सुधार होता है।^[67]^[68]
कैथोड पर एमएलडी कोटिंग्स: ली सल्फर बैटरियां अपनी उच्च ऊर्जा घनत्व के कारण बहुत रुचि रखती हैं, जो इसे इलेक्ट्रिक वाहनों (ईवी) और हाइब्रिड इलेक्ट्रिक वाहनों (एचईवी) जैसे अनुप्रयोगों के लिए आशाजनक बनाती है। हालाँकि, कैथोड से पॉलीसल्फाइड के विघटन के कारण उनका खराब चक्र जीवन, बैटरी के प्रदर्शन के लिए हानिकारक है। यह तथ्य, बड़ी मात्रा में विस्तार के साथ मिलकर कुछ मुख्य कारक हैं जो खराब विद्युत रासायनिक प्रदर्शन का कारण बनते हैं। इन मुद्दों का सामना करने के लिए सल्फर कैथोड पर एलुकोन कोटिंग्स (एएल-ईजी) का सफलतापूर्वक उपयोग किया गया है।^[44]^[69]

थर्मोइलेक्ट्रिक पदार्थ के लिए एमएलडी

उच्च परिशुद्धता और नियंत्रण के साथ एक पतली परत निक्षेपण तकनीक के रूप में परमाणु/आणविक परत निक्षेपण (एएलडी/एमएलडी) बहुत अच्छी हाइब्रिड अकार्बनिक-कार्बनिक सुपरलैटिस संरचनाओं का उत्पादन करने का अवसर पैदा करता है। थर्मोइलेक्ट्रिक पदार्थों की अकार्बनिक जाली के अंदर कार्बनिक अवरोधक परतें जोड़ने से थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता में सुधार होता है। उपर्युक्त घटना एक शमन प्रभाव का परिणाम है जो कार्बनिक बाधा परतों का फोनन पर होता है। नतीजतन, इलेक्ट्रॉन जो मुख्य रूप से जाली के माध्यम से विद्युत परिवहन के लिए जिम्मेदार होते हैं, कार्बनिक परतों के माध्यम से अधिकतर बरकरार रह सकते हैं, जबकि थर्मल परिवहन के लिए जिम्मेदार फोनन कुछ हद तक दबा दिए जाएंगे। नतीजतन, परिणामी परतों में बेहतर थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता होगी।

व्यावहारिक दृष्टिकोण

ऐसा माना जाता है कि थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता बढ़ाने के लिए अन्य तरीकों के साथ-साथ अवरोधक परतों के अनुप्रयोग से थर्मोइलेक्ट्रिक मॉड्यूल का उत्पादन करने में मदद मिल सकती है जो गैर विषैले, लचीले, सस्ते और स्थिर हैं। ऐसा ही एक मामला पृथ्वी-प्रचुर तत्वों के थर्मोइलेक्ट्रिक ऑक्साइड का है। अन्य थर्मोइलेक्ट्रिक पदार्थों की तुलना में इन ऑक्साइडों में उनकी उच्च तापीय चालकता के कारण कम थर्मोइलेक्ट्रिकिटी होती है। इसलिए, एएलडी/MLD के माध्यम से अवरोधक परतें जोड़ना, ऑक्साइड की इस नकारात्मक विशेषता को दूर करने का एक अच्छा तरीका है।

बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए एमएलडी

बायोएक्टिव और बायोकम्पैटिबल सतहें

एमएलडी को लक्षित कोशिका और ऊतक प्रतिक्रियाओं के लिए बायोएक्टिव और बायोकंपैटिबल सतहों के डिजाइन पर भी प्रयुक्त किया जा सकता है। बायोएक्टिव पदार्थों में पुनर्योजी चिकित्सा, ऊतक इंजीनियरिंग (ऊतक मचान), बायोसेंसर आदि के लिए पदार्थ सम्मिलित होती है। महत्वपूर्ण कारक जो कोशिका-सतह संपर्क को प्रभावित कर सकते हैं, साथ ही सिस्टम की प्रतिरक्षा प्रतिक्रिया सतह रसायन शास्त्र (उदाहरण के लिए कार्यात्मक समूह, सतह चार्ज और) हैं वेटेबिलिटी) और सतह स्थलाकृति।^[70] कोशिका के जुड़ाव और प्रसार और परिणामी सतहों की जैव सक्रियता को नियंत्रित करने के लिए इन गुणों को समझना महत्वपूर्ण है। इसके अतिरिक्त बायोएक्टिव सतहों के निर्माण के दौरान कार्बनिक बिल्डिंग ब्लॉक्स और एक प्रकार के बायोमोलेक्यूल्स (जैसे प्रोटीन, पेप्टाइड्स या पॉलीसेकेराइड) का चुनाव सतह की सेलुलर प्रतिक्रिया के लिए एक महत्वपूर्ण कारक है। एमएलडी ऐसे कार्बनिक अणुओं को टाइटेनियम जैसे अकार्बनिक जैव-संगत तत्वों के साथ जोड़कर जैव सक्रिय, सटीक संरचनाओं के निर्माण की अनुमति देता है। बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए एमएलडी के उपयोग का व्यापक रूप से अध्ययन नहीं किया गया है और यह अनुसंधान का एक आशाजनक क्षेत्र है। यह विधि सतह संशोधन को सक्षम बनाती है और इस प्रकार, सतह को क्रियाशील बना सकती है।

2017 में प्रकाशित एक हालिया अध्ययन में चूहे के कंजंक्टिवल गॉब्लेट सेल प्रसार को बढ़ाने के लिए कार्बनिक लिंकर्स के रूप में ग्लाइसिन, एल-एसपारटिक एसिड और एल-आर्जिनिन जैसे अमीनो एसिड के साथ टाइटेनियम समूहों को मिलाकर बायोएक्टिव मचान बनाने के लिए एमएलडी का उपयोग किया गया।^[71] कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड पदार्थों के इस नवीन समूह को टाइटैमिनेट्स कहा जाता था। इसके अतिरिक्त बायोएक्टिव हाइब्रिड पदार्थ जिसमें टाइटेनियम और प्राथमिक न्यूक्लियोबेस जैसे थाइमिन, यूरैसिल और एडेनिन सम्मिलित हैं, ऊतक इंजीनियरिंग के क्षेत्र में उच्च (>85%) सेल व्यवहार्यता और संभावित अनुप्रयोग दिखाते हैं।^[72]^[73]

रोगाणुरोधी सतहें

बैक्टीरिया, वायरस, परजीवी या कवक जैसे रोगजनक सूक्ष्मजीवों के कारण होने वाला अस्पताल-जनित संक्रमण आधुनिक स्वास्थ्य देखभाल में एक बड़ी समस्या है।^[74] बड़ी संख्या में इन रोगाणुओं ने लोकप्रिय रोगाणुरोधी एजेंटों (जैसे एंटीबायोटिक्स और एंटीवायरल) को उनके खिलाफ कार्य करने से रोकने की क्षमता विकसित की। रोगाणुरोधी प्रतिरोध की बढ़ती समस्या पर काबू पाने के लिए वैकल्पिक और प्रभावी रोगाणुरोधी प्रौद्योगिकियों का विकास करना आवश्यक हो गया है जिससे रोगज़नक़ प्रतिरोध विकसित नहीं कर पाएंगे।

एक संभावित तरीका यह है कि चिकित्सा उपकरणों की सतह को रोगाणुरोधी एजेंटों से ढक दिया जाए। प्रकाश संवेदनशील कार्बनिक अणु. विधि में रोगाणुरोधी फोटोडायनामिक निष्क्रियता कहा जाता है^[75] (एपीडीआई), प्रकाश संवेदनशील कार्बनिक अणु अत्यधिक प्रतिक्रियाशील ऑक्सीजन प्रजातियों को बनाने के लिए प्रकाश ऊर्जा का उपयोग करते हैं जो जैव अणुओं (जैसे प्रोटीन, लिपिड और न्यूक्लिक एसिड) को ऑक्सीकरण करते हैं जिससे रोगज़नक़ की मृत्यु हो जाती है।^[76]^[77] इसके अतिरिक्त एपीडीआई स्थानीय रूप से संक्रमित क्षेत्र का इलाज कर सकता है, जो दंत प्रत्यारोपण जैसे छोटे चिकित्सा उपकरणों के लिए एक फायदा है। एमएलडी नियंत्रित मोटाई और सटीकता के साथ प्रकाश-सक्रिय रोगाणुरोधी कोटिंग बनाने के लिए बायोकंपैटिबल धातु समूहों (यानी जिरकोनियम या टाइटेनियम) के साथ सुगंधित एसिड जैसे प्रकाश संवेदनशील कार्बनिक अणुओं को संयोजित करने की एक उपयुक्त तकनीक है। हाल के अध्ययनों से पता चलता है कि यूवी-ए विकिरण की उपस्थिति में एंटरोकोकस फ़ेकेलिस के खिलाफ 2,6-नेफ़थैलेनेडाइकारबॉक्सिलिक एसिड और जेडआर-ओ क्लस्टर पर आधारित एमएलडी-निर्मित सतहों का सफलतापूर्वक उपयोग किया गया था।^[78]

लाभ और सीमाएँ

लाभ

आणविक परत निक्षेपण का मुख्य लाभ इसके धीमे, चक्रीय दृष्टिकोण से संबंधित है। जबकि अन्य तकनीकों से कम समय में मोटी परतें मिल सकती हैं, आणविक परत का निक्षेपण एंगस्ट्रॉम स्तर की सटीकता पर मोटाई नियंत्रण के लिए जाना जाता है। इसके अतिरिक्त इसका चक्रीय दृष्टिकोण उत्कृष्ट अनुरूपता वाली परतें उत्पन्न करता है, जो इसे जटिल आकार वाली सतहों की कोटिंग के लिए उपयुक्त बनाता है। एमएलडी के साथ विभिन्न पदार्थों से युक्त बहुपरतों का विकास भी संभव है, और कार्बनिक/अकार्बनिक हाइब्रिड परतों के अनुपात को आसानी से नियंत्रित किया जा सकता है और अनुसंधान आवश्यकताओं के अनुरूप बनाया जा सकता है।

सीमाएँ

पिछले मामले की तरह, आणविक परत निक्षेपण का मुख्य नुकसान भी इसके धीमे, चक्रीय दृष्टिकोण से संबंधित है। चूँकि प्रत्येक चक्र के दौरान दोनों अभिकारको को क्रमिक रूप से स्पंदित किया जाता है, और संतृप्ति को हर बार प्राप्त करने की आवश्यकता होती है, पर्याप्त मोटी परत प्राप्त करने के लिए आवश्यक समय आसानी से घंटों के क्रम में हो सकता है, यदि दिन नहीं। इसके अतिरिक्त वांछित परतों को जमा करने से पहले सफल परिणाम प्राप्त करने के लिए सभी मापदंडों का परीक्षण और अनुकूलन करना हमेशा आवश्यक होता है।

इसके अतिरिक्त एमएलडी के माध्यम से जमा की गई हाइब्रिड परतों से संबंधित एक और मुद्दा उनकी स्थिरता है। हाइब्रिड कार्बनिक/अकार्बनिक परतें एच में ख़राब या सिकुड़ सकती हैं₂O. हालाँकि, इसका उपयोग परतों के रासायनिक परिवर्तन को सुविधाजनक बनाने के लिए किया जा सकता है। एमएलडी सतह रसायन विज्ञान को संशोधित करने से हाइब्रिड परतों की स्थिरता और यांत्रिक शक्ति को बढ़ाने के लिए एक समाधान प्रदान किया जा सकता है।

लागत के संदर्भ में, नियमित आणविक परत निक्षेपण उपकरण की लागत $200,000 और $800,000 के बीच हो सकती है। इसके अतिरिक्त उपयोग किए गए अभिकारको की लागत को भी ध्यान में रखा जाना चाहिए।^[79]

परमाणु परत निक्षेपण मामले के समान, आणविक परत निक्षेपण के लिए उपयुक्त होने के लिए अभिकारको के लिए कुछ सख्त रासायनिक सीमाएं हैं।

एमएलडी अभिकारकों के पास होना चाहिए^[80]

पर्याप्त अस्थिरता
आक्रामक और पूर्ण प्रतिक्रियाएँ
तापीय स्थिरता
परत या कार्यद्रव्य पदार्थ पर कोई नक्काशी नहीं
पर्याप्त शुद्धता

इसके अतिरिक्त निम्नलिखित विशेषताओं वाले अभिकारको को खोजने की सलाह दी जाती है:

गैसें या अत्यधिक अस्थिर तरल पदार्थ
उच्च जीपीसी
अप्रतिक्रियाशील, अस्थिर उपोत्पाद
सस्ता
संश्लेषण और संभालना आसान
गैर विषैला
पर्यावरण के अनुकूल

संदर्भ

↑ ^1.0 ^1.1 ^1.2 ^1.3 ^1.4 Sundberg P, Karppinen M (22 July 2014). "Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review". Beilstein Journal of Nanotechnology. 5: 1104–36. doi:10.3762/bjnano.5.123. PMC 4143120. PMID 25161845.
↑ Ahvenniemi E, Akbashev AR, Ali S, Bechelany M, Berdova M, Boyadjiev S, et al. (January 2017). "Review Article: Recommended reading list of early publications on atomic layer deposition—Outcome of the "Virtual Project on the History of ALD"". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 35 (1): 010801. Bibcode:2017JVSTA..35a0801A. doi:10.1116/1.4971389.
↑ ^3.0 ^3.1 Meng X (2017). "An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications". Journal of Materials Chemistry A. 5 (35): 18326–18378. doi:10.1039/C7TA04449F.
↑ Yoshimura T, Tatsuura S, Sotoyama W (22 July 1991). "आणविक परत जमाव द्वारा मोनोलेयर विकास चरणों के साथ पॉलिमर फिल्में बनाई गईं". Applied Physics Letters. 59 (4): 482–484. Bibcode:1991ApPhL..59..482Y. doi:10.1063/1.105415.
↑ ^5.0 ^5.1 Lee BH, Ryu MK, Choi SY, Lee KH, Im S, Sung MM (December 2007). "मोनोलेयर परिशुद्धता के साथ कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड सुपरलैटिस का तेजी से वाष्प-चरण निर्माण". Journal of the American Chemical Society. 129 (51): 16034–41. doi:10.1021/ja075664o. PMID 18047337.
↑ Dameron AA, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM (May 2008). "ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव". Chemistry of Materials. 20 (10): 3315–3326. doi:10.1021/cm7032977.
↑ Shao HI, Umemoto S, Kikutani T, Okui N (January 1997). "Layer-by-layer polycondensation of nylon 66 by alternating vapour deposition polymerization". Polymer. 38 (2): 459–462. doi:10.1016/S0032-3861(96)00504-6.
↑ Adamczyk NM, Dameron AA, George SM (March 2008). "टेरेफ्थालोयल क्लोराइड और पी-फेनिलेनेडियमीन का उपयोग करके पॉली (पी-फेनिलीन टेरेफ्थेलामाइड) फिल्मों की आणविक परत का जमाव". Langmuir. 24 (5): 2081–9. doi:10.1021/la7025279. PMID 18215079.
↑ Peng Q, Efimenko K, Genzer J, Parsons GN (July 2012). "वाष्प-आणविक-परत-जमा एल्काइल-सुगंधित पॉलियामाइड फिल्मों में ओलिगोमर अभिविन्यास". Langmuir. 28 (28): 10464–70. doi:10.1021/la3017936. PMID 22765908.
↑ Yoshimura T, Kudo Y (16 January 2009). "कैरियर-गैस-प्रकार आणविक परत जमाव द्वारा बीज कोर अणुओं से मोनोमोलेक्यूलर-स्टेप पॉलिमर वायर विकास". Applied Physics Express. 2 (1): 015502. Bibcode:2009APExp...2a5502Y. doi:10.1143/APEX.2.015502. S2CID 98004440.
↑ Loscutoff PW, Zhou H, Clendenning SB, Bent SF (January 2010). "आणविक परत जमाव द्वारा कार्बनिक नैनोस्केल लैमिनेट्स और मिश्रणों का निर्माण". ACS Nano. 4 (1): 331–41. doi:10.1021/nn901013r. PMID 20000603.
↑ Loscutoff PW, Lee HB, Bent SF (12 October 2010). "आणविक परत जमाव द्वारा अल्ट्राथिन पॉलिथियोरिया फिल्म्स का जमाव". Chemistry of Materials. 22 (19): 5563–5569. doi:10.1021/cm1016239.
↑ Sabapathy RC, Crooks RM (October 2000). "सॉल्वैंट्स की अनुपस्थिति में अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा तैयार तीन-परत कार्बनिक पतली फिल्म का संश्लेषण". Langmuir. 16 (20): 7783–7788. doi:10.1021/la000603o.
↑ ^14.0 ^14.1 ^14.2 How Atomic Layer Deposition (ALD) works on YouTube
↑ Leskelä M, Ritala M (April 2002). "Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures". Thin Solid Films. 409 (1): 138–146. Bibcode:2002TSF...409..138L. doi:10.1016/s0040-6090(02)00117-7.
↑ Sundberg P, Karppinen M (2014-07-22). "Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review". Beilstein Journal of Nanotechnology. 5: 1104–36. doi:10.3762/bjnano.5.123. PMC 4143120. PMID 25161845.
↑ Sundberg P, Karppinen M (2014-07-22). "Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review". Beilstein Journal of Nanotechnology. 5: 1104–36. doi:10.3762/bjnano.5.123. PMC 4143120. PMID 25161845. S2CID 18351209.
↑ Meng X (2017). "An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications". Journal of Materials Chemistry A. 5 (35): 18326–18378. doi:10.1039/c7ta04449f. ISSN 2050-7488.
↑ ^19.0 ^19.1 ^19.2 ^19.3 ^19.4 ^19.5 Puurunen RL (15 June 2005). "Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process". Journal of Applied Physics. 97 (12): 121301–121301–52. Bibcode:2005JAP....97l1301P. doi:10.1063/1.1940727.
↑ "Atomic Layer Deposition Process Development – 10 steps to successfully develop, optimize and characterize ALD recipes – Atomic Limits" (in English). Retrieved 2019-02-14.
↑ George SM, Yoon B, Dameron AA (April 2009). "कार्बनिक और संकर कार्बनिक-अकार्बनिक पॉलिमर की आणविक परत जमाव के लिए सतह रसायन विज्ञान". Accounts of Chemical Research. 42 (4): 498–508. CiteSeerX 10.1.1.628.4492. doi:10.1021/ar800105q. PMID 19249861.
↑ ^22.0 ^22.1 Van de Kerckhove K, Mattelaer F, Deduytsche D, Vereecken PM, Dendooven J, Detavernier C (January 2016). "लिथियम-आयन बैटरियों के लिए इलेक्ट्रोड के रूप में टाइटेनियम-आधारित संकर सामग्री "टाइटेनिकोन" का आणविक परत जमाव". Dalton Transactions. 45 (3): 1176–84. doi:10.1039/c5dt03840e. PMID 26662179.
↑ Nilsen O, Klepper K, Nielsen H, Fjellvaåg H (2008). "परमाणु परत जमाव द्वारा कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का जमाव". ECS Transactions. ECS. 16 (4): 3–14. Bibcode:2008ECSTr..16d...3N. doi:10.1149/1.2979975. S2CID 98464425.
↑ Yoon B, Seghete D, Cavanagh AS, George SM (2009-11-24). "तीन-चरणीय एबीसी प्रतिक्रिया अनुक्रम का उपयोग करके हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक एल्यूकोन पॉलिमर फिल्मों का आणविक परत जमाव". Chemistry of Materials. 21 (22): 5365–5374. doi:10.1021/cm9013267. ISSN 0897-4756.
↑ Elam JW, Groner MD, George SM (August 2002). "परमाणु परत जमाव द्वारा पतली फिल्म के विकास के लिए क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस के साथ चिपचिपा प्रवाह रिएक्टर". Review of Scientific Instruments (in English). 73 (8): 2981–2987. Bibcode:2002RScI...73.2981E. doi:10.1063/1.1490410. ISSN 0034-6748.
↑ Mousa MB, Oldham CJ, Jur JS, Parsons GN (January 2012). "Effect of temperature and gas velocity on growth per cycle during Al 2 O 3 and ZnO atomic layer deposition at atmospheric pressure". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 30 (1): 01A155. Bibcode:2012JVSTA..30aA155M. doi:10.1116/1.3670961.
↑ Jur JS, Parsons GN (February 2011). "Atomic layer deposition of Al(2)O(3) and ZnO at atmospheric pressure in a flow tube reactor". ACS Applied Materials & Interfaces. 3 (2): 299–308. doi:10.1021/am100940g. PMID 21265563.
↑ ^28.0 ^28.1 Timmons M, Rangarajan P, Stennick R (December 2000). "ठोस ओएमवीपीई स्रोतों के लिए सिलेंडर डिजाइन का अध्ययन". Journal of Crystal Growth (in English). 221 (1–4): 635–639. Bibcode:2000JCrGr.221..635T. doi:10.1016/S0022-0248(00)00791-0.
↑ Love A, Middleman S, Hochberg AK (March 1993). "वाष्प वितरण प्रणाली के रूप में बब्बलर्स की गतिशीलता". Journal of Crystal Growth (in English). 129 (1–2): 119–133. Bibcode:1993JCrGr.129..119L. doi:10.1016/0022-0248(93)90441-X.
↑ Woelk E, DiCarlo R (May 2014). "ओएमवीपीई प्रक्रिया में तरल अग्रदूतों से वाष्प फ़ीड का नियंत्रण". Journal of Crystal Growth (in English). 393: 32–34. Bibcode:2014JCrGr.393...32W. doi:10.1016/j.jcrysgro.2013.10.020.
↑ Frigo DM, Van Berkel WW, Maassen WA, van Mier GP, Wilkie JH, Gal AW (November 1992). "A method for dosing solid sources for MOVPE: excellent reproducibility of dosimetry from a saturated solution of trimethylindium". Journal of Crystal Growth (in English). 124 (1–4): 99–105. Bibcode:1992JCrGr.124...99F. doi:10.1016/0022-0248(92)90444-N.
↑ Andre CL, El-Zein N, Tran N (January 2007). "किसी ठोस रसायन के निरंतर वाष्प वितरण के लिए बब्बलर". Journal of Crystal Growth (in English). 298: 168–171. Bibcode:2007JCrGr.298..168A. doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.10.018.
↑ Suntola T, Hyvarinen J (August 1985). "परमाणु परत एपिटैक्सी". Annual Review of Materials Science. 15 (1): 177–195. Bibcode:1985AnRMS..15..177S. doi:10.1146/annurev.ms.15.080185.001141. ISSN 0084-6600.
↑ Kumagai Y, Mayumi M, Koukitu A, Seki H (June 2000). "क्यूबिक-जीएएन के हैलोजन परिवहन परमाणु परत एपिटेक्सी की सीटू ग्रेविमेट्रिक निगरानी में". Applied Surface Science (in English). 159–160 (1–2): 427–431. Bibcode:2000ApSS..159..427K. doi:10.1016/S0169-4332(00)00120-3.
↑ Kim JB, Kwon DR, Chakrabarti K, Lee C, Oh KY, Lee JH (December 2002). "Improvement in Al2O3 dielectric behavior by using ozone as an oxidant for the atomic layer deposition technique". Journal of Applied Physics (in English). 92 (11): 6739–6742. Bibcode:2002JAP....92.6739K. doi:10.1063/1.1515951. ISSN 0021-8979.
↑ Hoex B, Heil SB, Langereis E, van de Sanden MC, Kessels WM (2006-07-24). "Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3". Applied Physics Letters (in English). 89 (4): 042112. Bibcode:2006ApPhL..89d2112H. doi:10.1063/1.2240736. ISSN 0003-6951.
↑ ^37.0 ^37.1 Fujii Y (2013-07-31). "बहुस्तरीय पतली फिल्म सामग्री की खुरदुरी सतहों और इंटरफेस के लिए एक्स-रे परावर्तन विश्लेषण में हालिया विकास". Journal of Materials. 2013: 1–20. doi:10.1155/2013/678361. ISSN 2314-4866.
↑ Dameron A, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM (May 2008). "ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव". Chemistry of Materials. 20 (10): 3315–3326. doi:10.1021/cm7032977. ISSN 0897-4756.
↑ Lee Y, Yoon B, Cavanagh AS, George SM (December 2011). "ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और ग्लाइसीडोल का उपयोग करके एल्यूमीनियम एल्कोऑक्साइड पॉलिमर फिल्मों की आणविक परत का जमाव". Langmuir. 27 (24): 15155–64. doi:10.1021/la202391h. PMID 22029704.
↑ Giessibl FJ (2003-07-29). "परमाणु बल माइक्रोस्कोपी में प्रगति". Reviews of Modern Physics. 75 (3): 949–983. arXiv:cond-mat/0305119. Bibcode:2003RvMP...75..949G. doi:10.1103/revmodphys.75.949. ISSN 0034-6861. S2CID 18924292.
↑ Zhou W, Apkarian R, Wang ZL, Joy D (2006), "Fundamentals of Scanning Electron Microscopy (SEM)", Scanning Microscopy for Nanotechnology, Springer New York, pp. 1–40, doi:10.1007/978-0-387-39620-0_1, ISBN 978-0-387-33325-0
↑ Berthomieu C, Hienerwadel R (2009-06-10). "फूरियर ट्रांसफॉर्म इंफ्रारेड (एफटीआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी". Photosynthesis Research. 101 (2–3): 157–70. doi:10.1007/s11120-009-9439-x. PMID 19513810. S2CID 29890772.
↑ "Stanovlenie Russko-Amerikanskikh Otnoshenii, 1775–1815 [The Establishment of Russian-American Relations, 1775–1815]. by <italic>N. N. Bolkhovitinov</italic> [Akademiia Nauk SSSR, Institut Istorii.] (Moscow: Izdatel'stvo "Nauka." 1966. Pp. 638)". The American Historical Review. February 1968. doi:10.1086/ahr/73.3.771. ISSN 1937-5239.
↑ ^44.0 ^44.1 Li X, Lushington A, Sun Q, Xiao W, Liu J, Wang B, et al. (June 2016). "आणविक परत जमा कोटिंग के माध्यम से सुरक्षित और टिकाऊ उच्च तापमान लिथियम-सल्फर बैटरियां". Nano Letters. 16 (6): 3545–9. Bibcode:2016NanoL..16.3545L. doi:10.1021/acs.nanolett.6b00577. PMID 27175936. S2CID 206733472.
↑ Lushington A, Liu J, Bannis MN, Xiao B, Lawes S, Li R, Sun X (December 2015). "आणविक परत जमाव का उपयोग करके पतली फिल्मों की चालकता को नियंत्रित करने में एक नया दृष्टिकोण". Applied Surface Science. 357: 1319–1324. Bibcode:2015ApSS..357.1319L. doi:10.1016/j.apsusc.2015.09.155.
↑ Beckhoff B, Kanngießer hB, Langhoff N, Wedell R, Wolff H, eds. (2006). व्यावहारिक एक्स-रे प्रतिदीप्ति विश्लेषण की पुस्तिका. doi:10.1007/978-3-540-36722-2. ISBN 978-3-540-28603-5.
↑ Santoro G, Yu S (2017-01-25). "Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering as a Tool for In- Situ Time-Resolved Studies". एक्स-रे प्रकीर्णन. InTech. doi:10.5772/64877. ISBN 978-953-51-2887-8.
↑ Dendooven J, Ramachandran RK, Solano E, Kurttepeli M, Geerts L, Heremans G, et al. (October 2017). "परमाणु परत जमाव का उपयोग करके समर्थित पीटी नैनोकणों के आकार और कवरेज की स्वतंत्र ट्यूनिंग". Nature Communications. 8 (1): 1074. Bibcode:2017NatCo...8.1074D. doi:10.1038/s41467-017-01140-z. PMC 5651928. PMID 29057871.
↑ Dendooven J, Pulinthanathu Sree S, De Keyser K, Deduytsche D, Martens JA, Ludwig KF, Detavernier C (2011-03-18). "In Situ X-ray Fluorescence Measurements During Atomic Layer Deposition: Nucleation and Growth of TiO2 on Planar Substrates and in Nanoporous Films". The Journal of Physical Chemistry C. 115 (14): 6605–6610. doi:10.1021/jp111314b. ISSN 1932-7447.
↑ "वीपीआई (वाष्प चरण घुसपैठ) क्या है". CTECHNANO (in English). Retrieved 2020-10-01.
↑ "HYCOAT Innovative Training Network | Functional Hybrid Coatings by Molecular Layer Deposition | H2020 Marie Curie Actions". www.hycoat.eu. Retrieved 2019-02-18.
↑ Shamiryan D, Abell T, Iacopi F, Maex K (January 2004). "लो-के ढांकता हुआ सामग्री". Materials Today. 7 (1): 34–39. doi:10.1016/s1369-7021(04)00053-7. ISSN 1369-7021.
↑ Klepper KB, Nilsen O, Levy T, Fjellvåg H (2011-11-02). "असंतृप्त रैखिक कार्बोक्जिलिक एसिड पर आधारित कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का परमाणु परत जमाव". European Journal of Inorganic Chemistry. 2011 (34): 5305–5312. doi:10.1002/ejic.201100192. ISSN 1434-1948.
↑ Mor YS, Chang TC, Liu PT, Tsai TM, Chen CW, Yan ST, et al. (2002). "Effective repair to ultra-low-k dielectric material (k~2.0) by hexamethyldisilazane treatment". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 20 (4): 1334. Bibcode:2002JVSTB..20.1334M. doi:10.1116/1.1488645.
↑ Cheng L, Lee J, Zhu H, Ravichandran AV, Wang Q, Lucero AT, et al. (October 2017). "2 for Two-Dimensional Material-Based Devices". ACS Nano. 11 (10): 10243–10252. doi:10.1021/acsnano.7b04813. PMID 28832118.
↑ Lee BH, Anderson VR, George SM (2013-05-22). "Molecular Layer Deposition of Zircone and ZrO2/Zircone Alloy Films: Growth and Properties". Chemical Vapor Deposition. 19 (4–6): 204–212. doi:10.1002/cvde.201207045. ISSN 0948-1907.
↑ Cao YQ, Zhu L, Li X, Cao ZY, Wu D, Li AD (September 2015). "आणविक परत जमाव द्वारा टीआई-आधारित फ्यूमरिक एसिड हाइब्रिड पतली फिल्मों की वृद्धि विशेषताएँ". Dalton Transactions. 44 (33): 14782–92. doi:10.1039/c5dt00384a. PMID 26219386.
↑ ^58.0 ^58.1 Stassen I, Burtch N, Talin A, Falcaro P, Allendorf M, Ameloot R (June 2017). "इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और रासायनिक सेंसर के साथ धातु-कार्बनिक ढांचे के एकीकरण के लिए एक अद्यतन रोडमैप". Chemical Society Reviews. 46 (11): 3185–3241. doi:10.1039/C7CS00122C. PMID 28452388.
↑ Souto M, Strutyński K, Melle-Franco M, Rocha J (April 2020). "इलेक्ट्रॉनिक्स में कार्यात्मक पोरस फ्रेमवर्क (एमओएफ और सीओएफ) के रासायनिक डिजाइन के लिए इलेक्ट्रोएक्टिव ऑर्गेनिक बिल्डिंग ब्लॉक". Chemistry. 26 (48): 10912–10935. doi:10.1002/chem.202001211. PMID 32293769.
↑ Stassen I, Styles M, Grenci G, Gorp HV, Vanderlinden W, Feyter SD, et al. (March 2016). "जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का रासायनिक वाष्प जमाव". Nature Materials. 15 (3): 304–10. Bibcode:2016NatMa..15..304S. doi:10.1038/nmat4509. PMID 26657328.
↑ Cruz AJ, Stassen I, Krishtab M, Marcoen K, Stassin T, Rodríguez-Hermida S, et al. (2019-11-26). "बड़े क्षेत्र के जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों के वाष्प-चरण जमाव के लिए एकीकृत क्लीनरूम प्रक्रिया". Chemistry of Materials (in English). 31 (22): 9462–9471. doi:10.1021/acs.chemmater.9b03435. hdl:10550/74201. ISSN 0897-4756.
↑ Stassin T, Rodríguez-Hermida S, Schrode B, Cruz AJ, Carraro F, Kravchenko D, et al. (September 2019). "ओरिएंटेड कॉपर डाइकारबॉक्साइलेट मेटल-ऑर्गेनिक फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का वाष्प-चरण जमाव". Chemical Communications. 55 (68): 10056–10059. doi:10.1039/C9CC05161A. PMID 31369024. S2CID 199057054.
↑ Salmi LD, Heikkilä MJ, Vehkamäki M, Puukilainen E, Ritala M, Sajavaara T (2014-11-11). "Studies on atomic layer deposition of IRMOF-8 thin films". Journal of Vacuum Science & Technology A. 33 (1): 01A121. doi:10.1116/1.4901455. ISSN 0734-2101.
↑ Salmi LD, Heikkilä MJ, Puukilainen E, Sajavaara T, Grosso D, Ritala M (2013-12-01). "Studies on atomic layer deposition of MOF-5 thin films". Microporous and Mesoporous Materials. 182: 147–154. doi:10.1016/j.micromeso.2013.08.024. ISSN 1387-1811.
↑ Lausund KB, Nilsen O (November 2016). "All-gas-phase synthesis of UiO-66 through modulated atomic layer deposition". Nature Communications. 7 (1): 13578. Bibcode:2016NatCo...713578L. doi:10.1038/ncomms13578. PMC 5123030. PMID 27876797.
↑ Yoon B, Lee BH, George SM (2012-11-13). "Highly Conductive and Transparent Hybrid Organic–Inorganic Zincone Thin Films Using Atomic and Molecular Layer Deposition". The Journal of Physical Chemistry C. 116 (46): 24784–24791. doi:10.1021/jp3057477. ISSN 1932-7447.
↑ Piper DM, Travis JJ, Young M, Son SB, Kim SC, Oh KH, et al. (March 2014). "आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम लिथियम-आयन बैटरियों के लिए प्रतिवर्ती उच्च क्षमता वाले सी नैनोकम्पोजिट एनोड". Advanced Materials. 26 (10): 1596–601. doi:10.1002/adma.201304714. PMID 24353043. S2CID 205253006.
↑ Piper DM, Lee Y, Son SB, Evans T, Lin F, Nordlund D, et al. (April 2016). "सिलिकॉन इलेक्ट्रोड के स्थिरीकरण के लिए क्रॉस-लिंक्ड एल्यूमीनियम डाइऑक्सीबेंजीन कोटिंग". Nano Energy. 22: 202–210. doi:10.1016/j.nanoen.2016.02.021.
↑ Li X, Lushington A, Liu J, Li R, Sun X (September 2014). "आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम ली-एस बैटरियों के बेहतर स्थिर सल्फर कैथोड". Chemical Communications. 50 (68): 9757–60. doi:10.1039/C4CC04097J. PMID 25026556.
↑ Jiao YP, Cui FZ (December 2007). "ऊतक इंजीनियरिंग के लिए पॉलिएस्टर बायोमटेरियल का सतही संशोधन". Biomedical Materials. 2 (4): R24-37. doi:10.1088/1748-6041/2/4/R02. PMID 18458475. S2CID 12019400.
↑ Momtazi L, Sønsteby HH, Dartt DA, Eidet JR, Nilsen O (2017-04-10). "आणविक परत जमाव से बायोएक्टिव टाइटैमिनेट्स". RSC Advances. 7 (34): 20900–20907. Bibcode:2017RSCAd...720900M. doi:10.1039/C7RA01918A.
↑ Momtazi L, Dartt DA, Nilsen O, Eidet JR (December 2018). "आणविक परत जमाव उपकला कोशिकाओं के लिए जैव-संगत सब्सट्रेट बनाता है". Journal of Biomedical Materials Research. Part A. 106 (12): 3090–3098. doi:10.1002/jbm.a.36499. PMID 30194710. S2CID 52173008.
↑ Momtazi L, Sønsteby HH, Nilsen O (2019-02-08). "आणविक परत जमाव द्वारा विकसित न्यूक्लियोबेस और टाइटेनियम पर आधारित जैव-संगत कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री". Beilstein Journal of Nanotechnology. 10 (1): 399–411. doi:10.3762/bjnano.10.39. PMC 6369986. PMID 30800579.
↑ WHO, 2019 Antibacterial agents in clinical development – an analysis of the antibacterial clinical development pipeline. Geneva: World Health Organization; 2019. Licence: CC BY-NC-SA 3.0 IGO.
↑ Xuan W, He Y, Huang L, Huang YY, Bhayana B, Xi L, et al. (November 2018). "Antimicrobial Photodynamic Inactivation Mediated by Tetracyclines in Vitro and in Vivo: Photochemical Mechanisms and Potentiation by Potassium Iodide". Scientific Reports. 8 (1): 17130. Bibcode:2018NatSR...817130X. doi:10.1038/s41598-018-35594-y. PMC 6244358. PMID 30459451.
↑ Hamblin MR (October 2016). "Antimicrobial photodynamic inactivation: a bright new technique to kill resistant microbes". Current Opinion in Microbiology. 33: 67–73. doi:10.1016/j.mib.2016.06.008. PMC 5069151. PMID 27421070.
↑ Walker T, Canales M, Noimark S, Page K, Parkin I, Faull J, et al. (November 2017). "एक प्रकाश-सक्रिय रोगाणुरोधी सतह बैक्टीरिया, वायरल और फंगल जीवों के खिलाफ सक्रिय है". Scientific Reports. 7 (1): 15298. Bibcode:2017NatSR...715298W. doi:10.1038/s41598-017-15565-5. PMC 5681661. PMID 29127333.
↑ Lausund KB, Olsen MS, Hansen PA, Valen H, Nilsen O (2020). "आणविक परत जमाव द्वारा विकसित द्वि-सुगंधित लिंकर्स के साथ एमओएफ पतली फिल्में". Journal of Materials Chemistry A (in English). 8 (5): 2539–2548. doi:10.1039/C9TA09303F.
↑ "आणविक बीम एपिटैक्सी, पतली फिल्म जमाव और परमाणु परत जमाव प्रणाली - एसवीटी एसोसिएट्स". www.svta.com.
↑ Nalwa HS (2002). पतली फिल्म सामग्री की हैंडबुक. San Diego: Academic Press. ISBN 9780125129084. OCLC 162575792.^{[page needed]}

बाहरी संबंध

[pmid25161845-1] 1.0 ^1.1 ^1.2 ^1.3 ^1.4 Sundberg P, Karppinen M (22 July 2014). "Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review". Beilstein Journal of Nanotechnology. 5: 1104–36. doi:10.3762/bjnano.5.123. PMC 4143120. PMID 25161845.

[2] Ahvenniemi E, Akbashev AR, Ali S, Bechelany M, Berdova M, Boyadjiev S, et al. (January 2017). "Review Article: Recommended reading list of early publications on atomic layer deposition—Outcome of the "Virtual Project on the History of ALD"". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 35 (1): 010801. Bibcode:2017JVSTA..35a0801A. doi:10.1116/1.4971389.

[Meng2017-3] 3.0 ^3.1 Meng X (2017). "An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications". Journal of Materials Chemistry A. 5 (35): 18326–18378. doi:10.1039/C7TA04449F.

[4] Yoshimura T, Tatsuura S, Sotoyama W (22 July 1991). "आणविक परत जमाव द्वारा मोनोलेयर विकास चरणों के साथ पॉलिमर फिल्में बनाई गईं". Applied Physics Letters. 59 (4): 482–484. Bibcode:1991ApPhL..59..482Y. doi:10.1063/1.105415.

[pmid18047337-5] 5.0 ^5.1 Lee BH, Ryu MK, Choi SY, Lee KH, Im S, Sung MM (December 2007). "मोनोलेयर परिशुद्धता के साथ कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड सुपरलैटिस का तेजी से वाष्प-चरण निर्माण". Journal of the American Chemical Society. 129 (51): 16034–41. doi:10.1021/ja075664o. PMID 18047337.

[6] Dameron AA, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM (May 2008). "ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव". Chemistry of Materials. 20 (10): 3315–3326. doi:10.1021/cm7032977.

[7] Shao HI, Umemoto S, Kikutani T, Okui N (January 1997). "Layer-by-layer polycondensation of nylon 66 by alternating vapour deposition polymerization". Polymer. 38 (2): 459–462. doi:10.1016/S0032-3861(96)00504-6.

[8] Adamczyk NM, Dameron AA, George SM (March 2008). "टेरेफ्थालोयल क्लोराइड और पी-फेनिलेनेडियमीन का उपयोग करके पॉली (पी-फेनिलीन टेरेफ्थेलामाइड) फिल्मों की आणविक परत का जमाव". Langmuir. 24 (5): 2081–9. doi:10.1021/la7025279. PMID 18215079.

[9] Peng Q, Efimenko K, Genzer J, Parsons GN (July 2012). "वाष्प-आणविक-परत-जमा एल्काइल-सुगंधित पॉलियामाइड फिल्मों में ओलिगोमर अभिविन्यास". Langmuir. 28 (28): 10464–70. doi:10.1021/la3017936. PMID 22765908.

[10] Yoshimura T, Kudo Y (16 January 2009). "कैरियर-गैस-प्रकार आणविक परत जमाव द्वारा बीज कोर अणुओं से मोनोमोलेक्यूलर-स्टेप पॉलिमर वायर विकास". Applied Physics Express. 2 (1): 015502. Bibcode:2009APExp...2a5502Y. doi:10.1143/APEX.2.015502. S2CID 98004440.

[11] Loscutoff PW, Zhou H, Clendenning SB, Bent SF (January 2010). "आणविक परत जमाव द्वारा कार्बनिक नैनोस्केल लैमिनेट्स और मिश्रणों का निर्माण". ACS Nano. 4 (1): 331–41. doi:10.1021/nn901013r. PMID 20000603.

[12] Loscutoff PW, Lee HB, Bent SF (12 October 2010). "आणविक परत जमाव द्वारा अल्ट्राथिन पॉलिथियोरिया फिल्म्स का जमाव". Chemistry of Materials. 22 (19): 5563–5569. doi:10.1021/cm1016239.

[13] Sabapathy RC, Crooks RM (October 2000). "सॉल्वैंट्स की अनुपस्थिति में अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा तैयार तीन-परत कार्बनिक पतली फिल्म का संश्लेषण". Langmuir. 16 (20): 7783–7788. doi:10.1021/la000603o.

[:0-14] 14.0 ^14.1 ^14.2 How Atomic Layer Deposition (ALD) works on YouTube

[15] Leskelä M, Ritala M (April 2002). "Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures". Thin Solid Films. 409 (1): 138–146. Bibcode:2002TSF...409..138L. doi:10.1016/s0040-6090(02)00117-7.

[16] Sundberg P, Karppinen M (2014-07-22). "Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review". Beilstein Journal of Nanotechnology. 5: 1104–36. doi:10.3762/bjnano.5.123. PMC 4143120. PMID 25161845.

[17] Sundberg P, Karppinen M (2014-07-22). "Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review". Beilstein Journal of Nanotechnology. 5: 1104–36. doi:10.3762/bjnano.5.123. PMC 4143120. PMID 25161845. S2CID 18351209.

[18] Meng X (2017). "An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications". Journal of Materials Chemistry A. 5 (35): 18326–18378. doi:10.1039/c7ta04449f. ISSN 2050-7488.

[:1-19] 19.0 ^19.1 ^19.2 ^19.3 ^19.4 ^19.5 Puurunen RL (15 June 2005). "Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process". Journal of Applied Physics. 97 (12): 121301–121301–52. Bibcode:2005JAP....97l1301P. doi:10.1063/1.1940727.

[20] "Atomic Layer Deposition Process Development – 10 steps to successfully develop, optimize and characterize ALD recipes – Atomic Limits" (in English). Retrieved 2019-02-14.

[21] George SM, Yoon B, Dameron AA (April 2009). "कार्बनिक और संकर कार्बनिक-अकार्बनिक पॉलिमर की आणविक परत जमाव के लिए सतह रसायन विज्ञान". Accounts of Chemical Research. 42 (4): 498–508. CiteSeerX 10.1.1.628.4492. doi:10.1021/ar800105q. PMID 19249861.

[:2-22] 22.0 ^22.1 Van de Kerckhove K, Mattelaer F, Deduytsche D, Vereecken PM, Dendooven J, Detavernier C (January 2016). "लिथियम-आयन बैटरियों के लिए इलेक्ट्रोड के रूप में टाइटेनियम-आधारित संकर सामग्री "टाइटेनिकोन" का आणविक परत जमाव". Dalton Transactions. 45 (3): 1176–84. doi:10.1039/c5dt03840e. PMID 26662179.

[23] Nilsen O, Klepper K, Nielsen H, Fjellvaåg H (2008). "परमाणु परत जमाव द्वारा कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का जमाव". ECS Transactions. ECS. 16 (4): 3–14. Bibcode:2008ECSTr..16d...3N. doi:10.1149/1.2979975. S2CID 98464425.

[यूं-24] Yoon B, Seghete D, Cavanagh AS, George SM (2009-11-24). "तीन-चरणीय एबीसी प्रतिक्रिया अनुक्रम का उपयोग करके हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक एल्यूकोन पॉलिमर फिल्मों का आणविक परत जमाव". Chemistry of Materials. 21 (22): 5365–5374. doi:10.1021/cm9013267. ISSN 0897-4756.

[25] Elam JW, Groner MD, George SM (August 2002). "परमाणु परत जमाव द्वारा पतली फिल्म के विकास के लिए क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस के साथ चिपचिपा प्रवाह रिएक्टर". Review of Scientific Instruments (in English). 73 (8): 2981–2987. Bibcode:2002RScI...73.2981E. doi:10.1063/1.1490410. ISSN 0034-6748.

[26] Mousa MB, Oldham CJ, Jur JS, Parsons GN (January 2012). "Effect of temperature and gas velocity on growth per cycle during Al 2 O 3 and ZnO atomic layer deposition at atmospheric pressure". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 30 (1): 01A155. Bibcode:2012JVSTA..30aA155M. doi:10.1116/1.3670961.

[27] Jur JS, Parsons GN (February 2011). "Atomic layer deposition of Al(2)O(3) and ZnO at atmospheric pressure in a flow tube reactor". ACS Applied Materials & Interfaces. 3 (2): 299–308. doi:10.1021/am100940g. PMID 21265563.

[:3-28] 28.0 ^28.1 Timmons M, Rangarajan P, Stennick R (December 2000). "ठोस ओएमवीपीई स्रोतों के लिए सिलेंडर डिजाइन का अध्ययन". Journal of Crystal Growth (in English). 221 (1–4): 635–639. Bibcode:2000JCrGr.221..635T. doi:10.1016/S0022-0248(00)00791-0.

[29] Love A, Middleman S, Hochberg AK (March 1993). "वाष्प वितरण प्रणाली के रूप में बब्बलर्स की गतिशीलता". Journal of Crystal Growth (in English). 129 (1–2): 119–133. Bibcode:1993JCrGr.129..119L. doi:10.1016/0022-0248(93)90441-X.

[30] Woelk E, DiCarlo R (May 2014). "ओएमवीपीई प्रक्रिया में तरल अग्रदूतों से वाष्प फ़ीड का नियंत्रण". Journal of Crystal Growth (in English). 393: 32–34. Bibcode:2014JCrGr.393...32W. doi:10.1016/j.jcrysgro.2013.10.020.

[31] Frigo DM, Van Berkel WW, Maassen WA, van Mier GP, Wilkie JH, Gal AW (November 1992). "A method for dosing solid sources for MOVPE: excellent reproducibility of dosimetry from a saturated solution of trimethylindium". Journal of Crystal Growth (in English). 124 (1–4): 99–105. Bibcode:1992JCrGr.124...99F. doi:10.1016/0022-0248(92)90444-N.

[32] Andre CL, El-Zein N, Tran N (January 2007). "किसी ठोस रसायन के निरंतर वाष्प वितरण के लिए बब्बलर". Journal of Crystal Growth (in English). 298: 168–171. Bibcode:2007JCrGr.298..168A. doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.10.018.

[33] Suntola T, Hyvarinen J (August 1985). "परमाणु परत एपिटैक्सी". Annual Review of Materials Science. 15 (1): 177–195. Bibcode:1985AnRMS..15..177S. doi:10.1146/annurev.ms.15.080185.001141. ISSN 0084-6600.

[34] Kumagai Y, Mayumi M, Koukitu A, Seki H (June 2000). "क्यूबिक-जीएएन के हैलोजन परिवहन परमाणु परत एपिटेक्सी की सीटू ग्रेविमेट्रिक निगरानी में". Applied Surface Science (in English). 159–160 (1–2): 427–431. Bibcode:2000ApSS..159..427K. doi:10.1016/S0169-4332(00)00120-3.

[35] Kim JB, Kwon DR, Chakrabarti K, Lee C, Oh KY, Lee JH (December 2002). "Improvement in Al2O3 dielectric behavior by using ozone as an oxidant for the atomic layer deposition technique". Journal of Applied Physics (in English). 92 (11): 6739–6742. Bibcode:2002JAP....92.6739K. doi:10.1063/1.1515951. ISSN 0021-8979.

[36] Hoex B, Heil SB, Langereis E, van de Sanden MC, Kessels WM (2006-07-24). "Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3". Applied Physics Letters (in English). 89 (4): 042112. Bibcode:2006ApPhL..89d2112H. doi:10.1063/1.2240736. ISSN 0003-6951.

[:5-37] 37.0 ^37.1 Fujii Y (2013-07-31). "बहुस्तरीय पतली फिल्म सामग्री की खुरदुरी सतहों और इंटरफेस के लिए एक्स-रे परावर्तन विश्लेषण में हालिया विकास". Journal of Materials. 2013: 1–20. doi:10.1155/2013/678361. ISSN 2314-4866.

[38] Dameron A, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM (May 2008). "ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव". Chemistry of Materials. 20 (10): 3315–3326. doi:10.1021/cm7032977. ISSN 0897-4756.

[39] Lee Y, Yoon B, Cavanagh AS, George SM (December 2011). "ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और ग्लाइसीडोल का उपयोग करके एल्यूमीनियम एल्कोऑक्साइड पॉलिमर फिल्मों की आणविक परत का जमाव". Langmuir. 27 (24): 15155–64. doi:10.1021/la202391h. PMID 22029704.

[40] Giessibl FJ (2003-07-29). "परमाणु बल माइक्रोस्कोपी में प्रगति". Reviews of Modern Physics. 75 (3): 949–983. arXiv:cond-mat/0305119. Bibcode:2003RvMP...75..949G. doi:10.1103/revmodphys.75.949. ISSN 0034-6861. S2CID 18924292.

[41] Zhou W, Apkarian R, Wang ZL, Joy D (2006), "Fundamentals of Scanning Electron Microscopy (SEM)", Scanning Microscopy for Nanotechnology, Springer New York, pp. 1–40, doi:10.1007/978-0-387-39620-0_1, ISBN 978-0-387-33325-0

[42] Berthomieu C, Hienerwadel R (2009-06-10). "फूरियर ट्रांसफॉर्म इंफ्रारेड (एफटीआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी". Photosynthesis Research. 101 (2–3): 157–70. doi:10.1007/s11120-009-9439-x. PMID 19513810. S2CID 29890772.

[43] "Stanovlenie Russko-Amerikanskikh Otnoshenii, 1775–1815 [The Establishment of Russian-American Relations, 1775–1815]. by <italic>N. N. Bolkhovitinov</italic> [Akademiia Nauk SSSR, Institut Istorii.] (Moscow: Izdatel'stvo "Nauka." 1966. Pp. 638)". The American Historical Review. February 1968. doi:10.1086/ahr/73.3.771. ISSN 1937-5239.

[escholarship.org-44] 44.0 ^44.1 Li X, Lushington A, Sun Q, Xiao W, Liu J, Wang B, et al. (June 2016). "आणविक परत जमा कोटिंग के माध्यम से सुरक्षित और टिकाऊ उच्च तापमान लिथियम-सल्फर बैटरियां". Nano Letters. 16 (6): 3545–9. Bibcode:2016NanoL..16.3545L. doi:10.1021/acs.nanolett.6b00577. PMID 27175936. S2CID 206733472.

[45] Lushington A, Liu J, Bannis MN, Xiao B, Lawes S, Li R, Sun X (December 2015). "आणविक परत जमाव का उपयोग करके पतली फिल्मों की चालकता को नियंत्रित करने में एक नया दृष्टिकोण". Applied Surface Science. 357: 1319–1324. Bibcode:2015ApSS..357.1319L. doi:10.1016/j.apsusc.2015.09.155.

[46] Beckhoff B, Kanngießer hB, Langhoff N, Wedell R, Wolff H, eds. (2006). व्यावहारिक एक्स-रे प्रतिदीप्ति विश्लेषण की पुस्तिका. doi:10.1007/978-3-540-36722-2. ISBN 978-3-540-28603-5.

[47] Santoro G, Yu S (2017-01-25). "Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering as a Tool for In- Situ Time-Resolved Studies". एक्स-रे प्रकीर्णन. InTech. doi:10.5772/64877. ISBN 978-953-51-2887-8.

[48] Dendooven J, Ramachandran RK, Solano E, Kurttepeli M, Geerts L, Heremans G, et al. (October 2017). "परमाणु परत जमाव का उपयोग करके समर्थित पीटी नैनोकणों के आकार और कवरेज की स्वतंत्र ट्यूनिंग". Nature Communications. 8 (1): 1074. Bibcode:2017NatCo...8.1074D. doi:10.1038/s41467-017-01140-z. PMC 5651928. PMID 29057871.

[49] Dendooven J, Pulinthanathu Sree S, De Keyser K, Deduytsche D, Martens JA, Ludwig KF, Detavernier C (2011-03-18). "In Situ X-ray Fluorescence Measurements During Atomic Layer Deposition: Nucleation and Growth of TiO2 on Planar Substrates and in Nanoporous Films". The Journal of Physical Chemistry C. 115 (14): 6605–6610. doi:10.1021/jp111314b. ISSN 1932-7447.

[50] "वीपीआई (वाष्प चरण घुसपैठ) क्या है". CTECHNANO (in English). Retrieved 2020-10-01.

[51] "HYCOAT Innovative Training Network | Functional Hybrid Coatings by Molecular Layer Deposition | H2020 Marie Curie Actions". www.hycoat.eu. Retrieved 2019-02-18.

[52] Shamiryan D, Abell T, Iacopi F, Maex K (January 2004). "लो-के ढांकता हुआ सामग्री". Materials Today. 7 (1): 34–39. doi:10.1016/s1369-7021(04)00053-7. ISSN 1369-7021.

[53] Klepper KB, Nilsen O, Levy T, Fjellvåg H (2011-11-02). "असंतृप्त रैखिक कार्बोक्जिलिक एसिड पर आधारित कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का परमाणु परत जमाव". European Journal of Inorganic Chemistry. 2011 (34): 5305–5312. doi:10.1002/ejic.201100192. ISSN 1434-1948.

[54] Mor YS, Chang TC, Liu PT, Tsai TM, Chen CW, Yan ST, et al. (2002). "Effective repair to ultra-low-k dielectric material (k~2.0) by hexamethyldisilazane treatment". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 20 (4): 1334. Bibcode:2002JVSTB..20.1334M. doi:10.1116/1.1488645.

[55] Cheng L, Lee J, Zhu H, Ravichandran AV, Wang Q, Lucero AT, et al. (October 2017). "2 for Two-Dimensional Material-Based Devices". ACS Nano. 11 (10): 10243–10252. doi:10.1021/acsnano.7b04813. PMID 28832118.

[56] Lee BH, Anderson VR, George SM (2013-05-22). "Molecular Layer Deposition of Zircone and ZrO2/Zircone Alloy Films: Growth and Properties". Chemical Vapor Deposition. 19 (4–6): 204–212. doi:10.1002/cvde.201207045. ISSN 0948-1907.

[57] Cao YQ, Zhu L, Li X, Cao ZY, Wu D, Li AD (September 2015). "आणविक परत जमाव द्वारा टीआई-आधारित फ्यूमरिक एसिड हाइब्रिड पतली फिल्मों की वृद्धि विशेषताएँ". Dalton Transactions. 44 (33): 14782–92. doi:10.1039/c5dt00384a. PMID 26219386.

[:4-58] 58.0 ^58.1 Stassen I, Burtch N, Talin A, Falcaro P, Allendorf M, Ameloot R (June 2017). "इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और रासायनिक सेंसर के साथ धातु-कार्बनिक ढांचे के एकीकरण के लिए एक अद्यतन रोडमैप". Chemical Society Reviews. 46 (11): 3185–3241. doi:10.1039/C7CS00122C. PMID 28452388.

[59] Souto M, Strutyński K, Melle-Franco M, Rocha J (April 2020). "इलेक्ट्रॉनिक्स में कार्यात्मक पोरस फ्रेमवर्क (एमओएफ और सीओएफ) के रासायनिक डिजाइन के लिए इलेक्ट्रोएक्टिव ऑर्गेनिक बिल्डिंग ब्लॉक". Chemistry. 26 (48): 10912–10935. doi:10.1002/chem.202001211. PMID 32293769.

[60] Stassen I, Styles M, Grenci G, Gorp HV, Vanderlinden W, Feyter SD, et al. (March 2016). "जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का रासायनिक वाष्प जमाव". Nature Materials. 15 (3): 304–10. Bibcode:2016NatMa..15..304S. doi:10.1038/nmat4509. PMID 26657328.

[61] Cruz AJ, Stassen I, Krishtab M, Marcoen K, Stassin T, Rodríguez-Hermida S, et al. (2019-11-26). "बड़े क्षेत्र के जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों के वाष्प-चरण जमाव के लिए एकीकृत क्लीनरूम प्रक्रिया". Chemistry of Materials (in English). 31 (22): 9462–9471. doi:10.1021/acs.chemmater.9b03435. hdl:10550/74201. ISSN 0897-4756.

[62] Stassin T, Rodríguez-Hermida S, Schrode B, Cruz AJ, Carraro F, Kravchenko D, et al. (September 2019). "ओरिएंटेड कॉपर डाइकारबॉक्साइलेट मेटल-ऑर्गेनिक फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का वाष्प-चरण जमाव". Chemical Communications. 55 (68): 10056–10059. doi:10.1039/C9CC05161A. PMID 31369024. S2CID 199057054.

[63] Salmi LD, Heikkilä MJ, Vehkamäki M, Puukilainen E, Ritala M, Sajavaara T (2014-11-11). "Studies on atomic layer deposition of IRMOF-8 thin films". Journal of Vacuum Science & Technology A. 33 (1): 01A121. doi:10.1116/1.4901455. ISSN 0734-2101.

[64] Salmi LD, Heikkilä MJ, Puukilainen E, Sajavaara T, Grosso D, Ritala M (2013-12-01). "Studies on atomic layer deposition of MOF-5 thin films". Microporous and Mesoporous Materials. 182: 147–154. doi:10.1016/j.micromeso.2013.08.024. ISSN 1387-1811.

[65] Lausund KB, Nilsen O (November 2016). "All-gas-phase synthesis of UiO-66 through modulated atomic layer deposition". Nature Communications. 7 (1): 13578. Bibcode:2016NatCo...713578L. doi:10.1038/ncomms13578. PMC 5123030. PMID 27876797.

[66] Yoon B, Lee BH, George SM (2012-11-13). "Highly Conductive and Transparent Hybrid Organic–Inorganic Zincone Thin Films Using Atomic and Molecular Layer Deposition". The Journal of Physical Chemistry C. 116 (46): 24784–24791. doi:10.1021/jp3057477. ISSN 1932-7447.

[67] Piper DM, Travis JJ, Young M, Son SB, Kim SC, Oh KH, et al. (March 2014). "आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम लिथियम-आयन बैटरियों के लिए प्रतिवर्ती उच्च क्षमता वाले सी नैनोकम्पोजिट एनोड". Advanced Materials. 26 (10): 1596–601. doi:10.1002/adma.201304714. PMID 24353043. S2CID 205253006.

[68] Piper DM, Lee Y, Son SB, Evans T, Lin F, Nordlund D, et al. (April 2016). "सिलिकॉन इलेक्ट्रोड के स्थिरीकरण के लिए क्रॉस-लिंक्ड एल्यूमीनियम डाइऑक्सीबेंजीन कोटिंग". Nano Energy. 22: 202–210. doi:10.1016/j.nanoen.2016.02.021.

[69] Li X, Lushington A, Liu J, Li R, Sun X (September 2014). "आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम ली-एस बैटरियों के बेहतर स्थिर सल्फर कैथोड". Chemical Communications. 50 (68): 9757–60. doi:10.1039/C4CC04097J. PMID 25026556.

[70] Jiao YP, Cui FZ (December 2007). "ऊतक इंजीनियरिंग के लिए पॉलिएस्टर बायोमटेरियल का सतही संशोधन". Biomedical Materials. 2 (4): R24-37. doi:10.1088/1748-6041/2/4/R02. PMID 18458475. S2CID 12019400.

[71] Momtazi L, Sønsteby HH, Dartt DA, Eidet JR, Nilsen O (2017-04-10). "आणविक परत जमाव से बायोएक्टिव टाइटैमिनेट्स". RSC Advances. 7 (34): 20900–20907. Bibcode:2017RSCAd...720900M. doi:10.1039/C7RA01918A.

[72] Momtazi L, Dartt DA, Nilsen O, Eidet JR (December 2018). "आणविक परत जमाव उपकला कोशिकाओं के लिए जैव-संगत सब्सट्रेट बनाता है". Journal of Biomedical Materials Research. Part A. 106 (12): 3090–3098. doi:10.1002/jbm.a.36499. PMID 30194710. S2CID 52173008.

[73] Momtazi L, Sønsteby HH, Nilsen O (2019-02-08). "आणविक परत जमाव द्वारा विकसित न्यूक्लियोबेस और टाइटेनियम पर आधारित जैव-संगत कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री". Beilstein Journal of Nanotechnology. 10 (1): 399–411. doi:10.3762/bjnano.10.39. PMC 6369986. PMID 30800579.

[74] WHO, 2019 Antibacterial agents in clinical development – an analysis of the antibacterial clinical development pipeline. Geneva: World Health Organization; 2019. Licence: CC BY-NC-SA 3.0 IGO.

[75] Xuan W, He Y, Huang L, Huang YY, Bhayana B, Xi L, et al. (November 2018). "Antimicrobial Photodynamic Inactivation Mediated by Tetracyclines in Vitro and in Vivo: Photochemical Mechanisms and Potentiation by Potassium Iodide". Scientific Reports. 8 (1): 17130. Bibcode:2018NatSR...817130X. doi:10.1038/s41598-018-35594-y. PMC 6244358. PMID 30459451.

[76] Hamblin MR (October 2016). "Antimicrobial photodynamic inactivation: a bright new technique to kill resistant microbes". Current Opinion in Microbiology. 33: 67–73. doi:10.1016/j.mib.2016.06.008. PMC 5069151. PMID 27421070.

[77] Walker T, Canales M, Noimark S, Page K, Parkin I, Faull J, et al. (November 2017). "एक प्रकाश-सक्रिय रोगाणुरोधी सतह बैक्टीरिया, वायरल और फंगल जीवों के खिलाफ सक्रिय है". Scientific Reports. 7 (1): 15298. Bibcode:2017NatSR...715298W. doi:10.1038/s41598-017-15565-5. PMC 5681661. PMID 29127333.

[78] Lausund KB, Olsen MS, Hansen PA, Valen H, Nilsen O (2020). "आणविक परत जमाव द्वारा विकसित द्वि-सुगंधित लिंकर्स के साथ एमओएफ पतली फिल्में". Journal of Materials Chemistry A (in English). 8 (5): 2539–2548. doi:10.1039/C9TA09303F.

[79] "आणविक बीम एपिटैक्सी, पतली फिल्म जमाव और परमाणु परत जमाव प्रणाली - एसवीटी एसोसिएट्स". www.svta.com.

[80] Nalwa HS (2002). पतली फिल्म सामग्री की हैंडबुक. San Diego: Academic Press. ISBN 9780125129084. OCLC 162575792.^{[page needed]}

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]

[17]

[18]

[19]

[20]

[21]

[22]

[23]

[24]

[25]

[26]

[27]

[28]

[29]

[30]

[31]

[32]

[33]

[34]

[35]

[36]

[37]

[38]

[39]

[40]

[41]

[42]

[43]

[44]

[45]

[46]

[47]

[48]

[49]

[50]

[51]

[52]

[53]

[54]

[55]

[56]

[57]

[58]

[59]

[60]

[61]

[62]

[63]

[64]

[65]

[66]

[67]

[68]

[69]

[70]

[71]

[72]

[73]

[74]

[75]

[76]

[77]

[78]

[79]

[80]

@@ Line 1: / Line 1: @@
 {{short description|Vapour phase thin film deposition technique}}
-'''आणविक परत निक्षेपण''' (एमएलडी) एक वाष्प अवस्था की पतली फिल्म निक्षेपण तकनीक है जो क्रमबद्ध रूप से की गई स्व-सीमित सतह प्रतिक्रियाओं पर आधारित है।<ref name="pmid25161845">{{cite journal | vauthors = Sundberg P, Karppinen M | title = Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review | journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 5 | pages = 1104–36 | date = 22 July 2014 | pmid = 25161845 | pmc = 4143120 | doi = 10.3762/bjnano.5.123 }}</ref> सामान्यतः आणविक परत निक्षेपण तकनीक [[परमाणु परत जमाव|परमाणु परत निक्षेपण]] (एएलडी) की अच्छी तरह से स्थापित तकनीक के अनुरूप है, जबकि परमाणु परत निक्षेपण तकनीक विशेष रूप से अकार्बनिक लेपन तक ही सीमित है। आणविक परत निक्षेपण में पूर्ववर्ती रसायन विज्ञान के छोटे द्वि-क्रियात्मक कार्बनिक अणुओं का भी उपयोग किया जा सकता है। यह बहुलकीकरण जैसी प्रक्रिया में कार्बनिक परतों के विकास के साथ कार्बनिक या अकार्बनिक हाइब्रिड पदार्थ बनाने के लिए नियंत्रित रूप से दोनों प्रकार के निर्मित ब्लॉकों को एक साथ जोड़ने में सक्षम होता है।
+'''आणविक परत निक्षेपण''' (एमएलडी) एक वाष्प अवस्था की पतली परत निक्षेपण तकनीक है जो क्रमबद्ध रूप से की गई स्व-सीमित सतह प्रतिक्रियाओं पर आधारित है।<ref name="pmid25161845">{{cite journal | vauthors = Sundberg P, Karppinen M | title = Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review | journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 5 | pages = 1104–36 | date = 22 July 2014 | pmid = 25161845 | pmc = 4143120 | doi = 10.3762/bjnano.5.123 }}</ref> सामान्यतः आणविक परत निक्षेपण तकनीक [[परमाणु परत जमाव|परमाणु परत निक्षेपण]] (एएलडी) की अच्छी तरह से स्थापित तकनीक के अनुरूप है, जबकि परमाणु परत निक्षेपण तकनीक विशेष रूप से अकार्बनिक लेपन तक ही सीमित है। आणविक परत निक्षेपण में पूर्ववर्ती रसायन विज्ञान के छोटे द्वि-क्रियात्मक कार्बनिक अणुओं का भी उपयोग किया जा सकता है। यह बहुलकीकरण जैसी प्रक्रिया में कार्बनिक परतों के विकास के साथ कार्बनिक या अकार्बनिक हाइब्रिड पदार्थ बनाने के लिए नियंत्रित रूप से दोनों प्रकार के निर्मित ब्लॉकों को एक साथ जोड़ने में सक्षम होता है।
-आणविक परत निक्षेपण [[ पतली फिल्म |पतली परत]] के क्षेत्र में एक ज्ञात तकनीक है। इसके सापेक्ष हाइब्रिड पदार्थ  होने के कारण इसके अकार्बनिक परमाणुओ की परमाणु परत निक्षेपण के रूप में खोज नहीं की गई है। सामान्यतः इसके आगामी वर्षों में व्यापक क्षेत्र के विकास की संभावना है।
+आणविक परत निक्षेपण [[ पतली फिल्म |पतली परत]] के क्षेत्र में एक ज्ञात तकनीक है। इसके सापेक्ष हाइब्रिड पदार्थ होने के कारण इसके अकार्बनिक परमाणुओ की परमाणु परत निक्षेपण के रूप में खोज नहीं की गई है। सामान्यतः इसके आगामी वर्षों में व्यापक क्षेत्र के विकास की संभावना है।
 ==इतिहास==
-आणविक परत निक्षेपण परमाणु परत निक्षेपण की एक सहयोगी तकनीक है। जबकि परमाणु परत निक्षेपण का इतिहास 1970 के दशक का है, जिसका श्रेय [[वैलेन्टिन एलेस्कोव्स्की|वैलेन्टिन बोरिसोविच एलेस्कोवस्की]] और तुओमो सनटोला के स्वतंत्र कार्य को जाता है।<ref>{{cite journal | vauthors = Ahvenniemi E, Akbashev AR, Ali S, Bechelany M, Berdova M, Boyadjiev S, Cameron DC, Chen R, Chubarov M, Cremers V, Devi A, etal | display-authors = 6 |title=Review Article: Recommended reading list of early publications on atomic layer deposition—Outcome of the "Virtual Project on the History of ALD" |journal=Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films |date=January 2017 |volume=35 |issue=1 |pages=010801 |doi=10.1116/1.4971389 |bibcode=2017JVSTA..35a0801A |doi-access=free }}</ref><ref name="Meng2017">{{cite journal | vauthors = Meng X |title=An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications |journal=Journal of Materials Chemistry A |date=2017 |volume=5 |issue=35 |pages=18326–18378 |doi=10.1039/C7TA04449F }}</ref> कार्बनिक अणुओं के साथ पहला आणविक परत निक्षेपण प्रयोग 1991 तक प्रकाशित नहीं हुआ था, जब टेटसुज़ो योशिमुरा और उनके सहकर्मियों का एक लेख सामने आया था।<ref>{{cite journal | vauthors = Yoshimura T, Tatsuura S, Sotoyama W |title=आणविक परत जमाव द्वारा मोनोलेयर विकास चरणों के साथ पॉलिमर फिल्में बनाई गईं|journal=Applied Physics Letters |date=22 July 1991 |volume=59 |issue=4 |pages=482–484 |doi=10.1063/1.105415 |bibcode=1991ApPhL..59..482Y }}</ref> जिसमें अभिकारकों के रूप में एमाइन और एनहाइड्राइड का उपयोग करके पॉलीमाइड के संश्लेषण के विषय में बताया गया था।<ref name="pmid18047337">{{cite journal | vauthors = Lee BH, Ryu MK, Choi SY, Lee KH, Im S, Sung MM | title = मोनोलेयर परिशुद्धता के साथ कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड सुपरलैटिस का तेजी से वाष्प-चरण निर्माण| journal = Journal of the American Chemical Society | volume = 129 | issue = 51 | pages = 16034–41 | date = December 2007 | pmid = 18047337 | doi = 10.1021/ja075664o }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Dameron AA, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM |title=ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव|journal=Chemistry of Materials |date=May 2008 |volume=20 |issue=10 |pages=3315–3326 |doi=10.1021/cm7032977 }}</ref> 1990 के दशक में कार्बनिक यौगिकों पर कुछ कार्य करने के बाद परमाणु परत निक्षेपण और आणविक परत निक्षेपण दोनों तकनीकों के संयोजन की हाइब्रिड सामग्रियों से संबंधित पहला पेपर सामने आया था। तब से आणविक परत निक्षेपण पर प्रति वर्ष प्रस्तुत लेखों की संख्या में निरंतर वृद्धि हुई है और निक्षेपण परतों की एक अधिक विविध श्रृंखला देखी गई है, जिसमें पॉलियामाइड्स,<ref>{{cite journal | vauthors = Shao HI, Umemoto S, Kikutani T, Okui N |title=Layer-by-layer polycondensation of nylon 66 by alternating vapour deposition polymerization |journal=Polymer |date=January 1997 |volume=38 |issue=2 |pages=459–462 |doi=10.1016/S0032-3861(96)00504-6 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Adamczyk NM, Dameron AA, George SM | title = टेरेफ्थालोयल क्लोराइड और पी-फेनिलेनेडियमीन का उपयोग करके पॉली (पी-फेनिलीन टेरेफ्थेलामाइड) फिल्मों की आणविक परत का जमाव| journal = Langmuir | volume = 24 | issue = 5 | pages = 2081–9 | date = March 2008 | pmid = 18215079 | doi = 10.1021/la7025279 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Peng Q, Efimenko K, Genzer J, Parsons GN | title = वाष्प-आणविक-परत-जमा एल्काइल-सुगंधित पॉलियामाइड फिल्मों में ओलिगोमर अभिविन्यास| journal = Langmuir | volume = 28 | issue = 28 | pages = 10464–70 | date = July 2012 | pmid = 22765908 | doi = 10.1021/la3017936 }}</ref> पॉलीइमाइन्स,<ref>{{cite journal | vauthors = Yoshimura T, Kudo Y |title=कैरियर-गैस-प्रकार आणविक परत जमाव द्वारा बीज कोर अणुओं से मोनोमोलेक्यूलर-स्टेप पॉलिमर वायर विकास|journal=Applied Physics Express |date=16 January 2009 |volume=2 |issue=1 |pages=015502 |doi=10.1143/APEX.2.015502 |bibcode=2009APExp...2a5502Y |s2cid=98004440 }}</ref> पॉल्यूरिया सम्मिलित हैं।<ref>{{cite journal | vauthors = Loscutoff PW, Zhou H, Clendenning SB, Bent SF | title = आणविक परत जमाव द्वारा कार्बनिक नैनोस्केल लैमिनेट्स और मिश्रणों का निर्माण| journal = ACS Nano | volume = 4 | issue = 1 | pages = 331–41 | date = January 2010 | pmid = 20000603 | doi = 10.1021/nn901013r }}</ref> पॉलिथियोरिया<ref>{{cite journal | vauthors = Loscutoff PW, Lee HB, Bent SF |title=आणविक परत जमाव द्वारा अल्ट्राथिन पॉलिथियोरिया फिल्म्स का जमाव|journal=Chemistry of Materials |date=12 October 2010 |volume=22 |issue=19 |pages=5563–5569 |doi=10.1021/cm1016239 }}</ref> और कुछ कॉपोलिमर हाइब्रिड परतो के निक्षेपण में विशेष रुचि रखते हैं।<ref>{{cite journal | vauthors = Sabapathy RC, Crooks RM |title=सॉल्वैंट्स की अनुपस्थिति में अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा तैयार तीन-परत कार्बनिक पतली फिल्म का संश्लेषण|journal=Langmuir |date=October 2000 |volume=16 |issue=20 |pages=7783–7788 |doi=10.1021/la000603o }}</ref>
+आणविक परत निक्षेपण परमाणु परत निक्षेपण की एक सहयोगी तकनीक है। जबकि परमाणु परत निक्षेपण का इतिहास 1970 के दशक का है, जिसका श्रेय [[वैलेन्टिन एलेस्कोव्स्की|वैलेन्टिन बोरिसोविच एलेस्कोवस्की]] और तुओमो सनटोला के स्वतंत्र कार्य को जाता है।<ref>{{cite journal | vauthors = Ahvenniemi E, Akbashev AR, Ali S, Bechelany M, Berdova M, Boyadjiev S, Cameron DC, Chen R, Chubarov M, Cremers V, Devi A, etal | display-authors = 6 |title=Review Article: Recommended reading list of early publications on atomic layer deposition—Outcome of the "Virtual Project on the History of ALD" |journal=Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films |date=January 2017 |volume=35 |issue=1 |pages=010801 |doi=10.1116/1.4971389 |bibcode=2017JVSTA..35a0801A |doi-access=free }}</ref><ref name="Meng2017">{{cite journal | vauthors = Meng X |title=An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications |journal=Journal of Materials Chemistry A |date=2017 |volume=5 |issue=35 |pages=18326–18378 |doi=10.1039/C7TA04449F }}</ref> कार्बनिक अणुओं के साथ पहला आणविक परत निक्षेपण प्रयोग 1991 तक प्रकाशित नहीं हुआ था, जब टेटसुज़ो योशिमुरा और उनके सहकर्मियों का एक लेख सामने आया था।<ref>{{cite journal | vauthors = Yoshimura T, Tatsuura S, Sotoyama W |title=आणविक परत जमाव द्वारा मोनोलेयर विकास चरणों के साथ पॉलिमर फिल्में बनाई गईं|journal=Applied Physics Letters |date=22 July 1991 |volume=59 |issue=4 |pages=482–484 |doi=10.1063/1.105415 |bibcode=1991ApPhL..59..482Y }}</ref> जिसमें अभिकारकों के रूप में एमाइन और एनहाइड्राइड का उपयोग करके पॉलीमाइड के संश्लेषण के विषय में बताया गया था।<ref name="pmid18047337">{{cite journal | vauthors = Lee BH, Ryu MK, Choi SY, Lee KH, Im S, Sung MM | title = मोनोलेयर परिशुद्धता के साथ कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड सुपरलैटिस का तेजी से वाष्प-चरण निर्माण| journal = Journal of the American Chemical Society | volume = 129 | issue = 51 | pages = 16034–41 | date = December 2007 | pmid = 18047337 | doi = 10.1021/ja075664o }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Dameron AA, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM |title=ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव|journal=Chemistry of Materials |date=May 2008 |volume=20 |issue=10 |pages=3315–3326 |doi=10.1021/cm7032977 }}</ref> 1990 के दशक में कार्बनिक यौगिकों पर कुछ कार्य करने के बाद परमाणु परत निक्षेपण और आणविक परत निक्षेपण दोनों तकनीकों के संयोजन की हाइब्रिड पदार्थों से संबंधित पहला पेपर सामने आया था। तब से आणविक परत निक्षेपण पर प्रति वर्ष प्रस्तुत लेखों की संख्या में निरंतर वृद्धि हुई है और निक्षेपण परतों की एक अधिक विविध श्रृंखला देखी गई है, जिसमें पॉलियामाइड्स,<ref>{{cite journal | vauthors = Shao HI, Umemoto S, Kikutani T, Okui N |title=Layer-by-layer polycondensation of nylon 66 by alternating vapour deposition polymerization |journal=Polymer |date=January 1997 |volume=38 |issue=2 |pages=459–462 |doi=10.1016/S0032-3861(96)00504-6 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Adamczyk NM, Dameron AA, George SM | title = टेरेफ्थालोयल क्लोराइड और पी-फेनिलेनेडियमीन का उपयोग करके पॉली (पी-फेनिलीन टेरेफ्थेलामाइड) फिल्मों की आणविक परत का जमाव| journal = Langmuir | volume = 24 | issue = 5 | pages = 2081–9 | date = March 2008 | pmid = 18215079 | doi = 10.1021/la7025279 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Peng Q, Efimenko K, Genzer J, Parsons GN | title = वाष्प-आणविक-परत-जमा एल्काइल-सुगंधित पॉलियामाइड फिल्मों में ओलिगोमर अभिविन्यास| journal = Langmuir | volume = 28 | issue = 28 | pages = 10464–70 | date = July 2012 | pmid = 22765908 | doi = 10.1021/la3017936 }}</ref> पॉलीइमाइन्स<ref>{{cite journal | vauthors = Yoshimura T, Kudo Y |title=कैरियर-गैस-प्रकार आणविक परत जमाव द्वारा बीज कोर अणुओं से मोनोमोलेक्यूलर-स्टेप पॉलिमर वायर विकास|journal=Applied Physics Express |date=16 January 2009 |volume=2 |issue=1 |pages=015502 |doi=10.1143/APEX.2.015502 |bibcode=2009APExp...2a5502Y |s2cid=98004440 }}</ref> और पॉल्यूरिया सम्मिलित हैं।<ref>{{cite journal | vauthors = Loscutoff PW, Zhou H, Clendenning SB, Bent SF | title = आणविक परत जमाव द्वारा कार्बनिक नैनोस्केल लैमिनेट्स और मिश्रणों का निर्माण| journal = ACS Nano | volume = 4 | issue = 1 | pages = 331–41 | date = January 2010 | pmid = 20000603 | doi = 10.1021/nn901013r }}</ref> पॉलिथियोरिया<ref>{{cite journal | vauthors = Loscutoff PW, Lee HB, Bent SF |title=आणविक परत जमाव द्वारा अल्ट्राथिन पॉलिथियोरिया फिल्म्स का जमाव|journal=Chemistry of Materials |date=12 October 2010 |volume=22 |issue=19 |pages=5563–5569 |doi=10.1021/cm1016239 }}</ref> और कुछ कॉपोलिमर हाइब्रिड परतो के निक्षेपण में विशेष रुचि रखते हैं।<ref>{{cite journal | vauthors = Sabapathy RC, Crooks RM |title=सॉल्वैंट्स की अनुपस्थिति में अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा तैयार तीन-परत कार्बनिक पतली फिल्म का संश्लेषण|journal=Langmuir |date=October 2000 |volume=16 |issue=20 |pages=7783–7788 |doi=10.1021/la000603o }}</ref>
 ==अभिक्रिया क्रियाविधि==
 परमाणु परत निक्षेपण प्रक्रिया के समान आणविक परत निक्षेपण प्रक्रिया के समय अभिकारकों को अनुक्रमिक या चक्रीय प्रकार से स्पंदित किया जाता है और सभी गैस-ठोस प्रतिक्रियाएं प्रतिस्थापन पर स्व-सीमित होती हैं। इनमें से प्रत्येक चक्र को आणविक परत निक्षेपण चक्र कहा जाता है और परत वृद्धि को प्रति चक्र वृद्धि (जीपीसी) के रूप में मापा जाता है, जिसे सामान्यतः एनएम/चक्र या Å/चक्र में व्यक्त किया जाता है।<ref name=pmid25161845/> एक मॉडल दो पूर्ववर्ती प्रयोग के समय आणविक परत निक्षेपण चक्र निम्नानुसार आगे बढ़ता है:
-सबसे पहले पूर्ववर्ती 1 को परमाणु भट्टी में स्पंदित किया जाता है, जहां यह प्रारूप सतह पर सतह की प्रजातियों के साथ प्रतिक्रिया और केमिसोर्ब (रसोवशोषित) करता है। एक बार ज'''ब सभी अधिशोषण वाली साइ'''टें कवर हो जाती हैं और संतृप्ति तक पहुंच जाती है, तो कोई और अग्रदूत संलग्न नहीं होगा, और अतिरिक्त अग्रदूत अणुओं और उत्पन्न उप-उत्पादों को परमाणु भट्टी से वापस ले लिया जाता है, या तो अक्रिय गैस से शुद्ध करके या परमाणु भट्टी कक्ष को नीचे पंप करके। केवल तभी जब चैम्बर को अक्रिय गैस से ठीक से शुद्ध किया गया हो/आधार दबाव (~ 10−6 एमबार रेंज) तक पंप किया गया हो और पिछले चरण के सभी अवांछित अणुओं को हटा दिया गया हो, तो अग्रदूत 2 को पेश किया जा सकता है।<ref name=":0">{{YouTube|3ASNwXNXKsM|How Atomic Layer Deposition (ALD) works}}</ref> अन्यथा, प्रक्रिया सीवीडी-प्रकार की वृद्धि का जोखिम उठाती है, जहां दो पूर्ववर्ती नमूना सतह से जुड़ने से पहले गैसीय चरण में प्रतिक्रिया करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप विभिन्न विशेषताओं के साथ एक कोटिंग होगी।
+सबसे पहले निर्माता द्वारा अभिकारक 1 को परमाणु भट्टी में स्पंदित किया जाता है, जहां यह प्रारूप सतह पर सतह की प्रजातियों के साथ प्रतिक्रिया और केमिसोर्ब (रसोवशोषित) करता है। एक बार जब सभी अधिशोषण वाली क्षेत्र अधिकृत हो जाते हैं और संतृप्ति अभिगम्य हो जाती है तब कोई और पूर्ववर्ती प्रयोग संलग्न नहीं होता है। इसके अतिरिक्त निर्माता अणुओं और उत्पन्न उप-उत्पादों को परमाणु भट्टी से वापस ले लिया जाता है या तो अक्रिय गैस से शुद्ध करके या परमाणु भट्टी कक्ष को नीचे पंप करता है। यह केवल तभी करता है जब चैम्बर को अक्रिय गैस से ठीक से शुद्ध किया गया हो या आधार दाब (~ 10<sup>−6</sup> एमबार दूरी) तक पंप किया गया हो और पिछले कक्ष के सभी अवांछित अणुओं को पृथक कर दिया गया हो, तब अभिकारक 2 को प्रस्तुत किया जा सकता है।<ref name=":0">{{YouTube|3ASNwXNXKsM|How Atomic Layer Deposition (ALD) works}}</ref> अन्यथा प्रक्रिया सीवीडी-प्रकार की वृद्धि का जोखिम उत्पन्न कर सकती है, जहां दो पूर्ववर्ती प्रारूप सतह से जुड़ने से पहले गैसीय अवस्था में प्रतिक्रिया करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप विभिन्न विशेषताओं के साथ एक लेपन प्रतिक्रिया होती है।
-इसके बाद, अग्रदूत 2 स्पंदित होता है, जो सतह पर टिके पिछले अग्रदूत 1 अणुओं के साथ प्रतिक्रिया करता है। यह सतह प्रतिक्रिया फिर से स्व-सीमित है और, परमाणु भट्टी के आधार दबाव को फिर से शुद्ध करने/पंप करने के बाद, सतह समूहों के साथ समाप्त होने वाली एक परत को पीछे छोड़ देती है जो अगले चक्र में अग्रदूत 1 के साथ फिर से प्रतिक्रिया कर सकती है। आदर्श स्थिति में, एमएलडी चक्र की पुनरावृत्ति एक समय में एक मोनोएटोमिक परत में एक कार्बनिक/अकार्बनिक फिल्म का निर्माण करेगी, जो सटीक मोटाई नियंत्रण और फिल्म शुद्धता के साथ अत्यधिक अनुरूप कोटिंग्स को सक्षम करेगी।<ref name=":0" />
+इसके बाद अभिकारक 2 स्पंदित होता है, जो सतह पर स्थित पिछले अभिकारक 1 अणुओं के साथ प्रतिक्रिया करता है। यह सतह प्रतिक्रिया फिर से स्व-सीमित होती है और परमाणु भट्टी के आधार दाब को फिर से शुद्ध पंप करने के बाद सतह समूहों के साथ समाप्त होने वाली एक परत को पीछे छोड़ देती है जो अगले कक्ष में अभिकारक 1 के साथ फिर से प्रतिक्रिया कर सकती है। आदर्श स्थिति में एमएलडी चक्र के पुनरावृत्ति समय में मोनोएटोमिक परत में एक कार्बनिक/अकार्बनिक परत का निर्माण होता है जो शुद्ध मोटाई नियंत्रण और परत शुद्धता के साथ अत्यधिक अनुरूप लेप को सक्षम करता है।<ref name=":0" />
-यदि ALD और MLD को मिला दिया जाए, तो व्यापक श्रेणी में अधिक पूर्ववर्तियों का उपयोग किया जा सकता है, अकार्बनिक और कार्बनिक दोनों।।<ref name=Meng2017/><ref name=pmid18047337/> इसके अतिरिक्त अन्य प्रतिक्रियाओं को भी एएलडी/एमएलडी चक्रों में सम्मिलित किया जा सकता है, जैसे प्लाज्मा या रेडिकल एक्सपोज़र। इस तरह, एएलडी और एमएलडी चक्रों की संख्या और चक्रों के भीतर निहित चरणों को समायोजित करके एक प्रयोग को अनुसंधान आवश्यकताओं के अनुसार स्वतंत्र रूप से अनुकूलित किया जा सकता है।<ref name=":0" />
+यदि परमाणु परत निक्षेपण और आणविक परत निक्षेपण को मिला दिया जाए, तो व्यापक श्रेणी में अधिक अभिकारकों जैसे अकार्बनिक और कार्बनिक दोनों का उपयोग किया जा सकता है।<ref name=Meng2017/><ref name=pmid18047337/> इसके अतिरिक्त अन्य प्रतिक्रियाओं जैसे प्लाज्मा या पूर्ण एक्सपोज़र को भी एएलडी/एमएलडी चक्रों में सम्मिलित किया जा सकता है। इसी प्रकार एएलडी और एमएलडी चक्रों की संख्या और चक्रों के भीतर निहित चरणों को समायोजित करके एक प्रयोग को अनुसंधान आवश्यकताओं के अनुसार स्वतंत्र रूप से अनुकूलित किया जा सकता है।<ref name=":0" />
-==प्रक्रिया रसायन विज्ञान और सतह प्रतिक्रियाएँ ==
+==रासायनिक प्रक्रिया और सतह प्रतिक्रियाएँ ==
-एमएलडी में प्रीकर्सर रसायन विज्ञान एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। पूर्ववर्ती अणुओं के रासायनिक गुण जमा हाइब्रिड पदार्थ की संरचना, संरचना और स्थिरता को संचालित करते हैं। कम समय में संतृप्ति चरण तक पहुंचने और उचित निक्षेपण दर सुनिश्चित करने के लिए, अग्रदूतों को सतह पर केमिसोर्ब करना होगा, सतह सक्रिय समूहों के साथ तेजी से प्रतिक्रिया करनी होगी और एक दूसरे के साथ प्रतिक्रिया करनी होगी। वांछित एमएलडी प्रतिक्रियाओं का बड़ा नकारात्मक ∆G मान होना चाहिए।<ref>{{cite journal| vauthors = Leskelä M, Ritala M |date=April 2002|title=Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures|journal=Thin Solid Films|volume=409|issue=1|pages=138–146|doi=10.1016/s0040-6090(02)00117-7|bibcode=2002TSF...409..138L }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Sundberg P, Karppinen M | title = Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review | journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 5 | pages = 1104–36 | date = 2014-07-22 | pmid = 25161845 | pmc = 4143120 | doi = 10.3762/bjnano.5.123 }}</ref>
+आणविक परत निक्षेपण में रासायनिक अभिकारक एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। अभिकारक अणुओं के रासायनिक गुणों को हाइब्रिड पदार्थ के संघटन, संरचना और स्थिरता को संचालित करते हैं। कम समय में संतृप्ति चरण तक अभिगमन और उपयुक्त निक्षेपण दर को सुनिश्चित करने के लिए अभिकारकों को सतह पर केमिसोर्ब करना होता है। जिससे सतह सक्रिय समूहों मे एक दूसरे अणुओं के साथ तीव्रता से प्रतिक्रिया करती है। जिसके लिए सामान्यतः वांछित एमएलडी प्रतिक्रियाओं का बड़ा ऋणात्मक मान ∆G आवश्यक होता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Leskelä M, Ritala M |date=April 2002|title=Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures|journal=Thin Solid Films|volume=409|issue=1|pages=138–146|doi=10.1016/s0040-6090(02)00117-7|bibcode=2002TSF...409..138L }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Sundberg P, Karppinen M | title = Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review | journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 5 | pages = 1104–36 | date = 2014-07-22 | pmid = 25161845 | pmc = 4143120 | doi = 10.3762/bjnano.5.123 }}</ref>
-कार्बनिक यौगिकों को एमएलडी के अग्रदूत के रूप में नियोजित किया जाता है। उनके प्रभावी उपयोग के लिए, अग्रदूत के पास गैस चरण में विघटित हुए बिना प्रतिक्रिया क्षेत्र में ले जाने के लिए पर्याप्त वाष्प दबाव और थर्मल स्थिरता होनी चाहिए। अस्थिरता आणविक भार और अंतर-आणविक अंतःक्रियाओं से प्रभावित होती है। एमएलडी में चुनौतियों में से एक ऐसे कार्बनिक अग्रदूत को ढूंढना है जिसमें पर्याप्त वाष्प दबाव, प्रतिक्रियाशीलता और थर्मल स्थिरता हो। अधिकांश कार्बनिक अग्रदूतों में कम अस्थिरता होती है, और सब्सट्रेट तक वाष्प की पर्याप्त आपूर्ति सुनिश्चित करने के लिए हीटिंग आवश्यक है। कार्बनिक अग्रदूतों की रीढ़ लचीली हो सकती है यानी, स्निग्ध, या कठोर यानी, कार्यात्मक समूहों के साथ नियोजित सुगंधित। कार्बनिक अग्रदूत सामान्यतः -OH, -COOH, -NH2, -CONH2, -CHO, -COCl, -SH, -CNO, -CN, एल्कीन आदि कार्यात्मक समूहों के साथ होमो या हेटरोबिफंक्शनल अणु होते हैं। निरंतर फिल्म विकास के लिए अग्रदूतों की द्विकार्यात्मक प्रकृति आवश्यक है क्योंकि एक समूह से सतह के साथ प्रतिक्रिया करने की उम्मीद की जाती है और दूसरा सह-अभिकारक की अगली पल्स के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए सुलभ होता है। संलग्न कार्यात्मक समूह पूर्ववर्ती की प्रतिक्रियाशीलता और बंधन मोड में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं और उन्हें सतह पर मौजूद कार्यात्मक समूहों के साथ प्रतिक्रिया करने में सक्षम होना चाहिए। एक लचीली रीढ़ की हड्डी पिछले समन्वय द्वारा एक सतत और घनी फिल्म के विकास में बाधा डाल सकती है, प्रतिक्रियाशील साइटों को अवरुद्ध कर सकती है और इस प्रकार फिल्म की वृद्धि दर कम हो सकती है। इस प्रकार, उपरोक्त सभी आवश्यकताओं को पूरा करने वाले एमएलडी अग्रदूत को ढूंढना सीधी प्रक्रिया नहीं है। <ref>{{cite journal | vauthors = Sundberg P, Karppinen M | title = Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review | journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 5 | pages = 1104–36 | date = 2014-07-22 | pmid = 25161845 | doi = 10.3762/bjnano.5.123 | pmc = 4143120 | s2cid = 18351209 | doi-access = free }}</ref>
+कार्बनिक यौगिकों को आणविक परत निक्षेपण के अभिकारक के रूप में नियोजित किया जाता है। उनके प्रभावी उपयोग के लिए अभिकारक के पास गैस अवस्था में विघटित हुए अतिरिक्त प्रतिक्रिया क्षेत्र में ले जाने के लिए पर्याप्त वाष्प दाब और ऊष्मीय स्थिरता होनी चाहिए। अस्थिरता आणविक भार और अंतर-आणविक अंतःक्रियाओं से प्रभावित होती है। एमएलडी में चुनौतियों में से एक ऐसे कार्बनिक अभिकारक को खोजना है, जिसमें पर्याप्त वाष्प दाब, प्रतिक्रियाशीलता और ऊष्मीय स्थिरता हो। अधिकांश कार्बनिक अभिकारकों में अपेक्षाकृत कम अस्थिरता होती है और प्रतिस्थापन तक वाष्प की पर्याप्त आपूर्ति सुनिश्चित करने के लिए ऊष्मा आवश्यक है। कार्बनिक अभिकारकों मे अपेक्षाकृत नम्यता हो सकती है अर्थात स्निग्ध या जटिल कार्यात्मक समूहों के साथ नियोजित सुगंधित कार्बनिक अभिकारक सामान्यतः -OH, -COOH, -NH<sub>2</sub>, -CONH<sub>2</sub>, -CHO, -COCl, -SH, -CNO, -CN, एल्कीन आदि कार्यात्मक समूहों के साथ सम या विषमलैंगिक अणु होते हैं। निरंतर परत विकास के लिए अभिकारकों की द्विकार्यात्मक प्रकृति आवश्यक है क्योंकि एक समूह से सतह के साथ प्रतिक्रिया करने की संभावना की जाती है और दूसरा सह-अभिकारक की अगली पल्स के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए सुलभ होता है। संलग्न कार्यात्मक समूह अभिकारक की प्रतिक्रियाशीलता और बंधन मोड में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं और उन्हें सतह पर सम्मिलित कार्यात्मक समूहों के साथ प्रतिक्रिया करने में सक्षम होना बनाते हैं। सामान्यतः नम्य अभिकारक पिछले समन्वय द्वारा सतत और घनी परत के विकास में बाधा उत्पन्न कर सकते है और प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों को अवरुद्ध कर सकते है। इस प्रकार परत की वृद्धि दर अपेक्षाकृत कम हो सकती है और उपरोक्त सभी आवश्यकताओं को पूरा करने वाले आणविक परत निक्षेपण अभिकारक को खोजने के लिए कोई स्पष्ट प्रक्रिया नहीं है। <ref>{{cite journal | vauthors = Sundberg P, Karppinen M | title = Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review | journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 5 | pages = 1104–36 | date = 2014-07-22 | pmid = 25161845 | doi = 10.3762/bjnano.5.123 | pmc = 4143120 | s2cid = 18351209 | doi-access = free }}</ref>
-सतह समूह प्रतिक्रिया मध्यवर्ती के रूप में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। सब्सट्रेट सामान्यतः हाइड्रॉक्सिलेटेड या हाइड्रोजन समाप्त होता है और हाइड्रॉक्सिल धातुओं के साथ संघनन प्रतिक्रियाओं के लिए प्रतिक्रियाशील लिंकर के रूप में कार्य करता है। अकार्बनिक अग्रदूत संबंधित लिंकिंग रसायन विज्ञान के माध्यम से सतह प्रतिक्रियाशील समूहों के साथ प्रतिक्रिया करता है जिससे नए ओ-मेटल बांड का निर्माण होता है। धातु अग्रदूत चरण सतह समाप्ति को बदल देता है, जिससे सतह कार्बनिक अग्रदूत के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए तैयार नई प्रतिक्रियाशील साइटों के साथ निकल जाती है। कार्बनिक अग्रदूत परिणामी सतह पर धातु स्थलों के साथ सहसंयोजक रूप से जुड़कर प्रतिक्रिया करता है, धातु लिगेंड जारी करता है और अगली पल्स के लिए तैयार एक और प्रतिक्रियाशील आणविक परत छोड़ता है। प्रत्येक अधिशोषण चरण के बाद उपोत्पाद जारी होते हैं और प्रतिक्रियाओं का सारांश नीचे दिया गया है।<ref>{{cite journal|last=Meng|first=Xiangbo | name-list-style = vanc |date=2017|title=An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications|journal=Journal of Materials Chemistry A|volume=5|issue=35|pages=18326–18378|doi=10.1039/c7ta04449f|issn=2050-7488}}</ref>
+सतह समूह प्रतिक्रिया मध्यवर्ती रासायनिक प्रतिक्रिया के रूप में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती हैं। जिसमे सामान्यतः हाइड्रॉक्सिलेटेड या हाइड्रोजन समाप्त हो जाते है और हाइड्रॉक्सिल धातुओं के साथ संघनन प्रतिक्रियाओं के लिए प्रतिक्रियाशील लिंकर के रूप में कार्य करता है। अकार्बनिक अभिकारक संबंधित लिंकिंग रसायन विज्ञान के माध्यम से सतह प्रतिक्रियाशील समूहों के साथ प्रतिक्रिया करता है जिससे नए ओ- धात्विक बंध का निर्माण होता है। धातु अभिकारक चरण सतह समाप्ति को परिवर्तित कर देते है, जिससे सतह कार्बनिक अभिकारक के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए तैयार नए प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों के साथ निकल जाते है। कार्बनिक अभिकारक परिणामी सतह पर धातु स्थलों के साथ सहसंयोजक रूप से जुड़कर प्रतिक्रिया करता है और धातु लिगेंड प्रस्तुत करता है। अगली पल्स के लिए तैयार अणु एक प्रतिक्रियाशील आणविक परत छोड़ता है। जिसमे प्रत्येक अधिशोषित चरण के बाद उत्पाद प्रारम्भ होता हैं। सामान्यतः प्रतिक्रियाओं की व्याख्या संक्षेप मे नीचे दी गई है।<ref>{{cite journal|last=Meng|first=Xiangbo | name-list-style = vanc |date=2017|title=An overview of molecular layer deposition for organic and organic–inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications|journal=Journal of Materials Chemistry A|volume=5|issue=35|pages=18326–18378|doi=10.1039/c7ta04449f|issn=2050-7488}}</ref>
 [[File:MLD process chemistry.png|alt=|center|thumb|427x427px]]
 == प्रक्रिया संबंधी विचार ==
-एमएलडी प्रक्रिया निष्पादित करते समय, एएलडी के एक प्रकार के रूप में, पर्याप्त शुद्धता और विकास दर के साथ वांछित परत प्राप्त करने के लिए कुछ पहलुओं को ध्यान में रखा जाना चाहिए:
+एमएलडी प्रक्रिया निष्पादित करते समय एएलडी के एक प्रकार के रूप में पर्याप्त शुद्धता और विकास दर के साथ वांछित परत प्राप्त करने के लिए कुछ दृष्टिकोणों को ध्यान में रखा जाना आवश्यक होता है:
-=== संतृप्ति ===
+=== संतृप्तीकरण ===
-प्रयोग शुरू करने से पहले, शोधकर्ता को यह अवश्य जानना चाहिए कि डिज़ाइन की गई प्रक्रिया से संतृप्त या असंतृप्त स्थितियाँ प्राप्त होंगी या नहीं।<ref name=":1">{{cite journal |last1=Puurunen |first1=Riikka L. | name-list-style = vanc |title=Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process |journal=Journal of Applied Physics |date=15 June 2005 |volume=97 |issue=12 |pages=121301–121301–52 |doi=10.1063/1.1940727 |bibcode=2005JAP....97l1301P }}</ref> यदि यह जानकारी अज्ञात है, तो सटीक परिणाम प्राप्त करने के लिए इसे जानना प्राथमिकता है। यदि लंबे समय तक पूर्ववर्ती स्पंदन समय की अनुमति नहीं है, तो नमूने की सतह प्रतिक्रियाशील साइटों के पास गैसीय अणुओं के साथ प्रतिक्रिया करने और एक मोनोलेयर बनाने के लिए पर्याप्त समय नहीं होगा, जो प्रति चक्र (जीपीसी) में कम वृद्धि में अनुवादित होगा। इस समस्या को हल करने के लिए, एक संतृप्ति प्रयोग किया जा सकता है, जहां फिल्म के विकास की निगरानी अलग-अलग पूर्ववर्ती स्पंदन समय पर की जाती है, जिसके जीपीसी को फिर संतृप्ति स्थितियों को खोजने के लिए स्पंदन समय के विरुद्ध प्लॉट किया जाएगा।<ref name=":1" />
+प्रतिक्रिया प्रारम्भ करने से पहले शोधकर्ता को यह अवश्य जानना चाहिए कि डिज़ाइन की गई प्रक्रिया से संतृप्त या असंतृप्त स्थितियाँ प्राप्त होंगी या नहीं प्राप्त होंगी।<ref name=":1">{{cite journal |last1=Puurunen |first1=Riikka L. | name-list-style = vanc |title=Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process |journal=Journal of Applied Physics |date=15 June 2005 |volume=97 |issue=12 |pages=121301–121301–52 |doi=10.1063/1.1940727 |bibcode=2005JAP....97l1301P }}</ref> यदि यह जानकारी अज्ञात है तो शुद्ध परिणाम प्राप्त करने के लिए इसे जानना प्राथमिकता है। यदि लंबे समय तक पूर्ववर्ती स्पंदन समय की स्वीकृति नहीं है तो पप्रारूप की सतह प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों के पास गैसीय अणुओं के साथ प्रतिक्रिया करने और एक मोनोलेयर बनाने के लिए पर्याप्त समय नहीं होगा, जो प्रति चक्र (जीपीसी) में अपेक्षाकृत कम वृद्धि में अनुवादित होगा। इस समस्या को हल करने के लिए एक संतृप्ति प्रयोग किया जा सकता है। जहां परत के विकास का संरक्षण अलग-अलग अभिकारकों के स्पंदन समय पर किया जाता है, जिससे जीपीसी की पुनः संतृप्ति स्थितियों को खोजने के लिए स्पंदन समय के विरुद्ध अभिकारकों को आलेखित किया जाता है।<ref name=":1" /> इसके अतिरिक्त अपेक्षाकृत बहुत कम शुद्धिकरण समय के परिणामस्वरूप परमाणु भट्टी कक्ष में पूर्ववर्ती अणु शेष रह जाते है, जो अगले चरण के समय प्रस्तुत किए गए नए अभिकारक अणुओं के प्रति गैसीय अवस्था में प्रतिक्रियाशील होते है। इसके अतिरिक्त एक अवांछित सीवीडी-विकसित परत प्राप्त को प्राप्त करते हैं।<ref name=":1" />
+=== एमएलडी विंडो (खिड़की) ===
+परत की वृद्धि सामान्यतः निक्षेपण के तापमान पर निर्भर करती है, जिसे एमएलडी विंडो कहा जाता है।<ref name=pmid25161845/> एक तापमान सीमा जिसमें आदर्श रूप से परत की वृद्धि स्थिर होती है। सामान्यतः उसमे एमएलडी विंडो के बाहर कार्य करते समय कई समस्याएं हो सकती हैं:
-इसके अतिरिक्त, बहुत कम शुद्धिकरण समय के परिणामस्वरूप परमाणु भट्टी कक्ष में पूर्ववर्ती अणु शेष रह जाएंगे, जो अगले चरण के दौरान पेश किए गए नए अग्रदूत अणुओं के प्रति गैसीय चरण में प्रतिक्रियाशील होंगे, इसके बजाय एक अवांछित सीवीडी-विकसित परत प्राप्त करेंगे।<ref name=":1" />
+* अपेक्षाकृत कम तापमान पर कार्य करते समय अपर्याप्त प्रतिक्रिया के कारण सीमित वृद्धि या संक्षेपण जो अपेक्षा से अधिक उच्च जीपीसी जैसा दिखाई देगा।<ref name=":1" />
-=== एमएलडी विंडो ===
+*उच्च तापमान पर कार्य करते समय अभिकारक अपघटन जो गैर-संतृप्त मे अनियंत्रित वृद्धि उत्पन्न करता है या विशोषण जो निक्षेपण दर को कम कर सकता है।<ref name=":1" />
-फिल्म की वृद्धि सामान्यतः निक्षेपण के तापमान पर निर्भर करती है, जिसे एमएलडी विंडो कहा जाता है,<ref name=pmid25161845/>एक तापमान सीमा जिसमें, आदर्श रूप से, फिल्म की वृद्धि स्थिर रहेगी। एमएलडी विंडो के बाहर कार्य करते समय, कई समस्याएं हो सकती हैं:
-* कम तापमान पर कार्य करते समय: अपर्याप्त प्रतिक्रिया के कारण सीमित वृद्धि; या संक्षेपण, जो अपेक्षा से अधिक उच्च GPC जैसा दिखाई देगा।<ref name=":1" />* उच्च तापमान पर कार्य करते समय: पूर्ववर्ती अपघटन, जो गैर-संतृप्त अनियंत्रित वृद्धि उत्पन्न करता है; या विशोषण जो निक्षेपण दर को कम करेगा।<ref name=":1" />
+इसके अतिरिक्त एमएलडी विंडो के भीतर कार्य करते समय जीपीसी कभी-कभी अन्य तापमान-निर्भर कारकों, जैसे परत प्रसार, प्रतिक्रियाशील क्षेत्रों की संख्या या प्रतिक्रिया तंत्र के प्रभाव के कारण तापमान के साथ भिन्न हो सकता है।<ref name="pmid25161845" />
+=== गैर-आदर्शता ===
-इसके अतिरिक्त एमएलडी विंडो के भीतर कार्य करते समय भी, जीपीसी कभी-कभी तापमान के साथ भिन्न हो सकता है, अन्य तापमान-निर्भर कारकों, जैसे फिल्म प्रसार, प्रतिक्रियाशील साइटों की संख्या या प्रतिक्रिया तंत्र के प्रभाव के कारण।<ref name="pmid25161845" />
-=== गैर-आदर्शताएं ===
 ====गैर-मोनोलेयर विकास====
-एमएलडी प्रक्रिया को अंजाम देते समय, प्रति चक्र एक मोनोलेयर का आदर्श मामला सामान्यतः लागू नहीं होता है। वास्तविक दुनिया में, कई पैरामीटर फिल्म की वास्तविक विकास दर को प्रभावित करते हैं, जो बदले में उप-मोनोलेयर विकास (प्रति चक्र एक पूर्ण परत से कम का निक्षेपण), द्वीप विकास और द्वीपों के सह-अस्तित्व जैसी गैर-आदर्शताएं उत्पन्न करते हैं।<ref name=":1" />
+एमएलडी प्रक्रिया को निष्पादित करते समय प्रति चक्र एक मोनोलेयर की आदर्श स्थिति सामान्यतः प्रयुक्त नहीं होती है। वास्तविक विश्व में कई पैरामीटर परत की वास्तविक विकास दर को प्रभावित करते हैं, जो परिवर्तन में उप-मोनोलेयर विकास (प्रति चक्र एक पूर्ण परत से कम का निक्षेपण), द्वीप विकास और द्वीपों के सह-अस्तित्व जैसी गैर-आदर्शता को उत्पन्न करते हैं।<ref name=":1" />
-==== सब्सट्रेट प्रभाव ====
+==== कार्यद्रव्य प्रभाव ====
-एमएलडी प्रक्रिया के दौरान, फिल्म विकास सामान्यतः एक स्थिर मूल्य (जीपीसी) प्राप्त करेगा। हालाँकि, पहले चक्रों के दौरान, आने वाले पूर्ववर्ती अणु विकसित पदार्थ की सतह के साथ नहीं बल्कि नंगे सब्सट्रेट के साथ बातचीत करेंगे, और इस प्रकार विभिन्न प्रतिक्रिया दरों के साथ विभिन्न रासायनिक प्रतिक्रियाओं से गुजरेंगे। इसके परिणामस्वरूप, विकास दर सब्सट्रेट वृद्धि (फिल्म-फिल्म प्रतिक्रियाओं की तुलना में तेज़ सबस्टेट-फिल्म प्रतिक्रिया) का अनुभव कर सकती है और इसलिए पहले चक्र में उच्च जीपीसी; या सब्सट्रेट अवरोध (फिल्म-फिल्म प्रतिक्रियाओं की तुलना में धीमी सबस्टेट-फिल्म प्रतिक्रिया), शुरुआत में जीपीसी में कमी के साथ। किसी भी मामले में, कुछ मामलों में प्रक्रिया वृद्धि दर दोनों मामलों में बहुत समान हो सकती है।<ref>{{cite web|url=https://www.atomiclimits.com/2019/02/12/atomic-layer-deposition-process-development-10-steps-to-successfully-develop-optimize-and-characterize-ald-recipes/|title=Atomic Layer Deposition Process Development – 10 steps to successfully develop, optimize and characterize ALD recipes – Atomic Limits|language=en-US|access-date=2019-02-14}}</ref>
+एमएलडी प्रक्रिया के समय परत विकास सामान्यतः एक स्थिर मान (जीपीसी) प्राप्त करती है। हालाँकि पहले चक्रों के समय आने वाले अभिकारक अणु विकसित पदार्थ की सतह के साथ कार्यद्रव्य के रूप मे प्रतिक्रिया करते हैं। इस प्रकार विभिन्न प्रतिक्रिया दरों के साथ विभिन्न रासायनिक प्रतिक्रियाओं से गुजरते हैं। इसके परिणामस्वरूप विकास दर कार्यद्रव्य वृद्धि (परत-परत प्रतिक्रियाओं की तुलना में तीव्र उपसमूह-परत प्रतिक्रिया) का अनुभव कर सकती है। इसलिए पहले चक्र में उच्च जीपीसी या कार्यद्रव्य अवरोध (परत-परत प्रतिक्रियाओं की तुलना में धीमी उपसमूह-परत प्रतिक्रिया) प्रारम्भ में जीपीसी में अपेक्षाकृत कमी के साथ किसी भी अवस्था में प्रक्रिया वृद्धि दर दोनों अवस्थाओ में बहुत समान हो सकती है।<ref>{{cite web|url=https://www.atomiclimits.com/2019/02/12/atomic-layer-deposition-process-development-10-steps-to-successfully-develop-optimize-and-characterize-ald-recipes/|title=Atomic Layer Deposition Process Development – 10 steps to successfully develop, optimize and characterize ALD recipes – Atomic Limits|language=en-US|access-date=2019-02-14}}</ref>
 ==== प्रत्याशित वृद्धि से कम ====
-एमएलडी में, यह देखना अजीब नहीं है कि, अक्सर, प्रयोगों से प्रत्याशित विकास दर से कम परिणाम मिलते हैं। इसका कारण कई कारकों पर निर्भर करता है,<ref>{{cite journal | vauthors = George SM, Yoon B, Dameron AA | title = कार्बनिक और संकर कार्बनिक-अकार्बनिक पॉलिमर की आणविक परत जमाव के लिए सतह रसायन विज्ञान| journal = Accounts of Chemical Research | volume = 42 | issue = 4 | pages = 498–508 | date = April 2009 | pmid = 19249861 | doi = 10.1021/ar800105q | citeseerx = 10.1.1.628.4492 }}</ref> जैसे कि:
+एमएलडी में यह देखना असामान्य नहीं है कि प्रायः प्रयोगों से प्रत्याशित विकास दर से कम परिणाम प्राप्त होते हैं। इसका कारण कई अभीकारकों पर निर्भर करता है,<ref>{{cite journal | vauthors = George SM, Yoon B, Dameron AA | title = कार्बनिक और संकर कार्बनिक-अकार्बनिक पॉलिमर की आणविक परत जमाव के लिए सतह रसायन विज्ञान| journal = Accounts of Chemical Research | volume = 42 | issue = 4 | pages = 498–508 | date = April 2009 | pmid = 19249861 | doi = 10.1021/ar800105q | citeseerx = 10.1.1.628.4492 }}</ref> जैसे कि:
-*अणु का झुकाव: लंबी श्रृंखला वाले कार्बनिक अणुओं के सतह पर पूरी तरह से लंबवत नहीं रहने की संभावना होती है, जिससे सतह स्थलों की संख्या कम हो जाती है।
-*बाइडेंटेट लिगैंड्स: जब एक प्रतिक्रियाशील अणु में दो कार्यात्मक समूह होते हैं, तो यह सतह पर सीधे रहने के बजाय झुक सकता है और दो सतह साइटों के साथ प्रतिक्रिया कर सकता है। उदाहरण के लिए, एथिलीन ग्लाइकॉल और ग्लिसरॉल के साथ उगाए गए टाइटैनिकोन के लिए यह दिखाया गया है। क्योंकि ग्लिसरॉल में एथिलीन ग्लाइकॉल की तुलना में एक अतिरिक्त हाइड्रॉक्सिल समूह होता है और सतह के साथ टर्मिनल हाइड्रॉक्सिल समूहों की दोहरी प्रतिक्रिया के मामले में एक अतिरिक्त प्रतिक्रियाशील हाइड्रॉक्सिल समूह प्रदान करने में सक्षम होता है।<ref name=":2">{{cite journal | vauthors = Van de Kerckhove K, Mattelaer F, Deduytsche D, Vereecken PM, Dendooven J, Detavernier C | title = लिथियम-आयन बैटरियों के लिए इलेक्ट्रोड के रूप में टाइटेनियम-आधारित संकर सामग्री "टाइटेनिकोन" का आणविक परत जमाव| journal = Dalton Transactions | volume = 45 | issue = 3 | pages = 1176–84 | date = January 2016 | pmid = 26662179 | doi = 10.1039/c5dt03840e }}</ref>
-*स्टीरिक बाधा: कार्बनिक अग्रदूत अक्सर भारी होते हैं, और सतह से जुड़े होने पर कई सतह समूहों को कवर कर सकते हैं।
-* लंबे समय तक स्पंदन समय: कार्बनिक अग्रदूतों में बहुत कम वाष्प दबाव हो सकता है, और संतृप्ति प्राप्त करने के लिए बहुत लंबे समय तक स्पंदन समय आवश्यक हो सकता है। इसके अतिरिक्त बाद में कक्ष से सभी अप्रतिक्रिया न किए गए अणुओं को हटाने के लिए सामान्यतः लंबे समय तक शुद्धिकरण की आवश्यकता होती है।
-*कम तापमान: पूर्ववर्ती वाष्प दबाव को बढ़ाने के लिए, कोई इसका तापमान बढ़ाने के बारे में सोच सकता है। फिर भी, कार्बनिक अग्रदूत सामान्यतः थर्मल रूप से बहुत नाजुक होते हैं, और तापमान में वृद्धि अपघटन को प्रेरित कर सकती है।
-*गैस-चरण: कई कार्बनिक प्रतिक्रियाएं सामान्यतः तरल चरण में की जाती हैं, और इसलिए एसिड-बेस इंटरैक्शन या सॉल्वेशन प्रभावों पर निर्भर होती हैं। ये प्रभाव गैसीय चरण में मौजूद नहीं हैं और परिणामस्वरूप, कई प्रक्रियाएं कम प्रतिक्रिया दर उत्पन्न करेंगी या सीधे तौर पर संभव नहीं होंगी।<ref name="pmid25161845" />
-कठोर रीढ़ वाले कार्बनिक पूर्ववर्तियों का उपयोग करके इस घटना से यथासंभव बचा जा सकता है<ref>{{cite journal| vauthors = Nilsen O, Klepper K, Nielsen H, Fjellvaåg H |date=2008|title=परमाणु परत जमाव द्वारा कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का जमाव|journal=ECS Transactions|volume=16|issue=4|pages=3–14|publisher=ECS|doi=10.1149/1.2979975|bibcode=2008ECSTr..16d...3N|s2cid=98464425 }}</ref> या दो से अधिक कार्यात्मक समूहों के साथ,<ref name=":2" />तीन चरणों वाले प्रतिक्रिया अनुक्रम का उपयोग करते हुए, <ref name= यूं 5365-5374 >{{cite journal| vauthors = Yoon B, Seghete D, Cavanagh AS, George SM | date=2009-11-24|title=तीन-चरणीय एबीसी प्रतिक्रिया अनुक्रम का उपयोग करके हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक एल्यूकोन पॉलिमर फिल्मों का आणविक परत जमाव|journal=Chemistry of Materials|volume=21|issue=22|pages=5365–5374|doi=10.1021/cm9013267|issn=0897-4756}}</ref> या उन अग्रदूतों का उपयोग करना जिनमें रिंग-ओपनिंग प्रतिक्रियाएं होती हैं। रेफरी>{{cite journal | vauthors = Keskiväli L, Putkonen M, Puhakka E, Kenttä E, Kint J, Ramachandran RK, Detavernier C, Simell P | display-authors = 6 | title = रिंग-ओपनिंग प्रतिक्रियाओं का उपयोग करके आणविक परत जमाव: फिल्म विकास की आणविक मॉडलिंग और हाइड्रोजन पेरोक्साइड के प्रभाव| journal = ACS Omega | volume = 3 | issue = 7 | pages = 7141–7149 | date = July 2018 | pmid = 31458876 | pmc = 6644646 | doi = 10.1021/acsomega.8b01301 }}</ref>
+*अणु का झुकाव: लंबी श्रृंखला वाले कार्बनिक अणुओं की सतह पर अणुओं के पूरी तरह से लंबवत नहीं रहने की संभावना होती है, जिससे सतह स्थलों की संख्या कम हो जाती है।
+*बाइडेंटेट लिगैंड्स: जब एक प्रतिक्रियाशील अणु में दो कार्यात्मक समूह होते हैं, तो यह सतह पर सीधे रहने के अतिरिक्त झुक सकता है और दो सतह क्षेत्रों के साथ प्रतिक्रिया कर सकती है। उदाहरण के लिए एथिलीन ग्लाइकॉल और ग्लिसरॉल के साथ उत्पन्न किए गए टाइटैनिकोन के लिए यह दिखाया गया है। क्योंकि ग्लिसरॉल में एथिलीन ग्लाइकॉल की तुलना में एक अतिरिक्त हाइड्रॉक्सिल समूह होता है और सतह के साथ टर्मिनल हाइड्रॉक्सिल समूहों की दोहरी प्रतिक्रिया की अवस्था में एक अतिरिक्त प्रतिक्रियाशील हाइड्रॉक्सिल समूह प्रदान करने में सक्षम होता है।<ref name=":2">{{cite journal | vauthors = Van de Kerckhove K, Mattelaer F, Deduytsche D, Vereecken PM, Dendooven J, Detavernier C | title = लिथियम-आयन बैटरियों के लिए इलेक्ट्रोड के रूप में टाइटेनियम-आधारित संकर सामग्री "टाइटेनिकोन" का आणविक परत जमाव| journal = Dalton Transactions | volume = 45 | issue = 3 | pages = 1176–84 | date = January 2016 | pmid = 26662179 | doi = 10.1039/c5dt03840e }}</ref>
+*त्रिविमी बाधा: कार्बनिक अभिकारक प्रायः भारी होते हैं और सतह से जुड़े होने पर कई सतह समूहों को अधिकृत कर सकते हैं।
+* लंबे समय तक स्पंदन समय: कार्बनिक अभिकारकों में बहुत कम वाष्प दाब हो सकता है और संतृप्ति प्राप्त करने के लिए बहुत लंबे समय तक स्पंदन समय आवश्यक हो सकता है। इसके अतिरिक्त बाद में कक्ष से सभी अप्रतिक्रिया न किए गए अणुओं को पृथक करने के लिए सामान्यतः लंबे समय तक शुद्धिकरण की आवश्यकता होती है।
+*कम तापमान: अभिकारक वाष्प दाब को बढ़ाने के लिए कोई भी इसका तापमान बढ़ाने के विषय में सोच सकता है। फिर भी कार्बनिक अभिकारक सामान्यतः ऊष्मीय रूप से बहुत नम्य होते हैं और तापमान में वृद्धि अपघटन को प्रेरित कर सकते हैं।
+*गैस-अवस्था: कई कार्बनिक प्रतिक्रियाएं सामान्यतः तरल अवस्था में की जाती हैं। इसलिए अम्ल-क्षार अंतःक्रिया या विलायक संकरण पर निर्भर होती हैं। ये प्रभाव गैसीय अवस्था में सम्मिलित नहीं हैं। जिसके परिणामस्वरूप कई प्रक्रियाएं कम प्रतिक्रिया दर उत्पन्न करती है या सामान्यतः संभव नहीं होती हैं।<ref name="pmid25161845" />
-===पूर्ववर्तियों की भौतिक स्थिति ===
+जटिल कार्बनिक अभिकारको, दो से अधिक कार्यात्मक समूहों और तीन अवस्था वाली प्रतिक्रियाओ उपयोग करके इस घटना से यथासंभव बचा जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Nilsen O, Klepper K, Nielsen H, Fjellvaåg H |date=2008|title=परमाणु परत जमाव द्वारा कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का जमाव|journal=ECS Transactions|volume=16|issue=4|pages=3–14|publisher=ECS|doi=10.1149/1.2979975|bibcode=2008ECSTr..16d...3N|s2cid=98464425 }}</ref><ref name="यूं">{{cite journal| vauthors = Yoon B, Seghete D, Cavanagh AS, George SM | date=2009-11-24|title=तीन-चरणीय एबीसी प्रतिक्रिया अनुक्रम का उपयोग करके हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक एल्यूकोन पॉलिमर फिल्मों का आणविक परत जमाव|journal=Chemistry of Materials|volume=21|issue=22|pages=5365–5374|doi=10.1021/cm9013267|issn=0897-4756}}</ref> जिनमें वलय विवर्तक प्रतिक्रियाएं होती हैं।<ref name=":2" /> रेफरी>{{cite journal | vauthors = Keskiväli L, Putkonen M, Puhakka E, Kenttä E, Kint J, Ramachandran RK, Detavernier C, Simell P | display-authors = 6 | title = रिंग-ओपनिंग प्रतिक्रियाओं का उपयोग करके आणविक परत जमाव: फिल्म विकास की आणविक मॉडलिंग और हाइड्रोजन पेरोक्साइड के प्रभाव| journal = ACS Omega | volume = 3 | issue = 7 | pages = 7141–7149 | date = July 2018 | pmid = 31458876 | pmc = 6644646 | doi = 10.1021/acsomega.8b01301 }}</ref>
-==== तरल अग्रदूत ====
+===अभिकारको की भौतिक अवस्था ===
-उच्च अस्थिरता और संचालन में आसानी तरल अग्रदूतों को एएलडी/एमएलडी के लिए पसंदीदा विकल्प बनाती है। सामान्यतः तरल अग्रदूतों में कमरे के तापमान पर पर्याप्त उच्च वाष्प दबाव होता है और इसलिए सीमित हीटिंग की आवश्यकता होती है। वे केकिंग, कण आकार परिवर्तन, चैनलिंग जैसी ठोस पूर्ववर्तियों के साथ आम समस्याओं से ग्रस्त नहीं होते हैं और लगातार और स्थिर वाष्प वितरण प्रदान करते हैं। इसलिए, कम गलनांक वाले कुछ ठोस पूर्ववर्तियों का उपयोग सामान्यतः उनकी तरल अवस्था में किया जाता है।
-एक वाहक गैस का उपयोग सामान्यतः पूर्ववर्ती वाष्प को उसके स्रोत से परमाणु भट्टी तक ले जाने के लिए किया जाता है। अग्रदूत वाष्पों को सोलनॉइड और सुई वाल्व की मदद से सीधे इस वाहक गैस में प्रवेश किया जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Elam JW, Groner MD, George SM |date=August 2002|title=परमाणु परत जमाव द्वारा पतली फिल्म के विकास के लिए क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस के साथ चिपचिपा प्रवाह रिएक्टर|journal=Review of Scientific Instruments|language=en|volume=73|issue=8|pages=2981–2987 |doi=10.1063/1.1490410 |bibcode=2002RScI...73.2981E|issn=0034-6748 }}</ref> दूसरी ओर, वाहक गैस को पूर्ववर्ती वाले कंटेनर के मुख्य स्थान पर प्रवाहित किया जा सकता है या पूर्ववर्ती के माध्यम से बुलबुला किया जा सकता है। बाद के लिए, डिप-ट्यूब बब्बलर का सामान्यतः उपयोग किया जाता है। सेटअप में एक खोखली ट्यूब (इनलेट) होती है जो प्रीकर्सर से भरी एक सीलबंद शीशी के लगभग नीचे खुलती है और शीशी के शीर्ष पर एक आउटलेट होता है। नाइट्रोजन/आर्गन जैसी अक्रिय वाहक गैस को ट्यूब के माध्यम से तरल के माध्यम से बुलबुला किया जाता है और आउटलेट के माध्यम से परमाणु भट्टी को नीचे की ओर ले जाया जाता है। तरल पदार्थों की अपेक्षाकृत तेज़ वाष्पीकरण गतिकी के कारण, बाहर निकलने वाली वाहक गैस लगभग पूर्ववर्ती वाष्प से संतृप्त होती है। परमाणु भट्टी में वाष्प की आपूर्ति को वाहक गैस प्रवाह, अग्रदूत के तापमान को समायोजित करके नियंत्रित किया जा सकता है और यदि आवश्यक हो, तो लाइन के नीचे इसे और पतला किया जा सकता है। यह सुनिश्चित किया जाना चाहिए कि बब्बलर से डाउनस्ट्रीम कनेक्शन को पर्याप्त उच्च तापमान पर रखा जाए ताकि पूर्ववर्ती संघनन से बचा जा सके। सेटअप का उपयोग स्थानिक परमाणु भट्टीों में भी किया जा सकता है जो अग्रदूत वाष्प की अत्यधिक उच्च, स्थिर और निरंतर आपूर्ति की मांग करते हैं।
+==== तरल अभिकारक ====
+उच्च अस्थिरता और संचालन में तरल अभिकारकों को एएलडी/एमएलडी के लिए पसंदीदा विकल्प बनाती है। सामान्यतः तरल अभिकारकों में कमरे के तापमान पर पर्याप्त उच्च वाष्प दाब होता है और इसलिए सीमित ऊष्मा की आवश्यकता होती है। वे केकिंग, कण आकार परिवर्तन, चैनलिंग जैसे ठोस अभिकारको के साथ सामान्य समस्याओं से ग्रस्त नहीं होते हैं और निरंतर स्थिर वाष्प वितरण प्रदान करते हैं। इसलिए, कम गलनांक वाले कुछ ठोस अभिकारको का उपयोग सामान्यतः उनकी तरल अवस्था में किया जाता है।
-पारंपरिक परमाणु भट्टीों में, होल्ड कोशिकाओं का उपयोग अग्रदूत वाष्प के अस्थायी भंडार के रूप में भी किया जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Mousa MB, Oldham CJ, Jur JS, Parsons GN |date=January 2012|title=Effect of temperature and gas velocity on growth per cycle during Al 2 O 3 and ZnO atomic layer deposition at atmospheric pressure|journal=Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films |volume=30 |issue=1 |pages=01A155 |doi=10.1116/1.3670961 |bibcode=2012JVSTA..30aA155M }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Jur JS, Parsons GN | title = Atomic layer deposition of Al(2)O(3) and ZnO at atmospheric pressure in a flow tube reactor | journal = ACS Applied Materials & Interfaces | volume = 3 | issue = 2 | pages = 299–308 | date = February 2011 | pmid = 21265563 | doi = 10.1021/am100940g }}</ref> ऐसे सेटअप में, सेल को शुरू में खाली कर दिया जाता है। फिर इसे एक पूर्ववर्ती स्रोत के लिए खोला जाता है और पूर्ववर्ती वाष्प से भरने की अनुमति दी जाती है। फिर सेल को पूर्ववर्ती स्रोत से काट दिया जाता है। परमाणु भट्टी के दबाव के आधार पर, सेल पर एक अक्रिय गैस से दबाव डाला जा सकता है। अंत में, सेल को परमाणु भट्टी में खोला जाता है और प्रीकर्सर वितरित किया जाता है। होल्ड (भंडारण) सेल को भरने और खाली करने के इस चक्र को ALD चक्र के साथ समन्वयित किया जा सकता है। यह सेटअप स्थानिक परमाणु भट्टीों के लिए उपयुक्त नहीं है जो वाष्प की निरंतर आपूर्ति की मांग करते हैं।
+एक वाहक गैस का उपयोग सामान्यतः वाष्प को उसके स्रोत से परमाणु भट्टी तक ले जाने के लिए किया जाता है। वाष्पों को सोलनॉइड और सुई वाल्व की सहायता से सीधे इस वाहक गैस में प्रवेश किया जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Elam JW, Groner MD, George SM |date=August 2002|title=परमाणु परत जमाव द्वारा पतली फिल्म के विकास के लिए क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस के साथ चिपचिपा प्रवाह रिएक्टर|journal=Review of Scientific Instruments|language=en|volume=73|issue=8|pages=2981–2987 |doi=10.1063/1.1490410 |bibcode=2002RScI...73.2981E|issn=0034-6748 }}</ref> दूसरी ओर वाहक गैस को अभिकारक वाले कंटेनर के मुख्य स्थान पर प्रवाहित किया जा सकता है या अभिकारक के माध्यम से बुलबुला किया जा सकता है। बाद के लिए डिप-ट्यूब बब्बलर का सामान्यतः उपयोग किया जाता है। सेटअप में एक खोखली ट्यूब (इनलेट) होती है जो वाहक गैस से भरी एक सीलबंद शीशी के लगभग नीचे खुलती है और शीशी के शीर्ष पर एक आउटलेट होता है। नाइट्रोजन/आर्गन जैसी अक्रिय वाहक गैस को ट्यूब के माध्यम से तरल के माध्यम से बुलबुला किया जाता है और आउटलेट के माध्यम से परमाणु भट्टी को नीचे की ओर ले जाया जाता है। तरल पदार्थों की अपेक्षाकृत तीव्र वाष्पीकरण गतिकी के कारण, बाहर निकलने वाली वाहक गैस लगभग पूर्ववर्ती वाष्प से संतृप्त होती है। परमाणु भट्टी में वाष्प की आपूर्ति को वाहक गैस प्रवाह, अभिकारक के तापमान को समायोजित करके नियंत्रित किया जा सकता है। यदि आवश्यक हो, तो लाइन के नीचे इसे और पतला किया जा सकता है। यह सुनिश्चित किया जाना चाहिए कि बब्बलर से निम्न प्रवाह संबद्धता को पर्याप्त उच्च तापमान पर रखा जाए ताकि पूर्ववर्ती संघनन से बचा जा सके। सेटअप का उपयोग स्थानिक परमाणु भट्टी में भी किया जा सकता है जो अभिकारक वाष्प की अत्यधिक उच्च, स्थिर और निरंतर आपूर्ति की मांग करते हैं।
-==== ठोस पूर्ववर्ती ====
+पारंपरिक परमाणु भट्टी में होल्ड सेल का उपयोग अभिकारक वाष्प के अस्थायी भंडार के रूप में भी किया जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Mousa MB, Oldham CJ, Jur JS, Parsons GN |date=January 2012|title=Effect of temperature and gas velocity on growth per cycle during Al 2 O 3 and ZnO atomic layer deposition at atmospheric pressure|journal=Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films |volume=30 |issue=1 |pages=01A155 |doi=10.1116/1.3670961 |bibcode=2012JVSTA..30aA155M }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Jur JS, Parsons GN | title = Atomic layer deposition of Al(2)O(3) and ZnO at atmospheric pressure in a flow tube reactor | journal = ACS Applied Materials & Interfaces | volume = 3 | issue = 2 | pages = 299–308 | date = February 2011 | pmid = 21265563 | doi = 10.1021/am100940g }}</ref> ऐसे सेटअप में सेल को प्रारम्भ में रिक्त कर दिया जाता है। फिर इसे एक पूर्ववर्ती स्रोत के लिए प्रारम्भ किया जाता है और अभिकारक को वाष्प से भरने की स्वीकृति दी जाती है। फिर सेल को पूर्ववर्ती स्रोत से विभाजित कर दिया जाता है। परमाणु भट्टी के दाब के आधार पर सेल पर एक अक्रिय गैस से दाब डाला जा सकता है। अंत में सेल को परमाणु भट्टी में खोला जाता है और तरल अभिकारक को वितरित किया जाता है। होल्ड (भंडारण) सेल को भरने और रिक्त करने की इस अवस्था को एएलडी अवस्था के साथ समन्वयित किया जा सकता है। यह सेटअप स्थानिक परमाणु भट्टी के लिए उपयुक्त नहीं है जो वाष्प की निरंतर आपूर्ति की मांग करते हैं।
-ठोस पूर्वगामी तरल की तरह सामान्य नहीं हैं लेकिन फिर भी उपयोग किए जाते हैं। सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए ALD में संभावित अनुप्रयोगों वाले ठोस अग्रदूत का एक बहुत ही सामान्य उदाहरण ट्राइमेथिलिंडियम (TMIn) है। एमएलडी में, कुछ ठोस सह-अभिकारक जैसे पी-अमीनोफेनॉल, हाइड्रोक्विनोन, पी-फेनिलेनेडियमिन एथिलीन ग्लाइकोल जैसे तरल अभिकारकों द्वारा सामना की जाने वाली दोहरी प्रतिक्रियाओं की समस्या को दूर कर सकते हैं। इसकी एक वजह उनकी खुशबूदार रीढ़ को माना जा सकता है। ऐसे पूर्ववर्तियों से प्राप्त विकास दर सामान्यतः लचीली रीढ़ वाले पूर्ववर्तियों की तुलना में अधिक होती है।
-हालाँकि, अधिकांश ठोस पूर्ववर्तियों में अपेक्षाकृत कम वाष्प दबाव और धीमी वाष्पीकरण गतिकी होती है।
+==== ठोस अभिकारक ====
+ठोस अभिकारक तरल अभिकारको की तरह सामान्य नहीं हैं लेकिन फिर भी उपयोग किए जाते हैं। अर्धचालक उद्योग के लिए एएलडी में संभावित अनुप्रयोगों वाले ठोस अभिकारक का एक बहुत ही सामान्य उदाहरण ट्राइमेथिलिंडियम (TMIn) है। एमएलडी में कुछ ठोस सह-अभिकारक जैसे पी-अमीनोफेनॉल, हाइड्रोक्विनोन, पी-फेनिलेनेडियमिन एथिलीन ग्लाइकोल जैसे तरल अभिकारकों द्वारा सामना की जाने वाली दोहरी प्रतिक्रियाओं की समस्या को दूर कर सकते हैं। इसके कारण उनको ऐरोमैटिक नम्यता माना जा सकता है। ऐसे अभिकारको से प्राप्त विकास दर सामान्यतः नम्य अभिकारको की तुलना में अधिक होती है। हालाँकि, अधिकांश ठोस अभिकारको में अपेक्षाकृत कम वाष्प दाब और धीमी वाष्पीकरण गतिकी होती है।
-अस्थायी सेटअप के लिए, अग्रदूत को सामान्यतः एक गर्म नाव में भर दिया जाता है और ओवरहेड वाष्प को वाहक गैस द्वारा परमाणु भट्टी में ले जाया जाता है। हालाँकि, धीमी वाष्पीकरण गतिकी के कारण संतुलन वाष्प दबाव प्रदान करना कठिन हो जाता है। अग्रदूत वाष्प के साथ वाहक गैस की अधिकतम संतृप्ति सुनिश्चित करने के लिए, वाहक गैस और अग्रदूत के बीच संपर्क लंबा और पर्याप्त होना चाहिए। एक साधारण डिप-ट्यूब बब्बलर, जो सामान्यतः तरल पदार्थों के लिए उपयोग किया जाता है, का उपयोग इस उद्देश्य के लिए किया जा सकता है। लेकिन, इस तरह के सेटअप से वाष्प वितरण में स्थिरता से अग्रदूत के वाष्पीकरण/उदात्त्व ठंडा होने का खतरा होता है,<ref>{{cite journal| vauthors = Love A, Middleman S, Hochberg AK |date=March 1993|title=वाष्प वितरण प्रणाली के रूप में बब्बलर्स की गतिशीलता|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=129|issue=1–2|pages=119–133|doi=10.1016/0022-0248(93)90441-X|bibcode=1993JCrGr.129..119L}}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Woelk E, DiCarlo R |date=May 2014|title=ओएमवीपीई प्रक्रिया में तरल अग्रदूतों से वाष्प फ़ीड का नियंत्रण|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=393|pages=32–34|doi=10.1016/j.jcrysgro.2013.10.020|bibcode=2014JCrGr.393...32W|doi-access=free}}</ref> पूर्ववर्ती केकिंग, वाहक गैस चैनलिंग,<ref name=":3">{{cite journal| vauthors = Timmons M, Rangarajan P, Stennick R |date=December 2000|title=ठोस ओएमवीपीई स्रोतों के लिए सिलेंडर डिजाइन का अध्ययन|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=221|issue=1–4|pages=635–639|doi=10.1016/S0022-0248(00)00791-0|bibcode=2000JCrGr.221..635T }}</ref> पूर्ववर्ती आकृति विज्ञान और कण आकार में परिवर्तन।<ref name=":3" />इसके अतिरिक्त एक ठोस अग्रदूत के माध्यम से वाहक गैस के उच्च प्रवाह को प्रवाहित करने से छोटे कण परमाणु भट्टी या डाउनस्ट्रीम फिल्टर में चले जाते हैं जिससे यह अवरुद्ध हो जाता है। इन समस्याओं से बचने के लिए, अग्रदूत को पहले एक गैर-वाष्पशील अक्रिय तरल में भंग किया जा सकता है या उसमें निलंबित किया जा सकता है और फिर समाधान/निलंबन को बब्बलर सेटअप में उपयोग किया जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Frigo DM, Van Berkel WW, Maassen WA, van Mier GP, Wilkie JH, Gal AW |date=November 1992|title=A method for dosing solid sources for MOVPE: excellent reproducibility of dosimetry from a saturated solution of trimethylindium|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=124|issue=1–4|pages=99–105|doi=10.1016/0022-0248(92)90444-N|bibcode=1992JCrGr.124...99F}}</ref>
+अस्थायी सेटअप के लिए अभिकारक को सामान्यतः एक गर्म नाव में भर दिया जाता है और ओवरहेड वाष्प को वाहक गैस द्वारा परमाणु भट्टी में ले जाया जाता है। हालाँकि धीमी वाष्पीकरण गतिकी के कारण संतुलन वाष्प दाब प्रदान करना जटिल हो जाता है। अभिकारक वाष्प के साथ वाहक गैस की अधिकतम संतृप्ति सुनिश्चित करने के लिए वाहक गैस और अभिकारक के बीच संपर्क लंबा और पर्याप्त होना चाहिए। एक साधारण डिप-ट्यूब बब्बलर, जो सामान्यतः तरल पदार्थों के लिए उपयोग किया जाता है। उसका का उपयोग इस उद्देश्य के लिए किया जा सकता है। लेकिन इस प्रकार के अभिकारक केकिंग, वाहक गैस चैनलिंग,<ref name=":3">{{cite journal| vauthors = Timmons M, Rangarajan P, Stennick R |date=December 2000|title=ठोस ओएमवीपीई स्रोतों के लिए सिलेंडर डिजाइन का अध्ययन|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=221|issue=1–4|pages=635–639|doi=10.1016/S0022-0248(00)00791-0|bibcode=2000JCrGr.221..635T }}</ref> पूर्ववर्ती आकृति विज्ञान और कण आकार में परिवर्तन सेटअप से वाष्प वितरण में स्थिरता से अभिकारक के वाष्पीकरण को ठंडा होने का जोखिम होता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Love A, Middleman S, Hochberg AK |date=March 1993|title=वाष्प वितरण प्रणाली के रूप में बब्बलर्स की गतिशीलता|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=129|issue=1–2|pages=119–133|doi=10.1016/0022-0248(93)90441-X|bibcode=1993JCrGr.129..119L}}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Woelk E, DiCarlo R |date=May 2014|title=ओएमवीपीई प्रक्रिया में तरल अग्रदूतों से वाष्प फ़ीड का नियंत्रण|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=393|pages=32–34|doi=10.1016/j.jcrysgro.2013.10.020|bibcode=2014JCrGr.393...32W|doi-access=free}}</ref> इसके अतिरिक्त एक ठोस अभिकारक के माध्यम से वाहक गैस के उच्च प्रवाह को प्रवाहित करने से छोटे कण परमाणु भट्टी या निम्न प्रवाह फिल्टर में चले जाते हैं जिससे यह अवरुद्ध हो जाता है। इन समस्याओं से बचने के लिए अभिकारक को पहले एक गैर-वाष्पशील अक्रिय तरल में विघटित किया जा सकता है या उसमें निलंबित किया जा सकता है और फिर विलयन/निलंबन को बब्बलर सेटअप में उपयोग किया जा सकता है।<ref>{{cite journal| vauthors = Frigo DM, Van Berkel WW, Maassen WA, van Mier GP, Wilkie JH, Gal AW |date=November 1992|title=A method for dosing solid sources for MOVPE: excellent reproducibility of dosimetry from a saturated solution of trimethylindium|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=124|issue=1–4|pages=99–105|doi=10.1016/0022-0248(92)90444-N|bibcode=1992JCrGr.124...99F}}</ref>
-इसके अतिरिक्त लंबी अवधि और उच्च वाहक प्रवाह के लिए अग्रदूत वाष्प की स्थिर और लगातार डिलीवरी सुनिश्चित करने के लिए ठोस अग्रदूतों के लिए कुछ विशेष वाष्प वितरण प्रणालियाँ भी डिज़ाइन की गई हैं।<ref name=":3" /><ref>{{cite journal| vauthors = Andre CL, El-Zein N, Tran N |date=January 2007|title=किसी ठोस रसायन के निरंतर वाष्प वितरण के लिए बब्बलर|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=298|pages=168–171|doi=10.1016/j.jcrysgro.2006.10.018|bibcode=2007JCrGr.298..168A}}</ref>
+इसके अतिरिक्त लंबी अवधि और उच्च वाहक प्रवाह के लिए अभिकारक वाष्प की स्थिर और निरंतर वितरण सुनिश्चित करने के लिए या ठोस अभिकारकों के लिए कुछ विशेष वाष्प वितरण प्रणालियाँ भी डिज़ाइन की गई हैं।<ref name=":3" /><ref>{{cite journal| vauthors = Andre CL, El-Zein N, Tran N |date=January 2007|title=किसी ठोस रसायन के निरंतर वाष्प वितरण के लिए बब्बलर|journal=Journal of Crystal Growth|language=en|volume=298|pages=168–171|doi=10.1016/j.jcrysgro.2006.10.018|bibcode=2007JCrGr.298..168A}}</ref>
-==== गैसीय पूर्वगामी ====
+==== गैसीय अभिकारक ====
-ALD/MLD दोनों गैस चरण प्रक्रियाएं हैं। इसलिए, पूर्ववर्तियों को उनके गैसीय रूप में प्रतिक्रिया क्षेत्रों में पेश करने की आवश्यकता होती है। गैसीय भौतिक अवस्था में पहले से मौजूद एक अग्रदूत परमाणु भट्टी तक अपने परिवहन को बहुत सरल और परेशानी मुक्त बना देगा। उदाहरण के लिए, प्रीकर्सर को गर्म करने की कोई आवश्यकता नहीं होगी जिससे संघनन का खतरा कम हो जाएगा। हालाँकि, पूर्वगामी गैसीय अवस्था में शायद ही कभी उपलब्ध होते हैं। दूसरी ओर, कुछ ALD सह-अभिकारक गैसीय रूप में उपलब्ध हैं। उदाहरणों में सल्फाइड फिल्मों के लिए उपयोग किया जाने वाला H2S<ref>{{cite journal| vauthors = Suntola T, Hyvarinen J |date=August 1985|title=परमाणु परत एपिटैक्सी|journal=[[Annual Review of Materials Science]]|volume=15|issue=1|pages=177–195 |doi=10.1146/annurev.ms.15.080185.001141 |bibcode=1985AnRMS..15..177S|issn=0084-6600}}</ref> नाइट्राइड फिल्मों के लिए उपयोग किया जाने वाला NH3 ऑक्साइड का उत्पादन करने के लिए O2 और O3 के प्लाज़्मा सम्मिलित हैं।<ref>{{cite journal| vauthors = Kumagai Y, Mayumi M, Koukitu A, Seki H |date=June 2000|title=क्यूबिक-जीएएन के हैलोजन परिवहन परमाणु परत एपिटेक्सी की सीटू ग्रेविमेट्रिक निगरानी में|journal=Applied Surface Science|language=en|volume=159–160|issue=1–2|pages=427–431|doi=10.1016/S0169-4332(00)00120-3|bibcode=2000ApSS..159..427K}}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Kim JB, Kwon DR, Chakrabarti K, Lee C, Oh KY, Lee JH |date=December 2002|title=Improvement in Al2O3 dielectric behavior by using ozone as an oxidant for the atomic layer deposition technique|journal=Journal of Applied Physics|language=en|volume=92|issue=11|pages=6739–6742|bibcode=2002JAP....92.6739K|doi=10.1063/1.1515951|issn=0021-8979}}</ref><ref>{{cite journal|vauthors = Hoex B, Heil SB, Langereis E, van de Sanden MC, Kessels WM |date=2006-07-24|title=Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3|url=https://research.tue.nl/nl/publications/ultralow-surface-recombination-of-csi-substrates-passivated-by-plasmaassisted-atomic-layer-deposited-al2o3(be05789d-338f-4ed5-800b-7b0fd8d2c447).html|journal=Applied Physics Letters|language=en|volume=89|issue=4|pages=042112|doi=10.1063/1.2240736|bibcode=2006ApPhL..89d2112H|issn=0003-6951}}</ref> परमाणु भट्टी को इन सह-अभिकारकों की आपूर्ति को विनियमित करने का सबसे आम और सीधा तरीका स्रोत और परमाणु भट्टी के बीच जुड़े द्रव्यमान प्रवाह नियंत्रक का उपयोग करना है। उनके आंशिक दबाव को नियंत्रित करने के लिए उन्हें अक्रिय गैस से भी पतला किया जा सकता है।
+एएलडी/एमएलडी दोनों गैस अवस्था की प्रक्रियाएं हैं। इसलिए अभिकारको को उनके गैसीय रूप में प्रतिक्रिया क्षेत्रों में प्रस्तुत करने की आवश्यकता होती है। गैसीय भौतिक अवस्था में पहले से सम्मिलित अभिकारक परमाणु भट्टी तक अपने परिवहन को बहुत सरल और समस्या मुक्त बना देता है। उदाहरण के लिए अभिकारक को गर्म करने की कोई आवश्यकता नहीं होती है। जिससे संघनन का जोखिम अपेक्षाकृत कम हो जाता है। हालाँकि अभिकारक गैसीय अवस्था में लगभग ही कभी उपलब्ध होते हैं। दूसरी ओर कुछ एएलडी सह-अभिकारक गैसीय रूप में उपलब्ध हैं। उदाहरणों में सल्फाइड परतों के लिए उपयोग किया जाने वाला H<sub>2</sub>S<ref>{{cite journal| vauthors = Suntola T, Hyvarinen J |date=August 1985|title=परमाणु परत एपिटैक्सी|journal=[[Annual Review of Materials Science]]|volume=15|issue=1|pages=177–195 |doi=10.1146/annurev.ms.15.080185.001141 |bibcode=1985AnRMS..15..177S|issn=0084-6600}}</ref> नाइट्राइड परतों के लिए उपयोग किया जाने वाला NH<sub>3</sub> ऑक्साइड का उत्पादन करने के लिए O<sub>2</sub> और O<sub>3</sub> के प्लाज़्मा सम्मिलित हैं।<ref>{{cite journal| vauthors = Kumagai Y, Mayumi M, Koukitu A, Seki H |date=June 2000|title=क्यूबिक-जीएएन के हैलोजन परिवहन परमाणु परत एपिटेक्सी की सीटू ग्रेविमेट्रिक निगरानी में|journal=Applied Surface Science|language=en|volume=159–160|issue=1–2|pages=427–431|doi=10.1016/S0169-4332(00)00120-3|bibcode=2000ApSS..159..427K}}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Kim JB, Kwon DR, Chakrabarti K, Lee C, Oh KY, Lee JH |date=December 2002|title=Improvement in Al2O3 dielectric behavior by using ozone as an oxidant for the atomic layer deposition technique|journal=Journal of Applied Physics|language=en|volume=92|issue=11|pages=6739–6742|bibcode=2002JAP....92.6739K|doi=10.1063/1.1515951|issn=0021-8979}}</ref><ref>{{cite journal|vauthors = Hoex B, Heil SB, Langereis E, van de Sanden MC, Kessels WM |date=2006-07-24|title=Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3|url=https://research.tue.nl/nl/publications/ultralow-surface-recombination-of-csi-substrates-passivated-by-plasmaassisted-atomic-layer-deposited-al2o3(be05789d-338f-4ed5-800b-7b0fd8d2c447).html|journal=Applied Physics Letters|language=en|volume=89|issue=4|pages=042112|doi=10.1063/1.2240736|bibcode=2006ApPhL..89d2112H|issn=0003-6951}}</ref> परमाणु भट्टी को इन सह-अभिकारकों की आपूर्ति को विनियमित करने का सबसे सामान्य और साधारण तरीका स्रोत और परमाणु भट्टी के बीच संबद्ध द्रव्यमान प्रवाह नियंत्रक का उपयोग करना है। उनके आंशिक दाब को नियंत्रित करने के लिए उन्हें अक्रिय गैस से भी पतला किया जा सकता है।
-==फिल्म चरित्र-चित्रण==
+==परत का चरित्र-चित्रण==
-समय के साथ कई लक्षण वर्णन तकनीकें विकसित हुई हैं क्योंकि विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एएलडी/एमएलडी फिल्में बनाने की मांग बढ़ गई है। इसमें प्रयोगशाला-आधारित लक्षण वर्णन और कुशल सिंक्रोट्रॉन-आधारित एक्स-रे तकनीक सम्मिलित हैं।
+समय के साथ कई वर्णन तकनीकें विकसित हुई हैं क्योंकि विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एएलडी/एमएलडी परतें बनाने की मांग बढ़ गई है। इसमें प्रयोगशाला-आधारित वर्णन और कुशल सिंक्रोट्रॉन-आधारित एक्स-रे तकनीके सम्मिलित हैं।
-=== लैब-आधारित लक्षण वर्णन ===
+=== प्रयोगशाला-आधारित वर्णन ===
-चूँकि वे दोनों एक समान प्रोटोकॉल का पालन करते हैं, ALD पर लागू लगभग सभी लक्षण वर्णन सामान्यतः MLD पर भी लागू होते हैं। एमएलडी फिल्म गुणों जैसे मोटाई, सतह और इंटरफ़ेस खुरदरापन, संरचना और आकारिकी को चिह्नित करने के लिए कई उपकरण नियोजित किए गए हैं। विकसित एमएलडी फिल्म की मोटाई और खुरदरापन (सतह और इंटरफ़ेस) अत्यंत महत्वपूर्ण हैं और सामान्यतः एक्स-रे परावर्तन (एक्सआरआर) द्वारा पूर्व-स्थिति की विशेषता होती है।<ref name=":5">{{cite journal| vauthors = Fujii Y |date=2013-07-31|title=बहुस्तरीय पतली फिल्म सामग्री की खुरदुरी सतहों और इंटरफेस के लिए एक्स-रे परावर्तन विश्लेषण में हालिया विकास|journal=Journal of Materials|volume=2013|pages=1–20|doi=10.1155/2013/678361|issn=2314-4866|doi-access=free}}</ref> इन-सीटू तकनीकें अपने पूर्व-सीटू समकक्षों की तुलना में आसान और अधिक कुशल लक्षण वर्णन प्रदान करती हैं, जिनमें से स्पेक्ट्रोस्कोपिक [[इलिप्सोमेट्री]] (एसई) [40] और [[क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस]] (क्यूसीएम)<ref name=":5" /> असाधारण मोटाई नियंत्रण के साथ कुछ एंगस्ट्रॉम से पतली फिल्मों को मापने के लिए बहुत लोकप्रिय हो गए हैं।<ref>{{cite journal| vauthors = Dameron A, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM |date=May 2008|title=ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव|journal=Chemistry of Materials|volume=20|issue=10|pages=3315–3326|doi=10.1021/cm7032977|issn=0897-4756}}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Lee Y, Yoon B, Cavanagh AS, George SM | title = ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और ग्लाइसीडोल का उपयोग करके एल्यूमीनियम एल्कोऑक्साइड पॉलिमर फिल्मों की आणविक परत का जमाव| journal = Langmuir | volume = 27 | issue = 24 | pages = 15155–64 | date = December 2011 | pmid = 22029704 | doi = 10.1021/la202391h }}</ref>
+चूँकि वे दोनों एक समान प्रोटोकॉल का अनुसरण करते हैं और एएलडी पर प्रयुक्त लगभग सभी वर्णन सामान्यतः एमएलडी पर भी प्रयुक्त होते हैं। एमएलडी परत गुणों जैसे मोटाई, सतह और अंतरापृष्ठ अशिष्टता, संरचना और आकारिकी को चिह्नित करने के लिए कई उपकरण नियोजित किए गए हैं। विकसित एमएलडी परत की मोटाई और अशिष्टता (सतह और अंतरापृष्ठ) अत्यंत महत्वपूर्ण हैं। सामान्यतः एक्स-रे परावर्तन (एक्सआरआर) द्वारा पूर्व-स्थिति की विशेषता होती है।<ref name=":5">{{cite journal| vauthors = Fujii Y |date=2013-07-31|title=बहुस्तरीय पतली फिल्म सामग्री की खुरदुरी सतहों और इंटरफेस के लिए एक्स-रे परावर्तन विश्लेषण में हालिया विकास|journal=Journal of Materials|volume=2013|pages=1–20|doi=10.1155/2013/678361|issn=2314-4866|doi-access=free}}</ref> इन-सीटू तकनीकें अपने पूर्व-सीटू समकक्षों की तुलना में आसान और अधिक कुशल लक्षण वर्णन प्रदान करती हैं, जिनमें से स्पेक्ट्रोस्कोपिक [[इलिप्सोमेट्री]] (एसई)और [[क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस]] (क्यूसीएम)<ref name=":5" /> असाधारण मोटाई नियंत्रण के साथ कुछ एंगस्ट्रॉम से पतली परतों को मापने के लिए बहुत लोकप्रिय हो गए हैं।<ref>{{cite journal| vauthors = Dameron A, Seghete D, Burton BB, Davidson SD, Cavanagh AS, Bertrand JA, George SM |date=May 2008|title=ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और एथिलीन ग्लाइकोल का उपयोग करके अलुकोन पॉलिमर फिल्म्स का आणविक परत जमाव|journal=Chemistry of Materials|volume=20|issue=10|pages=3315–3326|doi=10.1021/cm7032977|issn=0897-4756}}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Lee Y, Yoon B, Cavanagh AS, George SM | title = ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम और ग्लाइसीडोल का उपयोग करके एल्यूमीनियम एल्कोऑक्साइड पॉलिमर फिल्मों की आणविक परत का जमाव| journal = Langmuir | volume = 27 | issue = 24 | pages = 15155–64 | date = December 2011 | pmid = 22029704 | doi = 10.1021/la202391h }}</ref>
-[[एक्स - रे फ़ोटोइलैक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी]] (एक्सपीएस) [44] और एक्स-रे डिफ्रेक्टोमेट्री (एक्सआरडी) [45] का उपयोग क्रमशः फिल्म संरचना और क्रिस्टलीयता में अंतर्दृष्टि प्राप्त करने के लिए किया जाता है, जबकि [[परमाणु बल माइक्रोस्कोपी]] (एएफएम)<ref>{{cite journal|last=Giessibl|first=Franz J.| name-list-style = vanc |s2cid=18924292|date=2003-07-29|title=परमाणु बल माइक्रोस्कोपी में प्रगति|journal=Reviews of Modern Physics|volume=75|issue=3|pages=949–983|doi=10.1103/revmodphys.75.949|arxiv=cond-mat/0305119|issn=0034-6861|bibcode=2003RvMP...75..949G}}</ref> और [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप]] (SEM)<ref>{{Citation|last1=Zhou|first1=Weilie |last2=Apkarian|first2=Robert|author3-link=Zhong Lin Wang|last3=Wang|first3=Zhong Lin|last4=Joy|first4=David | name-list-style = vanc  |title=Fundamentals of Scanning Electron Microscopy (SEM)|date=2006|work=Scanning Microscopy for Nanotechnology|pages=1–40|publisher=Springer New York|isbn=978-0-387-33325-0|doi=10.1007/978-0-387-39620-0_1}}</ref> का उपयोग सतह की खुरदरापन और आकारिकी का निरीक्षण करने के लिए अक्सर किया जा रहा है। चूंकि एमएलडी ज्यादातर हाइब्रिड सामग्रियों से संबंधित है, जिसमें कार्बनिक और अकार्बनिक दोनों घटक सम्मिलित हैं, [[फूरियर रूपांतरण अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी]] (एफटीआईआर)<ref>{{cite journal | vauthors = Berthomieu C, Hienerwadel R | title = फूरियर ट्रांसफॉर्म इंफ्रारेड (एफटीआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी| journal = Photosynthesis Research | volume = 101 | issue = 2–3 | pages = 157–70 | date = 2009-06-10 | pmid = 19513810 | doi = 10.1007/s11120-009-9439-x | s2cid = 29890772 }}</ref> एमएलडी चक्रों के दौरान जोड़े या हटाए गए नए कार्यात्मक समूह को समझने के लिए एक महत्वपूर्ण उपकरण है और यह एक शक्तिशाली उपकरण भी है। एमएलडी प्रक्रिया के प्रत्येक उपचक्र के दौरान अंतर्निहित रसायन शास्त्र या सतह प्रतिक्रियाओं को स्पष्ट करें।
+[[एक्स - रे फ़ोटोइलैक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी]] (एक्सपीएस) और एक्स-रे डिफ्रेक्टोमेट्री (एक्सआरडी) का उपयोग क्रमशः परत संरचना और क्रिस्टलीयता में अंतर्दृष्टि प्राप्त करने के लिए किया जाता है, जबकि [[परमाणु बल माइक्रोस्कोपी]] (एएफएम)<ref>{{cite journal|last=Giessibl|first=Franz J.| name-list-style = vanc |s2cid=18924292|date=2003-07-29|title=परमाणु बल माइक्रोस्कोपी में प्रगति|journal=Reviews of Modern Physics|volume=75|issue=3|pages=949–983|doi=10.1103/revmodphys.75.949|arxiv=cond-mat/0305119|issn=0034-6861|bibcode=2003RvMP...75..949G}}</ref> और [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप]] (एसईएम)<ref>{{Citation|last1=Zhou|first1=Weilie |last2=Apkarian|first2=Robert|author3-link=Zhong Lin Wang|last3=Wang|first3=Zhong Lin|last4=Joy|first4=David | name-list-style = vanc  |title=Fundamentals of Scanning Electron Microscopy (SEM)|date=2006|work=Scanning Microscopy for Nanotechnology|pages=1–40|publisher=Springer New York|isbn=978-0-387-33325-0|doi=10.1007/978-0-387-39620-0_1}}</ref> का उपयोग सतह की अशिष्टता और आकारिकी का निरीक्षण करने के लिए प्रायः किया जा रहा है। चूंकि एमएलडी प्रायः हाइब्रिड पदार्थों से संबंधित है, जिसमें कार्बनिक और अकार्बनिक दोनों घटक सम्मिलित हैं। [[फूरियर रूपांतरण अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी]] (एफटीआईआर)<ref>{{cite journal | vauthors = Berthomieu C, Hienerwadel R | title = फूरियर ट्रांसफॉर्म इंफ्रारेड (एफटीआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी| journal = Photosynthesis Research | volume = 101 | issue = 2–3 | pages = 157–70 | date = 2009-06-10 | pmid = 19513810 | doi = 10.1007/s11120-009-9439-x | s2cid = 29890772 }}</ref> एमएलडी अवस्था के समय जोड़े या हटाए गए नए कार्यात्मक समूह को समझने के लिए एक महत्वपूर्ण उपकरण है। सामान्यतः यह एक प्रभावशाली उपकरण भी है। एमएलडी प्रक्रिया के प्रत्येक उपचक्र के समय अंतर्निहित रसायन शास्त्र या सतह प्रतिक्रियाओं को स्पष्ट किया जा सकता है।
-=== [[ सिंक्रोटॉन ]]-आधारित लक्षण वर्णन ===
+=== [[ सिंक्रोटॉन |सिंक्रोटॉन]] -आधारित वर्णन ===
-सिंक्रोट्रॉन एक्स-रे का एक बेहद शक्तिशाली स्रोत है जो ऊर्जा स्तर तक पहुंचता है जिसे प्रयोगशाला-आधारित वातावरण में हासिल नहीं किया जा सकता है। यह [[सिंक्रोट्रॉन विकिरण]] उत्पन्न करता है, विद्युत चुम्बकीय विकिरण जो आवेशित कणों के रेडियल त्वरण से गुजरने पर उत्सर्जित होता है, जिसके उच्च शक्ति स्तर प्रक्रियाओं की गहरी समझ प्रदान करते हैं और अत्याधुनिक अनुसंधान आउटपुट की ओर ले जाते हैं।<ref>{{cite journal|date=February 1968|title=Stanovlenie Russko-Amerikanskikh Otnoshenii, 1775–1815 [The Establishment of Russian-American Relations, 1775–1815]. by <italic>N. N. Bolkhovitinov</italic> [Akademiia Nauk SSSR, Institut Istorii.] (Moscow: Izdatel'stvo "Nauka." 1966. Pp. 638)|journal=The American Historical Review|doi=10.1086/ahr/73.3.771|issn=1937-5239}}</ref> सिंक्रोट्रॉन-आधारित लक्षण वर्णन बुनियादी रसायन विज्ञान को समझने और एमएलडी प्रक्रियाओं और उनके संभावित अनुप्रयोगों के बारे में मौलिक ज्ञान विकसित करने के संभावित अवसर भी प्रदान करते हैं।<ref name="escholarship.org">{{cite journal | vauthors = Li X, Lushington A, Sun Q, Xiao W, Liu J, Wang B, Ye Y, Nie K, Hu Y, Xiao Q, Li R, Guo J, Sham TK, Sun X | display-authors = 6 | title = आणविक परत जमा कोटिंग के माध्यम से सुरक्षित और टिकाऊ उच्च तापमान लिथियम-सल्फर बैटरियां| journal = Nano Letters | volume = 16 | issue = 6 | pages = 3545–9 | date = June 2016 | pmid = 27175936 | doi = 10.1021/acs.nanolett.6b00577 | url = https://escholarship.org/uc/item/0bk7g8vt | bibcode = 2016NanoL..16.3545L | s2cid = 206733472 }}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Lushington A, Liu J, Bannis MN, Xiao B, Lawes S, Li R, Sun X |date=December 2015|title=आणविक परत जमाव का उपयोग करके पतली फिल्मों की चालकता को नियंत्रित करने में एक नया दृष्टिकोण|journal=Applied Surface Science|volume=357|pages=1319–1324 |doi=10.1016/j.apsusc.2015.09.155 |bibcode=2015ApSS..357.1319L }}</ref> इन-सीटू [[एक्स-रे प्रतिदीप्ति]] (एक्सआरएफ)<ref>{{cite book|date=2006|editor-last=Beckhoff|editor-first=Burkhard|editor2-last=Kanngießer|editor2-first=habil. Birgit|editor3-last=Langhoff|editor3-first=Norbert|editor4-last=Wedell|editor4-first=Reiner|editor5-last=Wolff|editor5-first=Helmut | name-list-style = vanc |title=व्यावहारिक एक्स-रे प्रतिदीप्ति विश्लेषण की पुस्तिका|doi=10.1007/978-3-540-36722-2|isbn=978-3-540-28603-5}}</ref> और चराई घटना छोटे कोण एक्स-रे स्कैटरिंग (जीआईएसएएक्सएस)<ref>{{cite book | vauthors = Santoro G, Yu S |chapter=Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering as a Tool for In- Situ Time-Resolved Studies|date=2017-01-25|title=एक्स-रे प्रकीर्णन|publisher=InTech|isbn=978-953-51-2887-8 |doi=10.5772/64877|doi-access=free}}</ref> के संयोजन को एएलडी प्रक्रियाओं के दौरान न्यूक्लिएशन और विकास को सीखने के लिए एक सफल पद्धति के रूप में प्रदर्शित किया गया है।<ref>{{cite journal | vauthors = Dendooven J, Ramachandran RK, Solano E, Kurttepeli M, Geerts L, Heremans G, Rongé J, Minjauw MM, Dobbelaere T, Devloo-Casier K, Martens JA, Vantomme A, Bals S, Portale G, Coati A, Detavernier C | display-authors = 6 | title = परमाणु परत जमाव का उपयोग करके समर्थित पीटी नैनोकणों के आकार और कवरेज की स्वतंत्र ट्यूनिंग| journal = Nature Communications | volume = 8 | issue = 1 | pages = 1074 | date = October 2017 | pmid = 29057871 | pmc = 5651928 | doi = 10.1038/s41467-017-01140-z | bibcode = 2017NatCo...8.1074D }}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Dendooven J, Pulinthanathu Sree S, De Keyser K, Deduytsche D, Martens JA, Ludwig KF, Detavernier C |date=2011-03-18|title=In Situ X-ray Fluorescence Measurements During Atomic Layer Deposition: Nucleation and Growth of TiO2 on Planar Substrates and in Nanoporous Films|journal=The Journal of Physical Chemistry C|volume=115|issue=14|pages=6605–6610|doi=10.1021/jp111314b|issn=1932-7447}}</ref> और, हालांकि एमएलडी प्रक्रियाओं का अध्ययन करने के लिए इस संयोजन की अभी तक विस्तार से जांच नहीं की गई है, लेकिन इसमें एमएलडी या वाष्प चरण घुसपैठ (वीपीआई) द्वारा विकसित हाइब्रिड सामग्रियों की प्रारंभिक न्यूक्लिएशन और आंतरिक संरचना की समझ में सुधार करने की काफी संभावना है।<ref>{{cite web|title=वीपीआई (वाष्प चरण घुसपैठ) क्या है|url=https://ctechnano.com/coating-technologies/what-is-vpi-vapor-phase-infiltration/|access-date=2020-10-01|website=CTECHNANO|language=en-US}}</ref>
+सिंक्रोट्रॉन एक्स-रे का एक प्रभावशाली स्रोत है जो ऊर्जा स्तर तक अभिगम्य होता है जिसे प्रयोगशाला-आधारित वातावरण मे प्राप्त नहीं किया जा सकता है। यह [[सिंक्रोट्रॉन विकिरण]] उत्पन्न करता है, विद्युत चुम्बकीय विकिरण जो आवेशित कणों के रेडियल त्वरण से गुजरने पर उत्सर्जित होता है जो उच्च ऊर्जा स्तर प्रक्रियाओं की गहरी समझ प्रदान करते हैं और अत्याधुनिक अनुसंधान आउटपुट की ओर ले जाते हैं।<ref>{{cite journal|date=February 1968|title=Stanovlenie Russko-Amerikanskikh Otnoshenii, 1775–1815 [The Establishment of Russian-American Relations, 1775–1815]. by <italic>N. N. Bolkhovitinov</italic> [Akademiia Nauk SSSR, Institut Istorii.] (Moscow: Izdatel'stvo "Nauka." 1966. Pp. 638)|journal=The American Historical Review|doi=10.1086/ahr/73.3.771|issn=1937-5239}}</ref> सिंक्रोट्रॉन-आधारित लक्षण वर्णन आधारिक रसायन विज्ञान को समझने और एमएलडी प्रक्रियाओं मे उनके संभावित अनुप्रयोगों के विषय में मौलिक ज्ञान विकसित करने के संभावित अवसर भी प्रदान करते हैं।<ref name="escholarship.org">{{cite journal | vauthors = Li X, Lushington A, Sun Q, Xiao W, Liu J, Wang B, Ye Y, Nie K, Hu Y, Xiao Q, Li R, Guo J, Sham TK, Sun X | display-authors = 6 | title = आणविक परत जमा कोटिंग के माध्यम से सुरक्षित और टिकाऊ उच्च तापमान लिथियम-सल्फर बैटरियां| journal = Nano Letters | volume = 16 | issue = 6 | pages = 3545–9 | date = June 2016 | pmid = 27175936 | doi = 10.1021/acs.nanolett.6b00577 | url = https://escholarship.org/uc/item/0bk7g8vt | bibcode = 2016NanoL..16.3545L | s2cid = 206733472 }}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Lushington A, Liu J, Bannis MN, Xiao B, Lawes S, Li R, Sun X |date=December 2015|title=आणविक परत जमाव का उपयोग करके पतली फिल्मों की चालकता को नियंत्रित करने में एक नया दृष्टिकोण|journal=Applied Surface Science|volume=357|pages=1319–1324 |doi=10.1016/j.apsusc.2015.09.155 |bibcode=2015ApSS..357.1319L }}</ref> इन-सीटू [[एक्स-रे प्रतिदीप्ति]] (एक्सआरएफ)<ref>{{cite book|date=2006|editor-last=Beckhoff|editor-first=Burkhard|editor2-last=Kanngießer|editor2-first=habil. Birgit|editor3-last=Langhoff|editor3-first=Norbert|editor4-last=Wedell|editor4-first=Reiner|editor5-last=Wolff|editor5-first=Helmut | name-list-style = vanc |title=व्यावहारिक एक्स-रे प्रतिदीप्ति विश्लेषण की पुस्तिका|doi=10.1007/978-3-540-36722-2|isbn=978-3-540-28603-5}}</ref> और ग्रेज़िंग इन्सिडेंस एक्स-रे स्कैटरिंग (जीआईएसएएक्सएस)<ref>{{cite book | vauthors = Santoro G, Yu S |chapter=Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering as a Tool for In- Situ Time-Resolved Studies|date=2017-01-25|title=एक्स-रे प्रकीर्णन|publisher=InTech|isbn=978-953-51-2887-8 |doi=10.5772/64877|doi-access=free}}</ref> के संयोजन को एएलडी प्रक्रियाओं के समय न्यूक्लिएशन और विकास को अवशोषित करने के लिए एक सफल पद्धति के रूप में प्रदर्शित किया गया है।<ref>{{cite journal | vauthors = Dendooven J, Ramachandran RK, Solano E, Kurttepeli M, Geerts L, Heremans G, Rongé J, Minjauw MM, Dobbelaere T, Devloo-Casier K, Martens JA, Vantomme A, Bals S, Portale G, Coati A, Detavernier C | display-authors = 6 | title = परमाणु परत जमाव का उपयोग करके समर्थित पीटी नैनोकणों के आकार और कवरेज की स्वतंत्र ट्यूनिंग| journal = Nature Communications | volume = 8 | issue = 1 | pages = 1074 | date = October 2017 | pmid = 29057871 | pmc = 5651928 | doi = 10.1038/s41467-017-01140-z | bibcode = 2017NatCo...8.1074D }}</ref><ref>{{cite journal| vauthors = Dendooven J, Pulinthanathu Sree S, De Keyser K, Deduytsche D, Martens JA, Ludwig KF, Detavernier C |date=2011-03-18|title=In Situ X-ray Fluorescence Measurements During Atomic Layer Deposition: Nucleation and Growth of TiO2 on Planar Substrates and in Nanoporous Films|journal=The Journal of Physical Chemistry C|volume=115|issue=14|pages=6605–6610|doi=10.1021/jp111314b|issn=1932-7447}}</ref> हालांकि एमएलडी प्रक्रियाओं का अध्ययन करने के लिए इस संयोजन की अभी तक विस्तार से जांच नहीं की गई है, लेकिन इसमें एमएलडी या वाष्पीय निस्यंदन अवस्था (वीपीआई) द्वारा विकसित हाइब्रिड पदार्थों की प्रारंभिक न्यूक्लिएशन (केंद्रक) और आंतरिक संरचना की समझ में सुधार करने की अपेक्षाकृत संभावना है।<ref>{{cite web|title=वीपीआई (वाष्प चरण घुसपैठ) क्या है|url=https://ctechnano.com/coating-technologies/what-is-vpi-vapor-phase-infiltration/|access-date=2020-10-01|website=CTECHNANO|language=en-US}}</ref>
 == संभावित अनुप्रयोग ==
-आणविक पैमाने पर इंजीनियर हाइब्रिड सामग्रियों का मुख्य अनुप्रयोग इसके सहक्रियात्मक गुणों पर निर्भर करता है, जो उनके अकार्बनिक और कार्बनिक घटकों के व्यक्तिगत प्रदर्शन को पार करता है। एमएलडी-जमा पदार्थ के अनुप्रयोग के मुख्य क्षेत्र हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.hycoat.eu/|title=HYCOAT Innovative Training Network {{!}} Functional Hybrid Coatings by Molecular Layer Deposition {{!}} H2020 Marie Curie Actions | date=|website=www.hycoat.eu|archive-url=|archive-date=|access-date=2019-02-18}}</ref>
+आणविक पैमाने पर इंजीनियर हाइब्रिड पदार्थों का मुख्य अनुप्रयोग इसके सहक्रियात्मक गुणों पर निर्भर करता है, जो उनके अकार्बनिक और कार्बनिक घटकों के व्यक्तिगत प्रदर्शन को नियंत्रित करता है। आणविक परत निक्षेपण पदार्थ के अनुप्रयोग के मुख्य क्षेत्र निम्न हैं:<ref>{{cite web|url=http://www.hycoat.eu/|title=HYCOAT Innovative Training Network {{!}} Functional Hybrid Coatings by Molecular Layer Deposition {{!}} H2020 Marie Curie Actions | date=|website=www.hycoat.eu|archive-url=|archive-date=|access-date=2019-02-18}}</ref>
-*पैकेजिंग/एनकैप्सुलेशन: बेहतर यांत्रिक गुणों (लचीलापन, खिंचाव, कम भंगुरता) के साथ अल्ट्राथिन, पिनहोल-मुक्त और लचीली कोटिंग्स जमा करना। एक उदाहरण कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (ओएलईडी) पर गैस-अवरोधक हैं।
+*पैकेजिंग/संपुटीकरण: यांत्रिक गुणों (नम्यता, तनाव, कम भंगुरता) के साथ अल्ट्राथिन, पिनहोल-मुक्त और नम्य लेप निक्षेपण कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (ओएलईडी) पर गैस-अवरोधक हैं।
-*इलेक्ट्रॉनिक्स: विशेष यांत्रिक और ढांकता हुआ गुणों के साथ सिलाई पदार्थ, जैसे उन्नत एकीकृत सर्किट जिनके लिए विशेष इंसुलेटर या उच्च-के गेट डाइलेक्ट्रिक्स के साथ लचीली पतली फिल्म ट्रांजिस्टर की आवश्यकता होती है। इसके अतिरिक्त कुछ थर्मोइलेक्ट्रिक उपकरणों के साथ गर्मी के रूप में बर्बाद हुई ऊर्जा को विद्युत शक्ति के रूप में पुनर्प्राप्त किया जाता है।
+*इलेक्ट्रॉनिक्स: विशेष यांत्रिक और डाइ इलैक्ट्रिक गुणों के साथ टेलरिंग पदार्थ, जैसे उन्नत एकीकृत परिपथ जिनके लिए विशेष अवरोधक या उच्च-के गेट डाइलेक्ट्रिक्स के साथ नम्य पतली परत ट्रांजिस्टर की आवश्यकता होती है। इसके अतिरिक्त कुछ थर्मोइलेक्ट्रिक उपकरणों के साथ ऊष्मा के रूप में नष्ट ऊर्जा को विद्युत शक्ति के रूप में पुनर्प्राप्त किया जाता है।
-*बायोमेडिकल अनुप्रयोग: कोशिका वृद्धि, बेहतर आसंजन या इसके विपरीत, जीवाणुरोधी गुणों वाली पदार्थ उत्पन्न करने के लिए। इनका उपयोग सेंसिंग, डायग्नोस्टिक्स या दवा वितरण जैसे अनुसंधान क्षेत्रों में किया जा सकता है।
+*जैव चिकित्सक अनुप्रयोग: कोशिका वृद्धि, आसंजन या इसके विपरीत जीवाणुरोधी गुणों वाले पदार्थ उत्पन्न करने के लिए इनका उपयोग सेंसिंग, डायग्नोस्टिक्स या दवा वितरण जैसे अनुसंधान क्षेत्रों में किया जा सकता है।
-अकार्बनिक और कार्बनिक नेटवर्क बनाने के लिए आवश्यक विभिन्न प्रारंभिक स्थितियों के कारण, आणविक पैमाने पर अकार्बनिक और कार्बनिक बिल्डिंग ब्लॉकों का संयोजन चुनौतीपूर्ण साबित हुआ है। वर्तमान मार्ग अक्सर समाधान रसायन विज्ञान पर आधारित होते हैं, उदा. सोल-जेल संश्लेषण को स्पिन-कोटिंग, डिपिंग या छिड़काव के साथ जोड़ा जाता है, जिसका एमएलडी एक विकल्प है।
+अकार्बनिक और कार्बनिक नेटवर्क बनाने के लिए आवश्यक विभिन्न प्रारंभिक स्थितियों के कारण आणविक पैमाने पर अकार्बनिक और कार्बनिक निर्मित ब्लॉकों का संयोजन चुनौतीपूर्ण सिद्ध हुआ है। वर्तमान मे प्रायः समाधान रसायन विज्ञान पर आधारित होते हैं। उदाहरण के लिए सोल-जेल संश्लेषण को प्रचक्रण विलेपन, डिपिंग या छिड़काव के साथ जोड़ा जाता है जो एमएलडी का एक विकल्प है।
-=== ढांकता हुआ पदार्थ के लिए एमएलडी उपयोग। ===
+=== डाइ इलैक्ट्रिक पदार्थ के लिए एमएलडी उपयोग ===
-==== लो-के ====
+==== निम्न-स्थिरांक ====
-किसी माध्यम के ढांकता हुआ स्थिरांक (k) को माध्यम के साथ और उसके बिना संधारित्र की धारिता के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।<ref>{{cite journal| vauthors = Shamiryan D, Abell T, Iacopi F, Maex K |date=January 2004|title=लो-के ढांकता हुआ सामग्री|journal=Materials Today|volume=7|issue=1|pages=34–39|doi=10.1016/s1369-7021(04)00053-7|issn=1369-7021|doi-access=free}}</ref> आजकल मेटल इंटरकनेक्शन के प्रतिरोध और नैनोस्केल उपकरणों की ढांकता हुआ परत के कारण होने वाली देरी, क्रॉसस्टॉक और बिजली अपव्यय मुख्य कारक बन गए हैं जो डिवाइस के प्रदर्शन को सीमित करते हैं और, जैसे-जैसे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को और अधिक छोटा किया जाता है, इंटरकनेक्ट प्रतिरोध कैपेसिटेंस (आरसी) ) विलंब समग्र डिवाइस गति पर हावी हो सकता है। इसे हल करने के लिए, वर्तमान कार्य अकार्बनिक और कार्बनिक सामग्रियों के संयोजन से सामग्रियों के ढांकता हुआ स्थिरांक को कम करने पर केंद्रित है,<ref>{{cite journal| vauthors = Klepper KB, Nilsen O, Levy T, Fjellvåg H |date=2011-11-02|title=असंतृप्त रैखिक कार्बोक्जिलिक एसिड पर आधारित कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का परमाणु परत जमाव|journal=European Journal of Inorganic Chemistry|volume=2011|issue=34|pages=5305–5312|doi=10.1002/ejic.201100192|issn=1434-1948}}</ref> जिनकी कम क्षमता धातु लाइनों के बीच अंतर को कम करने की अनुमति देती है और इसके साथ, धातु की परतों की संख्या को कम करने की क्षमता होती है। एक उपकरण में. इस प्रकार की सामग्रियों में, कार्बनिक भाग कठोर और प्रतिरोधी होना चाहिए और, उस उद्देश्य के लिए, धातु ऑक्साइड और फ्लोराइड का सामान्यतः उपयोग किया जाता है। हालाँकि, चूंकि यह पदार्थ अधिक भंगुर होती है, इसलिए इसमें कार्बनिक पॉलिमर भी मिलाए जाते हैं, जिससे हाइब्रिड पदार्थ को कम ढांकता हुआ स्थिरांक, अच्छी अंतरालीय क्षमता, उच्च समतलता, कम अवशिष्ट तनाव, कम तापीय चालकता प्रदान की जाती है। वर्तमान शोध में, 3 से कम k मान वाले MLD द्वारा निम्न-k पदार्थ तैयार करने के लिए महान प्रयास किए जा रहे हैं।<ref>{{cite journal| vauthors = Mor YS, Chang TC, Liu PT, Tsai TM, Chen CW, Yan ST, Chu CJ, Wu WF, Pan FM, Lur W, Sze SM | display-authors = 6 |date=2002|title=Effective repair to ultra-low-k dielectric material (k~2.0) by hexamethyldisilazane treatment|journal=Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures |volume=20 |issue=4 |pages=1334|doi=10.1116/1.1488645 | bibcode = 2002JVSTB..20.1334M }}</ref>
+किसी माध्यम के डाइ इलैक्ट्रिक स्थिरांक (k) को माध्यम के साथ और उसकी अतिरिक्त संधारित्र की धारिता के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।<ref>{{cite journal| vauthors = Shamiryan D, Abell T, Iacopi F, Maex K |date=January 2004|title=लो-के ढांकता हुआ सामग्री|journal=Materials Today|volume=7|issue=1|pages=34–39|doi=10.1016/s1369-7021(04)00053-7|issn=1369-7021|doi-access=free}}</ref> वर्तमान मे धातु अंतःसंबंधन के प्रतिरोध और नैनोस्केल उपकरणों की डाइ इलैक्ट्रिक परत के कारण होने वाली देरी, क्रॉसस्टॉक और विद्युत क्षय मुख्य कारक बन गए हैं जो डिवाइस के प्रदर्शन को सीमित करते हैं और यदि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को और अधिक छोटा किया जाता है तो अंतःसंबंधन प्रतिरोध धारिता (RC) विलंब '''समग्र डिवाइस गति पर प्रभावी हो सकता है।''' इसे हल करने के लिए, वर्तमान कार्य अकार्बनिक और कार्बनिक पदार्थों के संयोजन से पदार्थों के डाइ इलैक्ट्रिक स्थिरांक को कम करने पर केंद्रित है,<ref>{{cite journal| vauthors = Klepper KB, Nilsen O, Levy T, Fjellvåg H |date=2011-11-02|title=असंतृप्त रैखिक कार्बोक्जिलिक एसिड पर आधारित कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री का परमाणु परत जमाव|journal=European Journal of Inorganic Chemistry|volume=2011|issue=34|pages=5305–5312|doi=10.1002/ejic.201100192|issn=1434-1948}}</ref> जिनकी कम क्षमता धातु लाइनों के बीच अंतर को कम करने की अनुमति देती है और इसके साथ, धातु की परतों की संख्या को कम करने की क्षमता होती है। एक उपकरण में. इस प्रकार की पदार्थों में, कार्बनिक भाग कठोर और प्रतिरोधी होना चाहिए और, उस उद्देश्य के लिए, धातु ऑक्साइड और फ्लोराइड का सामान्यतः उपयोग किया जाता है। हालाँकि, चूंकि यह पदार्थ अधिक भंगुर होती है, इसलिए इसमें कार्बनिक पॉलिमर भी मिलाए जाते हैं, जिससे हाइब्रिड पदार्थ को कम डाइ इलैक्ट्रिक स्थिरांक, अच्छी अंतरालीय क्षमता, उच्च समतलता, कम अवशिष्ट तनाव, कम तापीय चालकता प्रदान की जाती है। वर्तमान शोध में, 3 से कम k मान वाले MLD द्वारा निम्न-k पदार्थ तैयार करने के लिए महान प्रयास किए जा रहे हैं।<ref>{{cite journal| vauthors = Mor YS, Chang TC, Liu PT, Tsai TM, Chen CW, Yan ST, Chu CJ, Wu WF, Pan FM, Lur W, Sze SM | display-authors = 6 |date=2002|title=Effective repair to ultra-low-k dielectric material (k~2.0) by hexamethyldisilazane treatment|journal=Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures |volume=20 |issue=4 |pages=1334|doi=10.1116/1.1488645 | bibcode = 2002JVSTB..20.1334M }}</ref>
-==== हाई-के ====
+==== उच्च-स्थिरांक ====
-नवीन कार्बनिक पतली-फिल्म [[पतली फिल्म वाला ट्रांजिस्टर|ट्रांजिस्टर]] को एक उच्च-प्रदर्शन ढांकता हुआ परत की आवश्यकता होती है, जो पतली होनी चाहिए और उच्च k-मान वाली होनी चाहिए। एमएलडी कार्बनिक और अकार्बनिक घटकों की मात्रा और अनुपात को बदलकर उच्च-के और ढांकता हुआ ताकत को संभव बनाता है। इसके अतिरिक्त एमएलडी का उपयोग लचीलेपन के मामले में बेहतर यांत्रिक गुण प्राप्त करने की अनुमति देता है।
+नवीन कार्बनिक पतली-परत [[पतली फिल्म वाला ट्रांजिस्टर|ट्रांजिस्टर]] को एक उच्च-प्रदर्शन डाइ इलैक्ट्रिक परत की आवश्यकता होती है, जो पतली होनी चाहिए और उच्च k-मान वाली होनी चाहिए। एमएलडी कार्बनिक और अकार्बनिक घटकों की मात्रा और अनुपात को बदलकर उच्च-के और डाइ इलैक्ट्रिक ताकत को संभव बनाता है। इसके अतिरिक्त एमएलडी का उपयोग लचीलेपन के मामले में बेहतर यांत्रिक गुण प्राप्त करने की अनुमति देता है।
-विभिन्न हाइब्रिड डाइलेक्ट्रिक्स पहले ही विकसित किए जा चुके हैं: जिरकोनियम टर्ट-ब्यूटॉक्साइड (जेडटीबी) से जिंकोन हाइब्रिड और एथिलीन ग्लाइकॉल (ईजी) Al2O3 आधारित हाइब्रिड जैसे स्व-संयोजन एमएलडी-जमा ऑक्टेनिलट्राइक्लोरोसिलेन (OTS) परतें और Al2O3 लिंकर्स<ref>{{cite journal | vauthors = Cheng L, Lee J, Zhu H, Ravichandran AV, Wang Q, Lucero AT, Kim MJ, Wallace RM, Colombo L, Kim J | display-authors = 6 | title = 2 for Two-Dimensional Material-Based Devices | journal = ACS Nano | volume = 11 | issue = 10 | pages = 10243–10252 | date = October 2017 | pmid = 28832118 | doi = 10.1021/acsnano.7b04813 }}</ref> इसके अतिरिक्त, TiCl4 और फ्यूमरिक एसिड से बने ढांकता हुआ<ref>{{cite journal| vauthors =  Lee BH, Anderson VR, George SM |date=2013-05-22|title=Molecular Layer Deposition of Zircone and ZrO2/Zircone Alloy Films: Growth and Properties|journal=Chemical Vapor Deposition|volume=19|issue=4–6|pages=204–212|doi=10.1002/cvde.201207045|issn=0948-1907}}</ref> Ti-आधारित हाइब्रिड ने चार्ज मेमोरी कैपेसिटर में अपनी प्रयोज्यता साबित की है।<ref>{{cite journal | vauthors = Cao YQ, Zhu L, Li X, Cao ZY, Wu D, Li AD | title = आणविक परत जमाव द्वारा टीआई-आधारित फ्यूमरिक एसिड हाइब्रिड पतली फिल्मों की वृद्धि विशेषताएँ| journal = Dalton Transactions | volume = 44 | issue = 33 | pages = 14782–92 | date = September 2015 | pmid = 26219386 | doi = 10.1039/c5dt00384a }}</ref>
+विभिन्न हाइब्रिड डाइलेक्ट्रिक्स पहले ही विकसित किए जा चुके हैं: जिरकोनियम टर्ट-ब्यूटॉक्साइड (जेडटीबी) से जिंकोन हाइब्रिड और एथिलीन ग्लाइकॉल (ईजी) Al2O3 आधारित हाइब्रिड जैसे स्व-संयोजन एमएलडी-जमा ऑक्टेनिलट्राइक्लोरोसिलेन (OTS) परतें और Al2O3 लिंकर्स<ref>{{cite journal | vauthors = Cheng L, Lee J, Zhu H, Ravichandran AV, Wang Q, Lucero AT, Kim MJ, Wallace RM, Colombo L, Kim J | display-authors = 6 | title = 2 for Two-Dimensional Material-Based Devices | journal = ACS Nano | volume = 11 | issue = 10 | pages = 10243–10252 | date = October 2017 | pmid = 28832118 | doi = 10.1021/acsnano.7b04813 }}</ref> इसके अतिरिक्त, TiCl4 और फ्यूमरिक एसिड से बने डाइ इलैक्ट्रिक<ref>{{cite journal| vauthors =  Lee BH, Anderson VR, George SM |date=2013-05-22|title=Molecular Layer Deposition of Zircone and ZrO2/Zircone Alloy Films: Growth and Properties|journal=Chemical Vapor Deposition|volume=19|issue=4–6|pages=204–212|doi=10.1002/cvde.201207045|issn=0948-1907}}</ref> Ti-आधारित हाइब्रिड ने चार्ज मेमोरी कैपेसिटर में अपनी प्रयोज्यता साबित की है।<ref>{{cite journal | vauthors = Cao YQ, Zhu L, Li X, Cao ZY, Wu D, Li AD | title = आणविक परत जमाव द्वारा टीआई-आधारित फ्यूमरिक एसिड हाइब्रिड पतली फिल्मों की वृद्धि विशेषताएँ| journal = Dalton Transactions | volume = 44 | issue = 33 | pages = 14782–92 | date = September 2015 | pmid = 26219386 | doi = 10.1039/c5dt00384a }}</ref>
 === झरझरा पदार्थ के लिए एमएलडी ===
-एमएलडी में धातु-कार्बनिक फ्रेमवर्क (एमओएफ) और सहसंयोजक-कार्बनिक फ्रेमवर्क (सीओएफ) जैसी छिद्रपूर्ण हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक और पूरी तरह कार्बनिक फिल्मों के निक्षेपण की उच्च क्षमता है। परिभाषित छिद्र संरचना और रासायनिक ट्यूनेबिलिटी के लिए धन्यवाद, इन नवीन सामग्रियों की पतली फिल्मों को अगली पीढ़ी के गैस सेंसर और लो-के डाइलेक्ट्रिक्स में सम्मिलित किए जाने की उम्मीद है।<ref name=":4">{{cite journal | vauthors = Stassen I, Burtch N, Talin A, Falcaro P, Allendorf M, Ameloot R | title = इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और रासायनिक सेंसर के साथ धातु-कार्बनिक ढांचे के एकीकरण के लिए एक अद्यतन रोडमैप| journal = Chemical Society Reviews | volume = 46 | issue = 11 | pages = 3185–3241 | date = June 2017 | pmid = 28452388 | doi = 10.1039/C7CS00122C | url = https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/650290 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Souto M, Strutyński K, Melle-Franco M, Rocha J | title = इलेक्ट्रॉनिक्स में कार्यात्मक पोरस फ्रेमवर्क (एमओएफ और सीओएफ) के रासायनिक डिजाइन के लिए इलेक्ट्रोएक्टिव ऑर्गेनिक बिल्डिंग ब्लॉक| journal = Chemistry | volume = 26 | issue = 48 | pages = 10912–10935 | date = April 2020 | pmid = 32293769 | doi = 10.1002/chem.202001211 | doi-access = free }}</ref> परंपरागत रूप से, एमओएफ और सीओएफ की पतली फिल्में विलायक-आधारित मार्गों के माध्यम से उगाई जाती हैं, जो साफ-सुथरे वातावरण में हानिकारक होती हैं और पहले से मौजूद सर्किटरी के क्षरण का कारण बन सकती हैं।<ref name=":4" /> क्लीनरूम-संगत तकनीक के रूप में, एमएलडी एक आकर्षक विकल्प प्रस्तुत करता है, जिसे अभी तक पूरी तरह से महसूस नहीं किया गया है। आज तक, एमओएफ और सीओएफ के प्रत्यक्ष एमएलडी पर कोई रिपोर्ट नहीं है। वैज्ञानिक वास्तविक एमएलडी प्रक्रिया की दिशा में सक्रिय रूप से अन्य विलायक-मुक्त सभी-गैस-चरण विधियों का विकास कर रहे हैं।
+एमएलडी में धातु-कार्बनिक फ्रेमवर्क (एमओएफ) और सहसंयोजक-कार्बनिक फ्रेमवर्क (सीओएफ) जैसी छिद्रपूर्ण हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक और पूरी तरह कार्बनिक परतों के निक्षेपण की उच्च क्षमता है। परिभाषित छिद्र संरचना और रासायनिक ट्यूनेबिलिटी के लिए धन्यवाद, इन नवीन पदार्थों की पतली परतों को अगली पीढ़ी के गैस सेंसर और लो-के डाइलेक्ट्रिक्स में सम्मिलित किए जाने की उम्मीद है।<ref name=":4">{{cite journal | vauthors = Stassen I, Burtch N, Talin A, Falcaro P, Allendorf M, Ameloot R | title = इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और रासायनिक सेंसर के साथ धातु-कार्बनिक ढांचे के एकीकरण के लिए एक अद्यतन रोडमैप| journal = Chemical Society Reviews | volume = 46 | issue = 11 | pages = 3185–3241 | date = June 2017 | pmid = 28452388 | doi = 10.1039/C7CS00122C | url = https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/650290 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Souto M, Strutyński K, Melle-Franco M, Rocha J | title = इलेक्ट्रॉनिक्स में कार्यात्मक पोरस फ्रेमवर्क (एमओएफ और सीओएफ) के रासायनिक डिजाइन के लिए इलेक्ट्रोएक्टिव ऑर्गेनिक बिल्डिंग ब्लॉक| journal = Chemistry | volume = 26 | issue = 48 | pages = 10912–10935 | date = April 2020 | pmid = 32293769 | doi = 10.1002/chem.202001211 | doi-access = free }}</ref> परंपरागत रूप से, एमओएफ और सीओएफ की पतली परतें विलायक-आधारित मार्गों के माध्यम से उगाई जाती हैं, जो साफ-सुथरे वातावरण में हानिकारक होती हैं और पहले से मौजूद सर्किटरी के क्षरण का कारण बन सकती हैं।<ref name=":4" /> क्लीनरूम-संगत तकनीक के रूप में, एमएलडी एक आकर्षक विकल्प प्रस्तुत करता है, जिसे अभी तक पूरी तरह से महसूस नहीं किया गया है। आज तक, एमओएफ और सीओएफ के प्रत्यक्ष एमएलडी पर कोई रिपोर्ट नहीं है। वैज्ञानिक वास्तविक एमएलडी प्रक्रिया की दिशा में सक्रिय रूप से अन्य विलायक-मुक्त सभी-गैस-चरण विधियों का विकास कर रहे हैं।
-एमएलडी जैसी प्रक्रिया के शुरुआती उदाहरणों में से एक तथाकथित एमओएफ-सीवीडी है। इसे पहली बार ZIF-8 के लिए दो-चरणीय प्रक्रिया का उपयोग करके महसूस किया गया था: ZnO का ALD जिसके बाद 2-मिथाइलिमिडाज़ोल लिंकर वाष्प का संपर्क किया गया।<ref>{{cite journal | vauthors = Stassen I, Styles M, Grenci G, Gorp HV, Vanderlinden W, Feyter SD, Falcaro P, Vos DD, Vereecken P, Ameloot R | display-authors = 6 | title = जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का रासायनिक वाष्प जमाव| journal = Nature Materials | volume = 15 | issue = 3 | pages = 304–10 | date = March 2016 | pmid = 26657328 | doi = 10.1038/nmat4509 | bibcode = 2016NatMa..15..304S | url = https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/551545 }}</ref> बाद में इसे कई अन्य एमओएफ तक विस्तारित किया गया।<ref>{{cite journal| vauthors = Cruz AJ, Stassen I, Krishtab M, Marcoen K, Stassin T, Rodríguez-Hermida S, Teyssandier J, Pletincx S, Verbeke R, Rubio-Giménez V, Tatay S | display-authors = 6 |date=2019-11-26|title=बड़े क्षेत्र के जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों के वाष्प-चरण जमाव के लिए एकीकृत क्लीनरूम प्रक्रिया|journal=Chemistry of Materials|language=en|volume=31|issue=22|pages=9462–9471|doi=10.1021/acs.chemmater.9b03435| hdl = 10550/74201 |issn=0897-4756| url = https://bib-pubdb1.desy.de/record/426613 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Stassin T, Rodríguez-Hermida S, Schrode B, Cruz AJ, Carraro F, Kravchenko D, Creemers V, Stassen I, Hauffman T, De Vos D, Falcaro P, Resel R, Ameloot R | display-authors = 6 | title = ओरिएंटेड कॉपर डाइकारबॉक्साइलेट मेटल-ऑर्गेनिक फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का वाष्प-चरण जमाव| journal = Chemical Communications | volume = 55 | issue = 68 | pages = 10056–10059 | date = September 2019 | pmid = 31369024 | doi = 10.1039/C9CC05161A | s2cid = 199057054 | url = https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/cc/c9cc05161a }}</ref> एमओएफ-सीवीडी एक एकल-कक्ष निक्षेपण विधि है और इसमें सम्मिलित प्रतिक्रियाएं स्व-सीमित प्रकृति प्रदर्शित करती हैं, जो एक विशिष्ट एमएलडी प्रक्रिया के साथ मजबूत समानता रखती हैं।
+एमएलडी जैसी प्रक्रिया के शुरुआती उदाहरणों में से एक तथाकथित एमओएफ-सीवीडी है। इसे पहली बार ZIF-8 के लिए दो-चरणीय प्रक्रिया का उपयोग करके महसूस किया गया था: ZnO का एएलडी जिसके बाद 2-मिथाइलिमिडाज़ोल लिंकर वाष्प का संपर्क किया गया।<ref>{{cite journal | vauthors = Stassen I, Styles M, Grenci G, Gorp HV, Vanderlinden W, Feyter SD, Falcaro P, Vos DD, Vereecken P, Ameloot R | display-authors = 6 | title = जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का रासायनिक वाष्प जमाव| journal = Nature Materials | volume = 15 | issue = 3 | pages = 304–10 | date = March 2016 | pmid = 26657328 | doi = 10.1038/nmat4509 | bibcode = 2016NatMa..15..304S | url = https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/551545 }}</ref> बाद में इसे कई अन्य एमओएफ तक विस्तारित किया गया।<ref>{{cite journal| vauthors = Cruz AJ, Stassen I, Krishtab M, Marcoen K, Stassin T, Rodríguez-Hermida S, Teyssandier J, Pletincx S, Verbeke R, Rubio-Giménez V, Tatay S | display-authors = 6 |date=2019-11-26|title=बड़े क्षेत्र के जिओलिटिक इमिडाज़ोलेट फ्रेमवर्क पतली फिल्मों के वाष्प-चरण जमाव के लिए एकीकृत क्लीनरूम प्रक्रिया|journal=Chemistry of Materials|language=en|volume=31|issue=22|pages=9462–9471|doi=10.1021/acs.chemmater.9b03435| hdl = 10550/74201 |issn=0897-4756| url = https://bib-pubdb1.desy.de/record/426613 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Stassin T, Rodríguez-Hermida S, Schrode B, Cruz AJ, Carraro F, Kravchenko D, Creemers V, Stassen I, Hauffman T, De Vos D, Falcaro P, Resel R, Ameloot R | display-authors = 6 | title = ओरिएंटेड कॉपर डाइकारबॉक्साइलेट मेटल-ऑर्गेनिक फ्रेमवर्क पतली फिल्मों का वाष्प-चरण जमाव| journal = Chemical Communications | volume = 55 | issue = 68 | pages = 10056–10059 | date = September 2019 | pmid = 31369024 | doi = 10.1039/C9CC05161A | s2cid = 199057054 | url = https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/cc/c9cc05161a }}</ref> एमओएफ-सीवीडी एक एकल-कक्ष निक्षेपण विधि है और इसमें सम्मिलित प्रतिक्रियाएं स्व-सीमित प्रकृति प्रदर्शित करती हैं, जो एक विशिष्ट एमएलडी प्रक्रिया के साथ मजबूत समानता रखती हैं।
-धातु अग्रदूत और कार्बनिक लिंकर की अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा एमओएफ का प्रत्यक्ष एमएलडी करने का प्रयास सामान्यतः एक घने और अनाकार फिल्म में परिणामित होता है। इनमें से कुछ सामग्रियां विशिष्ट गैस-चरण के बाद के उपचार के बाद एमओएफ अग्रदूत के रूप में कार्य कर सकती हैं। यह दो-चरणीय प्रक्रिया MOF-CVD का एक विकल्प प्रस्तुत करती है। इसे कुछ प्रोटोटाइप एमओएफ के लिए सफलतापूर्वक महसूस किया गया है: आईआरएमओएफ-8, ,<ref>{{cite journal| vauthors = Salmi LD, Heikkilä MJ, Vehkamäki M, Puukilainen E, Ritala M, Sajavaara T |date=2014-11-11|title=Studies on atomic layer deposition of IRMOF-8 thin films |journal=Journal of Vacuum Science & Technology A|volume=33|issue=1|pages=01A121|doi=10.1116/1.4901455|issn=0734-2101|url=http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201601211230}}</ref> एमओएफ-5,<ref>{{cite journal| vauthors = Salmi LD, Heikkilä MJ, Puukilainen E, Sajavaara T, Grosso D, Ritala M |date=2013-12-01|title=Studies on atomic layer deposition of MOF-5 thin films |journal=Microporous and Mesoporous Materials |volume=182|pages=147–154|doi=10.1016/j.micromeso.2013.08.024|issn=1387-1811}}</ref> यूआईओ-66,<ref>{{cite journal | vauthors = Lausund KB, Nilsen O | title = All-gas-phase synthesis of UiO-66 through modulated atomic layer deposition | journal = Nature Communications | volume = 7 | issue = 1 | pages = 13578 | date = November 2016 | pmid = 27876797 | pmc = 5123030 | doi = 10.1038/ncomms13578 | bibcode = 2016NatCo...713578L }}</ref> हालांकि एमओएफ क्रिस्टलीकरण के लिए उपचार के बाद का कदम आवश्यक है, इसके लिए अक्सर कठोर परिस्थितियों की आवश्यकता होती है ( उच्च तापमान, संक्षारक वाष्प) जो खुरदरी और गैर-समान फिल्मों का कारण बनते हैं। औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए शून्य से न्यूनतम उपचार के बाद का निक्षेपण अत्यधिक वांछनीय है।
+धातु अभिकारक और कार्बनिक लिंकर की अनुक्रमिक प्रतिक्रियाओं द्वारा एमओएफ का प्रत्यक्ष एमएलडी करने का प्रयास सामान्यतः एक घने और अनाकार परत में परिणामित होता है। इनमें से कुछ सामग्रियां विशिष्ट गैस-चरण के बाद के उपचार के बाद एमओएफ अभिकारक के रूप में कार्य कर सकती हैं। यह दो-चरणीय प्रक्रिया MOF-CVD का एक विकल्प प्रस्तुत करती है। इसे कुछ प्रोटोटाइप एमओएफ के लिए सफलतापूर्वक महसूस किया गया है: आईआरएमओएफ-8, ,<ref>{{cite journal| vauthors = Salmi LD, Heikkilä MJ, Vehkamäki M, Puukilainen E, Ritala M, Sajavaara T |date=2014-11-11|title=Studies on atomic layer deposition of IRMOF-8 thin films |journal=Journal of Vacuum Science & Technology A|volume=33|issue=1|pages=01A121|doi=10.1116/1.4901455|issn=0734-2101|url=http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201601211230}}</ref> एमओएफ-5,<ref>{{cite journal| vauthors = Salmi LD, Heikkilä MJ, Puukilainen E, Sajavaara T, Grosso D, Ritala M |date=2013-12-01|title=Studies on atomic layer deposition of MOF-5 thin films |journal=Microporous and Mesoporous Materials |volume=182|pages=147–154|doi=10.1016/j.micromeso.2013.08.024|issn=1387-1811}}</ref> यूआईओ-66,<ref>{{cite journal | vauthors = Lausund KB, Nilsen O | title = All-gas-phase synthesis of UiO-66 through modulated atomic layer deposition | journal = Nature Communications | volume = 7 | issue = 1 | pages = 13578 | date = November 2016 | pmid = 27876797 | pmc = 5123030 | doi = 10.1038/ncomms13578 | bibcode = 2016NatCo...713578L }}</ref> हालांकि एमओएफ क्रिस्टलीकरण के लिए उपचार के बाद का कदम आवश्यक है, इसके लिए प्रायः कठोर परिस्थितियों की आवश्यकता होती है ( उच्च तापमान, संक्षारक वाष्प) जो खुरदरी और गैर-समान परतों का कारण बनते हैं। औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए शून्य से न्यूनतम उपचार के बाद का निक्षेपण अत्यधिक वांछनीय है।
 === प्रवाहकीय पदार्थ के लिए एमएलडी। ===
-प्रवाहकीय और लचीली फिल्में कई उभरते अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं, जैसे कि डिस्प्ले, पहनने योग्य उपकरण, फोटोवोल्टिक्स, व्यक्तिगत चिकित्सा उपकरण इत्यादि। उदाहरण के लिए, एक जिंकोन हाइब्रिड एक ZnO फिल्म से निकटता से संबंधित है और इसलिए, ZnO की चालकता को इसके साथ जोड़ सकता है कार्बनिक परत का लचीलापन। जिंकोन को डायथाइलजिंक (DEZ), हाइड्रोक्विनोन (HQ) और पानी से जमा करके (−Zn-O-फेनिलीन-O−)n के रूप में एक आणविक श्रृंखला उत्पन्न की जा सकती है, जो एक विद्युत चालक है।<ref>{{cite journal |last1=Yoon |first1=Byunghoon |last2=Lee |first2=Byoung H. |last3=George |first3=Steven M. | name-list-style = vanc |date=2012-11-13|title=Highly Conductive and Transparent Hybrid Organic–Inorganic Zincone Thin Films Using Atomic and Molecular Layer Deposition|journal=The Journal of Physical Chemistry C|volume=116|issue=46|pages=24784–24791|doi=10.1021/jp3057477|issn=1932-7447}}</ref> शुद्ध ZnO फिल्म के माप ने ~ 14 S/m की चालकता दिखाई, जबकि MLD जिंकोन ने ~ 170 S/m दिखाया, जो परिमाण के एक से अधिक क्रम के हाइब्रिड मिश्र धातु में चालकता में काफी वृद्धि दर्शाता है।
+प्रवाहकीय और लचीली परतें कई उभरते अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं, जैसे कि डिस्प्ले, पहनने योग्य उपकरण, फोटोवोल्टिक्स, व्यक्तिगत चिकित्सा उपकरण इत्यादि। उदाहरण के लिए, एक जिंकोन हाइब्रिड एक ZnO परत से निकटता से संबंधित है और इसलिए, ZnO की चालकता को इसके साथ जोड़ सकता है कार्बनिक परत का लचीलापन। जिंकोन को डायथाइलजिंक (DEZ), हाइड्रोक्विनोन (HQ) और पानी से जमा करके (−Zn-O-फेनिलीन-O−)n के रूप में एक आणविक श्रृंखला उत्पन्न की जा सकती है, जो एक विद्युत चालक है।<ref>{{cite journal |last1=Yoon |first1=Byunghoon |last2=Lee |first2=Byoung H. |last3=George |first3=Steven M. | name-list-style = vanc |date=2012-11-13|title=Highly Conductive and Transparent Hybrid Organic–Inorganic Zincone Thin Films Using Atomic and Molecular Layer Deposition|journal=The Journal of Physical Chemistry C|volume=116|issue=46|pages=24784–24791|doi=10.1021/jp3057477|issn=1932-7447}}</ref> शुद्ध ZnO परत के माप ने ~ 14 S/m की चालकता दिखाई, जबकि MLD जिंकोन ने ~ 170 S/m दिखाया, जो परिमाण के एक से अधिक क्रम के हाइब्रिड मिश्र धातु में चालकता में काफी वृद्धि दर्शाता है।
 === ऊर्जा भंडारण के लिए एमएलडी ===
 ====बैटरी इलेक्ट्रोड के लिए एमएलडी कोटिंग्स====
-बैटरी क्षेत्र में एमएलडी के मुख्य अनुप्रयोगों में से एक बैटरी इलेक्ट्रोड को हाइब्रिड (कार्बनिक-अकार्बनिक) कोटिंग के साथ कोट करना है। मुख्य कारण यह है कि, ये कोटिंग्स संभावित रूप से इलेक्ट्रोड को टूटने के मुख्य स्रोतों से बचा सकती हैं, जबकि टूटती नहीं हैं। ये कोटिंग्स विशुद्ध रूप से अकार्बनिक सामग्रियों की तुलना में अधिक लचीली होती हैं। इसलिए, चार्ज और डिस्चार्ज होने पर बैटरी इलेक्ट्रोड में होने वाले वॉल्यूम विस्तार से निपटने में सक्षम होना।
+बैटरी क्षेत्र में एमएलडी के मुख्य अनुप्रयोगों में से एक बैटरी इलेक्ट्रोड को हाइब्रिड (कार्बनिक-अकार्बनिक) कोटिंग के साथ कोट करना है। मुख्य कारण यह है कि, ये कोटिंग्स संभावित रूप से इलेक्ट्रोड को टूटने के मुख्य स्रोतों से बचा सकती हैं, जबकि टूटती नहीं हैं। ये कोटिंग्स विशुद्ध रूप से अकार्बनिक पदार्थों की तुलना में अधिक लचीली होती हैं। इसलिए, चार्ज और डिस्चार्ज होने पर बैटरी इलेक्ट्रोड में होने वाले वॉल्यूम विस्तार से निपटने में सक्षम होना।
-*एनोड पर एमएलडी कोटिंग: इसकी उच्च सैद्धांतिक क्षमता (4200mAh/g) के कारण बैटरी में सिलिकॉन एनोड का कार्यान्वयन बेहद दिलचस्प है। फिर भी, लिथियम मिश्रधातु और डीलोयिंग पर भारी मात्रा में परिवर्तन एक बड़ा मुद्दा है क्योंकि इससे सिलिकॉन एनोड का क्षरण होता है। एमएलडी पतली फिल्म कोटिंग्स, जैसे एलुकोन्स (एएल-जीएल, एएल-एचक्यू) का उपयोग उच्च लचीलेपन और कठोरता के कारण सिलिकॉन पर बफरिंग मैट्रिक्स के रूप में किया जा सकता है। इसलिए, सी एनोड के लिए वॉल्यूम विस्तार से राहत मिलती है, और साइक्लिंग प्रदर्शन में महत्वपूर्ण सुधार होता है।<ref>{{cite journal | vauthors = Piper DM, Travis JJ, Young M, Son SB, Kim SC, Oh KH, George SM, Ban C, Lee SH | display-authors = 6 | title = आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम लिथियम-आयन बैटरियों के लिए प्रतिवर्ती उच्च क्षमता वाले सी नैनोकम्पोजिट एनोड| journal = Advanced Materials | volume = 26 | issue = 10 | pages = 1596–601 | date = March 2014 | pmid = 24353043 | doi = 10.1002/adma.201304714 | s2cid = 205253006 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Piper DM, Lee Y, Son SB, Evans T, Lin F, Nordlund D, Xiao X, George SM, Lee SH, Ban C | display-authors = 6 |title=सिलिकॉन इलेक्ट्रोड के स्थिरीकरण के लिए क्रॉस-लिंक्ड एल्यूमीनियम डाइऑक्सीबेंजीन कोटिंग|journal=Nano Energy |date=April 2016 |volume=22 |pages=202–210 |doi=10.1016/j.nanoen.2016.02.021 |doi-access=free }}</ref>
+*एनोड पर एमएलडी कोटिंग: इसकी उच्च सैद्धांतिक क्षमता (4200mAh/g) के कारण बैटरी में सिलिकॉन एनोड का कार्यान्वयन बेहद दिलचस्प है। फिर भी, लिथियम मिश्रधातु और डीलोयिंग पर भारी मात्रा में परिवर्तन एक बड़ा मुद्दा है क्योंकि इससे सिलिकॉन एनोड का क्षरण होता है। एमएलडी पतली परत कोटिंग्स, जैसे एलुकोन्स (एएल-जीएल, एएल-एचक्यू) का उपयोग उच्च लचीलेपन और कठोरता के कारण सिलिकॉन पर बफरिंग मैट्रिक्स के रूप में किया जा सकता है। इसलिए, सी एनोड के लिए वॉल्यूम विस्तार से राहत मिलती है, और साइक्लिंग प्रदर्शन में महत्वपूर्ण सुधार होता है।<ref>{{cite journal | vauthors = Piper DM, Travis JJ, Young M, Son SB, Kim SC, Oh KH, George SM, Ban C, Lee SH | display-authors = 6 | title = आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम लिथियम-आयन बैटरियों के लिए प्रतिवर्ती उच्च क्षमता वाले सी नैनोकम्पोजिट एनोड| journal = Advanced Materials | volume = 26 | issue = 10 | pages = 1596–601 | date = March 2014 | pmid = 24353043 | doi = 10.1002/adma.201304714 | s2cid = 205253006 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Piper DM, Lee Y, Son SB, Evans T, Lin F, Nordlund D, Xiao X, George SM, Lee SH, Ban C | display-authors = 6 |title=सिलिकॉन इलेक्ट्रोड के स्थिरीकरण के लिए क्रॉस-लिंक्ड एल्यूमीनियम डाइऑक्सीबेंजीन कोटिंग|journal=Nano Energy |date=April 2016 |volume=22 |pages=202–210 |doi=10.1016/j.nanoen.2016.02.021 |doi-access=free }}</ref>
 *कैथोड पर एमएलडी कोटिंग्स: ली सल्फर बैटरियां अपनी उच्च ऊर्जा घनत्व के कारण बहुत रुचि रखती हैं, जो इसे इलेक्ट्रिक वाहनों (ईवी) और हाइब्रिड इलेक्ट्रिक वाहनों (एचईवी) जैसे अनुप्रयोगों के लिए आशाजनक बनाती है। हालाँकि, कैथोड से पॉलीसल्फाइड के विघटन के कारण उनका खराब चक्र जीवन, बैटरी के प्रदर्शन के लिए हानिकारक है। यह तथ्य, बड़ी मात्रा में विस्तार के साथ मिलकर कुछ मुख्य कारक हैं जो खराब विद्युत रासायनिक प्रदर्शन का कारण बनते हैं। इन मुद्दों का सामना करने के लिए सल्फर कैथोड पर एलुकोन कोटिंग्स (एएल-ईजी) का सफलतापूर्वक उपयोग किया गया है।<ref name="escholarship.org"/><ref>{{cite journal | vauthors = Li X, Lushington A, Liu J, Li R, Sun X | title = आणविक परत जमाव द्वारा सक्षम ली-एस बैटरियों के बेहतर स्थिर सल्फर कैथोड| journal = Chemical Communications | volume = 50 | issue = 68 | pages = 9757–60 | date = September 2014 | pmid = 25026556 | doi = 10.1039/C4CC04097J }}</ref>
 === थर्मोइलेक्ट्रिक पदार्थ के लिए एमएलडी ===
-उच्च परिशुद्धता और नियंत्रण के साथ एक पतली फिल्म निक्षेपण तकनीक के रूप में परमाणु/आणविक परत निक्षेपण (एएलडी/एमएलडी) बहुत अच्छी हाइब्रिड अकार्बनिक-कार्बनिक सुपरलैटिस संरचनाओं का उत्पादन करने का अवसर पैदा करता है। थर्मोइलेक्ट्रिक सामग्रियों की अकार्बनिक जाली के अंदर कार्बनिक अवरोधक परतें जोड़ने से थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता में सुधार होता है। उपर्युक्त घटना एक शमन प्रभाव का परिणाम है जो कार्बनिक बाधा परतों का फोनन पर होता है। नतीजतन, इलेक्ट्रॉन जो मुख्य रूप से जाली के माध्यम से विद्युत परिवहन के लिए जिम्मेदार होते हैं, कार्बनिक परतों के माध्यम से अधिकतर बरकरार रह सकते हैं, जबकि थर्मल परिवहन के लिए जिम्मेदार फोनन कुछ हद तक दबा दिए जाएंगे। नतीजतन, परिणामी फिल्मों में बेहतर थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता होगी।
+उच्च परिशुद्धता और नियंत्रण के साथ एक पतली परत निक्षेपण तकनीक के रूप में परमाणु/आणविक परत निक्षेपण (एएलडी/एमएलडी) बहुत अच्छी हाइब्रिड अकार्बनिक-कार्बनिक सुपरलैटिस संरचनाओं का उत्पादन करने का अवसर पैदा करता है। थर्मोइलेक्ट्रिक पदार्थों की अकार्बनिक जाली के अंदर कार्बनिक अवरोधक परतें जोड़ने से थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता में सुधार होता है। उपर्युक्त घटना एक शमन प्रभाव का परिणाम है जो कार्बनिक बाधा परतों का फोनन पर होता है। नतीजतन, इलेक्ट्रॉन जो मुख्य रूप से जाली के माध्यम से विद्युत परिवहन के लिए जिम्मेदार होते हैं, कार्बनिक परतों के माध्यम से अधिकतर बरकरार रह सकते हैं, जबकि थर्मल परिवहन के लिए जिम्मेदार फोनन कुछ हद तक दबा दिए जाएंगे। नतीजतन, परिणामी परतों में बेहतर थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता होगी।
 ====व्यावहारिक दृष्टिकोण====
-ऐसा माना जाता है कि थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता बढ़ाने के लिए अन्य तरीकों के साथ-साथ अवरोधक परतों के अनुप्रयोग से थर्मोइलेक्ट्रिक मॉड्यूल का उत्पादन करने में मदद मिल सकती है जो गैर विषैले, लचीले, सस्ते और स्थिर हैं। ऐसा ही एक मामला पृथ्वी-प्रचुर तत्वों के थर्मोइलेक्ट्रिक ऑक्साइड का है। अन्य थर्मोइलेक्ट्रिक सामग्रियों की तुलना में इन ऑक्साइडों में उनकी उच्च तापीय चालकता के कारण कम थर्मोइलेक्ट्रिकिटी होती है। इसलिए, ALD/MLD के माध्यम से अवरोधक परतें जोड़ना, ऑक्साइड की इस नकारात्मक विशेषता को दूर करने का एक अच्छा तरीका है।
+ऐसा माना जाता है कि थर्मोइलेक्ट्रिक दक्षता बढ़ाने के लिए अन्य तरीकों के साथ-साथ अवरोधक परतों के अनुप्रयोग से थर्मोइलेक्ट्रिक मॉड्यूल का उत्पादन करने में मदद मिल सकती है जो गैर विषैले, लचीले, सस्ते और स्थिर हैं। ऐसा ही एक मामला पृथ्वी-प्रचुर तत्वों के थर्मोइलेक्ट्रिक ऑक्साइड का है। अन्य थर्मोइलेक्ट्रिक पदार्थों की तुलना में इन ऑक्साइडों में उनकी उच्च तापीय चालकता के कारण कम थर्मोइलेक्ट्रिकिटी होती है। इसलिए, एएलडी/MLD के माध्यम से अवरोधक परतें जोड़ना, ऑक्साइड की इस नकारात्मक विशेषता को दूर करने का एक अच्छा तरीका है।
 === बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए एमएलडी ===
 ==== बायोएक्टिव और बायोकम्पैटिबल सतहें ====
-एमएलडी को लक्षित कोशिका और ऊतक प्रतिक्रियाओं के लिए बायोएक्टिव और बायोकंपैटिबल सतहों के डिजाइन पर भी लागू किया जा सकता है। बायोएक्टिव सामग्रियों में पुनर्योजी चिकित्सा, ऊतक इंजीनियरिंग (ऊतक मचान), बायोसेंसर आदि के लिए पदार्थ सम्मिलित होती है। महत्वपूर्ण कारक जो कोशिका-सतह संपर्क को प्रभावित कर सकते हैं, साथ ही सिस्टम की प्रतिरक्षा प्रतिक्रिया सतह रसायन शास्त्र (उदाहरण के लिए कार्यात्मक समूह, सतह चार्ज और) हैं वेटेबिलिटी) और सतह स्थलाकृति।<ref>{{cite journal | vauthors = Jiao YP, Cui FZ | title = ऊतक इंजीनियरिंग के लिए पॉलिएस्टर बायोमटेरियल का सतही संशोधन| journal = Biomedical Materials | volume = 2 | issue = 4 | pages = R24-37 | date = December 2007 | pmid = 18458475 | doi = 10.1088/1748-6041/2/4/R02 | s2cid = 12019400 }}</ref> कोशिका के जुड़ाव और प्रसार और परिणामी सतहों की जैव सक्रियता को नियंत्रित करने के लिए इन गुणों को समझना महत्वपूर्ण है। इसके अतिरिक्त बायोएक्टिव सतहों के निर्माण के दौरान कार्बनिक बिल्डिंग ब्लॉक्स और एक प्रकार के बायोमोलेक्यूल्स (जैसे प्रोटीन, पेप्टाइड्स या पॉलीसेकेराइड) का चुनाव सतह की सेलुलर प्रतिक्रिया के लिए एक महत्वपूर्ण कारक है। एमएलडी ऐसे कार्बनिक अणुओं को टाइटेनियम जैसे अकार्बनिक जैव-संगत तत्वों के साथ जोड़कर जैव सक्रिय, सटीक संरचनाओं के निर्माण की अनुमति देता है। बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए एमएलडी के उपयोग का व्यापक रूप से अध्ययन नहीं किया गया है और यह अनुसंधान का एक आशाजनक क्षेत्र है। यह विधि सतह संशोधन को सक्षम बनाती है और इस प्रकार, सतह को क्रियाशील बना सकती है।
+एमएलडी को लक्षित कोशिका और ऊतक प्रतिक्रियाओं के लिए बायोएक्टिव और बायोकंपैटिबल सतहों के डिजाइन पर भी प्रयुक्त किया जा सकता है। बायोएक्टिव पदार्थों में पुनर्योजी चिकित्सा, ऊतक इंजीनियरिंग (ऊतक मचान), बायोसेंसर आदि के लिए पदार्थ सम्मिलित होती है। महत्वपूर्ण कारक जो कोशिका-सतह संपर्क को प्रभावित कर सकते हैं, साथ ही सिस्टम की प्रतिरक्षा प्रतिक्रिया सतह रसायन शास्त्र (उदाहरण के लिए कार्यात्मक समूह, सतह चार्ज और) हैं वेटेबिलिटी) और सतह स्थलाकृति।<ref>{{cite journal | vauthors = Jiao YP, Cui FZ | title = ऊतक इंजीनियरिंग के लिए पॉलिएस्टर बायोमटेरियल का सतही संशोधन| journal = Biomedical Materials | volume = 2 | issue = 4 | pages = R24-37 | date = December 2007 | pmid = 18458475 | doi = 10.1088/1748-6041/2/4/R02 | s2cid = 12019400 }}</ref> कोशिका के जुड़ाव और प्रसार और परिणामी सतहों की जैव सक्रियता को नियंत्रित करने के लिए इन गुणों को समझना महत्वपूर्ण है। इसके अतिरिक्त बायोएक्टिव सतहों के निर्माण के दौरान कार्बनिक बिल्डिंग ब्लॉक्स और एक प्रकार के बायोमोलेक्यूल्स (जैसे प्रोटीन, पेप्टाइड्स या पॉलीसेकेराइड) का चुनाव सतह की सेलुलर प्रतिक्रिया के लिए एक महत्वपूर्ण कारक है। एमएलडी ऐसे कार्बनिक अणुओं को टाइटेनियम जैसे अकार्बनिक जैव-संगत तत्वों के साथ जोड़कर जैव सक्रिय, सटीक संरचनाओं के निर्माण की अनुमति देता है। बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए एमएलडी के उपयोग का व्यापक रूप से अध्ययन नहीं किया गया है और यह अनुसंधान का एक आशाजनक क्षेत्र है। यह विधि सतह संशोधन को सक्षम बनाती है और इस प्रकार, सतह को क्रियाशील बना सकती है।
-में प्रकाशित एक हालिया अध्ययन में चूहे के कंजंक्टिवल गॉब्लेट सेल प्रसार को बढ़ाने के लिए कार्बनिक लिंकर्स के रूप में ग्लाइसिन, एल-एसपारटिक एसिड और एल-आर्जिनिन जैसे अमीनो एसिड के साथ टाइटेनियम समूहों को मिलाकर बायोएक्टिव मचान बनाने के लिए एमएलडी का उपयोग किया गया।<ref>{{cite journal| vauthors = Momtazi L, Sønsteby HH, Dartt DA, Eidet JR, Nilsen O |date=2017-04-10|title=आणविक परत जमाव से बायोएक्टिव टाइटैमिनेट्स|journal=RSC Advances |volume=7|issue=34|pages=20900–20907 |doi=10.1039/C7RA01918A |bibcode=2017RSCAd...720900M |doi-access=free }}</ref> कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड सामग्रियों के इस नवीन समूह को टाइटैमिनेट्स कहा जाता था। इसके अतिरिक्त बायोएक्टिव हाइब्रिड पदार्थ जिसमें टाइटेनियम और प्राथमिक न्यूक्लियोबेस जैसे थाइमिन, यूरैसिल और एडेनिन सम्मिलित हैं, ऊतक इंजीनियरिंग के क्षेत्र में उच्च (>85%) सेल व्यवहार्यता और संभावित अनुप्रयोग दिखाते हैं।<ref>{{cite journal | vauthors = Momtazi L, Dartt DA, Nilsen O, Eidet JR | title = आणविक परत जमाव उपकला कोशिकाओं के लिए जैव-संगत सब्सट्रेट बनाता है| journal = Journal of Biomedical Materials Research. Part A | volume = 106 | issue = 12 | pages = 3090–3098 | date = December 2018 | pmid = 30194710 | doi = 10.1002/jbm.a.36499  | s2cid = 52173008 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Momtazi L, Sønsteby HH, Nilsen O | title = आणविक परत जमाव द्वारा विकसित न्यूक्लियोबेस और टाइटेनियम पर आधारित जैव-संगत कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री| journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 10 | issue = 1 | pages = 399–411 | date = 2019-02-08 | pmid = 30800579 | pmc = 6369986 | doi = 10.3762/bjnano.10.39 }}</ref>
+में प्रकाशित एक हालिया अध्ययन में चूहे के कंजंक्टिवल गॉब्लेट सेल प्रसार को बढ़ाने के लिए कार्बनिक लिंकर्स के रूप में ग्लाइसिन, एल-एसपारटिक एसिड और एल-आर्जिनिन जैसे अमीनो एसिड के साथ टाइटेनियम समूहों को मिलाकर बायोएक्टिव मचान बनाने के लिए एमएलडी का उपयोग किया गया।<ref>{{cite journal| vauthors = Momtazi L, Sønsteby HH, Dartt DA, Eidet JR, Nilsen O |date=2017-04-10|title=आणविक परत जमाव से बायोएक्टिव टाइटैमिनेट्स|journal=RSC Advances |volume=7|issue=34|pages=20900–20907 |doi=10.1039/C7RA01918A |bibcode=2017RSCAd...720900M |doi-access=free }}</ref> कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड पदार्थों के इस नवीन समूह को टाइटैमिनेट्स कहा जाता था। इसके अतिरिक्त बायोएक्टिव हाइब्रिड पदार्थ जिसमें टाइटेनियम और प्राथमिक न्यूक्लियोबेस जैसे थाइमिन, यूरैसिल और एडेनिन सम्मिलित हैं, ऊतक इंजीनियरिंग के क्षेत्र में उच्च (>85%) सेल व्यवहार्यता और संभावित अनुप्रयोग दिखाते हैं।<ref>{{cite journal | vauthors = Momtazi L, Dartt DA, Nilsen O, Eidet JR | title = आणविक परत जमाव उपकला कोशिकाओं के लिए जैव-संगत सब्सट्रेट बनाता है| journal = Journal of Biomedical Materials Research. Part A | volume = 106 | issue = 12 | pages = 3090–3098 | date = December 2018 | pmid = 30194710 | doi = 10.1002/jbm.a.36499  | s2cid = 52173008 }}</ref><ref>{{cite journal | vauthors = Momtazi L, Sønsteby HH, Nilsen O | title = आणविक परत जमाव द्वारा विकसित न्यूक्लियोबेस और टाइटेनियम पर आधारित जैव-संगत कार्बनिक-अकार्बनिक संकर सामग्री| journal = Beilstein Journal of Nanotechnology | volume = 10 | issue = 1 | pages = 399–411 | date = 2019-02-08 | pmid = 30800579 | pmc = 6369986 | doi = 10.3762/bjnano.10.39 }}</ref>
 ==== रोगाणुरोधी सतहें ====
 बैक्टीरिया, वायरस, परजीवी या कवक जैसे रोगजनक सूक्ष्मजीवों के कारण होने वाला अस्पताल-जनित संक्रमण आधुनिक स्वास्थ्य देखभाल में एक बड़ी समस्या है।<ref>WHO, ''2019 Antibacterial agents in clinical development – an analysis of the antibacterial clinical development pipeline.'' Geneva: World Health Organization; 2019. Licence: CC BY-NC-SA 3.0 IGO.</ref> बड़ी संख्या में इन रोगाणुओं ने लोकप्रिय रोगाणुरोधी एजेंटों (जैसे एंटीबायोटिक्स और एंटीवायरल) को उनके खिलाफ कार्य करने से रोकने की क्षमता विकसित की। रोगाणुरोधी प्रतिरोध की बढ़ती समस्या पर काबू पाने के लिए वैकल्पिक और प्रभावी रोगाणुरोधी प्रौद्योगिकियों का विकास करना आवश्यक हो गया है जिससे रोगज़नक़ प्रतिरोध विकसित नहीं कर पाएंगे।
@@ Line 137: / Line 134: @@
 === लाभ ===
-आणविक परत निक्षेपण का मुख्य लाभ इसके धीमे, चक्रीय दृष्टिकोण से संबंधित है। जबकि अन्य तकनीकों से कम समय में मोटी फिल्में मिल सकती हैं, आणविक परत का निक्षेपण एंगस्ट्रॉम स्तर की सटीकता पर मोटाई नियंत्रण के लिए जाना जाता है। इसके अतिरिक्त इसका चक्रीय दृष्टिकोण उत्कृष्ट अनुरूपता वाली फिल्में उत्पन्न करता है, जो इसे जटिल आकार वाली सतहों की कोटिंग के लिए उपयुक्त बनाता है। एमएलडी के साथ विभिन्न सामग्रियों से युक्त बहुपरतों का विकास भी संभव है, और कार्बनिक/अकार्बनिक हाइब्रिड फिल्मों के अनुपात को आसानी से नियंत्रित किया जा सकता है और अनुसंधान आवश्यकताओं के अनुरूप बनाया जा सकता है।
+आणविक परत निक्षेपण का मुख्य लाभ इसके धीमे, चक्रीय दृष्टिकोण से संबंधित है। जबकि अन्य तकनीकों से कम समय में मोटी परतें मिल सकती हैं, आणविक परत का निक्षेपण एंगस्ट्रॉम स्तर की सटीकता पर मोटाई नियंत्रण के लिए जाना जाता है। इसके अतिरिक्त इसका चक्रीय दृष्टिकोण उत्कृष्ट अनुरूपता वाली परतें उत्पन्न करता है, जो इसे जटिल आकार वाली सतहों की कोटिंग के लिए उपयुक्त बनाता है। एमएलडी के साथ विभिन्न पदार्थों से युक्त बहुपरतों का विकास भी संभव है, और कार्बनिक/अकार्बनिक हाइब्रिड परतों के अनुपात को आसानी से नियंत्रित किया जा सकता है और अनुसंधान आवश्यकताओं के अनुरूप बनाया जा सकता है।
 === सीमाएँ ===
-पिछले मामले की तरह, आणविक परत निक्षेपण का मुख्य नुकसान भी इसके धीमे, चक्रीय दृष्टिकोण से संबंधित है। चूँकि प्रत्येक चक्र के दौरान दोनों पूर्ववर्तियों को क्रमिक रूप से स्पंदित किया जाता है, और संतृप्ति को हर बार प्राप्त करने की आवश्यकता होती है, पर्याप्त मोटी फिल्म प्राप्त करने के लिए आवश्यक समय आसानी से घंटों के क्रम में हो सकता है, यदि दिन नहीं। इसके अतिरिक्त वांछित फिल्मों को जमा करने से पहले सफल परिणाम प्राप्त करने के लिए सभी मापदंडों का परीक्षण और अनुकूलन करना हमेशा आवश्यक होता है।
+पिछले मामले की तरह, आणविक परत निक्षेपण का मुख्य नुकसान भी इसके धीमे, चक्रीय दृष्टिकोण से संबंधित है। चूँकि प्रत्येक चक्र के दौरान दोनों अभिकारको को क्रमिक रूप से स्पंदित किया जाता है, और संतृप्ति को हर बार प्राप्त करने की आवश्यकता होती है, पर्याप्त मोटी परत प्राप्त करने के लिए आवश्यक समय आसानी से घंटों के क्रम में हो सकता है, यदि दिन नहीं। इसके अतिरिक्त वांछित परतों को जमा करने से पहले सफल परिणाम प्राप्त करने के लिए सभी मापदंडों का परीक्षण और अनुकूलन करना हमेशा आवश्यक होता है।
-इसके अतिरिक्त एमएलडी के माध्यम से जमा की गई हाइब्रिड फिल्मों से संबंधित एक और मुद्दा उनकी स्थिरता है। हाइब्रिड कार्बनिक/अकार्बनिक फिल्में एच में ख़राब या सिकुड़ सकती हैं<sub>2</sub>O. हालाँकि, इसका उपयोग फिल्मों के रासायनिक परिवर्तन को सुविधाजनक बनाने के लिए किया जा सकता है। एमएलडी सतह रसायन विज्ञान को संशोधित करने से हाइब्रिड फिल्मों की स्थिरता और यांत्रिक शक्ति को बढ़ाने के लिए एक समाधान प्रदान किया जा सकता है।
+इसके अतिरिक्त एमएलडी के माध्यम से जमा की गई हाइब्रिड परतों से संबंधित एक और मुद्दा उनकी स्थिरता है। हाइब्रिड कार्बनिक/अकार्बनिक परतें एच में ख़राब या सिकुड़ सकती हैं<sub>2</sub>O. हालाँकि, इसका उपयोग परतों के रासायनिक परिवर्तन को सुविधाजनक बनाने के लिए किया जा सकता है। एमएलडी सतह रसायन विज्ञान को संशोधित करने से हाइब्रिड परतों की स्थिरता और यांत्रिक शक्ति को बढ़ाने के लिए एक समाधान प्रदान किया जा सकता है।
-लागत के संदर्भ में, नियमित आणविक परत निक्षेपण उपकरण की लागत $200,000 और $800,000 के बीच हो सकती है। इसके अतिरिक्त उपयोग किए गए पूर्ववर्तियों की लागत को भी ध्यान में रखा जाना चाहिए।<ref>{{cite web|url=http://www.svta.com/|title=आणविक बीम एपिटैक्सी, पतली फिल्म जमाव और परमाणु परत जमाव प्रणाली - एसवीटी एसोसिएट्स|website=www.svta.com}}</ref>
+लागत के संदर्भ में, नियमित आणविक परत निक्षेपण उपकरण की लागत $200,000 और $800,000 के बीच हो सकती है। इसके अतिरिक्त उपयोग किए गए अभिकारको की लागत को भी ध्यान में रखा जाना चाहिए।<ref>{{cite web|url=http://www.svta.com/|title=आणविक बीम एपिटैक्सी, पतली फिल्म जमाव और परमाणु परत जमाव प्रणाली - एसवीटी एसोसिएट्स|website=www.svta.com}}</ref>
-परमाणु परत निक्षेपण मामले के समान, आणविक परत निक्षेपण के लिए उपयुक्त होने के लिए पूर्ववर्तियों के लिए कुछ सख्त रासायनिक सीमाएं हैं।
+परमाणु परत निक्षेपण मामले के समान, आणविक परत निक्षेपण के लिए उपयुक्त होने के लिए अभिकारको के लिए कुछ सख्त रासायनिक सीमाएं हैं।
-एमएलडी अग्रदूतों के पास होना चाहिए<ref>{{cite book|title=पतली फिल्म सामग्री की हैंडबुक|date=2002|publisher=Academic Press| last = Nalwa | first = Hari Singh | name-list-style = vanc |isbn=9780125129084|location=San Diego|oclc=162575792}}{{Page needed|date=September 2019}}</ref>
+एमएलडी अभिकारकों के पास होना चाहिए<ref>{{cite book|title=पतली फिल्म सामग्री की हैंडबुक|date=2002|publisher=Academic Press| last = Nalwa | first = Hari Singh | name-list-style = vanc |isbn=9780125129084|location=San Diego|oclc=162575792}}{{Page needed|date=September 2019}}</ref>
 *पर्याप्त अस्थिरता
 * आक्रामक और पूर्ण प्रतिक्रियाएँ
 * तापीय स्थिरता
-* फिल्म या सब्सट्रेट पदार्थ पर कोई नक्काशी नहीं
+* परत या कार्यद्रव्य पदार्थ पर कोई नक्काशी नहीं
 *पर्याप्त शुद्धता
-इसके अतिरिक्त निम्नलिखित विशेषताओं वाले पूर्ववर्तियों को खोजने की सलाह दी जाती है:
+इसके अतिरिक्त निम्नलिखित विशेषताओं वाले अभिकारको को खोजने की सलाह दी जाती है:
 * गैसें या अत्यधिक अस्थिर तरल पदार्थ
@@ Line 170: / Line 167: @@
 == बाहरी संबंध ==
-*[https://www.youtube.com/watch?v=9p2wwOTpCCI ALD/MLD process animation]
+*[https://www.youtube.com/watch?v=9p2wwOTpCCI एएलडी/MLD process animation]
-*[https://www.atomiclimits.com/2019/02/12/atomic-layer-deposition-process-development-10-steps-to-successfully-develop-optimize-and-characterize-ald-recipes/ ALD/MLD process design and optimisation]
+*[https://www.atomiclimits.com/2019/02/12/atomic-layer-deposition-process-development-10-steps-to-successfully-develop-optimize-and-characterize-ald-recipes/ एएलडी/MLD process design and optimisation]
 [[Category: पतली फिल्म निक्षेपण]] [[Category: अर्धचालक उपकरण निर्माण]] [[Category: रासायनिक प्रक्रियाएँ]]

Anonymous

Search