पिछड़ा डायोड: Difference between revisions

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ऐसे डायोड में रिवर्स करंट टनलिंग द्वारा होता है, जिसे टनल इफेक्ट भी कहा जाता है।<ref>{{cite book | title = इलेक्ट्रॉनिक्स में पहला कोर्स| author = Anwar A. Khan and Kanchan K. Dey | publisher = Prentice Hall of India | year = 2006 | isbn = 81-203-2776-4 | url = https://books.google.com/books?id=MgAXj7xKnNgC&dq=backward-diode+tunnel+zener&pg=PA111 }}</ref><ref name=Kakani>{{cite book | title = इलेक्ट्रॉनिक्स सिद्धांत और अनुप्रयोग| author = S.L. Kakani | publisher = New Age Intl. Ltd | year = 2004 | isbn = 81-224-1536-9 | url = https://books.google.com/books?id=XrSI2C9NlDIC&dq=backward-diode+tunnel+zener-effect&pg=PA50 }}</ref><ref>{{cite book | title = Semiconductor Physics: An Introduction | author = Karlheinz Seeger | publisher = Springer | year = 2004 | isbn = 3-540-21957-9 | url = https://books.google.com/books?id=il4nyDF0IJIC&dq=backward-diode+tunneling&pg=PA283 }}</ref>
ऐसे अर्धचालक में विपरीत विद्युत प्रवाह सुरंग द्वारा होता है, जिसे सुरंग प्रभाव भी कहा जाता है।<ref>{{cite book | title = इलेक्ट्रॉनिक्स में पहला कोर्स| author = Anwar A. Khan and Kanchan K. Dey | publisher = Prentice Hall of India | year = 2006 | isbn = 81-203-2776-4 | url = https://books.google.com/books?id=MgAXj7xKnNgC&dq=backward-diode+tunnel+zener&pg=PA111 }}</ref><ref name=Kakani>{{cite book | title = इलेक्ट्रॉनिक्स सिद्धांत और अनुप्रयोग| author = S.L. Kakani | publisher = New Age Intl. Ltd | year = 2004 | isbn = 81-224-1536-9 | url = https://books.google.com/books?id=XrSI2C9NlDIC&dq=backward-diode+tunnel+zener-effect&pg=PA50 }}</ref><ref>{{cite book | title = Semiconductor Physics: An Introduction | author = Karlheinz Seeger | publisher = Springer | year = 2004 | isbn = 3-540-21957-9 | url = https://books.google.com/books?id=il4nyDF0IJIC&dq=backward-diode+tunneling&pg=PA283 }}</ref>




== पिछड़े डायोड की वर्तमान-वोल्टेज विशेषताएँ ==
== पिछला अर्धचालक की विद्युत प्रवाह -विद्युत संचालन  विशेषताएँ ==
[[File:Backward_Diode_Band_Diagram.svg|thumb|right|400px|बैकवर्ड डायोड का [[बैंड आरेख]]। इलेक्ट्रॉन ऊर्जा ऊर्ध्वाधर अक्ष पर है, डिवाइस के भीतर स्थिति क्षैतिज अक्ष पर है। बैकवर्ड डायोड में असामान्य संपत्ति है कि तथाकथित रिवर्स बायस दिशा वास्तव में तथाकथित फॉरवर्ड बायस की तुलना में अधिक वर्तमान प्रवाह है।]]आगे की I-V विशेषता सामान्य P-N डायोड के समान है। ब्रेकडाउन तब शुरू होता है जब रिवर्स वोल्टेज लगाया जाता है। जेनर के टूटने की स्थिति में, यह एक विशेष वोल्टेज पर शुरू होता है। इस डायोड में वोल्टेज अपेक्षाकृत स्थिर (वर्तमान से स्वतंत्र) रहता है जब इसे रिवर्स बायस में जोड़ा जाता है। बैकवर्ड डायोड टनल डायोड का एक विशेष रूप है जिसमें टनलिंग की घटना केवल आरंभिक होती है, और नकारात्मक प्रतिरोध क्षेत्र वस्तुतः गायब हो जाता है। आगे की धारा बहुत छोटी होती है और एक पारंपरिक डायोड के विपरीत धारा के बराबर हो जाती है।
[[File:Backward_Diode_Band_Diagram.svg|thumb|right|400px|पीछे की ओर का अर्धचालक का [[बैंड आरेख]]। इलेक्ट्रॉन ऊर्जा ऊर्ध्वाधर अक्ष पर है, डिवाइस के भीतर स्थिति क्षैतिज अक्ष पर है। पीछे की ओर का अर्धचालक में असामान्य संपत्ति है कि तथाकथित विपरीत बायस दिशा वास्तव में तथाकथित फॉरवर्ड बायस की तुलना में अधिक वर्तमान संचालन है।]]अग्र अर्धचालक की I-V विशेषता सामान्य P-N अर्धचालक के समान है। विभाजन तब शुरू होता है जब विपरीत विद्युत संचालन लगाया जाता है। शैली के विभाजन की स्थिति में, यह एक विशेष विद्युत संचालन पर शुरू होता है। इस अर्धचालक में जब इसे विपरीत विभेदक में जोड़ा जाता है तब विद्युत संचालन अपेक्षाकृत स्थिर रहता है। पीछे की ओर का  अर्धचालक सुरंग अर्धचालक का एक विशेष रूप है जिसमें सुरंग की घटना केवल आरंभिक होती है, और ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र वस्तुतः लुप्त हो जाता है। अग्र विद्युत प्रवाह बहुत छोटी होती है और एक पारंपरिक अर्धचालक के विपरीत विद्युत प्रवाह के बराबर हो जाती है।


== पिछड़े डायोड के अनुप्रयोग ==
== पिछला अर्धचालक के अनुप्रयोग ==


;डिटेक्टर: चूंकि इसमें कम समाई है और कोई चार्ज स्टोरेज प्रभाव नहीं है,<ref name=Kakani/>और एक अत्यधिक अरैखिक लघु-संकेत विशेषता, पश्च डायोड को 40 GHz तक डिटेक्टर के रूप में उपयोग किया जा सकता है।
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रेक्टिफायर: एक बैकवर्ड डायोड का उपयोग 0.1 से 0.7 V के शिखर आयाम वाले कमजोर संकेतों को सुधारने के लिए किया जा सकता है।
'''संशोधक'''


;स्विच: हाई स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन में एक बैकवर्ड डायोड का उपयोग किया जा सकता है।
पीछे की ओर का अर्धचालक का उपयोग 0.1 से 0.7 V के उच्च आकार वाले कमजोर संकेतों को सुधारने के लिए किया जा सकता है।
 
;स्विच: उच्च गति परावर्तन अनुप्रयोग में एक पीछे की ओर का अर्धचालक का उपयोग किया जा सकता है।


==संदर्भ==
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Latest revision as of 15:57, 29 August 2023

पीछे की ओर का अर्धचालक के लिए योजनाबद्ध प्रतीक[1] यह दिखाने के लिए एनोटेट किया गया है कि कौन सा पक्ष P प्रकार है और कौन सा N है; तीर के सापेक्ष पिछड़े N से P तक विद्युत प्रवाह सबसे आसानी से संचालनित होती है।
IEEE 315 के अनुसार पीछे की ओर का अर्धचालक प्रतीक

अर्धचालक उपकरणों में, पीछे की ओर एक अर्धचालक होता है जिसे पिछला अर्धचालक भी कहा जाता है।[2] एक ज़ेनर अर्धचालक या सुरंग अर्धचालक पर भिन्नता है जिसमें अग्र विभेदक विद्युत संचालन की तुलना में छोटे विपरीत विभेदक (उदाहरण के लिए -0.1 से -0.6 वी) के लिए बेहतर चालन होता है।

ऐसे अर्धचालक में विपरीत विद्युत प्रवाह सुरंग द्वारा होता है, जिसे सुरंग प्रभाव भी कहा जाता है।[3][4][5]


पिछला अर्धचालक की विद्युत प्रवाह -विद्युत संचालन विशेषताएँ

पीछे की ओर का अर्धचालक का बैंड आरेख। इलेक्ट्रॉन ऊर्जा ऊर्ध्वाधर अक्ष पर है, डिवाइस के भीतर स्थिति क्षैतिज अक्ष पर है। पीछे की ओर का अर्धचालक में असामान्य संपत्ति है कि तथाकथित विपरीत बायस दिशा वास्तव में तथाकथित फॉरवर्ड बायस की तुलना में अधिक वर्तमान संचालन है।

अग्र अर्धचालक की I-V विशेषता सामान्य P-N अर्धचालक के समान है। विभाजन तब शुरू होता है जब विपरीत विद्युत संचालन लगाया जाता है। शैली के विभाजन की स्थिति में, यह एक विशेष विद्युत संचालन पर शुरू होता है। इस अर्धचालक में जब इसे विपरीत विभेदक में जोड़ा जाता है तब विद्युत संचालन अपेक्षाकृत स्थिर रहता है। पीछे की ओर का अर्धचालक सुरंग अर्धचालक का एक विशेष रूप है जिसमें सुरंग की घटना केवल आरंभिक होती है, और ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र वस्तुतः लुप्त हो जाता है। अग्र विद्युत प्रवाह बहुत छोटी होती है और एक पारंपरिक अर्धचालक के विपरीत विद्युत प्रवाह के बराबर हो जाती है।

पिछला अर्धचालक के अनुप्रयोग

संसूचक
चूंकि इसमें कम क्षमता है और कोई संरक्षण संचयन प्रभाव नहीं है,[4]और एक अत्यधिक अरैखिक लघु-संकेत विशेषता, पश्च अर्धचालक को 40 GHz तक संसूचक के रूप में उपयोग किया जा सकता है।

संशोधक

पीछे की ओर का अर्धचालक का उपयोग 0.1 से 0.7 V के उच्च आकार वाले कमजोर संकेतों को सुधारने के लिए किया जा सकता है।

स्विच
उच्च गति परावर्तन अनुप्रयोग में एक पीछे की ओर का अर्धचालक का उपयोग किया जा सकता है।

संदर्भ

  1. Stanley William Amos, Roger S. Amos (1999). न्यूनेस डिक्शनरी ऑफ इलेक्ट्रॉनिक्स. Newnes. ISBN 0-7506-4331-5.
  2. Paul Horowitz, Winfield Hill (1989). The Art of Electronics, 2nd edition. p. 891.
  3. Anwar A. Khan and Kanchan K. Dey (2006). इलेक्ट्रॉनिक्स में पहला कोर्स. Prentice Hall of India. ISBN 81-203-2776-4.
  4. 4.0 4.1 S.L. Kakani (2004). इलेक्ट्रॉनिक्स सिद्धांत और अनुप्रयोग. New Age Intl. Ltd. ISBN 81-224-1536-9.
  5. Karlheinz Seeger (2004). Semiconductor Physics: An Introduction. Springer. ISBN 3-540-21957-9.