कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स: Difference between revisions

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[[File:Organic CMOS logic circuit.jpg|thumb|कार्बनिक CMOS लॉजिक सर्किट। कुल मोटाई 3 माइक्रोन से कम है। स्केल बार: 25 मिमी]]
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कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स डिजाइन, संश्लेषण, लक्षण वर्णन और कार्बनिक अणुओं या पॉलिमर के अनुप्रयोग से संबंधित पदार्थ विज्ञान (मैटेरियल्स साइंस) का क्षेत्र है जो चालकता जैसे वांछनीय इलेक्ट्रॉनिक गुणों को दिखाते हैं। पारंपरिक अकार्बनिक चालकों और अर्धचालकों के विपरीत, कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक वस्तुएं कार्बनिक (कार्बन-आधारित) अणुओं या पॉलिमर से कार्बनिक रसायन विज्ञान और बहुलक रसायन विज्ञान के संदर्भ में विकसित कृत्रिम रणनीतियों का उपयोग करके निर्मित की जाती है।
कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स डिजाइन, संश्लेषण, लक्षण वर्णन और कार्बनिक अणुओं या पॉलिमर के अनुप्रयोग से संबंधित पदार्थ विज्ञान (मैटेरियल्स साइंस) का क्षेत्र है, जो चालकता जैसे वांछनीय इलेक्ट्रॉनिक गुणों को दिखाते हैं। पारंपरिक अकार्बनिक चालकों और अर्धचालकों के विपरीत, कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक वस्तुएं कार्बनिक (कार्बन-आधारित) अणुओं या पॉलिमर से कार्बनिक रसायन विज्ञान और बहुलक रसायन विज्ञान के संदर्भ में विकसित कृत्रिम रणनीतियों का उपयोग करके निर्मित की जाती है।


कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के वादा किए गए लाभों में से पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक्स की तुलना में उनकी संभावित कम लागत है।<ref>Hagen Klauk (Ed.) ''Organic Electronics: Materials, Manufacturing and Applications''  2006, Wiley-VCH, Weinheim. Print {{ISBN|9783527312641}}.</ref><ref>Hagen Klauk (Ed.) ''Organic electronics. More materials and applications'' 2010, Wiley-VCH, Weinheim. {{ISBN|9783527640218}} electronic bk.</ref><ref>Paolo Samori, Franco Cacialli  ''Functional Supramolecular Architectures: for Organic Electronics and Nanotechnology'' 2010 Wiley {{ISBN|978-3-527-32611-2}}</ref> बहुलक चालकों के आकर्षक गुणों में उनकी विद्युत चालकता (जो डोपेंट की सांद्रता से भिन्न की जा सकती है) और तुलनात्मक रूप से उच्च यांत्रिक लचीलापन शामिल हैं। कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक वस्तुओं के कार्यान्वयन के लिए चुनौतियां उनके अवर थर्मल स्थिरता, उच्च लागत और विविध निर्माण मुद्दे हैं।
कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के वादा किए गए लाभों में से पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक्स की तुलना में उनकी संभावित कम लागत है।<ref>Hagen Klauk (Ed.) ''Organic Electronics: Materials, Manufacturing and Applications''  2006, Wiley-VCH, Weinheim. Print {{ISBN|9783527312641}}.</ref><ref>Hagen Klauk (Ed.) ''Organic electronics. More materials and applications'' 2010, Wiley-VCH, Weinheim. {{ISBN|9783527640218}} electronic bk.</ref><ref>Paolo Samori, Franco Cacialli  ''Functional Supramolecular Architectures: for Organic Electronics and Nanotechnology'' 2010 Wiley {{ISBN|978-3-527-32611-2}}</ref> बहुलक चालकों के आकर्षक गुणों में उनकी विद्युत चालकता (जो डोपेंट की सांद्रता से भिन्न की जा सकती है) और तुलनात्मक रूप से उच्च यांत्रिक लचीलापन शामिल हैं। कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक वस्तुओं के कार्यान्वयन के लिए चुनौतियां उनके अवर थर्मल स्थिरता, उच्च लागत और विविध निर्माण मुद्दे हैं।
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'''विद्युत प्रवाहकीय पॉलिमर'''
'''विद्युत प्रवाहकीय पॉलिमर'''


पारंपरिक प्रवाहकीय पदार्थ अकार्बनिक हैं, विशेष रूप से धातु जैसे कि तांबे और एल्यूमीनियम के साथ -साथ कई मिश्र धातुएं।<ref>{{cite web |title=Electrical Conductivity – History |url=http://science.jrank.org/pages/2321/Electrical-Conductivity-History.html |publisher=Net Industries and its LicensorsNet Industries and its Licensors}}</ref>
पारंपरिक प्रवाहकीय पदार्थ अकार्बनिक हैं, विशेष रूप से धातु जैसे कि तांबे और एल्यूमीनियम के साथ -साथ कई मिश्र धातुएं भी।<ref>{{cite web |title=Electrical Conductivity – History |url=http://science.jrank.org/pages/2321/Electrical-Conductivity-History.html |publisher=Net Industries and its LicensorsNet Industries and its Licensors}}</ref>


1862 में हेनरी लेथबी ने पॉलीनिलिन का वर्णन किया, जिसे बाद में विद्युत प्रवाहकीय दिखाया गया। 1960 के शुरुवात में अन्य बहुलक जैविक पदार्थों  पर काम शुरू हुआ। उदाहरण के लिए, 1963 में, टेट्रियोडोपिरोल के व्युत्पन्न को 1 एस/सेमी (एस = सीमेंस) की चालकता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया था।<ref>{{cite journal |title=Electronic Conduction in Polymers. I. The Chemical Structure of Polypyrrole |first1=R. |last1=McNeill |first2=R. |last2=Siudak |first3=J. H. |last3=Wardlaw |first4=D. E. |last4=Weiss |journal=[[Australian Journal of Chemistry|Aust. J. Chem.]] |year=1963 |volume=16 |issue=6 |pages=1056–1075 |doi=10.1071/CH9631056}}</ref> 1977 में, यह पता चला कि ऑक्सीकरण ने पॉलीसिटिलीन की चालकता को बढ़ाता है। रसायन विज्ञान में 2000 का नोबेल पुरस्कार एलन जे हेगर, एलन जी मैकडर्मिड और हिदेकी शिरकावा को संयुक्त रूप से पॉलीसेटिलीन और संबंधित प्रवाहकीय पॉलिमर पर उनके काम के लिए प्रदान किया गया था।<ref>{{cite web |title=The Nobel Prize in Chemistry 2000 |url=https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/chemistry/laureates/2000/ |publisher=Nobelprize.org. Nobel Media}}</ref> विद्युत रूप से आयोजित करने वाले पॉलिमर के कई परिवारों की पहचान की गई है जैसे पॉलीथियोफीन, पॉलीफेनिलीन सल्फाइड और अन्य ।
1862 में हेनरी लेथबी ने पॉलीनिलिन का वर्णन किया, जिसे बाद में विद्युत प्रवाहकीय दिखाया गया। 1960 के शुरुवात में अन्य बहुलक कार्बनिक पदार्थों  पर काम शुरू हुआ। उदाहरण के लिए, 1963 में, टेट्रियोडोपिरोल के व्युत्पन्न को 1 एस/सेमी (एस = सीमेंस; S = Siemens) की चालकता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया था।<ref>{{cite journal |title=Electronic Conduction in Polymers. I. The Chemical Structure of Polypyrrole |first1=R. |last1=McNeill |first2=R. |last2=Siudak |first3=J. H. |last3=Wardlaw |first4=D. E. |last4=Weiss |journal=[[Australian Journal of Chemistry|Aust. J. Chem.]] |year=1963 |volume=16 |issue=6 |pages=1056–1075 |doi=10.1071/CH9631056}}</ref> 1977 में, यह पता चला कि ऑक्सीकरण पॉलीसिटिलीन की चालकता को बढ़ाता है। रसायन विज्ञान में 2000 का नोबेल पुरस्कार एलन जे हेगर, एलन जी मैकडर्मिड और हिदेकी शिरकावा को संयुक्त रूप से पॉलीसेटिलीन और संबंधित प्रवाहकीय पॉलिमर पर उनके काम के लिए प्रदान किया गया था।<ref>{{cite web |title=The Nobel Prize in Chemistry 2000 |url=https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/chemistry/laureates/2000/ |publisher=Nobelprize.org. Nobel Media}}</ref> विद्युत रूप से आयोजित करने वाले पॉलिमर के कई परिवारों की पहचान की गई है जैसे पॉलीथियोफीन, पॉलीफेनिलीन सल्फाइड और अन्य ।


सबसे पहले जे.ई. लिलिनफेल्ड<ref name="patent">{{Cite patent|country=CA|number=272437|title= Electric current control mechanism|pubdate=1927-07-19|inventor1-last=Lilienfeld|inventor1-first=Julius Edgar}}</ref> ने 1930 में, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर का प्रस्ताव किया था, लेकिन पहली बार 1987 में, ओएफईटी की रिपोर्ट की गई थी, जब कोज़ुका एट अल ने पॉलीथियोफीन का उपयोग करके <ref name="Koezuka1988">{{cite journal |title=Field-effect transistor with polythiophene thin film |journal=Synthetic Metals |volume=18 |issue=1–3 |year=1987 |pages=699–704 |doi=10.1016/0379-6779(87)90964-7 |last1=Koezuka |first1=H. |last2=Tsumura |first2=A. |last3=Ando |first3=T.}}</ref> अत्यधिक उच्च चालकता प्रदर्शित की ।अन्य प्रवाहकीय पॉलिमर को अर्धचालक के रूप में कार्य करने के लिए दिखाया गया है, और नए संश्लेषित और विशेषता यौगिकों को प्रमुख शोध पत्रिकाओं में साप्ताहिक रूप से सूचित किया जाता है। कई समीक्षा लेख इन पदार्थों के विकास का दस्तावेज करते हैं।<ref name="sc">{{cite journal |type=free download |journal=Sci. Technol. Adv. Mater. |volume=10 |year=2009 |page=024314 |doi=10.1088/1468-6996/10/2/024314 |pmid=27877287 |title=Organic field-effect transistors using single crystals |bibcode=2009STAdM..10b4314H |issue=2 |last1=Hasegawa |first1=Tatsuo |last2=Takeya |first2=Jun|pmc=5090444 }}</ref><ref name="pc">{{cite journal |type=free download |journal=Sci. Technol. Adv. Mater. |volume=10 |year=2009 |page=024313 |doi=10.1088/1468-6996/10/2/024313 |pmid=27877286 |title=Organic semiconductors for organic field-effect transistors |bibcode=2009STAdM..10b4313Y |issue=2 |last1=Yamashita |first1=Yoshiro|pmc=5090443 }}</ref><ref>{{cite journal |journal=Adv. Mater. |volume=14 |year=2002 |page=99 |doi=10.1002/1521-4095(20020116)14:2<99::AID-ADMA99>3.0.CO;2-9 |title=Organic Thin Film Transistors for Large Area Electronics |url=https://www.researchgate.net/publication/233927802 |issue=2 |last1=Dimitrakopoulos |first1=C.D. |last2=Malenfant |first2=P.R.L.}}</ref><ref>{{cite journal |journal=Mater. Today |volume=7 |year=2004 |page=20 |doi=10.1016/S1369-7021(04)00398-0 |title=Organic thin film transistors |issue=9 |last1=Reese |first1=Colin |last2=Roberts |first2=Mark |last3=Ling |first3=Mang-Mang |last4=Bao |first4=Zhenan|doi-access=free }}</ref><ref name="hk">{{cite journal |journal=Chem. Soc. Rev. |volume=39 |year=2010 |doi=10.1039/B909902F |pmid=20396828 |title=Organic thin-film transistors |last1=Klauk |first1=Hagen |issue=7|pages=2643–66 }}</ref>
सबसे पहले जे.ई. लिलिनफेल्ड<ref name="patent">{{Cite patent|country=CA|number=272437|title= Electric current control mechanism|pubdate=1927-07-19|inventor1-last=Lilienfeld|inventor1-first=Julius Edgar}}</ref> ने 1930 में, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर का प्रस्ताव किया था, लेकिन पहली बार 1987 में, ओएफईटी (OFET) की रिपोर्ट की गई थी, जब कोज़ुका एट अल ने पॉलीथियोफीन का उपयोग करके <ref name="Koezuka1988">{{cite journal |title=Field-effect transistor with polythiophene thin film |journal=Synthetic Metals |volume=18 |issue=1–3 |year=1987 |pages=699–704 |doi=10.1016/0379-6779(87)90964-7 |last1=Koezuka |first1=H. |last2=Tsumura |first2=A. |last3=Ando |first3=T.}}</ref> अत्यधिक उच्च चालकता प्रदर्शित की ।अन्य प्रवाहकीय पॉलिमर को अर्धचालक के रूप में कार्य करने के लिए दिखाया गया है, और नए संश्लेषित और विशेषता यौगिकों को प्रमुख शोध पत्रिकाओं में साप्ताहिक रूप से सूचित किया जाता है। कई समीक्षा लेख इन पदार्थों के विकास का दस्तावेज करते हैं।<ref name="sc">{{cite journal |type=free download |journal=Sci. Technol. Adv. Mater. |volume=10 |year=2009 |page=024314 |doi=10.1088/1468-6996/10/2/024314 |pmid=27877287 |title=Organic field-effect transistors using single crystals |bibcode=2009STAdM..10b4314H |issue=2 |last1=Hasegawa |first1=Tatsuo |last2=Takeya |first2=Jun|pmc=5090444 }}</ref><ref name="pc">{{cite journal |type=free download |journal=Sci. Technol. Adv. Mater. |volume=10 |year=2009 |page=024313 |doi=10.1088/1468-6996/10/2/024313 |pmid=27877286 |title=Organic semiconductors for organic field-effect transistors |bibcode=2009STAdM..10b4313Y |issue=2 |last1=Yamashita |first1=Yoshiro|pmc=5090443 }}</ref><ref>{{cite journal |journal=Adv. Mater. |volume=14 |year=2002 |page=99 |doi=10.1002/1521-4095(20020116)14:2<99::AID-ADMA99>3.0.CO;2-9 |title=Organic Thin Film Transistors for Large Area Electronics |url=https://www.researchgate.net/publication/233927802 |issue=2 |last1=Dimitrakopoulos |first1=C.D. |last2=Malenfant |first2=P.R.L.}}</ref><ref>{{cite journal |journal=Mater. Today |volume=7 |year=2004 |page=20 |doi=10.1016/S1369-7021(04)00398-0 |title=Organic thin film transistors |issue=9 |last1=Reese |first1=Colin |last2=Roberts |first2=Mark |last3=Ling |first3=Mang-Mang |last4=Bao |first4=Zhenan|doi-access=free }}</ref><ref name="hk">{{cite journal |journal=Chem. Soc. Rev. |volume=39 |year=2010 |doi=10.1039/B909902F |pmid=20396828 |title=Organic thin-film transistors |last1=Klauk |first1=Hagen |issue=7|pages=2643–66 }}</ref>


1987 में, पहले कार्बनिक डायोड को ईस्टमैन कोडक में चिंग डब्ल्यू तांग और स्टीवन वैन स्लीके द्वारा निर्मित किया गया था।<ref>{{Cite journal |doi=10.1557/mrs.2012.125 |title=Energy efficiency with organic electronics: Ching W. Tang revisits his days at Kodak |journal=MRS Bulletin |volume=37 |issue=6 |pages=552–553 |year=2012 |last1=Forrest |first1=S. |bibcode=2012MRSBu..37..552F |url=http://www.mrs.org/06-2012-interview/|doi-access=free }}</ref>
1987 में, पहले कार्बनिक डायोड को ईस्टमैन कोडक में चिंग डब्ल्यू तांग और स्टीवन वैन स्लीके द्वारा निर्मित किया गया था।<ref>{{Cite journal |doi=10.1557/mrs.2012.125 |title=Energy efficiency with organic electronics: Ching W. Tang revisits his days at Kodak |journal=MRS Bulletin |volume=37 |issue=6 |pages=552–553 |year=2012 |last1=Forrest |first1=S. |bibcode=2012MRSBu..37..552F |url=http://www.mrs.org/06-2012-interview/|doi-access=free }}</ref>
; विद्युत प्रवाहकीय चार्ज ट्रांसफर लवण
; विद्युत प्रवाहकीय चार्ज ट्रांसफर लवण
1950 के दशक में, कार्बनिक अणुओं को विद्युत चालकता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया था। विशेष रूप से, कार्बनिक यौगिक पाइरेन को हॉलोजेन के साथ अर्धचालक चार्ज-ट्रांसफर जटिल लवण बनाने के लिए दिखाया गया था।<ref>{{Cite journal |last=Mulliken |first=Robert S. |date=January 1950 |title=Structures of Complexes Formed by Halogen Molecules with Aromatic and with Oxygenated Solvents 1 |url=https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja01157a151 |journal=Journal of the American Chemical Society |language=en |volume=72 |issue=1 |pages=600–608 |doi=10.1021/ja01157a151 |issn=0002-7863}}</ref> 1972 में, शोधकर्ताओं ने चार्ज-ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स टीटीएफ-टीसीएनक्यू में धातु चालकता (धातु की तुलना में चालकता) पाया।
1950 के दशक में, कार्बनिक अणुओं को विद्युत चालकता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया था। विशेष रूप से, कार्बनिक यौगिक पाइरेन को हॉलोजेन के साथ अर्धचालक चार्ज-ट्रांसफर जटिल लवण बनाने के लिए दिखाया गया था।<ref>{{Cite journal |last=Mulliken |first=Robert S. |date=January 1950 |title=Structures of Complexes Formed by Halogen Molecules with Aromatic and with Oxygenated Solvents 1 |url=https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja01157a151 |journal=Journal of the American Chemical Society |language=en |volume=72 |issue=1 |pages=600–608 |doi=10.1021/ja01157a151 |issn=0002-7863}}</ref> 1972 में, शोधकर्ताओं ने चार्ज-ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स टीटीएफ-टीसीएनक्यू (TTF-TCNQ) में धातु चालकता (धातु की तुलना में चालकता) पाया।


; प्रकाश और विद्युत चालकता
; प्रकाश और विद्युत चालकता
आंद्रे बर्नानोज<ref>{{cite journal |author=Bernanose, A. |author2=Comte, M. |author3=Vouaux, P. |journal=J. Chim. Phys. |year=1953 |volume=50 |pages=64–68 |title=A new method of light emission by certain organic compounds|doi=10.1051/jcp/1953500064 }}</ref><ref>{{cite journal |author=Bernanose, A. |author2=Vouaux, P. |journal=J. Chim. Phys. |year=1953 |volume=50 |pages=261–263 |title=Organic electroluminescence type of emission|doi=10.1051/jcp/1953500261 }}</ref> कार्बनिक पदार्थों में इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस का निरीक्षण करने वाला पहला व्यक्ति था। चिंग डब्ल्यू, तांग और स्टीवन वैन स्लीके<ref name=ApplPhy87/>ने 1987 में पहली बार व्यावहारिक ओएलइडी  डिवाइस के निर्माण की सूचना दी| ओएलइडी डिवाइस में कॉपर फ़ेथलोसायनिन से बना डबल-लेयर स्ट्रक्चर मोटिफ शामिल है और पेरीलेनेटेट्राकारबॉक्सिलिक डायनहाइड्राइड का व्युत्पन्न है।<ref>{{cite journal |doi=10.1515/nanoph-2020-0322|doi-access=free|title=Waiting for Act 2: What lies beyond organic light-emitting diode (OLED) displays for organic electronics? |year=2020 |last1=Forrest |first1=Stephen R. |journal=Nanophotonics |volume=10 |issue=1 |pages=31–40 |bibcode=2020Nanop..10..322F }}</ref>
आंद्रे बर्नानोज,<ref>{{cite journal |author=Bernanose, A. |author2=Comte, M. |author3=Vouaux, P. |journal=J. Chim. Phys. |year=1953 |volume=50 |pages=64–68 |title=A new method of light emission by certain organic compounds|doi=10.1051/jcp/1953500064 }}</ref><ref>{{cite journal |author=Bernanose, A. |author2=Vouaux, P. |journal=J. Chim. Phys. |year=1953 |volume=50 |pages=261–263 |title=Organic electroluminescence type of emission|doi=10.1051/jcp/1953500261 }}</ref> कार्बनिक पदार्थों में इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस का निरीक्षण करने वाला पहला व्यक्ति था। चिंग डब्ल्यू, तांग और स्टीवन वैन स्लीके<ref name=ApplPhy87/>ने 1987 में पहली बार व्यावहारिक ओएलइडी  डिवाइस के निर्माण की सूचना दी| ओएलइडी डिवाइस में कॉपर फ़ेथलोसायनिन से बना डबल-लेयर स्ट्रक्चर मोटिफ शामिल है और पेरीलेनेटेट्राकारबॉक्सिलिक डायनहाइड्राइड का व्युत्पन्न है।<ref>{{cite journal |doi=10.1515/nanoph-2020-0322|doi-access=free|title=Waiting for Act 2: What lies beyond organic light-emitting diode (OLED) displays for organic electronics? |year=2020 |last1=Forrest |first1=Stephen R. |journal=Nanophotonics |volume=10 |issue=1 |pages=31–40 |bibcode=2020Nanop..10..322F }}</ref>


1990 में ब्रैडली और बरोज़ मित्रों द्वारा बहुलक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (पॉलीमर लाइट एमिटिंग डिओडेस) प्रदर्शित किया गया। आणविक से वृहद् आणविक पदार्थों के लिए आगे बढ़ने से जैविक फिल्मों की दीर्घकालिक स्थिरता पुरानी समस्या को हल किया गया और उच्च गुणवत्ता वाली फिल्मों को आसानी से बनाने में सक्षम बनाया गया।<ref>{{cite journal |journal=Nature |volume=347 |issue=6293 |pages=539–541 |doi=10.1038/347539a0 |date=1990 |url=http://www.nature.com/physics/looking-back/burroughes/index.html |title=Light-emitting diodes based on conjugated polymers|bibcode=1990Natur.347..539B |last1=Burroughes |first1=J. H. |last2=Bradley |first2=D. D. C. |last3=Brown |first3=A. R. |last4=Marks |first4=R. N. |last5=MacKay |first5=K. |last6=Friend |first6=R. H. |last7=Burns |first7=P. L. |last8=Holmes |first8=A. B. |s2cid=43158308 }}</ref> 1990 के दशक के उत्तरार्ध में, अत्यधिक कुशल इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट डोपेंट्स को नाटकीय रूप से OLEDS की प्रकाश उत्सर्जक दक्षता में वृद्धि करने के लिए दिखाया गया था<ref>{{cite journal |doi=10.1038/25954|title=Highly efficient phosphorescent emission from organic electroluminescent devices |year=1998 |last1=Baldo |first1=M. A. |last2=O'Brien |first2=D. F. |last3=You |first3=Y. |last4=Shoustikov |first4=A. |last5=Sibley |first5=S. |last6=Thompson |first6=M. E. |last7=Forrest |first7=S. R. |journal=Nature |volume=395 |issue=6698 |pages=151–154 |bibcode=1998Natur.395..151B |s2cid=4393960 }}</ref> इन परिणामों ने सुझाव दिया कि इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट सामग्री पारंपरिक गर्म-फिलामेंट प्रकाश व्यवस्था को विस्थापित कर सकती है।बाद के शोध ने बहुपरत पॉलिमर विकसित किए और प्लास्टिक इलेक्ट्रॉनिक्स और ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड (OLED) अनुसंधान और डिवाइस उत्पादन के नए क्षेत्र में तेजी से वृद्धि हुई।<ref>{{cite book |author1=National Research Council |title=The Flexible Electronics Opportunity |date=2015 |publisher=The National Academies Press |isbn=978-0-309-30591-4 |pages=105–6 |url=http://www.nap.edu/read/18812/chapter/7}}</ref>
1990 में ब्रैडली और बरोज़ मित्रों द्वारा बहुलक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (पॉलीमर लाइट एमिटिंग डायोड) प्रदर्शित किया गया। आणविक से वृहद् आणविक पदार्थों के लिए आगे बढ़ने से कार्बनिक फिल्मों की दीर्घकालिक स्थिरता पुरानी समस्या को हल किया गया और उच्च गुणवत्ता वाली फिल्मों को आसानी से बनाने में सक्षम बनाया गया।<ref>{{cite journal |journal=Nature |volume=347 |issue=6293 |pages=539–541 |doi=10.1038/347539a0 |date=1990 |url=http://www.nature.com/physics/looking-back/burroughes/index.html |title=Light-emitting diodes based on conjugated polymers|bibcode=1990Natur.347..539B |last1=Burroughes |first1=J. H. |last2=Bradley |first2=D. D. C. |last3=Brown |first3=A. R. |last4=Marks |first4=R. N. |last5=MacKay |first5=K. |last6=Friend |first6=R. H. |last7=Burns |first7=P. L. |last8=Holmes |first8=A. B. |s2cid=43158308 }}</ref> 1990 के दशक के उत्तरार्ध में, अत्यधिक कुशल इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट डोपेंट्स को नाटकीय रूप से ओएलइडी की प्रकाश उत्सर्जक दक्षता में वृद्धि करने के लिए दिखाया गया| <ref>{{cite journal |doi=10.1038/25954|title=Highly efficient phosphorescent emission from organic electroluminescent devices |year=1998 |last1=Baldo |first1=M. A. |last2=O'Brien |first2=D. F. |last3=You |first3=Y. |last4=Shoustikov |first4=A. |last5=Sibley |first5=S. |last6=Thompson |first6=M. E. |last7=Forrest |first7=S. R. |journal=Nature |volume=395 |issue=6698 |pages=151–154 |bibcode=1998Natur.395..151B |s2cid=4393960 }}</ref> इन परिणामों ने सुझाया कि इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट पदार्थ पारंपरिक हॉट-फिलामेंट प्रकाश व्यवस्था की जगह ले सकती है। बाद के शोध ने बहुपरत पॉलिमर विकसित किए और प्लास्टिक इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड (ओएलइडी) अनुसंधान और डिवाइस उत्पादन के नए क्षेत्र में तेजी से वृद्धि हुई।<ref>{{cite book |author1=National Research Council |title=The Flexible Electronics Opportunity |date=2015 |publisher=The National Academies Press |isbn=978-0-309-30591-4 |pages=105–6 |url=http://www.nap.edu/read/18812/chapter/7}}</ref>


== प्रवाहकीय कार्बनिक पदार्थ ==
== प्रवाहकीय कार्बनिक पदार्थ ==
[[File:SegStackEdgeOnHMTFCQ.jpg|thumb|left|हेक्सामेथिलनेटफ-टीसीएनक्यू चार्ज ट्रांसफर नमक के क्रिस्टल संरचना के हिस्से के किनारे-पर दृश्य, अलग-अलग स्टैकिंग को उजागर करते हुए।इस तरह के आणविक अर्धचालक अनीसोट्रोपिक विद्युत चालकता को प्रदर्शित करते हैं।<ref>{{cite journal|author1=D. Chasseau|author2=G. Comberton|author3=J. Gaultier|author4=C. Hauw|journal=Acta Crystallographica Section B|title=Réexamen de la structure du complexe hexaméthylène-tétrathiafulvalène-tétracyanoquinodiméthane|year=1978| volume=34|issue=2|page=689|doi=10.1107/S0567740878003830|doi-access=free}}</ref>]]
[[File:SegStackEdgeOnHMTFCQ.jpg|thumb|left|हेक्सामेथिलनेटफ-टीसीएनक्यू चार्ज ट्रांसफर नमक के क्रिस्टल संरचना के हिस्से के किनारे-पर दृश्य, अलग-अलग स्टैकिंग को उजागर करते हुए।इस तरह के आणविक अर्धचालक अनीसोट्रोपिक विद्युत चालकता को प्रदर्शित करते हैं।<ref>{{cite journal|author1=D. Chasseau|author2=G. Comberton|author3=J. Gaultier|author4=C. Hauw|journal=Acta Crystallographica Section B|title=Réexamen de la structure du complexe hexaméthylène-tétrathiafulvalène-tétracyanoquinodiméthane|year=1978| volume=34|issue=2|page=689|doi=10.1107/S0567740878003830|doi-access=free}}</ref>]]
कार्बनिक प्रवाहकीय सामग्रियों को दो मुख्य वर्गों में वर्गीकृत किया जा सकता है: पॉलिमर और प्रवाहकीय आणविक ठोस और लवण।पॉलीसाइक्लिक एरोमैटिक यौगिक जैसे कि पेंटासीन और रूब्रेन अक्सर आंशिक रूप से ऑक्सीकृत होने पर अर्धचालक सामग्री बनाते हैं।
कार्बनिक प्रवाहकीय पदार्थों को दो मुख्य वर्गों में वर्गीकृत किया जा सकता है: पॉलिमर और प्रवाहकीय आणविक ठोस और लवण। पॉलीसाइक्लिक एरोमैटिक यौगिक जैसे कि पेंटासीन और रूब्रेन अक्सर आंशिक रूप से ऑक्सीकृत होने पर अर्धचालक पदार्थ बनाते हैं।


प्रवाहकीय पॉलिमर अक्सर आमतौर पर आंतरिक रूप से प्रवाहकीय या कम से कम अर्धचालक होते हैं।वे कभी -कभी पारंपरिक कार्बनिक पॉलिमर के बराबर यांत्रिक गुण दिखाते हैं।दोनों कार्बनिक संश्लेषण और उन्नत फैलाव तकनीकों का उपयोग ठेठ अकार्बनिक कंडक्टरों के विपरीत, प्रवाहकीय पॉलिमर के विद्युत गुणों को ट्यून करने के लिए किया जा सकता है।प्रवाहकीय पॉलिमर के अच्छी तरह से अध्ययन किए गए वर्ग में पॉलीसिटिलीन, पॉलीपिरोल, पॉलीथियोफेनीस और पॉलीनिलिन शामिल हैं।पाली (पी-फेनिलीन विनाइलीन) और इसके डेरिवेटिव इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट अर्धचालक पॉलिमर हैं।पॉली (3-एल्किथियोफेनेस) को सौर कोशिकाओं और ट्रांजिस्टर के प्रोटोटाइप में शामिल किया गया है।
प्रवाहकीय पॉलिमर अक्सर आमतौर पर आंतरिक रूप से प्रवाहकीय या कम से कम अर्धचालक होते हैं। वे कभी-कभी पारंपरिक कार्बनिक पॉलिमर के बराबर यांत्रिक गुण दिखाते हैं। दोनों कार्बनिक संश्लेषण और उन्नत डिस्पेरशन तकनीकों का उपयोग आदर्श अकार्बनिक कंडक्टरों के विपरीत, प्रवाहकीय पॉलिमर के विद्युत गुणों को अनुकूल  करने के लिए किया जा सकता है। प्रवाहकीय पॉलिमर के अच्छी तरह से अध्ययन किए गए वर्ग में पॉलीसिटिलीन, पॉलीपिरोल, पॉलीथियोफेनीस और पॉलीनिलिन शामिल हैं। पाली (पी-फेनिलीन विनाइलीन) और इसके डेरिवेटिव इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट अर्धचालक पॉलिमर हैं। पॉली (3-एल्किथियोफेनेस) को सौर कोशिकाओं और ट्रांजिस्टर के प्रोटोटाइप में शामिल किया गया है।


== कार्बनिक प्रकाश-उत्सर्जक डायोड ==
== कार्बनिक प्रकाश-उत्सर्जक डायोड ==
{{Main|Organic Light Emitting Diode|AMOLED}}
{{Main|Organic Light Emitting Diode|AMOLED}}
एक OLED (ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड) में कार्बनिक सामग्री की एक पतली फिल्म होती है जो एक विद्युत प्रवाह द्वारा उत्तेजना के तहत प्रकाश का उत्सर्जन करती है।एक विशिष्ट OLED में एनोड, एक कैथोड, ओएलईडी कार्बनिक सामग्री और एक प्रवाहकीय परत शामिल है।<ref>{{cite book|title=OLED Fundamentals: Materials, Devices, and Processing of Organic Light-Emitting Diodes|edition= 1|editor=Daniel J. Gaspar, Evgueni Polikarpov|year=2015|publisher=CRC Press|isbn=978-1466515185}}</ref>
ओएलइडी (ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड) में कार्बनिक सामग्री की पतली फिल्म होती है जो विद्युत प्रवाह द्वारा उत्तेजना के तहत प्रकाश का उत्सर्जन करती है। विशिष्ट ओएलइडी में एनोड, कैथोड, ओएलईडी कार्बनिक सामग्री और प्रवाहकीय परत शामिल है।<ref>{{cite book|title=OLED Fundamentals: Materials, Devices, and Processing of Organic Light-Emitting Diodes|edition= 1|editor=Daniel J. Gaspar, Evgueni Polikarpov|year=2015|publisher=CRC Press|isbn=978-1466515185}}</ref>
[[File:Br6Acrystal.png|thumb|BR6A, एक अगली पीढ़ी का शुद्ध कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक क्रिस्टल परिवार]]
[[File:Br6Acrystal.png|thumb|BR6A, एक अगली पीढ़ी का शुद्ध कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक क्रिस्टल परिवार]]
[[File:Bilayer-OLED.png|thumb|एक बिलीयर OLED का योजनाबद्ध: 1. कैथोड ( -), 2. उत्सर्जन परत, 3. विकिरण का उत्सर्जन, 4. प्रवाहकीय परत, 5. एनोड (+)]]
[[File:Bilayer-OLED.png|thumb|बिलीयर ओएलइडी का योजनाबद्ध: 1. कैथोड ( -), 2. उत्सर्जन परत, 3. विकिरण का उत्सर्जन, 4. प्रवाहकीय परत, 5. एनोड (+)]]
OLED कार्बनिक पदार्थों को दो प्रमुख परिवारों में विभाजित किया जा सकता है: छोटे-अणु-आधारित और बहुलक-आधारित।छोटे अणु OLEDS (SM-OLEDS) में TRIS (8-hydroxyquinolinato) एल्यूमीनियम शामिल हैं<ref name=ApplPhy87>{{cite journal |doi=10.1063/1.98799 |title=Organic electroluminescent diodes |year=1987 |last1=Tang |first1=C. W. |last2=Vanslyke |first2=S. A. |journal=Applied Physics Letters |volume=51 |page=913 |issue=12 |bibcode=1987ApPhL..51..913T}}</ref> फ्लोरोसेंट और फॉस्फोरसेंट रंजक, और संयुग्मित डेंड्रिमर्स।फ्लोरोसेंट रंजक को उत्सर्जन तरंग दैर्ध्य की वांछित सीमा के अनुसार चुना जा सकता है;पेरिलीन और रूब्रेन जैसे यौगिकों का अक्सर उपयोग किया जाता है।छोटे अणुओं पर आधारित उपकरण आमतौर पर वैक्यूम के तहत थर्मल वाष्पीकरण द्वारा निर्मित होते हैं।जबकि यह विधि अच्छी तरह से नियंत्रित सजातीय फिल्म के गठन को सक्षम करती है;उच्च लागत और सीमित स्केलेबिलिटी से बाधित है।<ref>{{cite journal |doi=10.1063/1.1317547 |title=Role of CsF on electron injection into a conjugated polymer |year=2000 |last1=Piromreun |first1=Pongpun |last2=Oh |first2=Hwansool |last3=Shen |first3=Yulong |last4=Malliaras |first4=George G. |last5=Scott |first5=J. Campbell |last6=Brock |first6=Phil J. |journal=Applied Physics Letters |volume=77 |page=2403 |issue=15 |bibcode=2000ApPhL..77.2403P}}</ref>
ओएलईडी कार्बनिक पदार्थों को दो प्रमुख परिवारों में विभाजित किया जा सकता है: छोटे-अणु-आधारित और बहुलक-आधारित। छोटे अणु ओएलईडी (इसएम्-ओएलईडी) में ट्रिस (8-हीड्रोसीक्विनोलिनातो) एल्यूमीनियम <ref name=ApplPhy87>{{cite journal |doi=10.1063/1.98799 |title=Organic electroluminescent diodes |year=1987 |last1=Tang |first1=C. W. |last2=Vanslyke |first2=S. A. |journal=Applied Physics Letters |volume=51 |page=913 |issue=12 |bibcode=1987ApPhL..51..913T}}</ref> फ्लोरोसेंट, फॉस्फोरसेंट रंजक और संयुग्मित डेंड्रिमर्स शामिल हैं। फ्लोरोसेंट रंजक को उत्सर्जन तरंग दैर्ध्य की वांछित सीमा के अनुसार चुना जा सकता है; पेरिलीन और रूब्रेन जैसे यौगिकों का अक्सर उपयोग किया जाता है।छोटे अणुओं पर आधारित उपकरण आमतौर पर वैक्यूम के तहत थर्मल वाष्पीकरण द्वारा निर्मित होते हैं। जबकि यह विधि सुनियंत्रित सजातीय फिल्म के निर्माण को सक्षम करती है लेकिन उच्च लागत और सीमित स्केलेबिलिटी से बाधित है।<ref>{{cite journal |doi=10.1063/1.1317547 |title=Role of CsF on electron injection into a conjugated polymer |year=2000 |last1=Piromreun |first1=Pongpun |last2=Oh |first2=Hwansool |last3=Shen |first3=Yulong |last4=Malliaras |first4=George G. |last5=Scott |first5=J. Campbell |last6=Brock |first6=Phil J. |journal=Applied Physics Letters |volume=77 |page=2403 |issue=15 |bibcode=2000ApPhL..77.2403P}}</ref>
<ref>{{cite journal |last=Holmes |first=Russell |author2=Erickson, N. |title=Highly efficient, single-layer organic light-emitting devices based on a graded-composition emissive layer |journal=Applied Physics Letters |date=27 August 2010 |volume=97 |issue=1 |page=083308 |bibcode=2010ApPhL..97a3308S |doi=10.1063/1.3460285 |last3=Lüssem |first3=Björn |last4=Leo |first4=Karl}}</ref> पॉलिमर लाइट-एमिटिंग डायोड (PLED) आमतौर पर SM-OLEDS की तुलना में अधिक कुशल होते हैं।प्लेड्स में उपयोग किए जाने वाले सामान्य पॉलिमर में पॉली के डेरिवेटिव (पी-फेनिलीन विनिलीन) शामिल हैं<ref name="Polyphenylene vinylene"/> और पॉलीफ्लुओरेन।बहुलक की संरचना द्वारा उत्सर्जित रंग।थर्मल वाष्पीकरण की तुलना में, समाधान-आधारित तरीके बड़े आयामों वाली फिल्मों को बनाने के लिए अधिक अनुकूल हैं।
<ref>{{cite journal |last=Holmes |first=Russell |author2=Erickson, N. |title=Highly efficient, single-layer organic light-emitting devices based on a graded-composition emissive layer |journal=Applied Physics Letters |date=27 August 2010 |volume=97 |issue=1 |page=083308 |bibcode=2010ApPhL..97a3308S |doi=10.1063/1.3460285 |last3=Lüssem |first3=Björn |last4=Leo |first4=Karl}}</ref> पॉलिमर लाइट-एमिटिंग डायोड (पीएलइडी) आमतौर पर इसएम्-ओएलईडी की तुलना में अधिक कुशल होते हैं। पीएलइडी में उपयोग किए जाने वाले सामान्य पॉलिमर में पॉली(पी-फेनिलीन विनिलीन) के डेरिवेटिव और पॉलीफ्लुओरेन शामिल हैं<ref name="Polyphenylene vinylene"/> । बहुलक की संरचना द्वारा उत्सर्जित रंग। थर्मल वाष्पीकरण की तुलना में समाधान-आधारित तरीके, बड़े आयामों वाली फिल्मों को बनाने के लिए अधिक अनुकूल हैं।


== कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर ==
== कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर ==
{{Main|Organic Field-Effect Transistor}}
{{Main|Organic Field-Effect Transistor}}
[[File:Rubrene.svg|thumb|उच्चतम चार्ज गतिशीलता के साथ रूब्रेन-ऑफ]]
[[File:Rubrene.svg|thumb|उच्चतम चार्ज गतिशीलता के साथ रूब्रेन-ऑफ]]
एक कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जो कार्बनिक अणुओं या पॉलिमर का उपयोग सक्रिय अर्धचालक परत के रूप में करता है।एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) कोई भी अर्धचालक सामग्री है जो एक प्रकार के चार्ज वाहक के एक चैनल के आकार को नियंत्रित करने के लिए विद्युत क्षेत्र का उपयोग करता है, जिससे इसकी चालकता बदल जाती है।एफईटी के दो प्रमुख वर्ग एन-टाइप और पी-प्रकार सेमीकंडक्टर हैं, जिन्हें चार्ज प्रकार के अनुसार वर्गीकृत किया गया है।कार्बनिक FETs (Ofets) के मामले में, पी-टाइप टायट यौगिक आमतौर पर ऑक्सीडेटिव क्षति के लिए बाद की संवेदनशीलता के कारण एन-प्रकार की तुलना में अधिक स्थिर होते हैं।
कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जो कार्बनिक अणुओं या पॉलिमर का उपयोग सक्रिय अर्धचालक परत के रूप में करता है। क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) एक अर्धचालक पदार्थ है जो एक प्रकार के चार्ज वाहक के चैनल के आकार को नियंत्रित करने के लिए विद्युत क्षेत्र का उपयोग करता है, जिससे इसकी चालकता बदल जाती है। एफईटी के दो प्रमुख वर्ग एन-टाइप और पी-प्रकार सेमीकंडक्टर हैं, जिन्हें चार्ज प्रकार के अनुसार वर्गीकृत किया गया है। कार्बनिक एफईटी(ओएफईटी) में, पी-टाइप ओएफईटी यौगिक आमतौर पर ऑक्सीडेटिव क्षति के लिए बाद की संवेदनशीलता के कारण एन-टाइप की तुलना में अधिक स्थिर होते हैं।


OLEDS के लिए, कुछ वर्ष आणविक हैं और कुछ बहुलक-आधारित प्रणाली हैं।रूब्रेन-आधारित OFETS 20-40 & nbsp की उच्च वाहक गतिशीलता दिखाती है<sup>2</sup>/(V · s)।एक और लोकप्रिय OFET सामग्री Pentacene है।अधिकांश कार्बनिक सॉल्वैंट्स में इसकी कम घुलनशीलता के कारण, पारंपरिक स्पिन-कास्ट या डुबकी कोटिंग विधियों का उपयोग करके पेंटासीन से पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (पतली-फिल्म ट्रांजिस्टर | TFTs) को गढ़ना मुश्किल है, लेकिन इस बाधा को व्युत्पन्न युक्तियों का उपयोग करके दूर किया जा सकता है।-पेंटेसिन।
ओएलईडी के लिए, कुछ ओएफईटी आणविक हैं और कुछ बहुलक-आधारित प्रणाली हैं। रूब्रेन-आधारित ओएफईटी 20-40 cm<sup>2</sup>/(V·s) की उच्च वाहक गतिशीलता दिखाती है। एक और लोकप्रिय ओएफईटी पदार्थ पेंटासीन है। अधिकांश कार्बनिक सॉल्वैंट्स में इसकी कम घुलनशीलता के कारण, पारंपरिक स्पिन-कास्ट या डिप- कोटिंग विधियों का उपयोग करके केवल पेंटासीन से पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (टीऍफ़टी) को बनाना मुश्किल है, लेकिन इस बाधा को टीआईपीइस-पेंटासीन व्युत्पन्न का उपयोग करके दूर किया जा सकता है।


== कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण ==
== कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण ==
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[[File:Flexible display.jpg|thumb|ऑर्गेनिक्स आधारित लचीला प्रदर्शन]]
[[File:Flexible display.jpg|thumb|ऑर्गेनिक्स आधारित लचीला प्रदर्शन]]
[[File:Organic photovoltaic material.pdf|thumb | कार्बनिक फोटोवोल्टिक सामग्री की पांच संरचनाएं]]
[[File:Organic photovoltaic material.pdf|thumb | कार्बनिक फोटोवोल्टिक सामग्री की पांच संरचनाएं]]
कार्बनिक सौर कोशिकाएं पारंपरिक सौर-सेल निर्माण की तुलना में सौर ऊर्जा की लागत में कटौती कर सकती हैं।<ref>{{cite magazine |url=http://www.technologyreview.com/energy/21574/page1/ |title=Mass Production of Plastic Solar Cells |magazine=Technology Review |author=Bullis, Kevin |date=17 October 2008}}</ref> लचीले सब्सट्रेट पर सिलिकॉन पतली-फिल्म सौर कोशिकाएं कई कारणों से बड़े क्षेत्र के फोटोवोल्टिक्स की एक महत्वपूर्ण लागत में कमी की अनुमति देती हैं:<ref name="ipe.uni-stuttgart.de">Koch, Christian (2002) [http://www.ipe.uni-stuttgart.de/index.php?lang=eng&pulldownID=12&ebene2ID=18&ID=3394 Niedertemperaturabscheidung von Dünnschicht-Silicium für Solarzellen auf Kunststofffolien], Doctoral Thesis, ipe.uni-stuttgart.de</ref>
कार्बनिक सौर कोशिकाएं पारंपरिक सौर-सेल निर्माण की तुलना में सौर ऊर्जा की लागत में कटौती कर सकती हैं।<ref>{{cite magazine |url=http://www.technologyreview.com/energy/21574/page1/ |title=Mass Production of Plastic Solar Cells |magazine=Technology Review |author=Bullis, Kevin |date=17 October 2008}}</ref> लचीले सब्सट्रेट पर सिलिकॉन की पतली-फिल्म सौर कोशिकाएं कई कारणों से बड़े क्षेत्र के फोटोवोल्टिक्स की लागत में महत्वपूर्ण कमी की अनुमति देती हैं:<ref name="ipe.uni-stuttgart.de">Koch, Christian (2002) [http://www.ipe.uni-stuttgart.de/index.php?lang=eng&pulldownID=12&ebene2ID=18&ID=3394 Niedertemperaturabscheidung von Dünnschicht-Silicium für Solarzellen auf Kunststofffolien], Doctoral Thesis, ipe.uni-stuttgart.de</ref>
# लचीली चादरों पर तथाकथित 'रोल-टू-रोल-डिपोज़िशन नाजुक और भारी कांच की चादरों पर जमाव की तुलना में तकनीकी प्रयासों के संदर्भ में महसूस करना बहुत आसान है।
# लचीली चादरों पर तथाकथित 'रोल-टू-रोल-डिपोज़िशन नाजुक और भारी कांच की चादरों पर जमाव की तुलना में तकनीकी प्रयासों के संदर्भ में बहुत आसान है।
# हल्के लचीले सौर कोशिकाओं की परिवहन और स्थापना भी कांच पर कोशिकाओं की तुलना में लागत को बचाती है।
# हल्के लचीले सौर कोशिकाओं की परिवहन और स्थापना भी, कांच पर कोशिकाओं की तुलना में लागत को बचाती है।


पॉलीइथाइलीन टेरेफ्थेलेट (पीईटी) या पॉली कार्बोनेट (पीसी) जैसे सस्ती पॉलिमेरिक सब्सट्रेट में फोटोवोल्टिक में आगे की लागत में कमी की संभावना है।प्रोटोमोर्फस सौर कोशिकाएं बड़े क्षेत्र के उत्पादन के साथ-साथ छोटे और मोबाइल अनुप्रयोगों के लिए सस्ते और लचीले सब्सट्रेट पर कुशल और कम लागत वाली फोटोवोल्टिक के लिए एक आशाजनक अवधारणा साबित होती हैं।<ref name="ipe.uni-stuttgart.de"/>
पॉलीइथाइलीन टेरेफ्थेलेट (पीईटी) या पॉली कार्बोनेट (पीसी) जैसे सस्ती पॉलिमेरिक सब्सट्रेट में फोटोवोल्टिक की लागत में और भी कमी की संभावना है। प्रोटोमोर्फस सौर कोशिकाएं बड़े-क्षेत्र के उत्पादन के साथ-साथ छोटे और मोबाइल अनुप्रयोगों के लिए सस्ते और लचीले सब्सट्रेट पर कुशल और कम लागत वाली फोटोवोल्टिक के लिए आशाजनक अवधारणा साबित होती हैं।<ref name="ipe.uni-stuttgart.de"/>


One advantage of printed electronics is that different electrical and electronic components can be printed on top of each other, saving space and increasing reliability and sometimes they are all transparent. One ink must not damage another, and low temperature annealing is vital if low-cost flexible materials such as paper and [[plastic film]] are to be used. There is much sophisticated engineering and chemistry involved here, with iTi, Pixdro, Asahi Kasei, Merck & Co.|Merck, BASF, HC Starck, Hitachi Chemical and Frontier Carbon Corporation among the leaders.<ref>{{Cite web |author=Raghu Das, IDTechEx |url=http://www.electronicsweekly.com/Articles/2008/09/25/44587/printed-electronics-is-it-a-niche.htm |title=Printed electronics, is it a niche? – 25 September 2008 |work=Electronics Weekly |date=25 September 2008 |access-date=14 February 2010}}</ref>
मुद्रित इलेक्ट्रॉनिक्स का एक लाभ यह है कि विभिन्न विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक घटकों को एक दूसरे के ऊपर मुद्रित किया जा सकता है, जिससे जगह की बचत होती है और विश्वसनीयता बढ़ती है और कभी-कभी वे सभी पारदर्शी होते हैं। एक स्याही दूसरे को नुकसान नहीं पहुंचाना चाहिए, और कम तापमान वाली एनीलिंग महत्वपूर्ण है यदि कम लागत वाली लचीली पदार्थ जैसे कागज और प्लास्टिक की फिल्म का उपयोग किया जाना है।आईटीआई, पिक्सड्रो, असाही केसी, मर्क & सीओ, बसफ, हक  स्टारक, हिताची  केमिकल  एंड  फ्रंटियर  कार्बन  कारपोरेशन जैसे लीडर्स  के साथ यहां बहुत उत्कृष्त इंजीनियरिंग और रसायन शास्त्र शामिल है|<ref>{{Cite web |author=Raghu Das, IDTechEx |url=http://www.electronicsweekly.com/Articles/2008/09/25/44587/printed-electronics-is-it-a-niche.htm |title=Printed electronics, is it a niche? – 25 September 2008 |work=Electronics Weekly |date=25 September 2008 |access-date=14 February 2010}}</ref>
कार्बनिक यौगिकों पर आधारित इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का अब व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, विकास के तहत कई नए उत्पादों के साथ।सोनी ने पहले पूर्ण-रंग, वीडियो-दर, लचीले, प्लास्टिक के प्रदर्शन की सूचना दी, जो विशुद्ध रूप से कार्बनिक पदार्थों से बना;<ref>[http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/200705/07-053/index.html プラスチックフィルム上の有機TFT駆動有機ELディスプレイで世界初のフルカラー表示を実現]. sony.co.jp (in Japanese)</ref><ref>[http://pinktentacle.com/2007/05/flexible-full-color-organic-el-display/ Flexible, full-color OLED display]. pinktentacle.com (24 June 2007).</ref> OLED सामग्री पर आधारित टेलीविजन स्क्रीन;कार्बनिक यौगिक और कम लागत वाले कार्बनिक सौर सेल पर आधारित बायोडिग्रेडेबल इलेक्ट्रॉनिक्स भी उपलब्ध हैं।
कई नए अंडर  डेवलपमेंट उत्पादों के साथ, कार्बनिक यौगिकों पर आधारित इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का अब व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। सोनी ने पहला फुल-कलर, वीडियो-रेट, लचीले प्लास्टिक के प्रदर्शन की सूचना दी, जो विशुद्ध रूप से कार्बनिक पदार्थों से बना है ;<ref>[http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/200705/07-053/index.html プラスチックフィルム上の有機TFT駆動有機ELディスプレイで世界初のフルカラー表示を実現]. sony.co.jp (in Japanese)</ref><ref>[http://pinktentacle.com/2007/05/flexible-full-color-organic-el-display/ Flexible, full-color OLED display]. pinktentacle.com (24 June 2007).</ref> ओएलईडी पदार्थों पर आधारित टेलीविजन स्क्रीन; कार्बनिक यौगिक और कम लागत वाले कार्बनिक सौर सेल पर आधारित बायोडिग्रेडेबल इलेक्ट्रॉनिक्स भी उपलब्ध हैं।


=== निर्माण के तरीके ====
=== निर्माण के तरीके===
छोटे अणु अर्धचालक अक्सर अघुलनशील होते हैं, वैक्यूम उच्च बनाने की क्रिया के माध्यम से बयान की आवश्यकता होती है। प्रवाहकीय पॉलिमर पर आधारित उपकरणों को समाधान प्रसंस्करण विधियों द्वारा तैयार किया जा सकता है। दोनों समाधान प्रसंस्करण और वैक्यूम आधारित विधियाँ विकार की चर डिग्री के साथ अनाकार और पॉलीक्रिस्टलाइन फिल्मों का उत्पादन करती हैं। वेट कोटिंग तकनीकों को एक वाष्पशील विलायक में पॉलिमर को भंग करने की आवश्यकता होती है, एक सब्सट्रेट पर फ़िल्टर्ड और जमा किया जाता है। विलायक-आधारित कोटिंग तकनीकों के सामान्य उदाहरणों में ड्रॉप कास्टिंग, स्पिन-कोटिंग, डॉक्टर-ब्लेडिंग, इंकजेट प्रिंटिंग और स्क्रीन प्रिंटिंग शामिल हैं। स्पिन-कोटिंग छोटे क्षेत्र की पतली फिल्म निर्माण के लिए एक व्यापक रूप से इस्तेमाल की जाने वाली तकनीक है। इसके परिणामस्वरूप उच्च स्तर की सामग्री हानि हो सकती है। डॉक्टर-ब्लेड तकनीक के परिणामस्वरूप न्यूनतम सामग्री का नुकसान होता है और इसे मुख्य रूप से बड़े क्षेत्र की पतली फिल्म निर्माण के लिए विकसित किया गया था। छोटे अणुओं के वैक्यूम आधारित थर्मल बयान को एक गर्म स्रोत से अणुओं के वाष्पीकरण की आवश्यकता होती है। अणुओं को फिर एक सब्सट्रेट पर वैक्यूम के माध्यम से ले जाया जाता है। सब्सट्रेट सतह पर इन अणुओं को संघनित करने की प्रक्रिया में पतली फिल्म गठन होती है। गीले कोटिंग तकनीकों को कुछ मामलों में उनकी घुलनशीलता के आधार पर छोटे अणुओं पर लागू किया जा सकता है।
छोटे अणु अर्धचालक अक्सर अघुलनशील होते हैं अतः उन्हें वैक्यूम सब्लिमेशन के माध्यम से डेपोज़िशन की आवश्यकता होती है। प्रवाहकीय पॉलिमर पर आधारित उपकरणों को सलूशन प्रोसेसिंग विधियों द्वारा तैयार किया जा सकता है। दोनों सलूशन प्रोसेसिंग और वैक्यूम आधारित विधियाँ अक्रिस्टलीय और पॉलीक्रिस्टलाइन फिल्मों का उत्पादन विभिन्न स्तर के विकारों के साथ करती हैं। वेट-कोटिंग तकनीकों में पॉलिमर को वाष्पशील सलूशन जो सब्सट्रेट पर फ़िल्टर्ड और जमा हो, में  घोलने कीआवश्यकता होती है। साल्वेंट-आधारित कोटिंग तकनीकों के सामान्य उदाहरणों में ड्रॉप कास्टिंग, स्पिन-कोटिंग, डॉक्टर-ब्लेडिंग, इंकजेट प्रिंटिंग और स्क्रीन प्रिंटिंग शामिल हैं। स्पिन-कोटिंग छोटे क्षेत्र की पतली फिल्म निर्माण के लिए एक व्यापक रूप से इस्तेमाल की जाने वाली तकनीक है। इसके परिणामस्वरूप काफी मात्रा में पदार्थ की हानि हो सकती है। डॉक्टर-ब्लेड तकनीक के परिणामस्वरूप न्यूनतम पदार्थ का नुकसान होता है और इसे मुख्य रूप से बड़े क्षेत्र की पतली फिल्म निर्माण के लिए विकसित किया गया था। छोटे अणुओं के वैक्यूम आधारित थर्मल डेपोज़िशन तकनीक को गर्म स्रोत से अणुओं के वाष्पीकरण की आवश्यकता होती है। अणुओं को फिर सब्सट्रेट पर वैक्यूम के माध्यम से ले जाया जाता है। सब्सट्रेट सतह पर इन अणुओं को संघनित करने की प्रक्रिया में पतली फिल्म का निर्माण होता है। वेट-कोटिंग तकनीकों को कुछ मामलों में उनकी घुलनशीलता के आधार पर छोटे अणुओं पर लागू किया जा सकता है।


=== कार्बनिक सौर कोशिकाएं ====
=== कार्बनिक सौर कोशिकाएं===
[[File:BilayerElectrode.pdf|thumb| bilayer कार्बनिक फोटोवोल्टिक सेल]]
[[File:BilayerElectrode.pdf|thumb| bilayer कार्बनिक फोटोवोल्टिक सेल]]
कार्बनिक अर्धचालक डायोड प्रकाश को बिजली में परिवर्तित करते हैं।दाईं ओर चित्रा पांच आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले कार्बनिक फोटोवोल्टिक सामग्री को दर्शाता है।इन कार्बनिक अणुओं में इलेक्ट्रॉनों को एक delocalized π ऑर्बिटल में एक संबंधित π* एंटीबॉंडिंग ऑर्बिटल के साथ delocalized किया जा सकता है।Π कक्षीय, या उच्चतम कब्जे वाले आणविक कक्षीय (HOMO), और π* कक्षीय, या सबसे कम निर्जन आणविक कक्षीय (LUMO) के बीच ऊर्जा में अंतर को कार्बनिक फोटोवोल्टिक सामग्री का बैंड गैप कहा जाता है।आमतौर पर, बैंड गैप 1-4EV की सीमा में होता है।<ref name="Nelson"/><ref name="HallsFriend"/><ref name="Hoppe"/>
कार्बनिक अर्धचालक डायोड प्रकाश को बिजली में परिवर्तित करते हैं। दाईं ओर चित्र में, आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले पांच कार्बनिक फोटोवोल्टिक पदार्थों  को दर्शाता है। इन कार्बनिक अणुओं में इलेक्ट्रॉनों को डेलॉयलिज़्ड π ऑर्बिटल में संबंधित π* एंटीबॉंडिंग ऑर्बिटल के साथ डेलॉयलिज़्ड किया जा सकता है। Π कक्षीय, या उच्चतम कब्जे वाले आणविक कक्षीय (होमो), और π* कक्षीय, या सबसे कम निर्जन आणविक कक्षीय (लुमो) के बीच ऊर्जा में अंतर को कार्बनिक फोटोवोल्टिक पदार्थ का बैंड गैप कहा जाता है। आमतौर पर, बैंड गैप 1-4EV की सीमा में होता है।<ref name="Nelson"/><ref name="HallsFriend"/><ref name="Hoppe"/>
कार्बनिक फोटोवोल्टिक सामग्री के बैंड गैप में अंतर विभिन्न रासायनिक संरचनाओं और कार्बनिक सौर कोशिकाओं के रूपों की ओर जाता है।सौर कोशिकाओं के विभिन्न रूपों में एकल-परत कार्बनिक फोटोवोल्टिक कोशिकाएं, बिलीयर कार्बनिक फोटोवोल्टिक कोशिकाएं और हेटेरोजंक्शन फोटोवोल्टिक कोशिकाएं शामिल हैं।हालांकि, इन तीन प्रकार की सौर कोशिकाएं दो धातु कंडक्टरों, आमतौर पर इंडियम टिन ऑक्साइड के बीच कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक परत को सैंडविचिंग के दृष्टिकोण को साझा करती हैं।<ref name="McGehee"/>
 
कार्बनिक फोटोवोल्टिक पदार्थ के बैंड गैप में अंतर, विभिन्न रासायनिक संरचनाओं और कार्बनिक सौर कोशिकाओं का निर्माण करता है। सौर कोशिकाओं के विभिन्न रूपों में एकल-परत कार्बनिक फोटोवोल्टिक कोशिकाएं, बिलीयर कार्बनिक फोटोवोल्टिक कोशिकाएं और हेटेरोजंक्शन फोटोवोल्टिक कोशिकाएं शामिल हैं।हालांकि, इन तीन प्रकार की सौर कोशिकाएं, आमतौर पर दो धातु कंडक्टरों, इंडियम टिन ऑक्साइड के बीच कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक परत को सैंडविचिंग करने के दृष्टिकोण को साझा करती हैं।<ref name="McGehee" />
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=== कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर ===
=== कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर ===
एक कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में तीन प्रमुख घटक होते हैं: स्रोत, नाली और गेट। आम तौर पर, एक फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर में दो प्लेटें होती हैं, क्रमशः नाली और गेट के संपर्क में स्रोत, चैनल का संचालन करने के रूप में काम करते हैं। इलेक्ट्रॉन स्रोत से नाली तक जाते हैं, और गेट स्रोत से नाली तक इलेक्ट्रॉनों के आंदोलन को नियंत्रित करने का कार्य करता है। विभिन्न प्रकार के FET वाहक गुणों के आधार पर डिज़ाइन किए गए हैं। पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (पतली-फिल्म ट्रांजिस्टर | TFT), उनमें से, एक आसान फैब्रिकेटिंग है। एक पतली फिल्म ट्रांजिस्टर में, स्रोत और नाली को अर्धचालक की एक पतली परत को सीधे जमा करके बनाया जाता है, जिसके बाद अर्धचालक और मेटल गेट संपर्क के बीच इन्सुलेटर की एक पतली फिल्म होती है। इस तरह की एक पतली फिल्म या तो थर्मल वाष्पीकरण, या बस स्पिन कोटिंग द्वारा बनाई जाती है। एक टीएफटी डिवाइस में, स्रोत और नाली के बीच कोई वाहक आंदोलन नहीं है। एक सकारात्मक चार्ज लागू करने के बाद, इंटरफ़ेस पर इलेक्ट्रॉनों का संचय अर्धचालक के झुकने का कारण बनता है और अंततः अर्धचालक के फ़र्म-लेवल के संबंध में चालन बैंड को कम करता है। अंत में, इंटरफ़ेस में एक अत्यधिक प्रवाहकीय चैनल बनता है।<ref name=Weimer>{{cite journal |title=TFT – A New Thin-Film Transistor |journal=[[Proc. IRE]] |year=1962 |volume=50 |pages=1462–1469 |author=Weimer, P.K. |doi=10.1109/JRPROC.1962.288190 |issue=6|s2cid=51650159 }}</ref>
कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में तीन प्रमुख घटक होते हैं: स्रोत, निकास और गेट। आम तौर पर, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर में दो प्लेटें होती हैं, क्रमशः निकास और गेट के संपर्क में स्रोत, चैनल का संचालन करने के रूप में काम करते हैं। इलेक्ट्रॉन स्रोत से निकास तक जाते हैं, और गेट स्रोत से निकास तक इलेक्ट्रॉनों के आवाजाही को नियंत्रित करने का कार्य करता है। विभिन्न प्रकार के ऍफ़इटी, वाहक गुणों के आधार पर डिज़ाइन किए गए हैं। पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (ऍफ़इटी), उनमें से, एक आसान फैब्रिकेटिंग है। पतली फिल्म ट्रांजिस्टर में, स्रोत और निकास को अर्धचालक की पतली परत को सीधे जमा करके बनाया जाता है, जिसके बाद अर्धचालक और मेटल गेट संपर्क के बीच इन्सुलेटर की एक पतली फिल्म होती है। इस तरह की पतली फिल्म या तो थर्मल वाष्पीकरण, या बस स्पिन कोटिंग द्वारा बनाई जाती है। टीएफटी डिवाइस में, स्रोत और निकास के बीच वाहक की कोई आवाजाही नहीं है। सकारात्मक चार्ज लागू करने के बाद, इंटरफ़ेस पर इलेक्ट्रॉनों का संचय अर्धचालक के झुकने का कारण बनता है और अंततः अर्धचालक के फ़र्म-लेवल के संबंध में चालन बैंड को कम करता है। अंत में, इंटरफ़ेस में एक अत्यधिक प्रवाहकीय चैनल बनता है।<ref name=Weimer>{{cite journal |title=TFT – A New Thin-Film Transistor |journal=[[Proc. IRE]] |year=1962 |volume=50 |pages=1462–1469 |author=Weimer, P.K. |doi=10.1109/JRPROC.1962.288190 |issue=6|s2cid=51650159 }}</ref>


== सुविधाएँ ==
== सुविधाएँ ==
{{Main|Printed electronics}}
{{Main|Printed electronics}}
प्रवाहकीय पॉलिमर अकार्बनिक कंडक्टरों की तुलना में हल्के, अधिक लचीले और कम खर्चीले होते हैं।यह उन्हें कई अनुप्रयोगों में एक वांछनीय विकल्प बनाता है।यह नए अनुप्रयोगों की संभावना भी बनाता है जो तांबे या सिलिकॉन का उपयोग करके असंभव होगा।
प्रवाहकीय पॉलिमर अकार्बनिक कंडक्टरों की तुलना में हल्के, अधिक लचीले और कम खर्चीले होते हैं। यह उन्हें कई अनुप्रयोगों में एक वांछनीय विकल्प बनाता है।यह नए अनुप्रयोगों की संभावना भी बनाता है जो तांबे या सिलिकॉन का उपयोग करके असंभव होगा।


कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में न केवल कार्बनिक सेमीकंडक्टर्स शामिल हैं, बल्कि कार्बनिक डाइलेक्ट्रिक्स, कंडक्टर और हल्के उत्सर्जक भी शामिल हैं।
कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में न केवल कार्बनिक सेमीकंडक्टर्स शामिल हैं, बल्कि कार्बनिक डाइलेक्ट्रिक्स, कंडक्टर और हल्के उत्सर्जक भी शामिल हैं।


नए अनुप्रयोगों में स्मार्ट विंडो और इलेक्ट्रॉनिक पेपर शामिल हैं।प्रवाहकीय पॉलिमर से आणविक कंप्यूटरों के उभरते विज्ञान में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाने की उम्मीद है।
नए अनुप्रयोगों में स्मार्ट विंडो और इलेक्ट्रॉनिक पेपर शामिल हैं। प्रवाहकीय पॉलिमर से आणविक कंप्यूटरों के उभरते विज्ञान में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाने की उम्मीद है।


== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
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==अग्रिम पठन==
==अग्रिम पठन==
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* Grasser, Tibor., Meller, Gregor. Baldo, Marc. (Eds.) (2010) ''Organic electronics'' Springer, Heidelberg. {{ISBN|978-3-642-04537-0}} (Print) 978-3-642-04538-7 (Online)
* Grasser, Tibor., Meller, Gregor. Baldo, Marc. (Eds.) (2010) ''Organic electronics'' Springer, Heidelberg. {{ISBN|978-3-642-04537-0}} (Print) 978-3-642-04538-7 (Online)
* {{cite journal |title=Electronic Conduction in Polymers. II. The Electrochemical Reduction of Polypyrrole at Controlled Potential |first1=B. A. |last1=Baracus |first2=D. E. |last2=Weiss |journal=Aust. J. Chem. |year=1963 |volume=16 |issue=6 |pages=1076–1089 |doi=10.1071/CH9631076}}
* {{cite journal |title=Electronic Conduction in Polymers. II. The Electrochemical Reduction of Polypyrrole at Controlled Potential |first1=B. A. |last1=Baracus |first2=D. E. |last2=Weiss |journal=Aust. J. Chem. |year=1963 |volume=16 |issue=6 |pages=1076–1089 |doi=10.1071/CH9631076}}
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*[http://www.orgworld.de orgworld] – ''Organic Semiconductor World'' homepage.
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कार्बनिक CMOS लॉजिक सर्किट। कुल मोटाई 3 माइक्रोन से कम है। स्केल बार: 25 मिमी

कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स डिजाइन, संश्लेषण, लक्षण वर्णन और कार्बनिक अणुओं या पॉलिमर के अनुप्रयोग से संबंधित पदार्थ विज्ञान (मैटेरियल्स साइंस) का क्षेत्र है, जो चालकता जैसे वांछनीय इलेक्ट्रॉनिक गुणों को दिखाते हैं। पारंपरिक अकार्बनिक चालकों और अर्धचालकों के विपरीत, कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक वस्तुएं कार्बनिक (कार्बन-आधारित) अणुओं या पॉलिमर से कार्बनिक रसायन विज्ञान और बहुलक रसायन विज्ञान के संदर्भ में विकसित कृत्रिम रणनीतियों का उपयोग करके निर्मित की जाती है।

कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के वादा किए गए लाभों में से पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक्स की तुलना में उनकी संभावित कम लागत है।[1][2][3] बहुलक चालकों के आकर्षक गुणों में उनकी विद्युत चालकता (जो डोपेंट की सांद्रता से भिन्न की जा सकती है) और तुलनात्मक रूप से उच्च यांत्रिक लचीलापन शामिल हैं। कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक वस्तुओं के कार्यान्वयन के लिए चुनौतियां उनके अवर थर्मल स्थिरता, उच्च लागत और विविध निर्माण मुद्दे हैं।

इतिहास

विद्युत प्रवाहकीय पॉलिमर

पारंपरिक प्रवाहकीय पदार्थ अकार्बनिक हैं, विशेष रूप से धातु जैसे कि तांबे और एल्यूमीनियम के साथ -साथ कई मिश्र धातुएं भी।[4]

1862 में हेनरी लेथबी ने पॉलीनिलिन का वर्णन किया, जिसे बाद में विद्युत प्रवाहकीय दिखाया गया। 1960 के शुरुवात में अन्य बहुलक कार्बनिक पदार्थों  पर काम शुरू हुआ। उदाहरण के लिए, 1963 में, टेट्रियोडोपिरोल के व्युत्पन्न को 1 एस/सेमी (एस = सीमेंस; S = Siemens) की चालकता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया था।[5] 1977 में, यह पता चला कि ऑक्सीकरण पॉलीसिटिलीन की चालकता को बढ़ाता है। रसायन विज्ञान में 2000 का नोबेल पुरस्कार एलन जे हेगर, एलन जी मैकडर्मिड और हिदेकी शिरकावा को संयुक्त रूप से पॉलीसेटिलीन और संबंधित प्रवाहकीय पॉलिमर पर उनके काम के लिए प्रदान किया गया था।[6] विद्युत रूप से आयोजित करने वाले पॉलिमर के कई परिवारों की पहचान की गई है जैसे पॉलीथियोफीन, पॉलीफेनिलीन सल्फाइड और अन्य ।

सबसे पहले जे.ई. लिलिनफेल्ड[7] ने 1930 में, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर का प्रस्ताव किया था, लेकिन पहली बार 1987 में, ओएफईटी (OFET) की रिपोर्ट की गई थी, जब कोज़ुका एट अल ने पॉलीथियोफीन का उपयोग करके [8] अत्यधिक उच्च चालकता प्रदर्शित की ।अन्य प्रवाहकीय पॉलिमर को अर्धचालक के रूप में कार्य करने के लिए दिखाया गया है, और नए संश्लेषित और विशेषता यौगिकों को प्रमुख शोध पत्रिकाओं में साप्ताहिक रूप से सूचित किया जाता है। कई समीक्षा लेख इन पदार्थों के विकास का दस्तावेज करते हैं।[9][10][11][12][13]

1987 में, पहले कार्बनिक डायोड को ईस्टमैन कोडक में चिंग डब्ल्यू तांग और स्टीवन वैन स्लीके द्वारा निर्मित किया गया था।[14]

विद्युत प्रवाहकीय चार्ज ट्रांसफर लवण

1950 के दशक में, कार्बनिक अणुओं को विद्युत चालकता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया था। विशेष रूप से, कार्बनिक यौगिक पाइरेन को हॉलोजेन के साथ अर्धचालक चार्ज-ट्रांसफर जटिल लवण बनाने के लिए दिखाया गया था।[15] 1972 में, शोधकर्ताओं ने चार्ज-ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स टीटीएफ-टीसीएनक्यू (TTF-TCNQ) में धातु चालकता (धातु की तुलना में चालकता) पाया।

प्रकाश और विद्युत चालकता

आंद्रे बर्नानोज,[16][17] कार्बनिक पदार्थों में इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस का निरीक्षण करने वाला पहला व्यक्ति था। चिंग डब्ल्यू, तांग और स्टीवन वैन स्लीके[18]ने 1987 में पहली बार व्यावहारिक ओएलइडी डिवाइस के निर्माण की सूचना दी| ओएलइडी डिवाइस में कॉपर फ़ेथलोसायनिन से बना डबल-लेयर स्ट्रक्चर मोटिफ शामिल है और पेरीलेनेटेट्राकारबॉक्सिलिक डायनहाइड्राइड का व्युत्पन्न है।[19]

1990 में ब्रैडली और बरोज़ मित्रों द्वारा बहुलक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (पॉलीमर लाइट एमिटिंग डायोड) प्रदर्शित किया गया। आणविक से वृहद् आणविक पदार्थों के लिए आगे बढ़ने से कार्बनिक फिल्मों की दीर्घकालिक स्थिरता पुरानी समस्या को हल किया गया और उच्च गुणवत्ता वाली फिल्मों को आसानी से बनाने में सक्षम बनाया गया।[20] 1990 के दशक के उत्तरार्ध में, अत्यधिक कुशल इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट डोपेंट्स को नाटकीय रूप से ओएलइडी की प्रकाश उत्सर्जक दक्षता में वृद्धि करने के लिए दिखाया गया| [21] इन परिणामों ने सुझाया कि इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट पदार्थ पारंपरिक हॉट-फिलामेंट प्रकाश व्यवस्था की जगह ले सकती है। बाद के शोध ने बहुपरत पॉलिमर विकसित किए और प्लास्टिक इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड (ओएलइडी) अनुसंधान और डिवाइस उत्पादन के नए क्षेत्र में तेजी से वृद्धि हुई।[22]

प्रवाहकीय कार्बनिक पदार्थ

हेक्सामेथिलनेटफ-टीसीएनक्यू चार्ज ट्रांसफर नमक के क्रिस्टल संरचना के हिस्से के किनारे-पर दृश्य, अलग-अलग स्टैकिंग को उजागर करते हुए।इस तरह के आणविक अर्धचालक अनीसोट्रोपिक विद्युत चालकता को प्रदर्शित करते हैं।[23]

कार्बनिक प्रवाहकीय पदार्थों को दो मुख्य वर्गों में वर्गीकृत किया जा सकता है: पॉलिमर और प्रवाहकीय आणविक ठोस और लवण। पॉलीसाइक्लिक एरोमैटिक यौगिक जैसे कि पेंटासीन और रूब्रेन अक्सर आंशिक रूप से ऑक्सीकृत होने पर अर्धचालक पदार्थ बनाते हैं।

प्रवाहकीय पॉलिमर अक्सर आमतौर पर आंतरिक रूप से प्रवाहकीय या कम से कम अर्धचालक होते हैं। वे कभी-कभी पारंपरिक कार्बनिक पॉलिमर के बराबर यांत्रिक गुण दिखाते हैं। दोनों कार्बनिक संश्लेषण और उन्नत डिस्पेरशन तकनीकों का उपयोग आदर्श अकार्बनिक कंडक्टरों के विपरीत, प्रवाहकीय पॉलिमर के विद्युत गुणों को अनुकूल करने के लिए किया जा सकता है। प्रवाहकीय पॉलिमर के अच्छी तरह से अध्ययन किए गए वर्ग में पॉलीसिटिलीन, पॉलीपिरोल, पॉलीथियोफेनीस और पॉलीनिलिन शामिल हैं। पाली (पी-फेनिलीन विनाइलीन) और इसके डेरिवेटिव इलेक्ट्रोल्यूमिनसेंट अर्धचालक पॉलिमर हैं। पॉली (3-एल्किथियोफेनेस) को सौर कोशिकाओं और ट्रांजिस्टर के प्रोटोटाइप में शामिल किया गया है।

कार्बनिक प्रकाश-उत्सर्जक डायोड

Main articles: Organic Light Emitting Diode and AMOLED

ओएलइडी (ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड) में कार्बनिक सामग्री की पतली फिल्म होती है जो विद्युत प्रवाह द्वारा उत्तेजना के तहत प्रकाश का उत्सर्जन करती है। विशिष्ट ओएलइडी में एनोड, कैथोड, ओएलईडी कार्बनिक सामग्री और प्रवाहकीय परत शामिल है।[24]

BR6A, एक अगली पीढ़ी का शुद्ध कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक क्रिस्टल परिवार
बिलीयर ओएलइडी का योजनाबद्ध: 1. कैथोड ( -), 2. उत्सर्जन परत, 3. विकिरण का उत्सर्जन, 4. प्रवाहकीय परत, 5. एनोड (+)

ओएलईडी कार्बनिक पदार्थों को दो प्रमुख परिवारों में विभाजित किया जा सकता है: छोटे-अणु-आधारित और बहुलक-आधारित। छोटे अणु ओएलईडी (इसएम्-ओएलईडी) में ट्रिस (8-हीड्रोसीक्विनोलिनातो) एल्यूमीनियम [18] फ्लोरोसेंट, फॉस्फोरसेंट रंजक और संयुग्मित डेंड्रिमर्स शामिल हैं। फ्लोरोसेंट रंजक को उत्सर्जन तरंग दैर्ध्य की वांछित सीमा के अनुसार चुना जा सकता है; पेरिलीन और रूब्रेन जैसे यौगिकों का अक्सर उपयोग किया जाता है।छोटे अणुओं पर आधारित उपकरण आमतौर पर वैक्यूम के तहत थर्मल वाष्पीकरण द्वारा निर्मित होते हैं। जबकि यह विधि सुनियंत्रित सजातीय फिल्म के निर्माण को सक्षम करती है लेकिन उच्च लागत और सीमित स्केलेबिलिटी से बाधित है।[25] [26] पॉलिमर लाइट-एमिटिंग डायोड (पीएलइडी) आमतौर पर इसएम्-ओएलईडी की तुलना में अधिक कुशल होते हैं। पीएलइडी में उपयोग किए जाने वाले सामान्य पॉलिमर में पॉली(पी-फेनिलीन विनिलीन) के डेरिवेटिव और पॉलीफ्लुओरेन शामिल हैं[27] । बहुलक की संरचना द्वारा उत्सर्जित रंग। थर्मल वाष्पीकरण की तुलना में समाधान-आधारित तरीके, बड़े आयामों वाली फिल्मों को बनाने के लिए अधिक अनुकूल हैं।

कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर

Main article: Organic Field-Effect Transistor
उच्चतम चार्ज गतिशीलता के साथ रूब्रेन-ऑफ

कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जो कार्बनिक अणुओं या पॉलिमर का उपयोग सक्रिय अर्धचालक परत के रूप में करता है। क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) एक अर्धचालक पदार्थ है जो एक प्रकार के चार्ज वाहक के चैनल के आकार को नियंत्रित करने के लिए विद्युत क्षेत्र का उपयोग करता है, जिससे इसकी चालकता बदल जाती है। एफईटी के दो प्रमुख वर्ग एन-टाइप और पी-प्रकार सेमीकंडक्टर हैं, जिन्हें चार्ज प्रकार के अनुसार वर्गीकृत किया गया है। कार्बनिक एफईटी(ओएफईटी) में, पी-टाइप ओएफईटी यौगिक आमतौर पर ऑक्सीडेटिव क्षति के लिए बाद की संवेदनशीलता के कारण एन-टाइप की तुलना में अधिक स्थिर होते हैं।

ओएलईडी के लिए, कुछ ओएफईटी आणविक हैं और कुछ बहुलक-आधारित प्रणाली हैं। रूब्रेन-आधारित ओएफईटी 20-40 cm2/(V·s) की उच्च वाहक गतिशीलता दिखाती है। एक और लोकप्रिय ओएफईटी पदार्थ पेंटासीन है। अधिकांश कार्बनिक सॉल्वैंट्स में इसकी कम घुलनशीलता के कारण, पारंपरिक स्पिन-कास्ट या डिप- कोटिंग विधियों का उपयोग करके केवल पेंटासीन से पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (टीऍफ़टी) को बनाना मुश्किल है, लेकिन इस बाधा को टीआईपीइस-पेंटासीन व्युत्पन्न का उपयोग करके दूर किया जा सकता है।

कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण

Main articles: Organic solar cell and Photovoltaics
ऑर्गेनिक्स आधारित लचीला प्रदर्शन
कार्बनिक फोटोवोल्टिक सामग्री की पांच संरचनाएं

कार्बनिक सौर कोशिकाएं पारंपरिक सौर-सेल निर्माण की तुलना में सौर ऊर्जा की लागत में कटौती कर सकती हैं।[28] लचीले सब्सट्रेट पर सिलिकॉन की पतली-फिल्म सौर कोशिकाएं कई कारणों से बड़े क्षेत्र के फोटोवोल्टिक्स की लागत में महत्वपूर्ण कमी की अनुमति देती हैं:[29]

  1. लचीली चादरों पर तथाकथित 'रोल-टू-रोल-डिपोज़िशन नाजुक और भारी कांच की चादरों पर जमाव की तुलना में तकनीकी प्रयासों के संदर्भ में बहुत आसान है।
  2. हल्के लचीले सौर कोशिकाओं की परिवहन और स्थापना भी, कांच पर कोशिकाओं की तुलना में लागत को बचाती है।

पॉलीइथाइलीन टेरेफ्थेलेट (पीईटी) या पॉली कार्बोनेट (पीसी) जैसे सस्ती पॉलिमेरिक सब्सट्रेट में फोटोवोल्टिक की लागत में और भी कमी की संभावना है। प्रोटोमोर्फस सौर कोशिकाएं बड़े-क्षेत्र के उत्पादन के साथ-साथ छोटे और मोबाइल अनुप्रयोगों के लिए सस्ते और लचीले सब्सट्रेट पर कुशल और कम लागत वाली फोटोवोल्टिक के लिए आशाजनक अवधारणा साबित होती हैं।[29]

मुद्रित इलेक्ट्रॉनिक्स का एक लाभ यह है कि विभिन्न विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक घटकों को एक दूसरे के ऊपर मुद्रित किया जा सकता है, जिससे जगह की बचत होती है और विश्वसनीयता बढ़ती है और कभी-कभी वे सभी पारदर्शी होते हैं। एक स्याही दूसरे को नुकसान नहीं पहुंचाना चाहिए, और कम तापमान वाली एनीलिंग महत्वपूर्ण है यदि कम लागत वाली लचीली पदार्थ जैसे कागज और प्लास्टिक की फिल्म का उपयोग किया जाना है।आईटीआई, पिक्सड्रो, असाही केसी, मर्क & सीओ, बसफ, हक  स्टारक, हिताची  केमिकल  एंड  फ्रंटियर  कार्बन  कारपोरेशन जैसे लीडर्स  के साथ यहां बहुत उत्कृष्त इंजीनियरिंग और रसायन शास्त्र शामिल है|[30] कई नए अंडर  डेवलपमेंट उत्पादों के साथ, कार्बनिक यौगिकों पर आधारित इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का अब व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। सोनी ने पहला फुल-कलर, वीडियो-रेट, लचीले प्लास्टिक के प्रदर्शन की सूचना दी, जो विशुद्ध रूप से कार्बनिक पदार्थों से बना है ;[31][32] ओएलईडी पदार्थों पर आधारित टेलीविजन स्क्रीन; कार्बनिक यौगिक और कम लागत वाले कार्बनिक सौर सेल पर आधारित बायोडिग्रेडेबल इलेक्ट्रॉनिक्स भी उपलब्ध हैं।

निर्माण के तरीके

छोटे अणु अर्धचालक अक्सर अघुलनशील होते हैं अतः उन्हें वैक्यूम सब्लिमेशन के माध्यम से डेपोज़िशन की आवश्यकता होती है। प्रवाहकीय पॉलिमर पर आधारित उपकरणों को सलूशन प्रोसेसिंग विधियों द्वारा तैयार किया जा सकता है। दोनों सलूशन प्रोसेसिंग और वैक्यूम आधारित विधियाँ अक्रिस्टलीय और पॉलीक्रिस्टलाइन फिल्मों का उत्पादन विभिन्न स्तर के विकारों के साथ करती हैं। वेट-कोटिंग तकनीकों में पॉलिमर को वाष्पशील सलूशन जो सब्सट्रेट पर फ़िल्टर्ड और जमा हो, में घोलने कीआवश्यकता होती है। साल्वेंट-आधारित कोटिंग तकनीकों के सामान्य उदाहरणों में ड्रॉप कास्टिंग, स्पिन-कोटिंग, डॉक्टर-ब्लेडिंग, इंकजेट प्रिंटिंग और स्क्रीन प्रिंटिंग शामिल हैं। स्पिन-कोटिंग छोटे क्षेत्र की पतली फिल्म निर्माण के लिए एक व्यापक रूप से इस्तेमाल की जाने वाली तकनीक है। इसके परिणामस्वरूप काफी मात्रा में पदार्थ की हानि हो सकती है। डॉक्टर-ब्लेड तकनीक के परिणामस्वरूप न्यूनतम पदार्थ का नुकसान होता है और इसे मुख्य रूप से बड़े क्षेत्र की पतली फिल्म निर्माण के लिए विकसित किया गया था। छोटे अणुओं के वैक्यूम आधारित थर्मल डेपोज़िशन तकनीक को गर्म स्रोत से अणुओं के वाष्पीकरण की आवश्यकता होती है। अणुओं को फिर सब्सट्रेट पर वैक्यूम के माध्यम से ले जाया जाता है। सब्सट्रेट सतह पर इन अणुओं को संघनित करने की प्रक्रिया में पतली फिल्म का निर्माण होता है। वेट-कोटिंग तकनीकों को कुछ मामलों में उनकी घुलनशीलता के आधार पर छोटे अणुओं पर लागू किया जा सकता है।

कार्बनिक सौर कोशिकाएं

bilayer कार्बनिक फोटोवोल्टिक सेल

कार्बनिक अर्धचालक डायोड प्रकाश को बिजली में परिवर्तित करते हैं। दाईं ओर चित्र में, आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले पांच कार्बनिक फोटोवोल्टिक पदार्थों को दर्शाता है। इन कार्बनिक अणुओं में इलेक्ट्रॉनों को डेलॉयलिज़्ड π ऑर्बिटल में संबंधित π* एंटीबॉंडिंग ऑर्बिटल के साथ डेलॉयलिज़्ड किया जा सकता है। Π कक्षीय, या उच्चतम कब्जे वाले आणविक कक्षीय (होमो), और π* कक्षीय, या सबसे कम निर्जन आणविक कक्षीय (लुमो) के बीच ऊर्जा में अंतर को कार्बनिक फोटोवोल्टिक पदार्थ का बैंड गैप कहा जाता है। आमतौर पर, बैंड गैप 1-4EV की सीमा में होता है।[33][34][35]

कार्बनिक फोटोवोल्टिक पदार्थ के बैंड गैप में अंतर, विभिन्न रासायनिक संरचनाओं और कार्बनिक सौर कोशिकाओं का निर्माण करता है। सौर कोशिकाओं के विभिन्न रूपों में एकल-परत कार्बनिक फोटोवोल्टिक कोशिकाएं, बिलीयर कार्बनिक फोटोवोल्टिक कोशिकाएं और हेटेरोजंक्शन फोटोवोल्टिक कोशिकाएं शामिल हैं।हालांकि, इन तीन प्रकार की सौर कोशिकाएं, आमतौर पर दो धातु कंडक्टरों, इंडियम टिन ऑक्साइड के बीच कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक परत को सैंडविचिंग करने के दृष्टिकोण को साझा करती हैं।[36]

पतली फिल्म ट्रांजिस्टर डिवाइस का चित्रण







कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर

कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में तीन प्रमुख घटक होते हैं: स्रोत, निकास और गेट। आम तौर पर, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर में दो प्लेटें होती हैं, क्रमशः निकास और गेट के संपर्क में स्रोत, चैनल का संचालन करने के रूप में काम करते हैं। इलेक्ट्रॉन स्रोत से निकास तक जाते हैं, और गेट स्रोत से निकास तक इलेक्ट्रॉनों के आवाजाही को नियंत्रित करने का कार्य करता है। विभिन्न प्रकार के ऍफ़इटी, वाहक गुणों के आधार पर डिज़ाइन किए गए हैं। पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (ऍफ़इटी), उनमें से, एक आसान फैब्रिकेटिंग है। पतली फिल्म ट्रांजिस्टर में, स्रोत और निकास को अर्धचालक की पतली परत को सीधे जमा करके बनाया जाता है, जिसके बाद अर्धचालक और मेटल गेट संपर्क के बीच इन्सुलेटर की एक पतली फिल्म होती है। इस तरह की पतली फिल्म या तो थर्मल वाष्पीकरण, या बस स्पिन कोटिंग द्वारा बनाई जाती है। टीएफटी डिवाइस में, स्रोत और निकास के बीच वाहक की कोई आवाजाही नहीं है। सकारात्मक चार्ज लागू करने के बाद, इंटरफ़ेस पर इलेक्ट्रॉनों का संचय अर्धचालक के झुकने का कारण बनता है और अंततः अर्धचालक के फ़र्म-लेवल के संबंध में चालन बैंड को कम करता है। अंत में, इंटरफ़ेस में एक अत्यधिक प्रवाहकीय चैनल बनता है।[37]

सुविधाएँ

Main article: Printed electronics

प्रवाहकीय पॉलिमर अकार्बनिक कंडक्टरों की तुलना में हल्के, अधिक लचीले और कम खर्चीले होते हैं। यह उन्हें कई अनुप्रयोगों में एक वांछनीय विकल्प बनाता है।यह नए अनुप्रयोगों की संभावना भी बनाता है जो तांबे या सिलिकॉन का उपयोग करके असंभव होगा।

कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में न केवल कार्बनिक सेमीकंडक्टर्स शामिल हैं, बल्कि कार्बनिक डाइलेक्ट्रिक्स, कंडक्टर और हल्के उत्सर्जक भी शामिल हैं।

नए अनुप्रयोगों में स्मार्ट विंडो और इलेक्ट्रॉनिक पेपर शामिल हैं। प्रवाहकीय पॉलिमर से आणविक कंप्यूटरों के उभरते विज्ञान में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाने की उम्मीद है।

यह भी देखें

  • एनीलिंग
  • बायोप्लास्टिक
  • कार्बन नैनोट्यूब
  • सर्किट बयान
  • प्रवाहकीय स्याही
  • लचीला प्रदर्शन
  • लामिनार
  • मेलानिन
  • कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर | कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (OFET)
  • कार्बनिक अर्धचालक
  • ऑर्गेनिक लाइट-एमिटिंग डायोड (OLED)
  • फोटोडेटेक्टर
  • मुद्रित इलेक्ट्रॉनिक्स
  • रेडियो फ्रिक्वेंसी पहचान
  • रेडियो टैग
  • शॉन स्कैंडल
  • स्पिन कोटिंग

संदर्भ

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अग्रिम पठन

  • Grasser, Tibor., Meller, Gregor. Baldo, Marc. (Eds.) (2010) Organic electronics Springer, Heidelberg. ISBN 978-3-642-04537-0 (Print) 978-3-642-04538-7 (Online)
  • Baracus, B. A.; Weiss, D. E. (1963). "Electronic Conduction in Polymers. II. The Electrochemical Reduction of Polypyrrole at Controlled Potential". Aust. J. Chem. 16 (6): 1076–1089. doi:10.1071/CH9631076.
  • Bolto, B. A.; McNeill, R.; Weiss, D. E. (1963). "Electronic Conduction in Polymers. III. Electronic Properties of Polypyrrole". Aust. J. Chem. 16 (6): 1090–1103. doi:10.1071/CH9631090.
  • Hush, Noel S. (2003). "An Overview of the First Half-Century of Molecular Electronics". Ann. N.Y. Acad. Sci. 1006 (1): 1–20. Bibcode:2003NYASA1006....1H. doi:10.1196/annals.1292.016. PMID 14976006. S2CID 24968273.
  • Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers, 2 ed. by Martin Pope and Charles E. Swenberg, Oxford University Press (1999), ISBN 0-19-512963-6
  • Handbook of Organic Electronics and Photonics (3-Volume Set) by Hari Singh Nalwa, American Scientific Publishers. (2008), ISBN 1-58883-095-0

बाहरी संबंध

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