शैलो ट्रेंच आइसोलेशन (एसटीआई): Difference between revisions

From Vigyanwiki
(Created page with "{{Short description|Integrated circuit}} Image:Isolation_pitch_vs_design_rule.PNG|right|thumb|350px|ट्रांजिस्टर आकार के साथ अलग...")
 
 
(7 intermediate revisions by 3 users not shown)
Line 1: Line 1:
{{Short description|Integrated circuit}}
{{Short description|Integrated circuit}}
[[Image:Isolation_pitch_vs_design_rule.PNG|right|thumb|350px|ट्रांजिस्टर आकार के साथ अलगाव की स्केलिंग। आइसोलेशन पिच ट्रांजिस्टर की चौड़ाई और ट्रेंच आइसोलेशन दूरी का योग है। जैसे-जैसे आइसोलेशन पिच सिकुड़ती है, संकीर्ण चैनल चौड़ाई का प्रभाव अधिक स्पष्ट हो जाता है।]]
[[Image:Isolation_pitch_vs_design_rule.PNG|right|thumb|350px|ट्रांजिस्टर आकार के साथ अलगाव की स्केलिंग। आइसोलेशन पिच ट्रांजिस्टर की चौड़ाई और ट्रेंच आइसोलेशन दूरी का योग है। जैसे-जैसे आइसोलेशन पिच सिकुड़ती है, संकीर्ण चैनल चौड़ाई का प्रभाव अधिक स्पष्ट हो जाता है।]]
[[File:Shallow trench isolation process.svg|thumb|373x373px|क्रॉस-सेक्शन में आधुनिक एकीकृत सर्किट की उथली खाई अलगाव निर्माण प्रक्रिया।]]शैलो ट्रेंच आइसोलेशन (एसटीआई), जिसे बॉक्स आइसोलेशन तकनीक के रूप में भी जाना जाता है, एक एकीकृत सर्किट सुविधा है जो आसन्न अर्धचालक डिवाइस घटकों के बीच [[विद्युत प्रवाह]] [[रिसाव (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] को रोकती है। एसटीआई का उपयोग आमतौर पर [[250 नैनोमीटर]] और उससे छोटे [[सीएमओएस]] प्रक्रिया प्रौद्योगिकी नोड्स पर किया जाता है। पुरानी CMOS प्रौद्योगिकियाँ और गैर-MOS प्रौद्योगिकियाँ आमतौर पर [[LOCOS]] पर आधारित अलगाव का उपयोग करती हैं।<ref>Quirk, Michael & Julian Serda (2001). [http://smtbook.com/instructor_guide.pdf ''Semiconductor Manufacturing Technology: Instructor's Manual''] {{webarchive |url=https://web.archive.org/web/20070928192450/http://smtbook.com/instructor_guide.pdf |date=September 28, 2007 }}, p. 25.</ref>
[[File:Shallow trench isolation process.svg|thumb|373x373px|क्रॉस-सेक्शन में आधुनिक एकीकृत सर्किट की उथली खाई अलगाव निर्माण प्रक्रिया।]]'''शैलो ट्रेंच आइसोलेशन (एसटीआई)''', जिसे बॉक्स आइसोलेशन तकनीक के रूप में भी जाना जाता है, एकीकृत सर्किट सुविधा है जो आसन्न अर्धचालक डिवाइस घटकों के बीच [[विद्युत प्रवाह]] [[रिसाव (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] को रोकती है। एसटीआई का उपयोग सामान्यतः [[250 नैनोमीटर]] और उससे छोटे [[सीएमओएस]] प्रक्रिया प्रौद्योगिकी नोड्स पर किया जाता है। पुरानी CMOS प्रौद्योगिकियाँ और गैर-MOS प्रौद्योगिकियाँ सामान्यतः [[LOCOS]] पर आधारित अलगाव का उपयोग करती हैं।<ref>Quirk, Michael & Julian Serda (2001). [http://smtbook.com/instructor_guide.pdf ''Semiconductor Manufacturing Technology: Instructor's Manual''] {{webarchive |url=https://web.archive.org/web/20070928192450/http://smtbook.com/instructor_guide.pdf |date=September 28, 2007 }}, p. 25.</ref>
ट्रांजिस्टर बनने से पहले, सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण प्रक्रिया के दौरान एसटीआई का निर्माण होता है। एसटीआई प्रक्रिया के प्रमुख चरणों में सिलिकॉन में खाइयों का एक पैटर्न बनाना (माइक्रोफैब्रिकेशन), खाइयों को भरने के लिए एक या अधिक [[ढांकता हुआ]] सामग्री (जैसे [[सिलिकॉन डाइऑक्साइड]]) जमा करना और रासायनिक-यांत्रिक जैसी तकनीक का उपयोग करके अतिरिक्त ढांकता हुआ को हटाना शामिल है। योजनाकरण।[https://web.archive.org/web/20070707023639/http://smtbook.com/features.htm]
ट्रांजिस्टर बनने से पहले, सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण प्रक्रिया के समय एसटीआई का निर्माण होता है। एसटीआई प्रक्रिया के प्रमुख चरणों में सिलिकॉन में खाइयों का पैटर्न बनाना (माइक्रोफैब्रिकेशन), खाइयों को भरने के लिए एक या अधिक [[ढांकता हुआ]] सामग्री (जैसे [[सिलिकॉन डाइऑक्साइड]]) जमा करना और रासायनिक-यांत्रिक जैसी तकनीक का उपयोग करके अतिरिक्त ढांकता हुआ को हटाना सम्मिलित है। योजनाकरण।[https://web.archive.org/web/20070707023639/http://smtbook.com/features.htm]


कुछ अर्धचालक निर्माण प्रौद्योगिकियों में [[गहरी खाई अलगाव]] भी शामिल है, एक संबंधित सुविधा जो अक्सर [[एनालॉग चिप]] में पाई जाती है।
कुछ अर्धचालक निर्माण प्रौद्योगिकियों में [[गहरी खाई अलगाव]] भी सम्मिलित है, संबंधित सुविधा जो अधिकांशतः [[एनालॉग चिप]] में पाई जाती है।


खाई के किनारे के प्रभाव ने उस चीज़ को जन्म दिया है जिसे हाल ही में रिवर्स नैरो चैनल प्रभाव कहा गया है<ref>{{cite journal|last1=Jung|first1=Jong-Wan|last2=Kim|first2=Jong-Min|last3=Son|first3=Jeong-Hwan|last4=Lee|first4=Youngjong|title=ट्रेंच आइसोलेशन एज पर क्षणिक संवर्धित प्रसार के दमन द्वारा गेट की लंबाई पर सबथ्रेशोल्ड हंप और रिवर्स नैरो चैनल प्रभाव की निर्भरता|journal=Japanese Journal of Applied Physics|date=30 April 2000|volume=39|issue=Part 1, No. 4B|pages=2136–2140|doi=10.1143/JJAP.39.2136|bibcode=2000JaJAP..39.2136J}}</ref> या उलटा संकीर्ण चौड़ाई प्रभाव।<ref>A. Chatterjee et al., IEDM 1996.(conference announcement) {{citation|doi=10.1109/VLSIT.1996.507831|chapter=A shallow trench isolation study for 0.25/0.18 μm CMOS technologies and beyond|title=1996 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers|pages=156–157|year=1996|last1=Chatterjee|first1=A.|last2=Esquivel|first2=J.|last3=Nag|first3=S.|last4=Ali|first4=I.|last5=Rogers|first5=D.|last6=Taylor|first6=K.|last7=Joyner|first7=K.|last8=Mason|first8=M.|last9=Mercer|first9=D.|last10=Amerasekera|first10=A.|last11=Houston|first11=T.|last12=Chen|first12=I.-C.|isbn=0-7803-3342-X|s2cid=27288482}}</ref> मूल रूप से, किनारे पर [[विद्युत क्षेत्र]] में वृद्धि के कारण, कम वोल्टेज पर एक संवाहक चैनल (उलटा द्वारा) बनाना आसान होता है। संकीर्ण ट्रांजिस्टर चौड़ाई के लिए [[ सीमा वोल्टेज ]] प्रभावी ढंग से कम हो जाता है।<ref>{{cite journal|last1=Pretet|first1=J|last2=Ioannou|first2=D|last3=Subba|first3=N|last4=Cristoloveanu|first4=S|last5=Maszara|first5=W|last6=Raynaud|first6=C|title=संकीर्ण-चैनल प्रभाव और एसटीआई- और लोकोस-पृथक एसओआई एमओएसएफईटी की स्थिर और फ्लोटिंग-बॉडी विशेषताओं पर उनका प्रभाव|journal=Solid-State Electronics|date=November 2002|volume=46|issue=11|pages=1699–1707|doi=10.1016/S0038-1101(02)00147-8|bibcode=2002SSEle..46.1699P}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Lee|first1=Yung-Huei|last2=Linton|first2=Tom|last3=Wu|first3=Ken|last4=Mielke|first4=Neal|title=PMOSFET विश्वसनीयता पर ट्रेंच एज का प्रभाव|journal=Microelectronics Reliability|date=May 2001|volume=41|issue=5|pages=689–696|doi=10.1016/S0026-2714(01)00002-6}}</ref> इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए मुख्य चिंता परिणामी [[ सबथ्रेशोल्ड रिसाव ]] करंट है, जो थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के बाद काफी बड़ा है।
खाई के किनारे के प्रभाव ने उस वस्तु को जन्म दिया है जिसे हाल ही में रिवर्स नैरो चैनल प्रभाव कहा गया है।<ref>{{cite journal|last1=Jung|first1=Jong-Wan|last2=Kim|first2=Jong-Min|last3=Son|first3=Jeong-Hwan|last4=Lee|first4=Youngjong|title=ट्रेंच आइसोलेशन एज पर क्षणिक संवर्धित प्रसार के दमन द्वारा गेट की लंबाई पर सबथ्रेशोल्ड हंप और रिवर्स नैरो चैनल प्रभाव की निर्भरता|journal=Japanese Journal of Applied Physics|date=30 April 2000|volume=39|issue=Part 1, No. 4B|pages=2136–2140|doi=10.1143/JJAP.39.2136|bibcode=2000JaJAP..39.2136J}}</ref> या उल्टा संकीर्ण चौड़ाई प्रभाव।<ref>A. Chatterjee et al., IEDM 1996.(conference announcement) {{citation|doi=10.1109/VLSIT.1996.507831|chapter=A shallow trench isolation study for 0.25/0.18 μm CMOS technologies and beyond|title=1996 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers|pages=156–157|year=1996|last1=Chatterjee|first1=A.|last2=Esquivel|first2=J.|last3=Nag|first3=S.|last4=Ali|first4=I.|last5=Rogers|first5=D.|last6=Taylor|first6=K.|last7=Joyner|first7=K.|last8=Mason|first8=M.|last9=Mercer|first9=D.|last10=Amerasekera|first10=A.|last11=Houston|first11=T.|last12=Chen|first12=I.-C.|isbn=0-7803-3342-X|s2cid=27288482}}</ref> मूल रूप से, किनारे पर [[विद्युत क्षेत्र]] में वृद्धि के कारण, कम वोल्टेज पर संवाहक चैनल (उल्टा द्वारा) बनाना सरल होता है। संकीर्ण ट्रांजिस्टर चौड़ाई के लिए [[ सीमा वोल्टेज |सीमा वोल्टेज]] प्रभावी ढंग से कम हो जाता है।<ref>{{cite journal|last1=Pretet|first1=J|last2=Ioannou|first2=D|last3=Subba|first3=N|last4=Cristoloveanu|first4=S|last5=Maszara|first5=W|last6=Raynaud|first6=C|title=संकीर्ण-चैनल प्रभाव और एसटीआई- और लोकोस-पृथक एसओआई एमओएसएफईटी की स्थिर और फ्लोटिंग-बॉडी विशेषताओं पर उनका प्रभाव|journal=Solid-State Electronics|date=November 2002|volume=46|issue=11|pages=1699–1707|doi=10.1016/S0038-1101(02)00147-8|bibcode=2002SSEle..46.1699P}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Lee|first1=Yung-Huei|last2=Linton|first2=Tom|last3=Wu|first3=Ken|last4=Mielke|first4=Neal|title=PMOSFET विश्वसनीयता पर ट्रेंच एज का प्रभाव|journal=Microelectronics Reliability|date=May 2001|volume=41|issue=5|pages=689–696|doi=10.1016/S0026-2714(01)00002-6}}</ref> इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए मुख्य चिंता परिणामी [[ सबथ्रेशोल्ड रिसाव |सबथ्रेशोल्ड रिसाव]] करंट है, जो थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के बाद बहुत बड़ा है।


==प्रक्रिया प्रवाह==
==प्रक्रिया प्रवाह==
Line 36: Line 36:
[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category:Created On 10/08/2023]]
[[Category:Created On 10/08/2023]]
[[Category:Vigyan Ready]]

Latest revision as of 19:13, 3 October 2023

File:Isolation pitch vs design rule.PNG
ट्रांजिस्टर आकार के साथ अलगाव की स्केलिंग। आइसोलेशन पिच ट्रांजिस्टर की चौड़ाई और ट्रेंच आइसोलेशन दूरी का योग है। जैसे-जैसे आइसोलेशन पिच सिकुड़ती है, संकीर्ण चैनल चौड़ाई का प्रभाव अधिक स्पष्ट हो जाता है।
क्रॉस-सेक्शन में आधुनिक एकीकृत सर्किट की उथली खाई अलगाव निर्माण प्रक्रिया।

शैलो ट्रेंच आइसोलेशन (एसटीआई), जिसे बॉक्स आइसोलेशन तकनीक के रूप में भी जाना जाता है, एकीकृत सर्किट सुविधा है जो आसन्न अर्धचालक डिवाइस घटकों के बीच विद्युत प्रवाह रिसाव (इलेक्ट्रॉनिक्स) को रोकती है। एसटीआई का उपयोग सामान्यतः 250 नैनोमीटर और उससे छोटे सीएमओएस प्रक्रिया प्रौद्योगिकी नोड्स पर किया जाता है। पुरानी CMOS प्रौद्योगिकियाँ और गैर-MOS प्रौद्योगिकियाँ सामान्यतः LOCOS पर आधारित अलगाव का उपयोग करती हैं।[1]

ट्रांजिस्टर बनने से पहले, सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण प्रक्रिया के समय एसटीआई का निर्माण होता है। एसटीआई प्रक्रिया के प्रमुख चरणों में सिलिकॉन में खाइयों का पैटर्न बनाना (माइक्रोफैब्रिकेशन), खाइयों को भरने के लिए एक या अधिक ढांकता हुआ सामग्री (जैसे सिलिकॉन डाइऑक्साइड) जमा करना और रासायनिक-यांत्रिक जैसी तकनीक का उपयोग करके अतिरिक्त ढांकता हुआ को हटाना सम्मिलित है। योजनाकरण।[1]

कुछ अर्धचालक निर्माण प्रौद्योगिकियों में गहरी खाई अलगाव भी सम्मिलित है, संबंधित सुविधा जो अधिकांशतः एनालॉग चिप में पाई जाती है।

खाई के किनारे के प्रभाव ने उस वस्तु को जन्म दिया है जिसे हाल ही में रिवर्स नैरो चैनल प्रभाव कहा गया है।[2] या उल्टा संकीर्ण चौड़ाई प्रभाव।[3] मूल रूप से, किनारे पर विद्युत क्षेत्र में वृद्धि के कारण, कम वोल्टेज पर संवाहक चैनल (उल्टा द्वारा) बनाना सरल होता है। संकीर्ण ट्रांजिस्टर चौड़ाई के लिए सीमा वोल्टेज प्रभावी ढंग से कम हो जाता है।[4][5] इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए मुख्य चिंता परिणामी सबथ्रेशोल्ड रिसाव करंट है, जो थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के बाद बहुत बड़ा है।

प्रक्रिया प्रवाह

यह भी देखें

  • फ़ोल

संदर्भ

  1. ↑ Quirk, Michael & Julian Serda (2001). Semiconductor Manufacturing Technology: Instructor's Manual Archived September 28, 2007, at the Wayback Machine, p. 25.
  2. ↑ Jung, Jong-Wan; Kim, Jong-Min; Son, Jeong-Hwan; Lee, Youngjong (30 April 2000). "ट्रेंच आइसोलेशन एज पर क्षणिक संवर्धित प्रसार के दमन द्वारा गेट की लंबाई पर सबथ्रेशोल्ड हंप और रिवर्स नैरो चैनल प्रभाव की निर्भरता". Japanese Journal of Applied Physics. 39 (Part 1, No. 4B): 2136–2140. Bibcode:2000JaJAP..39.2136J. doi:10.1143/JJAP.39.2136.
  3. ↑ A. Chatterjee et al., IEDM 1996.(conference announcement) Chatterjee, A.; Esquivel, J.; Nag, S.; Ali, I.; Rogers, D.; Taylor, K.; Joyner, K.; Mason, M.; Mercer, D.; Amerasekera, A.; Houston, T.; Chen, I.-C. (1996), "A shallow trench isolation study for 0.25/0.18 μm CMOS technologies and beyond", 1996 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers, pp. 156–157, doi:10.1109/VLSIT.1996.507831, ISBN 0-7803-3342-X, S2CID 27288482
  4. ↑ Pretet, J; Ioannou, D; Subba, N; Cristoloveanu, S; Maszara, W; Raynaud, C (November 2002). "संकीर्ण-चैनल प्रभाव और एसटीआई- और लोकोस-पृथक एसओआई एमओएसएफईटी की स्थिर और फ्लोटिंग-बॉडी विशेषताओं पर उनका प्रभाव". Solid-State Electronics. 46 (11): 1699–1707. Bibcode:2002SSEle..46.1699P. doi:10.1016/S0038-1101(02)00147-8.
  5. ↑ Lee, Yung-Huei; Linton, Tom; Wu, Ken; Mielke, Neal (May 2001). "PMOSFET विश्वसनीयता पर ट्रेंच एज का प्रभाव". Microelectronics Reliability. 41 (5): 689–696. doi:10.1016/S0026-2714(01)00002-6.


बाहरी संबंध

Stub icon

This electronics-related article is a stub. You can help Wikipedia by expanding it.

Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=शैलो_ट्रेंच_आइसोलेशन_(एसटीआई)&oldid=263097’