2N3055: Difference between revisions

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[[TO-3|टीओ-3]] कारक प्रकार में संवेष्टन किया गया, यह एक 15[[ एम्पेयर | एम्पेयर]], 60 [[ वाल्ट |वाल्ट]] (या अधिक, नीचे देखें), 115 [[ वाट |वाट]] विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र है जिसमें एक संग्राहक पर 20 से 70 का द्विध्रुवीय संधिस्थल प्रतिरोधान्तरित्र β (प्रगल्भ प्रवाह गेन) है। 4 ए का प्रवाह (कम प्रवाह पर परीक्षण करते समय यह 100 से अधिक हो सकता है)। <ref name="ON-2N3055-DS"/> इसमें प्रायः संक्रमण आवृत्ति लगभग 3.0 मेगाहर्ट्ज का प्रतिरोधान्तरित्र होता है और 6 मेगाहर्ट्ज 2N3055A के लिए विशिष्ट है; इस आवृत्ति पर परिकलित वर्तमान लाभ (बीटा) 1 तक गिर जाता है, जो दर्शाता है कि प्रतिरोधान्तरित्र अब [[सामान्य उत्सर्जक]] विन्यास में उपयोगी प्रवर्धन प्रदान नहीं कर सकता है। जिस आवृत्ति पर लाभ कम होना प्रारम्भ होता है वह बहुत कम हो सकता है, नीचे देखें।
[[TO-3|टीओ-3]] कारक प्रकार में संवेष्टन किया गया, यह एक 15[[ एम्पेयर | एम्पेयर]], 60 [[ वाल्ट |वाल्ट]] (या अधिक, नीचे देखें), 115 [[ वाट |वाट]] विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र है जिसमें एक संग्राहक पर 20 से 70 का द्विध्रुवीय संधिस्थल प्रतिरोधान्तरित्र β (प्रगल्भ प्रवाह गेन) है। 4 ए का प्रवाह (कम प्रवाह पर परीक्षण करते समय यह 100 से अधिक हो सकता है)। <ref name="ON-2N3055-DS"/> इसमें प्रायः परिवर्तन आवृत्ति लगभग 3.0 मेगाहर्ट्ज का प्रतिरोधान्तरित्र होता है और 6 मेगाहर्ट्ज 2N3055A के लिए विशिष्ट है; इस आवृत्ति पर परिकलित वर्तमान लाभ (बीटा) 1 तक गिर जाता है, जो दर्शाता है कि प्रतिरोधान्तरित्र अब [[सामान्य उत्सर्जक]] विन्यास में उपयोगी प्रवर्धन प्रदान नहीं कर सकता है। जिस आवृत्ति पर लाभ कम होना प्रारम्भ होता है वह बहुत कम हो सकता है, नीचे देखें।
  [[File:PowerTransistor 2N3055 1.jpg|right|thumb|2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र आंतरिक।]]
  [[File:PowerTransistor 2N3055 1.jpg|right|thumb|2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र आंतरिक।]]


===अधिकतम अनुमतांकन===
===अधिकतम अनुमतांकन===
2N3055 के लिए अधिकतम संग्राहक-से-उत्सर्जक वोल्टेज, अन्य प्रतिरोधान्तरित्र की तरह, प्रतिरोधान्तरित्र के आधार और उत्सर्जक के बीच बाहरी परिपथ द्वारा प्रदान किए गए प्रतिरोध पथ पर निर्भर करता है; 100 ओम के साथ 70 वोल्ट ब्रेकडाउन अनुमतांकन, v<sub>CER</sub>, और संग्राहक-उत्सर्जक सस्टेनिंग वोल्टेज, v<sub>CEO(sus)</sub>, [[सेमीकंडक्टर पर|अर्धचालक पर]] '''द्वारा दिया गया है'''। <ref name="ON-2N3055-DS"/> कभी-कभी 100 v<sub>CBO</sub> भंजन वोल्टता (संग्राहक और आधार के बीच अधिकतम वोल्टेज, उत्सर्जक खुला होने पर, व्यावहारिक परिपथ में एक अवास्तविक व्यवस्था) को एकमात्र वोल्टेज अनुमतांकन के रूप में दिया जाता है, जो भ्रम उत्पन्न कर सकता है। निर्माता संभवतः ही कभी v<sub>CES</sub> 2N3055 के लिए वोल्टता अनुमतांक निर्दिष्ट करते हैं।
2N3055 के लिए अधिकतम संग्राहक-से-उत्सर्जक वोल्टेज, अन्य प्रतिरोधान्तरित्र की तरह, प्रतिरोधान्तरित्र के आधार और उत्सर्जक के बीच बाहरी परिपथ द्वारा प्रदान किए गए प्रतिरोध पथ पर निर्भर करता है; 100 ओम के साथ 70 वोल्ट ब्रेकडाउन अनुमतांकन, v<sub>CER</sub>, और संग्राहक-उत्सर्जक सस्टेनिंग वोल्टेज, v<sub>CEO(sus)</sub>, [[सेमीकंडक्टर पर|अर्धचालक पर]] द्वारा दिया गया है। <ref name="ON-2N3055-DS"/> कभी-कभी 100 v<sub>CBO</sub> भंजन वोल्टता (संग्राहक और आधार के बीच अधिकतम वोल्टेज, उत्सर्जक खुला होने पर, व्यावहारिक परिपथ में एक अवास्तविक व्यवस्था) को एकमात्र वोल्टेज अनुमतांकन के रूप में दिया जाता है, जो भ्रम उत्पन्न कर सकता है। निर्माता संभवतः ही कभी v<sub>CES</sub> 2N3055 के लिए वोल्टता अनुमतांक निर्दिष्ट करते हैं।


कुल बिजली अपव्यय (लिखित P<sub>D</sub> अधिकांश अमेरिकी आंकड़ा पत्रक में, P<sub>tot</sub> यूरोपीय लोगों में) उस हीटसिंक पर निर्भर करता है जिससे 2N3055 जुड़ा हुआ है। अनंत हीटसिंक के साथ, यानी: जब कारक का तापमान 25 डिग्री होना निश्चित होता है, तो विद्युत अनुमतांकन लगभग 115 डब्ल्यू होती है (कुछ निर्माता 117 डब्ल्यू निर्दिष्ट करते हैं), लेकिन अधिकांश अनुप्रयोग (और निश्चित रूप से जब परिवेश का तापमान अधिक होता है) काफी कम होता है निर्माता के विद्युत व्युत्पन्न वक्र के अनुसार, विद्युत अनुमतांकन अपेक्षित होगी। डिवाइस को कुशल हीटसिंक के साथ संचालित करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, लेकिन डिवाइस को ठीक से माउंट करने का ध्यान रखा जाना चाहिए,<ref>{{cite web|last1=Roehr|first1=Bill|title=पावर सेमीकंडक्टर के लिए बढ़ते विचार|url=http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AN1040-D.PDF|publisher=ON Semiconductor|accessdate=31 October 2016|ref=AN1040/D}}</ref><ref>{{cite web|last1=Elliott|first1=Rod|title=हीटसिंक डिज़ाइन और ट्रांजिस्टर माउंटिंग|url=http://sound.whsites.net/heatsinks.htm|access-date=2016-10-31|archive-date=2019-07-21|archive-url=https://web.archive.org/web/20190721220450/http://sound.whsites.net/heatsinks.htm|url-status=dead}}</ref><ref>{{cite web|last1=Biagi|first1=Hubert|title=MOUNTING CONSIDERATIONS FOR TO-3 PACKAGES|url=http://www.ti.com/lit/an/sboa020/sboa020.pdf|publisher=Burr-Brown|accessdate=31 October 2016|ref=SBOA020}}</ref> अन्यथा शारीरिक क्षति या खराब विद्युत हैंडलिंग का परिणाम हो सकता है, विशेष रूप से ऐसे मामलों या हीटसिंक के साथ जो पूरी तरह से सपाट नहीं हैं।
कुल बिजली अपव्यय (लिखित P<sub>D</sub> अधिकांश अमेरिकी आंकड़ा पत्रक में, P<sub>tot</sub> यूरोपीय लोगों में) उस हीटसिंक पर निर्भर करता है जिससे 2N3055 जुड़ा हुआ है। अनंत हीटसिंक के साथ, यानी: जब कारक का तापमान 25 डिग्री होना निश्चित होता है, तो विद्युत अनुमतांकन लगभग 115 डब्ल्यू होती है (कुछ निर्माता 117 डब्ल्यू निर्दिष्ट करते हैं), लेकिन अधिकांश अनुप्रयोग (और निश्चित रूप से जब परिवेश का तापमान अधिक होता है) काफी कम होता है निर्माता के विद्युत व्युत्पन्न वक्र के अनुसार, विद्युत अनुमतांकन अपेक्षित होगी। उपकरण को कुशल हीटसिंक के साथ संचालित करने के लिए अभिकल्पित किया गया है, लेकिन उपकरण को ठीक से आलंबन करने का ध्यान रखा जाना चाहिए, <ref>{{cite web|last1=Roehr|first1=Bill|title=पावर सेमीकंडक्टर के लिए बढ़ते विचार|url=http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AN1040-D.PDF|publisher=ON Semiconductor|accessdate=31 October 2016|ref=AN1040/D}}</ref><ref>{{cite web|last1=Elliott|first1=Rod|title=हीटसिंक डिज़ाइन और ट्रांजिस्टर माउंटिंग|url=http://sound.whsites.net/heatsinks.htm|access-date=2016-10-31|archive-date=2019-07-21|archive-url=https://web.archive.org/web/20190721220450/http://sound.whsites.net/heatsinks.htm|url-status=dead}}</ref><ref>{{cite web|last1=Biagi|first1=Hubert|title=MOUNTING CONSIDERATIONS FOR TO-3 PACKAGES|url=http://www.ti.com/lit/an/sboa020/sboa020.pdf|publisher=Burr-Brown|accessdate=31 October 2016|ref=SBOA020}}</ref> अन्यथा शारीरिक क्षति या खराब विद्युत प्रबंधन का परिणाम हो सकता है, विशेष रूप से ऐसी स्तिथियों या हीटसिंक के साथ जो पूरी तरह से सपाट नहीं हैं।
[[File:2N3055 NPN Transistor.jpg|right|thumb|2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र एल्यूमीनियम हीट सिंक पर लगा हुआ है। एक [[अभ्रक]] इन्सुलेटर विद्युत रूप से प्रतिरोधान्तरित्र कारक को [[ ताप सिंक ]] से अलग करता है।]]
[[File:2N3055 NPN Transistor.jpg|right|thumb|2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र एल्यूमीनियम हीट सिंक पर लगा हुआ है। एक [[अभ्रक]] इन्सुलेटर विद्युत रूप से प्रतिरोधान्तरित्र कारक को [[ ताप सिंक ]] से अलग करता है।]]


===संक्रमण आवृत्ति, एफ<sub>T</sub>===
===परिवर्तन आवृत्ति, एफ<sub>T</sub>===
1967 आरसीए प्रतिरोधान्तरित्र मैनुअल, एससी-13, में 2एन3055 के लिए उच्च आवृत्ति प्रदर्शन के किसी भी उपाय का उल्लेख नहीं किया गया था; 1971 एससी-15 मैनुअल द्वारा एक संक्रमण आवृत्ति, एफ<sub>T</sub>, कम से कम 800 kHz निर्दिष्ट किया गया था (I पर)।<sub>C</sub> = 1 ए) और {{not a typo|f<sub>hfe</sub>}} (वह आवृत्ति जिस पर छोटे-सिग्नल का वर्तमान लाभ 3 डीबी तक गिर जाता है) को भी 1 ए पर न्यूनतम 10 किलोहर्ट्ज़ निर्दिष्ट किया गया था। इस समय के आसपास अन्य निर्माता भी समान मान निर्दिष्ट करेंगे (उदाहरण के लिए 1973 में फिलिप्स ने एफ<sub>T</sub> > 0.8 मेगाहर्ट्ज और {{not a typo|f<sub>hfe</sub>}} > उनके 2N3055 डिवाइस के लिए 15 kHz)।
1967 आरसीए प्रतिरोधान्तरित्र हस्तचालित, एससी-13, में 2एन3055 के लिए उच्च आवृत्ति प्रदर्शन के किसी भी उपाय का उल्लेख नहीं किया गया था; 1971 एससी-15 हस्तचालित द्वारा कम से कम 800 किलोहर्ट्ज़ की एक परिवर्तन आवृत्ति, ft निर्दिष्ट की गई थी (आईसी = 1 ए पर) और {{not a typo|f<sub>hfe</sub>}} (वह आवृत्ति जिस पर छोटे-संकेत वर्तमान लाभ 3 डीबी से गिरता है) भी 1 पर निर्दिष्ट किया गया था। A न्यूनतम 10 kHz होना चाहिए। इस समय के आसपास अन्य निर्माता भी समान मान निर्दिष्ट करेंगे (उदाहरण के लिए 1973 में फिलिप्स ने अपने 2N3055 उपकरण के लिए fT > 0.8 MHz और {{not a typo|f<sub>hfe</sub>}} > 15 kHz दिया था)।


1977 तक आरसीए ने एफ = 1 मेगाहर्ट्ज पर छोटे-सिग्नल लाभ के न्यूनतम परिमाण के लिए 2.5 देने के लिए अपने विनिर्देश को बदल दिया था, अनिवार्य रूप से न्यूनतम एफ दे रहा था<sub>T</sub> 2.5 मेगाहर्ट्ज (और उनके एमजे2955 के लिए 4 मेगाहर्ट्ज)। आधुनिक 2एन3055 आंकड़ा पत्रक प्रायः, लेकिन हमेशा नहीं, एफ निर्दिष्ट करते हैं<sub>T</sub> 2.5 मेगाहर्ट्ज (न्यूनतम) क्योंकि समय के साथ कुछ सुधार किए गए हैं (विशेषकर एपिटैक्सियल विनिर्माण प्रक्रिया की ओर कदम)। फिर भी, 2N3055 (और इस युग से उत्पन्न कई अन्य विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र) को महान उच्च-आवृत्ति प्रदर्शन नहीं माना जा सकता है और ऑडियो आवृत्ति रेंज के भीतर भी चरण-शिफ्ट और ओपन-लूप लाभ में गिरावट हो सकती है। 2N3055 के आधुनिक उत्तराधिकारी फास्ट-स्विचिंग परिपथ या हाई-एंड ऑडियो विद्युत एम्पलीफायरों में अधिक उपयुक्त हो सकते हैं।
आरसीए ने 1977 तक एफ = 1 मेगाहर्ट्ज पर छोटे-संकेत लाभ के न्यूनतम परिमाण के लिए 2.5 देने के लिए अपने विनिर्देश को बदल दिया था, अनिवार्य रूप से 2.5 मेगाहर्ट्ज का न्यूनतम एफटी (और उनके एमजे2955 के लिए 4 मेगाहर्ट्ज) दिया था। आधुनिक 2N3055 डेटाशीट प्रायः, लेकिन हमेशा नहीं, 2.5 मेगाहर्ट्ज (न्यूनतम) का एफटी निर्दिष्ट करते हैं क्योंकि समय के साथ कुछ सुधार किए गए हैं (विशेष रूप से एपिटैक्सियल विनिर्माण प्रक्रिया में बदलाव)। फिर भी, 2N3055 (और इस युग से उत्पन्न कई अन्य विद्युत् प्रतिरोधान्तरित्र) को महान उच्च-आवृत्ति प्रदर्शन नहीं माना जा सकता है और ऑडियो आवृत्ति क्षेत्र के भीतर भी कला विस्थापन और विवृत पाश लाभ में गिरावट हो सकती है। 2N3055 के आधुनिक उत्तराधिकारी द्रुत स्विचन परिपथ या उच्च अंत ऑडियो विद्युत् प्रवर्धक में अधिक उपयुक्त हो सकते हैं।


==इतिहास==
==इतिहास==
[[File:2N3055_RCA.JPG|right|thumb|आरसीए 2एन3055।]]ऐतिहासिक रूप से महत्वपूर्ण 2N3055 को आरसीए के साथ हर्ब मीसेल के इंजीनियरिंग समूह द्वारा डिजाइन किया गया था; यह एक डॉलर से कम में बिकने वाला पहला मल्टी-एम्प सिलिकॉन विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र था, और एक उद्योग वर्कहॉर्स मानक बन गया।<ref>{{cite web|last1=Ward|first1=Jack|title=Oral History – Herb Meisel|url=http://semiconductormuseum.com/Transistors/RCA/OralHistories/Meisel/Meisel_Page3.htm|accessdate=7 November 2016|page=3|date=2001}}</ref> 2N3054 और 2N3055 को मिल्ट ग्रिम्स द्वारा संवेष्टनेज रीडिज़ाइन के बाद 2N1486 और 2N1490 से प्राप्त किया गया था। डिजाइन, उत्पादन और एप्लिकेशन इंजीनियरों की टीम को 1965 में आरसीए इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट्स उपलब्धि पुरस्कार प्राप्त हुआ। 2N3055 रैखिक बिजली आपूर्ति में रैखिक नियामक # श्रृंखला नियामक के रूप में बहुत लोकप्रिय है और अभी भी मध्यम-[[विद्युत प्रवाह]] और उच्च-[[विद्युत शक्ति]] के लिए उपयोग किया जाता है। आम तौर पर कम आवृत्ति वाले विद्युत कन्वर्टर्स सहित परिपथ, हालांकि [[ऑडियो पावर एम्पलीफायर|ऑडियो विद्युत एम्पलीफायर]]ों और [[पावर इन्वर्टर|विद्युत इन्वर्टर]]|डीसी-से-एसी इनवर्टर में इसका उपयोग अब कम आम है और उच्च आवृत्ति वाले स्विच-मोड बिजली आपूर्ति|स्विच-मोड अनुप्रयोगों में इसका उपयोग कभी भी बहुत व्यावहारिक नहीं था। <!-- Discuss, name notable application specifically --> इसे अन्य निर्माताओं द्वारा [[दूसरा स्रोत]] बनाया गया था; [[ टेक्सस उपकरण ]]्स ने अगस्त 1967 की आंकड़ा पत्रक में डिवाइस के एकल-डिफ्यूज्ड [[ ट्रांजिस्टर टेबल | प्रतिरोधान्तरित्र टेबल]] को सूचीबद्ध किया।<ref>''The Power Semiconductor Data Book for Design Engineers First Edition'', Texas Instruments Incorporated, publication no. CC-404 70977-22-IS, no date, page 5–75</ref> एक सीमा यह थी कि इसकी आवृत्ति प्रतिक्रिया कम थी (आमतौर पर एकता-लाभ आवृत्ति या संक्रमण आवृत्ति, एफ<sub>T</sub>, 1 मेगाहर्ट्ज था)। हालाँकि यह अधिकांश कम-आवृत्ति वर्कहॉर्स अनुप्रयोगों के लिए पर्याप्त था, और 1970 के आसपास अन्य उच्च शक्ति प्रतिरोधान्तरित्र के बराबर, इसने 20 kHz के आसपास उच्च निष्ठा विद्युत एम्पलीफायर डिजाइनों में कुछ कठिनाई ला दी, क्योंकि लाभ कम होने लगता है और चरण बदलाव बढ़ जाता है।
[[File:2N3055_RCA.JPG|right|thumb|आरसीए 2एन3055।]]ऐतिहासिक रूप से महत्वपूर्ण 2N3055 को आरसीए के साथ हर्ब मीसेल के इंजीनियरिंग समूह द्वारा अभिकल्पित किया गया था; यह एक डॉलर से कम में बिकने वाला पहला बहु-एम्प सिलिकॉन विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र था, और एक उद्योग वर्कहॉर्स मानक बन गया। <ref>{{cite web|last1=Ward|first1=Jack|title=Oral History – Herb Meisel|url=http://semiconductormuseum.com/Transistors/RCA/OralHistories/Meisel/Meisel_Page3.htm|accessdate=7 November 2016|page=3|date=2001}}</ref> 2N3054 और 2N3055 को मिल्ट ग्रिम्स द्वारा संवेष्टनेज रीअभिकल्पित के बाद 2N1486 और 2N1490 से प्राप्त किया गया था। अभिकल्पना, उत्पादन और एप्लिकेशन इंजीनियरों की टीम को 1965 में आरसीए इलेक्ट्रॉनिक घटक उपलब्धि पुरस्कार प्राप्त हुआ। 2N3055 रैखिक बिजली आपूर्ति में रैखिक नियामक के रूप में बहुत लोकप्रिय है और अभी भी मध्यम-[[विद्युत प्रवाह]] और उच्च-[[विद्युत शक्ति]] के लिए उपयोग किया जाता है। सामान्यतः कम आवृत्ति वाले विद्युत परिवर्तक सहित परिपथ, हालांकि [[ऑडियो पावर एम्पलीफायर|ऑडियो विद्युत]] प्रवर्धक और डीसी-से-एसी अंतर्वर्ती में इसका उपयोग अब कम सामान्य है और उच्च आवृत्ति वाले स्विच-मोड अनुप्रयोगों में इसका उपयोग कभी भी बहुत व्यावहारिक नहीं था। इसे अन्य निर्माताओं द्वारा [[दूसरा स्रोत|द्वितीय स्त्रोत]] बनाया गया था; [[ टेक्सस उपकरण ]]ने अगस्त 1967 की आंकड़ा पत्रक में उपकरण के एकल-विसरित[[ ट्रांजिस्टर टेबल | प्रतिरोधान्तरित्र सूची]] को सूचीबद्ध किया। <ref>''The Power Semiconductor Data Book for Design Engineers First Edition'', Texas Instruments Incorporated, publication no. CC-404 70977-22-IS, no date, page 5–75</ref> एक सीमा यह थी कि इसकी आवृत्ति प्रतिक्रिया कम थी (सामान्यतः एकता-लाभ आवृत्ति या परिवर्तन आवृत्ति, f<sub>T</sub>, 1 मेगाहर्ट्ज था)। हालाँकि यह अधिकांश कम-आवृत्ति वर्कहॉर्स अनुप्रयोगों के लिए पर्याप्त था, और 1970 के आसपास अन्य उच्च शक्ति प्रतिरोधान्तरित्र के बराबर, इसने 20 kHz के आसपास उच्च निष्ठा विद्युत प्रवर्धक अभिकल्पना में कुछ कठिनाई ला दी, क्योंकि लाभ कम होने लगता है और चरण बदलाव बढ़ जाता है।


=== 1970 के दशक के मध्य ===
=== 1970 के दशक के मध्य ===
अर्धचालक विनिर्माण प्रौद्योगिकी में परिवर्तन के साथ, मूल प्रक्रिया <!--mesa?--> 1970 के दशक के मध्य में आर्थिक रूप से अप्रतिस्पर्धी हो गया, और एपिटैक्सी आधार तकनीक का उपयोग करके एक समान उपकरण बनाया गया।<ref name=ieee48_11_2477/>इस उपकरण की अधिकतम वोल्टेज और वर्तमान अनुमतांकन मूल के समान है, लेकिन यह सुरक्षित संचालन क्षेत्र#दूसरा ब्रेकडाउन से प्रतिरक्षित नहीं है; विद्युत हैंडलिंग (सुरक्षित संचालन क्षेत्र) उच्च वोल्टेज पर मूल से कम धारा तक सीमित है।<ref name=ieee48_11_2477/>हालाँकि, कट-ऑफ आवृत्ति अधिक है, जिससे नए प्रकार का 2N3055 उच्च आवृत्तियों पर अधिक कुशल हो जाता है। इसके अलावा ऑडियो एम्पलीफायरों में उपयोग किए जाने पर उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया ने प्रदर्शन में सुधार किया है।<ref name=ieee48_11_2477/>
अर्धचालक विनिर्माण प्रौद्योगिकी में परिवर्तन के साथ, मूल प्रक्रिया 1970 के दशक के मध्य में आर्थिक रूप से अप्रतिस्पर्धी हो गया, और एपिटैक्सी आधार तकनीक का उपयोग करके एक समान उपकरण बनाया गया।<ref name=ieee48_11_2477/>इस उपकरण की अधिकतम वोल्टेज और वर्तमान अनुमतांकन मूल के समान है, लेकिन यह सुरक्षित संचालन क्षेत्र#दूसरा ब्रेकडाउन से प्रतिरक्षित नहीं है; विद्युत प्रबंधन (सुरक्षित संचालन क्षेत्र) उच्च वोल्टेज पर मूल से कम धारा तक सीमित है।<ref name=ieee48_11_2477/>हालाँकि, कट-ऑफ आवृत्ति अधिक है, जिससे नए प्रकार का 2N3055 उच्च आवृत्तियों पर अधिक कुशल हो जाता है। इसके अतिरिक्त ऑडियो प्रवर्धक में उपयोग किए जाने पर उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया ने प्रदर्शन में सुधार किया है।<ref name=ieee48_11_2477/>


यद्यपि मूल 2एन3055 उच्च विनिर्माण लागत के कारण एपिटैक्सियल-आधार प्रतिरोधान्तरित्र के सापेक्ष गिरावट में चला गया, एपिटैक्सियल-आधार प्रतिरोधान्तरित्र <!-- Although A declined relative to B, B continued to be used??? --> संस्करण का उपयोग रैखिक एम्पलीफायरों और स्विचिंग आपूर्ति दोनों में जारी रखा गया।<ref name=ieee48_11_2477/>  
यद्यपि मूल 2एन3055 उच्च विनिर्माण लागत के कारण एपिटैक्सियल-आधार प्रतिरोधान्तरित्र के सापेक्ष गिरावट में चला गया, एपिटैक्सियल-आधार प्रतिरोधान्तरित्र संस्करण का उपयोग रैखिक प्रवर्धक और स्विचन आपूर्ति दोनों में जारी रखा गया। <ref name=ieee48_11_2477/>  
2N3055 के कई संस्करण उत्पादन में हैं; इसका उपयोग ऑडियो विद्युत एम्पलीफायरों में 40 W तक की शक्ति प्रदान करने में किया जाता है {{nowrap|8 ohm}} भार<ref>{{cite book
 
2N3055 के कई संस्करण उत्पादन में हैं; इसका उपयोग ऑडियो विद्युत प्रवर्धक में कर्षापकर्ष आउटपुट समाकृति में 40 W को {{nowrap|8 ohm}} भार तक की शक्ति प्रदान करने में किया जाता है। <ref>{{cite book
  | author=IOSS Group | page=52&ndash;53 | volume=1 | year=2008
  | author=IOSS Group | page=52&ndash;53 | volume=1 | year=2008
  | title=IOSS Applications Electronic Audio Circuits Sourcebook
  | title=IOSS Applications Electronic Audio Circuits Sourcebook
  | url=https://books.google.com/books?id=me-cb2bnHB4C&pg=PA52
  | url=https://books.google.com/books?id=me-cb2bnHB4C&pg=PA52
  | accessdate=2011-03-25 | isbn=978-1-4404-7195-7 }}</ref> पुश-पुल आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन में।
  | accessdate=2011-03-25 | isbn=978-1-4404-7195-7 }}</ref>  


==संबंधित उपकरण==
==संबंधित उपकरण==
{{More citations needed section|date=August 2020}}
उच्च वोल्टेज अनुमतांकन वाले परिवर्ती (उदाहरण के लिए 2N3055HV, 100 V<sub>ceo</sub> अनुमतांकन के साथ), 2N3055-चिह्नित के बीच अनुमतांकन में सामान्य बदलाव (जैसे 115 या 117 वाट की बिजली अपव्यय) के अतिरिक्त, विभिन्न कारक सामग्री या प्रकार (जैसे स्टील, एल्यूमीनियम, या धातु टैब के साथ प्लास्टिक), और अन्य विविधताएं उपस्थित हैं।


उच्च वोल्टेज अनुमतांकन वाले वेरिएंट (उदाहरण के लिए 2N3055HV, 100 V के साथ)<sub>ceo</sub> अनुमतांकन), 2N3055-चिह्नित के बीच अनुमतांकन में मामूली बदलाव (जैसे 115 या 117 वाट की बिजली अपव्यय) के अलावा, विभिन्न कारक सामग्री या प्रकार (जैसे स्टील, एल्यूमीनियम, या धातु टैब के साथ प्लास्टिक), और अन्य विविधताएं मौजूद हैं। आरसीए के मूल के बाद से विभिन्न निर्माताओं के उपकरण।
एक एमजे2955 ([[पीएनपी ट्रांजिस्टर|पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र]]) (2एन2955 के साथ भ्रमित न हों जो एक छोटा संकेत पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र है), <ref>{{cite book |title=क्लूवर्स इंटरनेशनल ट्रांजिस्टर गाइड|date=1991 |publisher=Kluwer Technische Boeken B.V. |isbn=9020125192 |page=55 |edition=4}}</ref> जिसे आज एपीटैक्सीय प्रक्रिया का उपयोग करके भी निर्मित किया जाता है, 2एन3055 का एक पूरक प्रतिरोधान्तरित्र है।


एक एमजे2955 ([[पीएनपी ट्रांजिस्टर|पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र]]) (2एन2955 के साथ भ्रमित न हों जो एक छोटा सिग्नल पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र है <ref>{{cite book |title=क्लूवर्स इंटरनेशनल ट्रांजिस्टर गाइड|date=1991 |publisher=Kluwer Technische Boeken B.V. |isbn=9020125192 |page=55 |edition=4}}</ref>)), जिसे आज एपिटैक्सियल प्रक्रिया का उपयोग करके भी निर्मित किया जाता है, 2एन3055 का एक पूरक प्रतिरोधान्तरित्र है।
साठ के दशक और सत्तर के दशक के प्रारम्भ में, फिलिप्स ने संदर्भ BDY20 (हाईफाई उद्देश्यों के लिए वर्णित) और BDY38 (हालांकि BDY38 की वोल्टेज अनुमतांकन 2N3055 की तुलना में कम है) के अंतर्गत टीओ-3 संवेष्टनेज में संलग्न समान उपकरणों का उत्पादन किया।
 
साठ के दशक और सत्तर के दशक की शुरुआत में, फिलिप्स ने संदर्भ BDY20 (hifi उद्देश्यों के लिए वर्णित) और BDY38 (हालांकि BDY38 की वोल्टेज अनुमतांकन 2N3055 की तुलना में कम है) के तहत टीओ-3 संवेष्टनेज में संलग्न समान उपकरणों का उत्पादन किया।


2N3055 का टीओ-3 P (प्लास्टिक कारक) संस्करण और इसका पूरक उपकरण MJ2955 क्रमशः TIP3055 और TIP2955 के रूप में उपलब्ध हैं, जिनमें बिजली अपव्यय अनुमतांकन थोड़ी कम है।
2N3055 का टीओ-3 P (प्लास्टिक कारक) संस्करण और इसका पूरक उपकरण MJ2955 क्रमशः TIP3055 और TIP2955 के रूप में उपलब्ध हैं, जिनमें बिजली अपव्यय अनुमतांकन थोड़ी कम है।


10 amp (15 amp पीक), 80 वॉट TIP33 (NPN) और TIP34 (PNP) क्रमशः 2N3055 और MJ2955 के समान विशेषताओं वाले प्लास्टिक-आवरण वाले प्रतिरोधान्तरित्र हैं, और 40/60/80/100 V के वेरिएंट में उपलब्ध हैं।<sub>ceo</sub> भंजन वोल्टता अनुमतांकन।
10 amp (15 amp पीक), 80 वॉट TIP33 (एनपीएन) और TIP34 (पीएनपी) क्रमशः 2N3055 और MJ2955 के समान विशेषताओं वाले प्लास्टिक-आवरण वाले प्रतिरोधान्तरित्र हैं, और 40/60/80/100 V<sub>ceo</sub> भंजन वोल्टता अनुमतांकन के परिवर्ती में उपलब्ध हैं।


टीओ-3 कारक के साथ 2N3773 का लाभ थोड़ा कम है लेकिन अधिकतम अनुमतांकन काफी अधिक है (150 W, 140 V)<sub>ceo</sub>, 16 एम्पीयर)।
टीओ-3 कारक के साथ 2N3773 का लाभ थोड़ा कम है लेकिन अधिकतम अनुमतांकन (150 W, 140 V<sub>ceo</sub>, 16 amps) काफी अधिक है।


2N3054, 2N3055 का बहुत कम विद्युत संस्करण है, जिसे 25 W, 55 V और 4 A पर रेट किया गया है, लेकिन 1980 के दशक के अंत में यह लगभग अप्रचलित हो गया जब कई [[TO-66|टीओ-66]] उपकरणों को मुख्यधारा के निर्माताओं की सूची से वापस ले लिया गया। कई मामलों में [[TO-220|टीओ-220]] संवेष्टनेज्ड संस्करण, जैसे MJE3055T, का उपयोग 2N3054 के साथ-साथ कुछ 2N3055 अनुप्रयोगों में भी किया जा सकता है।
2N3054, 2N3055 का बहुत कम विद्युत संस्करण है, जिसे 25 W, 55 V और 4 A पर अनुपात किया गया है, लेकिन 1980 के दशक के अंत में यह लगभग अप्रचलित हो गया जब कई [[TO-66|टीओ-66]] उपकरणों को मुख्यधारा के निर्माताओं की सूची से वापस ले लिया गया। कई स्तिथियों में [[TO-220|टीओ-220]] संवेष्टनेज्ड संस्करण, जैसे MJE3055T, का उपयोग 2N3054 के साथ-साथ कुछ 2N3055 अनुप्रयोगों में भी किया जा सकता है।


[[File:Tesla KD503 transistor.jpg|right|thumb|एक टेस्ला KD503 प्रतिरोधान्तरित्र]]KD503 [[पूर्वी ब्लॉक]] देशों में उपयोग किया जाने वाला एक उच्च शक्ति समकक्ष है, और सामान्य प्रयोजन अनुप्रयोगों के लिए है। इसका उत्पादन विशेष रूप से [[चेकोस्लोवाकिया]]ई इलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी [[टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी)]] द्वारा किया गया था। KD503 को टीओ-3 कारक प्रकार (टेस्ला द्वारा T41 कहा जाता है) में संवेष्टन किया गया है, यह एक 20 एम्पीयर, 80 वोल्ट, 150 वॉट विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र है। इसमें 2.0 मेगाहर्ट्ज का गेन-बैंडविड्थ उत्पाद # प्रतिरोधान्तरित्र है। KD503 में 2N3055 की तुलना में अधिक शक्ति और अधिक प्रवाह है।<ref>{{cite web |title=2N3055, MJ2955, Complementary power transistors |url=https://www.st.com/resource/en/datasheet/CD00000895.pdf |website=STMicroelectronics}}</ref> चेकोस्लोवाकियाई टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी), [[पोलैंड]] [[ इकाइयों ]] द्वारा बनाए गए ऑडियो विद्युत एम्पलीफायरों में पूर्व पूर्वी ब्लॉक देशों में इनका बड़े पैमाने पर उपयोग किया गया था।
[[File:Tesla KD503 transistor.jpg|right|thumb|एक टेस्ला KD503 प्रतिरोधान्तरित्र]]KD503 [[पूर्वी ब्लॉक]] देशों में उपयोग किया जाने वाला एक उच्च शक्ति समकक्ष है, और सामान्य प्रयोजन अनुप्रयोगों के लिए है। इसका उत्पादन विशेष रूप से [[चेकोस्लोवाकिया]]ई इलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी [[टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी)]] द्वारा किया गया था। KD503 को टीओ-3 कारक प्रकार (टेस्ला द्वारा T41 कहा जाता है) में संवेष्टन किया गया है, यह एक 20 एम्पीयर, 80 वोल्ट, 150 वॉट विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र है। इसमें 2.0 मेगाहर्ट्ज का गेन-बैंडविड्थ उत्पाद है। KD503 में 2N3055 की तुलना में अधिक शक्ति और अधिक प्रवाह है। <ref>{{cite web |title=2N3055, MJ2955, Complementary power transistors |url=https://www.st.com/resource/en/datasheet/CD00000895.pdf |website=STMicroelectronics}}</ref> चेकोस्लोवाकियाई टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी), [[पोलैंड]] [[ इकाइयों |इकाइयों]] द्वारा बनाए गए ऑडियो विद्युत प्रवर्धक में पूर्व पूर्वी ब्लॉक देशों में इनका बड़े मापक्रम पर उपयोग किया गया था।


{|class="wikitable sortable"
{|class="wikitable sortable"
|+ Comparison of specifications
|+ विशिष्टताओं की तुलना
|-
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!device
!उपकरण
!उत्पादक
!उत्पादक
!type
!प्रकार
!case/package
!विभक्ति/संवेष्टक
!V<sub>ceo(BR)</sub>
!V<sub>ceo(BR)</sub>
!I<sub>c</sub><small> (continuous)</small>
!I<sub>c</sub><small> (continuous)</small>
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|-
|-
!2N3055
!2N3055
!RCA 1977<ref>{{cite book|title=RCA Power Devices|date=1977|publisher=RCA Corporation}}</ref><br />ON अर्धचालक 2005
!आरसीए 1977<ref>{{cite book|title=RCA Power Devices|date=1977|publisher=RCA Corporation}}</ref><br />ON अर्धचालक 2005
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3 (=टीओ-204AA)
|टीओ-3 (=टीओ-204AA)
|60&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
|60&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
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!2N3055G
!2N3055G
!ON अर्धचालक 2005
!ON अर्धचालक 2005
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3 (Lead-free)
|टीओ-3 (Lead-free)
|60&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
|60&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
Line 153: Line 152:
|-
|-
!2N3055H
!2N3055H
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|60V<sub>CEO(sus)</sub>
|60V<sub>CEO(sus)</sub>
Line 163: Line 162:
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|-
!2N3055HV
!2N3055HV
!CDIL
!सीडीआईएल
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|100&nbsp;V
|100&nbsp;V
Line 173: Line 172:
|-
|-
!2N3772
!2N3772
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|60&nbsp;V
|60&nbsp;V
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|-
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!2N3773
!2N3773
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|140V
|140V
Line 193: Line 192:
|-
|-
!2N6253
!2N6253
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|45&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
|45&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
Line 203: Line 202:
|-
|-
!2N6254
!2N6254
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|80V<sub>CEO(sus)</sub>
|80V<sub>CEO(sus)</sub>
Line 213: Line 212:
|-
|-
!2N6371
!2N6371
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|40V<sub>CEO(sus)</sub>
|40V<sub>CEO(sus)</sub>
Line 224: Line 223:
!2N6371HV
!2N6371HV
! Transys
! Transys
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|100&nbsp;V
|100&nbsp;V
Line 234: Line 233:
!BDP620
!BDP620
!UNITRA CEMI
!UNITRA CEMI
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|60&nbsp;V
|60&nbsp;V
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|-
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!KD502
!KD502
!Tesla
!टेस्ला
|NPN
|एनपीएन
|''T41'' case
|''टी41'' case
|60&nbsp;V
|60&nbsp;V
|20&nbsp;A
|20&nbsp;A
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|-
!KD503
!KD503
!Tesla<ref>{{cite web | title=Tesla transistors:Tesla transistors datasheet | work=Tesla Transistors  | publisher=Tesla | url=http://unitraklub.pl/webfm_send/794 | accessdate=2015-12-15  |date=1980}}</ref>
!टेस्ला<ref>{{cite web | title=Tesla transistors:Tesla transistors datasheet | work=Tesla Transistors  | publisher=Tesla | url=http://unitraklub.pl/webfm_send/794 | accessdate=2015-12-15  |date=1980}}</ref>
|NPN
|एनपीएन
|''T41'' case
|''टी41'' case
|80&nbsp;V
|80&nbsp;V
|20&nbsp;A
|20&nbsp;A
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|-
!KD3055
!KD3055
!Tesla
!टेस्ला
|NPN
|एनपीएन
|''T42'' case
|''टी42'' case
|60&nbsp;V
|60&nbsp;V
|15&nbsp;A
|15&nbsp;A
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|-
|-
!KD3442
!KD3442
!Tesla
!टेस्ला
|NPN
|एनपीएन
|''T42'' case
|''टी42'' case
|140&nbsp;V
|140&nbsp;V
|10&nbsp;A
|10&nbsp;A
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!MJ2955A
!MJ2955A
!Motorola
!मोटोरोला
|PNP
|पीएनपी
|टीओ-3
|टीओ-3
|60&nbsp;V
|60&nbsp;V
Line 294: Line 293:
!MJ15015G
!MJ15015G
!ON अर्धचालक
!ON अर्धचालक
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|120&nbsp;V
|120&nbsp;V
Line 304: Line 303:
!MJ15016G
!MJ15016G
!On अर्धचालक
!On अर्धचालक
|PNP
|पीएनपी
|टीओ-3
|टीओ-3
|120&nbsp;V
|120&nbsp;V
Line 313: Line 312:
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|-
!MJE2955T
!MJE2955T
!Fairchild,<small><br />Central अर्धचालक Corp.</small>
!फेयरचाइल्ड,
|PNP
सेंट्रल अर्धचालक निगम
|पीएनपी
|टीओ-220
|टीओ-220
|60V<sub>CEO(sus)</sub>
|60V<sub>CEO(sus)</sub>
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|-
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!MJE3055T
!MJE3055T
!Fairchild,<small><br />Central अर्धचालक Corp.</small>
!फेयरचाइल्ड,
|NPN
सेंट्रल अर्धचालक निगम
|एनपीएन
|टीओ-220
|टीओ-220
|60&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
|60&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
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!RCS617  
!RCS617  
!RCA
!आरसीए
|NPN
|एनपीएन
|टीओ-3
|टीओ-3
|80&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
|80&nbsp;V<sub>CEO(sus)</sub>
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!TIP2955
!TIP2955
!Texas Instr,<br /><small>Central अर्धचालक Corp</small>
!टेक्सास इंस्ट्र,
|PNP
फिलिप्स,
 
सेंट्रल अर्धचालक निगम
|पीएनपी
|टीओ-218AA/SOT-93
|टीओ-218AA/SOT-93
|70&nbsp;V<sub>CER</sub> <small>(RBE <= 100 Ohms)</small>
|70&nbsp;V<sub>CER</sub> <small>(RBE <= 100 Ohms)</small>
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!TIP2955
!TIP2955
!Motorola
!मोटोरोला
|PNP
|पीएनपी
|''340D-02'' plastic
|''340D-02'' plastic
|60&nbsp;V<sub>CEO</sub><br />70V<sub>CER</sub> <small>(RBE = 100 Ohms)</small>
|60&nbsp;V<sub>CEO</sub><br />70V<sub>CER</sub> <small>(RBE = 100 Ohms)</small>
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!TIP3055
!TIP3055
!Texas Instr,<br /><small>Philips,<br />Central अर्धचालक Corp</small>
!टेक्सास इंस्ट्र,
|NPN
फिलिप्स,
 
सेंट्रल अर्धचालक निगम
|एनपीएन
|टीओ-218AA/SOT-93
|टीओ-218AA/SOT-93
|70&nbsp;V<sub>CER</sub> <small>(RBE <= 100 Ohms)</small>
|70&nbsp;V<sub>CER</sub> <small>(RBE <= 100 Ohms)</small>
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!TIP3055
!TIP3055
!Motorola
!मोटोरोला
|NPN
|एनपीएन
|''340D-02'' plastic
|''340D-02'' plastic
|60V<sub>CEO</sub><br />70V<sub>CER</sub> <small>(RBE = 100 Ohms)</small>
|60V<sub>CEO</sub><br />70V<sub>CER</sub> <small>(RBE = 100 Ohms)</small>
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* Datasheets from [http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000895.pdf ST] and [http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N3055-D.PDF ON]
* Datasheets from [http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000895.pdf ST] and [http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N3055-D.PDF ON]
* Datasheet [http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/K/D/5/0/KD503.shtml KD503 Datasheetcatalog]
* Datasheet [http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/K/D/5/0/KD503.shtml KD503 Datasheetcatalog]
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Latest revision as of 11:57, 20 October 2023

2N3055 एक सिलिकॉन [एनपीएन प्रतिरोधान्तरित्र विद्युत अर्धचालक उपकरण प्रतिरोधान्तरित्र है जो सामान्य प्रयोजन अनुप्रयोगों के लिए है। इसे 1960 के दशक के प्रारम्भ में आरसीए द्वारा एक गृहकर विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र प्रक्रिया का उपयोग करके प्रस्तुत किया गया था, जिसे 1970 के दशक के मध्य में एक एपीटैक्सीय आधार में परिवर्तित किया गया था। [1] इसकी नंबरिंग जेईडीईसी मानक का पालन करती है। [2] यह एक स्थायी लोकप्रियता वाला प्रतिरोधान्तरित्र प्रकार है। पी. होरोविट्ज़; डब्ल्यू हिल (2001). इलेक्ट्रॉनिक्स की कला (2nd ed.). कैम्ब्रिज यूनिवर्सिटी प्रेस. p. 321. ISBN 978-0-521-37095-0. हमेशा लोकप्रिय 2N3055 [3][4]

विभिन्न निर्माताओं से 2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र।

विनिर्देश

सटीक प्रदर्शन विशेषताएँ निर्माता और तारीख पर निर्भर करती हैं; 1970 के दशक के मध्य में एपिटैक्सियल आधार संस्करण में जाने से पहले fT उदाहरण के लिए, 0.8 मेगाहर्ट्ज जितना कम हो सकता है।

उत्पादक दिनांक VCEO VCBO VCER (100 ओम्स) IC IB PD @ TC=25 deg. hfe (स्पंदित परीक्षण) fT
आरसीए 1967 60 VCEO(sus) 100 VCBO 70 VCER(sus) 15 A 7 A 115 W 20–70 (at IC = 4 Apulsed) नहीं दिया
अर्धचालक 2005[5] 60 VCEO 100 VCBO 70 VCER 15 A (अविच्छिन्न) 7 A 115 W 20–70 (at IC = 4 A) 2.5 MHz

टीओ-3 कारक प्रकार में संवेष्टन किया गया, यह एक 15 एम्पेयर, 60 वाल्ट (या अधिक, नीचे देखें), 115 वाट विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र है जिसमें एक संग्राहक पर 20 से 70 का द्विध्रुवीय संधिस्थल प्रतिरोधान्तरित्र β (प्रगल्भ प्रवाह गेन) है। 4 ए का प्रवाह (कम प्रवाह पर परीक्षण करते समय यह 100 से अधिक हो सकता है)। [5] इसमें प्रायः परिवर्तन आवृत्ति लगभग 3.0 मेगाहर्ट्ज का प्रतिरोधान्तरित्र होता है और 6 मेगाहर्ट्ज 2N3055A के लिए विशिष्ट है; इस आवृत्ति पर परिकलित वर्तमान लाभ (बीटा) 1 तक गिर जाता है, जो दर्शाता है कि प्रतिरोधान्तरित्र अब सामान्य उत्सर्जक विन्यास में उपयोगी प्रवर्धन प्रदान नहीं कर सकता है। जिस आवृत्ति पर लाभ कम होना प्रारम्भ होता है वह बहुत कम हो सकता है, नीचे देखें।

2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र आंतरिक।

अधिकतम अनुमतांकन

2N3055 के लिए अधिकतम संग्राहक-से-उत्सर्जक वोल्टेज, अन्य प्रतिरोधान्तरित्र की तरह, प्रतिरोधान्तरित्र के आधार और उत्सर्जक के बीच बाहरी परिपथ द्वारा प्रदान किए गए प्रतिरोध पथ पर निर्भर करता है; 100 ओम के साथ 70 वोल्ट ब्रेकडाउन अनुमतांकन, vCER, और संग्राहक-उत्सर्जक सस्टेनिंग वोल्टेज, vCEO(sus), अर्धचालक पर द्वारा दिया गया है। [5] कभी-कभी 100 vCBO भंजन वोल्टता (संग्राहक और आधार के बीच अधिकतम वोल्टेज, उत्सर्जक खुला होने पर, व्यावहारिक परिपथ में एक अवास्तविक व्यवस्था) को एकमात्र वोल्टेज अनुमतांकन के रूप में दिया जाता है, जो भ्रम उत्पन्न कर सकता है। निर्माता संभवतः ही कभी vCES 2N3055 के लिए वोल्टता अनुमतांक निर्दिष्ट करते हैं।

कुल बिजली अपव्यय (लिखित PD अधिकांश अमेरिकी आंकड़ा पत्रक में, Ptot यूरोपीय लोगों में) उस हीटसिंक पर निर्भर करता है जिससे 2N3055 जुड़ा हुआ है। अनंत हीटसिंक के साथ, यानी: जब कारक का तापमान 25 डिग्री होना निश्चित होता है, तो विद्युत अनुमतांकन लगभग 115 डब्ल्यू होती है (कुछ निर्माता 117 डब्ल्यू निर्दिष्ट करते हैं), लेकिन अधिकांश अनुप्रयोग (और निश्चित रूप से जब परिवेश का तापमान अधिक होता है) काफी कम होता है निर्माता के विद्युत व्युत्पन्न वक्र के अनुसार, विद्युत अनुमतांकन अपेक्षित होगी। उपकरण को कुशल हीटसिंक के साथ संचालित करने के लिए अभिकल्पित किया गया है, लेकिन उपकरण को ठीक से आलंबन करने का ध्यान रखा जाना चाहिए, [6][7][8] अन्यथा शारीरिक क्षति या खराब विद्युत प्रबंधन का परिणाम हो सकता है, विशेष रूप से ऐसी स्तिथियों या हीटसिंक के साथ जो पूरी तरह से सपाट नहीं हैं।

2N3055 प्रतिरोधान्तरित्र एल्यूमीनियम हीट सिंक पर लगा हुआ है। एक अभ्रक इन्सुलेटर विद्युत रूप से प्रतिरोधान्तरित्र कारक को ताप सिंक से अलग करता है।

परिवर्तन आवृत्ति, एफT

1967 आरसीए प्रतिरोधान्तरित्र हस्तचालित, एससी-13, में 2एन3055 के लिए उच्च आवृत्ति प्रदर्शन के किसी भी उपाय का उल्लेख नहीं किया गया था; 1971 एससी-15 हस्तचालित द्वारा कम से कम 800 किलोहर्ट्ज़ की एक परिवर्तन आवृत्ति, ft निर्दिष्ट की गई थी (आईसी = 1 ए पर) और fhfe (वह आवृत्ति जिस पर छोटे-संकेत वर्तमान लाभ 3 डीबी से गिरता है) भी 1 पर निर्दिष्ट किया गया था। A न्यूनतम 10 kHz होना चाहिए। इस समय के आसपास अन्य निर्माता भी समान मान निर्दिष्ट करेंगे (उदाहरण के लिए 1973 में फिलिप्स ने अपने 2N3055 उपकरण के लिए fT > 0.8 MHz और fhfe > 15 kHz दिया था)।

आरसीए ने 1977 तक एफ = 1 मेगाहर्ट्ज पर छोटे-संकेत लाभ के न्यूनतम परिमाण के लिए 2.5 देने के लिए अपने विनिर्देश को बदल दिया था, अनिवार्य रूप से 2.5 मेगाहर्ट्ज का न्यूनतम एफटी (और उनके एमजे2955 के लिए 4 मेगाहर्ट्ज) दिया था। आधुनिक 2N3055 डेटाशीट प्रायः, लेकिन हमेशा नहीं, 2.5 मेगाहर्ट्ज (न्यूनतम) का एफटी निर्दिष्ट करते हैं क्योंकि समय के साथ कुछ सुधार किए गए हैं (विशेष रूप से एपिटैक्सियल विनिर्माण प्रक्रिया में बदलाव)। फिर भी, 2N3055 (और इस युग से उत्पन्न कई अन्य विद्युत् प्रतिरोधान्तरित्र) को महान उच्च-आवृत्ति प्रदर्शन नहीं माना जा सकता है और ऑडियो आवृत्ति क्षेत्र के भीतर भी कला विस्थापन और विवृत पाश लाभ में गिरावट हो सकती है। 2N3055 के आधुनिक उत्तराधिकारी द्रुत स्विचन परिपथ या उच्च अंत ऑडियो विद्युत् प्रवर्धक में अधिक उपयुक्त हो सकते हैं।

इतिहास

आरसीए 2एन3055।

ऐतिहासिक रूप से महत्वपूर्ण 2N3055 को आरसीए के साथ हर्ब मीसेल के इंजीनियरिंग समूह द्वारा अभिकल्पित किया गया था; यह एक डॉलर से कम में बिकने वाला पहला बहु-एम्प सिलिकॉन विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र था, और एक उद्योग वर्कहॉर्स मानक बन गया। [9] 2N3054 और 2N3055 को मिल्ट ग्रिम्स द्वारा संवेष्टनेज रीअभिकल्पित के बाद 2N1486 और 2N1490 से प्राप्त किया गया था। अभिकल्पना, उत्पादन और एप्लिकेशन इंजीनियरों की टीम को 1965 में आरसीए इलेक्ट्रॉनिक घटक उपलब्धि पुरस्कार प्राप्त हुआ। 2N3055 रैखिक बिजली आपूर्ति में रैखिक नियामक के रूप में बहुत लोकप्रिय है और अभी भी मध्यम-विद्युत प्रवाह और उच्च-विद्युत शक्ति के लिए उपयोग किया जाता है। सामान्यतः कम आवृत्ति वाले विद्युत परिवर्तक सहित परिपथ, हालांकि ऑडियो विद्युत प्रवर्धक और डीसी-से-एसी अंतर्वर्ती में इसका उपयोग अब कम सामान्य है और उच्च आवृत्ति वाले स्विच-मोड अनुप्रयोगों में इसका उपयोग कभी भी बहुत व्यावहारिक नहीं था। इसे अन्य निर्माताओं द्वारा द्वितीय स्त्रोत बनाया गया था; टेक्सस उपकरण ने अगस्त 1967 की आंकड़ा पत्रक में उपकरण के एकल-विसरित प्रतिरोधान्तरित्र सूची को सूचीबद्ध किया। [10] एक सीमा यह थी कि इसकी आवृत्ति प्रतिक्रिया कम थी (सामान्यतः एकता-लाभ आवृत्ति या परिवर्तन आवृत्ति, fT, 1 मेगाहर्ट्ज था)। हालाँकि यह अधिकांश कम-आवृत्ति वर्कहॉर्स अनुप्रयोगों के लिए पर्याप्त था, और 1970 के आसपास अन्य उच्च शक्ति प्रतिरोधान्तरित्र के बराबर, इसने 20 kHz के आसपास उच्च निष्ठा विद्युत प्रवर्धक अभिकल्पना में कुछ कठिनाई ला दी, क्योंकि लाभ कम होने लगता है और चरण बदलाव बढ़ जाता है।

1970 के दशक के मध्य

अर्धचालक विनिर्माण प्रौद्योगिकी में परिवर्तन के साथ, मूल प्रक्रिया 1970 के दशक के मध्य में आर्थिक रूप से अप्रतिस्पर्धी हो गया, और एपिटैक्सी आधार तकनीक का उपयोग करके एक समान उपकरण बनाया गया।[1]इस उपकरण की अधिकतम वोल्टेज और वर्तमान अनुमतांकन मूल के समान है, लेकिन यह सुरक्षित संचालन क्षेत्र#दूसरा ब्रेकडाउन से प्रतिरक्षित नहीं है; विद्युत प्रबंधन (सुरक्षित संचालन क्षेत्र) उच्च वोल्टेज पर मूल से कम धारा तक सीमित है।[1]हालाँकि, कट-ऑफ आवृत्ति अधिक है, जिससे नए प्रकार का 2N3055 उच्च आवृत्तियों पर अधिक कुशल हो जाता है। इसके अतिरिक्त ऑडियो प्रवर्धक में उपयोग किए जाने पर उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया ने प्रदर्शन में सुधार किया है।[1]

यद्यपि मूल 2एन3055 उच्च विनिर्माण लागत के कारण एपिटैक्सियल-आधार प्रतिरोधान्तरित्र के सापेक्ष गिरावट में चला गया, एपिटैक्सियल-आधार प्रतिरोधान्तरित्र संस्करण का उपयोग रैखिक प्रवर्धक और स्विचन आपूर्ति दोनों में जारी रखा गया। [1]

2N3055 के कई संस्करण उत्पादन में हैं; इसका उपयोग ऑडियो विद्युत प्रवर्धक में कर्षापकर्ष आउटपुट समाकृति में 40 W को 8 ohm भार तक की शक्ति प्रदान करने में किया जाता है। [11]

संबंधित उपकरण

उच्च वोल्टेज अनुमतांकन वाले परिवर्ती (उदाहरण के लिए 2N3055HV, 100 Vceo अनुमतांकन के साथ), 2N3055-चिह्नित के बीच अनुमतांकन में सामान्य बदलाव (जैसे 115 या 117 वाट की बिजली अपव्यय) के अतिरिक्त, विभिन्न कारक सामग्री या प्रकार (जैसे स्टील, एल्यूमीनियम, या धातु टैब के साथ प्लास्टिक), और अन्य विविधताएं उपस्थित हैं।

एक एमजे2955 (पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र) (2एन2955 के साथ भ्रमित न हों जो एक छोटा संकेत पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र है), [12] जिसे आज एपीटैक्सीय प्रक्रिया का उपयोग करके भी निर्मित किया जाता है, 2एन3055 का एक पूरक प्रतिरोधान्तरित्र है।

साठ के दशक और सत्तर के दशक के प्रारम्भ में, फिलिप्स ने संदर्भ BDY20 (हाईफाई उद्देश्यों के लिए वर्णित) और BDY38 (हालांकि BDY38 की वोल्टेज अनुमतांकन 2N3055 की तुलना में कम है) के अंतर्गत टीओ-3 संवेष्टनेज में संलग्न समान उपकरणों का उत्पादन किया।

2N3055 का टीओ-3 P (प्लास्टिक कारक) संस्करण और इसका पूरक उपकरण MJ2955 क्रमशः TIP3055 और TIP2955 के रूप में उपलब्ध हैं, जिनमें बिजली अपव्यय अनुमतांकन थोड़ी कम है।

10 amp (15 amp पीक), 80 वॉट TIP33 (एनपीएन) और TIP34 (पीएनपी) क्रमशः 2N3055 और MJ2955 के समान विशेषताओं वाले प्लास्टिक-आवरण वाले प्रतिरोधान्तरित्र हैं, और 40/60/80/100 Vceo भंजन वोल्टता अनुमतांकन के परिवर्ती में उपलब्ध हैं।

टीओ-3 कारक के साथ 2N3773 का लाभ थोड़ा कम है लेकिन अधिकतम अनुमतांकन (150 W, 140 Vceo, 16 amps) काफी अधिक है।

2N3054, 2N3055 का बहुत कम विद्युत संस्करण है, जिसे 25 W, 55 V और 4 A पर अनुपात किया गया है, लेकिन 1980 के दशक के अंत में यह लगभग अप्रचलित हो गया जब कई टीओ-66 उपकरणों को मुख्यधारा के निर्माताओं की सूची से वापस ले लिया गया। कई स्तिथियों में टीओ-220 संवेष्टनेज्ड संस्करण, जैसे MJE3055T, का उपयोग 2N3054 के साथ-साथ कुछ 2N3055 अनुप्रयोगों में भी किया जा सकता है।

एक टेस्ला KD503 प्रतिरोधान्तरित्र

KD503 पूर्वी ब्लॉक देशों में उपयोग किया जाने वाला एक उच्च शक्ति समकक्ष है, और सामान्य प्रयोजन अनुप्रयोगों के लिए है। इसका उत्पादन विशेष रूप से चेकोस्लोवाकियाई इलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी) द्वारा किया गया था। KD503 को टीओ-3 कारक प्रकार (टेस्ला द्वारा T41 कहा जाता है) में संवेष्टन किया गया है, यह एक 20 एम्पीयर, 80 वोल्ट, 150 वॉट विद्युत प्रतिरोधान्तरित्र है। इसमें 2.0 मेगाहर्ट्ज का गेन-बैंडविड्थ उत्पाद है। KD503 में 2N3055 की तुलना में अधिक शक्ति और अधिक प्रवाह है। [13] चेकोस्लोवाकियाई टेस्ला (चेकोस्लोवाक कंपनी), पोलैंड इकाइयों द्वारा बनाए गए ऑडियो विद्युत प्रवर्धक में पूर्व पूर्वी ब्लॉक देशों में इनका बड़े मापक्रम पर उपयोग किया गया था।

विशिष्टताओं की तुलना
उपकरण उत्पादक प्रकार विभक्ति/संवेष्टक Vceo(BR) Ic (continuous) PD (@ case=25 deg) hfe fT (MHz)
2N3055 आरसीए 1977[14]
ON अर्धचालक 2005 		एनपीएन टीओ-3 (=टीओ-204AA) 60 VCEO(sus) 15 A 115 W 20–70 at 4 A 2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)
fhfe >= 20 kHz @ 1 A
2N3055G ON अर्धचालक 2005 एनपीएन टीओ-3 (Lead-free) 60 VCEO(sus) 15 A 115 W 20–70 at 4 A 2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)
fhfe >= 20 kHz @ 1 A
2N3055H आरसीए एनपीएन टीओ-3 60VCEO(sus) 15 A 115 W 20–70 at 4 A 2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)
2N3055HV सीडीआईएल एनपीएन टीओ-3 100 V 15 A 100 W (some say 90 W) 20–100 at 4 A 2.5 MHz min @0.5 A
2N3772 आरसीए एनपीएन टीओ-3 60 V 20 A 150 W 16–60 at 10 A 0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz)
fhfe >= 10 kHz @ 1 A
2N3773 आरसीए एनपीएन टीओ-3 140V 16 A 150 W 16–60 at 8 A 0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz)
fhfe >= 10 kHz @ 1 A
2N6253 आरसीए एनपीएन टीओ-3 45 VCEO(sus) 15 A 115 W 20–70 at 3 A 0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz)
fhfe >= 10 kHz @ 1 A
2N6254 आरसीए एनपीएन टीओ-3 80VCEO(sus) 15 A 150 W 20–70 at 5 A 0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz)
fhfe >= 10 kHz @ 1 A
2N6371 आरसीए एनपीएन टीओ-3 40VCEO(sus) 15 A 117 W 15–60 at 8 A 0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz)
fhfe >= 10 kHz @ 1 A
2N6371HV Transys एनपीएन टीओ-3 100 V 15 A 117 W 15–60 at 8 A 2.5 MHz min
BDP620 UNITRA CEMI एनपीएन टीओ-3 60 V 15 A 115 W 20–40 at 4 A 0,8 MHz min
KD502 टेस्ला एनपीएन टी41 case 60 V 20 A 150 W 40-? @ 1 A 2.0 MHz min
KD503 टेस्ला[15] एनपीएन टी41 case 80 V 20 A 150 W 40-? @ 1 A 2.0 MHz min
KD3055 टेस्ला एनपीएन टी42 case 60 V 15 A 117 W 20–70 @ 4 A 1.0 MHz min
KD3442 टेस्ला एनपीएन टी42 case 140 V 10 A 117 W 20–70 @ 4 A 1.0 MHz min
MJ2955A मोटोरोला पीएनपी टीओ-3 60 V 15 A 115 W 20–100 at 4 A 2.2 MHz min @ 1 A
MJ15015G ON अर्धचालक एनपीएन टीओ-3 120 V 15 A 180 W 20–100 at 4 A 0.8 MHz min @ 1 A
MJ15016G On अर्धचालक पीएनपी टीओ-3 120 V 15 A 180 W 20–100 at 4 A 2.2 MHz min @ 1 A
MJE2955T फेयरचाइल्ड,

सेंट्रल अर्धचालक निगम

पीएनपी टीओ-220 60VCEO(sus) 10 A 75 W 20–100 at 4 A 2.0 MHz min (hfe at 1 MHz)
fhfe >= 20 kHz @ 1 A
MJE3055T फेयरचाइल्ड,

सेंट्रल अर्धचालक निगम

एनपीएन टीओ-220 60 VCEO(sus) 10 A 75 W 20–100 at 4 A 2.0 MHz min (hfe at 1 MHz)
fhfe >= 20 kHz @ 1 A
RCS617 आरसीए एनपीएन टीओ-3 80 VCEO(sus) 15 A 115 W 20–70 at 4 A 2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)
TIP2955 टेक्सास इंस्ट्र,

फिलिप्स,

सेंट्रल अर्धचालक निगम

पीएनपी टीओ-218AA/SOT-93 70 VCER (RBE <= 100 Ohms) 15 A 90 W 20–70 at 4 A 3.0 MHz min
TIP2955 मोटोरोला पीएनपी 340D-02 plastic 60 VCEO
70VCER (RBE = 100 Ohms) 		15 A 90 W 20–70 at 4 A 2.5 MHz min
TIP3055 टेक्सास इंस्ट्र,

फिलिप्स,

सेंट्रल अर्धचालक निगम

एनपीएन टीओ-218AA/SOT-93 70 VCER (RBE <= 100 Ohms) 15 A 90 W 20–70 at  4 A 3.0 MHz min
TIP3055 मोटोरोला एनपीएन 340D-02 plastic 60VCEO
70VCER (RBE = 100 Ohms) 		15 A 90 W 20–70 at 4 A 2.5 MHz min


संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 Ellis, J.N.; Osadchy, V.S.; Zarlink Semiconductor (November 2001). "2एन3055: एक केस इतिहास". IEEE Transactions on Electron Devices. 48 (11): 2477–2484. Bibcode:2001ITED...48.2477E. doi:10.1109/16.960371.
  2. ↑ Dhir, S. M. (2000) [1999]. "Chapter 2.2: BJT specifications and testing". इलेक्ट्रॉनिक घटक और सामग्री: सिद्धांत, निर्माण और रखरखाव (2007 fifth reprint ed.). India: Tata McGraw-Hill Publishing Company Limited. p. 145. ISBN 0-07-463082-2.
  3. ↑ Gordon McComb (2001). The robot builder's bonanza (2nd ed.). McGraw-Hill Professional. p. 261. ISBN 978-0-07-136296-2. For high-power jobs, the NPN transistor that's almost universally used is the 2N3055
  4. ↑ Rudolf F. Graf; William Sheets (2001). Build your own low-power transmitters: projects for the electronics experimenter. Newnes. p. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. The 2N2222, 2N2905, and 2N3055 devices, for example, which date back to the 1960s but have been improved, are still useful in new designs and are still popular for experimenters.
  5. ↑ 5.0 5.1 5.2 "2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)" (PDF). On Semiconductor. Semiconductor Components Industries. December 2005. Retrieved 2011-03-25.
  6. ↑ Roehr, Bill. "पावर सेमीकंडक्टर के लिए बढ़ते विचार" (PDF). ON Semiconductor. Retrieved 31 October 2016.
  7. ↑ Elliott, Rod. "हीटसिंक डिज़ाइन और ट्रांजिस्टर माउंटिंग". Archived from the original on 2019-07-21. Retrieved 2016-10-31.
  8. ↑ Biagi, Hubert. "MOUNTING CONSIDERATIONS FOR TO-3 PACKAGES" (PDF). Burr-Brown. Retrieved 31 October 2016.
  9. ↑ Ward, Jack (2001). "Oral History – Herb Meisel". p. 3. Retrieved 7 November 2016.
  10. ↑ The Power Semiconductor Data Book for Design Engineers First Edition, Texas Instruments Incorporated, publication no. CC-404 70977-22-IS, no date, page 5–75
  11. ↑ IOSS Group (2008). IOSS Applications Electronic Audio Circuits Sourcebook. Vol. 1. p. 52–53. ISBN 978-1-4404-7195-7. Retrieved 2011-03-25.
  12. ↑ क्लूवर्स इंटरनेशनल ट्रांजिस्टर गाइड (4 ed.). Kluwer Technische Boeken B.V. 1991. p. 55. ISBN 9020125192.
  13. ↑ "2N3055, MJ2955, Complementary power transistors" (PDF). STMicroelectronics.
  14. ↑ RCA Power Devices. RCA Corporation. 1977.
  15. ↑ "Tesla transistors:Tesla transistors datasheet". Tesla Transistors. Tesla. 1980. Retrieved 2015-12-15.


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