थिन-फिल्म मेमोरी: Difference between revisions

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'''थिन-फिल्म मेमोरी''' स्पेरी रैंड द्वारा सरकार अनुदान विद्युत अनुसंधान परियोजना में विकसित [[कोर मेमोरी]] उच्च गति विकल्प है।
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Latest revision as of 15:29, 26 October 2023

थिन-फिल्म मेमोरी स्पेरी रैंड द्वारा सरकार अनुदान विद्युत अनुसंधान परियोजना में विकसित कोर मेमोरी उच्च गति विकल्प है।

एकल फेराइट (चुंबक) पर तारों को धागे में थ्रेड करने के अतिरिक्त, पतली-फिल्म मेमोरी में 4-माइक्रोमीटर मोटे डॉट्स पर्मलोय, एक आयरन-निकल मिश्र धातु, वैक्यूम वाष्पीकरण तकनीकों और एक मास्क के माध्यम से छोटी कांच की प्लेटों पर जमा होते हैं। उसके बाद अलॉय डॉट्स पर मुद्रित सर्किट वायरिंग का उपयोग करके ड्राइव और सेंस लाइन्स को जोड़ा गया। यह त्वरित पहुँच समय प्रदान करता था, जो 670 नैनोसेकंड के दायरे में था, लेकिन उत्पादन करना बहुत महंगा था।

1962 में, यूनीवैक (यूनिवर्सल स्वचालित कंप्यूटर)1107, जिसका उद्देश्य नागरिक बाज़ार के लिए था, ने अपने 128-शब्द सामान्य रजिस्टर स्टैक के लिए पतली-फिल्म मेमोरी का उपयोग किया। सैन्य कंप्यूटर, जहां लागत कम चिंता का विषय थी, बड़ी मात्रा में पतली-फिल्म मेमोरी का उपयोग करते थे। आईबीएम सिस्टम/360 लाइन के हाई-एंड सहित कई हाई-स्पीड कंप्यूटर प्रोजेक्ट्स में थिन फिल्म का भी उपयोग किया गया था, किन्तु कोर में सामान्य प्रगति ने गति बनाए रखी जाती है।

बाहरी संबंध

  • "Thin Film". Digital Computer Basics (Rate Training Manual). Naval Education and Training Command. 1978. p. 106. NAVEDTRA 10088-B.
  • Harloff, H. (1963). "Operating speed of thin-film memories". 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. pp. 8–9. doi:10.1109/ISSCC.1963.1157473.
  • Bates, A.; D'Ambra, F. (1964). "Thin-film memory drive and sense techniques for realizing a 167-Nsec read/write cycle". 1964 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. pp. 106–107. doi:10.1109/ISSCC.1964.1157545.
  • Ravi, C. G.; Koerber, G. G. (March 1966). "Effects of a Keeper on Thin Film Magnetic Bits". IBM Journal of Research and Development. 10 (2): 130–134. doi:10.1147/rd.102.0130.
  • Mo, R. S.; Rabinovici, B.M. (1968). "Internal Field Distribution in Keepered and Nonkeepered Permalloy Film Memories"". Journal of Applied Physics. 39 (6): 2704–2710. doi:10.1063/1.1656657.