ग्राउंड बाउंस: Difference between revisions

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[[File:Circuit explaining ground bounce.svg|thumb|ग्राउंड बाउंस की व्याख्या करने वाला सर्किट]][[ इलेक्ट्रॉनिक यन्त्रशास्त्र ]] में, ग्राउंड बाउंस [[ट्रांजिस्टर]] स्विचिंग से जुड़ी एक घटना है जहां [[गेट वोल्टेज]] स्थानीय ग्राउंड क्षमता से कम दिखाई दे सकता है, जिससे [[ तर्क द्वार ]] का अस्थिर संचालन हो सकता है।
[[File:Circuit explaining ground bounce.svg|thumb|ग्राउंड बाउंस की व्याख्या करने वाला परिपथ]]इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग में, '''ग्राउंड बाउंस''' [[ट्रांजिस्टर]] स्विचिंग से जुड़ी घटना है जहां गेट वोल्टेज स्थानीय ग्राउंड क्षमता से कम दिखाई दे सकता है, जिससे लॉजिक गेट का अस्थिर संचालन हो सकता है।


== विवरण ==
== विवरण ==
ग्राउंड बाउंस आमतौर पर उच्च घनत्व वाले [[वीएलएसआई]] पर देखा जाता है जहां जमीन पर पर्याप्त रूप से कम प्रतिबाधा कनेक्शन (या पर्याप्त उच्च क्षमता) के साथ एक लॉजिक गेट की आपूर्ति के लिए अपर्याप्त सावधानी बरती जाती है। इस घटना में, जब एक एनपीएन ट्रांजिस्टर का आधार चालू होता है, बीजेटी # संरचना-बीजेटी # संरचना सर्किट के माध्यम से पर्याप्त वर्तमान प्रवाह होता है कि एमिटर-ग्राउंड कनेक्शन के तत्काल आसपास के सिलिकॉन को आंशिक रूप से उच्च खींचा जाता है, कभी-कभी कई वोल्ट से , इस प्रकार स्थानीय आधार को, जैसा कि गेट पर माना जाता है, वास्तविक आधार से उल्लेखनीय रूप से ऊपर उठाना। इस स्थानीय आधार के सापेक्ष, बेस वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है, इस प्रकार ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। जैसे ही अतिरिक्त स्थानीय आवेश समाप्त हो जाता है, ट्रांजिस्टर वापस चालू हो जाता है, संभवतः घटना की पुनरावृत्ति होती है, कभी-कभी आधा दर्जन बाउंस तक।
ग्राउंड बाउंस सामान्यतः उच्च घनत्व वाले [[वीएलएसआई]] पर देखा जाता है जहां भूमि पर पर्याप्त रूप से कम प्रतिबाधा कनेक्शन (या पर्याप्त उच्च क्षमता) के साथ लॉजिक गेट की आपूर्ति के लिए अपर्याप्त सावधानी बरती जाती है। इस घटना में, जब एनपीएन ट्रांजिस्टर का आधार एमिटर-कलेक्टर परिपथ के माध्यम से पर्याप्त धारा प्रवाह पर प्रारम्भ होता है, तो एमिटर-ग्राउंड कनेक्शन के निकट के सिलिकॉन को आंशिक रूप से कई वोल्ट द्वारा आंशिक रूप से उच्च किया जाता है, इस प्रकार स्थानीय भूमि को वास्तविक भूमि से अधिक मान के रूप में गेट पर माना जाता है। इस स्थानीय आधार के सापेक्ष, आधार वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है, इस प्रकार ट्रांजिस्टर संवृत हो जाता है। जैसे ही अतिरिक्त स्थानीय आवेश समाप्त हो जाता है, ट्रांजिस्टर पुनः प्रारम्भ हो जाता है, संभवतः घटना की पुनरावृत्ति कभी-कभी आधा दर्जन बाउंस तक हो जाती है।


आधुनिक डिजिटल सर्किट डिजाइन में त्रिशंकु या [[मेटास्टेबल गेट]]्स के प्रमुख कारणों में से एक ग्राउंड बाउंस है। ऐसा इसलिए होता है क्योंकि ग्राउंड बाउंस [[फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] के इनपुट को प्रभावी ढंग से [[वोल्टेज का मामला]] पर रखता है जो घड़ी के समय न तो एक है और न ही शून्य है, या घड़ी में ही अप्रिय प्रभाव पैदा करता है। एक समान वोल्टेज शिथिलता घटना कलेक्टर की ओर देखी जा सकती है, जिसे आपूर्ति वोल्टेज शिथिलता (या ''वी'') कहा जाता है।<sub>CC</sub> सैग), जहां आईसी पावर-सप्लाई पिन | वी<sub>CC</sub>अस्वाभाविक रूप से नीचे खींचा जाता है। समग्र रूप से, वीएलएसआई में नैनोमीटर रेंज प्रौद्योगिकियों में ग्राउंड बाउंस एक प्रमुख मुद्दा है।
ग्राउंड बाउंस आधुनिक डिजिटल परिपथ डिजाइन में त्रिशंकु या [[मेटास्टेबल गेट|मेटास्टेबल गेट्स]] के प्रमुख कारणों में से है। ऐसा इसलिए होता है क्योंकि ग्राउंड बाउंस [[फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] के इनपुट को प्रभावी ढंग से [[वोल्टेज का मामला|वोल्टेज स्तर]] पर रखता है जो घड़ी के समय में न तो एक होता है और न ही शून्य होता है या घड़ी में ही अप्रिय प्रभाव उत्पन्न करता है। समान वोल्टेज सैग घटना कलेक्टर की ओर देखी जा सकती है जिसे सप्लाई वोल्टेज सैग (या '''''V''<sub>CC</sub>''' सैग) कहा जाता है जहां '''''V''<sub>CC</sub>''' को अस्वाभाविक रूप से कम किया जाता है। समग्र रूप से, वीएलएसआई में नैनोमीटर सीमा प्रौद्योगिकियों में ग्राउंड बाउंस प्रमुख अभिप्राय है।
 
ग्राउंड बाउंस तब भी हो सकता है जब सर्किट बोर्ड ने ग्राउंड पाथ को खराब तरीके से डिजाइन किया हो। अनुचित जमीन या वी<sub>CC</sub> विभिन्न घटकों के बीच जमीनी स्तर में स्थानीय भिन्नताएं पैदा कर सकता है। यह आमतौर पर ग्राउंड और V वाले सर्किट बोर्ड में देखा जाता है<sub>CC</sub> बोर्ड की सतहों पर पथ।
 
== कमी ==
गेट स्विच के दौरान वर्तमान प्रवाह को सीमित करने के लिए स्विचिंग आउटपुट में से प्रत्येक के लिए श्रृंखला में 10-30 ओम अवरोधक लगाकर ग्राउंड बाउंस को कम किया जा सकता है।<ref>http://www.altera.com/literature/an/archives/an075.pdf {{Bare URL PDF|date=March 2022}}</ref>


ग्राउंड बाउंस तब भी हो सकता है जब परिपथ बोर्ड ने ग्राउंड पाथ को अनुचित विधि से डिजाइन किया हो। अनुचित भूमि या V<sub>CC</sub> विभिन्न घटकों के मध्य भूमि स्तर में स्थानीय भिन्नताएं उत्पन्न कर सकता है। यह सामान्यतः उन परिपथ बोर्डों में देखा जाता है जिनमें बोर्ड की सतहों पर भूमि और V<sub>CC</sub> पथ होते हैं।


== अभाव ==
गेट स्विच के समय धारा प्रवाह को सीमित करने के लिए स्विचिंग आउटपुट में से प्रत्येक के लिए श्रृंखला में 10-30 ओम अवरोधक लगाकर ग्राउंड बाउंस को कम किया जा सकता है।<ref>http://www.altera.com/literature/an/archives/an075.pdf {{Bare URL PDF|date=March 2022}}</ref>
== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
* [[इलेक्ट्रॉनिक्स में मेटास्टेबिलिटी]]
* [[इलेक्ट्रॉनिक्स में मेटास्टेबिलिटी]]
* [[असीमित nondeterminism]]
* [[असीमित nondeterminism|असीमित नॉनडेटर्मिनिस्म]]
* बुरिदान का गधा
* बुरिदान ऐश


==संदर्भ==
==संदर्भ==
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* ''[http://www.altera.com/literature/wp/wp_grndbnce.pdf Minimizing Ground Bounce & VCC Sag]'', White Paper, (2001) Altera Corporation.
* ''[http://www.altera.com/literature/wp/wp_grndbnce.pdf Minimizing Ground Bounce & VCC Sag]'', White Paper, (2001) Altera Corporation.
* ''[http://www.ultracad.com/articles/g_bounce.pdf Ground Bounce part-1 and part-2 by Douglas Brooks]'',Articles, Ultra Cad Design.
* ''[http://www.ultracad.com/articles/g_bounce.pdf Ground Bounce part-1 and part-2 by Douglas Brooks]'',Articles, Ultra Cad Design.
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Latest revision as of 13:10, 31 October 2023

ग्राउंड बाउंस की व्याख्या करने वाला परिपथ

इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग में, ग्राउंड बाउंस ट्रांजिस्टर स्विचिंग से जुड़ी घटना है जहां गेट वोल्टेज स्थानीय ग्राउंड क्षमता से कम दिखाई दे सकता है, जिससे लॉजिक गेट का अस्थिर संचालन हो सकता है।

विवरण

ग्राउंड बाउंस सामान्यतः उच्च घनत्व वाले वीएलएसआई पर देखा जाता है जहां भूमि पर पर्याप्त रूप से कम प्रतिबाधा कनेक्शन (या पर्याप्त उच्च क्षमता) के साथ लॉजिक गेट की आपूर्ति के लिए अपर्याप्त सावधानी बरती जाती है। इस घटना में, जब एनपीएन ट्रांजिस्टर का आधार एमिटर-कलेक्टर परिपथ के माध्यम से पर्याप्त धारा प्रवाह पर प्रारम्भ होता है, तो एमिटर-ग्राउंड कनेक्शन के निकट के सिलिकॉन को आंशिक रूप से कई वोल्ट द्वारा आंशिक रूप से उच्च किया जाता है, इस प्रकार स्थानीय भूमि को वास्तविक भूमि से अधिक मान के रूप में गेट पर माना जाता है। इस स्थानीय आधार के सापेक्ष, आधार वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है, इस प्रकार ट्रांजिस्टर संवृत हो जाता है। जैसे ही अतिरिक्त स्थानीय आवेश समाप्त हो जाता है, ट्रांजिस्टर पुनः प्रारम्भ हो जाता है, संभवतः घटना की पुनरावृत्ति कभी-कभी आधा दर्जन बाउंस तक हो जाती है।

ग्राउंड बाउंस आधुनिक डिजिटल परिपथ डिजाइन में त्रिशंकु या मेटास्टेबल गेट्स के प्रमुख कारणों में से है। ऐसा इसलिए होता है क्योंकि ग्राउंड बाउंस फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स) के इनपुट को प्रभावी ढंग से वोल्टेज स्तर पर रखता है जो घड़ी के समय में न तो एक होता है और न ही शून्य होता है या घड़ी में ही अप्रिय प्रभाव उत्पन्न करता है। समान वोल्टेज सैग घटना कलेक्टर की ओर देखी जा सकती है जिसे सप्लाई वोल्टेज सैग (या VCC सैग) कहा जाता है जहां VCC को अस्वाभाविक रूप से कम किया जाता है। समग्र रूप से, वीएलएसआई में नैनोमीटर सीमा प्रौद्योगिकियों में ग्राउंड बाउंस प्रमुख अभिप्राय है।

ग्राउंड बाउंस तब भी हो सकता है जब परिपथ बोर्ड ने ग्राउंड पाथ को अनुचित विधि से डिजाइन किया हो। अनुचित भूमि या VCC विभिन्न घटकों के मध्य भूमि स्तर में स्थानीय भिन्नताएं उत्पन्न कर सकता है। यह सामान्यतः उन परिपथ बोर्डों में देखा जाता है जिनमें बोर्ड की सतहों पर भूमि और VCC पथ होते हैं।

अभाव

गेट स्विच के समय धारा प्रवाह को सीमित करने के लिए स्विचिंग आउटपुट में से प्रत्येक के लिए श्रृंखला में 10-30 ओम अवरोधक लगाकर ग्राउंड बाउंस को कम किया जा सकता है।[1]

यह भी देखें

संदर्भ