डीआईएमएम: Difference between revisions

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[[File:DIMMs.jpg|thumb|upright=1.6|दो प्रकार के डीआईएमएम: एक 168-पिन [[एसडीआरएएम]] मॉड्यूल (ऊपर) और एक 184-पिन [[डीडीआर एसडीआरएएम]] मॉड्यूल (नीचे)। एसडीआरएएम मॉड्यूल में निचले किनारे पर दो पायदान (आयताकार कटौती या चीरे) हैं, जबकि डीडीआर1 एसडीआरएएम मॉड्यूल में एक है। इसके अलावा, प्रत्येक मॉड्यूल में आठ रैम चिप्स होते हैं, लेकिन निचले हिस्से में नौवीं चिप के लिए खाली जगह होती है; यह स्थान ECC DIMM में व्याप्त है]]
[[File:DIMMs.jpg|thumb|upright=1.6|दो प्रकार के डीआईएमएम: एक 168-पिन एसडीआरएएम मॉड्यूल (ऊपर) और एक 184-पिन डीडीआर एसडीआरएएम मॉड्यूल (नीचे)। एसडीआरएएम मॉड्यूल में निचले किनारे पर दो श्रेणी (आयताकार कटौती या चीरे) हैं, जबकि डीडीआर1 एसडीआरएएम मॉड्यूल में एक है। इसके अतिरिक्त, प्रत्येक मॉड्यूल में आठ रैम चिप्स होते हैं, लेकिन निचले हिस्से में नौवीं चिप के लिए खाली जगह होती है; यह स्थान ईसीसी डीआईएमएम में व्याप्त है]]
[[File:Abit-BP6 (cropped) SDRAM DIMM slots.JPG|thumb|upright=1.6|[[ABIT BP6]] कंप्यूटर मदरबोर्ड पर तीन SDRAM DIMM स्लॉट]]एक डीआईएमएम ({{IPAc-en|d|ɪ|m}}) (डुअल इन-लाइन [[मेमोरी मॉड्यूल]]), जिसे आमतौर पर रैम स्टिक कहा जाता है, में [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] [[एकीकृत परिपथ]] की एक श्रृंखला शामिल होती है। ये मेमोरी मॉड्यूल एक [[मुद्रित सर्किट बोर्ड]] पर लगाए गए हैं और व्यक्तिगत कंप्यूटर, [[कार्य केंद्र]], [[प्रिंटर (कंप्यूटिंग)]] और [[सर्वर (कंप्यूटिंग)]] में उपयोग के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। वे कंप्यूटर सिस्टम में मेमोरी जोड़ने की प्रमुख विधि हैं। डीआईएमएम के विशाल बहुमत जेईडीईसी मेमोरी मानकों के माध्यम से मानकीकृत हैं, हालांकि मालिकाना डीआईएमएम हैं। डीआईएमएम विभिन्न प्रकार की गति और आकार में आते हैं, लेकिन आम तौर पर दो लंबाई में से एक होते हैं - पीसी जो हैं {{Convert|133.35|mm|in|2|abbr=on}} और लैपटॉप (SO-DIMM) जो लगभग आधे आकार के हैं {{Convert|67.60|mm|in|2|abbr=on}}.<ref name=":0" />
[[File:Abit-BP6 (cropped) SDRAM DIMM slots.JPG|thumb|upright=1.6|[[ABIT BP6]] संगणक मदरबोर्ड पर तीन एसडीआरएएम डीआईएमएम स्लॉट]]'''डीआईएमएम''' ({{IPAc-en|d|ɪ|m}}) (डुअल इन-लाइन [[मेमोरी मॉड्यूल]]), जिसे सामान्यतः रैम स्टिक कहा जाता है, में डायनामिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी [[एकीकृत परिपथ]] की एक श्रृंखला संम्मिलित होती है। ये मेमोरी मॉड्यूल एक [[मुद्रित सर्किट बोर्ड]] पर लगाए गए हैं और व्यक्तिगत संगणक, कार्य केंद्र, प्रिंटर (कंप्यूटिंग) और [[सर्वर (कंप्यूटिंग)]] में उपयोग के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। वे संगणक सिस्टम में मेमोरी जोड़ने की प्रमुख विधि हैं। डीआईएमएम के दीर्घ बहुमत जेईडीईसी मेमोरी मानकों के माध्यम से मानकीकृत हैं, चूंकि स्वामित्व डीआईएमएम हैं। डीआईएमएम विभिन्न प्रकार की गति और आकार में आते हैं, लेकिनसामान्यतः दो लंबाई में से एक होते हैं - पीसी जो 133.35 मिमी (5.25 इंच) और लैपटॉप (एसओ-डीआईएमएम) हैं जो 67.60 मिमी (2.66 इंच) में लगभग आधे आकार के हैं.<ref name=":0" />
 
 
== इतिहास ==
== इतिहास ==
DIMM (डुअल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल) 1990 के दशक में SIMM (सिंगल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल) के लिए अपग्रेड थे क्योंकि [[Intel]] [[P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] आधारित [[पेंटियम (ब्रांड)]] प्रोसेसर ने बाजार हिस्सेदारी हासिल करना शुरू कर दिया था। पेंटियम में 64-बिट [[बस (कंप्यूटिंग)]] चौड़ाई थी, जिसके लिए डेटा बस को आबाद करने के लिए मिलान जोड़े में SIMM स्थापित करने की आवश्यकता होगी। प्रोसेसर तब समानांतर में दो [[सिम]]एम तक पहुंच जाएगा।
डीआईएमएम (डुअल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल) ने 1990 के दशक में SIMM (सिंगल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल) के लिए अपग्रेड लिया क्योंकि इंटेल P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर) आधारित पेंटियम (ब्रांड) प्रोसेसर ने बाजार साझेदारी प्राप्त करना प्रारंभ कर दिया था। पेंटियम में 64-बिट बस (कंप्यूटिंग) चौड़ाई थी, जिसके लिए डेटा बस को आवासित करने के लिए मिलान जोड़े में SIMM स्थापित करने की आवश्यकता होगी। प्रोसेसर तब समानांतर में दो सिमएम तक पहुंच जाएगा।
 
इस नुकसान को खत्म करने के लिए डीआईएमएम पेश किए गए थे। दोनों पक्षों के सिमएम पर संपर्क बेमानी हैं, जबकि डीआईएमएम के मॉड्यूल के प्रत्येक तरफ अलग-अलग विद्युत संपर्क हैं। इसने उन्हें SIMM के 32-बिट डेटा पथ को 64-बिट डेटा पथ में दोगुना करने की अनुमति दी।
 
DIMM नाम को दोहरे इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल के लिए एक संक्षिप्त नाम के रूप में चुना गया था जो एक SIMM के संपर्कों में दो स्वतंत्र पंक्तियों में विभाजन का प्रतीक था। बीच के वर्षों में मॉड्यूल में कई संवर्द्धन हुए हैं, लेकिन डीआईएमएम शब्द कंप्यूटर मेमोरी मॉड्यूल के लिए एक सामान्य शब्द के रूप में बना हुआ है।{{cn|date=March 2022}}


इस हानि को खत्म करने के लिए डीआईएमएम प्रस्तुत किए गए थे। दोनों पक्षों के सिमएम पर संपर्क अपारदर्शिता हैं, जबकि डीआईएमएम के मॉड्यूल के प्रत्येक तरफ भिन्न-भिन्न विद्युत संपर्क हैं। इसने उन्हें SIMM के 32-बिट डेटा पथ को 64-बिट डेटा पथ में दोगुना करने की अनुमति दी।


डीआईएमएम नाम को दोहरे इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल के लिए एक संक्षिप्त नाम के रूप में चुना गया था जो एक SIMM के संपर्कों में दो स्वतंत्र पंक्तियों में विभाजन का प्रतीक था। बीच के वर्षों में मॉड्यूल में कई संवर्द्धन हुए हैं, लेकिन डीआईएमएम शब्द संगणक मेमोरी मॉड्यूल के लिए एक सामान्य शब्द के रूप में बना हुआ है।
== वेरिएंट ==
== वेरिएंट ==
DIMM के वेरिएंट DDR, DDR2, DDR3, DDR4 और DDR5 रैम को सपोर्ट करते हैं।
डीआईएमएम के वेरिएंट डीडीआर, डीडीआर2, डीडीआर3, डीडीआर4 और डीडीआर5 रैम को सपोर्ट करते हैं।


सामान्य प्रकार के डीआईएमएम में निम्नलिखित शामिल हैं:
सामान्य प्रकार के डीआईएमएम में निम्नलिखित संम्मिलित हैं:
{| class="wikitable" style="text-align:center"
{| class="wikitable" style="text-align:center"
|+
|+
!
!
!SDRAM
!एसडीआरएएम
!SDR
!एसडीआर
 
एसडीआरएएम
SDRAM
!डीडीआर
!DDR


SDRAM
एसडीआरएएम
!DDR2
!डीडीआर2


SDRAM
एसडीआरएएम
!DDR3
!डीडीआर3


SDRAM
एसडीआरएएम
!DDR4
!डीडीआर4


SDRAM
एसडीआरएएम
!DDR5
!डीडीआर5


SDRAM
एसडीआरएएम
! rowspan="4" |
! rowspan="4" |
!FPM DRAM
!एफपीएम डीआरएएम


and EDO DRAM
और ईडीओ डीआरएएम
!FB-DIMM
!एफबी-डीआईएमएम
DRAM
डीआरएएम
|-
|-
!DIMM
!डीआईएमएम
|100-pin
|100-पिन
|168-pin
|168-पिन
|184-pin
|184-पिन
| colspan="2" |240-pin{{efn|name=notch|text=with different notch positions}}
| colspan="2" |240-पिन{{efn|name=notch|text=with different notch positions}}
| colspan="2" |288-pin{{efn|name=notch}}
| colspan="2" |288-पिन{{efn|name=notch}}
|168-pin
|168-पिन
|240-pin
|240-पिन
|-
|-
!SO-DIMM
!एसओ-डीआईएमएम
|{{N/A}}
|{{N/A}}
|144-pin
|144-पिन
| colspan="2" |200-pin{{efn|name=notch}}
| colspan="2" |200-पिन{{efn|name=notch}}
|204-pin
|204-पिन
|260-pin
|260-पिन
|262-pin
|262-पिन
|72-pin/144-pin
|72-पिन/144-पिन
|{{N/A}}
|{{N/A}}
|-
|-
!MicroDIMM
!माइक्रोडीआईएमएम
|{{N/A}}
|{{N/A}}
|144-pin
|144-पिन
|172-pin
|172-पिन
|214-pin
|214-पिन
| colspan="3" {{N/A}}
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| colspan="2" {{N/A}}
| colspan="2" {{N/A}}
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70 से 200 पिन
70 से 200 पिन
* 72-पिन SO-DIMM (72-पिन SIMM के समान नहीं), [[फास्ट पेज मोड]] DRAM और विस्तारित डेटा आउट RAM DRAM के लिए उपयोग किया जाता है
* 72-पिन एसओ-डीआईएमएम (72-पिन SIMM के समान नहीं), फास्ट पेज मोड डीआरएएम और विस्तारित डेटा आउट आरएएम डीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 100-पिन DIMM, प्रिंटर SDRAM के लिए उपयोग किया जाता है
* 100-पिन डीआईएमएम, प्रिंटर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 144-पिन SO-DIMM, SDRAM#SDR SDRAM SDRAM (DDR2 SDRAM के लिए अक्सर कम) के लिए उपयोग किया जाता है
* 144-पिन एसओ-डीआईएमएम, एसडीआरएएम एसडीआर एसडीआरएएम एसडीआरएएम (डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए अधिकांशतः कम) के लिए उपयोग किया जाता है
* 168-पिन डीआईएमएम, एसडीआर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है (वर्कस्टेशन/सर्वर में एफपीएम/ईडीओ डीआरएएम के लिए कम बार, 3.3 या 5 वी हो सकता है)
* 168-पिन डीआईएमएम, एसडीआर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है (वर्कस्टेशन/सर्वर में एफपीएम/ईडीओ डीआरएएम के लिए कम बार, 3.3 या 5 वी हो सकता है)
* 172-पिन माइक्रोडीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 172-पिन माइक्रोडीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 184-पिन डीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम के लिए प्रयोग किया जाता है
* 184-पिन डीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम के लिए प्रयोग किया जाता है
* 200-पिन SO-DIMM, DDR SDRAM और DDR2 SDRAM के लिए उपयोग किया जाता है
* 200-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम और डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 200-पिन DIMM, कुछ [[सन माइक्रोसिस्टम्स]] वर्कस्टेशन और सर्वर में FPM/EDO DRAM के लिए उपयोग किया जाता है।
* 200-पिन डीआईएमएम, कुछ सन माइक्रोसिस्टम्स वर्कस्टेशन और सर्वर में FPM/EDO डीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है।


201 से 300 पिन
201 से 300 पिन
* 204-पिन SO-DIMM, [[DDR3 SDRAM]] के लिए उपयोग किया जाता है
* 204-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर3 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 214-पिन माइक्रोडीआईएमएम, [[डीडीआर2 एसडीआरएएम]] के लिए उपयोग किया जाता है
* 214-पिन माइक्रोडीआईएमएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 240-पिन DIMM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM और पूरी तरह से बफर DIMM|FB-DIMM DRAM के लिए उपयोग किया जाता है
* 240-पिन डीआईएमएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम, डीडीआर3 एसडीआरएएम और पूरी तरह से बफर डीआईएमएम|FB-डीआईएमएम डीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 244-पिन MiniDIMM, DDR2 SDRAM के लिए उपयोग किया जाता है
* 244-पिन Miniडीआईएमएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 260-पिन SO-DIMM, [[DDR4 SDRAM]] के लिए उपयोग किया जाता है
* 260-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर4 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
* 260-पिन SO-DIMM, DDR4 SO-DIMM की तुलना में भिन्न पायदान स्थिति के साथ, [[UniDIMM]] के लिए उपयोग किया जाता है जो DDR3 या DDR4 SDRAM को ले जा सकता है
* 260-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर4 एसओ-डीआईएमएम की तुलना में भिन्न श्रेणी स्थिति के साथ, UniDIMM के लिए उपयोग किया जाता है जो डीडीआर3 या डीडीआर4 एसडीआरएएम को ले जा सकता है
* 278-पिन DIMM, [[Hewlett-Packard]] उच्च घनत्व SDRAM के लिए उपयोग किया जाता है।
* 278-पिन डीआईएमएम, हेवलेट पैकर्ड उच्च घनत्व एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है।
* 288-पिन DIMM, DDR4 SDRAM और DDR5 SDRAM के लिए उपयोग किया जाता है<ref name="anandtech-ddr5">{{cite web|url=https://www.anandtech.com/show/15912/ddr5-specification-released-setting-the-stage-for-ddr56400-and-beyond|title=DDR5 मेमोरी विशिष्टता जारी: DDR5-6400 और उससे आगे के लिए स्टेज सेट करना|last=Smith|first=Ryan|date=2020-07-14|website=AnandTech|access-date=2020-07-15}}</ref>
* 288-पिन डीआईएमएम, डीडीआर4 एसडीआरएएम और डीडीआर5 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है<ref name="anandtech-ddr5">{{cite web|url=https://www.anandtech.com/show/15912/ddr5-specification-released-setting-the-stage-for-ddr56400-and-beyond|title=DDR5 मेमोरी विशिष्टता जारी: DDR5-6400 और उससे आगे के लिए स्टेज सेट करना|last=Smith|first=Ryan|date=2020-07-14|website=AnandTech|access-date=2020-07-15}}</ref>




== एसओ-डीआईएमएम ==
== एसओ-डीआईएमएम ==
[[File:Samsung-1GB-DDR2-Laptop-RAM.jpg|thumb|एक 200-पिन [[PC2-5300]] DDR2 SO-DIMM]]
[[File:Samsung-1GB-DDR2-Laptop-RAM.jpg|thumb|एक 200-पिन [[PC2-5300|पीसी2-5300]] डीडीआर2 एसओ-डीआईएमएम]]
[[File:4GB_DDR3_SO-DIMM.jpg|thumb|एक 204-पिन PC3-10600 DDR3 SO-DIMM]]फ़ाइल:DDR_SO-DIMM_slot_PNr°0341.jpg|thumb|upright=1.6| कंप्यूटर [[मदरबोर्ड]] पर SO-DIMM स्लॉट
[[File:4GB_DDR3_SO-DIMM.jpg|thumb|एक 204-पिन पीसी3-10600 डीडीआर3 एसओ-डीआईएमएम]]फ़ाइल:डीडीआर_एसओ-डीआईएमएम_slot_PNr°0341.jpg|thumb|upright=1.6| संगणक [[मदरबोर्ड]] पर एसओ-डीआईएमएम स्लॉट


एक SO-DIMM (उच्चारण so-dimm {{IPAc-en|ˈ|s|oʊ|d|ɪ|m}}, जिसे SODIMM भी लिखा जाता है) या छोटी रूपरेखा DIMM, DIMM का एक छोटा विकल्प है, जो एक नियमित DIMM का लगभग आधा भौतिक आकार है।
एक एसओ-डीआईएमएम (उच्चारण so-dimm {{IPAc-en|ˈ|s|oʊ|d|ɪ|m}}, जिसे एसओडीआईएमएम भी लिखा जाता है) या छोटी रूपरेखा डीआईएमएम, डीआईएमएम का एक छोटा विकल्प है, जो एक नियमित डीआईएमएम का लगभग आधा भौतिक आकार है।


SO-DIMM का उपयोग अक्सर उन प्रणालियों में किया जाता है जिनमें सीमित स्थान होता है, जिसमें [[लैपटॉप]], लैपटॉप, [[नैनो-ITX]] मदरबोर्ड पर आधारित छोटे फुटप्रिंट पर्सनल कंप्यूटर, हाई-एंड अपग्रेडेबल ऑफिस [[संगणक मुद्रक]], और [[नेटवर्किंग हार्डवेयर]] जैसे [[राउटर (कंप्यूटिंग)]] शामिल हैं। ) और नेटवर्क से जुड़े स्टोरेज डिवाइस।<ref>{{cite web |author=Synology Inc. |title=सिनोलॉजी रैम मॉड्यूल|url=https://www.synology.com/en-global/products/Synology_RAM_Module |work=synology.com}}</ref> वे आम तौर पर समान आकार के डेटा पथ और नियमित डीआईएमएम की गति रेटिंग के साथ उपलब्ध होते हैं, हालांकि आमतौर पर छोटी क्षमताओं के साथ।
एसओ-डीआईएमएम का उपयोग अधिकांशतः उन प्रणालियों में किया जाता है जिनमें सीमित स्थान होता है, जिसमें [[लैपटॉप]], नोटबुक  [[नैनो-ITX|नैनो-आईटीएक्स]] मदरबोर्ड पर आधारित छोटे फुटप्रिंट व्यक्तिगत संगणक, हाई-एंड अपग्रेडेबल ऑफिस [[संगणक मुद्रक]], और [[नेटवर्किंग हार्डवेयर]] जैसे [[राउटर (कंप्यूटिंग)]] और एनएएस डिवाइस सम्मिलित हैं।<ref>{{cite web |author=Synology Inc. |title=सिनोलॉजी रैम मॉड्यूल|url=https://www.synology.com/en-global/products/Synology_RAM_Module |work=synology.com}}</ref> वे सामान्यतः समान आकार के डेटा पथ और नियमित डीआईएमएम की गति रेटिंग चूंकि सामान्यतः छोटी क्षमताओं के साथ उपलब्ध होते हैं।


== एसडीआर 168-पिन एसडीआरएएम ==
== एसडीआर 168-पिन एसडीआरएएम ==
[[File:Notch position between DDR and DDR2.jpg|thumb|right|upright=1.6|DDR (शीर्ष) और DDR2 (नीचे) DIMM मॉड्यूल पर पायदान की स्थिति]]168-पिन डीआईएमएम के निचले किनारे पर दो पायदान हैं, और प्रत्येक पायदान का स्थान मॉड्यूल की एक विशेष विशेषता निर्धारित करता है। पहला पायदान DRAM कुंजी स्थिति है, जो RFU (आरक्षित भविष्य का उपयोग), पंजीकृत मेमोरी और [[असंबद्ध स्मृति]] DIMM प्रकार (क्रमशः बाएं, मध्य और दाएं स्थिति) का प्रतिनिधित्व करता है। दूसरा पायदान वोल्टेज कुंजी स्थिति है, जो 5.0 V, 3.3 V, और RFU DIMM प्रकार का प्रतिनिधित्व करता है (आदेश ऊपर जैसा ही है)।
[[File:Notch position between DDR and DDR2.jpg|thumb|right|upright=1.6|डीडीआर (शीर्ष) और डीडीआर2 (नीचे) डीआईएमएम मॉड्यूल पर श्रेणी की स्थिति]]168-पिन डीआईएमएम के निचले किनारे पर दो श्रेणी हैं, और प्रत्येक श्रेणी का स्थान मॉड्यूल की एक विशेष विशेषता निर्धारित करता है। पहला श्रेणी डीआरएएम कुंजी स्थिति है, जो RFU (आरक्षित भविष्य का उपयोग), पंजीकृत मेमोरी और [[असंबद्ध स्मृति]] डीआईएमएम प्रकार (क्रमशः बाएं, मध्य और दाएं स्थिति) का प्रतिनिधित्व करता है। दूसरा श्रेणी वोल्टेज कुंजी स्थिति है, जो 5.0 वी, 3.3 वी, और RFU डीआईएमएम प्रकार का प्रतिनिधित्व करता है (क्रम ऊपर जैसा ही है)।


== डीडीआर डीआईएमएम ==
== डीडीआर डीआईएमएम ==
[[File:16 GiB-DDR4-RAM-Riegel RAM019FIX Small Crop 90 PCNT.png|thumb|upright=1.6|16 गिब डीडीआर4-2666 1.2 वी यूडीआईएमएम]]DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, DDR4 SDRAM और [[DDR5 SDRAM]] सभी में अलग-अलग पिन काउंट और/या अलग-अलग पायदान की स्थिति होती है। अक्टूबर 2022 तक, DDR5 SDRAM एक उच्च-बैंडविड्थ (डबल डेटा दर) इंटरफ़ेस के साथ गतिशील रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM) का एक आधुनिक उभरता हुआ प्रकार है, और 2020 से उपयोग में है। यह DDR का उच्च-गति उत्तराधिकारी है, DDR2, DDR3 और DDR4। DDR5 SDRAM अलग-अलग सिग्नलिंग वोल्टेज, समय, साथ ही प्रौद्योगिकियों और उनके कार्यान्वयन के बीच अन्य भिन्न कारकों के कारण किसी भी प्रकार की रैंडम एक्सेस मेमोरी (RAM) के साथ न तो आगे और न ही पिछड़े संगत है।
[[File:16 GiB-DDR4-RAM-Riegel RAM019FIX Small Crop 90 PCNT.png|thumb|upright=1.6|16 गिब डीडीआर4-2666 1.2 वी यूडीआईएमएम]]डीडीआर एसडीआरएएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम, डीडीआर3 एसडीआरएएम, डीडीआर4 एसडीआरएएम और [[DDR5 SDRAM|डीडीआर5 एसडीआरएएम]] सभी में अलग-अलग पिन काउंट और/या अलग-अलग श्रेणी की स्थिति होती है। अक्टूबर 2022 तक, डीडीआर5 एसडीआरएएम एक उच्च-बैंडविड्थ (डबल डेटा दर) इंटरफ़ेस के साथ डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (डीआरएएम) का एक आधुनिक उभरता हुआ प्रकार है, और 2020 से उपयोग में है। यह डीडीआर का उच्च-गति उत्तराधिकारी है, डीडीआर2, डीडीआर3 और डीडीआर4। डीडीआर5 एसडीआरएएम अलग-अलग सिग्नलिंग वोल्टेज, समय, साथ ही प्रौद्योगिकियों और उनके कार्यान्वयन के बीच अन्य भिन्न कारकों के कारण किसी भी प्रकार की रैंडम एक्सेस मेमोरी (आरएएम) के साथ न तो आगे और न ही पिछड़े संगत है।


== एसपीडी ईप्रोम ==
== एसपीडी ईप्रोम ==
एक डीआईएमएम की क्षमता और अन्य परिचालन मापदंडों को सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (एसपीडी) के साथ पहचाना जा सकता है, एक अतिरिक्त चिप जिसमें मॉड्यूल प्रकार और समय के बारे में जानकारी होती है ताकि स्मृति नियंत्रक को सही ढंग से कॉन्फ़िगर किया जा सके। SPD [[EEPROM]] [[सिस्टम प्रबंधन बस]] से जुड़ता है और इसमें थर्मल सेंसर (TS-on-DIMM) भी ​​हो सकते हैं।<ref>[http://www.tempsensornews.com/generic-temp-sensors/temperature-sensor-in-dimm-memory-modules/ Temperature Sensor in DIMM memory modules]</ref>
एक डीआईएमएम की क्षमता और अन्य परिचालन मापदंडों को सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (एसपीडी) के साथ पहचाना जा सकता है, एक अतिरिक्त चिप जिसमें मॉड्यूल प्रकार और समय के बारे में जानकारी होती है जिससे स्मृति नियंत्रक को सही ढंग से कॉन्फ़िगर किया जा सके। SPD [[EEPROM]] [[सिस्टम प्रबंधन बस]] से जुड़ता है और इसमें थर्मल सेंसर (TS-on-डीआईएमएम) भी ​​हो सकते हैं।<ref>[http://www.tempsensornews.com/generic-temp-sensors/temperature-sensor-in-dimm-memory-modules/ Temperature Sensor in DIMM memory modules]</ref>




== त्रुटि सुधार ==
== त्रुटि सुधार ==
ECC मेमोरी DIMM वे हैं जिनमें अतिरिक्त डेटा बिट्स होते हैं जिनका उपयोग सिस्टम मेमोरी कंट्रोलर द्वारा त्रुटियों का पता लगाने और उन्हें ठीक करने के लिए किया जा सकता है। कई ECC योजनाएँ हैं, लेकिन शायद सबसे आम सिंगल एरर करेक्ट, डबल एरर डिटेक्ट ([[SECDED]]) है जो प्रति 64-बिट शब्द में एक अतिरिक्त बाइट का उपयोग करता है। ECC मॉड्यूल में आमतौर पर 8 चिप्स के गुणक के बजाय 9 का गुणक होता है।
ECC मेमोरी डीआईएमएम वे हैं जिनमें अतिरिक्त डेटा बिट्स होते हैं जिनका उपयोग सिस्टम मेमोरी कंट्रोलर द्वारा त्रुटियों का पता लगाने और उन्हें ठीक करने के लिए किया जा सकता है। कई ECC योजनाएँ हैं, लेकिन संभवतः सबसे साधारण सिंगल एरर करेक्ट, डबल एरर डिटेक्ट ([[SECDED]]) है जो प्रति 64-बिट शब्द में एक अतिरिक्त बाइट का उपयोग करता है। ECC मॉड्यूल में सामान्यतः 8 चिप्स के गुणक के अतिरिक्त 9 का गुणक होता है।


== रैंकिंग ==
== रैंकिंग ==
{{main|Memory rank}}
{{main|मेमोरी रैंक}}
कभी-कभी मेमोरी मॉड्यूल एक ही पते और डेटा बसों से जुड़े डीआरएएम चिप्स के दो या दो से अधिक स्वतंत्र सेटों के साथ डिज़ाइन किए जाते हैं; ऐसे प्रत्येक सेट को रैंक कहा जाता है। रैंक जो समान स्लॉट साझा करते हैं, किसी भी समय केवल एक रैंक तक पहुँचा जा सकता है; यह संबंधित रैंक के चिप सेलेक्ट (CS) सिग्नल को सक्रिय करके निर्दिष्ट किया जाता है। मॉड्यूल पर अन्य रैंक उनके संबंधित सीएस सिग्नल को निष्क्रिय करके ऑपरेशन की अवधि के लिए निष्क्रिय कर दिए जाते हैं। डीआईएमएम वर्तमान में आमतौर पर प्रति मॉड्यूल चार रैंक तक निर्मित किए जा रहे हैं। उपभोक्ता डीआईएमएम विक्रेताओं ने हाल ही में सिंगल और डुअल रैंक वाले डीआईएमएम के बीच अंतर करना शुरू कर दिया है।
कभी-कभी मेमोरी मॉड्यूल एक ही पते और डेटा बसों से जुड़े डीआरएएम चिप्स के दो या दो से अधिक स्वतंत्र सेटों के साथ डिज़ाइन किए जाते हैं; ऐसे प्रत्येक सेट को रैंक कहा जाता है। रैंक जो समान स्लॉट साझा करते हैं, किसी भी समय केवल एक रैंक तक पहुँचा जा सकता है; यह संबंधित रैंक के चिप सेलेक्ट (CS) सिग्नल को सक्रिय करके निर्दिष्ट किया जाता है। मॉड्यूल पर अन्य रैंक उनके संबंधित सीएस सिग्नल को निष्क्रिय करके ऑपरेशन की अवधि के लिए निष्क्रिय कर दिए जाते हैं। डीआईएमएम वर्तमान में सामान्यतः प्रति मॉड्यूल चार रैंक तक निर्मित किए जा रहे हैं। उपभोक्ता डीआईएमएम विक्रेताओं ने हाल ही में सिंगल और डुअल रैंक वाले डीआईएमएम के बीच अंतर करना प्रारंभ कर दिया है।


स्मृति शब्द लाने के बाद, स्मृति आमतौर पर विस्तारित अवधि के लिए पहुंच योग्य नहीं होती है, जबकि अर्थ एम्पलीफायरों को अगले सेल तक पहुंचने के लिए चार्ज किया जाता है। मेमोरी को इंटरलीविंग करके (जैसे सेल 0, 4, 8, आदि को एक रैंक में एक साथ संग्रहीत किया जाता है), अनुक्रमिक मेमोरी एक्सेस को अधिक तेजी से किया जा सकता है क्योंकि सेंस एम्पलीफायरों में एक्सेस के बीच रिचार्जिंग के लिए निष्क्रिय समय के 3 चक्र होते हैं।
स्मृति शब्द लाने के बाद, स्मृति सामान्यतः विस्तारित अवधि के लिए पहुंच योग्य नहीं होती है, जबकि अर्थ एम्पलीफायरों को अगले सेल तक पहुंचने के लिए चार्ज किया जाता है। मेमोरी को इंटरलीविंग करके (जैसे सेल 0, 4, 8, आदि को एक रैंक में एक साथ संग्रहीत किया जाता है), अनुक्रमिक मेमोरी एक्सेस को अधिक तेजी से किया जा सकता है क्योंकि सेंस एम्पलीफायरों में एक्सेस के बीच रिचार्जिंग के लिए निष्क्रिय समय के 3 चक्र होते हैं।


DIMMs को अक्सर सिंगल-साइडेड या डबल-साइडेड RAM के रूप में संदर्भित किया जाता है। [[दो तरफा रैम]] वर्णन करने के लिए कि क्या DRAM चिप्स मॉड्यूल के प्रिंटेड सर्किट बोर्ड (PCB) के एक या दोनों तरफ स्थित हैं। हालाँकि, ये शब्द भ्रम पैदा कर सकते हैं, क्योंकि चिप्स का भौतिक लेआउट जरूरी नहीं है कि वे तार्किक रूप से कैसे व्यवस्थित या एक्सेस किए जाते हैं।
मॉड्यूल के मुद्रित सर्किट बोर्ड (पीसीबी) के एक या दोनों तरफ डीआरएएम चिप्स स्थित हैं या नहीं, इसका वर्णन करने के लिए डीआईएमएम को अधिकांशतः "सिंगल-साइडेड" या "[[दो तरफा रैम|डबल-साइडेड]]" के रूप में संदर्भित किया जाता है। चूंकि, ये शब्द भ्रम की स्थिति उत्पन्न कर सकते हैं, क्योंकि चिप्स का भौतिक लेआउट जरूरी नहीं है कि वे तार्किक रूप से कैसे व्यवस्थित या एक्सेस किए जाते हैं


[[JEDEC]] ने निर्णय लिया कि पंजीकृत DIMMs (RDIMMs) पर लागू होने पर दोहरे पक्षीय, दो तरफा, या दोहरे बैंक वाले शब्द सही नहीं थे।
[[JEDEC]] ने निर्णय लिया कि पंजीकृत डीआईएमएमएस (आरडीआईएमएमएस) पर लागू होने पर दोहरे पक्षीय, दो तरफा, या दोहरे बैंक वाले शब्द सही नहीं थे।


== संगठन ==
== संगठन ==
अधिकांश डीआईएमएम प्रति पक्ष नौ चिप्स के साथ ×4 (चार से) या ×8 (आठ से) मेमोरी चिप्स का उपयोग करके बनाए जाते हैं; ×4 और ×8 बिट्स में DRAM चिप्स की डेटा चौड़ाई को संदर्भित करते हैं।
अधिकांश डीआईएमएम "×4" ("बाय चार") या "×8" ("बाय आठ") मेमोरी चिप्स का उपयोग करके बनाए जाते हैं, जिसमें प्रति साइड नौ चिप्स होते हैं; "×4" और "×8" बिट्स में DRAM चिप्स की डेटा चौड़ाई को संदर्भित करते हैं।


×4 पंजीकृत डीआईएमएम के मामले में, प्रति पक्ष डेटा चौड़ाई 36 बिट है; इसलिए, मेमोरी कंट्रोलर (जिसमें 72 बिट्स की आवश्यकता होती है) को एक ही समय में दोनों पक्षों को उस डेटा को पढ़ने या लिखने के लिए संबोधित करने की आवश्यकता होती है जिसकी उसे आवश्यकता होती है। इस मामले में, दो तरफा मॉड्यूल सिंगल-रैंक है। ×8 पंजीकृत DIMM के लिए, प्रत्येक पक्ष 72 बिट चौड़ा है, इसलिए [[स्मृति नियंत्रक]] एक समय में केवल एक पक्ष को संबोधित करता है (दो तरफा मॉड्यूल दोहरी-रैंक है)।
×4 पंजीकृत डीआईएमएम के स्थिति में, प्रति पक्ष डेटा चौड़ाई 36 बिट है; इसलिए, मेमोरी कंट्रोलर (जिसमें 72 बिट्स की आवश्यकता होती है) को एक ही समय में दोनों पक्षों को उस डेटा को पढ़ने या लिखने के लिए संबोधित करने की आवश्यकता होती है जिसकी उसे आवश्यकता होती है। इस स्थिति में, दो तरफा मॉड्यूल सिंगल-रैंक है। ×8 पंजीकृत डीआईएमएम के लिए, प्रत्येक पक्ष 72 बिट चौड़ा है, इसलिए [[स्मृति नियंत्रक]] एक समय में केवल एक पक्ष को संबोधित करता है (दो तरफा मॉड्यूल दोहरी-रैंक है)।


उपरोक्त उदाहरण ईसीसी मेमोरी पर लागू होता है जो अधिक सामान्य 64 के बजाय 72 बिट्स को स्टोर करता है। आठ के प्रति समूह में एक अतिरिक्त चिप भी होगी, जिसे गिना नहीं जाता है।
उपरोक्त उदाहरण ईसीसी मेमोरी पर लागू होता है जो अधिक सामान्य 64 के अतिरिक्त 72 बिट्स को स्टोर करता है। आठ के प्रति समूह में एक अतिरिक्त चिप भी होगी, जिसे गिना नहीं जाता है।


== गति ==
== गति ==
विभिन्न तकनीकों के लिए, कुछ बस और डिवाइस क्लॉक फ्रीक्वेंसी हैं जो मानकीकृत हैं; इनमें से प्रत्येक गति के लिए प्रत्येक प्रकार के लिए एक निश्चित नामकरण भी है।
विभिन्न तकनीकों के लिए, कुछ बस और डिवाइस क्लॉक फ्रीक्वेंसी हैं जो मानकीकृत हैं; इनमें से प्रत्येक गति के लिए प्रत्येक प्रकार के लिए एक निश्चित नामकरण भी है।


सिंगल डेटा रेट (SDR) DRAM पर आधारित DIMM में डेटा, एड्रेस और कंट्रोल लाइन के लिए एक ही बस फ्रीक्वेंसी होती है। डबल डेटा रेट (DDR) DRAM पर आधारित DIMM में डेटा होता है लेकिन घड़ी की दोगुनी दर पर स्ट्रोब नहीं होता है; यह डेटा स्ट्रोब के बढ़ते और गिरते दोनों किनारों पर क्लॉक करके हासिल किया जाता है। डीडीआर-आधारित डीआईएमएम की प्रत्येक पीढ़ी के साथ बिजली की खपत और वोल्टेज धीरे-धीरे कम हो गए।
सिंगल डेटा रेट (SDR) डीआरएएम पर आधारित डीआईएमएम में डेटा, एड्रेस और कंट्रोल लाइन के लिए एक ही बस फ्रीक्वेंसी होती है। डबल डेटा रेट (डीडीआर) डीआरएएम पर आधारित डीआईएमएम में डेटा होता है लेकिन घड़ी की दोगुनी दर पर स्ट्रोब नहीं होता है; यह डेटा स्ट्रोब के बढ़ते और गिरते दोनों किनारों पर क्लॉक करके प्राप्त किया जाता है। डीडीआर-आधारित डीआईएमएम की प्रत्येक पीढ़ी के साथ बिजली की खपत और वोल्टेज धीरे-धीरे कम हो गए।


एक अन्य प्रभाव कॉलम एक्सेस स्ट्रोब (CAS) लेटेंसी या CL है जो मेमोरी एक्सेस स्पीड को प्रभावित करता है। यह रीड कमांड और क्षण डेटा उपलब्ध होने के बीच का विलंब समय है। मुख्य लेख CAS_latency | देखें सीएएस/सीएल
एक अन्य प्रभाव कॉलम एक्सेस स्ट्रोब (CAS) लेटेंसी या CL है जो मेमोरी एक्सेस स्पीड को प्रभावित करता है। यह रीड कमांड और क्षण डेटा उपलब्ध होने के बीच का विलंब समय है। मुख्य लेख सीएएस/सीएल देखें


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{| class="wikitable" style="margin-right: 2em;"
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|+ [[SDR SDRAM]] DIMMs
|+ [[SDR SDRAM|एसडीआरएसडीआरएएम]] डीआईएमएमएस
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!Chip !! Module !! Effective Clock !! [[Transfer (computing)|Transfer rate]] !! Voltage
!चिप !! मापांक !! प्रभावी घड़ी !! [[Transfer (computing)|स्थानांतरण दर]] !! वोल्टेज
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|SDR-66 || PC-66 || 66&nbsp;MHz || 66&nbsp;MT/s || 3.3&nbsp;V
|एसडीआर-66 || पीसी-66 || 66 मेगाहर्ट्ज || 66 एमटी/एस || 3.3वी
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|SDR-100 || PC-100 || 100&nbsp;MHz || 100&nbsp;MT/s || 3.3&nbsp;V
|एसडीआर-100 || पीसी-100 || 100 मेगाहर्ट्ज || 100 एमटी/एस || 3.3वी
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|SDR-133 || PC-133 || 133&nbsp;MHz || 133&nbsp;MT/s || 3.3&nbsp;V
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|}
|}


{| class="wikitable" style="margin-right: 2em;"
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|+ [[DDR SDRAM]] (DDR1) DIMMs
|+ [[DDR SDRAM|डीडीआर एसडीआरएएम]] (डीडीआर1) डीआईएमएमएस
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!Chip !! Module !! Memory Clock !! I/O Bus Clock !! [[Transfer (computing)|Transfer rate]] !! Voltage
!चिप !! मापांक !! मेमोरी घड़ी !! आई/ओ बस क्लॉक !! [[Transfer (computing)|स्थानांतरण दर]] !! वोल्टेज
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|DDR-200 || PC-1600 || 100&nbsp;MHz || 100&nbsp;MHz || 200&nbsp;MT/s || 2.5&nbsp;V
|डीडीआर-200 || पीसी-1600 || 100 मेगाहर्ट्ज || 100 मेगाहर्ट्ज || 200 एमटी/एस || 2.5वी
|-
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|DDR-266 || PC-2100 || 133&nbsp;MHz || 133&nbsp;MHz || 266&nbsp;MT/s || 2.5&nbsp;V
|डीडीआर-266 || पीसी-2100 || 133 मेगाहर्ट्ज || 133 मेगाहर्ट्ज || 266 एमटी/एस || 2.5वी
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|DDR-333 || PC-2700 || 166&nbsp;MHz || 166&nbsp;MHz || 333&nbsp;MT/s || 2.5&nbsp;V
|डीडीआर-333 || पीसी-2700 || 166 मेगाहर्ट्ज || 166 मेगाहर्ट्ज || 333 एमटी/एस || 2.5वी
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|DDR-400 || PC-3200 || 200&nbsp;MHz || 200&nbsp;MHz || 400&nbsp;MT/s || 2.5&nbsp;V
|डीडीआर-400 || पीसी-3200 || 200 मेगाहर्ट्ज || 200 मेगाहर्ट्ज || 400 एमटी/एस || 2.5वी
|}
|}


{| class="wikitable" style="margin-right: 2em;"
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|+ [[DDR2 SDRAM]] DIMMs
|+ [[DDR2 SDRAM|डीडीआर2 एसडीआरएएम]] डीआईएमएमएस
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!Chip !! Module !! Memory&nbsp;Clock !! I/O&nbsp;Bus&nbsp;Clock !! [[Transfer (computing)|Transfer&nbsp;rate]] !! Voltage
!चिप !! मापांक !! मेमोरी घड़ी !! आई/ओ बस क्लॉक !! [[Transfer (computing)|स्थानांतरण दर]] !! वोल्टेज
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|DDR2-400  || PC2-3200 || 200&nbsp;MHz || 200&nbsp;MHz ||  400&nbsp;MT/s || 1.8&nbsp;V
|डीडीआर2-400  || पीसी2-3200 || 200 मेगाहर्ट्ज || 200 मेगाहर्ट्ज ||  400 एमटी/एस || 1.8वी
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|DDR2-533  || PC2-4200 || 266&nbsp;MHz || 266&nbsp;MHz ||  533&nbsp;MT/s || 1.8&nbsp;V
|डीडीआर2-533  || पीसी2-4200 || 266 मेगाहर्ट्ज || 266 मेगाहर्ट्ज ||  533 एमटी/एस || 1.8वी
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|DDR2-667  || PC2-5300 || 333&nbsp;MHz || 333&nbsp;MHz ||  667&nbsp;MT/s || 1.8&nbsp;V
|डीडीआर2-667  || पीसी2-5300 || 333 मेगाहर्ट्ज || 333 मेगाहर्ट्ज ||  667 एमटी/एस || 1.8वी
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|DDR2-800  || PC2-6400 || 400&nbsp;MHz || 400&nbsp;MHz ||  800&nbsp;MT/s || 1.8&nbsp;V
|डीडीआर2-800  || पीसी2-6400 || 400 मेगाहर्ट्ज || 400 मेगाहर्ट्ज ||  800 एमटी/एस || 1.8वी
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|{{nowrap|DDR2-1066}} || {{nowrap|PC2-8500}} || 533&nbsp;MHz || 533&nbsp;MHz || 1066&nbsp;MT/s || 1.8&nbsp;V
|{{nowrap|DDR2-1066}} || {{nowrap|पीसी2-8500}}|| 533 मेगाहर्ट्ज || 533 मेगाहर्ट्ज || 1066 एमटी/एस || 1.8वी
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|}


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{| class="wikitable"
{| class="wikitable"
|+ [[DDR3 SDRAM]] DIMMs
|+ [[DDR3 SDRAM|डीडीआर3 एसडीआरएएम]] डीआईएमएमएस
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!Chip !! Module !! Memory Clock !! I/O Bus Clock !! [[Transfer (computing)|Transfer rate]] !! Voltage
!चिप !! मापांक !! मेमोरी घड़ी !! आई/ओ बस क्लॉक !! [[Transfer (computing)|स्थानांतरण दर]] !! वोल्टेज
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|-
|DDR3-800  || PC3-6400  || 400&nbsp;MHz ||  400&nbsp;MHz ||  800&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-800  || पीसी3-6400  || 400 मेगाहर्ट्ज ||  400 मेगाहर्ट्ज ||  800 एमटी/एस || 1.5वी
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|DDR3-1066 || PC3-8500  || 533&nbsp;MHz ||  533&nbsp;MHz || 1066&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-1066 || पीसी3-8500  || 533 मेगाहर्ट्ज ||  533 मेगाहर्ट्ज || 1066 एमटी/एस || 1.5वी
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|DDR3-1333 || PC3-10600 || 667&nbsp;MHz ||  667&nbsp;MHz || 1333&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-1333 || पीसी3-10600 || 667 मेगाहर्ट्ज ||  667 मेगाहर्ट्ज || 1333 एमटी/एस || 1.5वी
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|DDR3-1600 || PC3-12800 || 800&nbsp;MHz ||  800&nbsp;MHz || 1600&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-1600 || पीसी3-12800 || 800 मेगाहर्ट्ज ||  800 मेगाहर्ट्ज || 1600 एमटी/एस || 1.5वी
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|DDR3-1866 || PC3-14900 || 933&nbsp;MHz ||  933&nbsp;MHz || 1866&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-1866 || पीसी3-14900 || 933 मेगाहर्ट्ज ||  933 मेगाहर्ट्ज || 1866 एमटी/एस || 1.5वी
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|DDR3-2133 || PC3-17000 || 1066&nbsp;MHz || 1066&nbsp;MHz || 2133&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-2133 || पीसी3-17000 || 1066 मेगाहर्ट्ज || 1066 मेगाहर्ट्ज || 2133 एमटी/एस || 1.5वी
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|DDR3-2400 || PC3-19200 || 1200&nbsp;MHz || 1200&nbsp;MHz || 2400&nbsp;MT/s || 1.5&nbsp;V
|डीडीआर3-2400 || पीसी3-19200 || 1200 मेगाहर्ट्ज || 1200 मेगाहर्ट्ज || 2400 एमटी/एस || 1.5वी
|}
|}


{| class="wikitable"
{| class="wikitable"
|+ [[DDR4 SDRAM]] DIMMs
|+ [[DDR4 SDRAM|डीडीआर4 एसडीआरएएम]] डीआईएमएमएस
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!Chip !! Module !! Memory Clock !! I/O Bus Clock !! [[Transfer (computing)|Transfer rate]] !! Voltage
!चिप !! मापांक !! मेमोरी घड़ी !! आई/ओ बस क्लॉक !! [[Transfer (computing)|स्थानांतरण दर]] !! वोल्टेज
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|-
|DDR4-1600 || PC4-12800 || 800&nbsp;MHz ||  800&nbsp;MHz || 1600&nbsp;MT/s || 1.2&nbsp;V
|डीडीआर4-1600 || पीसी4-12800 || 800 मेगाहर्ट्ज ||  800 मेगाहर्ट्ज || 1600 एमटी/एस || 1.2वी
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|DDR4-1866 || PC4-14900 || 933&nbsp;MHz ||  933&nbsp;MHz || 1866&nbsp;MT/s || 1.2&nbsp;V
|डीडीआर4-1866 || पीसी4-14900 || 933 मेगाहर्ट्ज ||  933 मेगाहर्ट्ज || 1866 एमटी/एस || 1.2वी
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|DDR4-2133 || PC4-17000 || 1066&nbsp;MHz || 1066&nbsp;MHz || 2133&nbsp;MT/s || 1.2&nbsp;V
|डीडीआर4-2133 || पीसी4-17000 || 1066 मेगाहर्ट्ज || 1066 मेगाहर्ट्ज || 2133 एमटी/एस || 1.2वी
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|DDR4-2400 || PC4-19200 || 1200&nbsp;MHz || 1200&nbsp;MHz || 2400&nbsp;MT/s || 1.2&nbsp;V
|डीडीआर4-2400 || पीसी4-19200 || 1200 मेगाहर्ट्ज || 1200 मेगाहर्ट्ज || 2400 एमटी/एस || 1.2वी
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|DDR4-2666 || PC4-21300 || 1333&nbsp;MHz || 1333&nbsp;MHz || 2666&nbsp;MT/s || 1.2&nbsp;V
|डीडीआर4-2666 || पीसी4-21300 || 1333 मेगाहर्ट्ज || 1333 मेगाहर्ट्ज || 2666 एमटी/एस || 1.2वी
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|DDR4-3200 || PC4-25600 || 1600&nbsp;MHz || 1600&nbsp;MHz || 3200&nbsp;MT/s || 1.2&nbsp;V
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[[Category:Wikipedia metatemplates]]


== रूप कारक ==
डीआईएमएम में सामान्यतः कई फार्म कारकों का उपयोग किया जाता है। सिंगल डाटा रेट सिंक्रोनस डीआरएएम (एसडीआर एसडीआरएएम) डीआईएमएम मुख्य रूप से {{convert|1.5|in|mm}} और {{convert|1.7|in|mm}} ऊंचाई में निर्मित किए गए थे। जब [[रैक इकाई]] सर्वर लोकप्रिय होने लगे, तो इन फॉर्म फैक्टर पंजीकृत डीआईएमएम को एक कोण वाले डीआईएमएम सॉकेट में प्लग करना पड़ा जिससे वे {{convert|1.75|in|mm}} उच्च बॉक्स में फिट हो सकें। । इस अभिप्राय को कम करने के लिए, डीडीआर डीआईएमएम के अगले मानकों को लगभग कम प्रोफ़ाइल (एलपी) ऊंचाई {{convert|1.2|in|mm}} के साथ बनाया गया था. ये 1U प्लेटफॉर्म के लिए लंबवत डीआईएमएम सॉकेट में फिट होते हैं।


== रूप कारक ==
[[ब्लेड सर्वर]] के आगमन के साथ, इन अंतरिक्ष-बाधित बक्सों में एलपी फॉर्म फैक्टर डीआईएमएम को समायोजित करने के लिए एंगल्ड स्लॉट एक बार फिर साधारण हो गए हैं। इसके कारण वेरी लो प्रोफाइल (वीएलपी) फॉर्म फैक्टर डीआईएमएम का विकास {{convert|0.72|in|mm}} लगभग की ऊंचाई के साथ हुआ. वीएलपी डीआईएमएम ऊंचाई {{convert|0.740|in|mm}} के लिए डीडीआर3 JEDEC मानक लगभग है. ये [[उन्नत दूरसंचार कंप्यूटिंग आर्किटेक्चर]] सिस्टम में लंबवत रूप से फिट होंगे।
[[File:Laptop_SODIMM_DDR_Memory_Comparison_V2.svg|right|thumb|200-पिन DDR और DDR2 SDRAM SO-DIMM और 204-पिन DDR3 SO-DIMM मॉड्यूल के बीच तुलना<ref name="custhelp">{{cite web
 
| url = http://acer.custhelp.com/app/answers/detail/a_id/2178/~/are-ddr,-ddr2-and-ddr3-so-dimm-memory-modules-interchangeable%3F
JEDEC द्वारा निर्धारित मानकों द्वारा पूर्ण-ऊंचाई 240-पिन डीडीआर2 और डीडीआर3 डीआईएमएम सभी को लगभग {{convert|1.18|in|mm}} की ऊंचाई पर निर्दिष्ट किया गया है। इन फार्म कारकों में 240-पिन डीआईएमएम, एसओ-डीआईएमएम, मिनी-डीआईएमएम और माइक्रो-डीआईएमएम सम्मिलित हैं।<ref>[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/MO-269J.pdf JEDEC MO-269J Whitepaper.], accessed Aug. 20, 2014.</ref>
| title = क्या DDR, DDR2 और DDR3 SO-DIMM मेमोरी मॉड्यूल विनिमेय हैं?| access-date = 2015-06-26
| website = acer.custhelp.com
}}</ref>]]डीआईएमएम में आमतौर पर कई फार्म कारकों का उपयोग किया जाता है। सिंगल डाटा रेट सिंक्रोनस डीआरएएम (एसडीआर एसडीआरएएम) डीआईएमएम मुख्य रूप से निर्मित किए गए थे {{convert|1.5|in|mm}} और {{convert|1.7|in|mm}} ऊंचाइयों। जब [[रैक इकाई]] सर्वर लोकप्रिय होने लगे, तो इन फॉर्म फैक्टर पंजीकृत DIMM को एक कोण वाले DIMM सॉकेट में प्लग करना पड़ा ताकि वे इसमें फिट हो सकें। {{convert|1.75|in|mm}} उच्च बॉक्स। इस मुद्दे को कम करने के लिए, डीडीआर डीआईएमएम के अगले मानकों को लगभग कम प्रोफ़ाइल (एलपी) ऊंचाई के साथ बनाया गया था {{convert|1.2|in|mm}}. ये 1यू प्लेटफॉर्म के लिए लंबवत डीआईएमएम सॉकेट में फिट होते हैं।


[[ब्लेड सर्वर]] के आगमन के साथ, इन अंतरिक्ष-बाधित बक्सों में एलपी फॉर्म फैक्टर डीआईएमएम को समायोजित करने के लिए एंगल्ड स्लॉट एक बार फिर आम हो गए हैं। इसके कारण वेरी लो प्रोफाइल (वीएलपी) फॉर्म फैक्टर डीआईएमएम का विकास लगभग की ऊंचाई के साथ हुआ {{convert|0.72|in|mm}}. VLP DIMM ऊंचाई के लिए DDR3 JEDEC मानक लगभग है {{convert|0.740|in|mm}}. ये [[उन्नत दूरसंचार कंप्यूटिंग आर्किटेक्चर]] सिस्टम में लंबवत रूप से फिट होंगे।
पूर्ण-ऊंचाई 288-पिन डीडीआर4 डीआईएमएम अपने डीडीआर3 समकक्षों की तुलना में {{convert|1.23|in|mm}} थोड़े लम्बे हैं . इसी तरह, VLP डीडीआर4 डीआईएमएम भी लगभग {{convert|0.74|in|mm}} अपने डीडीआर3 समकक्ष से थोड़े लम्बे हैं .<ref>[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/MO-309E.pdf JEDEC MO-309E Whitepaper.], accessed Aug. 20, 2014.</ref>


पूर्ण-ऊंचाई 240-पिन DDR2 और DDR3 DIMM लगभग की ऊंचाई पर निर्दिष्ट हैं {{convert|1.18|in|mm}} जेईडीईसी द्वारा निर्धारित मानकों द्वारा। इन फार्म कारकों में 240-पिन डीआईएमएम, एसओ-डीआईएमएम, मिनी-डीआईएमएम और माइक्रो-डीआईएमएम शामिल हैं।<ref>[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/MO-269J.pdf JEDEC MO-269J Whitepaper.], accessed Aug. 20, 2014.</ref>
Q2 2017 तक, Asus के पास [[PCI-E]] आधारित डीआईएमएम2 है, जिसमें डीडीआर3 डीआईएमएम के समान सॉकेट है और इसका उपयोग दो   [[NVMe|M.2 NVMe]] सॉलिड-स्टेट ड्राइव तक कनेक्ट करने के लिए एक मॉड्यूल में करने के लिए किया जाता है। चूंकि, यह सामान्य डीडीआर प्रकार के आरएएम का उपयोग नहीं कर सकता है और आसुस के अतिरिक्त इसके पास बहुत अधिक समर्थन नहीं है।<ref>[https://www.techpowerup.com/229448/asus-dimm-2-is-an-m-2-riser-card ASUS DIMM.2 is a M.2 Riser Card.], accessed Jun. 4, 2020.</ref>
पूर्ण-ऊंचाई 288-पिन DDR4 DIMM अपने DDR3 समकक्षों की तुलना में थोड़े लम्बे हैं {{convert|1.23|in|mm}}. इसी तरह, VLP DDR4 DIMM भी लगभग अपने DDR3 समकक्ष से थोड़े लम्बे हैं {{convert|0.74|in|mm}}.<ref>[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/MO-309E.pdf JEDEC MO-309E Whitepaper.], accessed Aug. 20, 2014.</ref>
Q2 2017 तक, Asus के पास [[PCI-E]] आधारित DIMM.2 है, जिसमें DDR3 DIMM के समान सॉकेट है और इसका उपयोग दो M.2 [[NVMe]] सॉलिड-स्टेट ड्राइव तक कनेक्ट करने के लिए एक मॉड्यूल में करने के लिए किया जाता है। हालाँकि, यह सामान्य DDR प्रकार के RAM का उपयोग नहीं कर सकता है और आसुस के अलावा इसके पास बहुत अधिक समर्थन नहीं है।<ref>[https://www.techpowerup.com/229448/asus-dimm-2-is-an-m-2-riser-card ASUS DIMM.2 is a M.2 Riser Card.], accessed Jun. 4, 2020.</ref>
नियमित DIMM की लंबाई आमतौर पर 133.35 मिमी, SO-DIMM की लंबाई 67.6 मिमी होती है।<ref name=":0">{{cite web|url=https://www.simmtester.com/News/PublicationArticle/168 |date=2009-10-06 |accessdate=2021-05-13 |title=कॉमन डीआईएमएम मेमोरी फॉर्म फैक्टर}}</ref>


नियमित डीआईएमएम की लंबाई सामान्यतः 133.35 मिमी, एसओ-डीआईएमएम की लंबाई 67.6 मिमी होती है।<ref name=":0">{{cite web|url=https://www.simmtester.com/News/PublicationArticle/168 |date=2009-10-06 |accessdate=2021-05-13 |title=कॉमन डीआईएमएम मेमोरी फॉर्म फैक्टर}}</ref>


== यह भी देखें ==
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* [[दोहरी इन-लाइन पैकेज]] (डीआईपी)
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* [[स्मृति पांव मारना]]
* [[स्मृति पांव मारना]]
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* [[सिंगल इन-लाइन पैकेज]] (SIP)
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*JEDEC मेमोरी मानक
*निजी कंप्यूटर
*विस्तारित डेटा आउट रैम
*पूरी तरह से बफर डीआईएमएम
*नेटवर्क संलग्न संग्रहण
*पंजीकृत स्मृति
*UDIMM
*धारावाहिक उपस्थिति का पता लगाने
*ईसीसी मेमोरी
*पंजीकृत डीआईएमएम
*दुगनी डाटा दर
== बाहरी कड़ियाँ ==
== बाहरी कड़ियाँ ==
{{Commons category|DIMM}}
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* [http://www.oempcworld.com/support/How_to_Install_PC_Memory.htm How to Install PC Memory guides]
* [http://www.oempcworld.com/support/How_to_Install_PC_Memory.htm How to Install पीसी Memory guides]
* [http://www.supertalent.com/datasheets/VLP_WHITEPAPER.pdf Very Low Profile (VLP) DDR2 Whitepaper (PDF)]
* [http://www.supertalent.com/datasheets/VLP_WHITEPAPER.pdf वीery Low Profile (वीLP) डीडीआर2 Whitepaper (PDF)]
* [https://reviewpanther.com/is-4gb-ram-good-for-a-laptop/ Is 4GB RAM Good For a Laptop?]
* [https://reviewpanther.com/is-4gb-ram-good-for-a-laptop/ Is 4GB आरएएम Good For a Laptop?]
 
 
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दो प्रकार के डीआईएमएम: एक 168-पिन एसडीआरएएम मॉड्यूल (ऊपर) और एक 184-पिन डीडीआर एसडीआरएएम मॉड्यूल (नीचे)। एसडीआरएएम मॉड्यूल में निचले किनारे पर दो श्रेणी (आयताकार कटौती या चीरे) हैं, जबकि डीडीआर1 एसडीआरएएम मॉड्यूल में एक है। इसके अतिरिक्त, प्रत्येक मॉड्यूल में आठ रैम चिप्स होते हैं, लेकिन निचले हिस्से में नौवीं चिप के लिए खाली जगह होती है; यह स्थान ईसीसी डीआईएमएम में व्याप्त है
ABIT BP6 संगणक मदरबोर्ड पर तीन एसडीआरएएम डीआईएमएम स्लॉट

डीआईएमएम (/dɪm/) (डुअल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल), जिसे सामान्यतः रैम स्टिक कहा जाता है, में डायनामिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी एकीकृत परिपथ की एक श्रृंखला संम्मिलित होती है। ये मेमोरी मॉड्यूल एक मुद्रित सर्किट बोर्ड पर लगाए गए हैं और व्यक्तिगत संगणक, कार्य केंद्र, प्रिंटर (कंप्यूटिंग) और सर्वर (कंप्यूटिंग) में उपयोग के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। वे संगणक सिस्टम में मेमोरी जोड़ने की प्रमुख विधि हैं। डीआईएमएम के दीर्घ बहुमत जेईडीईसी मेमोरी मानकों के माध्यम से मानकीकृत हैं, चूंकि स्वामित्व डीआईएमएम हैं। डीआईएमएम विभिन्न प्रकार की गति और आकार में आते हैं, लेकिनसामान्यतः दो लंबाई में से एक होते हैं - पीसी जो 133.35 मिमी (5.25 इंच) और लैपटॉप (एसओ-डीआईएमएम) हैं जो 67.60 मिमी (2.66 इंच) में लगभग आधे आकार के हैं.[1]

इतिहास

डीआईएमएम (डुअल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल) ने 1990 के दशक में SIMM (सिंगल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल) के लिए अपग्रेड लिया क्योंकि इंटेल P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर) आधारित पेंटियम (ब्रांड) प्रोसेसर ने बाजार साझेदारी प्राप्त करना प्रारंभ कर दिया था। पेंटियम में 64-बिट बस (कंप्यूटिंग) चौड़ाई थी, जिसके लिए डेटा बस को आवासित करने के लिए मिलान जोड़े में SIMM स्थापित करने की आवश्यकता होगी। प्रोसेसर तब समानांतर में दो सिमएम तक पहुंच जाएगा।

इस हानि को खत्म करने के लिए डीआईएमएम प्रस्तुत किए गए थे। दोनों पक्षों के सिमएम पर संपर्क अपारदर्शिता हैं, जबकि डीआईएमएम के मॉड्यूल के प्रत्येक तरफ भिन्न-भिन्न विद्युत संपर्क हैं। इसने उन्हें SIMM के 32-बिट डेटा पथ को 64-बिट डेटा पथ में दोगुना करने की अनुमति दी।

डीआईएमएम नाम को दोहरे इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल के लिए एक संक्षिप्त नाम के रूप में चुना गया था जो एक SIMM के संपर्कों में दो स्वतंत्र पंक्तियों में विभाजन का प्रतीक था। बीच के वर्षों में मॉड्यूल में कई संवर्द्धन हुए हैं, लेकिन डीआईएमएम शब्द संगणक मेमोरी मॉड्यूल के लिए एक सामान्य शब्द के रूप में बना हुआ है।

वेरिएंट

डीआईएमएम के वेरिएंट डीडीआर, डीडीआर2, डीडीआर3, डीडीआर4 और डीडीआर5 रैम को सपोर्ट करते हैं।

सामान्य प्रकार के डीआईएमएम में निम्नलिखित संम्मिलित हैं:

एसडीआरएएम एसडीआर

एसडीआरएएम

डीडीआर

एसडीआरएएम

डीडीआर2

एसडीआरएएम

डीडीआर3

एसडीआरएएम

डीडीआर4

एसडीआरएएम

डीडीआर5

एसडीआरएएम

एफपीएम डीआरएएम

और ईडीओ डीआरएएम

एफबी-डीआईएमएम

डीआरएएम

डीआईएमएम 100-पिन 168-पिन 184-पिन 240-पिन[lower-alpha 1] 288-पिन[lower-alpha 1] 168-पिन 240-पिन
एसओ-डीआईएमएम — 144-पिन 200-पिन[lower-alpha 1] 204-पिन 260-पिन 262-पिन 72-पिन/144-पिन —
माइक्रोडीआईएमएम — 144-पिन 172-पिन 214-पिन — —
  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 with different notch positions

70 से 200 पिन

  • 72-पिन एसओ-डीआईएमएम (72-पिन SIMM के समान नहीं), फास्ट पेज मोड डीआरएएम और विस्तारित डेटा आउट आरएएम डीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 100-पिन डीआईएमएम, प्रिंटर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 144-पिन एसओ-डीआईएमएम, एसडीआरएएम एसडीआर एसडीआरएएम एसडीआरएएम (डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए अधिकांशतः कम) के लिए उपयोग किया जाता है
  • 168-पिन डीआईएमएम, एसडीआर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है (वर्कस्टेशन/सर्वर में एफपीएम/ईडीओ डीआरएएम के लिए कम बार, 3.3 या 5 वी हो सकता है)
  • 172-पिन माइक्रोडीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 184-पिन डीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम के लिए प्रयोग किया जाता है
  • 200-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर एसडीआरएएम और डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 200-पिन डीआईएमएम, कुछ सन माइक्रोसिस्टम्स वर्कस्टेशन और सर्वर में FPM/EDO डीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है।

201 से 300 पिन

  • 204-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर3 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 214-पिन माइक्रोडीआईएमएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 240-पिन डीआईएमएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम, डीडीआर3 एसडीआरएएम और पूरी तरह से बफर डीआईएमएम|FB-डीआईएमएम डीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 244-पिन Miniडीआईएमएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 260-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर4 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है
  • 260-पिन एसओ-डीआईएमएम, डीडीआर4 एसओ-डीआईएमएम की तुलना में भिन्न श्रेणी स्थिति के साथ, UniDIMM के लिए उपयोग किया जाता है जो डीडीआर3 या डीडीआर4 एसडीआरएएम को ले जा सकता है
  • 278-पिन डीआईएमएम, हेवलेट पैकर्ड उच्च घनत्व एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है।
  • 288-पिन डीआईएमएम, डीडीआर4 एसडीआरएएम और डीडीआर5 एसडीआरएएम के लिए उपयोग किया जाता है[2]


एसओ-डीआईएमएम

एक 200-पिन पीसी2-5300 डीडीआर2 एसओ-डीआईएमएम
एक 204-पिन पीसी3-10600 डीडीआर3 एसओ-डीआईएमएम

फ़ाइल:डीडीआर_एसओ-डीआईएमएम_slot_PNr°0341.jpg|thumb|upright=1.6| संगणक मदरबोर्ड पर एसओ-डीआईएमएम स्लॉट

एक एसओ-डीआईएमएम (उच्चारण so-dimm /ˈsoʊdɪm/, जिसे एसओडीआईएमएम भी लिखा जाता है) या छोटी रूपरेखा डीआईएमएम, डीआईएमएम का एक छोटा विकल्प है, जो एक नियमित डीआईएमएम का लगभग आधा भौतिक आकार है।

एसओ-डीआईएमएम का उपयोग अधिकांशतः उन प्रणालियों में किया जाता है जिनमें सीमित स्थान होता है, जिसमें लैपटॉप, नोटबुक नैनो-आईटीएक्स मदरबोर्ड पर आधारित छोटे फुटप्रिंट व्यक्तिगत संगणक, हाई-एंड अपग्रेडेबल ऑफिस संगणक मुद्रक, और नेटवर्किंग हार्डवेयर जैसे राउटर (कंप्यूटिंग) और एनएएस डिवाइस सम्मिलित हैं।[3] वे सामान्यतः समान आकार के डेटा पथ और नियमित डीआईएमएम की गति रेटिंग चूंकि सामान्यतः छोटी क्षमताओं के साथ उपलब्ध होते हैं।

एसडीआर 168-पिन एसडीआरएएम

डीडीआर (शीर्ष) और डीडीआर2 (नीचे) डीआईएमएम मॉड्यूल पर श्रेणी की स्थिति

168-पिन डीआईएमएम के निचले किनारे पर दो श्रेणी हैं, और प्रत्येक श्रेणी का स्थान मॉड्यूल की एक विशेष विशेषता निर्धारित करता है। पहला श्रेणी डीआरएएम कुंजी स्थिति है, जो RFU (आरक्षित भविष्य का उपयोग), पंजीकृत मेमोरी और असंबद्ध स्मृति डीआईएमएम प्रकार (क्रमशः बाएं, मध्य और दाएं स्थिति) का प्रतिनिधित्व करता है। दूसरा श्रेणी वोल्टेज कुंजी स्थिति है, जो 5.0 वी, 3.3 वी, और RFU डीआईएमएम प्रकार का प्रतिनिधित्व करता है (क्रम ऊपर जैसा ही है)।

डीडीआर डीआईएमएम

16 गिब डीडीआर4-2666 1.2 वी यूडीआईएमएम

डीडीआर एसडीआरएएम, डीडीआर2 एसडीआरएएम, डीडीआर3 एसडीआरएएम, डीडीआर4 एसडीआरएएम और डीडीआर5 एसडीआरएएम सभी में अलग-अलग पिन काउंट और/या अलग-अलग श्रेणी की स्थिति होती है। अक्टूबर 2022 तक, डीडीआर5 एसडीआरएएम एक उच्च-बैंडविड्थ (डबल डेटा दर) इंटरफ़ेस के साथ डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (डीआरएएम) का एक आधुनिक उभरता हुआ प्रकार है, और 2020 से उपयोग में है। यह डीडीआर का उच्च-गति उत्तराधिकारी है, डीडीआर2, डीडीआर3 और डीडीआर4। डीडीआर5 एसडीआरएएम अलग-अलग सिग्नलिंग वोल्टेज, समय, साथ ही प्रौद्योगिकियों और उनके कार्यान्वयन के बीच अन्य भिन्न कारकों के कारण किसी भी प्रकार की रैंडम एक्सेस मेमोरी (आरएएम) के साथ न तो आगे और न ही पिछड़े संगत है।

एसपीडी ईप्रोम

एक डीआईएमएम की क्षमता और अन्य परिचालन मापदंडों को सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (एसपीडी) के साथ पहचाना जा सकता है, एक अतिरिक्त चिप जिसमें मॉड्यूल प्रकार और समय के बारे में जानकारी होती है जिससे स्मृति नियंत्रक को सही ढंग से कॉन्फ़िगर किया जा सके। SPD EEPROM सिस्टम प्रबंधन बस से जुड़ता है और इसमें थर्मल सेंसर (TS-on-डीआईएमएम) भी ​​हो सकते हैं।[4]


त्रुटि सुधार

ECC मेमोरी डीआईएमएम वे हैं जिनमें अतिरिक्त डेटा बिट्स होते हैं जिनका उपयोग सिस्टम मेमोरी कंट्रोलर द्वारा त्रुटियों का पता लगाने और उन्हें ठीक करने के लिए किया जा सकता है। कई ECC योजनाएँ हैं, लेकिन संभवतः सबसे साधारण सिंगल एरर करेक्ट, डबल एरर डिटेक्ट (SECDED) है जो प्रति 64-बिट शब्द में एक अतिरिक्त बाइट का उपयोग करता है। ECC मॉड्यूल में सामान्यतः 8 चिप्स के गुणक के अतिरिक्त 9 का गुणक होता है।

रैंकिंग

Main article: मेमोरी रैंक

कभी-कभी मेमोरी मॉड्यूल एक ही पते और डेटा बसों से जुड़े डीआरएएम चिप्स के दो या दो से अधिक स्वतंत्र सेटों के साथ डिज़ाइन किए जाते हैं; ऐसे प्रत्येक सेट को रैंक कहा जाता है। रैंक जो समान स्लॉट साझा करते हैं, किसी भी समय केवल एक रैंक तक पहुँचा जा सकता है; यह संबंधित रैंक के चिप सेलेक्ट (CS) सिग्नल को सक्रिय करके निर्दिष्ट किया जाता है। मॉड्यूल पर अन्य रैंक उनके संबंधित सीएस सिग्नल को निष्क्रिय करके ऑपरेशन की अवधि के लिए निष्क्रिय कर दिए जाते हैं। डीआईएमएम वर्तमान में सामान्यतः प्रति मॉड्यूल चार रैंक तक निर्मित किए जा रहे हैं। उपभोक्ता डीआईएमएम विक्रेताओं ने हाल ही में सिंगल और डुअल रैंक वाले डीआईएमएम के बीच अंतर करना प्रारंभ कर दिया है।

स्मृति शब्द लाने के बाद, स्मृति सामान्यतः विस्तारित अवधि के लिए पहुंच योग्य नहीं होती है, जबकि अर्थ एम्पलीफायरों को अगले सेल तक पहुंचने के लिए चार्ज किया जाता है। मेमोरी को इंटरलीविंग करके (जैसे सेल 0, 4, 8, आदि को एक रैंक में एक साथ संग्रहीत किया जाता है), अनुक्रमिक मेमोरी एक्सेस को अधिक तेजी से किया जा सकता है क्योंकि सेंस एम्पलीफायरों में एक्सेस के बीच रिचार्जिंग के लिए निष्क्रिय समय के 3 चक्र होते हैं।

मॉड्यूल के मुद्रित सर्किट बोर्ड (पीसीबी) के एक या दोनों तरफ डीआरएएम चिप्स स्थित हैं या नहीं, इसका वर्णन करने के लिए डीआईएमएम को अधिकांशतः "सिंगल-साइडेड" या "डबल-साइडेड" के रूप में संदर्भित किया जाता है। चूंकि, ये शब्द भ्रम की स्थिति उत्पन्न कर सकते हैं, क्योंकि चिप्स का भौतिक लेआउट जरूरी नहीं है कि वे तार्किक रूप से कैसे व्यवस्थित या एक्सेस किए जाते हैं

JEDEC ने निर्णय लिया कि पंजीकृत डीआईएमएमएस (आरडीआईएमएमएस) पर लागू होने पर दोहरे पक्षीय, दो तरफा, या दोहरे बैंक वाले शब्द सही नहीं थे।

संगठन

अधिकांश डीआईएमएम "×4" ("बाय चार") या "×8" ("बाय आठ") मेमोरी चिप्स का उपयोग करके बनाए जाते हैं, जिसमें प्रति साइड नौ चिप्स होते हैं; "×4" और "×8" बिट्स में DRAM चिप्स की डेटा चौड़ाई को संदर्भित करते हैं।

×4 पंजीकृत डीआईएमएम के स्थिति में, प्रति पक्ष डेटा चौड़ाई 36 बिट है; इसलिए, मेमोरी कंट्रोलर (जिसमें 72 बिट्स की आवश्यकता होती है) को एक ही समय में दोनों पक्षों को उस डेटा को पढ़ने या लिखने के लिए संबोधित करने की आवश्यकता होती है जिसकी उसे आवश्यकता होती है। इस स्थिति में, दो तरफा मॉड्यूल सिंगल-रैंक है। ×8 पंजीकृत डीआईएमएम के लिए, प्रत्येक पक्ष 72 बिट चौड़ा है, इसलिए स्मृति नियंत्रक एक समय में केवल एक पक्ष को संबोधित करता है (दो तरफा मॉड्यूल दोहरी-रैंक है)।

उपरोक्त उदाहरण ईसीसी मेमोरी पर लागू होता है जो अधिक सामान्य 64 के अतिरिक्त 72 बिट्स को स्टोर करता है। आठ के प्रति समूह में एक अतिरिक्त चिप भी होगी, जिसे गिना नहीं जाता है।

गति

विभिन्न तकनीकों के लिए, कुछ बस और डिवाइस क्लॉक फ्रीक्वेंसी हैं जो मानकीकृत हैं; इनमें से प्रत्येक गति के लिए प्रत्येक प्रकार के लिए एक निश्चित नामकरण भी है।

सिंगल डेटा रेट (SDR) डीआरएएम पर आधारित डीआईएमएम में डेटा, एड्रेस और कंट्रोल लाइन के लिए एक ही बस फ्रीक्वेंसी होती है। डबल डेटा रेट (डीडीआर) डीआरएएम पर आधारित डीआईएमएम में डेटा होता है लेकिन घड़ी की दोगुनी दर पर स्ट्रोब नहीं होता है; यह डेटा स्ट्रोब के बढ़ते और गिरते दोनों किनारों पर क्लॉक करके प्राप्त किया जाता है। डीडीआर-आधारित डीआईएमएम की प्रत्येक पीढ़ी के साथ बिजली की खपत और वोल्टेज धीरे-धीरे कम हो गए।

एक अन्य प्रभाव कॉलम एक्सेस स्ट्रोब (CAS) लेटेंसी या CL है जो मेमोरी एक्सेस स्पीड को प्रभावित करता है। यह रीड कमांड और क्षण डेटा उपलब्ध होने के बीच का विलंब समय है। मुख्य लेख सीएएस/सीएल देखें


एसडीआरएसडीआरएएम डीआईएमएमएस
चिप मापांक प्रभावी घड़ी स्थानांतरण दर वोल्टेज
एसडीआर-66 पीसी-66 66 मेगाहर्ट्ज 66 एमटी/एस 3.3वी
एसडीआर-100 पीसी-100 100 मेगाहर्ट्ज 100 एमटी/एस 3.3वी
एसडीआर-133 पीसी-133 133 मेगाहर्ट्ज 133 एमटी/एस 3.3वी
डीडीआर एसडीआरएएम (डीडीआर1) डीआईएमएमएस
चिप मापांक मेमोरी घड़ी आई/ओ बस क्लॉक स्थानांतरण दर वोल्टेज
डीडीआर-200 पीसी-1600 100 मेगाहर्ट्ज 100 मेगाहर्ट्ज 200 एमटी/एस 2.5वी
डीडीआर-266 पीसी-2100 133 मेगाहर्ट्ज 133 मेगाहर्ट्ज 266 एमटी/एस 2.5वी
डीडीआर-333 पीसी-2700 166 मेगाहर्ट्ज 166 मेगाहर्ट्ज 333 एमटी/एस 2.5वी
डीडीआर-400 पीसी-3200 200 मेगाहर्ट्ज 200 मेगाहर्ट्ज 400 एमटी/एस 2.5वी
डीडीआर2 एसडीआरएएम डीआईएमएमएस
चिप मापांक मेमोरी घड़ी आई/ओ बस क्लॉक स्थानांतरण दर वोल्टेज
डीडीआर2-400 पीसी2-3200 200 मेगाहर्ट्ज 200 मेगाहर्ट्ज 400 एमटी/एस 1.8वी
डीडीआर2-533 पीसी2-4200 266 मेगाहर्ट्ज 266 मेगाहर्ट्ज 533 एमटी/एस 1.8वी
डीडीआर2-667 पीसी2-5300 333 मेगाहर्ट्ज 333 मेगाहर्ट्ज 667 एमटी/एस 1.8वी
डीडीआर2-800 पीसी2-6400 400 मेगाहर्ट्ज 400 मेगाहर्ट्ज 800 एमटी/एस 1.8वी
DDR2-1066 पीसी2-8500 533 मेगाहर्ट्ज 533 मेगाहर्ट्ज 1066 एमटी/एस 1.8वी


डीडीआर3 एसडीआरएएम डीआईएमएमएस
चिप मापांक मेमोरी घड़ी आई/ओ बस क्लॉक स्थानांतरण दर वोल्टेज
डीडीआर3-800 पीसी3-6400 400 मेगाहर्ट्ज 400 मेगाहर्ट्ज 800 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर3-1066 पीसी3-8500 533 मेगाहर्ट्ज 533 मेगाहर्ट्ज 1066 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर3-1333 पीसी3-10600 667 मेगाहर्ट्ज 667 मेगाहर्ट्ज 1333 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर3-1600 पीसी3-12800 800 मेगाहर्ट्ज 800 मेगाहर्ट्ज 1600 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर3-1866 पीसी3-14900 933 मेगाहर्ट्ज 933 मेगाहर्ट्ज 1866 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर3-2133 पीसी3-17000 1066 मेगाहर्ट्ज 1066 मेगाहर्ट्ज 2133 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर3-2400 पीसी3-19200 1200 मेगाहर्ट्ज 1200 मेगाहर्ट्ज 2400 एमटी/एस 1.5वी
डीडीआर4 एसडीआरएएम डीआईएमएमएस
चिप मापांक मेमोरी घड़ी आई/ओ बस क्लॉक स्थानांतरण दर वोल्टेज
डीडीआर4-1600 पीसी4-12800 800 मेगाहर्ट्ज 800 मेगाहर्ट्ज 1600 एमटी/एस 1.2वी
डीडीआर4-1866 पीसी4-14900 933 मेगाहर्ट्ज 933 मेगाहर्ट्ज 1866 एमटी/एस 1.2वी
डीडीआर4-2133 पीसी4-17000 1066 मेगाहर्ट्ज 1066 मेगाहर्ट्ज 2133 एमटी/एस 1.2वी
डीडीआर4-2400 पीसी4-19200 1200 मेगाहर्ट्ज 1200 मेगाहर्ट्ज 2400 एमटी/एस 1.2वी
डीडीआर4-2666 पीसी4-21300 1333 मेगाहर्ट्ज 1333 मेगाहर्ट्ज 2666 एमटी/एस 1.2वी
डीडीआर4-3200 पीसी4-25600 1600 मेगाहर्ट्ज 1600 मेगाहर्ट्ज 3200 एमटी/एस 1.2वी

रूप कारक

डीआईएमएम में सामान्यतः कई फार्म कारकों का उपयोग किया जाता है। सिंगल डाटा रेट सिंक्रोनस डीआरएएम (एसडीआर एसडीआरएएम) डीआईएमएम मुख्य रूप से 1.5 inches (38 mm) और 1.7 inches (43 mm) ऊंचाई में निर्मित किए गए थे। जब रैक इकाई सर्वर लोकप्रिय होने लगे, तो इन फॉर्म फैक्टर पंजीकृत डीआईएमएम को एक कोण वाले डीआईएमएम सॉकेट में प्लग करना पड़ा जिससे वे 1.75 inches (44 mm) उच्च बॉक्स में फिट हो सकें। । इस अभिप्राय को कम करने के लिए, डीडीआर डीआईएमएम के अगले मानकों को लगभग कम प्रोफ़ाइल (एलपी) ऊंचाई 1.2 inches (30 mm) के साथ बनाया गया था. ये 1U प्लेटफॉर्म के लिए लंबवत डीआईएमएम सॉकेट में फिट होते हैं।

ब्लेड सर्वर के आगमन के साथ, इन अंतरिक्ष-बाधित बक्सों में एलपी फॉर्म फैक्टर डीआईएमएम को समायोजित करने के लिए एंगल्ड स्लॉट एक बार फिर साधारण हो गए हैं। इसके कारण वेरी लो प्रोफाइल (वीएलपी) फॉर्म फैक्टर डीआईएमएम का विकास 0.72 inches (18 mm) लगभग की ऊंचाई के साथ हुआ. वीएलपी डीआईएमएम ऊंचाई 0.740 inches (18.8 mm) के लिए डीडीआर3 JEDEC मानक लगभग है. ये उन्नत दूरसंचार कंप्यूटिंग आर्किटेक्चर सिस्टम में लंबवत रूप से फिट होंगे।

JEDEC द्वारा निर्धारित मानकों द्वारा पूर्ण-ऊंचाई 240-पिन डीडीआर2 और डीडीआर3 डीआईएमएम सभी को लगभग 1.18 inches (30 mm) की ऊंचाई पर निर्दिष्ट किया गया है। इन फार्म कारकों में 240-पिन डीआईएमएम, एसओ-डीआईएमएम, मिनी-डीआईएमएम और माइक्रो-डीआईएमएम सम्मिलित हैं।[5]

पूर्ण-ऊंचाई 288-पिन डीडीआर4 डीआईएमएम अपने डीडीआर3 समकक्षों की तुलना में 1.23 inches (31 mm) थोड़े लम्बे हैं . इसी तरह, VLP डीडीआर4 डीआईएमएम भी लगभग 0.74 inches (19 mm) अपने डीडीआर3 समकक्ष से थोड़े लम्बे हैं .[6]

Q2 2017 तक, Asus के पास PCI-E आधारित डीआईएमएम2 है, जिसमें डीडीआर3 डीआईएमएम के समान सॉकेट है और इसका उपयोग दो M.2 NVMe सॉलिड-स्टेट ड्राइव तक कनेक्ट करने के लिए एक मॉड्यूल में करने के लिए किया जाता है। चूंकि, यह सामान्य डीडीआर प्रकार के आरएएम का उपयोग नहीं कर सकता है और आसुस के अतिरिक्त इसके पास बहुत अधिक समर्थन नहीं है।[7]

नियमित डीआईएमएम की लंबाई सामान्यतः 133.35 मिमी, एसओ-डीआईएमएम की लंबाई 67.6 मिमी होती है।[1]

यह भी देखें


संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 "कॉमन डीआईएमएम मेमोरी फॉर्म फैक्टर". 2009-10-06. Retrieved 2021-05-13.
  2. ↑ Smith, Ryan (2020-07-14). "DDR5 मेमोरी विशिष्टता जारी: DDR5-6400 और उससे आगे के लिए स्टेज सेट करना". AnandTech. Retrieved 2020-07-15.
  3. ↑ Synology Inc. "सिनोलॉजी रैम मॉड्यूल". synology.com.
  4. ↑ Temperature Sensor in DIMM memory modules
  5. ↑ JEDEC MO-269J Whitepaper., accessed Aug. 20, 2014.
  6. ↑ JEDEC MO-309E Whitepaper., accessed Aug. 20, 2014.
  7. ↑ ASUS DIMM.2 is a M.2 Riser Card., accessed Jun. 4, 2020.


बाहरी कड़ियाँ

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