स्पिनट्रॉनिक्स: Difference between revisions

Revision as of 20:42, 19 July 2022

स्पिनट्रॉनिक्स (एक पोर्टमैंटो जिसका अर्थ है स्पिन ट्रांसपोर्ट इलेक्ट्रॉनिक्स^[1]^[2]^[3]), ठोस अवस्था उपकरणों में अपने मौलिक विद्युत आवेश के अलावा, विद्युदणु के आंतरिक चक्रण और उससे जुड़े चुंबकीय क्षण का अध्ययन है।^[4] स्पिनट्रॉनिक्स का क्षेत्र धातु प्रणालियों में चक्रण-आवेश युग्मन से संबंधित है, विसंवाहक (इंसुलेटर) में समान प्रभाव मल्टीफ़ेरिक्स के क्षेत्र में आते हैं।

स्पिनट्रॉनिक्स मौलिक रूप से पारंपरिक इलेक्ट्रानिकी से भिन्न होता है, आवेश अवस्था के अलावा, विद्युदणु (इलेक्ट्रॉन) चक्रण का उपयोग डेटा भंडारण और स्थानांतरण की दक्षता में प्रभाव के साथ और निकाय की स्वातंत्र्य कोटि के रूप किया जाता है। स्पिंट्रोनिक प्रणालियों को अक्सर तनु चुंबकीय अर्धचालकों (डीएमएस) और हेस्लर मिश्र धातुओं में महसूस किया जाता है और क्वांटम संगणना और न्यूरोमॉर्फिक संगणना के क्षेत्र में विशेष रुचि रखते हैं।

इतिहास

स्पिनट्रॉनिक्स 1980 के दशक में ठोस-अवस्था उपकरणों में चक्रण-निर्भर विद्युदणु परिवहन घटनाओं से संबंधित खोजों से उभरा था। इसमें जॉनसन और सिल्स्बी द्वारा लौहचुम्बकीय धातु से सामान्य धातु में चक्रण -ध्रुवीकृत विद्युदणु अंतःक्षेपण का अवलोकन (1985)^[5] और अल्बर्ट फर्ट एट अल^[6] और पीटर ग्रुनबर्ग एट अल (1988) द्वारा स्वतंत्र रूप से विशाल चुंबकीय प्रतिरोध की खोज शामिल है।^[7] स्पिंट्रोनिक्स की उत्पत्ति का पता मेसर्वे और टेड्रो द्वारा शुरू किए गए लौहचुम्बकीय /अतिचालक सुरंग प्रयोगों और 1970 के दशक में जुलिएरे द्वारा चुंबकीय सुरंग जंक्शनों पर प्रारंभिक प्रयोगों से लगाया जा सकता है।^[8] स्पिनट्रॉनिक्स के लिए अर्धचालकों का उपयोग 1990^[9] में दत्त और दास द्वारा स्पिन क्षेत्र प्रभावी ट्रांजिस्टर के सैद्धांतिक प्रस्ताव और 1960^[10] में रश्बा द्वारा विद्युत द्विध्रुवीय चक्रण अनुनाद के साथ प्रारंभ हुआ था।

सिद्धांत

विद्युदणु का प्रचक्रण एक आंतरिक कोणीय संवेग है जो अपनी कक्षीय गति के कारण कोणीय संवेग से अलग होता है।एक मनमाने अक्ष के साथ विद्युदणु के प्रचक्रण के प्रक्षेपण का परिमाण ${\tfrac {1}{2}}\hbar$ , है। जिसका अर्थ है कि विद्युदणु चक्रण-सांख्यिकी प्रमेय द्वारा एक फर्मियन के रूप में कार्य करता है। कक्षीय कोणीय गति की तरह,चक्रण में एक संबद्ध चुंबकीय क्षण होता है, जिसका परिमाण इस प्रकार व्यक्त किया जाता है

\mu ={\tfrac {\sqrt {3}}{2}}{\frac {q}{m_{e}}}\hbar

एक ठोस में, कई इलेक्ट्रॉनों का चक्रण पदार्थ के चुंबकीय और इलेक्ट्रॉनिक गुणों को प्रभावित करने के लिए एक साथ कार्य कर सकते हैं, उदाहरण के लिए इसे एक लौहचुम्बकीय के रूप स्थायी चुंबकीय क्षण के साथ समाप्त करना हैं।

कई पदार्थों में, विद्युदणु चक्रण समान रूप से ऊपर और नीचे दोनों अवस्थाओं में समान रूप से मौजूद होते हैं, और कोई भी परिवहन गुण चक्रण पर निर्भर नहीं होते हैं। एक स्पिनट्रॉनिक उपकण में, इलेक्ट्रॉनों के चक्रण-ध्रुवीकृत समष्‍टि के उत्पादन या परिचालन की आवश्यकता होती है, जिसके परिणामस्वरूप इलेक्ट्रॉनों की अधिकता या चक्रण में कमी होती है। किसी भी चक्रण निर्भर गुण X का ध्रुवीकरण इस प्रकार लिखा जा सकता है

P_{X}={\frac {X_{\uparrow }-X_{\downarrow }}{X_{\uparrow }+X_{\downarrow }}}

चक्रण के ऊपर और नीचे होने के बीच संतुलन ऊर्जा विभाजन बनाकर एक शुद्ध स्पिन ध्रुवीकरण प्राप्त किया जा सकता है। विधियों में पदार्थ को एक बड़े चुंबकीय क्षेत्र (ज़ीमन प्रभाव) में रखना और लौहचुम्बकीय में मौजूद विनिमय ऊर्जा या प्रणाली को संतुलन से बाहर करना सम्मिलित है। इस तरह की गैर-संतुलन समष्‍टि को बनाए रखने की अवधि को चक्रण जीवनकाल τ के रूप में जाना जाता है।

एक विसरित सुचालक में, एक चक्रण प्रसार लंबाई $\lambda$ को उस दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है जिस पर एक गैर-संतुलन चक्रण समष्‍टि प्रसार सकती है। धातुओं में चालन इलेक्ट्रॉनों का चक्रण जीवनकाल अपेक्षाकृत कम होता है (आमतौर पर 1 नैनोसेकंड से कम)। एक महत्वपूर्ण अनुसंधान क्षेत्र इस जीवनकाल को तकनीकी रूप से प्रासंगिक समय-सीमा तक विस्तारित करने के लिए समर्पित है।

एक प्लॉट दिखाने वाला एक स्पिन, स्पिन, और परिणामस्वरूप स्पिन इलेक्ट्रॉनों की ध्रुवीकृत आबादी।एक स्पिन इंजेक्टर के अंदर, ध्रुवीकरण स्थिर होता है, जबकि इंजेक्टर के बाहर, ध्रुवीकरण तेजी से शून्य हो जाता है क्योंकि स्पिन अप और डाउन आबादी संतुलन में जाती है।

एक चक्रण ध्रुवीकृत समष्‍टि के लिए क्षय के तंत्र को बड़े पैमाने पर चक्रण-उत्क्षेप बिखरने और चक्रण विचरण के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है।चक्रण-उत्क्षेप फैलाव ठोस के अंदर एक प्रक्रिया है जो चक्रण को संरक्षित नहीं करती है, और इसलिए एक आगामी चक्रण ऊपरी अवस्था को बहिर्गामी चक्रण निचली अवस्था में बदल सकता है। चक्रण विचरण वह प्रक्रिया है जिसमें एक सामान्य चक्रण अवस्था वाले इलेक्ट्रॉनों की समष्‍टि समय के साथ विद्युदणु चक्रण अग्रगमन की विभिन्न दरों के कारण कम ध्रुवीकृत हो जाती है। सीमित संरचनाओं में, चक्रण विचरण को दबाया जा सकता है, जिससे कम तापमान पर अर्धचालक क्वांटम डॉट्स में मिलीसेकंड के जीवनकाल का चक्रण किया जा सकता है।

अतिचालक स्पिंट्रोनिक्स में केंद्रीय प्रभावों को बढ़ा सकते हैं जैसे चुंबकीय प्रतिरोध प्रभाव, चक्रण जीवनकाल और अपव्यय रहित चक्रण-धाराएं।^[11]^[12] किसी धातु में चक्रण-ध्रुवीकृत धारा उत्पन्न करने की सबसे सरल विधि एक लौहचुम्बकीय पदार्थ के माध्यम से धारा प्रवाहित करना है। इस आशय के सबसे सामान्य अनुप्रयोगों में विशाल चुंबकत्व (जीएमआर) उपकरण शामिल हैं। एक विशिष्ट जीएमआर उपकरण में लौहचुम्बकीय पदार्थ की कम से कम दो परतें होती हैं जिन्हें अन्तरक परत द्वारा अलग किया जाता है। जब लौहचुम्बकीय परतें के दो चुंबकीकरण सदिशों को संरेखित किया जाता है, तो लौहचुम्बकीय परतें विरुद्ध-अनुयोजित होने की तुलना में विद्युत प्रतिरोध कम होगा (इसलिए निरंतर वोल्टेज पर एक उच्च धारा प्रवाहित होती है)। यह एक चुंबकीय क्षेत्र संवेदक का निर्माण करता है।

उपकरणों में जीएमआर के दो प्रकार लागू किए गए हैं- (1) करंट-इन-प्लेन (सीआईपी), जहां विद्युत धारा परतों के समानांतर प्रवाहित होती है और (2) विद्युत-लंबवत-से-समतल (सीपीपी), जहां विद्युत धारा परतों के लंबवत दिशा में बहती है।

अन्य धातु-आधारित स्पिनट्रॉनिक्स उपकरण-

सुरंग चुंबकीय प्रतिरोध (टीएमआर), जहां लौहचुम्बकीय परतों को अलग करने वाले पतले विसंवाहक के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों की क्वांटम-यंत्रवत् सुरंग का उपयोग करके सीपीपी परिवहन प्राप्त किया जाता है।
चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क, जहां उपकरण में लौहचुम्बकीय विद्युदग्र की चुंबकीकरण दिशा को नियंत्रित करने के लिए चक्रण ध्रुवीकृत इलेक्ट्रॉनों की एक धारा का उपयोग किया जाता है।
चक्रण-तरंग संगत उपकरण में सूचना ले जाते हैं। हस्तक्षेप और चक्रण-तरंग फैलाव तर्क संचालन कर सकते हैं।

स्पिनट्रोनिक-संगत उपकरण

प्रवर्धन को सक्षम करने के लिए गैर-वाष्पशील चक्रण-संगत उपकरणों का व्यापक अध्ययन किया जा रहा है।^[13] चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क-आधारित संगत उपकरण जो सूचना प्रसंस्करण के लिए चक्रण और चुंबक का उपयोग करते हैं, प्रस्तावित किए गए हैं।^[14]^[15] ये उपकरण आईटीआरएस अन्वेषण रोड मैप का हिस्सा हैं। संगत में मेमोरी अनुप्रयोग पहले से ही विकास के चरण में हैं।^[16]^[17]2017 का एक समीक्षा लेख मटेरियल टुडे में पाया जा सकता है।^[4]

अनुप्रयोग

पढ़ें हुए चुंबकीय हार्ड ड्राइव के शीर्ष जीएमआर या टीएमआर प्रभाव पर आधारित हैं। मोटोरोला ने पहली पीढ़ी की 256 केबी चुंबकीय प्रतिरोध यादृच्छिक अभिगम स्मृति (एमआरएएम) विकसित की जो एकल चुंबकीय सुरंग जंक्शन और एक एकल ट्रांजिस्टर पर आधारित है जिसमें 50 नैनोसेकंड से कम का पढ़ने/लिखने का चक्र है।^[18] एवरस्पिन ने तब से 4 एमबी संस्करण विकसित किया है।^[19] दूसरी पीढ़ी की दो एमआरएएम तकनीकें विकास में हैं- ऊष्मीय -सहाय प्रदत्त स्विचन (टीएएस)^[20] और चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क (एसटीटी)।^[21] एक अन्य रचना, रेसट्रैक मेमोरी, लौहचुम्बकीय तार की ज्ञानक्षेत्र दीवारों के बीच चुंबकीयकरण की दिशा में जानकारी को कूटलेखन करता है।

2012 में, समकालिक इलेक्ट्रॉनों के लगातार चक्रण कुंडलित वक्रता को नैनोसेकंड से अधिक समय तक बनाए रखने के लिए बनाया गया था, जो पूर्व के प्रयासों की तुलना में 30 गुना अधिक था, और एक आधुनिक संसाधित्र घड़ी चक्र की अवधि से अधिक था।^[22]

सेमीकंडक्टर-आधारित स्पिनट्रॉनिक उपकरण

वार्निश अर्धचालक पदार्थ तनु लौहचुंबकत्व प्रदर्शित करते हैं। हाल के वर्षों में, जिंक ऑक्साइड आधारित तनु चुंबकीय ऑक्साइड और टाइटेनियम डाइ ऑक्साइड आधारित तनु चुंबकीय ऑक्साइड कई प्रयोगात्मक और संगणनात्मक जांच का विषय रहे हैं।^[23]^[24] गैर-ऑक्साइड लौहचुम्बकीय अर्धचालक स्रोत (जैसे मैंगनीज-वार्निश गैलियम आर्सेनाइड),^[25] एक सुरंग बाधा,^[26] या उष्ण-विद्युदणु अन्तःक्षेपण का उपयोग करके अंतराफलक प्रतिरोध को बढ़ाते हैं।^[27]

अर्धचालकों में चक्रण का पता लगाने को कई तकनीकों से संबोधित किया गया है।

फैराडे/केर प्रेषित/परावर्तित फोटॉनों का घुूर्णन^[28]
इलेक्ट्रोल्यूमिनेशन का परिपत्र ध्रुवीकरण विश्लेषण^[29]
गैर-स्थानीय चक्रण वाल्व (जॉनसन और सिल्स्बी के धातुओं के साथ काम से अनुकूलित)^[30]
बैलिस्टिक चक्रण निस्पंदन^[31]

बाद की तकनीक का उपयोग चक्रण-कक्षा परस्पर क्रिया की कमी और सिलिकॉन में चक्रण परिवहन को प्राप्त करने के लिए पदार्थ के निर्गम को दूर करने के लिए किया गया था।^[32] चूंकि बाहरी चुंबकीय क्षेत्र (और चुंबकीय संपर्कों से भटके हुए क्षेत्र) अर्धचालकों (जो चक्रण-वाल्व प्रभाव की नकल करते हैं) में बड़े हॉल प्रभाव और चुंबकत्व का कारण बन सकते हैं, अर्धचालकों में चक्रण परिवहन का एकमात्र निर्णायक प्रमाण एक चुंबकीय क्षेत्र में चक्रण पूर्वता और विचरण का प्रदर्शन है। अन्तःक्षेप चक्रण अभिविन्यास के लिए गैर-समानांतर, जिसे हनले प्रभाव कहा जाता है।

अनुप्रयोग

चक्रण-ध्रुवीकृत विद्युत अन्तःक्षेप का उपयोग करने वाले अनुप्रयोगों ने प्रारंभिक विद्युत में कमी और नियंत्रणीय गोलाकार ध्रुवीकृत सुसंगत प्रकाश उत्पादन दिखाया है।^[33] उदाहरणों में अर्धचालक लेजर शामिल हैं।भविष्य के अनुप्रयोगों में एक चक्रण-आधारित ट्रांजिस्टर शामिल हो सकता है जिसमें एमओएसएफईटी उपकरणों जैसे कि तीव्र अवदेहली ढलान पर लाभ होता है।

चुंबकीय-सुरंग ट्रांजिस्टर- एकल आधार परत वाले चुंबकीय-सुरंग ट्रांजिस्टर^[34]में निम्नलिखित टर्मिनल होते हैं।

उत्सर्जक (एफएम1)- चक्रण-ध्रुवीकृत गर्म इलेक्ट्रॉनों को आधार में अन्तःक्षेप करता है।
आधार (एफएम2)- चक्रण पर निर्भर प्रकीर्णन आधार में होता है। यह एक चक्रण निस्पंदन के रूप में भी कार्य करता है।
संग्रहकर्त्ता (जीएएएस)- अंतराफलक पर एक शोट्की अवरोध बनता है। यह केवल उन इलेक्ट्रॉनों को एकत्र करता है जिनमें शोट्की बाधा को दूर करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा होती है, और जब अर्धचालक में अवस्थाएँ उपलब्ध होती हैं।

चुंबकीय धारा (एमसी) इस प्रकार दी गई है।

MC={\frac {I_{c,p}-I_{c,ap}}{I_{c,ap}}}

और हस्तांतरण अनुपात (टीआर) है

TR={\frac {I_{C}}{I_{E}}}

एमटीटी कमरे के तापमान पर एक उच्च स्पिन-ध्रुवीकृत इलेक्ट्रॉन स्रोत का वादा करता है।

भंडारण मीडिया

प्रतिलौहचुम्बकीय भंडारण मीडिया का अध्ययन को लौहचुंबकत्व के विकल्प के रूप में किया गया है,^[35] विशेष रूप से जब से प्रतिलौहचुम्बकीय पदार्थ के साथ बिट्स को लौहचुम्बकीय पदार्थ के साथ संग्रहीत किया जा सकता है सामान्य परिभाषा के अलावा, 0 'चुंबकत्व ऊपर की ओर', 1 'चुंबकत्व नीचे की ओर' अवस्थाएं हो सकती हैं, उदाहरण के लिए, 0 'लंबवत-वैकल्पिक चक्रण विन्यास' और 1 'क्षैतिज-वैकल्पिक चक्रण विन्यास' हैं।^[36]

प्रतिलौहचुम्बकीय पदार्थ के मुख्य लाभ हैं।

शून्य शुद्ध बाह्य चुम्बकत्व के कारण पथभ्रष्ट क्षेत्रों द्वारा डेटा-हानिकारक गड़बड़ी के प्रति असंवेदनशीलता।^[37]
निकट कणों पर कोई प्रभाव नहीं पड़ता, जिसका अर्थ है कि प्रतिलौहचुम्बकीय उपकरण तत्व चुंबकीय रूप से इसके समीप तत्वों को परेशान नहीं करेंगे।^[37]
बहुत कम स्विचन समय (गीगाहर्ट्ज लौहचुम्बकीय अनुनाद आवृत्ति की तुलना में प्रतिलौहचुम्बकीय अनुनाद आवृत्ति टेराहर्टज क्षेत्र में है)।^[38]
विसंवाहक, अर्धचालक, अर्धधातुएं,धातुएं और अतिचालक सहित सामान्य रूप से उपलब्ध प्रतिलौहचुम्बकीय पदार्थों का व्यापक क्षेत्र है।^[38]

शोध किया जा रहा है कि प्रतिलौहचुम्बकीय स्पिंट्रोनिक्स की जानकारी को कैसे पढ़ा और लिखा जाए क्योंकि उनका शुद्ध जीरो चुंबकीकरण पारंपरिक लौहचुम्बकीय स्पिंट्रोनिक्स की तुलना में इसे मुश्किल बनाता है। आधुनिक एमआरएएम में, चुंबकीय क्षेत्रों द्वारा लौहचुंबकीय क्रम का पता लगाने और हेरफेर को विद्युत प्रवाह द्वारा अधिक कुशल और मापनीय पढ़ने और लिखने के पक्ष में छोड़ दिया गया है। क्षेत्र के अलावा विद्युत द्वारा जानकारी पढ़ने और लिखने के तरीकों की भी प्रतिलौहचुम्बकीय में जांच की जा रही है क्योंकि क्षेत्र वैसे भी अप्रभावी हैं। वर्तमान में चक्रण हॉल प्रभाव और रश्बा प्रभाव के माध्यम से चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क और चक्रण-कक्षा टॉर्क द्वारा प्रतिलौहचुम्बकीय की लेखन विधियों में जांच की जा रही हैं। सुरंग चुंबकीय प्रतिरोध, जैसे- चुंबकीय प्रतिरोध प्रभावों के माध्यम से चुंबकीय प्रतिरोध में पढ़ने की जानकारी का भी पता लगाया जा रहा है।^[39]

यह भी देखें

विद्युत द्विध्रुवीय चक्रणअनुनाद
जोसेफसन प्रभाव
चुंबकीय प्रतिरोधी याद्दच्छिक अभिगम स्मृति (एमआरएएम)
मैग्नोनिक्स
ग्राफीन स्पिनट्रॉनिक्स के संभावित अनुप्रयोग
रशबा प्रभाव
चक्रण पपंन
चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क
स्पिनहेंज घर
स्पिनमेक्ट्रोनिक्स
स्पिनप्लास्मोनिक्स
वैलीट्रॉनिक्स
उभरती प्रौद्योगिकियों की सूची
मल्टीफ़ेरोइक

संदर्भ

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@@ Line 44: / Line 44: @@
 == सेमीकंडक्टर-आधारित स्पिनट्रॉनिक उपकरण ==
-डोपेड अर्धचालक सामग्री पतला फेरोमैग्नेटिज्म प्रदर्शित करता है।हाल के वर्षों में, ZnO- आधारित पतला चुंबकीय अर्धचालक सहित चुंबकीय ऑक्साइड (DMOs) को पतला करें। ZnO आधारित DMOS और TIO<sub>2</sub>]]-based DMOs have been the subject of numerous experimental and computational investigations.<ref>{{cite journal| last1=Assadi| first1=M.H.N| last2=Hanaor| first2=D.A.H| title= Theoretical study on copper's energetics and magnetism in TiO<sub>2</sub> polymorphs| journal= Journal of Applied Physics| date=2013| volume=113| issue=23| pages= 233913–233913–5| doi=10.1063/1.4811539|arxiv = 1304.1854 |bibcode = 2013JAP...113w3913A | s2cid=94599250}}</ref><ref>{{cite journal| last1=Ogale| first1=S.B| title= Dilute doping, defects, and ferromagnetism in metal oxide systems| journal= Advanced Materials| date=2010| volume=22| issue=29| pages= 3125–3155| doi=10.1002/adma.200903891| pmid=20535732| s2cid=25307693}}</ref> गैर-ऑक्साइड फेरोमैग्नेटिक अर्धचालक स्रोत (जैसे मैंगनीज-डोपेड गैलियम आर्सेनाइड {{chem2|[[(Ga,Mn)As]]}}),<ref>{{Cite journal | last1 = Jonker | first1 = B. | last2 = Park | first2 = Y. | last3 = Bennett | first3 = B. | last4 = Cheong | first4 = H. | last5 = Kioseoglou | first5 = G. | last6 = Petrou | first6 = A. | doi = 10.1103/PhysRevB.62.8180 | title = Robust electrical spin injection into a semiconductor heterostructure | journal = Physical Review B | volume = 62 | issue = 12 | pages = 8180 | year = 2000 |bibcode = 2000PhRvB..62.8180J }}</ref> एक सुरंग बाधा के साथ इंटरफ़ेस प्रतिरोध बढ़ाएं,<ref>{{Cite journal | last1 = Hanbicki | first1 = A. T. | last2 = Jonker | first2 = B. T. | last3 = Itskos | first3 = G. | last4 = Kioseoglou | first4 = G. | last5 = Petrou | first5 = A. | title = Efficient electrical spin injection from a magnetic metal/tunnel barrier contact into a semiconductor | doi = 10.1063/1.1449530 | journal = Applied Physics Letters | volume = 80 | issue = 7 | pages = 1240 | year = 2002 |arxiv = cond-mat/0110059 |bibcode = 2002ApPhL..80.1240H | s2cid = 119098659 }}</ref> या हॉट-इलेक्ट्रॉन इंजेक्शन का उपयोग करना।<ref>{{Cite journal | last1 = Jiang | first1 = X. | last2 = Wang | first2 = R. | last3 = Van Dijken | first3 = S. | last4 = Shelby | first4 = R. | last5 = MacFarlane | first5 = R. | last6 = Solomon | first6 = G. | last7 = Harris | first7 = J. | last8 = Parkin | first8 = S. | doi = 10.1103/PhysRevLett.90.256603 | title = Optical Detection of Hot-Electron Spin Injection into GaAs from a Magnetic Tunnel Transistor Source | journal = Physical Review Letters | volume = 90 | issue = 25 | year = 2003 | pmid =  12857153|bibcode = 2003PhRvL..90y6603J | page=256603}}</ref>
+वार्निश अर्धचालक पदार्थ तनु लौहचुंबकत्व प्रदर्शित करते हैं। हाल के वर्षों में, जिंक ऑक्साइड आधारित तनु चुंबकीय ऑक्साइड और टाइटेनियम डाइ ऑक्साइड आधारित तनु चुंबकीय ऑक्साइड कई प्रयोगात्मक और संगणनात्मक जांच का विषय रहे हैं।<ref>{{cite journal| last1=Assadi| first1=M.H.N| last2=Hanaor| first2=D.A.H| title= Theoretical study on copper's energetics and magnetism in TiO<sub>2</sub> polymorphs| journal= Journal of Applied Physics| date=2013| volume=113| issue=23| pages= 233913–233913–5| doi=10.1063/1.4811539|arxiv = 1304.1854 |bibcode = 2013JAP...113w3913A | s2cid=94599250}}</ref><ref>{{cite journal| last1=Ogale| first1=S.B| title= Dilute doping, defects, and ferromagnetism in metal oxide systems| journal= Advanced Materials| date=2010| volume=22| issue=29| pages= 3125–3155| doi=10.1002/adma.200903891| pmid=20535732| s2cid=25307693}}</ref> गैर-ऑक्साइड लौहचुम्बकीय अर्धचालक स्रोत (जैसे मैंगनीज-वार्निश गैलियम आर्सेनाइड),<ref>{{Cite journal | last1 = Jonker | first1 = B. | last2 = Park | first2 = Y. | last3 = Bennett | first3 = B. | last4 = Cheong | first4 = H. | last5 = Kioseoglou | first5 = G. | last6 = Petrou | first6 = A. | doi = 10.1103/PhysRevB.62.8180 | title = Robust electrical spin injection into a semiconductor heterostructure | journal = Physical Review B | volume = 62 | issue = 12 | pages = 8180 | year = 2000 |bibcode = 2000PhRvB..62.8180J }}</ref> एक सुरंग बाधा,<ref>{{Cite journal | last1 = Hanbicki | first1 = A. T. | last2 = Jonker | first2 = B. T. | last3 = Itskos | first3 = G. | last4 = Kioseoglou | first4 = G. | last5 = Petrou | first5 = A. | title = Efficient electrical spin injection from a magnetic metal/tunnel barrier contact into a semiconductor | doi = 10.1063/1.1449530 | journal = Applied Physics Letters | volume = 80 | issue = 7 | pages = 1240 | year = 2002 |arxiv = cond-mat/0110059 |bibcode = 2002ApPhL..80.1240H | s2cid = 119098659 }}</ref> या उष्ण-विद्युदणु अन्तःक्षेपण का उपयोग करके अंतराफलक प्रतिरोध को बढ़ाते हैं।<ref>{{Cite journal | last1 = Jiang | first1 = X. | last2 = Wang | first2 = R. | last3 = Van Dijken | first3 = S. | last4 = Shelby | first4 = R. | last5 = MacFarlane | first5 = R. | last6 = Solomon | first6 = G. | last7 = Harris | first7 = J. | last8 = Parkin | first8 = S. | doi = 10.1103/PhysRevLett.90.256603 | title = Optical Detection of Hot-Electron Spin Injection into GaAs from a Magnetic Tunnel Transistor Source | journal = Physical Review Letters | volume = 90 | issue = 25 | year = 2003 | pmid =  12857153|bibcode = 2003PhRvL..90y6603J | page=256603}}</ref>
-सेमीकंडक्टर्स में स्पिन डिटेक्शन को कई तकनीकों के साथ संबोधित किया गया है:
-* प्रेषित/परावर्तित फोटॉनों के फैराडे/केर रोटेशन<ref>{{Cite journal | last1 = Kikkawa | first1 = J. | last2 = Awschalom | first2 = D. | doi = 10.1103/PhysRevLett.80.4313 | title = Resonant Spin Amplification in n-Type GaAs | journal = Physical Review Letters | volume = 80 | issue = 19 | pages = 4313 | year = 1998 |bibcode = 1998PhRvL..80.4313K }}</ref>
+अर्धचालकों में चक्रण का पता लगाने को कई तकनीकों से संबोधित किया गया है।
-* इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस का परिपत्र ध्रुवीकरण विश्लेषण<ref>Jonker, Berend T. [http://www.patentstorm.us/patents/5874749.html Polarized optical emission due to decay or recombination of spin-polarized injected carriers – US Patent 5874749] {{webarchive |url=https://web.archive.org/web/20091212102246/http://www.patentstorm.us/patents/5874749.html |date=12 December 2009 }}. Issued on 23 February 1999.</ref>
+* फैराडे/केर प्रेषित/परावर्तित फोटॉनों का घुूर्णन<ref>{{Cite journal | last1 = Kikkawa | first1 = J. | last2 = Awschalom | first2 = D. | doi = 10.1103/PhysRevLett.80.4313 | title = Resonant Spin Amplification in n-Type GaAs | journal = Physical Review Letters | volume = 80 | issue = 19 | pages = 4313 | year = 1998 |bibcode = 1998PhRvL..80.4313K }}</ref>
-* नॉनलोकल स्पिन वाल्व (मेटल्स के साथ जॉनसन और सिल्सबी के काम से अनुकूलित)<ref>{{Cite journal | last1 = Lou | first1 = X. | last2 = Adelmann | first2 = C. | last3 = Crooker | first3 = S. A. | last4 = Garlid | first4 = E. S. | last5 = Zhang | first5 = J. | last6 = Reddy | first6 = K. S. M. | last7 = Flexner | first7 = S. D. | last8 = Palmstrøm | first8 = C. J. | last9 = Crowell | first9 = P. A. | doi = 10.1038/nphys543 | title = Electrical detection of spin transport in lateral ferromagnet–semiconductor devices | journal = Nature Physics | volume = 3 | issue = 3 | pages = 197 | year = 2007 |bibcode = 2007NatPh...3..197L | arxiv = cond-mat/0701021 | s2cid = 51390849 }}</ref>
+* इलेक्ट्रोल्यूमिनेशन का परिपत्र ध्रुवीकरण विश्लेषण<ref>Jonker, Berend T. [http://www.patentstorm.us/patents/5874749.html Polarized optical emission due to decay or recombination of spin-polarized injected carriers – US Patent 5874749] {{webarchive |url=https://web.archive.org/web/20091212102246/http://www.patentstorm.us/patents/5874749.html |date=12 December 2009 }}. Issued on 23 February 1999.</ref>
-* बैलिस्टिक स्पिन फ़िल्टरिंग<ref>{{Cite journal | last1 = Appelbaum | first1 = I. | last2 = Huang | first2 = B. | last3 = Monsma | first3 = D. J. | doi = 10.1038/nature05803 | title = Electronic measurement and control of spin transport in silicon | journal = Nature | volume = 447 | issue = 7142 | pages = 295–298 | year = 2007 | pmid =  17507978|arxiv = cond-mat/0703025 |bibcode = 2007Natur.447..295A | s2cid = 4340632 }}</ref>
+* गैर-स्थानीय चक्रण वाल्व (जॉनसन और सिल्स्बी के धातुओं के साथ काम से अनुकूलित)<ref>{{Cite journal | last1 = Lou | first1 = X. | last2 = Adelmann | first2 = C. | last3 = Crooker | first3 = S. A. | last4 = Garlid | first4 = E. S. | last5 = Zhang | first5 = J. | last6 = Reddy | first6 = K. S. M. | last7 = Flexner | first7 = S. D. | last8 = Palmstrøm | first8 = C. J. | last9 = Crowell | first9 = P. A. | doi = 10.1038/nphys543 | title = Electrical detection of spin transport in lateral ferromagnet–semiconductor devices | journal = Nature Physics | volume = 3 | issue = 3 | pages = 197 | year = 2007 |bibcode = 2007NatPh...3..197L | arxiv = cond-mat/0701021 | s2cid = 51390849 }}</ref>
-बाद की तकनीक का उपयोग सिलिकॉन में स्पिन परिवहन को प्राप्त करने के लिए स्पिन-ऑर्बिट इंटरैक्शन और सामग्री के मुद्दों की कमी को दूर करने के लिए किया गया था।<ref>{{Cite journal | last1 = Žutić | first1 = I. | last2 = Fabian | first2 = J. | doi = 10.1038/447269a | title = Spintronics: Silicon twists | journal = Nature | volume = 447 | issue = 7142 | pages = 268–269 | year = 2007 | pmid =  17507969|bibcode = 2007Natur.447..268Z | s2cid = 32830840 | doi-access = free }}</ref>
+* बैलिस्टिक चक्रण निस्पंदन<ref>{{Cite journal | last1 = Appelbaum | first1 = I. | last2 = Huang | first2 = B. | last3 = Monsma | first3 = D. J. | doi = 10.1038/nature05803 | title = Electronic measurement and control of spin transport in silicon | journal = Nature | volume = 447 | issue = 7142 | pages = 295–298 | year = 2007 | pmid =  17507978|arxiv = cond-mat/0703025 |bibcode = 2007Natur.447..295A | s2cid = 4340632 }}</ref>
-क्योंकि बाहरी चुंबकीय क्षेत्र (और चुंबकीय संपर्कों से आवारा क्षेत्र) अर्धचालक में बड़े हॉल प्रभाव और मैग्नेटोरेसिस्टेंस का कारण बन सकते हैं (जो कि स्पिन-वाल्व प्रभावों की नकल करते हैं), अर्धचालकों में स्पिन परिवहन का एकमात्र निर्णायक सबूत एक चुंबकीय क्षेत्र में स्पिन प्रीसेशन और डिफासिंग का प्रदर्शन है।इंजेक्ट किए गए स्पिन ओरिएंटेशन के लिए गैर-कोलेनियर, जिसे हेनले प्रभाव कहा जाता है।
+बाद की तकनीक का उपयोग चक्रण-कक्षा परस्पर क्रिया की कमी और सिलिकॉन में चक्रण परिवहन को प्राप्त करने के लिए पदार्थ के निर्गम को दूर करने के लिए किया गया था।<ref>{{Cite journal | last1 = Žutić | first1 = I. | last2 = Fabian | first2 = J. | doi = 10.1038/447269a | title = Spintronics: Silicon twists | journal = Nature | volume = 447 | issue = 7142 | pages = 268–269 | year = 2007 | pmid =  17507969|bibcode = 2007Natur.447..268Z | s2cid = 32830840 | doi-access = free }}</ref> चूंकि बाहरी चुंबकीय क्षेत्र (और चुंबकीय संपर्कों से भटके हुए क्षेत्र) अर्धचालकों (जो चक्रण-वाल्व प्रभाव की नकल करते हैं) में बड़े हॉल प्रभाव और चुंबकत्व का कारण बन सकते हैं, अर्धचालकों में चक्रण परिवहन का एकमात्र निर्णायक प्रमाण एक चुंबकीय क्षेत्र में चक्रण पूर्वता और विचरण का प्रदर्शन है। अन्तःक्षेप चक्रण अभिविन्यास के लिए गैर-समानांतर, जिसे हनले प्रभाव कहा जाता है।
 === अनुप्रयोग ===
-स्पिन-ध्रुवीकृत विद्युत इंजेक्शन का उपयोग करने वाले अनुप्रयोगों ने थ्रेशोल्ड करंट कमी और नियंत्रणीय गोलाकार ध्रुवीकृत सुसंगत प्रकाश आउटपुट दिखाया है।<ref>{{Cite journal | last1 = Holub | first1 = M. | last2 = Shin | first2 = J. | last3 = Saha | first3 = D. | last4 = Bhattacharya | first4 = P. | title = Electrical Spin Injection and Threshold Reduction in a Semiconductor Laser | doi = 10.1103/PhysRevLett.98.146603 | journal = Physical Review Letters | volume = 98 | issue = 14 | year = 2007 | pmid =  17501298|bibcode = 2007PhRvL..98n6603H | page=146603}}</ref> उदाहरणों में अर्धचालक लेजर शामिल हैं।भविष्य के अनुप्रयोगों में एक स्पिन-आधारित ट्रांजिस्टर शामिल हो सकता है जिसमें MOSFET उपकरणों जैसे कि स्टेटर सब-थ्रेशोल्ड ढलान पर लाभ होता है।
+चक्रण-ध्रुवीकृत विद्युत अन्तःक्षेप का उपयोग करने वाले अनुप्रयोगों ने प्रारंभिक विद्युत में कमी और नियंत्रणीय गोलाकार ध्रुवीकृत सुसंगत प्रकाश उत्पादन दिखाया है।<ref>{{Cite journal | last1 = Holub | first1 = M. | last2 = Shin | first2 = J. | last3 = Saha | first3 = D. | last4 = Bhattacharya | first4 = P. | title = Electrical Spin Injection and Threshold Reduction in a Semiconductor Laser | doi = 10.1103/PhysRevLett.98.146603 | journal = Physical Review Letters | volume = 98 | issue = 14 | year = 2007 | pmid =  17501298|bibcode = 2007PhRvL..98n6603H | page=146603}}</ref> उदाहरणों में अर्धचालक लेजर शामिल हैं।भविष्य के अनुप्रयोगों में एक चक्रण-आधारित ट्रांजिस्टर शामिल हो सकता है जिसमें एमओएसएफईटी उपकरणों जैसे कि तीव्र अवदेहली ढलान पर लाभ होता है।
-मैग्नेटिक-टनल ट्रांजिस्टर: मैग्नेटिक-टनल ट्रांजिस्टर सिंगल बेस लेयर के साथ<ref name="dijken">{{Cite journal | last1 = Van Dijken | first1 = S. | last2 = Jiang | first2 = X. | last3 = Parkin | first3 = S. S. P. | doi = 10.1063/1.1474610 | title = Room temperature operation of a high output current magnetic tunnel transistor | journal = Applied Physics Letters | volume = 80 | issue = 18 | pages = 3364 | year = 2002 |bibcode = 2002ApPhL..80.3364V }}</ref> निम्नलिखित टर्मिनल हैं:
+चुंबकीय-सुरंग ट्रांजिस्टर-  एकल आधार परत वाले चुंबकीय-सुरंग ट्रांजिस्टर<ref name="dijken">{{Cite journal | last1 = Van Dijken | first1 = S. | last2 = Jiang | first2 = X. | last3 = Parkin | first3 = S. S. P. | doi = 10.1063/1.1474610 | title = Room temperature operation of a high output current magnetic tunnel transistor | journal = Applied Physics Letters | volume = 80 | issue = 18 | pages = 3364 | year = 2002 |bibcode = 2002ApPhL..80.3364V }}</ref>में निम्नलिखित टर्मिनल होते हैं।
-* एमिटर (FM1): बेस में स्पिन-ध्रुवीकृत गर्म इलेक्ट्रॉनों को इंजेक्ट करता है।
+* उत्सर्जक (एफएम1)- चक्रण-ध्रुवीकृत गर्म इलेक्ट्रॉनों को आधार में अन्तःक्षेप करता है।
-* आधार (FM2): स्पिन-निर्भर बिखरना आधार में होता है।यह एक स्पिन फिल्टर के रूप में भी कार्य करता है।
+*आधार (एफएम2)- चक्रण पर निर्भर प्रकीर्णन आधार में होता है। यह एक चक्रण निस्पंदन के रूप में भी कार्य करता है।
-* कलेक्टर (GAAS): इंटरफ़ेस में एक शोट्की बैरियर बनता है।यह केवल उन इलेक्ट्रॉनों को इकट्ठा करता है जिनके पास शोट्की बैरियर को दूर करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा होती है, और जब राज्य अर्धचालक में उपलब्ध होते हैं।
+* संग्रहकर्त्ता (जीएएएस)- अंतराफलक पर एक शोट्की अवरोध बनता है। यह केवल उन इलेक्ट्रॉनों को एकत्र करता है जिनमें शोट्की बाधा को दूर करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा होती है, और जब अर्धचालक में अवस्थाएँ उपलब्ध होती हैं।
-मैग्नेटोक्यूरेंट (एमसी) के रूप में दिया गया है:
+चुंबकीय धारा (एमसी) इस प्रकार दी गई है।
 :<math>MC = \frac{I_{c,p}-I_{c,ap}}{I_{c,ap}}</math>
@@ Line 67: / Line 67: @@
 :<math>TR = \frac{I_C}{I_E}</math>
-MTT कमरे के तापमान पर एक अत्यधिक स्पिन-ध्रुवीकृत इलेक्ट्रॉन स्रोत का वादा करता है।
+एमटीटी कमरे के तापमान पर एक उच्च स्पिन-ध्रुवीकृत इलेक्ट्रॉन स्रोत का वादा करता है।
-=== स्टोरेज मीडिया ====
+=== भंडारण मीडिया===
-एंटीफेरोमैग्नेटिक स्टोरेज मीडिया को फेरोमैग्नेटिज्म के विकल्प के रूप में अध्ययन किया गया है,<ref>{{cite web |author=Jungwirth, T. |type=announcement of a physics colloquium at a Bavarian university |date=28 April 2014 |title=Relativistic Approaches to Spintronics with Antiferromagnets |url=http://www.physik.uni-regensburg.de/aktuell/KollSS14/Kolloquium-Jungwirth.pdf |access-date=29 April 2014 |archive-date=29 April 2014 |archive-url=https://web.archive.org/web/20140429190040/http://www.physik.uni-regensburg.de/aktuell/KollSS14/Kolloquium-Jungwirth.pdf |url-status=dead }}</ref> विशेष रूप से जब से एंटीफेरोमैग्नेटिक सामग्री के साथ बिट्स को संग्रहीत किया जा सकता है और साथ ही फेरोमैग्नेटिक सामग्री के साथ भी संग्रहीत किया जा सकता है।सामान्य परिभाषा के बजाय 0 & nbsp; ↔ 'मैग्नेटाइजेशन ऊपर की ओर', 1 & nbsp; ↔ 'मैग्नेटाइजेशन नीचे की ओर', राज्य हो सकते हैं, उदा।<ref>This corresponds mathematically to the transition from the rotation group SO(3) to its relativistic covering, the "double group" SU(2)</ref>)।
+प्रतिलौहचुम्बकीय भंडारण मीडिया का अध्ययन को लौहचुंबकत्व के विकल्प के रूप में किया गया है,<ref>{{cite web |author=Jungwirth, T. |type=announcement of a physics colloquium at a Bavarian university |date=28 April 2014 |title=Relativistic Approaches to Spintronics with Antiferromagnets |url=http://www.physik.uni-regensburg.de/aktuell/KollSS14/Kolloquium-Jungwirth.pdf |access-date=29 April 2014 |archive-date=29 April 2014 |archive-url=https://web.archive.org/web/20140429190040/http://www.physik.uni-regensburg.de/aktuell/KollSS14/Kolloquium-Jungwirth.pdf |url-status=dead }}</ref> विशेष रूप से जब से प्रतिलौहचुम्बकीय पदार्थ के साथ बिट्स को लौहचुम्बकीय पदार्थ के साथ संग्रहीत किया जा सकता है सामान्य परिभाषा के अलावा, 0 'चुंबकत्व ऊपर की ओर', 1 'चुंबकत्व नीचे की ओर' अवस्थाएं हो सकती हैं, उदाहरण के लिए, 0 'लंबवत-वैकल्पिक चक्रण विन्यास' और 1 'क्षैतिज-वैकल्पिक चक्रण विन्यास' हैं।<ref>This corresponds mathematically to the transition from the rotation group SO(3) to its relativistic covering, the "double group" SU(2)</ref>
-एंटीफेरोमैग्नेटिक सामग्री के मुख्य लाभ हैं:
+प्रतिलौहचुम्बकीय पदार्थ के मुख्य लाभ हैं।
-* शून्य शुद्ध बाहरी चुंबकीयकरण के कारण आवारा क्षेत्रों द्वारा डेटा-डैमेजिंग गड़बड़ी के प्रति असंवेदनशीलता;<ref name=netzero>{{cite journal |last1=Jungwirth |first1=T. |last2=Marti |first2=X. |last3=Wadley |first3=P. |last4=Wunderlich |first4=J. |title=Antiferromagnetic spintronics |journal=Nature Nanotechnology |publisher=Springer Nature |volume=11 |issue=3 |year=2016 |issn=1748-3387 |doi=10.1038/nnano.2016.18 |pmid=26936817 |pages=231–241 |arxiv=1509.05296|bibcode=2016NatNa..11..231J |s2cid=5058124 }}</ref>
+* शून्य शुद्ध बाह्य चुम्बकत्व के कारण पथभ्रष्ट क्षेत्रों द्वारा डेटा-हानिकारक गड़बड़ी के प्रति असंवेदनशीलता।<ref name=netzero>{{cite journal |last1=Jungwirth |first1=T. |last2=Marti |first2=X. |last3=Wadley |first3=P. |last4=Wunderlich |first4=J. |title=Antiferromagnetic spintronics |journal=Nature Nanotechnology |publisher=Springer Nature |volume=11 |issue=3 |year=2016 |issn=1748-3387 |doi=10.1038/nnano.2016.18 |pmid=26936817 |pages=231–241 |arxiv=1509.05296|bibcode=2016NatNa..11..231J |s2cid=5058124 }}</ref>
-* कणों के पास कोई प्रभाव नहीं, यह बताते हुए कि एंटीफेरोमैग्नेटिक डिवाइस तत्व अपने पड़ोसी तत्वों को चुंबकीय रूप से परेशान नहीं करेंगे;<ref name=netzero/>
+* निकट कणों पर कोई प्रभाव नहीं पड़ता, जिसका अर्थ है कि प्रतिलौहचुम्बकीय उपकरण तत्व चुंबकीय रूप से इसके समीप तत्वों को परेशान नहीं करेंगे।<ref name=netzero/>
-* far shorter switching times (antiferromagnetic resonance frequency is in the THz range compared to GHz ferromagnetic resonance frequency);<ref name =adv>{{cite journal |last1=Gomonay |first1=O. |last2=Jungwirth |first2=T. |last3=Sinova |first3=J. |title=Concepts of antiferromagnetic spintronics |journal=Physica Status Solidi RRL |publisher=Wiley |volume=11 |issue=4 |date=21 February 2017 |issn=1862-6254 |doi=10.1002/pssr.201700022 |page=1700022 |arxiv=1701.06556|bibcode=2017PSSRR..1100022G |s2cid=73575617 }}</ref>
+* बहुत कम स्विचन समय (गीगाहर्ट्ज लौहचुम्बकीय अनुनाद आवृत्ति की तुलना में प्रतिलौहचुम्बकीय अनुनाद आवृत्ति टेराहर्टज क्षेत्र में है)।<ref name =adv>{{cite journal |last1=Gomonay |first1=O. |last2=Jungwirth |first2=T. |last3=Sinova |first3=J. |title=Concepts of antiferromagnetic spintronics |journal=Physica Status Solidi RRL |publisher=Wiley |volume=11 |issue=4 |date=21 February 2017 |issn=1862-6254 |doi=10.1002/pssr.201700022 |page=1700022 |arxiv=1701.06556|bibcode=2017PSSRR..1100022G |s2cid=73575617 }}</ref>
-* इंसुलेटर, सेमीकंडक्टर्स, सेमीमेटल, मेटल्स और सुपरकंडक्टर्स सहित आमतौर पर उपलब्ध एंटीफेरोमैग्नेटिक सामग्री की व्यापक रेंज।<ref name=adv/>
+* विसंवाहक, अर्धचालक, अर्धधातुएं,धातुएं और अतिचालक सहित सामान्य रूप से उपलब्ध प्रतिलौहचुम्बकीय पदार्थों का व्यापक क्षेत्र है।<ref name=adv/>
-Research is being done into how to read and write information to antiferromagnetic spintronics as their net zero magnetization makes this difficult compared to conventional ferromagnetic spintronics. In modern MRAM, detection and manipulation of ferromagnetic order by magnetic fields has largely been abandoned in favor of more efficient and scalable reading and writing by electrical current. Methods of reading and writing information by current rather than fields are also being investigated in antiferromagnets as fields are ineffective anyway. Writing methods currently being investigated in antiferromagnets are through [[spin-transfer torque]] and [[Spin–orbit interaction|spin-orbit torque]] from the [[spin Hall effect]] and the [[Rashba effect]]. Reading information in antiferromagnets via magnetoresistance effects such as [[tunnel magnetoresistance]] is also being explored.<ref>{{cite journal |last1=Chappert |first1=Claude |last2=Fert |first2=Albert |last3=van Dau |first3=Frédéric Nguyen |title=The emergence of spin electronics in data storage |journal=Nature Materials |publisher=Springer Science and Business Media LLC |volume=6 |issue=11 |year=2007 |issn=1476-1122 |doi=10.1038/nmat2024 |pmid=17972936 |pages=813–823 |bibcode=2007NatMa...6..813C}}</ref>
+शोध किया जा रहा है कि प्रतिलौहचुम्बकीय स्पिंट्रोनिक्स की जानकारी को कैसे पढ़ा और लिखा जाए क्योंकि उनका शुद्ध जीरो चुंबकीकरण पारंपरिक लौहचुम्बकीय स्पिंट्रोनिक्स की तुलना में इसे मुश्किल बनाता है। आधुनिक एमआरएएम में, चुंबकीय क्षेत्रों द्वारा लौहचुंबकीय क्रम का पता लगाने और हेरफेर को विद्युत प्रवाह द्वारा अधिक कुशल और मापनीय पढ़ने और लिखने के पक्ष में छोड़ दिया गया है। क्षेत्र के अलावा विद्युत द्वारा जानकारी पढ़ने और लिखने के तरीकों की भी प्रतिलौहचुम्बकीय में जांच की जा रही है क्योंकि क्षेत्र वैसे भी अप्रभावी हैं। वर्तमान में चक्रण हॉल प्रभाव और रश्बा प्रभाव के माध्यम से चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क और चक्रण-कक्षा टॉर्क द्वारा प्रतिलौहचुम्बकीय की लेखन विधियों में जांच की जा रही हैं। सुरंग चुंबकीय प्रतिरोध, जैसे- चुंबकीय प्रतिरोध प्रभावों के माध्यम से चुंबकीय प्रतिरोध में पढ़ने की जानकारी का भी पता लगाया जा रहा है।<ref>{{cite journal |last1=Chappert |first1=Claude |last2=Fert |first2=Albert |last3=van Dau |first3=Frédéric Nguyen |title=The emergence of spin electronics in data storage |journal=Nature Materials |publisher=Springer Science and Business Media LLC |volume=6 |issue=11 |year=2007 |issn=1476-1122 |doi=10.1038/nmat2024 |pmid=17972936 |pages=813–823 |bibcode=2007NatMa...6..813C}}</ref>
 == यह भी देखें ==
-* इलेक्ट्रिक द्विध्रुवीय स्पिन अनुनाद
+* विद्युत द्विध्रुवीय चक्रणअनुनाद
 * जोसेफसन प्रभाव
-* मैग्नेटोरिसिस्टिव रैंडम-एक्सेस मेमोरी (MRAM)
+* चुंबकीय प्रतिरोधी याद्दच्छिक अभिगम स्मृति (एमआरएएम)
 * मैग्नोनिक्स
-* ग्राफीन#स्पिनट्रॉनिक्स के संभावित अनुप्रयोग
+* ग्राफीन स्पिनट्रॉनिक्स के संभावित अनुप्रयोग
 * रशबा प्रभाव
-* स्पिन पंपिंग
+* चक्रण पपंन
-* स्पिन-ट्रांसफर टॉर्क
+* चक्रण-स्थानांतरण टॉर्क
-* Spinhenge@घर
+* स्पिनहेंज घर
-* Spinmechatronics
+* स्पिनमेक्ट्रोनिक्स
 * स्पिनप्लास्मोनिक्स
 * वैलीट्रॉनिक्स

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