स्यूडोकैपेसिटेंस: Difference between revisions

Latest revision as of 12:12, 16 February 2023

विशेष रूप से सोखे गए आयनों के साथ द्विपरत का सरलीकृत दृश्य जिसने छद्म धारिता के फैराडिक आवेश स्थानांतरण को समझाने के लिए विद्युदग्र को अपना आवेश जमा किया है।

छद्म धारिता अतिसंधारित्र में विद्युत का विद्युत्-रसायन भंडार (छद्म संधारित्र) है। यह फैराडिक आवेश स्थानांतरण उपयुक्त विद्युदग्र की सतह पर प्रतिवर्ती फैराडिक धारा रिडॉक्स, संधारित्र विआयनीकरण रसायन विज्ञान प्रक्रियाओं के बहुत तेजी अनुक्रम से उत्पन्न होता है।^[1]^[2]^[3] छद्म धारिता इलेक्ट्रॉन मिश्रित आवेश स्थानांतरण के साथ होता है। समाधान से आने वाले विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र के बीच आवेश स्थानांतरण विघटित और अवशोषण आयन है। जिसमे आवेश मात्रा प्रति इलेक्ट्रॉन सम्मलित है। अवशोषण वाले आयन की विद्युदग्र के परमाणुओं के साथ कोई रासायनिक प्रतिक्रिया नहीं होती है और कोई रासायनिक बंधन उत्पन्न नहीं होता है^[4] चूंकि, केवल आवेश स्थानांतरण होता है।

फैराडिक छद्म धारिता केवल स्थिर द्विपरत संधारित्र के साथ होता है। छद्म धारिता और द्विपरत संधारित्र दोनों कुल धारिता मूल्य में अविभाज्य रूप से योगदान करते हैं।

छद्म धारिता की मात्रा सतह क्षेत्र सामग्री और विद्युदग्र की संरचना पर निर्भर करती है। छद्म धारिता समान सतह क्षेत्र के लिए द्विपरत संधारित्र की तुलना में 100x अधिक धारिता का योगदान दे सकता है।^[1]

छद्म धारिता में संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा लागू वोल्टेज के रैखिक रूप से आनुपातिक होती है। छद्म धारिता की इकाई फैराड है।

इतिहास

द्डबल लेयर और स्यूडोकैपेसिटेंस मॉडल का विकास डबल लेयर (इंटरफेशियल) देखें
विद्युत रासायनिक घटकों का विकास अतिसंधारित्र देखें।

रेडॉक्स प्रतिक्रियाएं

अंतर

फिर से आवेश करने योग्य संप्रहार

विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र की सतह के बीच फैराडिक आवेश स्थानांतरण के साथ फिर से आवेश करने योग्य हैं। संप्रहार में रेडॉक्स प्रतिक्रियाएं दशकों पहले देखी गई थीं। ये रासायनिक प्रक्रिया एं सामान्यतः परिचर चरण संक्रमण के साथ विद्युदग्र सामग्री की रासायनिक प्रतिक्रियाओं से जुड़ी होती हैं। चूंकि, ये रासायनिक प्रक्रियाएं अपेक्षाकृत प्रतिवर्ती हैं, बैटरी आवेश चक्र अधिकांशतः अपरिवर्तनीय रूप से अभिकर्मकों के अपरिवर्तित रासायनिक प्रतिक्रिया उत्पादों का उत्पादन करते हैं। तदनुसार, फिर से आवेश करने योग्य संप्रहार का चक्र-जीवन सामान्यतः सीमित होता है। इसके अतिरिक्त, प्रतिक्रिया उत्पाद विद्युत घनत्व कम करते हैं। इसके अतिरिक्त, रासायनिक प्रक्रियाएं अपेक्षाकृत धीमी होती हैं, जो आवेशित/अनावेशित समय को बढ़ाती हैं।

विद्युत रासायनिक संधारित्र

विद्युदग्र (BMD) मॉडल पर दोहरी परत का योजना बद्ध प्रतिनिधित्व। 1. इनर हेल्महोल्ट्ज़ प्लेन, (IHP), 2. आउटर हेल्महोल्ट्ज़ प्लेन (OHP), 3. प्रसारित परत, 4. विघटित विद्युत अपघट्य आयन (धनायन) 5. विशेष रूप से सोखे गए आयन (रेडॉक्स आयन, जो छद्म धारिता में योगदान करते हैं), 6. वियोग्य के अणु

बैटरी और विद्युत रासायनिक संधारित्र (अतिसंधारित्र) में रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं के बीच मूलभूत अंतर यह है। कि विद्युदग्र अणुओं के किसी भी चरण परिवर्तन के अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण के साथ प्रतिक्रियाएं प्रतिवर्ती प्रक्रियाओं का बहुत तेज़ अनुक्रम हैं। इनमें रासायनिक बंधन बनाना या तोड़ना सम्मलित नहीं है। समाधान विघटित परमाणु या आयन छद्म धारिता का योगदान करते हुए बस चिपकते हैं।^[4] विद्युदग्र की परमाणु संरचना के लिए आवेश भौतिक अवशोषण प्रक्रियाओं द्वारा सतहों पर वितरित किए जाते हैं। बैटरियों की तुलना में अतिसंधारित्र फैराडिक प्रक्रियाएं समय के साथ बहुत तेज और अधिक स्थिर होती हैं, क्योंकि वे केवल प्रतिक्रिया उत्पादों के चिह्न छोड़ती हैं। इन उत्पादों की कम मात्रा के अतिरिक्त, वे धारिता में गिरावट का कारण बनते हैं। यह प्रणाली छद्म धारिता का सार है।

छद्म धारिता प्रक्रियाएं आवेश-निर्भर, रैखिक संधारित्र प्रणाली के साथ-साथ बैटरी के विपरीत अ-फैराडिक द्विपरत संधारित्र की उपलब्धि की ओर ले जाती हैं। जिसमें लगभग आवेश-स्वतंत्र प्रणाली होता है। छद्म धारिता की मात्रा सतह क्षेत्र सामग्री और विद्युदग्र की संरचना पर निर्भर करती है। छद्म धारिता समान सतह क्षेत्र के लिए द्विपरत संधारित्र के मान को 100x से अधिक कर सकता है।^[1]

धारिता कार्य क्षमता

प्लेनर ग्रेफाइट परतों के बीच परस्पर धातु के परमाणु

कार्बाइड-व्युत्पन्न कार्बन (CDC) में मौजूद जैसे छिद्रों में विघटित आयनों का परिरोध। जैसे ही देखना का आकार सॉल्वैंशन शेल के आकार तक पहुंचता है, वियोग्य के अणु हटा दिए जाते हैं, जिसके परिणामस्वरूप आयनिक परत घनत्व और आवेशभंडार क्षमता में वृद्धि होती है।

संधारित्र के सिरे पर वोल्टेज लगाने से विद्युत अपघट्य में ध्रुवीकृत आयन या आवेशित परमाणु विपरीत ध्रुवीकृत विद्युदग्र में चले जाते हैं। विद्युदग्र और आसन्न विद्युत अपघट्य की सतहों के बीच विद्युत द्विपरत अंतराफलक या द्विपरत प्रपत्र हैं। विद्युदग्र सतह पर आयनों की परत विद्युत अपघट्य में आसन्न ध्रुवीकृत विघटित आयनों की दूसरी परत विपरीत ध्रुवीकृत विद्युदग्र में चली जाती है। दो आयन परतें विद्युत अपघट्य अणुओं की परत से अलग होती हैं। दो परतों के बीच स्थिर विद्युत विद्युत क्षेत्र बनता है जिसके परिणामस्वरूप द्विपरत संधारित्र होता है। द्विपरत विद्युत के साथ कुछ समाधान | विघटित विद्युत अपघट्य आयन अलग करने वाली विलायक परत में व्याप्त होते हैं और विद्युदग्र की सतह के परमाणुओं द्वारा सोख लिए जाते हैं और अपना आवेश विद्युदग्र तक पहुंचाते हैं। दूसरे शब्दों में, हेल्महोल्ट्ज़ द्विपरत के भीतर विद्युत अपघट्य में आयन भी इलेक्ट्रॉन दाता के रूप में कार्य करते हैं। इलेक्ट्रॉनों को विद्युदग्र परमाणुओं में स्थानांतरित करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप फैराडिक धारा होता है। यह फैराडिक आवेश स्थानांतरण मिश्रित, विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र सतह के बीच प्रतिवर्ती रेडॉक्स संधारित्र मध्यनिवेश रसायन विज्ञान प्रक्रियाओं के तेज़ क्रम से उत्पन्न होता है, जिसे छद्म धारिता कहा जाता है।^[5]

विद्युदग्र की संरचना सामग्री के आधार पर छद्म धारिता उत्पन्न हो सकती है, जब विशेष रूप से अवशोषण वाले आयन द्विपरत में व्याप्त होते हैं। कई -इलेक्ट्रॉन चरणों में आगे बढ़ते हैं। फैराडिक प्रक्रियाओं में सम्मलित इलेक्ट्रॉनों को विद्युदग्र के रासायनिक संयोजन इलेक्ट्रॉन वैलेंस-इलेक्ट्रॉन स्टेट्स या परमाणु कक्षीय में स्थानांतरित किया जाता है। बाहरी परिपत्र के माध्यम से विपरीत विद्युदग्र में प्रवाहित किया जाता है, जहां समान संख्या में विपरीत आवेश वाले आयनों के साथ द्विपरत होती है। इलेक्ट्रॉन दृढ़ता से आयनित और विद्युदग्र सतह के इलेक्ट्रॉन संक्रमण-धातु आयनों में रहते हैं। अवशोषण वाले आयनों में स्थानांतरित नहीं होते हैं। इस तरह के छद्म धारिता में संकीर्ण सीमा के भीतर रैखिक कार्य होता है और विद्युत क्षमता द्वारा निर्धारित किया जाता है। अवशोषण वाले आयनों की सतह आवृत्त क्षेत्र की संभावित-निर्भर मात्रा छद्म धारिता की भंडारण क्षमता अभिकर्मक की परिमित मात्रा द्वारा सीमित होती है।

छद्म धारिता को जन्म देने वाली प्रणालियाँ।^[5]

रेडॉक्स प्रणाली Ox + ze‾ ⇌ Red
अंतर्संबंध रसायन विज्ञान प्रणाली। Li⁺
में Ma
₂
संधारित्र विआयनीकरण, धातु परमाणुओं की कम क्षमता जमा करना H: M⁺ +Ze‾ + S ⇌ SM या H+ (S = सतह जाली स्थल)

अतिसंधारित्र में तीनों प्रकार की विद्युत रासायनिक प्रक्रियाएं दिखाई दी हैं।^[5]^[6]छद्म धारिता का निर्वहन करते समय आवेश स्थानांतरण उलट जाता है। आयन या परमाणु द्विपरत छोड़ देते हैं और पूरे विद्युत अपघट्य में फैल जाते हैं।

सामग्री

विद्युदग्र की छद्म धारिता का उत्पादन करने की क्षमता विद्युदग्र सतह पर हैं। और साथ ही विद्युदग्र छिद्र संरचना और आयाम पर आयनों के लिए विद्युदग्र सामग्री की रासायनिक आत्मीयता पर निर्भर करती है। छद्म संधारित्र विद्युदग्र के रूप में उपयुक्त रेडॉक्स प्रणाली प्रदर्शित करने वाली सामग्री प्रवाहकीय विद्युदग्र सामग्री जैसे सक्रिय कार्बन में डोपिंग द्वारा डाले गए संक्रमण-धातु ऑक्साइड हैं। साथ ही विद्युदग्र सामग्री को आवरण करने वाले पॉलीएनीलाइन या पॉलीथियोफीन के व्युत्पन्न जैसे पॉलीमर का संचालन करते हैं।

संक्रमण धातु ऑक्साइड/सल्फाइड

कॉनवे द्वारा गहन अध्ययन किया गया था ये सामग्रियां उच्च छद्म धारिता प्रदान करती हैं। ^[1]^[7] दयाता जैसे संक्रमण धातुओं के कई ऑक्साइड (RuO
₂), इरिडियम (IrO
₂), लोहा (Fe
₃O
₄), मैंगनीज (MnO
₂) या सल्फाइड जैसे टाइटेनियम सल्फाइड (TiS
₂) या उनके संयोजन कम संचालन प्रतिरोध के साथ फैराडिक इलेक्ट्रॉन-स्थानांतरण प्रतिक्रियाएं उत्पन्न करते हैं।रूथेनियम डाइऑक्साइड (RuO
₂) सल्फ्यूरिक एसिड के साथ संयोजन में (H
₂SO
₄) विद्युत अपघट्य लगभग 1.2 V प्रति विद्युदग्र की गवाक्ष पर आवेश/अनावेश के साथ छद्म धारिता का सबसे अच्छा उदाहरण प्रदान करता है। इसके अतिरिक्त इन संक्रमण धातु विद्युदग्र पर प्रतिवर्तीता उत्कृष्ट है, जिसमें कई सौ-हज़ार चक्रों का चक्र जीवन है। अतिव्यापी क्षमता के साथ कई ऑक्सीकरण चरणों के साथ युग्मित, प्रतिवर्ती रेडॉक्स प्रतिक्रिया से छद्म धारिता उत्पन्न होता है। इलेक्ट्रॉन ज्यादातर विद्युदग्र के वैलेंस कक्षीय से आते हैं। इलेक्ट्रॉन स्थानांतरण प्रतिक्रिया बहुत तेज है और उच्च धाराओं के साथ हो सकती है।

इलेक्ट्रॉन स्थानांतरण प्रतिक्रिया के अनुसार होता है।

\mathrm {RuO_{2}+xH^{+}+xe^{-}\leftrightarrow RuO_{2-x}(OH)_{x}}

कहाँ

0\leq x\leq 2

^[8]

आवेश और अनावेश के पर्यन्त में सम्मलित H⁺
(प्रोटॉन) से हटा दिया जाता है RuO
₂ क्रिस्टल संरचना, जो रासायनिक परिवर्तन के अतिरिक्त विद्युत ऊर्जा का भंडारण उत्पन्न करती है। OH समूह विद्युदग्र सतह पर आणविक परत के रूप में जमा होते हैं और हेल्महोल्ट्ज़ परत के क्षेत्र में रहते हैं। चूंकि रेडॉक्स प्रतिक्रिया से मापने योग्य वोल्टेज आवेशित अवस्था के समानुपाती होता है, इसलिए प्रतिक्रिया बैटरी के अतिरिक्त संधारित्र की तरह प्रणाली करती है, जिसका वोल्टेज अधिक स्तर तक आवेश की स्थिति से स्वतंत्र होता है।

पॉलिमर का संचालन

उच्च मात्रा में छद्म धारिता वाली अन्य प्रकार की सामग्री इलेक्ट्रॉन-संवाहक पॉलिमर है। पॉलीएनीलाइन, पॉलीथियोफेन, पाली दोस्त आर भूमिका और पॉलीएसिटिलीन जैसे प्रवाहकीय बहुलक में संक्रमण धातु ऑक्साइड की तुलना में फैराडिक आवेश स्थानांतरणसे जुड़े रेडॉक्स प्रक्रियाओं की कम उलटाता होती है। साइकिल चालन के पर्यन्त सीमित स्थिरता से पीड़ित होती है। इस तरह के विद्युदग्र आयनों और धनायनों के साथ पॉलिमर के विद्युत रासायनिक डोपिंग को नियोजित करते हैं। नकारात्मक आवेश (N-डोप्ड) और सकारात्मक आवेश (P-डॉप्ड) विद्युदग्र के साथ N/P- प्रकार पॉलीमर विन्यास के साथ उच्चतम धारिता और विद्युत घनत्व प्राप्त किया जाता है।

संरचना

छद्म धारिता विद्युदग्र संरचना से उत्पन्न हो सकता है, विशेष रूप से सामग्री आकार से देखना। विद्युदग्र के रूप में कार्बाइड-व्युत्पन्न कार्बन (CDC) या कार्बन अतिसूक्ष्म परिनालिका (CNT) का उपयोग अतिसूक्ष्म परिनालिका द्वारा गठित छोटे छिद्रों का मंडली प्रदान करता है। इन नैनोपोरस सामग्रियों का व्यास <2 nm की सीमा में होता है जिसे अंतर्विरोधित छिद्र के रूप में संदर्भित किया जा सकता है। विद्युत अपघट्य में विघटित आयन इन छोटे छिद्रों में प्रवेश करने में असमर्थ हैं, किन्तु अविघटित आयन जिन्होंने अपने आयन आयाम को कम कर दिया है, वे प्रवेश करने में सक्षम हैं। जिसके परिणामस्वरूप आयनिक परत घनत्व और आवेश भंडार में वृद्धि होती है। नैनो-संरचित कार्बन विद्युदग्र में छिद्रों के अनुरूप आकार आयन को अधिकतम कर सकते हैं। फैराडिक द्वारा विशिष्ट धारिता बढ़ा सकते हैं H
₂ अवशोषण उपचार। विद्युत अपघट्य घोल से विघटित आयनों द्वारा इन छिद्रों का अधिकार (फैराडिक) मध्यनिवेश के अनुसार होता है।^[9]^[10]^[11]

सत्यापन

चक्रीय वोल्टमोग्राम स्थिर संधारित्र और छद्म संधारित्र के बीच वर्तमान घटता के मूलभूत अंतर को दर्शाता है

छद्म धारिता गुणों को चक्रीय वोल्टामीटर में व्यक्त किया जा सकता है। आदर्श द्विपरत संधारित्र के लिए विद्युदग्र क्षमता से स्वतंत्र धारा के साथ आयताकार आकार के वोल्टमोग्राम की संभावित प्रस्तुतीकरण को उलटने पर धारा प्रवाह तुरंत उलट जाता है। प्रतिरोधी क्षति वाले द्विपरत संधारित्र के लिए आकार समानांतर चतुर्भुज में बदल जाता है। फैराडिक विद्युदग्र में संधारित्र में संग्रहीत विद्युत आवेश दृढ़ता से क्षमता पर निर्भर होता है, इसलिए संभावित को उलटते समय विलंब के कारण वोल्टामेट्री विशेषताएँ समांतर चतुर्भुज से विचलित हो जाती हैं। अंततः गतिज आवेशिंत प्रक्रियाओं से आती हैं।^[12]^[13]

अनुप्रयोग

अतिसंधारित्र में छद्म धारिता महत्वपूर्ण संपत्ति है।

साहित्य

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-[[File:Pseudocapacitance-Priciple.png|thumb|right|विशेष रूप से सोखे गए आयनों के साथ द्विपरत का सरलीकृत दृश्य जिसने छद्म समाई के फैराडिक आवेश स्थानांतरण को समझाने के लिए विद्युदग्र को अपना आवेशजमा किया है।]]छद्म समाई अतिसंधारित्र में बिजली का [[इलेक्ट्रोकैमिस्ट्री|विद्युत्-रसायन]] भंडार ([[स्यूडोकैपेसिटर|छद्म संधारित्र]]) है। यह फैराडिक आवेश स्थानांतरण उपयुक्त [[इलेक्ट्रोड|विद्युदग्र]] की सतह पर प्रतिवर्ती [[फैराडिक करंट|फैराडिक धारा]] [[रिडॉक्स]], [[कैपेसिटिव विआयनीकरण|संधारित्र विआयनीकरण]] रसायन विज्ञान प्रक्रियाओं के बहुत तेजी अनुक्रम से उत्पन्न होता है।<ref name="conway1">{{citation|surname1=B. E. Conway|title=Electrochemical Supercapacitors: Scientific Fundamentals and Technological Applications |publisher=Springer|location=Berlin|pages=1–8|isbn=978-0306457364|date=  1999|language=de|url={{Google books|8yvzlr9TqI0C|page=1|plainurl=yes}}}} see also [http://electrochem.cwru.edu/encycl/art-c03-elchem-cap.htm Brian E. Conway in Electrochemistry Encyclopedia: ''ELECTROCHEMICAL CAPACITORS Their Nature, Function, and Applications''] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120430080052/http://electrochem.cwru.edu/encycl/art-c03-elchem-cap.htm |date=2012-04-30 }}</ref><ref name="Halper">{{cite techreport |author= Marin S. Halper, James C. Ellenbogen |title= Supercapacitors: A Brief Overview |publisher= MITRE Nanosystems Group |date= March 2006 |url= http://www.mitre.org/sites/default/files/pdf/06_0667.pdf |access-date= 2014-01-20 |archive-url= https://web.archive.org/web/20140201231754/http://www.mitre.org/sites/default/files/pdf/06_0667.pdf |archive-date= 2014-02-01 |url-status= dead }}</ref><ref name="Frackowiak">E. Frackowiak, F. Beguin: ''Carbon Materials For The Electrochemical Storage Of Energy In Capacitors.'' In: ''CARBON.'' 39, 2001, S. 937–950 ([http://144.206.159.178/ft/145/34337/587733.pdf PDF]{{dead link|date=April 2018 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }})  E. Frackowiak, K. Jurewicz, S. Delpeux, F. Béguin: ''Nanotubular Materials For Supercapacitors.'' In: ''Journal of Power Sources.'' Volumes 97–98, Juli 2001, S. 822–825, {{doi|10.1016/S0378-7753(01)00736-4}}.</ref> छद्म समाई [[इलेक्ट्रॉन]] [[चार्ज ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स|मिश्रित आवेश स्थानांतरण]] के साथ होता है। [[समाधान]] से आने वाले [[इलेक्ट्रोलाइट|विद्युत अपघट्य]] और [[विद्युदग्र]] के बीच आवेश स्थानांतरण [[विघटित]] और [[सोखना|अवशोषण]] [[आयन]] है। जिसमे आवेश मात्रा प्रति इलेक्ट्रॉन सम्मलित है। अवशोषण वाले आयन की विद्युदग्र के परमाणुओं के साथ कोई [[रासायनिक प्रतिक्रिया]] नहीं होती है और कोई [[रासायनिक बंध]]न उत्पन्न नहीं होता है<ref name="Garthwaite">{{cite web|last=Garthwaite|first=Josie|title=How ultracapacitors work (and why they fall short)|url=http://gigaom.com/cleantech/how-ultracapacitors-work-and-why-they-fall-short/|work=Earth2Tech|publisher=GigaOM Network|access-date=23 April 2013|date=12 July 2011|archive-url=https://web.archive.org/web/20121122020504/http://gigaom.com/cleantech/how-ultracapacitors-work-and-why-they-fall-short/|archive-date=22 November 2012|url-status=dead}}</ref> चूंकि, केवल आवेश स्थानांतरण होता है।
+[[File:Pseudocapacitance-Priciple.png|thumb|right|विशेष रूप से सोखे गए आयनों के साथ द्विपरत का सरलीकृत दृश्य जिसने छद्म धारिता के फैराडिक आवेश स्थानांतरण को समझाने के लिए विद्युदग्र को अपना आवेश जमा किया है।]]छद्म धारिता अतिसंधारित्र में विद्युत का [[इलेक्ट्रोकैमिस्ट्री|विद्युत्-रसायन]] भंडार ([[स्यूडोकैपेसिटर|छद्म संधारित्र]]) है। यह फैराडिक आवेश स्थानांतरण उपयुक्त [[इलेक्ट्रोड|विद्युदग्र]] की सतह पर प्रतिवर्ती [[फैराडिक करंट|फैराडिक धारा]] [[रिडॉक्स]], [[कैपेसिटिव विआयनीकरण|संधारित्र विआयनीकरण]] रसायन विज्ञान प्रक्रियाओं के बहुत तेजी अनुक्रम से उत्पन्न होता है।<ref name="conway1">{{citation|surname1=B. E. Conway|title=Electrochemical Supercapacitors: Scientific Fundamentals and Technological Applications |publisher=Springer|location=Berlin|pages=1–8|isbn=978-0306457364|date=  1999|language=de|url={{Google books|8yvzlr9TqI0C|page=1|plainurl=yes}}}} see also [http://electrochem.cwru.edu/encycl/art-c03-elchem-cap.htm Brian E. Conway in Electrochemistry Encyclopedia: ''ELECTROCHEMICAL CAPACITORS Their Nature, Function, and Applications''] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120430080052/http://electrochem.cwru.edu/encycl/art-c03-elchem-cap.htm |date=2012-04-30 }}</ref><ref name="Halper">{{cite techreport |author= Marin S. Halper, James C. Ellenbogen |title= Supercapacitors: A Brief Overview |publisher= MITRE Nanosystems Group |date= March 2006 |url= http://www.mitre.org/sites/default/files/pdf/06_0667.pdf |access-date= 2014-01-20 |archive-url= https://web.archive.org/web/20140201231754/http://www.mitre.org/sites/default/files/pdf/06_0667.pdf |archive-date= 2014-02-01 |url-status= dead }}</ref><ref name="Frackowiak">E. Frackowiak, F. Beguin: ''Carbon Materials For The Electrochemical Storage Of Energy In Capacitors.'' In: ''CARBON.'' 39, 2001, S. 937–950 ([http://144.206.159.178/ft/145/34337/587733.pdf PDF]{{dead link|date=April 2018 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }})  E. Frackowiak, K. Jurewicz, S. Delpeux, F. Béguin: ''Nanotubular Materials For Supercapacitors.'' In: ''Journal of Power Sources.'' Volumes 97–98, Juli 2001, S. 822–825, {{doi|10.1016/S0378-7753(01)00736-4}}.</ref> छद्म धारिता [[इलेक्ट्रॉन]] [[चार्ज ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स|मिश्रित आवेश स्थानांतरण]] के साथ होता है। [[समाधान]] से आने वाले [[इलेक्ट्रोलाइट|विद्युत अपघट्य]] और [[विद्युदग्र]] के बीच आवेश स्थानांतरण [[विघटित]] और [[सोखना|अवशोषण]] [[आयन]] है। जिसमे आवेश मात्रा प्रति इलेक्ट्रॉन सम्मलित है। अवशोषण वाले आयन की विद्युदग्र के परमाणुओं के साथ कोई [[रासायनिक प्रतिक्रिया]] नहीं होती है और कोई [[रासायनिक बंध]]न उत्पन्न नहीं होता है<ref name="Garthwaite">{{cite web|last=Garthwaite|first=Josie|title=How ultracapacitors work (and why they fall short)|url=http://gigaom.com/cleantech/how-ultracapacitors-work-and-why-they-fall-short/|work=Earth2Tech|publisher=GigaOM Network|access-date=23 April 2013|date=12 July 2011|archive-url=https://web.archive.org/web/20121122020504/http://gigaom.com/cleantech/how-ultracapacitors-work-and-why-they-fall-short/|archive-date=22 November 2012|url-status=dead}}</ref> चूंकि, केवल आवेश स्थानांतरण होता है।
-फैराडिक छद्म समाई केवल स्थिर [[डबल-लेयर कैपेसिटेंस|द्विपरत संधारित्र]] के साथ होता है। छद्म समाई और द्विपरत संधारित्र दोनों कुल धारिता वैल्यू में अविभाज्य रूप से योगदान करते हैं।
+फैराडिक छद्म धारिता केवल स्थिर [[डबल-लेयर कैपेसिटेंस|द्विपरत संधारित्र]] के साथ होता है। छद्म धारिता और द्विपरत संधारित्र दोनों कुल धारिता मूल्य में अविभाज्य रूप से योगदान करते हैं।
-छद्म समाई की मात्रा सतह क्षेत्र सामग्री और विद्युदग्र की संरचना पर निर्भर करती है। छद्म समाई समान सतह क्षेत्र के लिए द्विपरत संधारित्र की तुलना में 100x अधिक धारिता का योगदान दे सकता है।<ref name="conway1" />
+छद्म धारिता की मात्रा सतह क्षेत्र सामग्री और विद्युदग्र की संरचना पर निर्भर करती है। छद्म धारिता समान सतह क्षेत्र के लिए द्विपरत संधारित्र की तुलना में 100x अधिक धारिता का योगदान दे सकता है।<ref name="conway1" />
-छद्म समाई में संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा लागू [[वोल्टेज]] के रैखिक रूप से आनुपातिक होती है। छद्म समाई की इकाई फैराड है।
+छद्म धारिता में संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा लागू [[वोल्टेज]] के रैखिक रूप से आनुपातिक होती है। छद्म धारिता की इकाई फैराड है।
 == इतिहास ==
-* द्विपरत और छद्म समाई मॉडल का विकास देखें द्विपरत [[अंतराफलक|अंतराफलक।]]
+* द्डबल लेयर और स्यूडोकैपेसिटेंस मॉडल का विकास डबल लेयर (इंटरफेशियल) देखें
-* विद्युत रासायनिक घटकों का विकास देखे [[सुपरकैपेसिटर|अतिसंधारित्र।]]
+* विद्युत रासायनिक घटकों का विकास [[सुपरकैपेसिटर|अतिसंधारित्र]] देखें।
 == रेडॉक्स प्रतिक्रियाएं ==
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 ==== [[फिर से चार्ज करने लायक संप्रहार|फिर से आवेश करने योग्य संप्रहार]] ====
-विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र की सतह के बीच फैराडिक आवेश स्थानांतरण के साथ फिर से आवेश करने योग्य संप्रहार में रेडॉक्स प्रतिक्रियाएं दशकों पहले देखी गई थीं। ये [[रासायनिक प्रक्रिया]][[एं]] सामान्यतः परिचर [[चरण संक्रमण]] के साथ विद्युदग्र सामग्री की रासायनिक प्रतिक्रियाओं से जुड़ी होती हैं। चूंकि ये रासायनिक प्रक्रियाएं अपेक्षाकृत प्रतिवर्ती हैं, बैटरी आवेश चक्र अधिकांशतः अपरिवर्तनीय रूप से अभिकर्मकों के अपरिवर्तित रासायनिक प्रतिक्रिया उत्पादों का उत्पादन करते हैं। तदनुसार, फिर से आवेश करने योग्य संप्रहार का चक्र-जीवन सामान्यतः सीमित होता है। इसके अतिरिक्त, प्रतिक्रिया उत्पाद बिजली घनत्व कम करते हैं। इसके अतिरिक्त, रासायनिक प्रक्रियाएं अपेक्षाकृत धीमी होती हैं, जो आवेशित/अनावेशित समय को बढ़ाती हैं।
+विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र की सतह के बीच फैराडिक आवेश स्थानांतरण के साथ फिर से आवेश करने योग्य हैं। संप्रहार में रेडॉक्स प्रतिक्रियाएं दशकों पहले देखी गई थीं। ये [[रासायनिक प्रक्रिया]][[एं]] सामान्यतः परिचर [[चरण संक्रमण]] के साथ विद्युदग्र सामग्री की रासायनिक प्रतिक्रियाओं से जुड़ी होती हैं। चूंकि, ये रासायनिक प्रक्रियाएं अपेक्षाकृत प्रतिवर्ती हैं, बैटरी आवेश चक्र अधिकांशतः अपरिवर्तनीय रूप से अभिकर्मकों के अपरिवर्तित रासायनिक प्रतिक्रिया उत्पादों का उत्पादन करते हैं। तदनुसार, फिर से आवेश करने योग्य संप्रहार का चक्र-जीवन सामान्यतः सीमित होता है। इसके अतिरिक्त, प्रतिक्रिया उत्पाद विद्युत घनत्व कम करते हैं। इसके अतिरिक्त, रासायनिक प्रक्रियाएं अपेक्षाकृत धीमी होती हैं, जो आवेशित/अनावेशित समय को बढ़ाती हैं।
 ==== विद्युत रासायनिक संधारित्र ====
-[[File:Electric double-layer (BMD model) NT-int.svg|thumb|right|विद्युदग्र (बीएमडी) मॉडल पर दोहरी परत का योजनाबद्ध प्रतिनिधित्व। 1. इनर हेल्महोल्ट्ज़ प्लेन, (IHP), 2. आउटर हेल्महोल्ट्ज़ प्लेन (OHP), 3. डिफ्यूज़ लेयर, 4. विघटित विद्युत अपघट्य आयन (धनायन) 5. विशेष रूप से सोखे गए आयन (रेडॉक्स आयन, जो छद्म समाई में योगदान करते हैं), 6. वियोग्य के अणु]]बैटरी और विद्युत रासायनिक संधारित्र (अतिसंधारित्र) में रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं के बीच मूलभूत अंतर यह है। कि विद्युदग्र अणुओं के किसी भी चरण परिवर्तन के अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण के साथ प्रतिक्रियाएं प्रतिवर्ती प्रक्रियाओं का बहुत तेज़ अनुक्रम हैं। इनमें रासायनिक बंधन बनाना या तोड़ना सम्मलित नहीं है। '''<small>समाधान</small>''' विघटित परमाणु या आयन छद्म समाई का योगदान करते हुए बस चिपकते हैं।<ref name="Garthwaite" />विद्युदग्र की परमाणु संरचना के लिए और आवेश भौतिक [[सोखना|अवशोषण]] प्रक्रियाओं द्वारा सतहों पर वितरित किए जाते हैं। बैटरियों की तुलना में अतिसंधारित्र फैराडिक प्रक्रियाएं समय के साथ बहुत तेज और अधिक स्थिर होती हैं, क्योंकि वे केवल प्रतिक्रिया उत्पादों के चिह्न छोड़ती हैं। इन उत्पादों की कम मात्रा के अतिरिक्त, वे धारिता में गिरावट का कारण बनते हैं। यह व्यवहार छद्म समाई का सार है।
+[[File:Electric double-layer (BMD model) NT-int.svg|thumb|right|विद्युदग्र (BMD) मॉडल पर दोहरी परत का योजना बद्ध प्रतिनिधित्व। 1. इनर हेल्महोल्ट्ज़ प्लेन, (IHP), 2. आउटर हेल्महोल्ट्ज़ प्लेन (OHP), 3. प्रसारित परत, 4. विघटित विद्युत अपघट्य आयन (धनायन) 5. विशेष रूप से सोखे गए आयन (रेडॉक्स आयन, जो छद्म धारिता में योगदान करते हैं), 6. वियोग्य के अणु]]बैटरी और विद्युत रासायनिक संधारित्र (अतिसंधारित्र) में रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं के बीच मूलभूत अंतर यह है। कि विद्युदग्र अणुओं के किसी भी चरण परिवर्तन के अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण के साथ प्रतिक्रियाएं प्रतिवर्ती प्रक्रियाओं का बहुत तेज़ अनुक्रम हैं। इनमें रासायनिक बंधन बनाना या तोड़ना सम्मलित नहीं है। <big>समाधान</big> विघटित परमाणु या आयन छद्म धारिता का योगदान करते हुए बस चिपकते हैं।<ref name="Garthwaite" /> विद्युदग्र की परमाणु संरचना के लिए आवेश भौतिक [[सोखना|अवशोषण]] प्रक्रियाओं द्वारा सतहों पर वितरित किए जाते हैं। बैटरियों की तुलना में अतिसंधारित्र फैराडिक प्रक्रियाएं समय के साथ बहुत तेज और अधिक स्थिर होती हैं, क्योंकि वे केवल प्रतिक्रिया उत्पादों के चिह्न छोड़ती हैं। इन उत्पादों की कम मात्रा के अतिरिक्त, वे धारिता में गिरावट का कारण बनते हैं। यह प्रणाली छद्म धारिता का सार है।
-छद्म समाई प्रक्रियाएं आवेश-निर्भर, रैखिक संधारित्र व्यवहार के साथ-साथ बैटरी के विपरीत अ-फैराडिक द्विपरत संधारित्र की उपलब्धि की ओर ले जाती हैं, जिसमें लगभग आवेश-स्वतंत्र व्यवहार होता है। छद्म समाई की मात्रा सतह क्षेत्र, सामग्री और विद्युदग्र की संरचना पर निर्भर करती है। छद्म समाई समान सतह क्षेत्र के लिए द्विपरत संधारित्र के मान को 100x से अधिक कर सकता है।<ref name="conway1" />
+छद्म धारिता प्रक्रियाएं आवेश-निर्भर, रैखिक संधारित्र प्रणाली के साथ-साथ बैटरी के विपरीत अ-फैराडिक द्विपरत संधारित्र की उपलब्धि की ओर ले जाती हैं। जिसमें लगभग आवेश-स्वतंत्र प्रणाली होता है। छद्म धारिता की मात्रा सतह क्षेत्र सामग्री और विद्युदग्र की संरचना पर निर्भर करती है। छद्म धारिता समान सतह क्षेत्र के लिए द्विपरत संधारित्र के मान को 100x से अधिक कर सकता है।<ref name="conway1" />
 == धारिता कार्य क्षमता ==
 [[File:Intercalactionrp.png|thumb|right|प्लेनर ग्रेफाइट परतों के बीच परस्पर धातु के परमाणु]]
-[[File:Figure5CDC.jpg|thumb|right|कार्बाइड-व्युत्पन्न कार्बन (CDC) में मौजूद जैसे छिद्रों में विघटित आयनों का परिरोध। जैसे ही देखना का आकार सॉल्वैंशन शेल के आकार तक पहुंचता है, वियोग्य के अणु हटा दिए जाते हैं, जिसके परिणामस्वरूप आयनिक परत घनत्व और आवेशभंडार क्षमता में वृद्धि होती है।]]संधारित्र टर्मिनलों पर वोल्टेज लगाने से विद्युत अपघट्य में ध्रुवीकृत आयन या आवेशित परमाणु विपरीत ध्रुवीकृत विद्युदग्र में चले जाते हैं। विद्युदग्र और आसन्न विद्युत अपघट्य की सतहों के बीच विद्युत द्विपरत अंतराफलक या द्विपरत प्रपत्र हैं। विद्युदग्र सतह पर आयनों की परत और विद्युत अपघट्य में आसन्न ध्रुवीकृत और विघटित आयनों की दूसरी परत विपरीत ध्रुवीकृत विद्युदग्र में चली जाती है। दो आयन परतें विद्युत अपघट्य अणुओं की परत से अलग होती हैं। दो परतों के बीच स्थिर विद्युत [[विद्युत क्षेत्र]] बनता है जिसके परिणामस्वरूप द्विपरत संधारित्र होता है। द्विपरत विद्युत के साथ कुछ समाधान | विघटित विद्युत अपघट्य आयन अलग करने वाली विलायक परत में व्याप्त होते हैं और विद्युदग्र की सतह के परमाणुओं द्वारा सोख लिए जाते हैं। वे विशेष रूप से सोख लिए जाते हैं और अपना आवेश विद्युदग्र तक पहुंचाते हैं। दूसरे शब्दों में, हेल्महोल्ट्ज़ द्विपरत के भीतर विद्युत अपघट्य में आयन भी [[इलेक्ट्रॉन दाता]] के रूप में कार्य करते हैं। इलेक्ट्रॉनों को विद्युदग्र परमाणुओं में स्थानांतरित करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप फैराडिक धारा होता है। यह फैराडिक [[चार्ज-ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स|आवेश स्थानांतरण मिश्रित]], विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र सतह के बीच प्रतिवर्ती रेडॉक्स संधारित्र मध्यनिवेश रसायन विज्ञान प्रक्रियाओं के तेज़ क्रम से उत्पन्न होता है, जिसे छद्म समाई कहा जाता है।<ref name="Conway-Pell" />
+[[File:Figure5CDC.jpg|thumb|right|कार्बाइड-व्युत्पन्न कार्बन (CDC) में मौजूद जैसे छिद्रों में विघटित आयनों का परिरोध। जैसे ही देखना का आकार सॉल्वैंशन शेल के आकार तक पहुंचता है, वियोग्य के अणु हटा दिए जाते हैं, जिसके परिणामस्वरूप आयनिक परत घनत्व और आवेशभंडार क्षमता में वृद्धि होती है।]]संधारित्र के सिरे पर वोल्टेज लगाने से विद्युत अपघट्य में ध्रुवीकृत आयन या आवेशित परमाणु विपरीत ध्रुवीकृत विद्युदग्र में चले जाते हैं। विद्युदग्र और आसन्न विद्युत अपघट्य की सतहों के बीच विद्युत द्विपरत अंतराफलक या द्विपरत प्रपत्र हैं। विद्युदग्र सतह पर आयनों की परत विद्युत अपघट्य में आसन्न ध्रुवीकृत विघटित आयनों की दूसरी परत विपरीत ध्रुवीकृत विद्युदग्र में चली जाती है। दो आयन परतें विद्युत अपघट्य अणुओं की परत से अलग होती हैं। दो परतों के बीच स्थिर विद्युत [[विद्युत क्षेत्र]] बनता है जिसके परिणामस्वरूप द्विपरत संधारित्र होता है। द्विपरत विद्युत के साथ कुछ समाधान | विघटित विद्युत अपघट्य आयन अलग करने वाली विलायक परत में व्याप्त होते हैं और विद्युदग्र की सतह के परमाणुओं द्वारा सोख लिए जाते हैं और अपना आवेश विद्युदग्र तक पहुंचाते हैं। दूसरे शब्दों में, हेल्महोल्ट्ज़ द्विपरत के भीतर विद्युत अपघट्य में आयन भी [[इलेक्ट्रॉन दाता]] के रूप में कार्य करते हैं। इलेक्ट्रॉनों को विद्युदग्र परमाणुओं में स्थानांतरित करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप फैराडिक धारा होता है। यह फैराडिक [[चार्ज-ट्रांसफर कॉम्प्लेक्स|आवेश स्थानांतरण मिश्रित]], विद्युत अपघट्य और विद्युदग्र सतह के बीच प्रतिवर्ती रेडॉक्स संधारित्र मध्यनिवेश रसायन विज्ञान प्रक्रियाओं के तेज़ क्रम से उत्पन्न होता है, जिसे छद्म धारिता कहा जाता है।<ref name="Conway-Pell" />
-विद्युदग्र की संरचना या सतह सामग्री के आधार पर, छद्म समाई तब उत्पन्न हो सकता है, जब विशेष रूप से अवशोषण वाले आयन द्विपरत में व्याप्त होते हैं। कई -इलेक्ट्रॉन चरणों में आगे बढ़ते हैं। फैराडिक प्रक्रियाओं में सम्मलित इलेक्ट्रॉनों को विद्युदग्र के [[रासायनिक संयोजन इलेक्ट्रॉन]] वैलेंस-इलेक्ट्रॉन स्टेट्स या [[परमाणु कक्षीय]] में स्थानांतरित किया जाता है और बाहरी परिपत्र के माध्यम से विपरीत विद्युदग्र में प्रवाहित किया जाता है, जहां समान संख्या में विपरीत आवेश वाले आयनों के साथ द्विपरत होती है। इलेक्ट्रॉन दृढ़ता से आयनित और विद्युदग्र सतह के इलेक्ट्रॉन संक्रमण-धातु आयनों में रहते हैं। अवशोषण वाले आयनों में स्थानांतरित नहीं होते हैं। इस तरह के छद्म समाई में संकीर्ण सीमा के भीतर रैखिक कार्य होता है और विद्युत क्षमता द्वारा निर्धारित किया जाता है। अवशोषण वाले आयनों की सतह आवृत्त क्षेत्र की संभावित-निर्भर डिग्री छद्म समाई की भंडारण क्षमता [[अभिकर्मक]] की परिमित मात्रा द्वारा सीमित होती है।
+विद्युदग्र की संरचना सामग्री के आधार पर छद्म धारिता उत्पन्न हो सकती है, जब विशेष रूप से अवशोषण वाले आयन द्विपरत में व्याप्त होते हैं। कई -इलेक्ट्रॉन चरणों में आगे बढ़ते हैं। फैराडिक प्रक्रियाओं में सम्मलित इलेक्ट्रॉनों को विद्युदग्र के [[रासायनिक संयोजन इलेक्ट्रॉन]] वैलेंस-इलेक्ट्रॉन स्टेट्स या [[परमाणु कक्षीय]] में स्थानांतरित किया जाता है। बाहरी परिपत्र के माध्यम से विपरीत विद्युदग्र में प्रवाहित किया जाता है, जहां समान संख्या में विपरीत आवेश वाले आयनों के साथ द्विपरत होती है। इलेक्ट्रॉन दृढ़ता से आयनित और विद्युदग्र सतह के इलेक्ट्रॉन संक्रमण-धातु आयनों में रहते हैं। अवशोषण वाले आयनों में स्थानांतरित नहीं होते हैं। इस तरह के छद्म धारिता में संकीर्ण सीमा के भीतर रैखिक कार्य होता है और विद्युत क्षमता द्वारा निर्धारित किया जाता है। अवशोषण वाले आयनों की सतह आवृत्त क्षेत्र की संभावित-निर्भर मात्रा छद्म धारिता की भंडारण क्षमता [[अभिकर्मक]] की परिमित मात्रा द्वारा सीमित होती है।
-छद्म समाई को जन्म देने वाली प्रणालियाँ।<ref name="Conway-Pell" />* रेडॉक्स सिस्टम। ऑक्स + ज़ी‾ ⇌ लाल
+छद्म धारिता को जन्म देने वाली प्रणालियाँ।<ref name="Conway-Pell" />
-* अंतर्संबंध (रसायन विज्ञान) प्रणाली। {{chem|Li|+}} में{{chem|Ma|2}}* संधारित्र विआयनीकरण, मेटल एडैटम्स या एच का अंडरपोटेंशियल डिपोजिशन।H। M<sup><big>+</big></sup> + ze‾ + S ⇌ SM या H+ (S = सतह जाली स्थल)
+* रेडॉक्स प्रणाली Ox + ze‾ ⇌ Red
+* अंतर्संबंध रसायन विज्ञान प्रणाली। {{chem|Li|+}} में {{chem|Ma|2}}
+* संधारित्र विआयनीकरण, धातु परमाणुओं की कम क्षमता जमा करना H: M<sup><big>+</big></sup> +Ze‾ + S ⇌ SM या H+ (S = सतह जाली स्थल)
-अतिसंधारित्र में तीनों प्रकार की विद्युत रासायनिक प्रक्रियाएं दिखाई दी हैं।<ref name="Conway-Pell">B.E. Conway, W.G. Pell, [https://doi.org/10.1007%2Fs10008-003-0395-7 Double-layer and pseudocapacitance types of electrochemical capacitors and their applications to the development of hybrid components]</ref><ref name="Conway-Birss">B. E. Conway, [[Viola Birss|V. Birss]], J. Wojtowicz, [http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0378775396024743 The role and the utilization of pseudocapacitance for energy storage by supercapacitors], Journal of Power Sources, Volume 66, Issues 1–2, May–June 1997, Pages 1–14</ref>छद्म समाई का निर्वहन करते समय आवेश स्थानांतरण उलट जाता है। आयन या परमाणु द्विपरत छोड़ देते हैं और पूरे विद्युत अपघट्य में फैल जाते हैं।
+अतिसंधारित्र में तीनों प्रकार की विद्युत रासायनिक प्रक्रियाएं दिखाई दी हैं।<ref name="Conway-Pell">B.E. Conway, W.G. Pell, [https://doi.org/10.1007%2Fs10008-003-0395-7 Double-layer and pseudocapacitance types of electrochemical capacitors and their applications to the development of hybrid components]</ref><ref name="Conway-Birss">B. E. Conway, [[Viola Birss|V. Birss]], J. Wojtowicz, [http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0378775396024743 The role and the utilization of pseudocapacitance for energy storage by supercapacitors], Journal of Power Sources, Volume 66, Issues 1–2, May–June 1997, Pages 1–14</ref>छद्म धारिता का निर्वहन करते समय आवेश स्थानांतरण उलट जाता है। आयन या परमाणु द्विपरत छोड़ देते हैं और पूरे विद्युत अपघट्य में फैल जाते हैं।
 === सामग्री ===
-विद्युदग्र की छद्म समाई का उत्पादन करने की क्षमता विद्युदग्र सतह पर हैं। और साथ ही विद्युदग्र छिद्र संरचना और आयाम पर आयनों के लिए विद्युदग्र सामग्री की रासायनिक आत्मीयता पर निर्भर करती है। छद्म संधारित्र विद्युदग्र के रूप में उपयोग के लिए रेडॉक्स व्यवहार प्रदर्शित करने वाली सामग्री प्रवाहकीय विद्युदग्र सामग्री जैसे सक्रिय कार्बन में डोपिंग द्वारा डाले गए [[संक्रमण-धातु ऑक्साइड]] हैं। साथ ही विद्युदग्र सामग्री को आवरण करने वाले पॉलीएनीलाइन या [[पॉलीथियोफीन]] के व्युत्पन्न जैसे पॉलीमर का संचालन करते हैं।
+विद्युदग्र की छद्म धारिता का उत्पादन करने की क्षमता विद्युदग्र सतह पर हैं। और साथ ही विद्युदग्र छिद्र संरचना और आयाम पर आयनों के लिए विद्युदग्र सामग्री की रासायनिक आत्मीयता पर निर्भर करती है। छद्म संधारित्र विद्युदग्र के रूप में उपयुक्त रेडॉक्स प्रणाली प्रदर्शित करने वाली सामग्री प्रवाहकीय विद्युदग्र सामग्री जैसे सक्रिय कार्बन में डोपिंग द्वारा डाले गए [[संक्रमण-धातु ऑक्साइड]] हैं। साथ ही विद्युदग्र सामग्री को आवरण करने वाले पॉलीएनीलाइन या [[पॉलीथियोफीन]] के व्युत्पन्न जैसे पॉलीमर का संचालन करते हैं।
 ==== संक्रमण धातु ऑक्साइड/सल्फाइड ====
-कॉनवे द्वारा गहन अध्ययन किया गया था ये सामग्रियां उच्च छद्म समाई प्रदान करती हैं। <ref name="conway1"/><ref name="Conway Transition">{{cite journal |last=Conway |first=B. E. |title=Transition from 'Supercapacitor' to 'Battery' Behavior in Electrochemical Energy Storage |journal=J. Electrochem. Soc. |volume=138 |number=6 |date=May 1991 |pages=1539–1548 |doi=10.1149/1.2085829}}</ref> [[दयाता]] जैसे संक्रमण धातुओं के कई ऑक्साइड ({{chem|RuO|2}}), [[इरिडियम]] ({{chem|IrO|2}}), [[लोहा]] ({{chem|Fe|3|O|4}}), [[मैंगनीज]] ({{chem|MnO|2}}) या सल्फाइड जैसे [[टाइटेनियम सल्फाइड]] ({{chem|TiS|2}}) या उनके संयोजन कम संचालन प्रतिरोध के साथ फैराडिक इलेक्ट्रॉन-स्थानांतरण प्रतिक्रियाएं उत्पन्न करते हैं।[[रूथेनियम डाइऑक्साइड]] ({{chem|RuO|2}}) [[सल्फ्यूरिक एसिड]] के साथ संयोजन में ({{chem|H|2|SO|4}}) विद्युत अपघट्य लगभग 1.2 V प्रति विद्युदग्र की गवाक्ष पर आवेश/अनावेश के साथ छद्म समाई का सबसे अच्छा उदाहरण प्रदान करता है। इसके अतिरिक्त इन संक्रमण धातु विद्युदग्र पर प्रतिवर्तीता उत्कृष्ट है, जिसमें कई सौ-हज़ार चक्रों का चक्र जीवन है। अतिव्यापी क्षमता के साथ कई ऑक्सीकरण चरणों के साथ युग्मित, प्रतिवर्ती रेडॉक्स प्रतिक्रिया से छद्म समाई उत्पन्न होता है। इलेक्ट्रॉन ज्यादातर विद्युदग्र के [[वैलेंस कक्षीय]] से आते हैं। इलेक्ट्रॉन स्थानांतरण प्रतिक्रिया बहुत तेज है और उच्च धाराओं के साथ हो सकती है।
+कॉनवे द्वारा गहन अध्ययन किया गया था ये सामग्रियां उच्च छद्म धारिता प्रदान करती हैं। <ref name="conway1"/><ref name="Conway Transition">{{cite journal |last=Conway |first=B. E. |title=Transition from 'Supercapacitor' to 'Battery' Behavior in Electrochemical Energy Storage |journal=J. Electrochem. Soc. |volume=138 |number=6 |date=May 1991 |pages=1539–1548 |doi=10.1149/1.2085829}}</ref> [[दयाता]] जैसे संक्रमण धातुओं के कई ऑक्साइड ({{chem|RuO|2}}), [[इरिडियम]] ({{chem|IrO|2}}), [[लोहा]] ({{chem|Fe|3|O|4}}), [[मैंगनीज]] ({{chem|MnO|2}}) या सल्फाइड जैसे [[टाइटेनियम सल्फाइड]] ({{chem|TiS|2}}) या उनके संयोजन कम संचालन प्रतिरोध के साथ फैराडिक इलेक्ट्रॉन-स्थानांतरण प्रतिक्रियाएं उत्पन्न करते हैं।[[रूथेनियम डाइऑक्साइड]] ({{chem|RuO|2}}) [[सल्फ्यूरिक एसिड]] के साथ संयोजन में ({{chem|H|2|SO|4}}) विद्युत अपघट्य लगभग 1.2 V प्रति विद्युदग्र की गवाक्ष पर आवेश/अनावेश के साथ छद्म धारिता का सबसे अच्छा उदाहरण प्रदान करता है। इसके अतिरिक्त इन संक्रमण धातु विद्युदग्र पर प्रतिवर्तीता उत्कृष्ट है, जिसमें कई सौ-हज़ार चक्रों का चक्र जीवन है। अतिव्यापी क्षमता के साथ कई ऑक्सीकरण चरणों के साथ युग्मित, प्रतिवर्ती रेडॉक्स प्रतिक्रिया से छद्म धारिता उत्पन्न होता है। इलेक्ट्रॉन ज्यादातर विद्युदग्र के [[वैलेंस कक्षीय]] से आते हैं। इलेक्ट्रॉन स्थानांतरण प्रतिक्रिया बहुत तेज है और उच्च धाराओं के साथ हो सकती है।
 इलेक्ट्रॉन स्थानांतरण प्रतिक्रिया के अनुसार होता है।
 :<math>\mathrm{RuO_2 + xH^+ + xe^- \leftrightarrow RuO_{2-x}(OH)_x}</math> कहाँ <math>0 \le x \le 2 </math><ref name="Simon-Gogotsi">P. Simon, Y.Gogotsi,  [http://www.ifc.dicp.ac.cn/library/cailiao/pdf1/Materials%20for%20electrochemical%20capacitors.pdf Materials for electrochemical capacitors,  nature materials], VOL 7, NOVEMBER 2008</ref>
-आवेश और अनावेश के पर्यन्त में सम्मलित {{chem|H|+}} ([[प्रोटॉन]]) से हटा दिया जाता है {{chem|RuO|2}} क्रिस्टल संरचना, जो रासायनिक परिवर्तन के अतिरिक्त विद्युत ऊर्जा का भंडारण उत्पन्न करती है। OH समूह विद्युदग्र सतह पर आणविक परत के रूप में जमा होते हैं और हेल्महोल्ट्ज़ परत के क्षेत्र में रहते हैं। चूंकि रेडॉक्स प्रतिक्रिया से मापने योग्य वोल्टेज आवेशित अवस्था के समानुपाती होता है, इसलिए प्रतिक्रिया बैटरी के अतिरिक्त संधारित्र की तरह व्यवहार करती है, जिसका वोल्टेज अधिक स्तर तक आवेश की स्थिति से स्वतंत्र होता है।
+आवेश और अनावेश के पर्यन्त में सम्मलित {{chem|H|+}} ([[प्रोटॉन]]) से हटा दिया जाता है {{chem|RuO|2}} क्रिस्टल संरचना, जो रासायनिक परिवर्तन के अतिरिक्त विद्युत ऊर्जा का भंडारण उत्पन्न करती है। OH समूह विद्युदग्र सतह पर आणविक परत के रूप में जमा होते हैं और हेल्महोल्ट्ज़ परत के क्षेत्र में रहते हैं। चूंकि रेडॉक्स प्रतिक्रिया से मापने योग्य वोल्टेज आवेशित अवस्था के समानुपाती होता है, इसलिए प्रतिक्रिया बैटरी के अतिरिक्त संधारित्र की तरह प्रणाली करती है, जिसका वोल्टेज अधिक स्तर तक आवेश की स्थिति से स्वतंत्र होता है।
 ==== पॉलिमर का संचालन ====
-उच्च मात्रा में छद्म समाई वाली अन्य प्रकार की सामग्री इलेक्ट्रॉन-संवाहक पॉलिमर है। पॉलीएनीलाइन, पॉलीथियोफेन, [[पाली दोस्त आर भूमिका]] और [[पॉलीएसिटिलीन]] जैसे [[प्रवाहकीय बहुलक]] में संक्रमण धातु ऑक्साइड की तुलना में फैराडिक आवेश स्थानांतरणसे जुड़े रेडॉक्स प्रक्रियाओं की कम उलटाता होती है। साइकिल चालन के पर्यन्त सीमित स्थिरता से पीड़ित होती है। इस तरह के विद्युदग्र आयनों और धनायनों के साथ पॉलिमर के विद्युत रासायनिक डोपिंग को नियोजित करते हैं। नकारात्मक आवेश (N-डोप्ड) और सकारात्मक आवेश (P-डॉप्ड) विद्युदग्र के साथ N/P- प्रकार पॉलीमर विन्यास के साथ उच्चतम धारिता और विद्युत घनत्व प्राप्त किया जाता है।
+उच्च मात्रा में छद्म धारिता वाली अन्य प्रकार की सामग्री इलेक्ट्रॉन-संवाहक पॉलिमर है। पॉलीएनीलाइन, पॉलीथियोफेन, [[पाली दोस्त आर भूमिका]] और [[पॉलीएसिटिलीन]] जैसे [[प्रवाहकीय बहुलक]] में संक्रमण धातु ऑक्साइड की तुलना में फैराडिक आवेश स्थानांतरणसे जुड़े रेडॉक्स प्रक्रियाओं की कम उलटाता होती है। साइकिल चालन के पर्यन्त सीमित स्थिरता से पीड़ित होती है। इस तरह के विद्युदग्र आयनों और धनायनों के साथ पॉलिमर के विद्युत रासायनिक डोपिंग को नियोजित करते हैं। नकारात्मक आवेश (N-डोप्ड) और सकारात्मक आवेश (P-डॉप्ड) विद्युदग्र के साथ N/P- प्रकार पॉलीमर विन्यास के साथ उच्चतम धारिता और विद्युत घनत्व प्राप्त किया जाता है।
 === संरचना ===
-छद्म समाई विद्युदग्र संरचना से उत्पन्न हो सकता है, विशेष रूप से सामग्री आकार से देखना। विद्युदग्र के रूप में [[कार्बाइड-व्युत्पन्न कार्बन]] (CDC) या [[कार्बन नैनोट्यूब|कार्बन अतिसूक्ष्म परिनालिका]] (CNT) का उपयोग अतिसूक्ष्म परिनालिका द्वारा गठित छोटे छिद्रों का मंडली प्रदान करता है। इन [[नैनोपोरस]] सामग्रियों का व्यास <2 nm की सीमा में होता है जिसे अंतर्विरोधित छिद्र के रूप में संदर्भित किया जा सकता है। विद्युत अपघट्य में विघटित आयन इन छोटे छिद्रों में प्रवेश करने में असमर्थ हैं, किन्तु अविघटित आयन जिन्होंने अपने आयन आयाम को कम कर दिया है, वे प्रवेश करने में सक्षम हैं। जिसके परिणामस्वरूप आयनिक परत घनत्व और आवेश भंडार में वृद्धि होती है। नैनो-संरचित कार्बन विद्युदग्र में छिद्रों के अनुरूप आकार आयन को अधिकतम कर सकते हैं। फैराडिक द्वारा विशिष्ट धारिता बढ़ा सकते हैं {{chem|H|2}} अवशोषण उपचार। विद्युत अपघट्य घोल से विघटित आयनों द्वारा इन छिद्रों का अधिकार (फैराडिक) मध्यनिवेश के अनुसार होता है।<ref name="Pandolfo">A.G. Pandolfo,  A.F. Hollenkamp, [http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/artigos/Carbon_in_supercapacitors.pdf Carbon properties and their role in supercapacitors] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20140102195807/http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/artigos/Carbon_in_supercapacitors.pdf |date=2014-01-02 }}, Journal of Power Sources 157 (2006) 11–27</ref><ref name="Bakhmatyuk">B.P. Bakhmatyuk, B.Ya. Venhryn, I.I. Grygorchak, M.M. Micov and S.I. Mudry, [http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_21407/bakhmatyuk.pdf INTERCALATION PSEUDO-CAPACITANCE IN CARBON SYSTEMS OF ENERGY STORAGE]</ref><ref name="Simon-Burke">P. Simon, A. Burke, [http://www.electrochem.org/dl/interface/spr/spr08/spr08_p38-43.pdf Nanostructured carbons: Double-Layer capacitance and more] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20181214215608/https://www.electrochem.org/dl/interface/spr/spr08/spr08_p38-43.pdf |date=2018-12-14 }}</ref>
+छद्म धारिता विद्युदग्र संरचना से उत्पन्न हो सकता है, विशेष रूप से सामग्री आकार से देखना। विद्युदग्र के रूप में [[कार्बाइड-व्युत्पन्न कार्बन]] (CDC) या [[कार्बन नैनोट्यूब|कार्बन अतिसूक्ष्म परिनालिका]] (CNT) का उपयोग अतिसूक्ष्म परिनालिका द्वारा गठित छोटे छिद्रों का मंडली प्रदान करता है। इन [[नैनोपोरस]] सामग्रियों का व्यास <2 nm की सीमा में होता है जिसे अंतर्विरोधित छिद्र के रूप में संदर्भित किया जा सकता है। विद्युत अपघट्य में विघटित आयन इन छोटे छिद्रों में प्रवेश करने में असमर्थ हैं, किन्तु अविघटित आयन जिन्होंने अपने आयन आयाम को कम कर दिया है, वे प्रवेश करने में सक्षम हैं। जिसके परिणामस्वरूप आयनिक परत घनत्व और आवेश भंडार में वृद्धि होती है। नैनो-संरचित कार्बन विद्युदग्र में छिद्रों के अनुरूप आकार आयन को अधिकतम कर सकते हैं। फैराडिक द्वारा विशिष्ट धारिता बढ़ा सकते हैं {{chem|H|2}} अवशोषण उपचार। विद्युत अपघट्य घोल से विघटित आयनों द्वारा इन छिद्रों का अधिकार (फैराडिक) मध्यनिवेश के अनुसार होता है।<ref name="Pandolfo">A.G. Pandolfo,  A.F. Hollenkamp, [http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/artigos/Carbon_in_supercapacitors.pdf Carbon properties and their role in supercapacitors] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20140102195807/http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/artigos/Carbon_in_supercapacitors.pdf |date=2014-01-02 }}, Journal of Power Sources 157 (2006) 11–27</ref><ref name="Bakhmatyuk">B.P. Bakhmatyuk, B.Ya. Venhryn, I.I. Grygorchak, M.M. Micov and S.I. Mudry, [http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_21407/bakhmatyuk.pdf INTERCALATION PSEUDO-CAPACITANCE IN CARBON SYSTEMS OF ENERGY STORAGE]</ref><ref name="Simon-Burke">P. Simon, A. Burke, [http://www.electrochem.org/dl/interface/spr/spr08/spr08_p38-43.pdf Nanostructured carbons: Double-Layer capacitance and more] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20181214215608/https://www.electrochem.org/dl/interface/spr/spr08/spr08_p38-43.pdf |date=2018-12-14 }}</ref>
+=== सत्यापन ===
+[[File:Voltagram-Engl.png|thumb|right|चक्रीय वोल्टमोग्राम स्थिर संधारित्र और छद्म संधारित्र के बीच वर्तमान घटता के मूलभूत अंतर को दर्शाता है]]छद्म धारिता गुणों को [[चक्रीय वोल्टामीटर]] में व्यक्त किया जा सकता है। आदर्श द्विपरत संधारित्र के लिए विद्युदग्र क्षमता से स्वतंत्र धारा के साथ आयताकार आकार के वोल्टमोग्राम की संभावित प्रस्तुतीकरण को उलटने पर धारा प्रवाह तुरंत उलट जाता है। प्रतिरोधी क्षति वाले द्विपरत संधारित्र के लिए आकार समानांतर [[चतुर्भुज]] में बदल जाता है। फैराडिक विद्युदग्र में संधारित्र में संग्रहीत विद्युत आवेश दृढ़ता से क्षमता पर निर्भर होता है, इसलिए संभावित को उलटते समय विलंब के कारण वोल्टामेट्री विशेषताएँ समांतर चतुर्भुज से विचलित हो जाती हैं। अंततः गतिज आवेशिंत प्रक्रियाओं से आती हैं।<ref name="Frackowiak1">Elzbieta Frackowiak, Francois Beguin, PERGAMON, Carbon 39 (2001) 937–950, [http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622300001834 Carbon materials for the electrochemical storage of energy in Capacitors]</ref><ref>[http://electronics.stackexchange.com/questions/36546/why-does-an-ideal-capacitor-give-rise-to-a-rectangular-cyclic-voltammogram-cv Why does an ideal capacitor give rise to a rectangular cyclic voltammogram]</ref>
-=== सत्यापन ===
-[[File:Voltagram-Engl.png|thumb|right|चक्रीय वोल्टमोग्राम स्थिर संधारित्र और छद्म संधारित्र के बीच वर्तमान घटता के मूलभूत अंतर को दर्शाता है]]छद्म समाई गुणों को [[चक्रीय वोल्टामीटर]] में व्यक्त किया जा सकता है। आदर्श द्विपरत संधारित्र के लिए विद्युदग्र क्षमता से स्वतंत्र धारा के साथ आयताकार आकार के वोल्टमोग्राम की संभावित प्रस्तुतीकरण को उलटने पर धारा प्रवाह तुरंत उलट जाता है। प्रतिरोधी क्षति वाले द्विपरत संधारित्र के लिए आकार समानांतर [[चतुर्भुज]] में बदल जाता है। फैराडिक विद्युदग्र में संधारित्र में संग्रहीत विद्युत आवेश दृढ़ता से क्षमता पर निर्भर होता है, इसलिए संभावित को उलटते समय विलंब के कारण वोल्टामेट्री विशेषताएँ समांतर चतुर्भुज से विचलित हो जाती हैं। अंततः गतिज आवेशिंत प्रक्रियाओं से आती हैं।<ref name="Frackowiak1">Elzbieta Frackowiak, Francois Beguin, PERGAMON, Carbon 39 (2001) 937–950, [http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622300001834 Carbon materials for the electrochemical storage of energy in Capacitors]</ref><ref>[http://electronics.stackexchange.com/questions/36546/why-does-an-ideal-capacitor-give-rise-to-a-rectangular-cyclic-voltammogram-cv Why does an ideal capacitor give rise to a rectangular cyclic voltammogram]</ref>
 == अनुप्रयोग ==
-अतिसंधारित्र में छद्म समाई महत्वपूर्ण संपत्ति है।
+अतिसंधारित्र में छद्म धारिता महत्वपूर्ण संपत्ति है।
 == साहित्य ==
-<!--alphabetische Sortierung nach dem Nachnamen des ersten Autors-->
-* {{citation|surname1=Héctor D. Abruña|surname2=Yasuyuki Kiya|surname3=Jay C. Henderson|periodical=[[Physics Today]]|title=Batteries and electrochemical capacitors |issue=12|pages=43–47|date=  2008|url=https://ecee.colorado.edu/~ecen4555/SourceMaterial/ElectricalEnerStor1208.pdf}}
+* {{citation|surname1=हेक्टर डी. अब्रुना|surname2=यसुयुकि किया|surname3=जे सी हेंडरसन|periodical=[[भौतिकी आज]]|title=बैटरी और इलेक्ट्रोकेमिकल कैपेसिटर |issue=12|pages=43–47|date=  2008|url=https://ecee.colorado.edu/~ecen4555/SourceMaterial/ElectricalEnerStor1208.pdf}}
-* {{cite book|first1=Francois |last1=Béguin|first2=E. |last2=Raymundo-Piñero |first3=Elzbieta |last3=Frackowiak|title=विद्युत रासायनिक ऊर्जा भंडारण और रूपांतरण प्रणालियों के लिए कार्बन|chapter-url={{google books |plainurl=y |id=BNj1dDMAquIC}}|date=18 November 2009|publisher=CRC Press|isbn=978-1-4200-5540-5 |chapter=8 Electrical Double-Layer Capacitors and Pseudocapacitors|pp=329–375 |doi=10.1201/9781420055405-c8}}
+* {{cite book|first1=फ्रंकोइस |last1=बेगुइन|first2=E. |last2=रेमुंडो-पिनेरो |first3=एलिज़ाबेथ |last3=फ्राक ओविआक|title=विद्युत रासायनिक ऊर्जा भंडारण और रूपांतरण प्रणालियों के लिए कार्बन|chapter-url={{google books |plainurl=y |id=BNj1dDMAquIC}}|date=18 नवंबर 2009|publisher=सीआरसी प्रेस|isbn=978-1-4200-5540-5 |chapter=8 इलेक्ट्रिकल डबल-लेयर कैपेसिटर और स्यूडोकैपेसिटर|pp=329–375 |doi=10.1201/9781420055405-c8}}
-* {{cite journal|first1=Klaus |last1=Müller|first2=J. O'M. |last2=Bockris |first3=M. A. V. |last3=Devanathan|title=आवेशित इंटरफेस की संरचना पर|journal=Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences|url={{google books |plainurl=y |id=Yd67SgAACAAJ |page=55}}|year=1965|volume=274|issue=1356|pages=55–79|doi=10.1098/rspa.1963.0114 }}
+* {{cite journal|first1=क्लॉस |last1=मुलर|first2=J. O'M. |last2=बॉक्रिस |first3=M. A. V. |last3=देवनाथन|title=आवेशित इंटरफेस की संरचना पर|journal=रॉयल सोसाइटी ऑफ लंदन की कार्यवाही। श्रृंखला ए, गणितीय और भौतिक विज्ञान|url={{google पुस्तकें |plainurl=y |id=Yd67SgAACAAJ |page=55}}|year=1965|volume=274|issue=1356|pages=55–79|doi=10.1098/rspa.1963.0114 }}
-* {{citation|surname1=B. E. Conway|title=Electrochemical Supercapacitors: Scientific Fundamentals and Technological Applications |publisher=Springer|location=Berlin|isbn=978-0306457364|date=  1999|language=de|url={{Google books|8yvzlr9TqI0C|page=1|plainurl=yes}}}}
+* {{citation|surname1=बी ई कोनवे|title=इलेक्ट्रोकेमिकल सुपरकैपेसिटर: वैज्ञानिक बुनियादी सिद्धांत और तकनीकी अनुप्रयोग |publisher=कोंपल|location=बर्लिन|isbn=978-0306457364|date=  1999|language=डी|url={{Google पुस्तकें|8yvzlr9TqI0C|पृष्ठ=1|plainurl=yes}}}}
-* {{Cite journal|title = समग्र सुपरकैपेसिटर इलेक्ट्रोड|journal = Journal of Solid State Electrochemistry |date = December 2003|issn = 1432-8488|pages = 15–16|volume = 8|issue = 1|doi = 10.1007/s10008-003-0412-x |first = K. W.|last = Leitner|first2 = M.|last2 = Winter|first3 = J. O.|last3 = Besenhard}}
+* {{Cite journal|title = समग्र सुपरकैपेसिटर इलेक्ट्रोड|journal = जर्नल ऑफ सॉलिड स्टेट इलेक्ट्रोकैमिस्ट्री |date = दिसंबर 2003|issn = 1432-8488|pages = 15–16|volume = 8|issue = 1|doi = 10.1007/s10008-003-0412-x |first = K. W.|last = लिटनर|first2 = M.|last2 = विंटर|first3 = J. O.|last3 = बेसनहार्ड}}
-* {{cite journal|last1=Yu M. |first1=Volfkovich |first2=T. M. |last2=Serdyuk |title=विद्युत रासायनिक संधारित्र|journal=Russian Journal of Electrochemistry |date=September 2002 |volume =38 |issue =9 |pages=935–959 |doi=10.1023/A:1020220425954|issn= 1608-3342 }}
+* {{cite journal|last1=Yu M. |first1=वोल्फकोविच |first2=T. M. |last2=सर्ड्यूक |title=विद्युत रासायनिक संधारित्र|journal=रूसी जर्नल ऑफ इलेक्ट्रोकैमिस्ट्री |date=सितंबर 2002 |volume =38 |issue =9 |pages=935–959 |doi=10.1023/A:1020220425954|issn= 1608-3342 }}
-* {{cite book|editor1=Jiujun Zhang|editor2=Lei Zhang|editor3=Hansan Liu|editor4=Andy Sun|editor5=Ru-Shi Liu |title=ऊर्जा भंडारण और रूपांतरण के लिए इलेक्ट्रोकेमिकल टेक्नोलॉजीज, बैंड 1|publisher=Wiley-VCH |location=Weinheim |pages=317–376|isbn=978-3-527-32869-7|date=  2011 |author1=Aiping Yu |author2=Aaron Davies |author3=Zhongwei Chen |chapter-url={{Google books|AN3B3L5RtqUC |page=317 |plainurl=yes}}|chapter=8 - Electrochemical Supercapacitors}}
+* {{cite book|editor1=Jiujun Zhang|editor2=Lei Zhang|editor3=Hansan Liu|editor4=Andy Sun|editor5=Ru-Shi Liu |title=ऊर्जा भंडारण और रूपांतरण के लिए इलेक्ट्रोकेमिकल टेक्नोलॉजीज, बैंड 1|publisher=Wiley-VCH |location=Weinheim |pages=317–376|isbn=978-3-527-32869-7|date=  2011 |author1=Aiping Yu |author2=हारून डेविस |author3=Zhongwei Chen |chapter-url={{Google books|AN3B3L5RtqUC |page=317 |plainurl=yes}}|chapter=8 - इलेक्ट्रोकेमिकल सुपरकैपेसिटर}}
 == संदर्भ ==
 {{reflist|2}}
-[[Category: संधारित्र]]
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