वाहित्र जीवनकाल: Difference between revisions

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अर्धचालक भौतिकी में, वाहित्र जीवनकाल को औसत समय के रूप में परिभाषित किया जाता है जो एक अल्पसंख्यक वाहित्र को पुनः संयोजित करने के लिए संदर्भित किया जाता है। जिस प्रक्रिया के माध्यम से यह किया जाता है उसे सामान्यतः अल्पसंख्यक वाहित्र पुनर्संयोजन के रूप में जाना जाता है।

पुनर्संयोजन के कारण जारी ऊर्जा या तो तापीय हो सकती है, जिससे अर्धचालक को गर्म किया जा सकता है, या फोटॉन जिसे ऑप्टिकल पुनर्संयोजन, प्रकाश उत्सर्जक डायोड और अर्धचालक लेजर में उपयोग किया जाता है। अर्धचालक की पदार्थ और निर्माण के आधार पर वाहित्र का जीवनकाल महत्वपूर्ण रूप से भिन्न हो सकता है

द्विधुवी ट्रांजिस्टर और सौर सेलों में वाहित्र जीवनकाल एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।

अप्रत्यक्ष बैंड अंतराल अर्द्धचालकों में, वाहित्र जीवनकाल दृढ़ता से पुनर्संयोजन केंद्रों की एकाग्रता पर निर्भर करता है। सोने के परमाणु अत्यधिक कुशल पुनर्संयोजन केंद्रों के रूप में कार्य करते हैं, कुछ उच्च स्विचिंग गति डायोड और ट्रांजिस्टर के लिए सिलिकॉन इसलिए सोने की एक छोटी मात्रा के साथ मिश्रित होता है। कई अन्य परमाणु, जैसे लोहा या निकल, समान प्रभाव उत्सर्जित करते हैं।^[1]

सिंहावलोकन

व्यावहारिक अनुप्रयोगों में, अर्धचालक की विद्युतीय बैंड संरचना सामान्यतः एक गैर-संतुलन अवस्था में पाई जाती है। इसलिए, प्रक्रियाएं जो तापीय संतुलन की ओर बढ़ती हैं, अर्थात् वाहित्र पुनर्संयोजन के तंत्र, सदैव एक ही भूमिका निभाते हैं।

इसके अतिरिक्त, उपकरणों में उपयोग किए जाने वाले अर्धचालक न्यून आंतरिक अर्धचालक होते हैं। प्रायः, एक अपमिश्रक का उपयोग बैंड संरचना के भीतर इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों की अधिकता प्रदान करने के लिए किया जाता है। यह बहुसंख्यक वाहित्र और अल्पसंख्यक वाहित्र का परिचय देता है। इसके परिणामस्वरूप, वाहित्र जीवनकाल कई अर्धचालक उपकरणों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है जिनमें अपमिश्रक उपलब्ध होते हैं।

पुनर्संयोजन तंत्र

ऐसे कई तंत्र हैं जिनके द्वारा अल्पसंख्यक वाहित्र पुनर्संयोजन कर सकते हैं, जिनमें से प्रत्येक वाहित्र जीवनकाल से घटाया जाता है। आधुनिक उपकरणों में भूमिका निभाने वाले मुख्य तंत्र बैंड-टू-बैंड पुनर्संयोजन और प्रेरित उत्सर्जन हैं, जो विकिरण पुनर्संयोजन के रूप हैं, और शॉक्ले-रीड-हॉल, ऑगर, लैंगविन और सतह पुनर्संयोजन, जो गैर-विकिरण पुनर्संयोजन के भिन्न-भिन्न रूप हैं।

प्रणालियों के आधार पर, कुछ तंत्र दूसरों की तुलना में अधिक भूमिका निभा सकते हैं।^[2] उदाहरण के लिए, सतह पुनर्संयोजन, सौर सेलों में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जहां अधिकांश प्रयास गैर-विकिरण पुनर्संयोजन को कम करने के लिए निष्क्रिय सतहों में चला जाता है।^[3] इसके विपरीत, लैंगविन पुनर्संयोजन जैविक सौर सेलों में प्रमुख भूमिका निभाता है, जहां अर्धचालकों की विशेषता, कम गतिशीलता होती है।^[4] इन प्रणालियों में, वाहित्र जीवनकाल को अधिकतम करना उपकरण की दक्षता को अधिकतम करने का पर्याय है।^[5]

अनुप्रयोग

सौर सेल

सौर सेल एक विद्युत उपकरण है जिसमें एक अर्धचालक प्रकाश के संपर्क में आता है जो प्रकाशविभव प्रभाव के माध्यम से विद्युत में परिवर्तित हो जाता है। इलेक्ट्रॉन या तो प्रकाश के अवशोषण के माध्यम से उत्तेजित होते हैं, या यदि पदार्थ की बैंड-अंतराल ऊर्जा को भरा जा सकता है तों इलेक्ट्रॉन-छिद्र युग्म निर्मित किए जाते हैं। साथ ही, एक विभव क्षमता उत्पन्न होती है। सौर सेल के भीतर आवेश वाहित्र उक्त क्षमता को नष्ट करने के लिए अर्द्धचालकों के माध्यम से चालित होते हैं, जो कि बहाव बल है जो इलेक्ट्रॉनों को स्थानांतरित करता है। इसके अतिरिक्त, इलेक्ट्रॉनों को उच्च सांद्रता से इलेक्ट्रॉनों की कम सांद्रता में प्रसार द्वारा स्थानांतरित करने के लिए विवश किया जा सकता है।

सौर सेल की दक्षता को अधिकतम करने के लिए, सौर सेल के विद्युदग्र पर यथासंभव अधिक से अधिक आवेश वाहित्र एकत्र करना वांछनीय है। इस प्रकार, इलेक्ट्रॉनों के पुनर्संयोजन से बचा जाना चाहिए। यह वाहित्र जीवनकाल में वृद्धि के अनुरूप है। सौर सेल के शीर्ष पर सतह का पुनर्संयोजन होता है, जिससे पदार्थ की परतों का होना सुदृढ़ हो जाता है, जिसमें सतह निष्क्रियता के गुण होते हैं जिससे यह लंबे समय तक प्रकाश के संपर्क में आने से प्रभावित न हों।^[6] इसके अतिरिक्त, इलेक्ट्रॉनों की प्रग्रहण संभावना को कम करने के लिए विभिन्न अर्द्धचालक सामग्रियों को बिछाने की एक ही विधि का उपयोग किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रैप-सहायता वाले पुनर्संयोजन में कमी आती है, और वाहित्र जीवनकाल में वृद्धि होती है। विकरणशील पुनर्संयोजन उन सौर सेलों में नगण्य है जिनमें अप्रत्यक्ष बैंड अंतराल संरचना के साथ अर्धचालक पदार्थ होतें है। ऑगर पुनर्संयोजन सौर सेलों के लिए एक सीमित कारक के रूप में होता है जब अतिरिक्त इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता कम अपमिश्रण दरों पर बड़ी हो जाती है। अन्यथा, अपमिश्रण पर निर्भर एसआरएच पुनर्संयोजन प्राथमिक तंत्रों में से एक है जो सौर सेलों में इलेक्ट्रॉनों के वाहित्र जीवनकाल को कम करता है।^[7]

द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर

एक द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आवेश वाहित्र के रूप में इलेक्ट्रॉनों और इलेक्ट्रॉन छिद्रों का उपयोग करने में सक्षम होता है। द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर अपने परिपथ में पदार्थ के एकल स्फटिक का उपयोग करता है जो दो प्रकार के अर्द्धचालक, एक n-प्रकार और p-प्रकार में विभाजित होता है। ये दो प्रकार के अपमिश्रण अर्धचालक क्रमशः तीन अलग-अलग क्षेत्रों में फैले हुए हैं: उत्सर्जक क्षेत्र, आधार क्षेत्र और संग्राहक क्षेत्र। उत्सर्जक क्षेत्र और संग्राहक क्षेत्र मात्रात्मक रूप से उपमिश्रित किए गए हैं, परंतु एक ही प्रकार के अपमिश्रण हैं और एक आधार क्षेत्र साझा करते हैं, यही कारण है कि प्रणाली एक दूसरे के साथ श्रृंखला में जुड़े दो डायोड से भिन्न है। पीएनपी-ट्रांजिस्टर के लिए, ये क्षेत्र क्रमशः पी-प्रकार, एन-प्रकार और पी-प्रकार हैं, और एनपीएन-ट्रांजिस्टर के लिए, ये क्षेत्र क्रमशः एन-प्रकार, पी-प्रकार और एन-प्रकार हैं।

प्रतीकात्मक अग्र अभिनति अभिक्रिया में एनपीएन-ट्रांजिस्टर के लिए, उत्सर्जक से आधार क्षेत्र में पहले जंक्शन के माध्यम से आवेश वाहित्रों का एक अंतःक्षेप दिया जाता है, इलेक्ट्रॉन आवेश वाहित्र होते हैं जो संग्राहक क्षेत्र की दिशा, आधार क्षेत्र के माध्यम से भिन्न रूप से ले जाए जाते हैं। ये आधार क्षेत्र के अल्पसंख्यक वाहित्र हैं। समान रूप से, पीएनपी-ट्रांजिस्टर के लिए, इलेक्ट्रॉनिक छिद्र आधार क्षेत्र के अल्पसंख्यक वाहित्र हैं।

इन अल्पसंख्यक वाहित्रों का वाहित्र जीवनकाल आधार क्षेत्र में अल्पसंख्यक वाहित्रों के आवेश प्रवाह में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो दो जंक्शनों के मध्य पाया जाता है। द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर के संचालन के विधियों के आधार पर, पुनर्संयोजन को या तो प्राथमिकता दी जाती है, या आधार क्षेत्र में इससे बचा जाता है।

विशेष रूप से, अभिक्रियाओ के पूर्वोक्त अग्र-सक्रिय विधि के लिए, पुनर्संयोजन उपयुक्त नहीं है। इस प्रकार, इन पुनर्संयोजन से पहले आधार क्षेत्र से एकत्रित क्षेत्र में जितना संभव हो उतने अल्पसंख्यक वाहित्र प्राप्त करने के लिए, आधार क्षेत्र की चौड़ाई इतनी छोटी होनी चाहिए कि अल्पसंख्यक वाहित्र अर्द्धचालक की तुलना में कम समय में विस्तारित हों सकें। समतुल्य रूप से, आधार क्षेत्र की चौड़ाई प्रसार लंबाई से कम होनी चाहिए, यह वह औसत लंबाई है जो आवेश वाहित्र, पुनर्संयोजन से पहले यात्रा करता है। इसके अतिरिक्त, पुनर्संयोजन की उच्च दर को प्रतिबंधित करने के लिए, उत्सर्जक और संग्राहक क्षेत्र के संबंध में आधार को केवल हल्के ढंग से उपमिश्रित किया जाता है। इसके परिणामस्वरूप, आवेश वाहित्रों के पास आधार क्षेत्र में रहने की उच्च संभावना नहीं होती है, जो निम्न-ऊर्जा अवस्था में पुनर्संयोजन करते समय उनके व्यवसाय का पसंदीदा क्षेत्र होता है।

अभिक्रिया के अन्य विधियों जैसे कि तीव्रता से परिवर्तन के लिए, एक उच्च पुनर्संयोजन दर वांछनीय है। उचित वाहित्र जीवनकाल को सुविधाजनक बनाने के लिए अभिक्रिया के वांछित विधि, और अपमिश्रित आधार क्षेत्र के संबद्ध गुणों पर विचार किया जाना चाहिए। वर्तमान स्तिथियों में, सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड अधिकांश द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर में प्रयुक्त पदार्थ हैं।^[8] आधार क्षेत्र में जिन पुनर्संयोजन तंत्रों पर विचार किया जाना चाहिए, वे आधार-उत्सर्जक जंक्शन के निकट सतह पुनर्संयोजन हैं, साथ ही आधार क्षेत्र में एसआरएच - और ऑगर पुनर्संयोजन हैं। विशेष रूप से, ऑगर पुनर्संयोजन तब बढ़ता है जब अंतःक्षेपित आवेश वाहित्र की मात्रा बढ़ती है, इसलिए बढ़ती अंतःक्षेपण संख्या के साथ धारा लाभ की दक्षता कम हो जाती है।

अर्द्धचालक लेजर

अर्धचालक लेज़रों में, वाहित्र जीवनकाल वह समय होता है जब लेज़र गुहिका में गैर-विकिरण प्रक्रियाओं के माध्यम से पुनर्संयोजन से पहले एक इलेक्ट्रॉन संग्रहित होता है। लेजर डायोड दर समीकरणो के गठन में, वाहित्र जीवनकाल का उपयोग आवेश संरक्षण समीकरण में वाहित्रों के घातीय क्षय के समय स्थिर के रूप में किया जाता है।

वाहित्र घनत्व पर वाहित्र जीवनकाल की निर्भरता इस प्रकार व्यक्त की जाती है:^[9]

{\frac {1}{\tau _{n}(N)}}=A+BN+CN^{2}

जहां A, B और C गैर-विकिरणकारी, विकिरण और ऑगर पुनर्संयोजन गुणांक हैं और $\tau _{n}(N)$ वाहित्र जीवनकाल है।

मापन

चूंकि अर्द्धचालक उपकरणों की दक्षता सामान्यतः उसके वाहित्र जीवनकाल पर निर्भर करती है, इसलिए इस मात्रा को मापने में सक्षम होना महत्वपूर्ण है। जिस विधि से यह किया जाता है वह उपकरण पर निर्भर करता है, परंतु यह सामान्यतः विद्युत प्रवाह और विभव को मापने पर भी निर्भर होता है।

सौर सेलों में, वाहित्र जीवनकाल की गणना सेल की सतह को प्रज्ज्वलित करके की जा सकती है, जो वाहित्र पीढ़ी को प्रेरित करती है और विभव को तब तक बढ़ाती है जब तक कि यह एक संतुलन तक नहीं पहुंच जाती है, और बाद में प्रकाश स्रोत को बंद कर देती है। यह विभव को लगातार क्षय करने का कारण बनता है। जिस दर पर विभव का क्षय होता है, वह अल्पसंख्यक वाहित्रों की मात्रा से निर्धारित होता है, जो प्रति इकाई समय में पुनर्संयोजित होता है, जिसमें उच्च मात्रा में पुनर्संयोजित वाहित्र होते हैं, जिसके परिणामस्वरूप यह तेजी से क्षय होता है। इसके उपरांत, एक कम वाहित्र जीवनकाल के परिणामस्वरूप विभव का क्षय तीव्रता से होगा। इसका अर्थ है कि एक सौर सेल के वाहित्र जीवनकाल की गणना उसके विभव क्षय दर का अध्ययन करके की जा सकती है।^[10] यह वाहित्र जीवनकाल सामान्यतः इस प्रकार व्यक्त किया जाता है:^[11]

\tau =-{\frac {k_{B}T}{q}}\left({\frac {dV_{oc}}{dt}}\right)^{-1}

जहाँ $k_{B}$ बोल्ट्ज़मैन स्थिरांक है, q प्राथमिक आवेश है, T तापमान है, और ${\frac {dV_{oc}}{dt}}$ खुले परिपथ विभव का समय व्युत्पन्न है।

द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर में, वाहित्र जीवनकाल का निर्धारण करना अधिक जटिल है। अर्थात्, निर्गत चालन और विपरीत अंतराचालकता को मापा जाना चाहिए, ये दोनों चर हैं जो द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के माध्यम से विभव और धारा के प्रवाह पर निर्भर करते हैं, और अल्पसंख्यक वाहित्र पारगमन समय की गणना करते हैं, जो अर्धचालक की चौड़ाई से निर्धारित होता है। द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का तटस्थ आधार, और प्रसार गुणांक; एक स्थिरांक है जो द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर के भीतर परमाणु प्रवासन की मात्रा निर्धारित करता है।^[12] यह वाहित्र जीवनकाल इस प्रकार व्यक्त किया गया है:^[13]

\tau _{BF}=-{\frac {W_{B}^{2}}{2D_{n}}}\cdot {\frac {G_{o}}{G_{r}}}

जहाँ $G_{o},G_{r},W_{B}$ और $D_{n}$ क्रमशः निर्गत चालन, विपरीत अंतराचालकता, क्यूएनबी की चौड़ाई और प्रसार गुणांक हैं।

धारा शोध

क्योंकि एक लंबा वाहित्र जीवनकाल प्रायः अधिक कुशल उपकरण का पर्याय बन जाता है, शोध उन प्रक्रियाओं को कम करने पर ध्यान केंद्रित करता है जो अल्पसंख्यक वाहित्रों के पुनर्संयोजन में योगदान करते हैं। व्यवहार में, यह सामान्यतः अर्धचालकों के भीतर संरचनात्मक दोषों को कम करने, या नए विधियों को प्रस्तुत करने का अर्थ है जो समान पुनर्संयोजन तंत्र से ग्रस्त नहीं हैं।

स्फटिकीय सिलिकॉन सौर सेलों में, जो विशेष रूप से साधारण हैं, एक महत्वपूर्ण सीमित कारक सेल क सापेक्ष होने वाली संरचनात्मक क्षति है जब पारदर्शी संवाहित्र आवरण स्थापित होता है। यह प्रतिक्रियाशील प्लाज्मा जमाव के साथ किया जाता है, जो स्पटर जमाव का एक रूप है। इस आवरण को लगाने की प्रक्रिया में, सिलिकॉन परत पर दोष दिखाई देते हैं, जो वाहित्र जीवनकाल का अपक्षीणन करते हैं।^[14] इस प्रक्रिया के समय होने वाली क्षति की मात्रा को कम करना सौर सेल की दक्षता बढ़ाने और धारा शोध का ध्यान केंद्रित करने के लिए महत्वपूर्ण है।^[15]

पेरोव्स्काइट सौर सेल जैसी अन्य कम उपयोग वाली तकनीकों के निकट अत्यधिक शोधकार्य उपलब्ध है। यह सौर सेल इसकी तुलनात्मक रूप से सस्ती और सरल निर्माण प्रक्रिया के कारण उपयुक्त है। आधुनिक प्रगति से पता चलता है कि इस सौर सेल के वाहित्र जीवनकाल में सुधार के लिए अभी भी पर्याप्त जगह है, इसके आसपास के अधिकांश विषय निर्माण-संबंधी हैं।^[16]

सौर सेलों के अतिरिक्त, एलईडी, लेजर और ट्रांजिस्टर के निर्माण के लिए पेरोवियन का उपयोग किया जा सकता है। इसके परिणामस्वरूप, आधुनिक अनुसंधान में सीसा और हैलायड पेरोव्स्काइट विशेष रुचि रखते हैं। वर्तमान समस्याओं में संरचनात्मक दोष सम्मिलित हैं जो तब प्रकट होते हैं जब अर्धचालक उपकरणों को पदार्थ के साथ निर्मित किया जाता है, क्योंकि स्फटिक से जुड़ा अव्यवस्था घनत्व उनके वाहित्र जीवनकाल के लिए हानिकारक है।^[17]

संदर्भ

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बाहरी संबंध

Carrier Lifetime

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[14] Kohei, Onishi; Yutaka, Hara; Tappei, Nishihara; Hiroki, Kanai; Takefumi, Kamioka; Yoshio, Ohshita; Atsushi, Ogura (2020). "सौर सेल निर्माण प्रक्रिया द्वारा सिलिकॉन सब्सट्रेट पर प्लाज्मा प्रेरित दोषों का मूल्यांकन". Japanese Journal of Applied Physics. IOP Publishing. 59 (7): 071003. Bibcode:2020JaJAP..59g1003O. doi:10.35848/1347-4065/ab984d.

[15] Linss, Volker; Bivour, Martin; Iwata, Hiroshi; Ortner, Kai (2019). "बहुत पतली ए-सी पैसिवेशन फिल्मों के अनुप्रयोग को सक्षम करने के लिए कम क्षति स्पटर डिपोजिशन तकनीकों की तुलना". AIP Conference Proceedings. 15th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-15). 2147 (1): 040009. Bibcode:2019AIPC.2147d0009L. doi:10.1063/1.5123836.

[16] Mesquita, Isabel; Andrade, Luísa; Mendes, Adélio (2018). "Perovskite solar cells: Materials, configurations and stability". Renewable and Sustainable Energy Reviews. 82: 2471–2489. doi:10.1016/j.rser.2017.09.011. ISSN 1364-0321.

[17] Jiang, J.; Sun, X.; Chen, X.; et al. (2019). "रिमोट एपिटॉक्सी के माध्यम से हलाइड पेरोसाइट में कैरियर लाइफटाइम एन्हांसमेंट". Nat Commun. 10 (1): 4145. Bibcode:2019NatCo..10.4145J. doi:10.1038/s41467-019-12056-1. PMC 6742762. PMID 31515482.

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 {{Short description|Semiconductor physics terminology}}
-{{Use American English|date = April 2019}}
-{{More citations needed|date=March 2008}}
-[[अर्धचालक भौतिकी]] में एक परिभाषा, कैरियर लाइफटाइम को औसत समय के रूप में परिभाषित किया जाता है जो एक [[अल्पसंख्यक वाहक]] के लिए कैरियर पीढ़ी और पुनर्संयोजन के लिए लेता है। जिस प्रक्रिया के माध्यम से यह किया जाता है उसे आमतौर पर अल्पसंख्यक वाहक पुनर्संयोजन के रूप में जाना जाता है।
+[[अर्धचालक भौतिकी]] में, वाहित्र जीवनकाल को औसत समय के रूप में परिभाषित किया जाता है जो एक [[अल्पसंख्यक वाहक|अल्पसंख्यक वाहित्र]] को पुनः संयोजित करने के लिए संदर्भित किया जाता है। जिस प्रक्रिया के माध्यम से यह किया जाता है उसे सामान्यतः अल्पसंख्यक वाहित्र पुनर्संयोजन के रूप में जाना जाता है।
-वाहक उत्पादन और पुनर्संयोजन के कारण जारी ऊर्जा या तो थर्मल हो सकती है, जिससे [[अर्धचालक]] ("थर्मल पुनर्संयोजन" या [[गैर-विकिरण पुनर्संयोजन]], अर्धचालकों में अपशिष्ट गर्मी के स्रोतों में से एक) को गर्म किया जा सकता है, या फोटॉन ('') के रूप में जारी किया जा सकता है। ऑप्टिकल पुनर्संयोजन '', [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] और [[ अर्धचालक लेजर ]] में प्रयोग किया जाता है)। अर्धचालक की सामग्री और निर्माण के आधार पर वाहक का जीवनकाल महत्वपूर्ण रूप से भिन्न हो सकता है।
+पुनर्संयोजन के कारण जारी ऊर्जा या तो तापीय हो सकती है, जिससे [[अर्धचालक]] को गर्म किया जा सकता है, या फोटॉन जिसे ऑप्टिकल पुनर्संयोजन, [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] और [[ अर्धचालक लेजर |अर्धचालक लेजर]] में उपयोग किया जाता है। अर्धचालक की पदार्थ और निर्माण के आधार पर वाहित्र का जीवनकाल महत्वपूर्ण रूप से भिन्न हो सकता है
-[[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर]] और सौर कोशिकाओं में वाहक जीवनकाल एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
+[[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|द्विधुवी ट्रांजिस्टर]] और सौर सेलों में वाहित्र जीवनकाल एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
-[[अप्रत्यक्ष बैंड गैप]] सेमीकंडक्टर्स में, वाहक जीवनकाल दृढ़ता से पुनर्संयोजन केंद्रों की एकाग्रता पर निर्भर करता है। सोने के परमाणु अत्यधिक कुशल पुनर्संयोजन केंद्रों के रूप में कार्य करते हैं, कुछ उच्च स्विचिंग स्पीड डायोड और ट्रांजिस्टर के लिए सिलिकॉन इसलिए सोने की एक छोटी मात्रा के साथ मिश्रित होता है। कई अन्य परमाणु, उदा। लोहा या निकल, समान प्रभाव डालते हैं।<ref>Alan Hastings - The Art of Analog Layout, 2nd ed (2005, {{ISBN|0131464108}})</ref>
+[[अप्रत्यक्ष बैंड गैप|अप्रत्यक्ष बैंड अंतराल]] अर्द्धचालकों में, वाहित्र जीवनकाल दृढ़ता से पुनर्संयोजन केंद्रों की एकाग्रता पर निर्भर करता है। सोने के परमाणु अत्यधिक कुशल पुनर्संयोजन केंद्रों के रूप में कार्य करते हैं, कुछ उच्च स्विचिंग गति डायोड और ट्रांजिस्टर के लिए सिलिकॉन इसलिए सोने की एक छोटी मात्रा के साथ मिश्रित होता है। कई अन्य परमाणु, जैसे लोहा या निकल, समान प्रभाव उत्सर्जित करते हैं।<ref>Alan Hastings - The Art of Analog Layout, 2nd ed (2005, {{ISBN|0131464108}})</ref>
 == सिंहावलोकन ==
-{{See also|Electronic band structure}}
+{{See also|विद्युतीय बैंड संरचना}}
-व्यावहारिक अनुप्रयोगों में, अर्धचालक की [[इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना]] आमतौर पर एक गैर-संतुलन अवस्था में पाई जाती है। इसलिए, प्रक्रियाएं जो थर्मल संतुलन की ओर बढ़ती हैं, अर्थात् वाहक पुनर्संयोजन के तंत्र, हमेशा एक भूमिका निभाते हैं।
+व्यावहारिक अनुप्रयोगों में, अर्धचालक की [[इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना|विद्युतीय बैंड संरचना]] सामान्यतः एक गैर-संतुलन अवस्था में पाई जाती है। इसलिए, प्रक्रियाएं जो तापीय संतुलन की ओर बढ़ती हैं, अर्थात् वाहित्र पुनर्संयोजन के तंत्र, सदैव एक ही भूमिका निभाते हैं।
-इसके अतिरिक्त, उपकरणों में उपयोग किए जाने वाले अर्धचालक बहुत कम [[आंतरिक अर्धचालक]] होते हैं। अक्सर, एक डोपेंट का उपयोग किया जाता है, जो बैंड संरचना के भीतर इलेक्ट्रॉनों (तथाकथित एन-टाइप डोपिंग में) या [[इलेक्ट्रॉन छेद]] (तथाकथित पी-टाइप डोपिंग में) देता है। यह बहुसंख्यक वाहक और अल्पसंख्यक वाहक का परिचय देता है। इसके परिणामस्वरूप, वाहक जीवनकाल कई अर्धचालक उपकरणों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है जिनमें डोपेंट होते हैं।
+इसके अतिरिक्त, उपकरणों में उपयोग किए जाने वाले अर्धचालक न्यून [[आंतरिक अर्धचालक]] होते हैं। प्रायः, एक अपमिश्रक का उपयोग बैंड संरचना के भीतर इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों की अधिकता प्रदान करने के लिए किया जाता है। यह बहुसंख्यक वाहित्र और अल्पसंख्यक वाहित्र का परिचय देता है। इसके परिणामस्वरूप, वाहित्र जीवनकाल कई अर्धचालक उपकरणों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है जिनमें अपमिश्रक उपलब्ध होते हैं।
 == पुनर्संयोजन तंत्र ==
-{{See also|Carrier generation and recombination}}
+{{See also|वाहक उत्पादन और पुनर्संयोजन}}
-ऐसे कई तंत्र हैं जिनके द्वारा अल्पसंख्यक वाहक पुनर्संयोजन कर सकते हैं, जिनमें से प्रत्येक वाहक जीवनकाल से घटाया जाता है। आधुनिक उपकरणों में भूमिका निभाने वाले मुख्य तंत्र बैंड-टू-बैंड पुनर्संयोजन और उत्तेजित उत्सर्जन हैं, जो विकिरण पुनर्संयोजन के रूप हैं, और शॉक्ले-रीड-हॉल (SRH), ऑगर, लैंगविन और सतह पुनर्संयोजन, जो कि के रूप हैं गैर-विकिरण पुनर्संयोजन।
+ऐसे कई तंत्र हैं जिनके द्वारा अल्पसंख्यक वाहित्र पुनर्संयोजन कर सकते हैं, जिनमें से प्रत्येक वाहित्र जीवनकाल से घटाया जाता है। आधुनिक उपकरणों में भूमिका निभाने वाले मुख्य तंत्र बैंड-टू-बैंड पुनर्संयोजन और प्रेरित उत्सर्जन हैं, जो विकिरण पुनर्संयोजन के रूप हैं, और शॉक्ले-रीड-हॉल, ऑगर, लैंगविन और सतह पुनर्संयोजन, जो गैर-विकिरण पुनर्संयोजन के भिन्न-भिन्न रूप हैं।
-सिस्टम के आधार पर, कुछ तंत्र दूसरों की तुलना में अधिक भूमिका निभा सकते हैं।<ref>{{cite book |editor-last =  Kalegirou |editor-first = Soteris A. |last1 = Cuevas |first1 = Andrés |last2 = Macdonald |first2 = Daniel |last3 = Sinton |first3 = Ronald A. |year = 2018 |title = मैकएवॉय की फोटोवोल्टिक्स की हैंडबुक|chapter-url = https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/B978012809921600032X |chapter = 3 |pages = 1119–1154 |doi = 10.1016/B978-0-12-809921-6.00032-X |isbn = 978-0-12-809921-6 |publisher = Academic Press|edition = Third }}</ref> उदाहरण के लिए, सतह पुनर्संयोजन सौर कोशिकाओं में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जहां अधिकांश प्रयास गैर-विकिरण पुनर्संयोजन को कम करने के लिए निष्क्रिय सतहों में चला जाता है।<ref>{{cite journal |last1 = Li |first1 = Zhen |display-authors = etal |year = 2020 |title = कुशल इनडोर फोटोवोल्टिक के लिए वाइड-बैंडगैप पेरोसाइट पर न्यूनतम सतह की कमी|url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S221128552030954X |journal = Nano Energy |volume = 78 |pages = 105377 |doi = 10.1016/j.nanoen.2020.105377 |s2cid = 224951355 |issn = 2211-2855|doi-access = free }}</ref> इसके विपरीत, लैंगविन पुनर्संयोजन जैविक सौर कोशिकाओं में एक प्रमुख भूमिका निभाता है, जहां अर्धचालकों को कम गतिशीलता की विशेषता होती है।<ref>{{cite journal |last1 = Liu |first1 = Yiming | last2 = Zojen |first2 = Karin | last3 = Lassen |first3 = Benny | last4 = Kjelstrup-Hansen |first4 = Jakob | last5 = Rubahn |first5 = Horst-Günter |last6 = Madsen |first6 = Morten |year = 2015 |title = Role of the Charge-Transfer State in Reduced Langevin Recombination in Organic Solar Cells: A Theoretical Study |url= |journal = The Journal of Physical Chemistry C |volume = 119 |issue = 47 |pages = 26588–26597 |doi = 10.1021/acs.jpcc.5b08936 |pmid = 26640611|pmc = 4665083 }}</ref> इन प्रणालियों में, वाहक जीवनकाल को अधिकतम करना उपकरण की दक्षता को अधिकतम करने का पर्याय है।<ref>{{cite book |editor1-last = Dixon |editor1-first = A.E. |editor2-last = Leslie |editor2-first = J.D. |last1 = Thomas |first1 = R.E. |year = 1979 |title = सौर ऊर्जा रूपांतरण|chapter = 25 |chapter-url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/B9780080247441500309 |doi = 10.1016/B978-0-08-024744-1.50030-9 |publisher = Pergamon |pages = 805–830 |isbn = 978-0-08-024744-1}}</ref>
+प्रणालियों के आधार पर, कुछ तंत्र दूसरों की तुलना में अधिक भूमिका निभा सकते हैं।<ref>{{cite book |editor-last =  Kalegirou |editor-first = Soteris A. |last1 = Cuevas |first1 = Andrés |last2 = Macdonald |first2 = Daniel |last3 = Sinton |first3 = Ronald A. |year = 2018 |title = मैकएवॉय की फोटोवोल्टिक्स की हैंडबुक|chapter-url = https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/B978012809921600032X |chapter = 3 |pages = 1119–1154 |doi = 10.1016/B978-0-12-809921-6.00032-X |isbn = 978-0-12-809921-6 |publisher = Academic Press|edition = Third }}</ref> उदाहरण के लिए, सतह पुनर्संयोजन, सौर सेलों में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जहां अधिकांश प्रयास गैर-विकिरण पुनर्संयोजन को कम करने के लिए निष्क्रिय सतहों में चला जाता है।<ref>{{cite journal |last1 = Li |first1 = Zhen |display-authors = etal |year = 2020 |title = कुशल इनडोर फोटोवोल्टिक के लिए वाइड-बैंडगैप पेरोसाइट पर न्यूनतम सतह की कमी|url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S221128552030954X |journal = Nano Energy |volume = 78 |pages = 105377 |doi = 10.1016/j.nanoen.2020.105377 |s2cid = 224951355 |issn = 2211-2855|doi-access = free }}</ref> इसके विपरीत, लैंगविन पुनर्संयोजन जैविक सौर सेलों में प्रमुख भूमिका निभाता है, जहां अर्धचालकों की विशेषता, कम गतिशीलता होती है।<ref>{{cite journal |last1 = Liu |first1 = Yiming | last2 = Zojen |first2 = Karin | last3 = Lassen |first3 = Benny | last4 = Kjelstrup-Hansen |first4 = Jakob | last5 = Rubahn |first5 = Horst-Günter |last6 = Madsen |first6 = Morten |year = 2015 |title = Role of the Charge-Transfer State in Reduced Langevin Recombination in Organic Solar Cells: A Theoretical Study |url= |journal = The Journal of Physical Chemistry C |volume = 119 |issue = 47 |pages = 26588–26597 |doi = 10.1021/acs.jpcc.5b08936 |pmid = 26640611|pmc = 4665083 }}</ref> इन प्रणालियों में, वाहित्र जीवनकाल को अधिकतम करना उपकरण की दक्षता को अधिकतम करने का पर्याय है।<ref>{{cite book |editor1-last = Dixon |editor1-first = A.E. |editor2-last = Leslie |editor2-first = J.D. |last1 = Thomas |first1 = R.E. |year = 1979 |title = सौर ऊर्जा रूपांतरण|chapter = 25 |chapter-url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/B9780080247441500309 |doi = 10.1016/B978-0-08-024744-1.50030-9 |publisher = Pergamon |pages = 805–830 |isbn = 978-0-08-024744-1}}</ref>
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 === सौर सेल ===
-एक सौर सेल एक विद्युत उपकरण है जिसमें एक अर्धचालक प्रकाश के संपर्क में आता है जो [[फोटोवोल्टिक प्रभाव]] के माध्यम से बिजली में परिवर्तित हो जाता है। इलेक्ट्रॉन या तो प्रकाश के अवशोषण के माध्यम से उत्तेजित होते हैं, या यदि सामग्री की बैंड-गैप ऊर्जा को पाटा जा सकता है, वाहक पीढ़ी और पुनर्संयोजन|इलेक्ट्रॉन-होल जोड़े बनाए जाते हैं। साथ ही, एक वोल्टेज क्षमता पैदा होती है। सौर सेल के भीतर आवेश वाहक उक्त क्षमता को रद्द करने के लिए सेमीकंडक्टर के माध्यम से चलते हैं, जो कि बहाव बल है जो इलेक्ट्रॉनों को स्थानांतरित करता है। इसके अलावा, इलेक्ट्रॉनों को उच्च सांद्रता से इलेक्ट्रॉनों की कम सांद्रता में प्रसार द्वारा स्थानांतरित करने के लिए मजबूर किया जा सकता है।
+सौर सेल एक विद्युत उपकरण है जिसमें एक अर्धचालक प्रकाश के संपर्क में आता है जो [[फोटोवोल्टिक प्रभाव|प्रकाशविभव प्रभाव]] के माध्यम से विद्युत में परिवर्तित हो जाता है। इलेक्ट्रॉन या तो प्रकाश के अवशोषण के माध्यम से उत्तेजित होते हैं, या यदि पदार्थ की बैंड-अंतराल ऊर्जा को भरा जा सकता है तों इलेक्ट्रॉन-छिद्र युग्म निर्मित किए जाते हैं। साथ ही, एक विभव क्षमता उत्पन्न होती है। सौर सेल के भीतर आवेश वाहित्र उक्त क्षमता को नष्ट करने के लिए अर्द्धचालकों के माध्यम से चालित होते हैं, जो कि बहाव बल है जो इलेक्ट्रॉनों को स्थानांतरित करता है। इसके अतिरिक्त, इलेक्ट्रॉनों को उच्च सांद्रता से इलेक्ट्रॉनों की कम सांद्रता में प्रसार द्वारा स्थानांतरित करने के लिए विवश किया जा सकता है।
-सौर सेल की दक्षता को अधिकतम करने के लिए, सौर सेल के इलेक्ट्रोड पर यथासंभव अधिक से अधिक चार्ज वाहक एकत्र करना वांछनीय है। इस प्रकार, इलेक्ट्रॉनों के पुनर्संयोजन (दक्षता को प्रभावित करने वाले अन्य कारकों के बीच) से बचा जाना चाहिए। यह वाहक जीवनकाल में वृद्धि के अनुरूप है। सौर सेल के शीर्ष पर सतह का पुनर्संयोजन होता है, जिससे सामग्री की परतों का होना बेहतर हो जाता है, जिसमें सतह निष्क्रियता (रसायन विज्ञान) के गुण होते हैं ताकि लंबे समय तक प्रकाश के संपर्क में आने से प्रभावित न हों।<ref>{{cite journal |last1 = Li |first1 = Zhen |display-authors = etal |year = 2020 |title = कुशल इनडोर फोटोवोल्टिक के लिए वाइड-बैंडगैप पेरोसाइट पर न्यूनतम सतह की कमी|url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S221128552030954X |journal = Nano Energy |volume = 78 |pages = 105377 |doi = 10.1016/j.nanoen.2020.105377 |s2cid = 224951355 |issn = 2211-2855|doi-access = free }}</ref> इसके अतिरिक्त, इलेक्ट्रॉनों की कैप्चर संभावना को कम करने के लिए विभिन्न सेमीकंडक्टर सामग्रियों को बिछाने की एक ही विधि का उपयोग किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रैप-सहायता वाले SRH पुनर्संयोजन में कमी आती है, और वाहक जीवनकाल में वृद्धि होती है। रेडिएटिव (बैंड-टू-बैंड) पुनर्संयोजन उन सौर कोशिकाओं में नगण्य है जिनमें अप्रत्यक्ष बैंडगैप संरचना के साथ अर्धचालक सामग्री होती है। बरमा पुनर्संयोजन सौर कोशिकाओं के लिए एक सीमित कारक के रूप में होता है जब अतिरिक्त इलेक्ट्रॉनों की एकाग्रता कम डोपिंग दरों पर बड़ी हो जाती है। अन्यथा, डोपिंग पर निर्भर SRH पुनर्संयोजन प्राथमिक तंत्रों में से एक है जो सौर कोशिकाओं में इलेक्ट्रॉनों के वाहक जीवनकाल को कम करता है।<ref>{{cite journal |last1 = Vossier |first1 = Alexis |last2 = Hirsch|first2 = Baruch | last3 = M. Gordon |first3 = Jeffrey |year = 2010 |title = Is Auger recombination the ultimate performance limiter in concentrator solar cells?|journal = Applied Physics Letters  |volume = 97 |issue = 19 |page = 193509 |doi = 10.1063/1.3510474|bibcode = 2010ApPhL..97s3509V }}</ref>
+सौर सेल की दक्षता को अधिकतम करने के लिए, सौर सेल के विद्युदग्र पर यथासंभव अधिक से अधिक आवेश वाहित्र एकत्र करना वांछनीय है। इस प्रकार, इलेक्ट्रॉनों के पुनर्संयोजन से बचा जाना चाहिए। यह वाहित्र जीवनकाल में वृद्धि के अनुरूप है। सौर सेल के शीर्ष पर सतह का पुनर्संयोजन होता है, जिससे पदार्थ की परतों का होना सुदृढ़ हो जाता है, जिसमें सतह निष्क्रियता के गुण होते हैं जिससे यह लंबे समय तक प्रकाश के संपर्क में आने से प्रभावित न हों।<ref>{{cite journal |last1 = Li |first1 = Zhen |display-authors = etal |year = 2020 |title = कुशल इनडोर फोटोवोल्टिक के लिए वाइड-बैंडगैप पेरोसाइट पर न्यूनतम सतह की कमी|url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S221128552030954X |journal = Nano Energy |volume = 78 |pages = 105377 |doi = 10.1016/j.nanoen.2020.105377 |s2cid = 224951355 |issn = 2211-2855|doi-access = free }}</ref> इसके अतिरिक्त, इलेक्ट्रॉनों की प्रग्रहण संभावना को कम करने के लिए विभिन्न अर्द्धचालक सामग्रियों को बिछाने की एक ही विधि का उपयोग किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रैप-सहायता वाले पुनर्संयोजन में कमी आती है, और वाहित्र जीवनकाल में वृद्धि होती है। विकरणशील पुनर्संयोजन उन सौर सेलों में नगण्य है जिनमें अप्रत्यक्ष बैंड अंतराल संरचना के साथ अर्धचालक पदार्थ होतें है। ऑगर पुनर्संयोजन सौर सेलों के लिए एक सीमित कारक के रूप में होता है जब अतिरिक्त इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता कम अपमिश्रण दरों पर बड़ी हो जाती है। अन्यथा, अपमिश्रण पर निर्भर एसआरएच पुनर्संयोजन प्राथमिक तंत्रों में से एक है जो सौर सेलों में इलेक्ट्रॉनों के वाहित्र जीवनकाल को कम करता है।<ref>{{cite journal |last1 = Vossier |first1 = Alexis |last2 = Hirsch|first2 = Baruch | last3 = M. Gordon |first3 = Jeffrey |year = 2010 |title = Is Auger recombination the ultimate performance limiter in concentrator solar cells?|journal = Applied Physics Letters  |volume = 97 |issue = 19 |page = 193509 |doi = 10.1063/1.3510474|bibcode = 2010ApPhL..97s3509V }}</ref>
-=== बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर ===
+=== द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर ===
-एक द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो चार्ज वाहक के रूप में इलेक्ट्रॉनों और इलेक्ट्रॉन छिद्रों का उपयोग करने में सक्षम होता है। BJT अपने सर्किट में सामग्री के एकल क्रिस्टल का उपयोग करता है जो दो प्रकार के सेमीकंडक्टर, एक n-टाइप और p-टाइप में विभाजित होता है। ये दो प्रकार के [[डोपिंग (सेमीकंडक्टर)]] अर्धचालक क्रमशः तीन अलग-अलग क्षेत्रों में फैले हुए हैं: उत्सर्जक क्षेत्र, आधार क्षेत्र और संग्राहक क्षेत्र। एमिटर क्षेत्र और कलेक्टर क्षेत्र मात्रात्मक रूप से डोप किए गए हैं, लेकिन एक ही प्रकार के डोपिंग हैं और एक आधार क्षेत्र साझा करते हैं, यही कारण है कि सिस्टम एक दूसरे के साथ श्रृंखला में जुड़े दो डायोड से अलग है। पीएनपी-ट्रांजिस्टर के लिए, ये क्षेत्र क्रमशः पी-टाइप, एन-टाइप और पी-टाइप हैं, और एनपीएन-ट्रांजिस्टर के लिए, ये क्षेत्र क्रमशः एन-टाइप, पी-टाइप और एन-टाइप हैं।
+एक द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आवेश वाहित्र के रूप में इलेक्ट्रॉनों और इलेक्ट्रॉन छिद्रों का उपयोग करने में सक्षम होता है। द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर अपने परिपथ में पदार्थ के एकल स्फटिक का उपयोग करता है जो दो प्रकार के अर्द्धचालक, एक n-प्रकार और p-प्रकार में विभाजित होता है। ये दो प्रकार के [[डोपिंग (सेमीकंडक्टर)|अपमिश्रण]] अर्धचालक क्रमशः तीन अलग-अलग क्षेत्रों में फैले हुए हैं: उत्सर्जक क्षेत्र, आधार क्षेत्र और संग्राहक क्षेत्र। उत्सर्जक क्षेत्र और संग्राहक क्षेत्र मात्रात्मक रूप से उपमिश्रित किए गए हैं, परंतु एक ही प्रकार के अपमिश्रण हैं और एक आधार क्षेत्र साझा करते हैं, यही कारण है कि प्रणाली एक दूसरे के साथ श्रृंखला में जुड़े दो डायोड से भिन्न है। पीएनपी-ट्रांजिस्टर के लिए, ये क्षेत्र क्रमशः पी-प्रकार, एन-प्रकार और पी-प्रकार हैं, और एनपीएन-ट्रांजिस्टर के लिए, ये क्षेत्र क्रमशः एन-प्रकार, पी-प्रकार और एन-प्रकार हैं।
-ठेठ [[अग्र अभिनति]] में एनपीएन-ट्रांजिस्टरों के लिए। फॉरवर्ड-एक्टिव ऑपरेशन, एमिटर से बेस क्षेत्र में पहले जंक्शन के माध्यम से चार्ज वाहकों का एक इंजेक्शन दिया जाता है, इलेक्ट्रॉन चार्ज वाहक होते हैं जो कलेक्टर क्षेत्र की ओर बेस क्षेत्र के माध्यम से विसारक रूप से ले जाया जाता है। ये आधार क्षेत्र के अल्पसंख्यक वाहक हैं। समान रूप से, पीएनपी-ट्रांजिस्टर के लिए, इलेक्ट्रॉनिक छिद्र आधार क्षेत्र के अल्पसंख्यक वाहक हैं।
+प्रतीकात्मक [[अग्र अभिनति]] अभिक्रिया में एनपीएन-ट्रांजिस्टर के लिए, उत्सर्जक से आधार क्षेत्र में पहले जंक्शन के माध्यम से आवेश वाहित्रों का एक अंतःक्षेप दिया जाता है, इलेक्ट्रॉन आवेश वाहित्र होते हैं जो संग्राहक क्षेत्र की दिशा, आधार क्षेत्र के माध्यम से भिन्न रूप से ले जाए जाते हैं। ये आधार क्षेत्र के अल्पसंख्यक वाहित्र हैं। समान रूप से, पीएनपी-ट्रांजिस्टर के लिए, इलेक्ट्रॉनिक छिद्र आधार क्षेत्र के अल्पसंख्यक वाहित्र हैं।
-इन अल्पसंख्यक वाहकों का वाहक जीवनकाल आधार क्षेत्र में अल्पसंख्यक वाहकों के आवेश प्रवाह में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो दो जंक्शनों के बीच पाया जाता है। BJT के संचालन के तरीके के आधार पर, पुनर्संयोजन को या तो प्राथमिकता दी जाती है, या आधार क्षेत्र में इससे बचा जाता है।
+इन अल्पसंख्यक वाहित्रों का वाहित्र जीवनकाल आधार क्षेत्र में अल्पसंख्यक वाहित्रों के आवेश प्रवाह में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो दो जंक्शनों के मध्य पाया जाता है। द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर के संचालन के विधियों के आधार पर, पुनर्संयोजन को या तो प्राथमिकता दी जाती है, या आधार क्षेत्र में इससे बचा जाता है।
-विशेष रूप से, ऑपरेशन के पूर्वोक्त अग्र-सक्रिय मोड के लिए, पुनर्संयोजन बेहतर नहीं है। इस प्रकार, इन पुनर्संयोजन से पहले आधार क्षेत्र से एकत्रित क्षेत्र में जितना संभव हो उतने अल्पसंख्यक वाहक प्राप्त करने के लिए, आधार क्षेत्र की चौड़ाई इतनी छोटी होनी चाहिए कि अल्पसंख्यक वाहक सेमीकंडक्टर की तुलना में कम समय में फैल सकें। अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल। समतुल्य रूप से, आधार क्षेत्र की चौड़ाई प्रसार लंबाई से कम होनी चाहिए, जो औसत लंबाई है जो चार्ज वाहक पुनर्संयोजन से पहले यात्रा करता है। इसके अतिरिक्त, पुनर्संयोजन की उच्च दर को रोकने के लिए, उत्सर्जक और संग्राहक क्षेत्र के संबंध में आधार को केवल हल्के ढंग से डोप किया जाता है। इसके परिणामस्वरूप, आवेश वाहकों के पास आधार क्षेत्र में रहने की उच्च संभावना नहीं होती है, जो निम्न-ऊर्जा अवस्था में पुनर्संयोजन करते समय उनके व्यवसाय का पसंदीदा क्षेत्र होता है।
+विशेष रूप से, अभिक्रियाओ के पूर्वोक्त अग्र-सक्रिय विधि के लिए, पुनर्संयोजन उपयुक्त नहीं है। इस प्रकार, इन पुनर्संयोजन से पहले आधार क्षेत्र से एकत्रित क्षेत्र में जितना संभव हो उतने अल्पसंख्यक वाहित्र प्राप्त करने के लिए, आधार क्षेत्र की चौड़ाई इतनी छोटी होनी चाहिए कि अल्पसंख्यक वाहित्र अर्द्धचालक की तुलना में कम समय में विस्तारित हों सकें। समतुल्य रूप से, आधार क्षेत्र की चौड़ाई प्रसार लंबाई से कम होनी चाहिए, यह वह औसत लंबाई है जो आवेश वाहित्र, पुनर्संयोजन से पहले यात्रा करता है। इसके अतिरिक्त, पुनर्संयोजन की उच्च दर को प्रतिबंधित करने के लिए, उत्सर्जक और संग्राहक क्षेत्र के संबंध में आधार को केवल हल्के ढंग से उपमिश्रित किया जाता है। इसके परिणामस्वरूप, आवेश वाहित्रों के पास आधार क्षेत्र में रहने की उच्च संभावना नहीं होती है, जो निम्न-ऊर्जा अवस्था में पुनर्संयोजन करते समय उनके व्यवसाय का पसंदीदा क्षेत्र होता है।
-ऑपरेशन के अन्य तरीकों के लिए, जैसे कि तेजी से स्विचिंग, एक उच्च पुनर्संयोजन दर (और इस प्रकार एक छोटा वाहक जीवनकाल) वांछनीय है। उचित वाहक जीवनकाल को सुविधाजनक बनाने के लिए ऑपरेशन के वांछित मोड, और डॉप्ड बेस क्षेत्र के संबद्ध गुणों पर विचार किया जाना चाहिए। वर्तमान में, सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड अधिकांश बीजेटी में प्रयुक्त सामग्री हैं।<ref>Hyung-Seok Lee - High Power Bipolar Junction Transistors in Silicon Carbide, (2005)</ref> आधार क्षेत्र में जिन पुनर्संयोजन तंत्रों पर विचार किया जाना चाहिए, वे आधार-एमिटर जंक्शन के पास सतह पुनर्संयोजन हैं, साथ ही आधार क्षेत्र में SRH- और बरमा पुनर्संयोजन हैं। विशेष रूप से, ऑगर पुनर्संयोजन तब बढ़ता है जब इंजेक्शन चार्ज वाहक की मात्रा बढ़ती है, इसलिए बढ़ती इंजेक्शन संख्या के साथ वर्तमान लाभ की दक्षता कम हो जाती है।
+अभिक्रिया के अन्य विधियों जैसे कि तीव्रता से परिवर्तन के लिए, एक उच्च पुनर्संयोजन दर वांछनीय है। उचित वाहित्र जीवनकाल को सुविधाजनक बनाने के लिए अभिक्रिया के वांछित विधि, और अपमिश्रित आधार क्षेत्र के संबद्ध गुणों पर विचार किया जाना चाहिए। वर्तमान स्तिथियों में, सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड अधिकांश द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर में प्रयुक्त पदार्थ हैं।<ref>Hyung-Seok Lee - High Power Bipolar Junction Transistors in Silicon Carbide, (2005)</ref> आधार क्षेत्र में जिन पुनर्संयोजन तंत्रों पर विचार किया जाना चाहिए, वे आधार-उत्सर्जक जंक्शन के निकट सतह पुनर्संयोजन हैं, साथ ही आधार क्षेत्र में एसआरएच - और ऑगर पुनर्संयोजन हैं। विशेष रूप से, ऑगर पुनर्संयोजन तब बढ़ता है जब अंतःक्षेपित आवेश वाहित्र की मात्रा बढ़ती है, इसलिए बढ़ती अंतःक्षेपण संख्या के साथ धारा लाभ की दक्षता कम हो जाती है।
-=== सेमीकंडक्टर लेजर ===
+=== अर्द्धचालक लेजर ===
-अर्धचालक लेज़रों में, वाहक जीवनकाल वह समय होता है जब लेज़र कैविटी में गैर-विकिरण प्रक्रियाओं के माध्यम से पुनर्संयोजन से पहले एक इलेक्ट्रॉन लेता है। [[लेजर डायोड दर समीकरण]]ों के फ्रेम में, वाहक जीवनकाल का उपयोग चार्ज संरक्षण समीकरण में वाहकों के घातीय क्षय के समय स्थिर के रूप में किया जाता है।
+अर्धचालक लेज़रों में, वाहित्र जीवनकाल वह समय होता है जब लेज़र गुहिका में गैर-विकिरण प्रक्रियाओं के माध्यम से पुनर्संयोजन से पहले एक इलेक्ट्रॉन संग्रहित होता है। [[लेजर डायोड दर समीकरण|लेजर डायोड दर समीकरणो]] के गठन में, वाहित्र जीवनकाल का उपयोग आवेश संरक्षण समीकरण में वाहित्रों के घातीय क्षय के समय स्थिर के रूप में किया जाता है।
-वाहक घनत्व पर वाहक जीवनकाल की निर्भरता इस प्रकार व्यक्त की जाती है:<ref>L.A. Coldren and S.W. Corzine, "Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits", Wiley Interscience, 1995</ref>
+वाहित्र घनत्व पर वाहित्र जीवनकाल की निर्भरता इस प्रकार व्यक्त की जाती है:<ref>L.A. Coldren and S.W. Corzine, "Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits", Wiley Interscience, 1995</ref>
 :<math>\frac{1}{\tau_n(N)}= A + BN + CN^2</math>
-जहां ए, बी और सी गैर-विकिरणकारी, विकिरण और बरमा पुनर्संयोजन गुणांक हैं और <math>\tau_n(N)</math> वाहक जीवनकाल है।
+जहां A, B और C गैर-विकिरणकारी, विकिरण और ऑगर पुनर्संयोजन गुणांक हैं और <math>\tau_n(N)</math> वाहित्र जीवनकाल है।
-== नाप ==
+== मापन ==
-चूंकि सेमीकंडक्टर डिवाइस की दक्षता आम तौर पर उसके वाहक जीवनकाल पर निर्भर करती है, इसलिए इस मात्रा को मापने में सक्षम होना महत्वपूर्ण है। जिस तरीके से यह किया जाता है वह डिवाइस पर निर्भर करता है, लेकिन आमतौर पर [[विद्युत प्रवाह]] और [[वोल्टेज]] को मापने पर निर्भर होता है।
+चूंकि अर्द्धचालक उपकरणों की दक्षता सामान्यतः उसके वाहित्र जीवनकाल पर निर्भर करती है, इसलिए इस मात्रा को मापने में सक्षम होना महत्वपूर्ण है। जिस विधि से यह किया जाता है वह उपकरण पर निर्भर करता है, परंतु यह सामान्यतः [[विद्युत प्रवाह]] और [[वोल्टेज|विभव]] को मापने पर भी निर्भर होता है।
-सौर कोशिकाओं में, वाहक जीवनकाल की गणना सेल की सतह को रोशन करके की जा सकती है, जो वाहक पीढ़ी को प्रेरित करती है और वोल्टेज को तब तक बढ़ाती है जब तक कि यह एक संतुलन तक नहीं पहुंच जाती है, और बाद में प्रकाश स्रोत को बंद कर देती है। यह वोल्टेज को लगातार दर से क्षय करने का कारण बनता है। जिस दर पर वोल्टेज का क्षय होता है, वह अल्पसंख्यक वाहकों की मात्रा से निर्धारित होता है, जो प्रति यूनिट समय में पुनर्संयोजित होता है, जिसमें उच्च मात्रा में पुनर्संयोजित वाहक होते हैं, जिसके परिणामस्वरूप तेजी से क्षय होता है। इसके बाद, एक कम वाहक जीवनकाल के परिणामस्वरूप वोल्टेज का तेजी से क्षय होगा। इसका अर्थ है कि एक सौर सेल के वाहक जीवनकाल की गणना उसके वोल्टेज क्षय दर का अध्ययन करके की जा सकती है।<ref>{{cite journal |last1 = Ranjan |first1 = Vikash | last2 = Solanki |first2 = Chetan | last3 = Lal |first3 = Rajesh |year = 2008 |title = अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल, सौर सेल का माप|url = https://www.researchgate.net/publication/251882750 |journal = 2008 2nd National Workshop on Advanced Optoelectronic Materials and Devices, AOMD 2008}}</ref> यह वाहक जीवनकाल आम तौर पर इस प्रकार व्यक्त किया जाता है:<ref>{{cite journal |last1 = Yan |first1 = Han |last2 = Tang |first2 = Yabing |last3 = Sui |first3 = Xinyu |last4 = Liu |first4 = Yucheng |last5 = Gao |first5 = Bowei |last6 = Liu |first6 = Xinfeng |last7 = Liu |first7 = Shenzhong Frank |last8 = Hou |first8 = Jianhui |last9 = Ma |first9 = Wei |year = 2019 |title = हेटेरोजंक्शन पर आणविक डोपिंग द्वारा कुशल एक्साइटन स्प्लिटिंग और लॉन्ग कैरियर लाइफटाइम के साथ पॉलिमर सौर कोशिकाओं की क्वांटम दक्षता बढ़ाना|url = https://doi.org/10.1021/acsenergylett.9b00843 |journal = ACS Energy Letters |volume = 4 |issue = 6 |pages = 1356–1363 |doi = 10.1021/acsenergylett.9b00843|s2cid = 182203240 }}</ref>
+सौर सेलों में, वाहित्र जीवनकाल की गणना सेल की सतह को प्रज्ज्वलित करके की जा सकती है, जो वाहित्र पीढ़ी को प्रेरित करती है और विभव को तब तक बढ़ाती है जब तक कि यह एक संतुलन तक नहीं पहुंच जाती है, और बाद में प्रकाश स्रोत को बंद कर देती है। यह विभव को लगातार क्षय करने का कारण बनता है। जिस दर पर विभव का क्षय होता है, वह अल्पसंख्यक वाहित्रों की मात्रा से निर्धारित होता है, जो प्रति इकाई समय में पुनर्संयोजित होता है, जिसमें उच्च मात्रा में पुनर्संयोजित वाहित्र होते हैं, जिसके परिणामस्वरूप यह तेजी से क्षय होता है। इसके उपरांत, एक कम वाहित्र जीवनकाल के परिणामस्वरूप विभव का क्षय तीव्रता से होगा। इसका अर्थ है कि एक सौर सेल के वाहित्र जीवनकाल की गणना उसके विभव क्षय दर का अध्ययन करके की जा सकती है।<ref>{{cite journal |last1 = Ranjan |first1 = Vikash | last2 = Solanki |first2 = Chetan | last3 = Lal |first3 = Rajesh |year = 2008 |title = अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल, सौर सेल का माप|url = https://www.researchgate.net/publication/251882750 |journal = 2008 2nd National Workshop on Advanced Optoelectronic Materials and Devices, AOMD 2008}}</ref> यह वाहित्र जीवनकाल सामान्यतः इस प्रकार व्यक्त किया जाता है:<ref>{{cite journal |last1 = Yan |first1 = Han |last2 = Tang |first2 = Yabing |last3 = Sui |first3 = Xinyu |last4 = Liu |first4 = Yucheng |last5 = Gao |first5 = Bowei |last6 = Liu |first6 = Xinfeng |last7 = Liu |first7 = Shenzhong Frank |last8 = Hou |first8 = Jianhui |last9 = Ma |first9 = Wei |year = 2019 |title = हेटेरोजंक्शन पर आणविक डोपिंग द्वारा कुशल एक्साइटन स्प्लिटिंग और लॉन्ग कैरियर लाइफटाइम के साथ पॉलिमर सौर कोशिकाओं की क्वांटम दक्षता बढ़ाना|url = https://doi.org/10.1021/acsenergylett.9b00843 |journal = ACS Energy Letters |volume = 4 |issue = 6 |pages = 1356–1363 |doi = 10.1021/acsenergylett.9b00843|s2cid = 182203240 }}</ref>
 :<math>\tau = -\frac{k_B T}{q}\left(\frac{dV_{oc}}{dt}\right)^{-1}</math>
-कहाँ <math>k_B</math> बोल्ट्ज़मैन स्थिरांक है, q प्राथमिक आवेश है, T तापमान है, और <math>\frac{dV_{oc}}{dt}</math> [[ ओपन सर्किट वोल्टेज ]] का [[समय व्युत्पन्न]] है।
+जहाँ <math>k_B</math> बोल्ट्ज़मैन स्थिरांक है, q प्राथमिक आवेश है, T तापमान है, और <math>\frac{dV_{oc}}{dt}</math> [[ ओपन सर्किट वोल्टेज | खुले परिपथ विभव]] का [[समय व्युत्पन्न]] है।
-द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (बीजेटी) में, वाहक जीवनकाल का निर्धारण करना अधिक जटिल है। अर्थात्, किसी को आउटपुट [[विद्युत प्रतिरोध और चालन]] और रिवर्स [[transconductance]] को मापना चाहिए, जो दोनों चर हैं जो बीजेटी के माध्यम से वोल्टेज और प्रवाह के प्रवाह पर निर्भर करते हैं, और अल्पसंख्यक वाहक पारगमन समय की गणना करते हैं, जो अर्ध की चौड़ाई से निर्धारित होता है बीजेटी का तटस्थ आधार (क्यूएनबी), और प्रसार गुणांक; एक स्थिरांक जो BJT के भीतर परमाणु प्रवासन की मात्रा निर्धारित करता है।<ref>{{cite book |editor1-last = Kasap |editor1-first = S. |editor2-last = Capper |editor2-first = P. |last1 = Shaw |first1 = D. |year = 2017 |title = इलेक्ट्रॉनिक और फोटोनिक सामग्री की स्प्रिंगर हैंडबुक|url =  https://doi.org/10.1007/978-3-319-48933-9_6 |doi = 10.1007/978-3-319-48933-9_6 |publisher = Springer, Cham |isbn = 978-3-319-48931-5}}</ref> यह वाहक जीवनकाल इस प्रकार व्यक्त किया गया है:<ref>{{cite journal |last1 = Birrittella |first1 = M.S. |last2 = Neugroschel |first2 = Arnost | last3 = Lindholm |first3 = Fredrik |year = 1979 |title = बेसविड्थ-मॉड्यूलेशन आचरण के मापन द्वारा जंक्शन ट्रांजिस्टर के अल्पसंख्यक-वाहक आधार जीवनकाल का निर्धारण|url = https://www.researchgate.net/publication/3071132 |journal = Electron Devices, IEEE Transactions on |volume = 26 |issue = 9 |pages = 1361–1363 |doi = 10.1109/T-ED.1979.19607|bibcode = 1979ITED...26.1361B |s2cid = 19349122 }}</ref>
+द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर में, वाहित्र जीवनकाल का निर्धारण करना अधिक जटिल है। अर्थात्, निर्गत [[विद्युत प्रतिरोध और चालन|चालन]] और [[transconductance|विपरीत अंतराचालकता]] को मापा जाना चाहिए, ये दोनों चर हैं जो द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के माध्यम से विभव और धारा के प्रवाह पर निर्भर करते हैं, और अल्पसंख्यक वाहित्र पारगमन समय की गणना करते हैं, जो अर्धचालक की चौड़ाई से निर्धारित होता है। द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का तटस्थ आधार, और प्रसार गुणांक; एक स्थिरांक है जो द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर के भीतर परमाणु प्रवासन की मात्रा निर्धारित करता है।<ref>{{cite book |editor1-last = Kasap |editor1-first = S. |editor2-last = Capper |editor2-first = P. |last1 = Shaw |first1 = D. |year = 2017 |title = इलेक्ट्रॉनिक और फोटोनिक सामग्री की स्प्रिंगर हैंडबुक|url =  https://doi.org/10.1007/978-3-319-48933-9_6 |doi = 10.1007/978-3-319-48933-9_6 |publisher = Springer, Cham |isbn = 978-3-319-48931-5}}</ref> यह वाहित्र जीवनकाल इस प्रकार व्यक्त किया गया है:<ref>{{cite journal |last1 = Birrittella |first1 = M.S. |last2 = Neugroschel |first2 = Arnost | last3 = Lindholm |first3 = Fredrik |year = 1979 |title = बेसविड्थ-मॉड्यूलेशन आचरण के मापन द्वारा जंक्शन ट्रांजिस्टर के अल्पसंख्यक-वाहक आधार जीवनकाल का निर्धारण|url = https://www.researchgate.net/publication/3071132 |journal = Electron Devices, IEEE Transactions on |volume = 26 |issue = 9 |pages = 1361–1363 |doi = 10.1109/T-ED.1979.19607|bibcode = 1979ITED...26.1361B |s2cid = 19349122 }}</ref>
 :<math>\tau_{BF} = -\frac{W_B^2}{2D_n}\cdot\frac{G_o}{G_r}</math>
-कहाँ <math>G_o, G_r, W_B</math> और <math>D_n</math> क्रमशः आउटपुट चालन, रिवर्स ट्रांसकंडक्टेंस, क्यूएनबी की चौड़ाई और प्रसार गुणांक हैं।
+जहाँ <math>G_o, G_r, W_B</math> और <math>D_n</math> क्रमशः निर्गत चालन, विपरीत अंतराचालकता, क्यूएनबी की चौड़ाई और प्रसार गुणांक हैं।
-== वर्तमान शोध ==
+== धारा शोध ==
-क्योंकि एक लंबा वाहक जीवनकाल अक्सर एक अधिक कुशल उपकरण का पर्याय बन जाता है, अनुसंधान अल्पसंख्यक वाहकों के पुनर्संयोजन में योगदान देने वाली प्रक्रियाओं को कम करने पर ध्यान केंद्रित करता है। व्यवहार में, यह आम तौर पर अर्धचालकों के भीतर संरचनात्मक दोषों को कम करने, या नए तरीकों को पेश करने का अर्थ है जो समान पुनर्संयोजन तंत्र से ग्रस्त नहीं हैं।
+क्योंकि एक लंबा वाहित्र जीवनकाल प्रायः अधिक कुशल उपकरण का पर्याय बन जाता है, शोध उन प्रक्रियाओं को कम करने पर ध्यान केंद्रित करता है जो अल्पसंख्यक वाहित्रों के पुनर्संयोजन में योगदान करते हैं। व्यवहार में, यह सामान्यतः अर्धचालकों के भीतर संरचनात्मक दोषों को कम करने, या नए विधियों को प्रस्तुत करने का अर्थ है जो समान पुनर्संयोजन तंत्र से ग्रस्त नहीं हैं।
+[[क्रिस्टलीय सिलिकॉन|स्फटिकीय सिलिकॉन]] सौर सेलों में, जो विशेष रूप से साधारण हैं, एक महत्वपूर्ण सीमित कारक सेल क सापेक्ष होने वाली संरचनात्मक क्षति है जब पारदर्शी संवाहित्र आवरण स्थापित होता है। यह प्रतिक्रियाशील प्लाज्मा जमाव के साथ किया जाता है, जो स्पटर जमाव का एक रूप है। इस आवरण को लगाने की प्रक्रिया में, सिलिकॉन परत पर दोष दिखाई देते हैं, जो वाहित्र जीवनकाल का अपक्षीणन करते हैं।<ref>{{cite journal |last1 = Kohei |first1 = Onishi |last2 = Yutaka |first2 = Hara |last3 = Tappei |first3 = Nishihara |last4 = Hiroki |first4 = Kanai |last5 = Takefumi |first5 = Kamioka |last6 = Yoshio |first6 = Ohshita |last7 = Atsushi |first7 = Ogura| year = 2020 |title = सौर सेल निर्माण प्रक्रिया द्वारा सिलिकॉन सब्सट्रेट पर प्लाज्मा प्रेरित दोषों का मूल्यांकन|journal = Japanese Journal of Applied Physics |volume = 59 |issue = 7 |pages = 071003 |publisher = IOP Publishing |doi = 10.35848/1347-4065/ab984d|bibcode = 2020JaJAP..59g1003O |doi-access = free }}</ref> इस प्रक्रिया के समय होने वाली क्षति की मात्रा को कम करना सौर सेल की दक्षता बढ़ाने और धारा शोध का ध्यान केंद्रित करने के लिए महत्वपूर्ण है।<ref>{{cite journal |last1 = Linss |first1 = Volker |last2 = Bivour |first2 = Martin |last3 = Iwata |first3 = Hiroshi |last4 = Ortner |first4 = Kai |year = 2019 |title = बहुत पतली ए-सी पैसिवेशन फिल्मों के अनुप्रयोग को सक्षम करने के लिए कम क्षति स्पटर डिपोजिशन तकनीकों की तुलना|journal = AIP Conference Proceedings |series = 15th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-15) |volume = 2147 |issue = 1 |pages = 040009 |doi = 10.1063/1.5123836|bibcode = 2019AIPC.2147d0009L |doi-access = free }}</ref>
+[[पेरोव्स्काइट सौर सेल]] जैसी अन्य कम उपयोग वाली तकनीकों के निकट अत्यधिक शोधकार्य उपलब्ध है। यह सौर सेल इसकी तुलनात्मक रूप से सस्ती और सरल निर्माण प्रक्रिया के कारण उपयुक्त है। आधुनिक प्रगति से पता चलता है कि इस सौर सेल के वाहित्र जीवनकाल में सुधार के लिए अभी भी पर्याप्त जगह है, इसके आसपास के अधिकांश विषय निर्माण-संबंधी हैं।<ref>{{cite journal |last1 = Mesquita |first1 = Isabel |last2 = Andrade |first2 = Luísa |last3 = Mendes |first3 = Adélio |year = 2018 |title = Perovskite solar cells: Materials, configurations and stability |url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1364032117312613 |journal = Renewable and Sustainable Energy Reviews |volume = 82 |pages = 2471–2489 |issn = 1364-0321 |doi = 10.1016/j.rser.2017.09.011}}</ref>
+सौर सेलों के अतिरिक्त, एलईडी, लेजर और ट्रांजिस्टर के निर्माण के लिए [[पेरोवियन]] का उपयोग किया जा सकता है। इसके परिणामस्वरूप, आधुनिक अनुसंधान में सीसा और [[halide|हैलायड]] पेरोव्स्काइट विशेष रुचि रखते हैं। वर्तमान समस्याओं में संरचनात्मक दोष सम्मिलित हैं जो तब प्रकट होते हैं जब अर्धचालक उपकरणों को पदार्थ के साथ निर्मित किया जाता है, क्योंकि [[क्रिस्टल|स्फटिक]] से जुड़ा अव्यवस्था घनत्व उनके वाहित्र जीवनकाल के लिए हानिकारक है।<ref>{{cite journal |last1 = Jiang |first1 = J. |last2 = Sun |first2 = X. |last3 = Chen |first3 = X. |display-authors = etal |year = 2019 |title = रिमोट एपिटॉक्सी के माध्यम से हलाइड पेरोसाइट में कैरियर लाइफटाइम एन्हांसमेंट|url= |journal = Nat Commun |volume = 10 |issue = 1 |page = 4145 |doi = 10.1038/s41467-019-12056-1|pmid = 31515482 |pmc = 6742762 |bibcode = 2019NatCo..10.4145J }}</ref>
-[[क्रिस्टलीय सिलिकॉन]] सौर कोशिकाओं में, जो विशेष रूप से आम हैं, एक महत्वपूर्ण सीमित कारक सेल को होने वाली संरचनात्मक क्षति है जब पारदर्शी संवाहक फिल्म लागू होती है। यह प्रतिक्रियाशील प्लाज्मा जमाव के साथ किया जाता है, स्पटर जमाव का एक रूप। इस फिल्म को लगाने की प्रक्रिया में, सिलिकॉन परत पर दोष दिखाई देते हैं, जो वाहक जीवनकाल को नीचा दिखाते हैं।<ref>{{cite journal |last1 = Kohei |first1 = Onishi |last2 = Yutaka |first2 = Hara |last3 = Tappei |first3 = Nishihara |last4 = Hiroki |first4 = Kanai |last5 = Takefumi |first5 = Kamioka |last6 = Yoshio |first6 = Ohshita |last7 = Atsushi |first7 = Ogura| year = 2020 |title = सौर सेल निर्माण प्रक्रिया द्वारा सिलिकॉन सब्सट्रेट पर प्लाज्मा प्रेरित दोषों का मूल्यांकन|journal = Japanese Journal of Applied Physics |volume = 59 |issue = 7 |pages = 071003 |publisher = IOP Publishing |doi = 10.35848/1347-4065/ab984d|bibcode = 2020JaJAP..59g1003O |doi-access = free }}</ref> इस प्रक्रिया के दौरान होने वाली क्षति की मात्रा को कम करना सौर सेल की दक्षता बढ़ाने और वर्तमान शोध का ध्यान केंद्रित करने के लिए महत्वपूर्ण है।<ref>{{cite journal |last1 = Linss |first1 = Volker |last2 = Bivour |first2 = Martin |last3 = Iwata |first3 = Hiroshi |last4 = Ortner |first4 = Kai |year = 2019 |title = बहुत पतली ए-सी पैसिवेशन फिल्मों के अनुप्रयोग को सक्षम करने के लिए कम क्षति स्पटर डिपोजिशन तकनीकों की तुलना|journal = AIP Conference Proceedings |series = 15th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-15) |volume = 2147 |issue = 1 |pages = 040009 |doi = 10.1063/1.5123836|bibcode = 2019AIPC.2147d0009L |doi-access = free }}</ref>
-अनुसंधान के अलावा जो वर्तमान में पसंदीदा तकनीकों को अनुकूलित करना चाहता है, [[पेरोव्स्काइट सौर सेल]] (PSC) जैसी अन्य, कम उपयोग वाली तकनीकों के आसपास बहुत अधिक शोध है। यह सौर सेल इसकी तुलनात्मक रूप से सस्ती और सरल निर्माण प्रक्रिया के कारण बेहतर है। आधुनिक प्रगति से पता चलता है कि इस सौर सेल के वाहक जीवनकाल में सुधार के लिए अभी भी पर्याप्त जगह है, इसके आसपास के अधिकांश मुद्दे निर्माण-संबंधी हैं।<ref>{{cite journal |last1 = Mesquita |first1 = Isabel |last2 = Andrade |first2 = Luísa |last3 = Mendes |first3 = Adélio |year = 2018 |title = Perovskite solar cells: Materials, configurations and stability |url = http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1364032117312613 |journal = Renewable and Sustainable Energy Reviews |volume = 82 |pages = 2471–2489 |issn = 1364-0321 |doi = 10.1016/j.rser.2017.09.011}}</ref>
-सौर कोशिकाओं के अलावा, एलईडी, लेजर और ट्रांजिस्टर के निर्माण के लिए [[पेरोवियन]] का उपयोग किया जा सकता है। इसके परिणामस्वरूप, आधुनिक अनुसंधान में सीसा और [[halide]] पेरोसाइट्स विशेष रुचि रखते हैं। वर्तमान समस्याओं में संरचनात्मक दोष शामिल हैं जो तब प्रकट होते हैं जब अर्धचालक उपकरणों को सामग्री के साथ निर्मित किया जाता है, क्योंकि [[क्रिस्टल]] से जुड़ा अव्यवस्था घनत्व उनके वाहक जीवनकाल के लिए हानिकारक है।<ref>{{cite journal |last1 = Jiang |first1 = J. |last2 = Sun |first2 = X. |last3 = Chen |first3 = X. |display-authors = etal |year = 2019 |title = रिमोट एपिटॉक्सी के माध्यम से हलाइड पेरोसाइट में कैरियर लाइफटाइम एन्हांसमेंट|url= |journal = Nat Commun |volume = 10 |issue = 1 |page = 4145 |doi = 10.1038/s41467-019-12056-1|pmid = 31515482 |pmc = 6742762 |bibcode = 2019NatCo..10.4145J }}</ref>
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 {{Portal|Electronics}}
 * [http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/park/node32.html Carrier Lifetime]
-[[Category: चार्ज वाहक]]
-[[Category: Machine Translated Page]]
+[[Category:Articles with hatnote templates targeting a nonexistent page]]
 [[Category:Created On 09/03/2023]]
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