मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र: Difference between revisions

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[[File:2N140_PNP_Germanium_Alloy_Junction_Transistor_closeup.jpg|thumb|एक RCA 2N140 PNP जर्मेनियम मिश्रधातु जंक्शन ट्रांजिस्टर के आंतरिक भाग का निकट से दृश्य, लगभग 1953]]
[[File:2N140_PNP_Germanium_Alloy_Junction_Transistor_closeup.jpg|thumb|एक आरसीए 2एन140 पीएनपी जर्मेनियम मिश्रधातु संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के आंतरिक भाग का नज़दीकी दृश्य, लगभग 1953]]
[[File:2N1307 transistor die with bond wires attached.jpg|thumb|1960 के दशक के जनरल इलेक्ट्रिक 2N1307 PNP जर्मेनियम एलॉय जंक्शन ट्रांजिस्टर के आंतरिक भाग का नज़दीक से दृश्य]][[जर्मेनियम]] '''मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र''' या '''मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र''', एक प्रारंभिक प्रकार का [[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|द्विध्रुवी संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र]] था, जिसे 1951 में [[ सामान्य विद्युतीय |सामान्य विद्युतीय]] और [[आरसीए]] में विकसित किया गया था, जो पहले [[विकसित-जंक्शन ट्रांजिस्टर|संवृद्ध-]][[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|संयोजन]] [[प्रतिरोधान्तरित्र]] पर सुधार के रूप में था।  
[[File:2N1307 transistor die with bond wires attached.jpg|thumb|1960 के दशक के सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्रधातु संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के आंतरिक भाग का नज़दीक से दृश्य]][[जर्मेनियम]] '''मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र''' या '''मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र''', एक प्रारंभिक प्रकार का [[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|द्विध्रुवी संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र]] था, जिसे 1951 में [[ सामान्य विद्युतीय |सामान्य विद्युतीय]] और [[आरसीए]] में विकसित किया गया था, जो पहले [[विकसित-जंक्शन ट्रांजिस्टर|संवृद्ध-]][[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|संयोजन]] [[प्रतिरोधान्तरित्र]] पर सुधार के रूप में था।  


एक मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र का सामान्य निर्माण एक [[जर्मेनियम]] क्रिस्टल है जो आधार बनाता है, जिसमें उत्सर्जक और संग्राहक मिश्र धातु के मोती विपरीत दिशा में जुड़े होते हैं। एन-क्षेत्र जर्मेनियम की एक पट्टी पर मिश्र धातु संयोजन बनाने के लिए आमतौर पर[[ ईण्डीयुम | इन्डियम]] और [[सुरमा|ऐन्टिमनी]] का उपयोग किया जाता था। संग्राहक संयोजन गोला व्यास में लगभग 50 मील (एक इंच का हजारवां हिस्सा) और उत्सर्जक गोला लगभग 20 मील होगा। आधार क्षेत्र लगभग 1 मील (0.001 इंच, 25 माइक्रोन) मोटा होगा।<ref>Lloyd P. Hunter (ed.), ''Handbook of Semiconductor Electronics'', Mc Graw Hill, 1956  pp. 7–18, 7–19</ref> कई प्रकार के बेहतर मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र विकसित किए गए थे जो कि वे निर्मित किए गए थे।
एक मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र का सामान्य निर्माण एक [[जर्मेनियम]] क्रिस्टल है जो आधार बनाता है, जिसमें उत्सर्जक और संग्राहक के मिश्र धातु के मोती विपरीत दिशा में जुड़े होते हैं। एन-क्षेत्र जर्मेनियम की एक पट्टी पर मिश्र धातु संयोजन बनाने के लिए आमतौर पर[[ ईण्डीयुम | इन्डियम]] और [[सुरमा|ऐन्टिमनी]] का उपयोग किया जाता था। संग्राहक संयोजन गोला व्यास में लगभग 50 मील (एक इंच का हजारवां हिस्सा) और उत्सर्जक गोला लगभग 20 मील होगा। आधार क्षेत्र लगभग 1 मील (0.001 इंच, 25 माइक्रोन) मोटा होगा।<ref>Lloyd P. Hunter (ed.), ''Handbook of Semiconductor Electronics'', Mc Graw Hill, 1956  pp. 7–18, 7–19</ref> कई प्रकार के बेहतर मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र विकसित किए गए थे जो कि वे निर्मित किए गए थे।


1960 के दशक के प्रारंभ तक, सभी प्रकार के मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र अप्रचलित हो गए, [[प्लानर ट्रांजिस्टर|समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र]] की शुरुआत के साथ, जो आसानी से बड़े पैमाने पर निर्मित किये जा सकते थे, जबकि मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र को व्यक्तिगत रूप से बनाया जाना था। पहले जर्मेनियम समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र के चक्र के मिश्र धातु-संयोजन जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र की तुलना में बहुत खराब विशेषताएं थीं, लेकिन उनकी लागत बहुत कम थी, और समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र की विशेषताओं में बहुत तेजी से सुधार हुआ, जो कि पहले के सभी जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र से अधिक था।
1960 के दशक के प्रारंभ तक, सभी प्रकार के मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र अप्रचलित हो गए, [[प्लानर ट्रांजिस्टर|समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र]] की शुरुआत के साथ, जो आसानी से बड़े पैमाने पर निर्मित किये जा सकते थे, जबकि मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र को व्यक्तिगत रूप से बनाया जाना था। पहले जर्मेनियम समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र के चक्र के मिश्र धातु-संयोजन जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र की तुलना में बहुत खराब विशेषताएं थीं, लेकिन उनकी लागत बहुत कम थी, और समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र की विशेषताओं में बहुत तेजी से सुधार हुआ, जो कि पहले के सभी जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र से अधिक था।
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== सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ==
== सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ==
'''सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र(एमएडीटी)''', या '''सूक्ष्म-मिश्र धातु [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर|विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र]]''', [[फिल्को]] द्वारा एक बेहतर प्रकार के सूक्ष्म-मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र के रूप में विकसित किया गया था; इसने और भी उच्च गति की पेशकश की। यह एक प्रकार का [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर|विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र]] है।
'''सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र(एमएडीटी)''', या '''सूक्ष्म-मिश्र धातु [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर|विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र]]''', [[फिल्को]] द्वारा एक बेहतर प्रकार के सूक्ष्म-मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र के रूप में विकसित किए गए थे; इसने और भी उच्च गति की पेशकश की। यह एक प्रकार का [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर|विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र]] है।


बेस सेमीकंडक्टर क्रिस्टल सामग्री में इलेक्ट्रोकेमिकल तकनीकों और नक़्क़ाशीदार अवसाद कुओं का उपयोग करने से पहले, एक एन-टाइप ग्रेडेड बेस सेमीकंडक्टर सामग्री बनाने के लिए पूरे आंतरिक सेमीकंडक्टर बेस क्रिस्टल पर एक गर्म विसरित फॉस्फोरस गैसीय परत बनाई जाती है। उत्सर्जक कुआँ इस विसरित आधार परत में बहुत उथला है।
आधार अर्धचालक क्रिस्टल पदार्थ में वैद्युतरासायनिक तकनीकों और निक्षारण अवदाब स्रोतों का उपयोग करने से पहले, एक गर्म विसरित फॉस्फोरस गैसीय परत पूरे आंतरिक अर्धचालक आधार क्रिस्टल पर बनाई जाती है, जिससे एन-प्रकार के श्रेणीबद्ध आधार के अर्धचालक पदार्थ बऩते है। इस विसरण आधार परत में उत्सर्जक स्रोत बहुत उथला है।


हाई-स्पीड ऑपरेशन के लिए, कलेक्टर कुएं को विसरित आधार परत के माध्यम से और अधिकांश आंतरिक आधार अर्धचालक क्षेत्र के माध्यम से, एक अत्यंत पतले आधार क्षेत्र का निर्माण करते हुए, सभी तरह से उकेरा जाता है।<ref>A High Frequency Transistor Analysis by James K. Keihner, 1956</ref><ref>Wall Street Journal, Article: "Philco Says It Is Producing A New Kind Of Transistor", October 9, 1957, pg 19</ref> एक [[डोपिंग (सेमीकंडक्टर)]] | डोपिंग-इंजीनियर [[विद्युत क्षेत्र]] [[ प्रभारी वाहक ]] बेस ट्रांजिट टाइम ([[ बहाव-क्षेत्र ट्रांजिस्टर ]] के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में बनाया गया था।
तीव्र गति की संक्रिया के लिए, संग्राही स्रोत को विसरित आधार परत के माध्यम से और अधिकांश आंतरिक आधार अर्धचालक क्षेत्र के माध्यम से सभी तरह से निक्षारित किया जाता है जिससे एक अत्यंत पतला आधार क्षेत्र बनता है। <ref>A High Frequency Transistor Analysis by James K. Keihner, 1956</ref><ref>Wall Street Journal, Article: "Philco Says It Is Producing A New Kind Of Transistor", October 9, 1957, pg 19</ref> [[आवेश वाहक]] आधार संक्रमण ताप ([[ बहाव-क्षेत्र ट्रांजिस्टर | बहाव-क्षेत्र प्रतिरोधान्तरित्र]] के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में एक [[अपमिश्रण-अभियंत्रित विद्युत क्षेत्र]] बनाया गया था।


== पोस्ट मिश्र धातु दूर तक फैला हुआ ट्रांजिस्टर ==
== पोस्ट मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ==
पोस्ट-अलॉय डिफ्यूज्ड ट्रांजिस्टर (PADT), या पोस्ट-अलॉय डिफ्यूज्ड-बेस ट्रांजिस्टर, [[ PHILIPS ]] द्वारा विकसित किया गया था (लेकिन GE और RCA ने पेटेंट के लिए दायर किया और RCA के जैक्स पैंकोव ने इसके लिए पेटेंट प्राप्त किया) जर्मेनियम मिश्र धातु-जंक्शन में सुधार के रूप में ट्रांजिस्टर, इसने और भी उच्च गति प्रदान की। यह एक प्रकार का विसरित-बेस ट्रांजिस्टर है।
'''पोस्ट-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र (पीएडीटी)''', या '''पोस्ट-मिश्र धातु विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र''', [[ PHILIPS |फ़िलिप्स]] द्वारा विकसित किया गया था (लेकिन जीई और आरसीए ने लाइसेंस के लिए दायर किया और आरसीए के जैक्स पैंकोव ने इसके लिए लाइसेंस प्राप्त किया) जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र बेहतर संयोजन के रूप में, इसने और भी उच्च गति प्रदान की। यह एक प्रकार का विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र है।


फिल्को माइक्रो-अलॉय डिफ्यूज ट्रांजिस्टर में एक यांत्रिक कमजोरी थी जिसने अंततः उनकी गति को सीमित कर दिया; बहुत पतली होने पर पतली विसरित आधार परत टूट जाएगी, लेकिन उच्च गति प्राप्त करने के लिए इसे जितना संभव हो उतना पतला होना चाहिए। साथ ही इतनी पतली परत के दोनों तरफ मिश्रधातु को नियंत्रित करना बहुत कठिन था।
फिल्को मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र में एक यांत्रिक कमजोरी थी जिसने अंततः उनकी गति को सीमित कर दिया; बहुत पतला होने पर पतली विसरण-आधार परत टूट जाएगी, लेकिन उच्च गति प्राप्त करने के लिए इसे जितना संभव हो उतना पतला होना जरूरी था। साथ ही इतनी पतली परत के दोनों तरफ मिश्रधातु को नियंत्रित करना बहुत मुश्किल था।


पोस्ट-मिश्र धातु विसरित ट्रांजिस्टर ने बल्क सेमीकंडक्टर क्रिस्टल को संग्राहक (आधार के बजाय) बनाकर इस समस्या को हल किया, जो यांत्रिक शक्ति के लिए आवश्यक रूप से मोटा हो सकता है। इसके ऊपर डिफ्यूज्ड बेस लेयर बनाई गई थी। फिर दो अलॉय बीड्स, एक पी-टाइप और एक एन-टाइप को डिफ्यूज्ड बेस लेयर के ऊपर फ्यूज किया गया। आधार डोपेंट के समान प्रकार वाला मनका तब आधार का हिस्सा बन गया और आधार डोपेंट से विपरीत प्रकार का मनका उत्सर्जक बन गया।
पोस्ट-मिश्र धातु के बाद विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ने अधिकांश अर्धचालक क्रिस्टल को संग्राहक (आधार के बजाय) बनाकर इस समस्या को हल किया, जो यांत्रिक शक्ति के लिए आवश्यक रूप से मोटे हो सकते है। इसके ऊपर विसरण-आधार परत बनाई गई थी। फिर दो मिश्र धातु के मोती, एक पी-प्रकार और एक एन-प्रकार को विसरण-आधार परत के ऊपर संगलित किया गया। आधार अपमिश्रक के समान प्रकार वाला मोती तब आधार का हिस्सा बना, जब आधार अपमिश्रक से विपरीत प्रकार का मोती उत्सर्जक बन गया।


एक डोपिंग (सेमीकंडक्टर) | डोपिंग-इंजीनियर विद्युत क्षेत्र चार्ज कैरियर बेस ट्रांजिट टाइम (ड्रिफ्ट-फील्ड ट्रांजिस्टर के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में बनाया गया था।
आवेश वाहक आधार संक्रमण ताप (बहाव क्षेत्र प्रतिरोधान्तरित्र के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में एक अपमिश्रण-अभियांत्रिक विद्युत क्षेत्र बनाया गया था।


== फोटो गैलरी ==
== चित्र गैलरी ==


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Image: TG51 Transistor 02.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित TG 51 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
File:Index.php?title=File:TG51 Transistor 02.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित टीजी 51 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
Image: TG51 Transistor 03.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित TG 51 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
File:Index.php?title=File:TG51 Transistor 03.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित टीजी 51 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
Image: 2N1307 transistor die.jpg|जनरल इलेक्ट्रिक 2N1307 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
File:Index.php?title=File:2N1307 transistor die.jpg|सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
Image: 2N1307 transistor bond wires.jpg|जनरल इलेक्ट्रिक 2N1307 PNP जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर
File:Index.php?title=File:2N1307 transistor bond wires.jpg|सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
Image: 2N404.jpg|आरसीए 2N404 जर्मेनियम पीएनपी ट्रांजिस्टर। मध्यम गति स्विच
File:Index.php?title=File:2N404.jpg|आरसीए 2एन404 जर्मेनियम पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र। मध्यम गति स्विच
Image: ACY21.jpg|पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु ट्रांजिस्टर एएफ एम्पलीफायर / स्विच के रूप में अभिप्रेत है
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== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
* [[टेट्रोड ट्रांजिस्टर]]
* [[टेट्रोड ट्रांजिस्टर|टेट्रोड प्रतिरोधान्तरित्र]]


== संदर्भ ==
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Latest revision as of 11:15, 1 November 2023

एक आरसीए 2एन140 पीएनपी जर्मेनियम मिश्रधातु संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के आंतरिक भाग का नज़दीकी दृश्य, लगभग 1953
1960 के दशक के सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्रधातु संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के आंतरिक भाग का नज़दीक से दृश्य

जर्मेनियम मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र या मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र, एक प्रारंभिक प्रकार का द्विध्रुवी संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र था, जिसे 1951 में सामान्य विद्युतीय और आरसीए में विकसित किया गया था, जो पहले संवृद्ध-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र पर सुधार के रूप में था।

एक मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र का सामान्य निर्माण एक जर्मेनियम क्रिस्टल है जो आधार बनाता है, जिसमें उत्सर्जक और संग्राहक के मिश्र धातु के मोती विपरीत दिशा में जुड़े होते हैं। एन-क्षेत्र जर्मेनियम की एक पट्टी पर मिश्र धातु संयोजन बनाने के लिए आमतौर पर इन्डियम और ऐन्टिमनी का उपयोग किया जाता था। संग्राहक संयोजन गोला व्यास में लगभग 50 मील (एक इंच का हजारवां हिस्सा) और उत्सर्जक गोला लगभग 20 मील होगा। आधार क्षेत्र लगभग 1 मील (0.001 इंच, 25 माइक्रोन) मोटा होगा।[1] कई प्रकार के बेहतर मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र विकसित किए गए थे जो कि वे निर्मित किए गए थे।

1960 के दशक के प्रारंभ तक, सभी प्रकार के मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र अप्रचलित हो गए, समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र की शुरुआत के साथ, जो आसानी से बड़े पैमाने पर निर्मित किये जा सकते थे, जबकि मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र को व्यक्तिगत रूप से बनाया जाना था। पहले जर्मेनियम समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र के चक्र के मिश्र धातु-संयोजन जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र की तुलना में बहुत खराब विशेषताएं थीं, लेकिन उनकी लागत बहुत कम थी, और समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र की विशेषताओं में बहुत तेजी से सुधार हुआ, जो कि पहले के सभी जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र से अधिक था।

सूक्ष्म मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र

सूक्ष्म-मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र (एमएटी) को फिल्को द्वारा एक बेहतर प्रकार के मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के रूप में विकसित किया गया था, जो बहुत अधिक गति प्रदान करता है।

यह एक आधार अर्धचालक क्रिस्टल का से बना है, जिसमें स्रोतों की एक जोड़ी को विपरीत दिशा में निक्षारित किया गया है (फ़िल्को के पहले के पृष्ठी प्राचीर प्रतिरोधान्तरित्र के समान) और फिर उत्सर्जक और संग्राही मिश्र धातु की मोतियों को स्रोतों में जोड़ा जाता है।

सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र

सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र(एमएडीटी), या सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र, फिल्को द्वारा एक बेहतर प्रकार के सूक्ष्म-मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र के रूप में विकसित किए गए थे; इसने और भी उच्च गति की पेशकश की। यह एक प्रकार का विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र है।

आधार अर्धचालक क्रिस्टल पदार्थ में वैद्युतरासायनिक तकनीकों और निक्षारण अवदाब स्रोतों का उपयोग करने से पहले, एक गर्म विसरित फॉस्फोरस गैसीय परत पूरे आंतरिक अर्धचालक आधार क्रिस्टल पर बनाई जाती है, जिससे एन-प्रकार के श्रेणीबद्ध आधार के अर्धचालक पदार्थ बऩते है। इस विसरण आधार परत में उत्सर्जक स्रोत बहुत उथला है।

तीव्र गति की संक्रिया के लिए, संग्राही स्रोत को विसरित आधार परत के माध्यम से और अधिकांश आंतरिक आधार अर्धचालक क्षेत्र के माध्यम से सभी तरह से निक्षारित किया जाता है जिससे एक अत्यंत पतला आधार क्षेत्र बनता है। [2][3] आवेश वाहक आधार संक्रमण ताप ( बहाव-क्षेत्र प्रतिरोधान्तरित्र के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में एक अपमिश्रण-अभियंत्रित विद्युत क्षेत्र बनाया गया था।

पोस्ट मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र

पोस्ट-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र (पीएडीटी), या पोस्ट-मिश्र धातु विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र, फ़िलिप्स द्वारा विकसित किया गया था (लेकिन जीई और आरसीए ने लाइसेंस के लिए दायर किया और आरसीए के जैक्स पैंकोव ने इसके लिए लाइसेंस प्राप्त किया) जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र बेहतर संयोजन के रूप में, इसने और भी उच्च गति प्रदान की। यह एक प्रकार का विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र है।

फिल्को मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र में एक यांत्रिक कमजोरी थी जिसने अंततः उनकी गति को सीमित कर दिया; बहुत पतला होने पर पतली विसरण-आधार परत टूट जाएगी, लेकिन उच्च गति प्राप्त करने के लिए इसे जितना संभव हो उतना पतला होना जरूरी था। साथ ही इतनी पतली परत के दोनों तरफ मिश्रधातु को नियंत्रित करना बहुत मुश्किल था।

पोस्ट-मिश्र धातु के बाद विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ने अधिकांश अर्धचालक क्रिस्टल को संग्राहक (आधार के बजाय) बनाकर इस समस्या को हल किया, जो यांत्रिक शक्ति के लिए आवश्यक रूप से मोटे हो सकते है। इसके ऊपर विसरण-आधार परत बनाई गई थी। फिर दो मिश्र धातु के मोती, एक पी-प्रकार और एक एन-प्रकार को विसरण-आधार परत के ऊपर संगलित किया गया। आधार अपमिश्रक के समान प्रकार वाला मोती तब आधार का हिस्सा बना, जब आधार अपमिश्रक से विपरीत प्रकार का मोती उत्सर्जक बन गया।

आवेश वाहक आधार संक्रमण ताप (बहाव क्षेत्र प्रतिरोधान्तरित्र के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में एक अपमिश्रण-अभियांत्रिक विद्युत क्षेत्र बनाया गया था।

चित्र गैलरी

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    TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित टीजी 51 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र

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    TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित टीजी 51 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र

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    सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र

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    सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र

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    आरसीए 2एन404 जर्मेनियम पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र। मध्यम गति स्विच

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    पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र एफ प्रवर्धक / स्विच के रूप में अभिप्रेत है


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ Lloyd P. Hunter (ed.), Handbook of Semiconductor Electronics, Mc Graw Hill, 1956 pp. 7–18, 7–19
  2. ↑ A High Frequency Transistor Analysis by James K. Keihner, 1956
  3. ↑ Wall Street Journal, Article: "Philco Says It Is Producing A New Kind Of Transistor", October 9, 1957, pg 19


बाहरी संबंध

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