गैलियम फॉस्फेट: Difference between revisions

GaPO4
General
Category	crystal
Chemical formula (or Composition)	GaPO4
Identification
Color	Clear
Crystal system	Trigonal
Crystal class	32 or D3 (Schönflies)
Cleavage	None
Fracture	Conchoidal
Mohs Scale hardness	5.5
Refractive index	no=1.605, ne=1.623
Pleochroism	None
Streak	White
Density	3570 kg/m3
Solubility	insoluble in pH = 5 - 8
	other properties
Pyroelectricity	None
Particular characteristics	quartz isotype, piezoelectric effect up to 950°C (1742°F)

गैलियम फॉस्फेट
Names
	Other names Gallium monophosphate; Phosphoric acid, gallium salt (1:1); Gallium orthophosphate
Identifiers
CAS Number	14014-97-2 ;
3D model (JSmol)	Interactive image; Interactive image;
ChemSpider	7991051 ;
PubChem CID	9815301;
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID101045828;
	InChI InChI=1S/Ga.H3O4P/c;1-5(2,3)4/h;(H3,1,2,3,4)/q+3;/p-3 Key: LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K;
	SMILES O=P12O[Ga](O1)O2; [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O;
Properties
Chemical formula	GaPO4
Molar mass	164.694 g/mol
Appearance	Transparent crystals
Solubility in water	Insoluble
Refractive index (nD)	no=1.605, ne=1.623
	Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa). Infobox references

Latest revision as of 11:58, 5 June 2023

गैलियम फॉस्फेट GaPO₄ या गैलियम ऑर्थोफोस्फेट एक रंगहीन त्रिकोणीय क्रिस्टल है। जिसमें मोहस पैमाने पर 5.5 की कठोरता होती है। GaPO₄ क्वार्ट्ज के समान गुण रखने वाला आइसोटाइपिक के रूप में होते है, लेकिन सिलिकॉन परमाणुओं को वैकल्पिक रूप से गैलियम और फास्फोरस के साथ प्रतिस्थापित किया जाता है और इस प्रकार पाइजोइलेक्ट्रिक प्रभाव को दोगुना कर दिया जाता है। इस दोहरीकरण के कारण GaPO₄ के प्रोद्योगिकीय अनुप्रयोगों के लिए क्वार्ट्ज पर कई लाभ हैं, जैसे क्रिस्टल रेज़ोनेटर्स में एक उच्च विद्युत यांत्रिक युग्मन गुणांक इस दोहरीकरण के कारण क्वार्ट्ज के विपरीत GaPO₄ प्रकृति के रूप में नहीं पाया जाता है। इसलिए, क्रिस्टल को संश्लेषित करने के लिए ऊष्ण जलीय संश्लेषण प्रक्रिया का उपयोग किया जाना चाहिए।

संशोधन

GaPO₄ क्वार्ट्ज के विपरीत, कोई α-β चरण संक्रमण नहीं होता है और इस प्रकार GaPO₄ की निम्न तापमान संरचना (α-क्वार्ट्ज जैसी संरचना) 970 डिग्री सेल्सियस तक स्थिर रहती है, क्योंकि इसके अधिकांश अन्य भौतिक गुण होते है और इस प्रकार 970 डिग्री सेल्सियस के आसपास एक अन्य चरण संक्रमण होता है, जो निम्न क्वार्ट्ज संरचना को क्रिस्टोबैलाइट के सदृश अन्य दूसरी संरचना में परिवर्तित हो जाती है।

संरचना

GaPO₄ की विशिष्ट संरचना GaO₄ और PO₄ वाले टेट्राहेड्रोन की व्यवस्था को प्रदर्शित करता है, जो थोड़ा झुका हुआ होता है। इन टेट्राहेड्रोन की कुंडलीदार व्यवस्था के कारण दो संशोधन विभिन्न प्रकाशिक घूर्णन (बायां और दायां) के साथ विद्यमान होते हैं।

स्रोत

GaPO₄ प्रकृति में नहीं होती है और इस प्रकार इसे संश्लेषित रूप से उत्पन्न किया जाता है। वर्तमान में, ऑस्ट्रिया में केवल एक कंपनी व्यावसायिक रूप से इन क्रिस्टल का उत्पादन करती है।

इतिहास और प्रोद्योगिकीय महत्व

क्वार्ट्ज पर आधारित पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर को उच्च तापमान (300 डिग्री सेल्सियस से ऊपर) के प्रयोग के लिए पानी से ठंडा करना पड़ता है और इस प्रकार 1994 से प्रारंभ होकर इन बड़े सेंसरों को GaPO₄ पर आधारित छोटे बिना ठंडे वाले सेंसरों के स्थान पर बदलना संभव था.और उच्च तापमान पर उपयोग के लिए GaPO₄ के असाधारण गुण पर अनुप्रयोगों के लिए इसके लगभग ताप स्वतंत्र दाब विद्युत प्रभाव और 900 डिग्री सेल्सियस तक उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन के रूप में सम्मलित हैं। चूंकि रेसोनेन्स अनुप्रयोगों के रूप में होते है, यह क्रिस्टल क्वार्ट्ज के साथ तुलनीय क्रिस्टल ऑसिलेटर होने पर 500 डिग्री सेल्सियस तक के क्रिस्टल ऑसिलेटर को प्रदर्शित करता है। जबकि क्वार्ट्ज की तुलना में Q कारक होते हैं,.जो इन भौतिक गुणों के कारण GaPO₄ उच्च तापमान पर पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर और उच्च तापमान वाले सूक्ष्म संतुलन के लिए बहुत उपयुक्त होते है।

साहित्य

गुस्तव, गौत्सची (2013-06-29). पीजोइलेक्ट्रिक सेंसरिक्स: बल तनाव दबाव त्वरण और ध्वनिक उत्सर्जन सेंसर सामग्री और एम्पलीफायर. ISBN 978-3-662-04732-3.

बाहरी संबंध

data sheet

@@ Line 66: / Line 66: @@
 |-----
 |}
-गैलियम फॉस्फेट (GaPO<sub>4</sub> या गैलियम ऑर्थोफोस्फेट) मोह पैमाने पर 5.5 की कठोरता के साथ एक रंगहीन त्रिकोणीय क्रिस्टल है। गैपीओ<sub>4</sub> [[क्वार्ट्ज]] के साथ आइसोटाइपिक है, जिसमें बहुत समान गुण हैं, लेकिन [[सिलिकॉन]] परमाणुओं को [[गैलियम]] और [[फास्फोरस]] के साथ वैकल्पिक रूप से प्रतिस्थापित किया जाता है, जिससे [[piezoelectricity]] दोगुनी हो जाती है। गैपीओ<sub>4</sub> तकनीकी अनुप्रयोगों के लिए क्वार्ट्ज पर कई फायदे हैं, जैसे [[क्रिस्टल थरथरानवाला]] में एक उच्च [[विद्युत यांत्रिक युग्मन गुणांक]], इस दोहरीकरण के कारण।
+गैलियम फॉस्फेट GaPO<sub>4</sub> या गैलियम ऑर्थोफोस्फेट एक रंगहीन त्रिकोणीय क्रिस्टल है। जिसमें मोहस पैमाने पर 5.5 की कठोरता होती है। GaPO<sub>4</sub> [[क्वार्ट्ज]] के समान गुण रखने वाला आइसोटाइपिक के रूप में होते है, लेकिन [[सिलिकॉन]] परमाणुओं को वैकल्पिक रूप से [[गैलियम]] और [[फास्फोरस]] के साथ प्रतिस्थापित किया जाता है और इस प्रकार पाइजोइलेक्ट्रिक प्रभाव को दोगुना कर दिया जाता है। इस दोहरीकरण के कारण GaPO<sub>4</sub> के प्रोद्योगिकीय अनुप्रयोगों के लिए क्वार्ट्ज पर कई लाभ हैं, जैसे [[क्रिस्टल थरथरानवाला|क्रिस्टल रेज़ोनेटर्स]] में एक उच्च विद्युत यांत्रिक युग्मन गुणांक इस दोहरीकरण के कारण क्वार्ट्ज के विपरीत GaPO<sub>4</sub> प्रकृति के रूप में नहीं पाया जाता है। इसलिए, क्रिस्टल को संश्लेषित करने के लिए [[हाइड्रोथर्मल संश्लेषण|ऊष्ण जलीय संश्लेषण]] प्रक्रिया का उपयोग किया जाना चाहिए।
-क्वार्ट्ज के विपरीत, GaPO<sub>4</sub> प्रकृति में नहीं पाया जाता है। इसलिए, क्रिस्टल को संश्लेषित करने के लिए [[हाइड्रोथर्मल संश्लेषण]] प्रक्रिया का उपयोग किया जाना चाहिए।
 == संशोधन ==
-गैपीओ<sub>4</sub> क्वार्ट्ज के विपरीत, कोई α-β [[चरण संक्रमण]] नहीं होता है, इस प्रकार GaPO की निम्न तापमान संरचना (α-क्वार्ट्ज जैसी संरचना)<sub>4</sub> 970 डिग्री सेल्सियस तक स्थिर है, जैसा कि इसके अधिकांश अन्य भौतिक गुण हैं। 970 डिग्री सेल्सियस के आसपास एक और चरण संक्रमण होता है जो निम्न क्वार्ट्ज संरचना को [[क्रिस्टोबलाइट]] के समान दूसरी संरचना में बदल देता है।
+GaPO<sub>4</sub> क्वार्ट्ज के विपरीत, कोई α-β [[चरण संक्रमण]] नहीं होता है और इस प्रकार GaPO<sub>4</sub> की निम्न तापमान संरचना (α-क्वार्ट्ज जैसी संरचना) 970 डिग्री सेल्सियस तक स्थिर रहती है, क्योंकि इसके अधिकांश अन्य भौतिक गुण होते है और इस प्रकार 970 डिग्री सेल्सियस के आसपास एक अन्य चरण संक्रमण होता है, जो निम्न क्वार्ट्ज संरचना को [[क्रिस्टोबलाइट|क्रिस्टोबैलाइट]] के सदृश अन्य दूसरी संरचना में परिवर्तित हो जाती है।
 == संरचना ==
-GaPO की विशिष्ट संरचना<sub>4</sub> GaO से युक्त चतुष्फलक की व्यवस्था को दर्शाता है<sub>4</sub> और पीओ<sub>4</sub> जो थोड़ा झुका हुआ हो। इन चतुष्फलकों की पेचदार व्यवस्था के कारण, GaPO के दो संशोधन<sub>4</sub> विभिन्न [[ऑप्टिकल रोटेशन]] (चिरलिटी (रसायन विज्ञान)) के साथ मौजूद हैं।
+GaPO<sub>4</sub> की विशिष्ट संरचना GaO<sub>4</sub> और PO<sub>4</sub> वाले टेट्राहेड्रोन की व्यवस्था को प्रदर्शित करता है, जो थोड़ा झुका हुआ होता है। इन टेट्राहेड्रोन की कुंडलीदार व्यवस्था के कारण दो संशोधन विभिन्न [[ऑप्टिकल रोटेशन|प्रकाशिक घूर्णन]] (बायां और दायां) के साथ विद्यमान होते हैं।
 == स्रोत ==
-कारण<sub>4</sub> प्रकृति में नहीं होता है; इस प्रकार इसे कृत्रिम रूप से उगाया जाना चाहिए। वर्तमान में, ऑस्ट्रिया में केवल एक कंपनी व्यावसायिक रूप से इन क्रिस्टल का उत्पादन करती है।
+GaPO<sub>4</sub> प्रकृति में नहीं होती है और इस प्रकार इसे संश्लेषित रूप से उत्पन्न किया जाता है। वर्तमान में, ऑस्ट्रिया में केवल एक कंपनी व्यावसायिक रूप से इन क्रिस्टल का उत्पादन करती है।
-== इतिहास और तकनीकी महत्व ==
-उच्च तापमान (300 डिग्री सेल्सियस से ऊपर) पर अनुप्रयोगों के लिए क्वार्ट्ज पर आधारित [[पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर]] को पानी से ठंडा करना पड़ता है। 1994 से शुरू होकर इन बड़े सेंसरों को GaPO पर आधारित छोटे, बिना ठंडे वाले सेंसरों से बदलना संभव था<sub>4</sub>.
-GaPO के और असाधारण गुण<sub>4</sub> उच्च तापमान पर अनुप्रयोगों के लिए इसके लगभग तापमान स्वतंत्र पीजो प्रभाव और 900 डिग्री सेल्सियस तक उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन शामिल हैं। बल्क गुंजयमान अनुप्रयोगों के लिए, यह क्रिस्टल क्वार्ट्ज के साथ तुलनीय क्रिस्टल ऑसिलेटर होने पर 500 ° C तक के क्रिस्टल ऑसिलेटर को प्रदर्शित करता है। इन भौतिक गुणों के कारण, GaPO<sub>4</sub> उच्च तापमान पर पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर और उच्च तापमान [[ microbalance ]] के लिए बहुत उपयुक्त है।
+== इतिहास और प्रोद्योगिकीय महत्व ==
+क्वार्ट्ज पर आधारित [[पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर]] को उच्च तापमान (300 डिग्री सेल्सियस से ऊपर) के प्रयोग के लिए पानी से ठंडा करना पड़ता है और इस प्रकार 1994 से प्रारंभ होकर इन बड़े सेंसरों को GaPO<sub>4</sub> पर आधारित छोटे बिना ठंडे वाले सेंसरों के स्थान पर बदलना संभव था.और उच्च तापमान पर उपयोग के लिए GaPO<sub>4</sub> के असाधारण गुण पर अनुप्रयोगों के लिए इसके लगभग ताप स्वतंत्र दाब विद्युत प्रभाव और 900 डिग्री सेल्सियस तक उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन के रूप में सम्मलित हैं। चूंकि रेसोनेन्स अनुप्रयोगों के रूप में होते है, यह क्रिस्टल क्वार्ट्ज के साथ तुलनीय क्रिस्टल ऑसिलेटर होने पर 500 डिग्री सेल्सियस तक के क्रिस्टल ऑसिलेटर को प्रदर्शित करता है। जबकि क्वार्ट्ज की तुलना में Q कारक होते हैं,.जो इन भौतिक गुणों के कारण GaPO<sub>4</sub> उच्च तापमान पर पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर और उच्च तापमान वाले [[सूक्ष्म]] संतुलन के लिए बहुत उपयुक्त होते है।
 == साहित्य ==
-* {{cite book|isbn=978-3-662-04732-3|title=पीजोइलेक्ट्रिक सेंसरिक्स: बल तनाव दबाव त्वरण और ध्वनिक उत्सर्जन सेंसर सामग्री और एम्पलीफायर|last1=Gautschi|first1=Gustav|date=2013-06-29}}
+* {{cite book|isbn=978-3-662-04732-3|title=पीजोइलेक्ट्रिक सेंसरिक्स: बल तनाव दबाव त्वरण और ध्वनिक उत्सर्जन सेंसर सामग्री और एम्पलीफायर|last1=गुस्तव|first1=गौत्सची|date=2013-06-29}}
 ==बाहरी संबंध==
@@ Line 90: / Line 87: @@
 {{Gallium compounds}}
 {{Phosphates}}
-[[Category: गैलियम यौगिक]] [[Category: फॉस्फेट]] [[Category: पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री]]
-[[Category: Machine Translated Page]]
+[[Category:Articles containing unverified chemical infoboxes]]
+[[Category:Articles without EBI source]]
+[[Category:Articles without KEGG source]]
+[[Category:Articles without UNII source]]
+[[Category:Chembox articles without image]]
+[[Category:Chemical articles with multiple compound IDs|B]]
+[[Category:Collapse templates]]
 [[Category:Created On 25/05/2023]]
+[[Category:ECHA InfoCard ID from Wikidata]]
+[[Category:E number from Wikidata]]
+[[Category:Lua-based templates]]
+[[Category:Machine Translated Page]]
+[[Category:Multiple chemicals in an infobox that need indexing]]
+[[Category:Navigational boxes| ]]
+[[Category:Navigational boxes without horizontal lists]]
+[[Category:Pages using collapsible list with both background and text-align in titlestyle|background:transparent;font-weight:normal;text-align:left ]]
+[[Category:Pages with script errors]]
+[[Category:Sidebars with styles needing conversion]]
+[[Category:Template documentation pages|Documentation/doc]]
+[[Category:Templates Vigyan Ready]]
+[[Category:Templates generating microformats]]
+[[Category:Templates that add a tracking category]]
+[[Category:Templates that are not mobile friendly]]
+[[Category:Templates that generate short descriptions]]
+[[Category:Templates using TemplateData]]
+[[Category:Wikipedia metatemplates]]
+[[Category:गैलियम यौगिक]]
+[[Category:पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री]]
+[[Category:फॉस्फेट]]

Anonymous

Search

गैलियम फॉस्फेट: Difference between revisions

Namespaces

More

Page actions

Latest revision as of 11:58, 5 June 2023

Contents

संशोधन

संरचना

स्रोत

इतिहास और प्रोद्योगिकीय महत्व

साहित्य

बाहरी संबंध

Navigation

Navigation

Wiki tools

Wiki tools

Names
Other names Gallium monophosphate Phosphoric acid, gallium salt (1:1) Gallium orthophosphate
Identifiers
CAS Number	14014-97-2^Y
3D model (JSmol)	Interactive image Interactive image
ChemSpider	7991051^Y
PubChem CID	9815301
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID101045828
InChI InChI=1S/Ga.H3O4P/c;1-5(2,3)4/h;(H3,1,2,3,4)/q+3;/p-3 Key: LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K
SMILES O=P12O[Ga](O1)O2 [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O
Properties
Chemical formula	GaPO₄
Molar mass	164.694 g/mol
Appearance	Transparent crystals
Solubility in water	Insoluble
Refractive index (n_D)	n_o=1.605, n_e=1.623
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa). Infobox references

Anonymous

Search

गैलियम फॉस्फेट: Difference between revisions

Latest revision as of 11:58, 5 June 2023

संशोधन

संरचना

स्रोत

इतिहास और प्रोद्योगिकीय महत्व

साहित्य

बाहरी संबंध

Navigation

Wiki tools

Page tools

Other projects

Categories