असंतुलित रेणु वृद्धि: Difference between revisions

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[[सिरेमिक सामग्री]] में इस घटना के परिणामस्वरूप दरार प्रसार के प्रतिबाधा के माध्यम से बेहतर अस्थिभंग कठोरता के निहितार्थ के साथ घने मैट्रिक्स में लम्बी प्रिज्मीय, एकिकुलर (सुई की तरह) अनाज का निर्माण हो सकता है।<ref name="ref3">{{cite journal| last1=Padture| first1=N. P.|last2=Lawn|first2=B. R.| title= एक स्वस्थाने प्रेरित विषम अनाज संरचना के साथ एक सिलिकॉन कार्बाइड की कठोरता गुण| journal= [[J. Am. Ceram. Soc.]]| year=1994| volume=77| issue=10| pages=2518–2522| doi=10.1111/j.1151-2916.1994.tb04637.x| url=https://zenodo.org/record/1230601}}<!--https://zenodo.org/record/1230601}}--></ref>
[[सिरेमिक सामग्री|सिरेमिक पदार्थ]] में इस घटना के परिणामस्वरूप स्फोटन प्रसार के प्रतिबाधा के माध्यम से अधिकतम विभंजन कठोरता के प्रतिबाधा बंधन के साथ सघन आधात्री में लम्बी प्रिज्मीय, सूच्याकार (स्फटिक के समान) रेणु का निर्माण हो सकता है।<ref name="ref3">{{cite journal| last1=Padture| first1=N. P.|last2=Lawn|first2=B. R.| title= एक स्वस्थाने प्रेरित विषम अनाज संरचना के साथ एक सिलिकॉन कार्बाइड की कठोरता गुण| journal= [[J. Am. Ceram. Soc.]]| year=1994| volume=77| issue=10| pages=2518–2522| doi=10.1111/j.1151-2916.1994.tb04637.x| url=https://zenodo.org/record/1230601}}<!--https://zenodo.org/record/1230601}}--></ref>




== तंत्र ==
== तंत्र ==


धातु या सिरेमिक प्रणालियों में असामान्य अनाज वृद्धि (एजीजी) का सामना करना पड़ता है जो कई विशेषताओं में से एक या अधिक प्रदर्शित करता है।<ref name="ref2">{{cite book| last1=Kang| first1=S.-J. L. | title= Sintering: Densification, Grain Growth, and Microstructure| publisher= [[Butterworth-Heinemann|Elsevier Butterworth-Heinemann]]| year= 2005|isbn = 9780080493077}}</ref><ref name="ref1" /># माध्यमिक चरण समावेशन, अवक्षेप या अशुद्धियाँ एक निश्चित दहलीज सांद्रता से ऊपर।
'''असामान्य रेणु वृद्धि''' '''(एजीजी)''' धातु या सिरेमिक प्रणालियों में एक या अधिक कई विशेषताओं का प्रदर्शन करती है<ref name="ref2">{{cite book| last1=Kang| first1=S.-J. L. | title= Sintering: Densification, Grain Growth, and Microstructure| publisher= [[Butterworth-Heinemann|Elsevier Butterworth-Heinemann]]| year= 2005|isbn = 9780080493077}}</ref><ref name="ref1" />
# थोक सामग्री में इंटरफेसियल एनर्जी (सॉलिड-लिक्विड) या ग्रेन बाउंड्री एनर्जी (सॉलिड-सॉलिड) में हाई अनिसोट्रॉपी।
# पतली फिल्म सामग्री में अत्यधिक अनिसोट्रोपिक सतह ऊर्जा।
# उच्च रासायनिक असमानता।


हालांकि एजीजी परिघटना की हमारी मूलभूत समझ में कई अंतराल हैं, सभी मामलों में अनाज की असामान्य वृद्धि इंटरफ़ेस माइग्रेशन की बहुत अधिक स्थानीय दरों के परिणामस्वरूप होती है और अनाज की सीमाओं पर तरल के स्थानीय गठन से बढ़ जाती है।
# माध्यमिक चरण समावेशन, अवक्षेपण या अशुद्धियाँ एक निश्चित प्रभावसीमा सांद्रता से ऊपर होती है।
# विस्तृत पदार्थ में अंतरापृष्ठीय ऊर्जा (ठोस-तरल) या रेणु सीमा ऊर्जा (ठोस-ठोस) में उच्च विषमदैशिकता होती है।
# पतली परत के पदार्थों में अत्यधिक विषमदैशिक सतह ऊर्जा होती है।
# उच्च रासायनिक असमानता होती है।
 
हालांकि असामान्य रेणु वृद्धि परिघटना की हमारी मूलभूत समझ में कई अंतराल हैं, सभी स्थितियों में रेणु की असामान्य वृद्धि अंतराफलक प्रवसन की बहुत अधिक स्थानीय दरों के परिणामस्वरूप होती है और रेणु की सीमाओं पर तरल के स्थानीय निर्माण से बढ़ जाती है।


== महत्व ==
== महत्व ==


अनाज की असामान्य वृद्धि को अक्सर सिरेमिक सामग्री के [[सिंटरिंग]] के दौरान होने वाली एक अवांछनीय घटना के रूप में दर्ज किया जाता है क्योंकि तेजी से बढ़ने वाले अनाज अनाज की सीमा को मजबूत करने के माध्यम से बल्क सामग्री की कठोरता को कम कर सकते हैं। हालांकि, नियंत्रित एजीजी लाने के लिए डोपेंट के नियंत्रित परिचय का उपयोग सिरेमिक सामग्री में फाइबर-सख्त करने के लिए किया जा सकता है। [[पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक]] में एजीजी की घटना पोलिंग (पीजोइलेक्ट्रिकिटी) का क्षरण ला सकती है और इस प्रकार इन प्रणालियों में एजीजी से बचा जाता है।
रेणु की असामान्य वृद्धि को प्रायः सिरेमिक पदार्थ के [[सिंटरिंग|निसादन]] के समय होने वाली एक अवांछनीय घटना के रूप में प्रदर्शित किया जाता है क्योंकि तीव्रता से बढ़ने वाले रेणु की सीमा को प्रबल करने के माध्यम से स्थूल पदार्थ की कठोरता को कम कर सकते हैं। हालांकि, नियंत्रित असामान्य रेणु वृद्धि लाने के लिए अपमिश्रक के नियंत्रित भूमिका का उपयोग सिरेमिक पदार्थ में तन्तु-प्रबल करने के लिए किया जा सकता है। [[पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक|दाब-विद्युत सिरेमिक]] में असामान्य रेणु वृद्धि की घटना [[पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक|दाब-विद्युत]] प्रभाव का क्षरण ला सकती है और इस प्रकार इन प्रणालियों में असामान्य रेणु वृद्धि से संरक्षित किया जाता है।


== उदाहरण प्रणाली ==
== उदाहरण प्रणाली ==


[[Image:Abnormal Grain Growth in Rutile.png|thumb|300px|[[रूटाइल]] टाइटेनियम डाइऑक्साइड में असामान्य अनाज वृद्धि देखी गई। टीआईओ<sub>2</sub>, एक [[जिक्रोन]] माध्यमिक चरण की उपस्थिति से प्रेरित है।<ref name="ref1">{{cite journal| last1=Hanaor| first1=D. A. H. | last2=Xu| first2=W.|last3=Ferry|first3=M.|last4=Sorrell|first4=C. C. | title= Abnormal grain growth of rutile TiO<sub>2</sub> induced by ZrSiO<sub>4</sub>| journal= [[Journal of Crystal Growth]]| year= 2012| volume=359| pages=83–91| url= https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02315198/document/#page=2 | doi=10.1016/j.jcrysgro.2012.08.015|arxiv=1303.2761| bibcode=2012JCrGr.359...83H | s2cid=94096447 }}
[[Image:Abnormal Grain Growth in Rutile.png|thumb|300px|[[रूटाइल|टाइटेनियम डाइऑक्साइड (TiO<sub>2</sub>)]] में असामान्य रेणु वृद्धि देखी गई। एक [[जिक्रोन]] माध्यमिक चरण की उपस्थिति से प्रेरित है।<ref name="ref1">{{cite journal| last1=Hanaor| first1=D. A. H. | last2=Xu| first2=W.|last3=Ferry|first3=M.|last4=Sorrell|first4=C. C. | title= Abnormal grain growth of rutile TiO<sub>2</sub> induced by ZrSiO<sub>4</sub>| journal= [[Journal of Crystal Growth]]| year= 2012| volume=359| pages=83–91| url= https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02315198/document/#page=2 | doi=10.1016/j.jcrysgro.2012.08.015|arxiv=1303.2761| bibcode=2012JCrGr.359...83H | s2cid=94096447 }}
</ref>]]#रूटाइल (TiO<sub>2</sub>) अक्सर एक प्रिज्मीय या विशेष क्रिस्टल आदत प्रदर्शित करता है। क्षार अपमिश्रक या ठोस अवस्था जिरकोन | ZrSiO की उपस्थिति में<sub>4</sub>डोपेंट, रूटाइल को असामान्य रूप से बड़े अनाज के रूप में एक माता-पिता [[एनाटेज]] चरण सामग्री से क्रिस्टलीकृत करने के लिए देखा गया है जो महीन समतुल्य एनाटेज या रूटाइल अनाज के मैट्रिक्स में मौजूद है।<ref name="ref1" /># अल अमीना, अल<sub>2</sub>O<sub>3</sub> [[सिलिका]] और/या [[yttria]] dopants/अशुद्धियों के साथ अवांछनीय AGG प्रदर्शित करने की सूचना दी गई है।<ref>{{cite journal| last1=Bae| first1=I.-J.|last2=Baik|first2=S.| title= एल्यूमिना की असामान्य अनाज वृद्धि| journal= [[J. Am. Ceram. Soc.]]| year=1997| volume=80| issue=5| pages=1149–1156|doi = 10.1111/j.1151-2916.1997.tb02957.x}}</ref>
</ref>]]टाइटेनियम डाइऑक्साइड (TiO<sub>2</sub>) प्रायः एक प्रिज़्मीय या विशेष वृद्धि के व्यवहार को प्रदर्शित करता है। क्षार अपमिश्रक या एक ठोस अवस्था ZrSiO<sub>4</sub> अपमिश्रक की उपस्थिति में, टाइटेनियम डाइऑक्साइड को असामान्य रूप से बड़े रेणु के रूप में मूल एनाटेज चरण पदार्थ से क्रिस्टलीकृत करने के लिए देखा गया है जो सूक्ष्म समान एनाटेज या टाइटेनियम डाइऑक्साइड रेणु के आधात्री में सम्मिलित है।<ref name="ref1" />
#बेटीओ<sub>3</sub> TiO की अधिकता के साथ [[बेरियम टाइटेनेट]]<sub>2</sub> इस सामग्री पीजोइलेक्ट्रिक प्रदर्शन पर गहरा परिणाम के साथ असामान्य अनाज वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए जाना जाता है।
 
#[[टंगस्टन कार्बाइड]] को अनाज की सीमाओं पर एक तरल कोबाल्ट युक्त चरण की उपस्थिति में अनाज के एजीजी प्रदर्शित करने की सूचना दी गई है<ref>{{cite journal| last1=Park| first1=Y. J.|last2=Hwang|first2=N. M.|last3=Yoon|first3=D. Y.| title=एक (सीओ) तरल मैट्रिक्स में मुखरित (डब्ल्यूसी) अनाज की असामान्य वृद्धि| journal=[[Metall. Mater. Trans.]]| year=1996| volume=27|issue=9| pages=2809–2819| doi=10.1007/bf02652373|bibcode=1996MMTA...27.2809P| s2cid=137080942}}</ref>
# सिलिका और/या येट्रिया अपमिश्रक/अशुद्धियों के साथ एल्यूमिना Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> को अवांछनीय असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने की सूचना दी गई है।<ref>{{cite journal| last1=Bae| first1=I.-J.|last2=Baik|first2=S.| title= एल्यूमिना की असामान्य अनाज वृद्धि| journal= [[J. Am. Ceram. Soc.]]| year=1997| volume=80| issue=5| pages=1149–1156|doi = 10.1111/j.1151-2916.1997.tb02957.x}}</ref>
#[[सिलिकॉन नाइट्राइड]] (Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>) α-Si में β-चरण सामग्री के आकार वितरण के आधार पर AGG प्रदर्शित कर सकता है<sub>3</sub>N<sub>4</sub> अग्रदूत। सिलिकॉन नाइट्राइड सामग्री के सख्त होने में इस प्रकार की अनाज वृद्धि का महत्व है<ref>{{cite journal| last1=Dressler| first1=W.| last2=Kleebe|first2=H.-J.|last3=Hoffmann|first3 = M. J.|first4 = M.|last4 = Rühle|first5 = G.|last5 = Petzow|title=सिलिकॉन नाइट्राइड में असामान्य अनाज वृद्धि से संबंधित मॉडल प्रयोग| journal= [[J. Eur. Ceram. Soc.]]| year=1996| volume=16|issue=1| pages=3–14| doi=10.1016/0955-2219(95)00175-1}}</ref>
# टाइटेनियम डाइऑक्साइड की अधिकता के साथ BaTiO<sub>3</sub> (बेरियम टाइटेनेट) इस पदार्थ दाब-विद्युत प्रदर्शन पर गहन परिणाम के साथ असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए जाना जाता है।
#[[ सिलिकन कार्बाइड ]] को बैलिस्टिक कवच में अनुप्रयोगों के परिणामों के साथ विस्तारित दरार टिप/वेक ब्रिजिंग अनाज देने वाली एजीजी प्रक्रियाओं के परिणाम के रूप में बेहतर फ्रैक्चर क्रूरता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया है। एजीजी प्रदर्शित करने वाली सिरेमिक सामग्रियों की इस प्रकार की क्रैक-ब्रिजिंग आधारित बढ़ी हुई फ्रैक्चर क्रूरता सिरेमिक में दरार प्रसार पर रिपोर्ट किए गए रूपात्मक प्रभावों के अनुरूप है।<ref name="ref3" />#Strontium barium niobate, [[ विद्युत प्रकाशिकी ]] और डाइइलेक्ट्रिक अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जाता है, सामग्री के इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण परिणामों के साथ AGG प्रदर्शित करने के लिए जाना जाता है<ref>{{cite journal| last1=Lee| first1=H.-Y.|last2=Freer|first2=R.| title= The mechanism of abnormal grain growth in Sr<sub>0.6</sub>Ba<sub>0.4</sub>Nb<sub>2</sub>O<sub>6</sub> ceramics| journal=[[J. Appl. Phys.]]| year=1997| volume=81| issue = 1| pages=376–382|doi = 10.1063/1.364122|bibcode=1997JAP....81..376L}}</ref>
#[[टंगस्टन कार्बाइड]] को रेणु की सीमाओं पर एक तरल कोबाल्ट युक्त चरण की उपस्थिति में रेणु के असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने की सूचना दी गई है।<ref>{{cite journal| last1=Park| first1=Y. J.|last2=Hwang|first2=N. M.|last3=Yoon|first3=D. Y.| title=एक (सीओ) तरल मैट्रिक्स में मुखरित (डब्ल्यूसी) अनाज की असामान्य वृद्धि| journal=[[Metall. Mater. Trans.]]| year=1996| volume=27|issue=9| pages=2809–2819| doi=10.1007/bf02652373|bibcode=1996MMTA...27.2809P| s2cid=137080942}}</ref>
#[[कैल्शियम टाइटेनेट]] (CaTiO<sub>3</sub>, पेरोव्स्काइट) [[बेरियम ऑक्साइड]] के साथ डोप किए गए सिस्टम ठोस चरणों के बीच पॉलीटाइप इंटरफेस के परिणामस्वरूप तरल के गठन के बिना एजीजी प्रदर्शित करने के लिए देखे गए हैं।<ref>{{cite journal| last=Recnik| first=A.| title= सिरेमिक में पॉलीटाइप प्रेरित अतिरंजित अनाज वृद्धि| journal= [[J. Eur. Ceram. Soc.]]| year=2001| volume=21|issue=10| pages=2117–2121| doi=10.1016/s0955-2219(01)00184-4}}</ref>
#[[सिलिकॉन नाइट्राइड]] (Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>) और α-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> अनुवेषक में β-चरण पदार्थ के आकार वितरण के आधार पर असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित कर सकता है। सिलिकॉन नाइट्राइड पदार्थ के प्रबल होने में इस प्रकार की रेणु वृद्धि का महत्व होता है।<ref>{{cite journal| last1=Dressler| first1=W.| last2=Kleebe|first2=H.-J.|last3=Hoffmann|first3 = M. J.|first4 = M.|last4 = Rühle|first5 = G.|last5 = Petzow|title=सिलिकॉन नाइट्राइड में असामान्य अनाज वृद्धि से संबंधित मॉडल प्रयोग| journal= [[J. Eur. Ceram. Soc.]]| year=1996| volume=16|issue=1| pages=3–14| doi=10.1016/0955-2219(95)00175-1}}</ref>
#[[ सिलिकन कार्बाइड | सिलिकन कार्बाइड]] को प्राक्षेपिकीय कवच में अनुप्रयोगों के परिणामों के साथ विस्तारित स्फोटन शीर्ष/प्रक्षिप्त जल संबंध रेणु देने वाली असामान्य रेणु वृद्धि प्रक्रियाओं के परिणाम के रूप में अधिकतम विभंजन कठोरता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया है। असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने वाली सिरेमिक पदार्थों की इस प्रकार की स्फोटन संबंध आधारित बढ़ी हुई विभंजन कठोरता सिरेमिक में स्फोटन प्रसार पर प्रकाशित किए गए रूपात्मक प्रभावों के अनुरूप होती है।<ref name="ref3" />
#स्ट्रोंटियम बेरियम नियोबेट, [[ विद्युत प्रकाशिकी |विद्युत प्रकाशिकी]] और परावैद्युत अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जाता है, पदार्थ के इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण परिणामों के साथ असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए जाना जाता है।<ref>{{cite journal| last1=Lee| first1=H.-Y.|last2=Freer|first2=R.| title= The mechanism of abnormal grain growth in Sr<sub>0.6</sub>Ba<sub>0.4</sub>Nb<sub>2</sub>O<sub>6</sub> ceramics| journal=[[J. Appl. Phys.]]| year=1997| volume=81| issue = 1| pages=376–382|doi = 10.1063/1.364122|bibcode=1997JAP....81..376L}}</ref>
#[[कैल्शियम टाइटेनेट]] (CaTiO<sub>3</sub>, पेरोव्स्काइट) [[बेरियम ऑक्साइड]] के साथ उन्मोदित किए गए प्रणाली मे ठोस चरणों के बीच बहुप्ररूप अन्तराफलक के परिणामस्वरूप तरल के निर्माण के बिना असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए देखे गए हैं।<ref>{{cite journal| last=Recnik| first=A.| title= सिरेमिक में पॉलीटाइप प्रेरित अतिरंजित अनाज वृद्धि| journal= [[J. Eur. Ceram. Soc.]]| year=2001| volume=21|issue=10| pages=2117–2121| doi=10.1016/s0955-2219(01)00184-4}}</ref>
 




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* क्रिस्टलीय
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* [http://www.virginia.edu/ep/SurfaceScience/Thermodynamics.html University of Virginia, Surface Energy]
* [http://www.virginia.edu/ep/SurfaceScience/Thermodynamics.html University of Virginia, Surface Energy]


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{{DEFAULTSORT:Abnormal grain growth}}
 
 


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Latest revision as of 16:28, 9 June 2023

रेणु की असामान्य या असंतत वृद्धि एक विषम सूक्ष्म की ओर ले जाती है जहां सीमित संख्या में क्रिस्टलीय शेष की तुलना में बहुत तीव्रता से बढ़ते हैं।

असामान्य या असंतुलित रेणु वृद्धि, जिसे अतिरंजित या द्वितीयक पुन: क्रिस्टलीकरण रेणु वृद्धि के रूप में भी जाना जाता है, एक रेणु वृद्धि की घटना है जिसके माध्यम से कुछ ऊर्जावान रूप से अनुकूल रेणु (क्रिस्टलीय) सूक्ष्म रेणु के एक आधात्री (भू-विज्ञान) में तीव्रता से बढ़ते हैं जिसके परिणामस्वरूप एक द्वि-बहुलक रेणु आकार विभाजन होता है।

सिरेमिक पदार्थ में इस घटना के परिणामस्वरूप स्फोटन प्रसार के प्रतिबाधा के माध्यम से अधिकतम विभंजन कठोरता के प्रतिबाधा बंधन के साथ सघन आधात्री में लम्बी प्रिज्मीय, सूच्याकार (स्फटिक के समान) रेणु का निर्माण हो सकता है।[1]


तंत्र

असामान्य रेणु वृद्धि (एजीजी) धातु या सिरेमिक प्रणालियों में एक या अधिक कई विशेषताओं का प्रदर्शन करती है[2][3]

  1. माध्यमिक चरण समावेशन, अवक्षेपण या अशुद्धियाँ एक निश्चित प्रभावसीमा सांद्रता से ऊपर होती है।
  2. विस्तृत पदार्थ में अंतरापृष्ठीय ऊर्जा (ठोस-तरल) या रेणु सीमा ऊर्जा (ठोस-ठोस) में उच्च विषमदैशिकता होती है।
  3. पतली परत के पदार्थों में अत्यधिक विषमदैशिक सतह ऊर्जा होती है।
  4. उच्च रासायनिक असमानता होती है।

हालांकि असामान्य रेणु वृद्धि परिघटना की हमारी मूलभूत समझ में कई अंतराल हैं, सभी स्थितियों में रेणु की असामान्य वृद्धि अंतराफलक प्रवसन की बहुत अधिक स्थानीय दरों के परिणामस्वरूप होती है और रेणु की सीमाओं पर तरल के स्थानीय निर्माण से बढ़ जाती है।

महत्व

रेणु की असामान्य वृद्धि को प्रायः सिरेमिक पदार्थ के निसादन के समय होने वाली एक अवांछनीय घटना के रूप में प्रदर्शित किया जाता है क्योंकि तीव्रता से बढ़ने वाले रेणु की सीमा को प्रबल करने के माध्यम से स्थूल पदार्थ की कठोरता को कम कर सकते हैं। हालांकि, नियंत्रित असामान्य रेणु वृद्धि लाने के लिए अपमिश्रक के नियंत्रित भूमिका का उपयोग सिरेमिक पदार्थ में तन्तु-प्रबल करने के लिए किया जा सकता है। दाब-विद्युत सिरेमिक में असामान्य रेणु वृद्धि की घटना दाब-विद्युत प्रभाव का क्षरण ला सकती है और इस प्रकार इन प्रणालियों में असामान्य रेणु वृद्धि से संरक्षित किया जाता है।

उदाहरण प्रणाली

टाइटेनियम डाइऑक्साइड (TiO2) में असामान्य रेणु वृद्धि देखी गई। एक जिक्रोन माध्यमिक चरण की उपस्थिति से प्रेरित है।[3]

टाइटेनियम डाइऑक्साइड (TiO2) प्रायः एक प्रिज़्मीय या विशेष वृद्धि के व्यवहार को प्रदर्शित करता है। क्षार अपमिश्रक या एक ठोस अवस्था ZrSiO4 अपमिश्रक की उपस्थिति में, टाइटेनियम डाइऑक्साइड को असामान्य रूप से बड़े रेणु के रूप में मूल एनाटेज चरण पदार्थ से क्रिस्टलीकृत करने के लिए देखा गया है जो सूक्ष्म समान एनाटेज या टाइटेनियम डाइऑक्साइड रेणु के आधात्री में सम्मिलित है।[3]

  1. सिलिका और/या येट्रिया अपमिश्रक/अशुद्धियों के साथ एल्यूमिना Al2O3 को अवांछनीय असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने की सूचना दी गई है।[4]
  2. टाइटेनियम डाइऑक्साइड की अधिकता के साथ BaTiO3 (बेरियम टाइटेनेट) इस पदार्थ दाब-विद्युत प्रदर्शन पर गहन परिणाम के साथ असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए जाना जाता है।
  3. टंगस्टन कार्बाइड को रेणु की सीमाओं पर एक तरल कोबाल्ट युक्त चरण की उपस्थिति में रेणु के असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने की सूचना दी गई है।[5]
  4. सिलिकॉन नाइट्राइड (Si3N4) और α-Si3N4 अनुवेषक में β-चरण पदार्थ के आकार वितरण के आधार पर असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित कर सकता है। सिलिकॉन नाइट्राइड पदार्थ के प्रबल होने में इस प्रकार की रेणु वृद्धि का महत्व होता है।[6]
  5. सिलिकन कार्बाइड को प्राक्षेपिकीय कवच में अनुप्रयोगों के परिणामों के साथ विस्तारित स्फोटन शीर्ष/प्रक्षिप्त जल संबंध रेणु देने वाली असामान्य रेणु वृद्धि प्रक्रियाओं के परिणाम के रूप में अधिकतम विभंजन कठोरता प्रदर्शित करने के लिए दिखाया गया है। असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने वाली सिरेमिक पदार्थों की इस प्रकार की स्फोटन संबंध आधारित बढ़ी हुई विभंजन कठोरता सिरेमिक में स्फोटन प्रसार पर प्रकाशित किए गए रूपात्मक प्रभावों के अनुरूप होती है।[1]
  6. स्ट्रोंटियम बेरियम नियोबेट, विद्युत प्रकाशिकी और परावैद्युत अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जाता है, पदार्थ के इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण परिणामों के साथ असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए जाना जाता है।[7]
  7. कैल्शियम टाइटेनेट (CaTiO3, पेरोव्स्काइट) बेरियम ऑक्साइड के साथ उन्मोदित किए गए प्रणाली मे ठोस चरणों के बीच बहुप्ररूप अन्तराफलक के परिणामस्वरूप तरल के निर्माण के बिना असामान्य रेणु वृद्धि प्रदर्शित करने के लिए देखे गए हैं।[8]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 Padture, N. P.; Lawn, B. R. (1994). "एक स्वस्थाने प्रेरित विषम अनाज संरचना के साथ एक सिलिकॉन कार्बाइड की कठोरता गुण". J. Am. Ceram. Soc. 77 (10): 2518–2522. doi:10.1111/j.1151-2916.1994.tb04637.x.
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बाहरी संबंध

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