कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड: Difference between revisions

From Vigyanwiki
(Created page with "{{chembox | verifiedrevid = | ImageFile = Chalcopyrite-unit-cell-3D-balls.png | ImageCaption = CIGS unit cell. Red = Cu, yellow = Se, blue = In/Ga | IUPACName = |Section1={{...")
 
No edit summary
 
(4 intermediate revisions by 3 users not shown)
Line 2: Line 2:
| verifiedrevid =  
| verifiedrevid =  
| ImageFile = Chalcopyrite-unit-cell-3D-balls.png
| ImageFile = Chalcopyrite-unit-cell-3D-balls.png
| ImageCaption = CIGS unit cell. Red = Cu, yellow = Se, blue = In/Ga
| ImageCaption = CIGS यूनिट सेल। लाल = Cu, पीला = Se, नीला = In/Ga
| IUPACName =  
| IUPACName =  
|Section1={{Chembox Identifiers
|Section1={{Chembox Identifiers
Line 45: Line 45:
}}
}}


कॉपर इंडियम गैलियम (डी) सेलेनाइड (सीआईजीएस) एक क्षार धातु-[[समूह 3 तत्व]]-[[समूह 6 तत्व]] है<sub>2</sub> सेमीकंडक्टर सामग्री तांबे, [[ ईण्डीयुम ]], [[गैलियम]] और [[सेलेनियम]] से बना है। सामग्री [[ ताँबा ]] इंडियम सेलेनाइड (अक्सर संक्षिप्त सीआईएस) और कॉपर गैलियम सेलेनाइड का एक ठोस समाधान है। इसका रासायनिक सूत्र CuIn है<sub>1−''x''</sub>यहाँ<sub>''x''</sub>से<sub>2</sub>, जहाँ x का मान 0 (शुद्ध कॉपर इंडियम सेलेनाइड) से 1 (शुद्ध कॉपर गैलियम सेलेनाइड) तक भिन्न हो सकता है। CIGS एक [[ चतुष्फलकीय ]]ी [[ रासायनिक बंध ]]ेड सेमीकंडक्टर है, जिसमें [[chalcopyrite]] क्रिस्टल संरचना होती है, और एक [[ ऊर्जा अंतराल ]] लगभग 1.0 eV (कॉपर इंडियम सेलेनाइड के लिए) से लगभग 1.7 eV (कॉपर गैलियम सेलेनाइड के लिए) x के साथ लगातार बदलता रहता है।
कॉपर इंडियम गैलियम (द्विसेलेनाइड) (सीआईजीएस) एक क्षार धातु-[[समूह 3 तत्व]]-[[समूह 6 तत्व|समूह 6<sub>2</sub> तत्व]] है सेमीकंडक्टर पदार्थ है जो कॉपर,[[ ईण्डीयुम | इंडियम]], [[गैलियम]] और [[सेलेनियम]] से बना है। इस पदार्थ में[[ ताँबा | ताँबा]] इंडियम सेलेनाइड (सीआईएस के रूप में संक्षेपित किया जाता है) और कॉपर गैलियम सेलेनाइड का एक ठोस समाधान होता है। इसका रासायनिक सूत्र CuIn<sub>1−''x''</sub>Ga<sub>''x''</sub>Se<sub>2</sub> होता है, जहां x की मान 0 (शुद्ध कॉपर इंडियम सेलेनाइड) से 1 (शुद्ध कॉपर गैलियम सेलेनाइड) तक विभिन्न हो सकती है। सीआईजीएस एक [[ चतुष्फलकीय |चतुष्फलकीय]] [[ रासायनिक बंध |रासायनिक बंध]] सेमीकंडक्टर है, जिसमें [[chalcopyrite|चैल्कोपाइट]] क्रिस्टल संरचना होती है, और एक [[ ऊर्जा अंतराल |ऊर्जा अंतराल]] लगभग 1.0 eV (कॉपर इंडियम सेलेनाइड के लिए) से लगभग 1.7 eV (कॉपर गैलियम सेलेनाइड के लिए) x के साथ लगातार बदलता रहता है।


== संरचना ==
== संरचना ==


सीआईजीएस च्लोकोपीराइट क्रिस्टल संरचना के साथ एक टेट्राहेड्रली रासायनिक बंधुआ अर्धचालक है। गर्म करने पर यह [[जिंक ब्लेंड]] रूप में बदल जाता है और संक्रमण तापमान x = 0 के लिए 1045 °C से घटकर x = 1 के लिए 805 °C हो जाता है।<ref name=str/>
सीआईजीएस एक त्रिकोणात्मक बंधित सेमीकंडक्टर है, जिसमें चैल्कोपाइट संरचना होती है। गर्म करने पर इसे [[जिंक ब्लेंड]] रूप में परिवर्तित किया जाता है और संक्रमण तापमान x = 0 के लिए 1045 °C से x = 1 के लिए 805 °C तक कम होता है।<ref name=str/>




== अनुप्रयोग ==
== अनुप्रयोग ==


[[कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल]] कोशिकाओं के लिए सामग्री के रूप में सबसे अच्छी तरह से जाना जाता है, एक [[पतली फिल्म सौर सेल]] | [[फोटोवोल्टिक]] उद्योग में उपयोग की जाने वाली पतली फिल्म तकनीक।<ref>{{Cite web|url=http://www1.eere.energy.gov/solar/review_meeting/pdfs/prm2009_contreras_cigs.pdf|title=डीओई सोलर एनर्जी टेक्नोलॉजीज प्रोग्राम पीयर रिव्यू|publisher=U.S. department of energy 2009|access-date=10 February 2011}}</ref> इस भूमिका में, सीआईजीएस को लचीला सब्सट्रेट सामग्री पर जमा करने में सक्षम होने का लाभ मिलता है, जो अत्यधिक लचीला, हल्के सौर पैनलों का उत्पादन करता है। दक्षता में सुधार ने CIGS को वैकल्पिक सेल सामग्री के बीच एक स्थापित तकनीक बना दिया है।
[[कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल]] कोशिकाओं के लिए सामग्री के रूप में सबसे अच्छी तरह से जाना जाता है, एक [[पतली फिल्म सौर सेल]] | [[फोटोवोल्टिक]] उद्योग में उपयोग की जाने वाली पतली फिल्म तकनीक।<ref>{{Cite web|url=http://www1.eere.energy.gov/solar/review_meeting/pdfs/prm2009_contreras_cigs.pdf|title=डीओई सोलर एनर्जी टेक्नोलॉजीज प्रोग्राम पीयर रिव्यू|publisher=U.S. department of energy 2009|access-date=10 February 2011}}</ref> इस भूमिका में, सीआईजीएस का एक लाभ है कि यह मुलायम प्रतिधारक सामग्री पर ठोस किया जा सकता है, जिससे उच्चतम लचीलापन और हल्के सौर पैनल उत्पन्न होते हैं। प्रदर्शन की सुधार ने सीआईजीएस को वैकल्पिक सेल सामग्रियों के बीच स्थापित तकनीक बना दिया है।


== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
* कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल
* कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल
*[[सीजेडटीएस]]
*[[सीजेडटीएस]]
*[[CIGS कंपनियों की सूची]]
*[[CIGS कंपनियों की सूची|सीआईजीएस कंपनियों की सूची]]


==संदर्भ==
==संदर्भ==
{{reflist}}
{{reflist}}
{{Selenides}}
{{Selenides}}
[[Category: सेमीकंडक्टर सामग्री]] [[Category: कॉपर (I) यौगिक]] [[Category: इंडियम यौगिक]] [[Category: गैलियम यौगिक]] [[Category: सेलेनाइड्स]] [[Category: नवीकरणीय ऊर्जा]] [[Category: डाइचलकोजेनाइड्स]]


 
[[Category:Articles containing unverified chemical infoboxes]]
 
[[Category:Articles without EBI source]]
[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category:Articles without InChI source]]
[[Category:Articles without KEGG source]]
[[Category:Articles without UNII source]]
[[Category:Chemicals without a PubChem CID]]
[[Category:Created On 12/05/2023]]
[[Category:Created On 12/05/2023]]
[[Category:ECHA InfoCard ID from Wikidata]]
[[Category:E number from Wikidata]]
[[Category:Lua-based templates]]
[[Category:Machine Translated Page]]
[[Category:Pages with script errors]]
[[Category:Templates Vigyan Ready]]
[[Category:Templates that add a tracking category]]
[[Category:Templates that generate short descriptions]]
[[Category:Templates using TemplateData]]
[[Category:इंडियम यौगिक]]
[[Category:कॉपर (I) यौगिक]]
[[Category:गैलियम यौगिक]]
[[Category:डाइचलकोजेनाइड्स]]
[[Category:नवीकरणीय ऊर्जा]]
[[Category:सेमीकंडक्टर सामग्री]]
[[Category:सेलेनाइड्स]]

Latest revision as of 15:53, 14 June 2023

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड
Chalcopyrite-unit-cell-3D-balls.png
CIGS यूनिट सेल। लाल = Cu, पीला = Se, नीला = In/Ga
Identifiers
ChemSpider
Properties
CuIn1−xGaxSe2
Molar mass
Density ~5.7 g/cm3
Melting point 1,070 to 990 °C (1,960 to 1,810 °F; 1,340 to 1,260 K) (x = 0–1)[1]
Band gap 1.0–1.7 eV (x = 0–1)[1]
Structure
tetragonal, Pearson symbol tI16 [1]
I42d
a = 0.56–0.58 nm (x = 0–1), c = 1.10–1.15 nm (x = 0–1)
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).

कॉपर इंडियम गैलियम (द्विसेलेनाइड) (सीआईजीएस) एक क्षार धातु-समूह 3 तत्व-समूह 62 तत्व है सेमीकंडक्टर पदार्थ है जो कॉपर, इंडियम, गैलियम और सेलेनियम से बना है। इस पदार्थ में ताँबा इंडियम सेलेनाइड (सीआईएस के रूप में संक्षेपित किया जाता है) और कॉपर गैलियम सेलेनाइड का एक ठोस समाधान होता है। इसका रासायनिक सूत्र CuIn1−xGaxSe2 होता है, जहां x की मान 0 (शुद्ध कॉपर इंडियम सेलेनाइड) से 1 (शुद्ध कॉपर गैलियम सेलेनाइड) तक विभिन्न हो सकती है। सीआईजीएस एक चतुष्फलकीय रासायनिक बंध सेमीकंडक्टर है, जिसमें चैल्कोपाइट क्रिस्टल संरचना होती है, और एक ऊर्जा अंतराल लगभग 1.0 eV (कॉपर इंडियम सेलेनाइड के लिए) से लगभग 1.7 eV (कॉपर गैलियम सेलेनाइड के लिए) x के साथ लगातार बदलता रहता है।

संरचना

सीआईजीएस एक त्रिकोणात्मक बंधित सेमीकंडक्टर है, जिसमें चैल्कोपाइट संरचना होती है। गर्म करने पर इसे जिंक ब्लेंड रूप में परिवर्तित किया जाता है और संक्रमण तापमान x = 0 के लिए 1045 °C से x = 1 के लिए 805 °C तक कम होता है।[1]


अनुप्रयोग

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल कोशिकाओं के लिए सामग्री के रूप में सबसे अच्छी तरह से जाना जाता है, एक पतली फिल्म सौर सेल | फोटोवोल्टिक उद्योग में उपयोग की जाने वाली पतली फिल्म तकनीक।[2] इस भूमिका में, सीआईजीएस का एक लाभ है कि यह मुलायम प्रतिधारक सामग्री पर ठोस किया जा सकता है, जिससे उच्चतम लचीलापन और हल्के सौर पैनल उत्पन्न होते हैं। प्रदर्शन की सुधार ने सीआईजीएस को वैकल्पिक सेल सामग्रियों के बीच स्थापित तकनीक बना दिया है।

यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 1.3 Tinoco, T.; Rincón, C.; Quintero, M.; Pérez, G. Sánchez (1991). "Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys". Physica Status Solidi A. 124 (2): 427. Bibcode:1991PSSAR.124..427T. doi:10.1002/pssa.2211240206.
  2. ↑ "डीओई सोलर एनर्जी टेक्नोलॉजीज प्रोग्राम पीयर रिव्यू" (PDF). U.S. department of energy 2009. Retrieved 10 February 2011.
Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=कॉपर_इंडियम_गैलियम_सेलेनाइड&oldid=187416’