जीडीडीआर4 एसडीआरएएम: Difference between revisions

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== इतिहास ==
== इतिहास ==
* 26 अक्टूबर 2005 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी का विकसित किया है, जो 2.5 जीबीट/सेकंड पर चलने वाले 256-[[Mebibit|मेगाबिट]] चिप  है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 जीबीट/सेकंड रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।<ref>{{cite web |title=Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM |url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-industrys-first-ultra-fast-gddr4-graphics-dram/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=8 July 2019 |date=October 26, 2005}}</ref>
* 26 अक्टूबर 2005 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने घोषणा की कि उसने पहली जीडीडीआर4 मेमोरी का विकसित किया है, जो 2.5 जीबीट/सेकंड पर चलने वाले 256-[[Mebibit|मेगाबिट]] चिप  है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 जीबीट/सेकंड रेटेड जीडीडीआर4 एसडीआरएएम का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।<ref>{{cite web |title=Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM |url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-industrys-first-ultra-fast-gddr4-graphics-dram/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=8 July 2019 |date=October 26, 2005}}</ref>
* 2005 में, [[Hynix|हायनिक्स]] ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप का विकसित किया गया था।<ref name="hynix2000s">{{cite web |title=History: 2000s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2000.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019}}</ref>
* 2005 में, [[Hynix|हायनिक्स]] ने पहली 512-Mbit जीडीडीआर4 मेमोरी चिप का विकसित किया गया था।<ref name="hynix2000s">{{cite web |title=History: 2000s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2000.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019}}</ref>
* 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबीट/सेकंड स्थानांतरित करने में सक्षम है।<ref>[http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060214_0000233753.htm Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density]</ref>
* 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबीट/सेकंड स्थानांतरित करने में सक्षम है।<ref>[http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060214_0000233753.htm Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density]</ref>
* 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM की मास्टर प्रोडक्शन की घोषणा की, जो प्रति पिन 2.4 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 9.6 जीबीबाइट/सेकंड के रेट की है। यह योजना तो हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने की थी, लेकिन इससे कम-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR के प्रदर्शन से मेल नहीं कर पाती थी।<ref>[https://web.archive.org/web/20060706142817/http://www.tgdaily.com/2006/07/05/samsung_gddr4/ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production]</ref>
* 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम की मास्टर प्रोडक्शन की घोषणा की, जो प्रति पिन 2.4 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 9.6 जीबीबाइट/सेकंड के रेट की है। यह योजना तो हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर एक्सडीआर ड्रामा के प्रदर्शन से मेल खाने की थी, लेकिन इससे कम-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR के प्रदर्शन से मेल नहीं कर पाती थी।<ref>[https://web.archive.org/web/20060706142817/http://www.tgdaily.com/2006/07/05/samsung_gddr4/ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production]</ref>
* 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबीट/सेकंड प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ [[एएमडी]] कार्ड के लिए किया गया था।<ref>{{cite web |url=http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |title=Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM |work=[[The Inquirer]] |url-status=unfit |archive-url=https://web.archive.org/web/20070212033434/http://theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |archive-date=2007-02-12}}</ref>
* 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबीट/सेकंड प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ [[एएमडी]] कार्ड के लिए किया गया था।<ref>{{cite web |url=http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |title=Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM |work=[[The Inquirer]] |url-status=unfit |archive-url=https://web.archive.org/web/20070212033434/http://theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |archive-date=2007-02-12}}</ref>
* 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM की घोषणा की, जिसकी प्रति पिन रेटिंग 4.0 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 16 जीबीबाइट/सेकंड है, और उम्मीद की जाती है कि इस मेमोरी को साल 2007 के अंत तक वाणिज्यिक रूप में उपलब्ध ग्राफिक्स कार्डों पर दिखाई देगी। .<ref>[https://web.archive.org/web/20070225083354/http://www.tgdaily.com/2007/02/23/samsung_gddr/ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz]</ref>
* 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम की घोषणा की, जिसकी प्रति पिन रेटिंग 4.0 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 16 जीबीबाइट/सेकंड है, और उम्मीद की जाती है कि इस मेमोरी को साल 2007 के अंत तक वाणिज्यिक रूप में उपलब्ध ग्राफिक्स कार्डों पर दिखाई देगी। .<ref>[https://web.archive.org/web/20070225083354/http://www.tgdaily.com/2007/02/23/samsung_gddr/ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz]</ref>




== टेक्नोलॉजीज ==
== टेक्नोलॉजीज ==
GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। [[प्रीफैच बफर]] को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।
जीडीडीआर4 एसडीआरएएम ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। [[प्रीफैच बफर]] को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। जीडीडीआर4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। जीडीडीआर3 एसडीआरएएम के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, जीडीडीआर4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के जीडीडीआर3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।


डेटा बस उलटा ने एड्रेस/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलट जाती है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस तरीके से, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।<ref>{{cite conference
डेटा बस उलटा ने एड्रेस/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलट जाती है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस तरीके से, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।<ref>{{cite conference
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}}  This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.</ref>{{Rp|9}} इससे बिजली की खपत और [[ जमीन उछाल |जमीन उछाल]] को कम करता है।
}}  This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.</ref>{{Rp|9}} इससे बिजली की खपत और [[ जमीन उछाल |जमीन उछाल]] को कम करता है।


साइनलिंग के स्थितियों में, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट्स प्रति दो साइकिल तक विस्तारित करता है, जिससे बर्स्ट ट्रांसमिशन के दौरान अधिक सुस्त संचार बैंडविड्थ संभव होती है, लेकिन इसके खर्चे में CAS लैटेंसी (CL) में काफी बढ़ोतरी होती है, जो मुख्य रूप से पते/कमांड पिन्स की दोहरी कमी और आधी-क्लॉक डीआरएएम सेल्स के कारण GDDR3 के संग्रहित काउंट की तुलना में होती है। एड्रेस/कमांड पिन्स की संख्या को GDDR3 कोर की आधी कर दी गई थी, और इन्हें पावर और ग्राउंड के लिए उपयोग किया गया, जिससे लैटेंसी भी बढ़ती है। GDDR4 का एक और लाभ पावर अधिकता है: 2.4 जीबीट/सेकंड पर चलने पर, इसकी शक्ति GDDR3 चिप्स से 2.0 जीबीट/सेकंड पर चलने पर तुलना में 45% कम खपत करती है।
साइनलिंग के स्थितियों में, जीडीडीआर4 चिप I/O बफर को 8 बिट्स प्रति दो साइकिल तक विस्तारित करता है, जिससे बर्स्ट ट्रांसमिशन के दौरान अधिक सुस्त संचार बैंडविड्थ संभव होती है, लेकिन इसके खर्चे में CAS लैटेंसी (CL) में काफी बढ़ोतरी होती है, जो मुख्य रूप से पते/कमांड पिन्स की दोहरी कमी और आधी-क्लॉक डीआरएएम सेल्स के कारण जीडीडीआर3 के संग्रहित काउंट की तुलना में होती है। एड्रेस/कमांड पिन्स की संख्या को जीडीडीआर3 कोर की आधी कर दी गई थी, और इन्हें पावर और ग्राउंड के लिए उपयोग किया गया, जिससे लैटेंसी भी बढ़ती है। जीडीडीआर4 का एक और लाभ पावर अधिकता है: 2.4 जीबीट/सेकंड पर चलने पर, इसकी शक्ति जीडीडीआर3 चिप्स से 2.0 जीबीट/सेकंड पर चलने पर तुलना में 45% कम खपत करती है।


सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 [[SGRAM]]', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।
सैमसंग के जीडीडीआर4 एसडीआरएएम डेटाशीट में, इसे 'जीडीडीआर4 [[SGRAM]]', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।


== दत्तक ग्रहण ==
== दत्तक ग्रहण ==
वीडियो मेमोरी निर्माता कंपनी [[Qimonda|किमोंडा]] (पूर्व में [[Infineon|इनफीनियन]] मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।<ref>[http://news.softpedia.com/news/Qimonda-Plans-GDDR5-50282.shtml Softpedia report]</ref>
वीडियो मेमोरी निर्माता कंपनी [[Qimonda|किमोंडा]] (पूर्व में [[Infineon|इनफीनियन]] मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह जीडीडीआर4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे जीडीडीआर5 पर चला जाएगा।<ref>[http://news.softpedia.com/news/Qimonda-Plans-GDDR5-50282.shtml Softpedia report]</ref>




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==संदर्भ==
==संदर्भ==
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==बाहरी संबंध==
==बाहरी संबंध==
* [https://web.archive.org/web/20150128201329/http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20040505122429.html X-Bit Labs (GDDR4 closing in)]
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* [https://web.archive.org/web/20141228073217/http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20060214062714.html X-Bit Labs (GDDR4 achieving 3.2 GHz)]
* [https://web.archive.org/web/20141228073217/http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20060214062714.html X-Bit Labs (जीडीडीआर4 achieving 3.2 GHz)]
* [https://web.archive.org/web/20131203095557/http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3781 DailyTech (ATI X1950 Now September 14)]
* [https://web.archive.org/web/20131203095557/http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3781 DailyTech (ATI X1950 Now September 14)]
* [https://web.archive.org/web/20131203100000/http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3446 DailyTech (ATI Radeon X1950 Announced)]
* [https://web.archive.org/web/20131203100000/http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3446 DailyTech (ATI Radeon X1950 Announced)]
* [https://web.archive.org/web/20131203100546/http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3162 (Samsung Shipping Production GDDR4)]
* [https://web.archive.org/web/20131203100546/http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3162 (Samsung Shipping Production जीडीडीआर4)]
* [http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060705_0000273583.htm Samsung Mass Producing Most Advanced Graphics Memory: GDDR4, press release]
* [http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060705_0000273583.htm Samsung Mass Producing Most Advanced Graphics Memory: जीडीडीआर4, press release]
 
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Latest revision as of 16:31, 26 October 2023

जीडीडीआर4 एसडीआरएएम, जो ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, JEDEC अर्धचालक मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट का एक प्रकार का चित्रोपमा पत्रक रैंडम एक्सेस मेमोरी (SGRAM) है।[1][2] यह Rambus के एक्सडीआर ड्रामा का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। जीडीडीआर4 डीडीआर3 एसडीआरएएम प्रौद्योगिकी पर आधारित है और इसका उद्देश्य डीडीआर2 एसडीआरएएम-पर आधारितजीडीडीआर3 को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर जीडीडीआर5 द्वारा बदल दिया गया था।

इतिहास

  • 26 अक्टूबर 2005 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने घोषणा की कि उसने पहली जीडीडीआर4 मेमोरी का विकसित किया है, जो 2.5 जीबीट/सेकंड पर चलने वाले 256-मेगाबिट चिप है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 जीबीट/सेकंड रेटेड जीडीडीआर4 एसडीआरएएम का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।[3]
  • 2005 में, हायनिक्स ने पहली 512-Mbit जीडीडीआर4 मेमोरी चिप का विकसित किया गया था।[4]
  • 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबीट/सेकंड स्थानांतरित करने में सक्षम है।[5]
  • 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम की मास्टर प्रोडक्शन की घोषणा की, जो प्रति पिन 2.4 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 9.6 जीबीबाइट/सेकंड के रेट की है। यह योजना तो हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर एक्सडीआर ड्रामा के प्रदर्शन से मेल खाने की थी, लेकिन इससे कम-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR के प्रदर्शन से मेल नहीं कर पाती थी।[6]
  • 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबीट/सेकंड प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ एएमडी कार्ड के लिए किया गया था।[7]
  • 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम की घोषणा की, जिसकी प्रति पिन रेटिंग 4.0 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 16 जीबीबाइट/सेकंड है, और उम्मीद की जाती है कि इस मेमोरी को साल 2007 के अंत तक वाणिज्यिक रूप में उपलब्ध ग्राफिक्स कार्डों पर दिखाई देगी। .[8]


टेक्नोलॉजीज

जीडीडीआर4 एसडीआरएएम ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। प्रीफैच बफर को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। जीडीडीआर4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। जीडीडीआर3 एसडीआरएएम के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, जीडीडीआर4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के जीडीडीआर3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।

डेटा बस उलटा ने एड्रेस/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलट जाती है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस तरीके से, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।[9]: 9  इससे बिजली की खपत और जमीन उछाल को कम करता है।

साइनलिंग के स्थितियों में, जीडीडीआर4 चिप I/O बफर को 8 बिट्स प्रति दो साइकिल तक विस्तारित करता है, जिससे बर्स्ट ट्रांसमिशन के दौरान अधिक सुस्त संचार बैंडविड्थ संभव होती है, लेकिन इसके खर्चे में CAS लैटेंसी (CL) में काफी बढ़ोतरी होती है, जो मुख्य रूप से पते/कमांड पिन्स की दोहरी कमी और आधी-क्लॉक डीआरएएम सेल्स के कारण जीडीडीआर3 के संग्रहित काउंट की तुलना में होती है। एड्रेस/कमांड पिन्स की संख्या को जीडीडीआर3 कोर की आधी कर दी गई थी, और इन्हें पावर और ग्राउंड के लिए उपयोग किया गया, जिससे लैटेंसी भी बढ़ती है। जीडीडीआर4 का एक और लाभ पावर अधिकता है: 2.4 जीबीट/सेकंड पर चलने पर, इसकी शक्ति जीडीडीआर3 चिप्स से 2.0 जीबीट/सेकंड पर चलने पर तुलना में 45% कम खपत करती है।

सैमसंग के जीडीडीआर4 एसडीआरएएम डेटाशीट में, इसे 'जीडीडीआर4 SGRAM', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।

दत्तक ग्रहण

वीडियो मेमोरी निर्माता कंपनी किमोंडा (पूर्व में इनफीनियन मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह जीडीडीआर4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे जीडीडीआर5 पर चला जाएगा।[10]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ "Standards & Documents Search: sgram". www.jedec.org. Retrieved 9 September 2013.
  2. ↑ "Standards & Documents Search: gddr4". www.jedec.org. Retrieved 9 September 2013.
  3. ↑ "Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM". Samsung Semiconductor. Samsung. October 26, 2005. Retrieved 8 July 2019.
  4. ↑ "History: 2000s". SK Hynix. Retrieved 8 July 2019.
  5. ↑ Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density
  6. ↑ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production
  7. ↑ "Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM". The Inquirer. Archived from the original on 2007-02-12.{{cite web}}: CS1 maint: unfit URL (link)
  8. ↑ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz
  9. ↑ Choi, J.S. (2011). DDR4 Mini Workshop (PDF). Server Memory Forum 2011. This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.
  10. ↑ Softpedia report

बाहरी संबंध

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