एनवीडीआईएमएम: Difference between revisions

From Vigyanwiki
No edit summary
No edit summary
 
(4 intermediate revisions by 3 users not shown)
Line 1: Line 1:
{{short description|Type of random-access memory for computers}}
{{short description|Type of random-access memory for computers}}
एक '''एनवीडीआईएमएम''' (उच्चारण एन-वी-डिम) या गैर-अस्थिरता [[डीआईएमएम]] व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले डीआईएमएम फॉर्म-कारकों का उपयोग करने वाले कंप्यूटरों के लिए एक प्रकार की निरन्तर [[ रैंडम एक्सेस मेमोरी |रैंडम एक्सेस मेमोरी]] है। गैर-अस्थिरता मेमोरी वह मेमोरी है जो विद्युत ऊर्जा को हटा दिए जाने पर भी अपनी सामग्री को बरकरार रखती है, उदाहरण के लिए अप्रत्याशित बिजली की हानि, सिस्टम क्रैश या सामान्य शटडाउन से। उचित रूप से उपयोग किए जाने पर, एनवीडीआईएमएम एप्लिकेशन प्रदर्शन और सिस्टम क्रैश रिकवरी समय में सुधार कर सकते है।<ref name=":0" /> वे [[ ठोस राज्य ड्राइव |सॉलिड-स्टेट स्टोरेज डिवाइस]] (SSD) सहनशक्ति और विश्वसनीयता को बढ़ाते हैं।<ref>{{cite web|url=https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|title=नंद फ्लैश मेमोरी का अंधकारमय भविष्य|last=Grupp|first=Laura M.|last2=Davis|first2=John|date=February 2012|website=|publisher=[[Microsoft Research]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20190210024254/https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|archive-date=2019-02-10|url-status=live|accessdate=2014-05-08|last3=Swanson|first3=Steven}}</ref><ref>{{cite web|url=https://www.storagenewsletter.com/2013/03/11/ohio-state-university-and-hp-labs-ssds/|title=SSDs बड़े पैमाने पर डेटा हानि का जोखिम उठाते हैं|last=Maleval|first=Jean Jacques|date=2013-03-11|work=Storage Newsletter |accessdate=2013-09-06|url-access=subscription}}</ref>
'''एनवीडीआईएमएम''' (उच्चारण एन-वी-डिम) या गैर-अस्थिरता [[डीआईएमएम]] व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले डीआईएमएम फॉर्म-कारकों का उपयोग करने वाले कंप्यूटरों के लिए विशेष प्रकार की निरंतर [[ रैंडम एक्सेस मेमोरी |रैंडम एक्सेस मेमोरी]] होती है। इस प्रकार गैर-अस्थिरता मेमोरी वह मेमोरी होती है जो इस प्रकार विद्युत ऊर्जा को हटा दिए जाने पर भी अपनी सामग्री को प्रस्तुत रखती है, उदाहरण के लिए अप्रत्याशित विद्युत की हानि, प्रणाली क्रैश या सामान्य शटडाउन से हो जाता हैं। इस प्रकार उचित रूप से उपयोग किए जाने पर, एनवीडीआईएमएम एप्लिकेशन प्रदर्शन और प्रणाली क्रैश रिकवरी समय में सुधार कर सकते है।<ref name=":0" /> इस प्रकार [[ ठोस राज्य ड्राइव |सॉलिड-स्टेट स्टोरेज डिवाइस]] (एसएसडी) सहनशक्ति और विश्वसनीयता को बढ़ाते हैं।<ref>{{cite web|url=https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|title=नंद फ्लैश मेमोरी का अंधकारमय भविष्य|last=Grupp|first=Laura M.|last2=Davis|first2=John|date=February 2012|website=|publisher=[[Microsoft Research]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20190210024254/https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|archive-date=2019-02-10|url-status=live|accessdate=2014-05-08|last3=Swanson|first3=Steven}}</ref><ref>{{cite web|url=https://www.storagenewsletter.com/2013/03/11/ohio-state-university-and-hp-labs-ssds/|title=SSDs बड़े पैमाने पर डेटा हानि का जोखिम उठाते हैं|last=Maleval|first=Jean Jacques|date=2013-03-11|work=Storage Newsletter |accessdate=2013-09-06|url-access=subscription}}</ref>
कई गैर-अस्थिरता उत्पाद सामान्य कार्य के समय अस्थिरता मेमोरी का उपयोग करते हैं और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करके डेटा को गैर-अस्थिरता मेमोरी में छोड़ देते हैं। अस्थिर स्मृति गैर-अस्थिरता से तेज़ है; यह बाइट-एड्रेसेबल है; और पहनने और डिवाइस के जीवनकाल के बारे में चिंता किए बिना इसे मनमाने ढंग से लिखा जा सकता है। चूंकि, गैर-अस्थिरता (और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत) को प्राप्त करने के लिए दूसरी मेमोरी सहित अस्थिरता मेमोरी की तुलना में उत्पाद लागत बढ़ जाती है।


विकास में कई उभरती हुई गैर-अस्थिरता यादें हैं और कुछ जिन्हें [[मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम]] (एमआरएएम) और इंटेल के [[3डी एक्सपॉइंट]] सहित शुभारंभ (लॉन्च) किया गया है। एमआरएएम की तरह, [[कार्बन नैनोट्यूब]] पर आधारित [[नैनो-रैम]] एक ऐसी तकनीक है जो प्रदर्शन, बाइट-एड्रेसेबिलिटी और डिवाइस लाइफ के मानदंड पर डीआरएएम के करीब आने का इरादा रखती है; फैब्रिकेशन पार्टनर फुजित्सु से मध्यम घनत्व पर 2021 में पहले उत्पादों की उम्मीद है।<ref name="Clarke2020">{{cite web  
सामान्यतः अनेक गैर-अस्थिरता उत्पाद सामान्य कार्य के समय अस्थिरता मेमोरी का उपयोग करते हैं और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करके डेटा को गैर-अस्थिरता मेमोरी में छोड़ देते हैं। इस प्रकार अस्थिर स्मृति गैर-अस्थिरता से तेज़ होती है, यह बाइट-एड्रेसेबल होती है और इस प्रकार डिवाइस के जीवनकाल के बारे में चिंता किए बिना इसे स्वयं से लिखा जा सकता है। चूंकि गैर-अस्थिरता (और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत) को प्राप्त करने के लिए दूसरी मेमोरी सहित अस्थिरता मेमोरी की तुलना में उत्पाद लागत बढ़ जाती है।
 
विकास में अनेक उभरती हुई गैर-अस्थिरता होती हैं और कुछ जिन्हें [[मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम]] (एमआरएएम) और इंटेल के [[3डी एक्सपॉइंट]] सहित शुभारंभ (लॉन्च) किया गया है। इस प्रकार एमआरएएम के समान, [[कार्बन नैनोट्यूब]] पर आधारित [[नैनो-रैम]] ऐसी विधि होती है जो इस प्रकार प्रदर्शन, बाइट-एड्रेसेबिलिटी और डिवाइस लाइफ के मानदंड पर डीआरएएम के समीप आने का आशय रखती है, अतः फैब्रिकेशन पार्टनर फुजित्सु से मध्यम घनत्व पर सन्न 2021 में पहले उत्पादों की उम्मीद होती है।<ref name="Clarke2020">{{cite web  
   |url=https://www.eenewsanalog.com/news/first-carbon-nanotube-nram-products-due-2020-says-nantero  
   |url=https://www.eenewsanalog.com/news/first-carbon-nanotube-nram-products-due-2020-says-nantero  
   |accessdate=19 September 2020
   |accessdate=19 September 2020
Line 12: Line 13:
   |website=eenewsanalog.com  
   |website=eenewsanalog.com  
   |publisher=European Business Press  
   |publisher=European Business Press  
}}</ref> इस तकनीक का लक्ष्य लागत को प्रभावी रूप से बाहर निकालने में सक्षम है, इसलिए निरन्तर मेमोरी DRAM को एंटरप्राइज़ सिस्टम में मुख्य सिस्टम मेमोरी के रूप में बदल सकती है।<ref name=":0">{{Citation|title=Non-Volatile Memory and Its Use in Enterprise Applications|date=January 2014|url=http://snia.org/sites/default/files/Non-Volatile%20Memory%20&%20Its%20Use%20in%20Enterprise%20Applications.pdf|others=Viking Technology|publisher=[[Storage Networking Industry Association|SNIA]]}}</ref>
}}</ref> इस प्रकार इस विधि का लक्ष्य लागत को प्रभावी रूप से बाहर निकालने में सक्षम होते है, इसलिए निरंतर मेमोरी डीरैम को एंटरप्राइज़ प्रणाली में मुख्य प्रणाली मेमोरी के रूप में परिवर्तित कर सकती है।<ref name=":0">{{Citation|title=Non-Volatile Memory and Its Use in Enterprise Applications|date=January 2014|url=http://snia.org/sites/default/files/Non-Volatile%20Memory%20&%20Its%20Use%20in%20Enterprise%20Applications.pdf|others=Viking Technology|publisher=[[Storage Networking Industry Association|SNIA]]}}</ref>


== प्रकार ==
== प्रकार ==
[[JEDEC]] मानक संगठन द्वारा तीन प्रकार के एनवीडीआईएमएम कार्यान्वयन हैं:<ref>{{cite web|url=http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|title=NVDIMM कार्ड के युग में आपका स्वागत है|last=Golander|first=Amit|date=2015-08-23|work=Plexistor|archive-url=https://web.archive.org/web/20181223030214/http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|archive-date=2018-12-23|url-status=live|accessdate=2015-08-23}}</ref>
[[JEDEC|जेडईसी]] मानक संगठन द्वारा तीन प्रकार के एनवीडीआईएमएम कार्यान्वयन होती हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|title=NVDIMM कार्ड के युग में आपका स्वागत है|last=Golander|first=Amit|date=2015-08-23|work=Plexistor|archive-url=https://web.archive.org/web/20181223030214/http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|archive-date=2018-12-23|url-status=live|accessdate=2015-08-23}}</ref>
*NVDIMM-F: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM। सिस्टम उपयोगकर्ताओं को एक पारंपरिक DRAM DIMM के साथ स्टोरेज DIMM को पेयर करना होगा। जबकि कोई आधिकारिक मानक नहीं है, एनवीडीआईएमएम-एफ प्रकार के मॉड्यूल 2014 से उपलब्ध हैं।
*एनवीडीआईएमएम -एफ: फ्लैश स्टोरेज के साथ डीआईएमएम होती हैं। इस प्रकार प्रणाली उपयोगकर्ताओं को पारंपरिक डीरैम डीआईएमएम के साथ स्टोरेज डीआईएमएम को समरूप करना होता है। जबकि कोई आधिकारिक मानक नहीं होता है, एनवीडीआईएमएम-एफ विशेष प्रकार के प्रारूप सन्न 2014 से उपलब्ध होते हैं।
*NVDIMM-N: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM और एक ही मॉड्यूल पर पारंपरिक DRAM। सिस्टम रनटाइम के समय कंप्यूटर पारंपरिक DRAM को सीधे एक्सेस करता है। बिजली की विफलता की स्थिति में, मॉड्यूल अस्थिर पारंपरिक DRAM से डेटा को निरन्तर फ्लैश मेमोरी में कॉपी करता है, और बिजली बहाल होने पर इसे वापस कॉपी करता है। यह मॉड्यूल के लिए एक छोटे बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करता है जबकि डीआरएएम में डेटा को फ्लैश स्टोरेज में कॉपी किया जा रहा है।
*एनवीडीआईएमएम -एन: फ्लैश स्टोरेज के साथ डीआईएमएम और प्रारूप पर पारंपरिक डीरैम का उपयोग किया जाता हैं। इस प्रकार प्रणाली रनटाइम के समय कंप्यूटर पारंपरिक डीरैम को सीधे एक्सेस करता है। इस प्रकार विद्युत की विफलता की स्थिति में, प्रारूप अस्थिर पारंपरिक डीरैम से डेटा को निरंतर फ्लैश मेमोरी में कॉपी करता है और विद्युत बहाल होने पर इसे वापस कॉपी करता है। यह प्रारूप के लिए छोटे बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करता है जबकि डीआरएएम में डेटा को फ्लैश स्टोरेज में कॉपी किया जा रहा है।
* NVDIMM-P: फरवरी 2021 में JEDEC द्वारा पूरी तरह से जारी किया गया विनिर्देश।<ref>{{Cite web|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-publishes-ddr4-nvdimm-p-bus-protocol-standard|title=JEDEC Publishes DDR4 NVDIMM-P Bus Protocol Standard|last=|first=|date=2021-02-17|website=|publisher=[[JEDEC]]|access-date=2021-02-17}}</ref> यह निरन्तर मेमोरी तकनीक का उपयोग करके कंप्यूटर की मुख्य मेमोरी को निरन्तर बनाए रखने में सक्षम बनाता है और [[DDR4 SDRAM]] या [[DDR5 SDRAM]] DIMM इंटरकनेक्ट को DRAM DIMM के साथ साझा कर सकता है।
* एनवीडीआईएमएम -पी: फरवरी सन्न 2021 में जेडईसी द्वारा पूर्ण प्रकार से विनिर्देश प्रस्तुत किया गया है।<ref>{{Cite web|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-publishes-ddr4-nvdimm-p-bus-protocol-standard|title=JEDEC Publishes DDR4 NVDIMM-P Bus Protocol Standard|last=|first=|date=2021-02-17|website=|publisher=[[JEDEC]]|access-date=2021-02-17}}</ref> यह निरंतर मेमोरी विधि का उपयोग करके कंप्यूटर की मुख्य मेमोरी को निरंतर बनाए रखने में सक्षम बनाता है और इस प्रकार [[DDR4 SDRAM|डीडीआर4 एसडीरैम]] या [[DDR5 SDRAM|डीडीआर5 एस डीरैम]] डीआईएमएम इंटरकनेक्ट को डीरैम डीआईएमएम के साथ साझा कर सकता है।


'''गैर-मानक NVDIMM कार्यान्वयन:'''
'''गैर-मानक एनवीडीआईएमएम कार्यान्वयन:'''
* '''NVDIMM-X''': NAND फ्लैश स्टोरेज के साथ DDR4 DIMM और उसी मॉड्यूल पर अस्थिरता DRAM, जिसे Xitore द्वारा विकसित किया गया है।
* '''एनवीडीआईएमएम-एक्स''': नैन्ड फ्लैश स्टोरेज के साथ डीडीआर4 डीआईएमएम और उसी प्रारूप पर अस्थिरता डीरैम, जिसे ज़िटोर द्वारा विकसित किया गया है।


नवंबर 2012 तक, अधिकांश एनवीडीआईएमएम ने गैर-अस्थिरता मेमोरी के रूप में [[फ्लैश मेमोरी]] का उपयोग किया।<ref>{{cite web|url=http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|title=Does DRAM Storage Still Make Sense?|last=Crump|first=George|date=2012-10-02|website=Storage Switzerland|archive-url=https://archive.today/20130616142850/http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|archive-date=2013-06-16|url-status=dead|access-date=}}</ref> उभरती हुई स्मृति प्रौद्योगिकियों का उद्देश्य कैश या दो अलग-अलग यादों के बिना एनवीडीआईएमएम हासिल करना है। Intel और Micron ने NVDIMM-F में 3D XPoint [[चरण-परिवर्तन स्मृति]] तकनीक के उपयोग की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|title=Intels crazy fast 3D XPoint Optane memory heads for DDR slots but with a cache|last=Mah Ung|first=Gordon|date=2015-08-21|work=[[PCWorld]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20150823185737/https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|archive-date=2015-08-23|url-status=live|accessdate=2015-08-21}}</ref> [[Sony]] और [[Sanmina Corporation|वाइकिंग तकनीक]] ने [[ReRAM]] तकनीक पर आधारित एक NVDIMM-N उत्पाद की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|title=रेराम मेमोरी मैशअप में वाइकिंग तकनीक और सोनी|author=Russell|first=Gil|date=2015-08-11|work=TechEye|archive-url=https://web.archive.org/web/20160416182553/http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|archive-date=2016-04-16|url-status=dead|accessdate=2015-08-11}}</ref> 2015 में, [[ SAMSUNG |SAMSUNG]] और [[नेटलिस्ट (कंपनी)]] ने संभवत: Z-NAND पर आधारित एक NVDIMM-P उत्पाद की घोषणा की।<ref>{{Cite web|last=Armstrong|first=Adam|date=2015-11-19|title=एनवीडीआईएमएम-पी डिलीवर करने के लिए नेटलिस्ट और सैमसंग पार्टनर|url=https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20210102221842/https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|archive-date=2021-01-02|access-date=|website=Storage Review}}</ref>
नवंबर सन्न 2012 तक, अधिकांश एनवीडीआईएमएम ने गैर-अस्थिरता मेमोरी के रूप में [[फ्लैश मेमोरी]] का उपयोग किया है।<ref>{{cite web|url=http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|title=Does DRAM Storage Still Make Sense?|last=Crump|first=George|date=2012-10-02|website=Storage Switzerland|archive-url=https://archive.today/20130616142850/http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|archive-date=2013-06-16|url-status=dead|access-date=}}</ref> इस प्रकार उभरती हुई स्मृति प्रौद्योगिकियों का उद्देश्य कैश या दो भिन्न-भिन्न यादों के बिना एनवीडीआईएमएम प्राप्त करना होता है। इस प्रकार इंटेल और माइक्रोन ने एनवीडीआईएमएम -एफ में 3डी एक्सपॉइंट [[चरण-परिवर्तन स्मृति]] विधि के उपयोग की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|title=Intels crazy fast 3D XPoint Optane memory heads for DDR slots but with a cache|last=Mah Ung|first=Gordon|date=2015-08-21|work=[[PCWorld]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20150823185737/https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|archive-date=2015-08-23|url-status=live|accessdate=2015-08-21}}</ref> चूँकि [[Sony|सोनी]] और [[Sanmina Corporation|वाइकिंग विधि]] ने [[ReRAM|री रैम]] विधि पर आधारित एनवीडीआईएमएम -एन उत्पाद की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|title=रेराम मेमोरी मैशअप में वाइकिंग तकनीक और सोनी|author=Russell|first=Gil|date=2015-08-11|work=TechEye|archive-url=https://web.archive.org/web/20160416182553/http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|archive-date=2016-04-16|url-status=dead|accessdate=2015-08-11}}</ref> सन्न 2015 में, [[ SAMSUNG |सैमसंग]] और [[नेटलिस्ट (कंपनी)]] ने संभवत: जेड-नैन्ड पर आधारित एनवीडीआईएमएम -पी उत्पाद की घोषणा की है।<ref>{{Cite web|last=Armstrong|first=Adam|date=2015-11-19|title=एनवीडीआईएमएम-पी डिलीवर करने के लिए नेटलिस्ट और सैमसंग पार्टनर|url=https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20210102221842/https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|archive-date=2021-01-02|access-date=|website=Storage Review}}</ref>
== बैकअप पावर ==
== बैकअप पावर ==
NVDIMMs BBU (बैटरी समर्थित) DIMM से विकसित हुए हैं, जो 72 घंटे तक अस्थिर मेमोरी को पावर बनाए रखने के लिए [[बैकअप बैटरी]] का उपयोग करते हैं। यद्यपि, कंप्यूटर घटकों में [[बैटरी (बिजली)]] का विरोध किया जाता है क्योंकि उनका जीवनकाल सीमित होता है, उन्हें [[खतरनाक अपशिष्ट]] माना जा सकता है, और इसमें [[भारी धातु (रसायन विज्ञान)|भारी धातुएँ (उद्धरण वांछित)]] हो सकता है। जो खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध के निर्देश के अनुपालन का उल्लंघन करते हैं।
एनवीडीआईएमएम बीबीयू (बैटरी समर्थित) डीआईएमएम से विकसित हुए हैं, जो 72 घंटे तक अस्थिर मेमोरी को पावर बनाए रखने के लिए [[बैकअप बैटरी]] का उपयोग करते हैं। यद्यपि, कंप्यूटर घटकों में [[बैटरी (बिजली)|बैटरी (विद्युत)]] का विरोध किया जाता है जिससे कि उनका जीवनकाल सीमित होता है, उन्हें [[खतरनाक अपशिष्ट]] माना जा सकता है और इसमें [[भारी धातु (रसायन विज्ञान)|भारी धातुएँ (उद्धरण वांछित)]] हो सकता है। जो इस प्रकार खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध के निर्देश के अनुपालन का उल्लंघन करते हैं।


जब मॉड्यूल में गैर-अस्थिरता मेमोरी सम्मिलित होती है, तो कंप्यूटर की मुख्य शक्ति विफल होने के बाद केवल थोड़े समय के लिए बैकअप पावर की आवश्यकता होती है, जबकि मॉड्यूल डेटा को अस्थिरता से गैर-अस्थिरता मेमोरी में कॉपी करता है। इसलिए, आधुनिक एनवीडीआईएमएम ऊर्जा को स्टोर करने के लिए ऑन-बोर्ड [[सुपरकैपेसिटर]] का उपयोग करते हैं।
जब प्रारूप में गैर-अस्थिरता मेमोरी सम्मिलित होती है, तब इस प्रकार कंप्यूटर की मुख्य शक्ति विफल होने के पश्चात् केवल कुछ समय के लिए बैकअप पावर की आवश्यकता होती है, जबकि प्रारूप डेटा को अस्थिरता से गैर-अस्थिरता मेमोरी में कॉपी करता है। इसलिए, आधुनिक एनवीडीआईएमएम ऊर्जा को स्टोर करने के लिए ऑन-बोर्ड [[सुपरकैपेसिटर|उप-संधारित्र]] का उपयोग करते हैं।


== इंटरफ़ेस ==
== इंटरफ़ेस ==
कुछ सर्वर विक्रेता अभी भी कंप्यूटर के लिए [[DDR3]] इंटरफ़ेस का उपयोग करके उत्पाद बनाते हैं, किन्तु मानकीकरण 2014 और 2015 में काम करता है, जैसे कि JEDEC में<ref>{{cite web|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-announces-support-nvdimm-hybrid-memory-modules|title=JEDEC ने NVDIMM हाइब्रिड मेमोरी मॉड्यूल को समर्थन देने की घोषणा की|last=|first=|date=2015-05-26|website=|publisher=[[JEDEC]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20160424175946/https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-announces-support-nvdimm-hybrid-memory-modules|archive-date=2016-04-24|url-status=live|accessdate=2015-05-26}}</ref> और [[उन्नत कॉन्फ़िगरेशन और पावर इंटरफ़ेस]],<ref>{{cite web|url=https://www.phoronix.com/scan.php?page=news_item&px=ACPI-6.0-Libnd-NVDIMM-Moving|title=ACPI 6 Non-Volatile Memory Device Support NFIT libND For Linux|author=Larabel|first=Michael|date=2015-05-21|work=[[Phoronix]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20181223030246/https://www.phoronix.com/scan.php?page=news_item&px=ACPI-6.0-Libnd-NVDIMM-Moving|archive-date=2018-12-23|url-status=live|accessdate=2015-05-21}}</ref> [[DDR4]] इंटरफ़ेस पर आधारित था।
सामान्यतः कुछ सर्वर विक्रेता अभी भी कंप्यूटर के लिए [[DDR3|डीडीआर3]] इंटरफ़ेस का उपयोग करके उत्पाद बनाते हैं, किन्तु मानकीकरण सन्न 2014 और 2015 में कार्य करता है, जैसे कि जेडईसी में<ref>{{cite web|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-announces-support-nvdimm-hybrid-memory-modules|title=JEDEC ने NVDIMM हाइब्रिड मेमोरी मॉड्यूल को समर्थन देने की घोषणा की|last=|first=|date=2015-05-26|website=|publisher=[[JEDEC]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20160424175946/https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-announces-support-nvdimm-hybrid-memory-modules|archive-date=2016-04-24|url-status=live|accessdate=2015-05-26}}</ref> और [[उन्नत कॉन्फ़िगरेशन और पावर इंटरफ़ेस]],<ref>{{cite web|url=https://www.phoronix.com/scan.php?page=news_item&px=ACPI-6.0-Libnd-NVDIMM-Moving|title=ACPI 6 Non-Volatile Memory Device Support NFIT libND For Linux|author=Larabel|first=Michael|date=2015-05-21|work=[[Phoronix]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20181223030246/https://www.phoronix.com/scan.php?page=news_item&px=ACPI-6.0-Libnd-NVDIMM-Moving|archive-date=2018-12-23|url-status=live|accessdate=2015-05-21}}</ref> [[DDR4|डीडीआर4]] इंटरफ़ेस पर आधारित होता था।


== उपयोग करता है ==
== उपयोग ==
BBU DIMM को मूल रूप से [[RAID]] HBAs (होस्ट बस एडेप्टर) या सिस्टम के कैश के रूप में उपयोग करने के लिए डिज़ाइन किया गया था, जिससे कि कैश में डेटा को पावर विफलता से बचने के लिए सक्षम किया जा सके। NVDIMMs [[डेटा सेंटर]] और [[ क्लाउड कम्प्यूटिंग |क्लाउड कम्प्यूटिंग]] के लिए तेजी से भंडारण उपकरणों या इन-मेमोरी प्रोसेसिंग में RAID अनुप्रयोगों से आगे बढ़ गए हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.datacenteracceleration.com/author.asp?section_id=2412&doc_id=251009|title=गैर-वाष्पशील DRAM ऐप्स को बड़ा बढ़ावा देने के लिए तैयार है|last=Verity|first=John W.|date=2012-09-19|work=Datacenter Acceleration|archive-url=https://archive.today/20130616142827/http://www.datacenteracceleration.com/author.asp?section_id=2412&doc_id=251009|archive-date=2013-06-16|url-status=dead|accessdate=2013-09-06}}</ref>
बीबीयू डीआईएमएम को मूल रूप से [[RAID|आरएआईडी]] एचवीए (होस्ट बस एडेप्टर) या प्रणाली के कैश के रूप में उपयोग करने के लिए डिज़ाइन किया गया था, जिससे कि कैश में डेटा को पावर विफलता से बचने के लिए सक्षम किया जा सकता है। इस प्रकार एनवीडीआईएमएम [[डेटा सेंटर]] और [[ क्लाउड कम्प्यूटिंग |क्लाउड कम्प्यूटिंग]] के लिए तेजी से भंडारण उपकरणों या इन-मेमोरी प्रोसेसिंग में आरएआईडी अनुप्रयोगों से आगे बढ़ गए हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.datacenteracceleration.com/author.asp?section_id=2412&doc_id=251009|title=गैर-वाष्पशील DRAM ऐप्स को बड़ा बढ़ावा देने के लिए तैयार है|last=Verity|first=John W.|date=2012-09-19|work=Datacenter Acceleration|archive-url=https://archive.today/20130616142827/http://www.datacenteracceleration.com/author.asp?section_id=2412&doc_id=251009|archive-date=2013-06-16|url-status=dead|accessdate=2013-09-06}}</ref>
== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
* [[गैर-वाष्पशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|गैर-अस्थिरता रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (एनवीआरएएम)
* [[गैर-वाष्पशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|गैर-अस्थिरता रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (एनवीआरएएम)
Line 44: Line 45:
==बाहरी संबंध==
==बाहरी संबंध==
* [https://arstechnica.com/information-technology/2013/04/memory-that-never-forgets-non-volatile-dimms-hit-the-market/ Memory that never forgets]
* [https://arstechnica.com/information-technology/2013/04/memory-that-never-forgets-non-volatile-dimms-hit-the-market/ Memory that never forgets]
*[https://www.computerworld.com/article/2496204/data-center/non-volatile-dimm-cards-coming-soon-to-a-server-and-array-near-you.html Non-Volatile DIMM Cards]
*[https://www.computerworld.com/article/2496204/data-center/non-volatile-dimm-cards-coming-soon-to-a-server-and-array-near-you.html Non-Volatile डीआईएमएम Cards]
* [http://thessdreview.com/daily-news/latest-buzz/viking-technology-moves-write-cache-to-non-volatile-dimms-to-improve-ssd-endurance/ NVDIMM improve SSD endurance]
* [http://thessdreview.com/daily-news/latest-buzz/viking-technology-moves-write-cache-to-non-volatile-dimms-to-improve-ssd-endurance/ एनवीडीआईएमएम improve SSD endurance]
*[https://web.archive.org/web/20121209035920/https://www.electronicdesign.com/article/digital/memory-processor-advances-redefine-digital-technology-74760 Memory And Processor Advances Redefine Digital Technology]
*[https://web.archive.org/web/20121209035920/https://www.electronicdesign.com/article/digital/memory-processor-advances-redefine-digital-technology-74760 Memory And Processor Advances Redefine Digital Technology]
*[https://web.archive.org/web/20120912074539/http://electronicdesign.com/blog/altembedded-6/embedded/nonvolatile-dimms-nvme-spice-flash-memory-summit-74399 Non-Volatile DIMMs and NVMe Spice Up The Flash Memory Summit]
*[https://web.archive.org/web/20120912074539/http://electronicdesign.com/blog/altembedded-6/embedded/nonvolatile-dimms-nvme-spice-flash-memory-summit-74399 Non-Volatile डीआईएमएमs and एनवीMe Spice Up The Flash Memory Summit]
* [http://www.storage-switzerland.com/Articles/Entries/2012/9/18_How_to_Solve_the_SSD_Endurance_Problem.html How to Solve the SSD Endurance Problem] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20131007111225/http://www.storage-switzerland.com/Articles/Entries/2012/9/18_How_to_Solve_the_SSD_Endurance_Problem.html |date=2013-10-07 }}
* [http://www.storage-switzerland.com/Articles/Entries/2012/9/18_How_to_Solve_the_SSD_Endurance_Problem.html How to Solve the SSD Endurance Problem] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20131007111225/http://www.storage-switzerland.com/Articles/Entries/2012/9/18_How_to_Solve_the_SSD_Endurance_Problem.html |date=2013-10-07 }}
*[https://www.netram.de/nvdimm NVDIMM Electronic Solution] ''(German)''
*[https://www.netram.de/nvdimm एनवीडीआईएमएम Electronic Solution] ''(German)''
 
{{DEFAULTSORT:NVDIMM}}[[Category: गैर-वाष्पशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी]]
 


{{DEFAULTSORT:NVDIMM}}


[[Category: Machine Translated Page]]
[[Category:CS1 maint]]
[[Category:Created On 09/06/2023]]
[[Category:Created On 09/06/2023|NVDIMM]]
[[Category:Lua-based templates|NVDIMM]]
[[Category:Machine Translated Page|NVDIMM]]
[[Category:Pages with script errors|NVDIMM]]
[[Category:Templates Vigyan Ready|NVDIMM]]
[[Category:Templates that add a tracking category|NVDIMM]]
[[Category:Templates that generate short descriptions|NVDIMM]]
[[Category:Templates using TemplateData|NVDIMM]]
[[Category:Webarchive template wayback links|NVDIMM]]
[[Category:गैर-वाष्पशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|NVDIMM]]

Latest revision as of 11:25, 23 June 2023

एनवीडीआईएमएम (उच्चारण एन-वी-डिम) या गैर-अस्थिरता डीआईएमएम व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले डीआईएमएम फॉर्म-कारकों का उपयोग करने वाले कंप्यूटरों के लिए विशेष प्रकार की निरंतर रैंडम एक्सेस मेमोरी होती है। इस प्रकार गैर-अस्थिरता मेमोरी वह मेमोरी होती है जो इस प्रकार विद्युत ऊर्जा को हटा दिए जाने पर भी अपनी सामग्री को प्रस्तुत रखती है, उदाहरण के लिए अप्रत्याशित विद्युत की हानि, प्रणाली क्रैश या सामान्य शटडाउन से हो जाता हैं। इस प्रकार उचित रूप से उपयोग किए जाने पर, एनवीडीआईएमएम एप्लिकेशन प्रदर्शन और प्रणाली क्रैश रिकवरी समय में सुधार कर सकते है।[1] इस प्रकार सॉलिड-स्टेट स्टोरेज डिवाइस (एसएसडी) सहनशक्ति और विश्वसनीयता को बढ़ाते हैं।[2][3]

सामान्यतः अनेक गैर-अस्थिरता उत्पाद सामान्य कार्य के समय अस्थिरता मेमोरी का उपयोग करते हैं और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करके डेटा को गैर-अस्थिरता मेमोरी में छोड़ देते हैं। इस प्रकार अस्थिर स्मृति गैर-अस्थिरता से तेज़ होती है, यह बाइट-एड्रेसेबल होती है और इस प्रकार डिवाइस के जीवनकाल के बारे में चिंता किए बिना इसे स्वयं से लिखा जा सकता है। चूंकि गैर-अस्थिरता (और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत) को प्राप्त करने के लिए दूसरी मेमोरी सहित अस्थिरता मेमोरी की तुलना में उत्पाद लागत बढ़ जाती है।

विकास में अनेक उभरती हुई गैर-अस्थिरता होती हैं और कुछ जिन्हें मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम (एमआरएएम) और इंटेल के 3डी एक्सपॉइंट सहित शुभारंभ (लॉन्च) किया गया है। इस प्रकार एमआरएएम के समान, कार्बन नैनोट्यूब पर आधारित नैनो-रैम ऐसी विधि होती है जो इस प्रकार प्रदर्शन, बाइट-एड्रेसेबिलिटी और डिवाइस लाइफ के मानदंड पर डीआरएएम के समीप आने का आशय रखती है, अतः फैब्रिकेशन पार्टनर फुजित्सु से मध्यम घनत्व पर सन्न 2021 में पहले उत्पादों की उम्मीद होती है।[4] इस प्रकार इस विधि का लक्ष्य लागत को प्रभावी रूप से बाहर निकालने में सक्षम होते है, इसलिए निरंतर मेमोरी डीरैम को एंटरप्राइज़ प्रणाली में मुख्य प्रणाली मेमोरी के रूप में परिवर्तित कर सकती है।[1]

प्रकार

जेडईसी मानक संगठन द्वारा तीन प्रकार के एनवीडीआईएमएम कार्यान्वयन होती हैं।[5]

  • एनवीडीआईएमएम -एफ: फ्लैश स्टोरेज के साथ डीआईएमएम होती हैं। इस प्रकार प्रणाली उपयोगकर्ताओं को पारंपरिक डीरैम डीआईएमएम के साथ स्टोरेज डीआईएमएम को समरूप करना होता है। जबकि कोई आधिकारिक मानक नहीं होता है, एनवीडीआईएमएम-एफ विशेष प्रकार के प्रारूप सन्न 2014 से उपलब्ध होते हैं।
  • एनवीडीआईएमएम -एन: फ्लैश स्टोरेज के साथ डीआईएमएम और प्रारूप पर पारंपरिक डीरैम का उपयोग किया जाता हैं। इस प्रकार प्रणाली रनटाइम के समय कंप्यूटर पारंपरिक डीरैम को सीधे एक्सेस करता है। इस प्रकार विद्युत की विफलता की स्थिति में, प्रारूप अस्थिर पारंपरिक डीरैम से डेटा को निरंतर फ्लैश मेमोरी में कॉपी करता है और विद्युत बहाल होने पर इसे वापस कॉपी करता है। यह प्रारूप के लिए छोटे बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करता है जबकि डीआरएएम में डेटा को फ्लैश स्टोरेज में कॉपी किया जा रहा है।
  • एनवीडीआईएमएम -पी: फरवरी सन्न 2021 में जेडईसी द्वारा पूर्ण प्रकार से विनिर्देश प्रस्तुत किया गया है।[6] यह निरंतर मेमोरी विधि का उपयोग करके कंप्यूटर की मुख्य मेमोरी को निरंतर बनाए रखने में सक्षम बनाता है और इस प्रकार डीडीआर4 एसडीरैम या डीडीआर5 एस डीरैम डीआईएमएम इंटरकनेक्ट को डीरैम डीआईएमएम के साथ साझा कर सकता है।

गैर-मानक एनवीडीआईएमएम कार्यान्वयन:

  • एनवीडीआईएमएम-एक्स: नैन्ड फ्लैश स्टोरेज के साथ डीडीआर4 डीआईएमएम और उसी प्रारूप पर अस्थिरता डीरैम, जिसे ज़िटोर द्वारा विकसित किया गया है।

नवंबर सन्न 2012 तक, अधिकांश एनवीडीआईएमएम ने गैर-अस्थिरता मेमोरी के रूप में फ्लैश मेमोरी का उपयोग किया है।[7] इस प्रकार उभरती हुई स्मृति प्रौद्योगिकियों का उद्देश्य कैश या दो भिन्न-भिन्न यादों के बिना एनवीडीआईएमएम प्राप्त करना होता है। इस प्रकार इंटेल और माइक्रोन ने एनवीडीआईएमएम -एफ में 3डी एक्सपॉइंट चरण-परिवर्तन स्मृति विधि के उपयोग की घोषणा की है।[8] चूँकि सोनी और वाइकिंग विधि ने री रैम विधि पर आधारित एनवीडीआईएमएम -एन उत्पाद की घोषणा की है।[9] सन्न 2015 में, सैमसंग और नेटलिस्ट (कंपनी) ने संभवत: जेड-नैन्ड पर आधारित एनवीडीआईएमएम -पी उत्पाद की घोषणा की है।[10]

बैकअप पावर

एनवीडीआईएमएम बीबीयू (बैटरी समर्थित) डीआईएमएम से विकसित हुए हैं, जो 72 घंटे तक अस्थिर मेमोरी को पावर बनाए रखने के लिए बैकअप बैटरी का उपयोग करते हैं। यद्यपि, कंप्यूटर घटकों में बैटरी (विद्युत) का विरोध किया जाता है जिससे कि उनका जीवनकाल सीमित होता है, उन्हें खतरनाक अपशिष्ट माना जा सकता है और इसमें भारी धातुएँ (उद्धरण वांछित) हो सकता है। जो इस प्रकार खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध के निर्देश के अनुपालन का उल्लंघन करते हैं।

जब प्रारूप में गैर-अस्थिरता मेमोरी सम्मिलित होती है, तब इस प्रकार कंप्यूटर की मुख्य शक्ति विफल होने के पश्चात् केवल कुछ समय के लिए बैकअप पावर की आवश्यकता होती है, जबकि प्रारूप डेटा को अस्थिरता से गैर-अस्थिरता मेमोरी में कॉपी करता है। इसलिए, आधुनिक एनवीडीआईएमएम ऊर्जा को स्टोर करने के लिए ऑन-बोर्ड उप-संधारित्र का उपयोग करते हैं।

इंटरफ़ेस

सामान्यतः कुछ सर्वर विक्रेता अभी भी कंप्यूटर के लिए डीडीआर3 इंटरफ़ेस का उपयोग करके उत्पाद बनाते हैं, किन्तु मानकीकरण सन्न 2014 और 2015 में कार्य करता है, जैसे कि जेडईसी में[11] और उन्नत कॉन्फ़िगरेशन और पावर इंटरफ़ेस,[12] डीडीआर4 इंटरफ़ेस पर आधारित होता था।

उपयोग

बीबीयू डीआईएमएम को मूल रूप से आरएआईडी एचवीए (होस्ट बस एडेप्टर) या प्रणाली के कैश के रूप में उपयोग करने के लिए डिज़ाइन किया गया था, जिससे कि कैश में डेटा को पावर विफलता से बचने के लिए सक्षम किया जा सकता है। इस प्रकार एनवीडीआईएमएम डेटा सेंटर और क्लाउड कम्प्यूटिंग के लिए तेजी से भंडारण उपकरणों या इन-मेमोरी प्रोसेसिंग में आरएआईडी अनुप्रयोगों से आगे बढ़ गए हैं।[13]

यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 Non-Volatile Memory and Its Use in Enterprise Applications (PDF), Viking Technology, SNIA, January 2014{{citation}}: CS1 maint: others (link)
  2. ↑ Grupp, Laura M.; Davis, John; Swanson, Steven (February 2012). "नंद फ्लैश मेमोरी का अंधकारमय भविष्य" (PDF). Microsoft Research. Archived (PDF) from the original on 2019-02-10. Retrieved 2014-05-08.
  3. ↑ Maleval, Jean Jacques (2013-03-11). "SSDs बड़े पैमाने पर डेटा हानि का जोखिम उठाते हैं". Storage Newsletter. Retrieved 2013-09-06.
  4. ↑ Clarke, Peter (14 April 2020). "First carbon nanotube NRAM products due in 2020, says Nantero". eenewsanalog.com. European Business Press. Retrieved 19 September 2020.
  5. ↑ Golander, Amit (2015-08-23). "NVDIMM कार्ड के युग में आपका स्वागत है". Plexistor. Archived from the original on 2018-12-23. Retrieved 2015-08-23.
  6. ↑ "JEDEC Publishes DDR4 NVDIMM-P Bus Protocol Standard". JEDEC. 2021-02-17. Retrieved 2021-02-17.
  7. ↑ Crump, George (2012-10-02). "Does DRAM Storage Still Make Sense?". Storage Switzerland. Archived from the original on 2013-06-16.
  8. ↑ Mah Ung, Gordon (2015-08-21). "Intels crazy fast 3D XPoint Optane memory heads for DDR slots but with a cache". PCWorld. Archived from the original on 2015-08-23. Retrieved 2015-08-21.
  9. ↑ Russell, Gil (2015-08-11). "रेराम मेमोरी मैशअप में वाइकिंग तकनीक और सोनी". TechEye. Archived from the original on 2016-04-16. Retrieved 2015-08-11.
  10. ↑ Armstrong, Adam (2015-11-19). "एनवीडीआईएमएम-पी डिलीवर करने के लिए नेटलिस्ट और सैमसंग पार्टनर". Storage Review. Archived from the original on 2021-01-02.
  11. ↑ "JEDEC ने NVDIMM हाइब्रिड मेमोरी मॉड्यूल को समर्थन देने की घोषणा की". JEDEC. 2015-05-26. Archived from the original on 2016-04-24. Retrieved 2015-05-26.
  12. ↑ Larabel, Michael (2015-05-21). "ACPI 6 Non-Volatile Memory Device Support NFIT libND For Linux". Phoronix. Archived from the original on 2018-12-23. Retrieved 2015-05-21.
  13. ↑ Verity, John W. (2012-09-19). "गैर-वाष्पशील DRAM ऐप्स को बड़ा बढ़ावा देने के लिए तैयार है". Datacenter Acceleration. Archived from the original on 2013-06-16. Retrieved 2013-09-06.


बाहरी संबंध

Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=एनवीडीआईएमएम&oldid=195283’