लैम्ब्डा डायोड: Difference between revisions
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[[Image:Lambda diode.svg|thumb|right|एक n-चैनल [[JFET]] (शीर्ष) और एक | [[Image:Lambda diode.svg|thumb|right|एक n-चैनल [[JFET|जेएफईटी]] (शीर्ष) और एक पी-चैनल जेएफईटी एक लैम्ब्डा-डायोड सर्किट बनाने के लिए संयोजित होते हैं]]एक '''लैम्ब्डा डायोड''' एक [[ विद्युत सर्किट |विद्युत सर्किट]] है जो दो-टर्मिनल डिवाइस में जंक्शन गेटेड फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर की एक पूरक जोड़ी को जोड़ता है‚ जो [[सुरंग डायोड]] की तरह अंतर [[नकारात्मक प्रतिरोध]] के क्षेत्र को प्रदर्शित करता है। इस प्रकार यह शब्द डिवाइस के वी-आई वक्र के आकार को संदर्भित करता है, जो ग्रीक अक्षर '''λ ''(लैम्ब्डा)''''' जैसा दिखता है। | ||
लैम्ब्डा डायोड टनल डायोड की तुलना में उच्च वोल्टेज पर काम करते हैं। जबकि एक विशिष्ट सुरंग डायोड<ref>[https://www.elfa.se/Web/Downloads/_t/ds/1n37xx_eng_tds.pdf?mime=application%2Fpdf 1N3712 data sheet].</ref> लगभग 70 एमवी और 350 एमवी के बीच नकारात्मक अंतर प्रतिरोध प्रदर्शित कर सकता है, यह क्षेत्र सामान्य जेएफईटी उपकरणों के उच्च पिंच-ऑफ वोल्टेज के कारण लैम्ब्डा डायोड में लगभग 1.5 वी और 6 वी के बीच होता है। | लैम्ब्डा डायोड टनल डायोड की तुलना में उच्च वोल्टेज पर काम करते हैं। इस प्रकार जबकि एक विशिष्ट सुरंग डायोड<ref>[https://www.elfa.se/Web/Downloads/_t/ds/1n37xx_eng_tds.pdf?mime=application%2Fpdf 1N3712 data sheet].</ref> लगभग 70 एमवी और 350 एमवी के बीच नकारात्मक अंतर प्रतिरोध प्रदर्शित कर सकता है, यह क्षेत्र सामान्य जेएफईटी उपकरणों के उच्च पिंच-ऑफ वोल्टेज के कारण '''लैम्ब्डा डायोड''' में लगभग 1.5 वी और 6 वी के बीच होता है। इसलिए लैम्ब्डा डायोड सीधे टनल डायोड को प्रतिस्थापित नहीं कर सकता है। | ||
इसके | इसके अतिरिक्त, एक टनल डायोड में करंट फिर से उच्च वोल्टेज की ओर फिर से बढ़ने से पहले पीक करंट के न्यूनतम लगभग 20% तक पहुँच जाता है। इस प्रकार जैसे-जैसे वोल्टेज बढ़ता है, लैम्ब्डा डायोड करंट शून्य के लगभग पहुंच जाता है, इससे पहले कि वह पर्याप्त उच्च वोल्टेज पर फिर से तेजी से बढ़े जिससे एफईटी में गेट-सोर्स [[ जेनर टूटना |जेनर ब्रेकडाउन]] का कारण बन सके। | ||
एक एन-चैनल | इस प्रकार एक एन-चैनल जेएफईटी को एक [[ द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर |द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर]] के साथ जोड़कर लैम्ब्डा डायोड के समान एक उपकरण का निर्माण करना भी संभव है।<ref>[http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/neg_resistance/negres.htm Oscillations and Regenerative Amplification using Negative Resistance].</ref> | ||
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एक सुझाया गया मॉडुलेबल वैरिएंट‚ किन्तु पीएनपी आधारित ऑप्टोकॉप्लर का उपयोग करना थोड़ा अधिक कठिन है और इसके आईआर डायोड का उपयोग करके इसे संशोधित किया जा सकता है। इसका यह लाभ है कि इसके गुणों को एक साधारण बायस ड्राइवर के साथ ठीक किया जा सकता है और उच्च संवेदनशीलता वाले रेडियो अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जाता है, कभी-कभी इसके अतिरिक्त आईआर एलईडी के साथ एक संशोधित ओपन कैन पीएनपी ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जा सकता है। | |||
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सुरंग डायोड की तरह, लैम्ब्डा डायोड का नकारात्मक प्रतिरोध पहलू स्वाभाविक रूप से ऑसीलेटर सर्किट में | सुरंग डायोड की तरह, '''लैम्ब्डा डायोड''' का नकारात्मक प्रतिरोध पहलू स्वाभाविक रूप से ऑसीलेटर सर्किट और एम्पलीफायरों में उपयोग के लिए उपयुक्त होता है।<ref>[http://users.tpg.com.au/users/ldbutler/NegResDipMeter.htm ''A Dip Meter Using the Lambda Negative Resistance Circuit'']. Lloyd Butler, ''Amateur Radio'', January 1997.</ref> इस प्रकार इसके अतिरिक्त, [[फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] सर्किट जैसे मेमोरी सेल का वर्णन किया गया है।<ref>United States Patent 4376986: Double Lambda diode memory cell; http://www.wipo.int/pctdb/images4/PCT-PAGES/1983/091983/83001335/83001335.pdf.</ref> | ||
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एक लैम्ब्डा डायोड एक विद्युत सर्किट है जो दो-टर्मिनल डिवाइस में जंक्शन गेटेड फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर की एक पूरक जोड़ी को जोड़ता है‚ जो सुरंग डायोड की तरह अंतर नकारात्मक प्रतिरोध के क्षेत्र को प्रदर्शित करता है। इस प्रकार यह शब्द डिवाइस के वी-आई वक्र के आकार को संदर्भित करता है, जो ग्रीक अक्षर λ (लैम्ब्डा) जैसा दिखता है।
लैम्ब्डा डायोड टनल डायोड की तुलना में उच्च वोल्टेज पर काम करते हैं। इस प्रकार जबकि एक विशिष्ट सुरंग डायोड[1] लगभग 70 एमवी और 350 एमवी के बीच नकारात्मक अंतर प्रतिरोध प्रदर्शित कर सकता है, यह क्षेत्र सामान्य जेएफईटी उपकरणों के उच्च पिंच-ऑफ वोल्टेज के कारण लैम्ब्डा डायोड में लगभग 1.5 वी और 6 वी के बीच होता है। इसलिए लैम्ब्डा डायोड सीधे टनल डायोड को प्रतिस्थापित नहीं कर सकता है।
इसके अतिरिक्त, एक टनल डायोड में करंट फिर से उच्च वोल्टेज की ओर फिर से बढ़ने से पहले पीक करंट के न्यूनतम लगभग 20% तक पहुँच जाता है। इस प्रकार जैसे-जैसे वोल्टेज बढ़ता है, लैम्ब्डा डायोड करंट शून्य के लगभग पहुंच जाता है, इससे पहले कि वह पर्याप्त उच्च वोल्टेज पर फिर से तेजी से बढ़े जिससे एफईटी में गेट-सोर्स जेनर ब्रेकडाउन का कारण बन सके।
इस प्रकार एक एन-चैनल जेएफईटी को एक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के साथ जोड़कर लैम्ब्डा डायोड के समान एक उपकरण का निर्माण करना भी संभव है।[2]
एक सुझाया गया मॉडुलेबल वैरिएंट‚ किन्तु पीएनपी आधारित ऑप्टोकॉप्लर का उपयोग करना थोड़ा अधिक कठिन है और इसके आईआर डायोड का उपयोग करके इसे संशोधित किया जा सकता है। इसका यह लाभ है कि इसके गुणों को एक साधारण बायस ड्राइवर के साथ ठीक किया जा सकता है और उच्च संवेदनशीलता वाले रेडियो अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जाता है, कभी-कभी इसके अतिरिक्त आईआर एलईडी के साथ एक संशोधित ओपन कैन पीएनपी ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जा सकता है।
अनुप्रयोग
सुरंग डायोड की तरह, लैम्ब्डा डायोड का नकारात्मक प्रतिरोध पहलू स्वाभाविक रूप से ऑसीलेटर सर्किट और एम्पलीफायरों में उपयोग के लिए उपयुक्त होता है।[3] इस प्रकार इसके अतिरिक्त, फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स) सर्किट जैसे मेमोरी सेल का वर्णन किया गया है।[4]
संदर्भ
- ↑ 1N3712 data sheet.
- ↑ Oscillations and Regenerative Amplification using Negative Resistance.
- ↑ A Dip Meter Using the Lambda Negative Resistance Circuit. Lloyd Butler, Amateur Radio, January 1997.
- ↑ United States Patent 4376986: Double Lambda diode memory cell; http://www.wipo.int/pctdb/images4/PCT-PAGES/1983/091983/83001335/83001335.pdf.
साहित्य
- Graf, Rudolf F. (1999). मॉडर्न डिक्शनरी ऑफ इलेक्ट्रॉनिक्स, 7वां संस्करण।. Boston [etc.]: Newnes Press. p. 411. ISBN 0-7506-9866-7.
श्रेणी:एनालॉग सर्किट
