स्टैबिस्टर: Difference between revisions
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'''स्टैबिस्टर''' एक तकनीकी शब्द होता है जिसका उपयोग एक विशेष प्रकार के [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] सिलिकॉन डायोड को नामित करने के लिए किया जाता है जिसमें अधिक स्थिर अग्रिम वोल्टेज विशेषताएं होती है। ये उपकरण विशेष रूप से कम-वोल्टेज स्थिरीकरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिनके लिए व्यापक वर्तमान सीमा पर निश्चित वोल्टेज और तापमान पर अत्यधिक स्थिरता की आवश्यकता होती है। इन अनुप्रयोगों में, स्टैबिस्टर कम वोल्टेज जेनर डायोड की तुलना में बेहतर गतिशील प्रतिबाधा प्रदान करते है।<ref>{{cite web |url=http://www.centralsemi.com/content/product/stabistors/index.php |title=सेंट्रल सेमीकंडक्टर वेब साइट पर इंस्टॉलर जानकारी|accessdate=2014-06-13 |url-status=dead |archiveurl=https://web.archive.org/web/20160305132658/https://www.centralsemi.com/content/product/stabistors/index.php |archivedate=2016-03-05 }}</ref><ref name="MPD100">{{cite web|url=http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/microsemi/SA7-29.pdf |title=माइक्रोसेमी कार्पोरेशन द्वारा एमपीडी100 डाटाशीट|accessdate=2012-02-06 }}</ref> अन्य विशिष्ट अनुप्रयोगों में वर्ग-एबी आउटपुट चरणों में पूर्वाग्रह स्थिरीकरण, [[क्लिपर (इलेक्ट्रॉनिक्स)|क्लिपिंग]], [[क्लैपर (इलेक्ट्रॉनिक्स)|क्लैम्पिंग]], मीटर सुरक्षा आदि सम्मलित होते है।<ref name="BAS17">{{cite web |url=http://www.nxp.com/products/diodes/zener_diodes/BAS17.html#overview |title=BAS17 product page at NXP Semiconductors |accessdate=2012-02-04 |url-status=dead |archiveurl=https://web.archive.org/web/20130722183511/http://www.nxp.com/products/diodes/zener_diodes/BAS17.html#overview |archivedate=2013-07-22 }}</ref> | '''स्टैबिस्टर''' एक तकनीकी शब्द होता है जिसका उपयोग एक विशेष प्रकार के [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] सिलिकॉन डायोड को नामित करने के लिए किया जाता है जिसमें अधिक स्थिर अग्रिम वोल्टेज विशेषताएं होती है। ये उपकरण विशेष रूप से कम-वोल्टेज स्थिरीकरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिनके लिए व्यापक वर्तमान सीमा पर निश्चित वोल्टेज और तापमान पर अत्यधिक स्थिरता की आवश्यकता होती है। इन अनुप्रयोगों में, स्टैबिस्टर कम वोल्टेज जेनर डायोड की तुलना में बेहतर गतिशील प्रतिबाधा प्रदान करते है।<ref>{{cite web |url=http://www.centralsemi.com/content/product/stabistors/index.php |title=सेंट्रल सेमीकंडक्टर वेब साइट पर इंस्टॉलर जानकारी|accessdate=2014-06-13 |url-status=dead |archiveurl=https://web.archive.org/web/20160305132658/https://www.centralsemi.com/content/product/stabistors/index.php |archivedate=2016-03-05 }}</ref><ref name="MPD100">{{cite web|url=http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/microsemi/SA7-29.pdf |title=माइक्रोसेमी कार्पोरेशन द्वारा एमपीडी100 डाटाशीट|accessdate=2012-02-06 }}</ref> अन्य विशिष्ट अनुप्रयोगों में वर्ग-एबी आउटपुट चरणों में पूर्वाग्रह स्थिरीकरण, [[क्लिपर (इलेक्ट्रॉनिक्स)|क्लिपिंग]], [[क्लैपर (इलेक्ट्रॉनिक्स)|क्लैम्पिंग]], मीटर सुरक्षा आदि सम्मलित होते है।<ref name="BAS17">{{cite web |url=http://www.nxp.com/products/diodes/zener_diodes/BAS17.html#overview |title=BAS17 product page at NXP Semiconductors |accessdate=2012-02-04 |url-status=dead |archiveurl=https://web.archive.org/web/20130722183511/http://www.nxp.com/products/diodes/zener_diodes/BAS17.html#overview |archivedate=2013-07-22 }}</ref> | ||
== उत्पादन == | == उत्पादन == | ||
स्टैबिस्टर का निर्माण एपिटैक्सियल तकनीक का उपयोग करके किया जाता है और इसका विशिष्ट उपकरण बीएएस17 होता है,<ref>{{cite web |url=http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAS17.pdf |title=BAS17 Datasheet by NXP Semiconductors |date=2003-03-25 |accessdate=2012-02-04 |url-status=dead |archiveurl=https://web.archive.org/web/20120512221623/http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAS17.pdf |archivedate=2012-05-12 }}</ref> जो कई अर्धचालक संगठनों द्वारा निर्मित होता है।<ref name="BAS17"/><ref>{{cite web|url=http://www.centralsemi.com/PDFs/products/CBAS17.pdf |title=CBAS17 Datasheet by Central Semiconductor |date=2009-11-20 |accessdate=2012-02-04}}</ref> उपकरण एक ही पैकेज के अंदर श्रृंखला में जुड़े कई डायोड के साथ भी उपलब्ध होता है जो एक उपकरण की तुलना में अधिक अग्रिम वोल्टेज प्रदान करते है लेकिन मानक जेनर डायोड का उपयोग करके प्राप्त किए गए वोल्टेज से कम होते है।<ref name="MPD100" /><ref>{{cite web |url=http://www.centralsemi.com/PDFs/products/CMXSTB200_series.pdf |title=CMXSTB200 Series datasheet by Central Semiconductor |date=2010-02-12 |accessdate=2012-02-04}}</ref> | स्टैबिस्टर का निर्माण एपिटैक्सियल तकनीक का उपयोग करके किया जाता है और इसका विशिष्ट उपकरण बीएएस17 होता है,<ref>{{cite web |url=http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAS17.pdf |title=BAS17 Datasheet by NXP Semiconductors |date=2003-03-25 |accessdate=2012-02-04 |url-status=dead |archiveurl=https://web.archive.org/web/20120512221623/http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAS17.pdf |archivedate=2012-05-12 }}</ref> जो कई अर्धचालक संगठनों द्वारा निर्मित होता है।<ref name="BAS17"/><ref>{{cite web|url=http://www.centralsemi.com/PDFs/products/CBAS17.pdf |title=CBAS17 Datasheet by Central Semiconductor |date=2009-11-20 |accessdate=2012-02-04}}</ref> उपकरण एक ही पैकेज के अंदर श्रृंखला में जुड़े कई डायोड के साथ भी उपलब्ध होता है जो एक उपकरण की तुलना में अधिक अग्रिम वोल्टेज प्रदान करते है लेकिन मानक जेनर डायोड का उपयोग करके प्राप्त किए गए वोल्टेज से कम होते है।<ref name="MPD100" /><ref>{{cite web |url=http://www.centralsemi.com/PDFs/products/CMXSTB200_series.pdf |title=CMXSTB200 Series datasheet by Central Semiconductor |date=2010-02-12 |accessdate=2012-02-04}}</ref> | ||
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{{reflist|2}} | {{reflist|2}} | ||
{{DEFAULTSORT:Stabistor}} | {{DEFAULTSORT:Stabistor}} | ||
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Latest revision as of 20:52, 15 July 2023
स्टैबिस्टर एक तकनीकी शब्द होता है जिसका उपयोग एक विशेष प्रकार के अर्धचालक सिलिकॉन डायोड को नामित करने के लिए किया जाता है जिसमें अधिक स्थिर अग्रिम वोल्टेज विशेषताएं होती है। ये उपकरण विशेष रूप से कम-वोल्टेज स्थिरीकरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिनके लिए व्यापक वर्तमान सीमा पर निश्चित वोल्टेज और तापमान पर अत्यधिक स्थिरता की आवश्यकता होती है। इन अनुप्रयोगों में, स्टैबिस्टर कम वोल्टेज जेनर डायोड की तुलना में बेहतर गतिशील प्रतिबाधा प्रदान करते है।[1][2] अन्य विशिष्ट अनुप्रयोगों में वर्ग-एबी आउटपुट चरणों में पूर्वाग्रह स्थिरीकरण, क्लिपिंग, क्लैम्पिंग, मीटर सुरक्षा आदि सम्मलित होते है।[3]
उत्पादन
स्टैबिस्टर का निर्माण एपिटैक्सियल तकनीक का उपयोग करके किया जाता है और इसका विशिष्ट उपकरण बीएएस17 होता है,[4] जो कई अर्धचालक संगठनों द्वारा निर्मित होता है।[3][5] उपकरण एक ही पैकेज के अंदर श्रृंखला में जुड़े कई डायोड के साथ भी उपलब्ध होता है जो एक उपकरण की तुलना में अधिक अग्रिम वोल्टेज प्रदान करते है लेकिन मानक जेनर डायोड का उपयोग करके प्राप्त किए गए वोल्टेज से कम होते है।[2][6]
यह भी देखें
संदर्भ
- ↑ "सेंट्रल सेमीकंडक्टर वेब साइट पर इंस्टॉलर जानकारी". Archived from the original on 2016-03-05. Retrieved 2014-06-13.
- ↑ 2.0 2.1 "माइक्रोसेमी कार्पोरेशन द्वारा एमपीडी100 डाटाशीट" (PDF). Retrieved 2012-02-06.
- ↑ 3.0 3.1 "BAS17 product page at NXP Semiconductors". Archived from the original on 2013-07-22. Retrieved 2012-02-04.
- ↑ "BAS17 Datasheet by NXP Semiconductors" (PDF). 2003-03-25. Archived from the original (PDF) on 2012-05-12. Retrieved 2012-02-04.
- ↑ "CBAS17 Datasheet by Central Semiconductor" (PDF). 2009-11-20. Retrieved 2012-02-04.
- ↑ "CMXSTB200 Series datasheet by Central Semiconductor" (PDF). 2010-02-12. Retrieved 2012-02-04.
