एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड: Difference between revisions
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[[File:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png|thumb|एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड की क्रिस्टल संरचना [[जिंकब्लेन्डे (क्रिस्टल संरचना)]] है।]]'''[[अल्युमीनियम|एल्यूमिनियम]] [[गैलियम]] [[ हरताल |आर्सेनाइड]]''' ([[गैलियम आर्सेनाइड|गैलियम]] [[ एल्युमीनियम आर्सेनाइड |एल्युमीनियम]] [[गैलियम आर्सेनाइड|आर्सेनाइड]] भी) (Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>As) अर्धचालक पदार्थ है जिसमें GaAs के समान लैटिस स्थिरांक होता है किन्तु बड़ा बैंडगैप होता है। उपरोक्त सूत्र में x 0 और 1 के मध्य की संख्या है- यह GaAs और AlAs के मध्य [[मिश्र धातु]] को प्रदर्शित करता है। | [[File:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png|thumb|एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड की क्रिस्टल संरचना [[जिंकब्लेन्डे (क्रिस्टल संरचना)]] है।]]'''[[अल्युमीनियम|एल्यूमिनियम]] [[गैलियम]] [[ हरताल |आर्सेनाइड]]''' ([[गैलियम आर्सेनाइड|गैलियम]] [[ एल्युमीनियम आर्सेनाइड |एल्युमीनियम]] [[गैलियम आर्सेनाइड|आर्सेनाइड]] भी) (Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>As) अर्धचालक पदार्थ होते है, जिसमें GaAs के समान लैटिस स्थिरांक होता है किन्तु बड़ा बैंडगैप होता है। उपरोक्त सूत्र में x 0 और 1 के मध्य की संख्या है- यह GaAs और AlAs के मध्य [[मिश्र धातु]] को प्रदर्शित करता है। | ||
रासायनिक सूत्र [[GaAs|AlGaAs]] को किसी विशेष अनुपात के अतिरिक्त उपरोक्त का संक्षिप्त रूप माना जाना चाहिए। | रासायनिक सूत्र [[GaAs|AlGaAs]] को किसी विशेष अनुपात के अतिरिक्त उपरोक्त का संक्षिप्त रूप माना जाना चाहिए। | ||
बैंडगैप 1.42 eV (GaAs) और 2.16 eV (AlAs) के मध्य भिन्न होता है। x <0.4 के लिए [[प्रत्यक्ष बैंडगैप|बैंडगैप]] [[प्रत्यक्ष बैंडगैप|प्रत्यक्ष]] है। | बैंडगैप 1.42 eV (GaAs) और 2.16 eV (AlAs) के मध्य भिन्न होता है। x <0.4 के लिए [[प्रत्यक्ष बैंडगैप|बैंडगैप]] [[प्रत्यक्ष बैंडगैप|प्रत्यक्ष]] होता है। | ||
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एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड का उपयोग GaAs आधारित हेटरोस्ट्रक्चर उपकरणों में | एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड का उपयोग GaAs आधारित हेटरोस्ट्रक्चर उपकरणों में अवरोध सामग्री के रूप में किया जाता है। AlGaAs परत इलेक्ट्रॉनों को गैलियम आर्सेनाइड क्षेत्र तक सीमित रखती है। ऐसे उपकरण का उदाहरण क्वांटम वेल इंफ्रारेड फोटोडिटेक्टर ([[QWIP|क्यूडब्ल्यूआईपी]]) होते है। | ||
इसका उपयोग सामान्यतः GaAs-आधारित [[लाल]] और निकट[[ इन्फ़रा रेड ]]उत्सर्जक (700-1100 एनएम) डबल-हेटेरो-स्ट्रक्चर [[ लेज़र डायोड |लेज़र डायोड]] में किया जाता है। | इसका उपयोग सामान्यतः GaAs-आधारित [[लाल]] और निकट[[ इन्फ़रा रेड ]]उत्सर्जक (700-1100 एनएम) डबल-हेटेरो-स्ट्रक्चर [[ लेज़र डायोड |लेज़र डायोड]] में किया जाता है। | ||
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AlGaAs के विष विज्ञान का पूर्ण रूप से परिक्षण नहीं किया गया है। धूल त्वचा, आंखों और फेफड़ों के लिए हानिकारक है। एल्यूमीनियम गैलियम [[आर्सेन|आर्सेनाइड]] स्रोतों (जैसे [[ट्राइमेथिलगैलियम]] और आर्सिन) के पर्यावरण, स्वास्थ्य, सुरक्षा विषयों और मानक [[MOVPE]] स्रोतों के औद्योगिक स्वच्छता निरीक्षण अध्ययनों को वर्तमान की समीक्षा में | AlGaAs के विष विज्ञान का पूर्ण रूप से परिक्षण नहीं किया गया है। धूल त्वचा, आंखों और फेफड़ों के लिए हानिकारक है। एल्यूमीनियम गैलियम [[आर्सेन|आर्सेनाइड]] स्रोतों (जैसे [[ट्राइमेथिलगैलियम]] और आर्सिन) के पर्यावरण, स्वास्थ्य, सुरक्षा विषयों और मानक [[MOVPE|मोवपे]] स्रोतों के औद्योगिक स्वच्छता निरीक्षण अध्ययनों को वर्तमान की समीक्षा में वर्णित किया गया है।<ref>{{ cite journal |author1=Shenai-Khatkhate, D. V. |author2=Goyette, R. J. |author3=DiCarlo, R. L. Jr. |author4=Dripps, G. | journal = Journal of Crystal Growth | year = 2004 | volume = 272 | issue = 1–4 | pages = 816–821 | doi = 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 | title = Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors }}</ref> | ||
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Latest revision as of 11:49, 10 August 2023
एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड की क्रिस्टल संरचना जिंकब्लेन्डे (क्रिस्टल संरचना) है।
एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड (गैलियम एल्युमीनियम आर्सेनाइड भी) (AlxGa1−xAs) अर्धचालक पदार्थ होते है, जिसमें GaAs के समान लैटिस स्थिरांक होता है किन्तु बड़ा बैंडगैप होता है। उपरोक्त सूत्र में x 0 और 1 के मध्य की संख्या है- यह GaAs और AlAs के मध्य मिश्र धातु को प्रदर्शित करता है।
रासायनिक सूत्र AlGaAs को किसी विशेष अनुपात के अतिरिक्त उपरोक्त का संक्षिप्त रूप माना जाना चाहिए।
बैंडगैप 1.42 eV (GaAs) और 2.16 eV (AlAs) के मध्य भिन्न होता है। x <0.4 के लिए बैंडगैप प्रत्यक्ष होता है।
अपवर्तक सूचकांक क्रेमर्स-क्रोनिग संबंधों के माध्यम में बैंडगैप से संबंधित है और 2.9 (x = 1) और 3.5 (x = 0) के मध्य भिन्न होता है। यह वीसीएसईएल, आरसीएलईडी और सब्सट्रेट-स्थानांतरित क्रिस्टलीय कोटिंग्स में उपयोग किए जाने वाले ब्रैग दर्पणों के निर्माण की अनुमति प्रदान करता है।
एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड का उपयोग GaAs आधारित हेटरोस्ट्रक्चर उपकरणों में अवरोध सामग्री के रूप में किया जाता है। AlGaAs परत इलेक्ट्रॉनों को गैलियम आर्सेनाइड क्षेत्र तक सीमित रखती है। ऐसे उपकरण का उदाहरण क्वांटम वेल इंफ्रारेड फोटोडिटेक्टर (क्यूडब्ल्यूआईपी) होते है।
इसका उपयोग सामान्यतः GaAs-आधारित लाल और निकटइन्फ़रा रेड उत्सर्जक (700-1100 एनएम) डबल-हेटेरो-स्ट्रक्चर लेज़र डायोड में किया जाता है।
सुरक्षा और विषाक्तता विषय
AlGaAs के विष विज्ञान का पूर्ण रूप से परिक्षण नहीं किया गया है। धूल त्वचा, आंखों और फेफड़ों के लिए हानिकारक है। एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड स्रोतों (जैसे ट्राइमेथिलगैलियम और आर्सिन) के पर्यावरण, स्वास्थ्य, सुरक्षा विषयों और मानक मोवपे स्रोतों के औद्योगिक स्वच्छता निरीक्षण अध्ययनों को वर्तमान की समीक्षा में वर्णित किया गया है।[1]
संदर्भ
- ↑ Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
बाहरी संबंध
- "AlxGa1−xAs". Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
