पिछड़ा डायोड: Difference between revisions
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[[File:Backward diode.svg|right|frame|पीछे की ओर का | [[File:Backward diode.svg|right|frame|पीछे की ओर का अर्धचालक के लिए योजनाबद्ध प्रतीक<ref>{{cite book | title = न्यूनेस डिक्शनरी ऑफ इलेक्ट्रॉनिक्स| author = Stanley William Amos, Roger S. Amos | publisher = Newnes | year = 1999 | isbn = 0-7506-4331-5 | url = https://books.google.com/books?id=c4qHqtC9JkgC&dq=backward-diode+symbol&pg=PA22 }}</ref> यह दिखाने के लिए एनोटेट किया गया है कि कौन सा पक्ष P प्रकार है और कौन सा N है; तीर के सापेक्ष पिछड़े N से P तक विद्युत प्रवाह सबसे आसानी से संचालनित होती है।]] | ||
[[File:Backward diode IEEE 315.svg|thumb|IEEE 315 के अनुसार पीछे की ओर का अर्धचालक प्रतीक]]अर्धचालक उपकरणों में, | [[File:Backward diode IEEE 315.svg|thumb|IEEE 315 के अनुसार पीछे की ओर का अर्धचालक प्रतीक]]अर्धचालक उपकरणों में, पीछे की ओर एक अर्धचालक होता है जिसे '''पिछला अर्धचालक''' भी कहा जाता है।<ref>{{cite book|title=The Art of Electronics, 2nd edition|author=Paul Horowitz, Winfield Hill|year=1989|page=891}}</ref> एक [[ ज़ेनर डायोड |ज़ेनर अर्धचालक]] या [[ सुरंग डायोड |सुरंग अर्धचालक]] पर भिन्नता है जिसमें अग्र विभेदक विद्युत संचालन की तुलना में छोटे विपरीत विभेदक (उदाहरण के लिए -0.1 से -0.6 वी) के लिए बेहतर चालन होता है। | ||
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== | == पिछला अर्धचालक की विद्युत प्रवाह -विद्युत संचालन विशेषताएँ == | ||
[[File:Backward_Diode_Band_Diagram.svg|thumb|right|400px|पीछे की ओर का | [[File:Backward_Diode_Band_Diagram.svg|thumb|right|400px|पीछे की ओर का अर्धचालक का [[बैंड आरेख]]। इलेक्ट्रॉन ऊर्जा ऊर्ध्वाधर अक्ष पर है, डिवाइस के भीतर स्थिति क्षैतिज अक्ष पर है। पीछे की ओर का अर्धचालक में असामान्य संपत्ति है कि तथाकथित विपरीत बायस दिशा वास्तव में तथाकथित फॉरवर्ड बायस की तुलना में अधिक वर्तमान संचालन है।]]अग्र अर्धचालक की I-V विशेषता सामान्य P-N अर्धचालक के समान है। विभाजन तब शुरू होता है जब विपरीत विद्युत संचालन लगाया जाता है। शैली के विभाजन की स्थिति में, यह एक विशेष विद्युत संचालन पर शुरू होता है। इस अर्धचालक में जब इसे विपरीत विभेदक में जोड़ा जाता है तब विद्युत संचालन अपेक्षाकृत स्थिर रहता है। पीछे की ओर का अर्धचालक सुरंग अर्धचालक का एक विशेष रूप है जिसमें सुरंग की घटना केवल आरंभिक होती है, और ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र वस्तुतः लुप्त हो जाता है। अग्र विद्युत प्रवाह बहुत छोटी होती है और एक पारंपरिक अर्धचालक के विपरीत विद्युत प्रवाह के बराबर हो जाती है। | ||
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अर्धचालक उपकरणों में, पीछे की ओर एक अर्धचालक होता है जिसे पिछला अर्धचालक भी कहा जाता है।[2] एक ज़ेनर अर्धचालक या सुरंग अर्धचालक पर भिन्नता है जिसमें अग्र विभेदक विद्युत संचालन की तुलना में छोटे विपरीत विभेदक (उदाहरण के लिए -0.1 से -0.6 वी) के लिए बेहतर चालन होता है।
ऐसे अर्धचालक में विपरीत विद्युत प्रवाह सुरंग द्वारा होता है, जिसे सुरंग प्रभाव भी कहा जाता है।[3][4][5]
पिछला अर्धचालक की विद्युत प्रवाह -विद्युत संचालन विशेषताएँ
अग्र अर्धचालक की I-V विशेषता सामान्य P-N अर्धचालक के समान है। विभाजन तब शुरू होता है जब विपरीत विद्युत संचालन लगाया जाता है। शैली के विभाजन की स्थिति में, यह एक विशेष विद्युत संचालन पर शुरू होता है। इस अर्धचालक में जब इसे विपरीत विभेदक में जोड़ा जाता है तब विद्युत संचालन अपेक्षाकृत स्थिर रहता है। पीछे की ओर का अर्धचालक सुरंग अर्धचालक का एक विशेष रूप है जिसमें सुरंग की घटना केवल आरंभिक होती है, और ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र वस्तुतः लुप्त हो जाता है। अग्र विद्युत प्रवाह बहुत छोटी होती है और एक पारंपरिक अर्धचालक के विपरीत विद्युत प्रवाह के बराबर हो जाती है।
पिछला अर्धचालक के अनुप्रयोग
- संसूचक
- चूंकि इसमें कम क्षमता है और कोई संरक्षण संचयन प्रभाव नहीं है,[4]और एक अत्यधिक अरैखिक लघु-संकेत विशेषता, पश्च अर्धचालक को 40 GHz तक संसूचक के रूप में उपयोग किया जा सकता है।
संशोधक
पीछे की ओर का अर्धचालक का उपयोग 0.1 से 0.7 V के उच्च आकार वाले कमजोर संकेतों को सुधारने के लिए किया जा सकता है।
- स्विच
- उच्च गति परावर्तन अनुप्रयोग में एक पीछे की ओर का अर्धचालक का उपयोग किया जा सकता है।
संदर्भ
- ↑ Stanley William Amos, Roger S. Amos (1999). न्यूनेस डिक्शनरी ऑफ इलेक्ट्रॉनिक्स. Newnes. ISBN 0-7506-4331-5.
- ↑ Paul Horowitz, Winfield Hill (1989). The Art of Electronics, 2nd edition. p. 891.
- ↑ Anwar A. Khan and Kanchan K. Dey (2006). इलेक्ट्रॉनिक्स में पहला कोर्स. Prentice Hall of India. ISBN 81-203-2776-4.
- ↑ 4.0 4.1 S.L. Kakani (2004). इलेक्ट्रॉनिक्स सिद्धांत और अनुप्रयोग. New Age Intl. Ltd. ISBN 81-224-1536-9.
- ↑ Karlheinz Seeger (2004). Semiconductor Physics: An Introduction. Springer. ISBN 3-540-21957-9.