सोलरिस्टर: Difference between revisions

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एक '''सोलरिस्टर''' ([[सौर सेल|सोलर सेल]] ट्रांजिस्टर से) एक कॉम्पैक्ट दो-टर्मिनल वाला स्व-संचालित [[phototransistor|फोटोट्रांजिस्टर]] है। टू-इन-वन ट्रांजिस्टर प्लस सोलर सेल फोटोजेनरेटेड कैरियर्स के प्रवाह में [[ यादगार | स्मरणीय]] प्रभाव द्वारा उच्च-निम्न वर्तमान मॉड्यूलेशन प्राप्त करता है। यह शब्द डॉ. अमाडोर पेरेज़-टॉमस द्वारा 2018 में अन्य [[कैटलन इंस्टीट्यूट ऑफ नैनोसाइंस एंड नैनोटेक्नोलॉजी (ICN2)|कैटलन इंस्टीट्यूट ऑफ नैनोसाइंस एंड नैनोटेक्नोलॉजी (आईसीएन2)]] के शोधकर्ताओं के सहयोग से दिया गया था, जब उन्होंने [[फेरोइलेक्ट्रिसिटी|फेरोइलेक्ट्रिक]]-ऑक्साइड/ऑर्गेनिक बल्क हेटेरोजंक्शन सौर सेल में अवधारणा का प्रदर्शन किया था।<ref>{{Cite journal|last=Pérez-Tomás|first=Amador|last2=Lima|first2=Anderson|last3=Billon|first3=Quentin|last4=Shirley|first4=Ian|last5=Catalan|first5=Gustau|last6=Lira-Cantú|first6=Mónica|title=एक सौर ट्रांजिस्टर और फोटोफेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी|journal=Advanced Functional Materials|volume=28|issue=17|pages=1707099|language=en|doi=10.1002/adfm.201707099|issn=1616-3028|year=2018|url=http://ddd.uab.cat/record/215011|hdl=10261/199048|hdl-access=free}}</ref>
 
'''सोलरिस्टर''' ([[सौर सेल|सोलर सेल]] [[ट्रांजिस्टर]] से) एक कॉम्पैक्ट दो-टर्मिनल वाला स्व-संचालित [[phototransistor|फोटोट्रांजिस्टर]] है। टू-इन-वन ट्रांजिस्टर प्लस सोलर सेल फोटोजेनरेटेड कैरियर्स के प्रवाह में [[ यादगार |स्मरणीय]] प्रभाव द्वारा उच्च-निम्न वर्तमान मॉड्यूलेशन प्राप्त करता है। यह शब्द डॉ. अमाडोर पेरेज़-टॉमस द्वारा 2018 में अन्य [[कैटलन इंस्टीट्यूट ऑफ नैनोसाइंस एंड नैनोटेक्नोलॉजी (ICN2)|कैटलन इंस्टीट्यूट ऑफ नैनोसाइंस एंड नैनोटेक्नोलॉजी (आईसीएन2)]] के शोधकर्ताओं के सहयोग से दिया गया था, जब उन्होंने [[फेरोइलेक्ट्रिसिटी|फेरोइलेक्ट्रिक]]-ऑक्साइड/ऑर्गेनिक बल्क हेटेरोजंक्शन सौर सेल में अवधारणा का प्रदर्शन किया था।<ref>{{Cite journal|last=Pérez-Tomás|first=Amador|last2=Lima|first2=Anderson|last3=Billon|first3=Quentin|last4=Shirley|first4=Ian|last5=Catalan|first5=Gustau|last6=Lira-Cantú|first6=Mónica|title=एक सौर ट्रांजिस्टर और फोटोफेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी|journal=Advanced Functional Materials|volume=28|issue=17|pages=1707099|language=en|doi=10.1002/adfm.201707099|issn=1616-3028|year=2018|url=http://ddd.uab.cat/record/215011|hdl=10261/199048|hdl-access=free}}</ref>




==संचालन का सिद्धांत==
==संचालन का सिद्धांत==
एक मूलभूत सोलरिस्टर अवतार में, स्व-संचालित ट्रांजिस्टर का प्रभाव एक कार्यात्मक [[अर्धचालक]] परिवहन परत के साथ श्रृंखला में एक प्रकाश अवशोषक परत (एक सामग्री जो [[फोटॉन ऊर्जा]] को अवशोषित करता है) के एकीकरण द्वारा प्राप्त किया जाता है, जिसकी आंतरिक चालकता या संपर्क प्रतिरोध को बाहरी रूप से संशोधित किया जा सकता है।
मूलभूत सोलरिस्टर अवतार में, स्व-संचालित ट्रांजिस्टर का प्रभाव कार्यात्मक [[अर्धचालक]] परिवहन परत के साथ श्रृंखला में प्रकाश अवशोषक परत (सामग्री जो [[फोटॉन ऊर्जा]] को अवशोषित करता है) के एकीकरण द्वारा प्राप्त किया जाता है, जिसकी आंतरिक चालकता या संपर्क प्रतिरोध को बाहरी रूप से संशोधित किया जा सकता है।


===प्रकाश अवशोषक (सौर सेल तत्व)===
===प्रकाश अवशोषक (सौर सेल तत्व)===
सामान्य तौर पर, प्रकाश अवशोषक एक अर्धचालक p-n जंक्शन है जो:
सामान्य तौर पर, प्रकाश अवशोषक अर्धचालक p-n जंक्शन है जो:
* [[प्रकाश विद्युत प्रभाव|फोटोइलेक्ट्रिक प्रभाव]] द्वारा विभिन्न दृश्यमान तरंग दैर्ध्य पर कुशलतापूर्वक फोटॉन एकत्र करता है। '''Shockley-Queisser  द्वारा विभिन्न दृश्यमान तरंग दैर्ध्य पर फोटॉनों को सीमित करता है।'''
* [[प्रकाश विद्युत प्रभाव|फोटोइलेक्ट्रिक प्रभाव]] द्वारा विभिन्न दृश्यमान तरंग दैर्ध्य पर कुशलतापूर्वक फोटॉन एकत्र करता है।
* फोटो-जनित [[exciton|एक्सिटॉन]] को मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों में विभाजित करता है।
* फोटो-जनित [[exciton|एक्सिटॉन]] को मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों में विभाजित करता है।
* एक आंतरिक क्षेत्र के माध्यम से इन मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों को उनके संबंधित बाहरी इलेक्ट्रोड की ओर लाता है।
* आंतरिक क्षेत्र के माध्यम से इन मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों को उनके संबंधित बाहरी इलेक्ट्रोड की ओर लाता है।


इसके अतिरिक्त, पतली-फिल्म सौर सेल में, इलेक्ट्रॉन-छेंद पुनर्संयोजन से बचने और धातु/अवशोषक [[शोट्की बाधा]] को हटाने के लिए बफर इलेक्ट्रॉन और छेद अर्धचालक परिवहन परतों को संबंधित धातु इलेक्ट्रोड पर प्रस्तुत किया जाता है।
इसके अतिरिक्त, पतली-फिल्म सौर सेल में, इलेक्ट्रॉन-छेंद पुनर्संयोजन से बचने और धातु/अवशोषक [[शोट्की बाधा]] को हटाने के लिए बफर इलेक्ट्रॉन और छेद अर्धचालक परिवहन परतों को संबंधित धातु इलेक्ट्रोड पर प्रस्तुत किया जाता है।
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सोलरिस्टर प्रभाव आंतरिक क्षेत्र गुणों या सौर सेल की समग्र चालकता को संशोधित करके प्राप्त किया जाता है।
सोलरिस्टर प्रभाव आंतरिक क्षेत्र गुणों या सौर सेल की समग्र चालकता को संशोधित करके प्राप्त किया जाता है।


'''फेरोइलेक्ट्रिक सोलरिस्टर्स;''' एक संभावना परिवहन परतों के रूप में [[ फेरोइलेक्ट्रिक संधारित्र | फेरोइलेक्ट्रिक]] अर्धचालकों का उपयोग है। फेरोइलेक्ट्रिक परत को स्विचेबल सतह आवेश ध्रुवता के साथ अर्धचालक के रूप में देखा जा सकता है। इसे ट्यून करने योग्य द्विध्रुवीय प्रभाव के कारण, फेरोइलेक्ट्रिक्स अपने [[इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना]] को मोड़ते हैं और फेरोइलेक्ट्रिक ध्रुवीकरण को स्विच करते समय आसन्न धातुओं और अर्धचालकों के संबंध में ऑफसेट करते हैं, जिससे समग्र चालकता को परिमाण के क्रम में ट्यून किया जा सके।
'''फेरोइलेक्ट्रिक सोलरिस्टर्स;''' एक संभावना परिवहन परतों के रूप में [[ फेरोइलेक्ट्रिक संधारित्र |फेरोइलेक्ट्रिक]] अर्धचालकों का उपयोग है। फेरोइलेक्ट्रिक परत को स्विचेबल सतह आवेश ध्रुवता के साथ अर्धचालक के रूप में देखा जा सकता है। इसे ट्यून करने योग्य द्विध्रुवीय प्रभाव के कारण, फेरोइलेक्ट्रिक्स अपने [[इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना]] को मोड़ते हैं और फेरोइलेक्ट्रिक ध्रुवीकरण को स्विच करते समय आसन्न धातुओं और अर्धचालकों के संबंध में ऑफसेट करते हैं, जिससे समग्र चालकता को परिमाण के क्रम में ट्यून किया जा सके।


==दो-टर्मिनल फोटोट्रांजिस्टर==
==दो-टर्मिनल फोटोट्रांजिस्टर==
पारंपरिक [[फोटोडायोड]] या [[फोटोडिटेक्टर]] अपने तीसरे टर्मिनल (गेट) के माध्यम से बायस्ड होने पर फोटोट्रांजिस्टर की तरह स्विच नहीं करते हैं। इसलिए, सोलरिस्टर का एक अतिरिक्त लाभ मानक फोटोट्रांजिस्टर के क्षेत्र और इंटरकनेक्शन जटिलता की संभावित कमी है। सोलरिस्टर्स का उपयोग करके, फोटो-सेंसर, कैमरा या डिस्प्ले जैसी प्रणालियों में इन-प्लेन तीन-इलेक्ट्रोड आर्किटेक्चर को ऊर्ध्वाधर, दो-इलेक्ट्रोड फोटोडायोड-जैसे आर्किटेक्चर द्वारा प्रतिस्थापित करना सैद्धांतिक रूप से संभव होगा।
पारंपरिक [[फोटोडायोड]] या [[फोटोडिटेक्टर]] अपने तीसरे टर्मिनल (गेट) के माध्यम से बायस्ड होने पर फोटोट्रांजिस्टर की तरह स्विच नहीं करते हैं। इसलिए, सोलरिस्टर का अतिरिक्त लाभ मानक फोटोट्रांजिस्टर के क्षेत्र और इंटरकनेक्शन जटिलता की संभावित कमी है। सोलरिस्टर्स का उपयोग करके, फोटो-सेंसर, कैमरा या डिस्प्ले जैसी प्रणालियों में इन-प्लेन तीन-इलेक्ट्रोड आर्किटेक्चर को ऊर्ध्वाधर, दो-इलेक्ट्रोड फोटोडायोड-जैसे आर्किटेक्चर द्वारा प्रतिस्थापित करना सैद्धांतिक रूप से संभव होगा।


==यह भी देखें==
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Conventional Phototrasistor vs Solaristor.jpg


सोलरिस्टर (सोलर सेल ट्रांजिस्टर से) एक कॉम्पैक्ट दो-टर्मिनल वाला स्व-संचालित फोटोट्रांजिस्टर है। टू-इन-वन ट्रांजिस्टर प्लस सोलर सेल फोटोजेनरेटेड कैरियर्स के प्रवाह में स्मरणीय प्रभाव द्वारा उच्च-निम्न वर्तमान मॉड्यूलेशन प्राप्त करता है। यह शब्द डॉ. अमाडोर पेरेज़-टॉमस द्वारा 2018 में अन्य कैटलन इंस्टीट्यूट ऑफ नैनोसाइंस एंड नैनोटेक्नोलॉजी (आईसीएन2) के शोधकर्ताओं के सहयोग से दिया गया था, जब उन्होंने फेरोइलेक्ट्रिक-ऑक्साइड/ऑर्गेनिक बल्क हेटेरोजंक्शन सौर सेल में अवधारणा का प्रदर्शन किया था।[1]


संचालन का सिद्धांत

मूलभूत सोलरिस्टर अवतार में, स्व-संचालित ट्रांजिस्टर का प्रभाव कार्यात्मक अर्धचालक परिवहन परत के साथ श्रृंखला में प्रकाश अवशोषक परत (सामग्री जो फोटॉन ऊर्जा को अवशोषित करता है) के एकीकरण द्वारा प्राप्त किया जाता है, जिसकी आंतरिक चालकता या संपर्क प्रतिरोध को बाहरी रूप से संशोधित किया जा सकता है।

प्रकाश अवशोषक (सौर सेल तत्व)

सामान्य तौर पर, प्रकाश अवशोषक अर्धचालक p-n जंक्शन है जो:

  • फोटोइलेक्ट्रिक प्रभाव द्वारा विभिन्न दृश्यमान तरंग दैर्ध्य पर कुशलतापूर्वक फोटॉन एकत्र करता है।
  • फोटो-जनित एक्सिटॉन को मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों में विभाजित करता है।
  • आंतरिक क्षेत्र के माध्यम से इन मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों को उनके संबंधित बाहरी इलेक्ट्रोड की ओर लाता है।

इसके अतिरिक्त, पतली-फिल्म सौर सेल में, इलेक्ट्रॉन-छेंद पुनर्संयोजन से बचने और धातु/अवशोषक शोट्की बाधा को हटाने के लिए बफर इलेक्ट्रॉन और छेद अर्धचालक परिवहन परतों को संबंधित धातु इलेक्ट्रोड पर प्रस्तुत किया जाता है।

चालकता मॉड्यूलेटर (ट्रांजिस्टर तत्व)

सोलरिस्टर प्रभाव आंतरिक क्षेत्र गुणों या सौर सेल की समग्र चालकता को संशोधित करके प्राप्त किया जाता है।

फेरोइलेक्ट्रिक सोलरिस्टर्स; एक संभावना परिवहन परतों के रूप में फेरोइलेक्ट्रिक अर्धचालकों का उपयोग है। फेरोइलेक्ट्रिक परत को स्विचेबल सतह आवेश ध्रुवता के साथ अर्धचालक के रूप में देखा जा सकता है। इसे ट्यून करने योग्य द्विध्रुवीय प्रभाव के कारण, फेरोइलेक्ट्रिक्स अपने इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना को मोड़ते हैं और फेरोइलेक्ट्रिक ध्रुवीकरण को स्विच करते समय आसन्न धातुओं और अर्धचालकों के संबंध में ऑफसेट करते हैं, जिससे समग्र चालकता को परिमाण के क्रम में ट्यून किया जा सके।

दो-टर्मिनल फोटोट्रांजिस्टर

पारंपरिक फोटोडायोड या फोटोडिटेक्टर अपने तीसरे टर्मिनल (गेट) के माध्यम से बायस्ड होने पर फोटोट्रांजिस्टर की तरह स्विच नहीं करते हैं। इसलिए, सोलरिस्टर का अतिरिक्त लाभ मानक फोटोट्रांजिस्टर के क्षेत्र और इंटरकनेक्शन जटिलता की संभावित कमी है। सोलरिस्टर्स का उपयोग करके, फोटो-सेंसर, कैमरा या डिस्प्ले जैसी प्रणालियों में इन-प्लेन तीन-इलेक्ट्रोड आर्किटेक्चर को ऊर्ध्वाधर, दो-इलेक्ट्रोड फोटोडायोड-जैसे आर्किटेक्चर द्वारा प्रतिस्थापित करना सैद्धांतिक रूप से संभव होगा।

यह भी देखें

संदर्भ

  1. Pérez-Tomás, Amador; Lima, Anderson; Billon, Quentin; Shirley, Ian; Catalan, Gustau; Lira-Cantú, Mónica (2018). "एक सौर ट्रांजिस्टर और फोटोफेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी". Advanced Functional Materials (in English). 28 (17): 1707099. doi:10.1002/adfm.201707099. hdl:10261/199048. ISSN 1616-3028.