नैनोफोटोनिक्स: Difference between revisions
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[[नैनो]] | '''[[नैनो]]फोटोनिक्स''' या नैनो-[[प्रकाशिकी|ऑप्टिक्स]] [[नैनोमीटर]] पैमाने पर प्रकाश के व्यवहार का अध्ययन है और प्रकाश के साथ नैनोमीटर-स्केल वस्तुओं के संपर्क का अध्ययन है। यह ऑप्टिक्स, [[ऑप्टिकल इंजीनियरिंग]], इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग और नैनो टेक्नोलॉजी की एक शाखा है। इसमें अक्सर बिजली के धाराप्रवाह को रोकने वाली संरचनाएं शामिल होती हैं जैसे कि [[ऑप्टिकल रेक्टेना|नैनोएंटेनस]] या धातु के घटक जो [[सतह प्लास्मोन पोलरिटोन]] के माध्यम से प्रकाश को परिवहन और ध्यान केंद्रित कर सकते हैं। <ref>{{cite journal |last1=Awad |first1=Ehab |title=ब्रॉडबैंड ध्रुवीकरण-असंवेदनशील और उन्नत इन्फ्रारेड पहचान के लिए नैनो-प्लास्मोनिक बंड ऑप्टेना|journal=Scientific Reports |date=21 August 2019 |volume=9 |issue=1 |page=12197 |doi=10.1038/s41598-019-48648-6 |pmid=31434970 |url=https://www.nature.com/articles/s41598-019-48648-6 |ref=1}}</ref> | ||
नैनो-ऑप्टिक्स शब्द | नैनो-ऑप्टिक्स शब्द ऑप्टिक्स शब्द की तरह, आमतौर पर [[पराबैंगनी]] [[दृश्य प्रकाश|दृश्यमान]] और निकट-अवरक्त प्रकाश (300 से 1200 नैनोमीटर से मुक्त-अंतरिक्ष तरंग दैर्ध्य) से जुड़ी स्थितियों को संदर्भित करता है। | ||
== पृष्ठभूमि == | == पृष्ठभूमि == | ||
सामान्य ऑप्टिकल घटक जैसे लेंस और सूक्ष्मदर्शी, आमतौर पर [[विवर्तन सीमा]] (rayleidh criterion) के कारण प्रकाश को नैनोमीटर (डीप [[सबवेवलेंथ]]) स्केल पर केंद्रित नहीं कर सकते हैं। फिर भी, अन्य तकनीकों का उपयोग करके नैनोमीटर स्केल में प्रकाश पे दबाव डालना संभव है उदाहरण के लिए, सतह प्लास्मोंस, नैनोस्केल धातु की वस्तुओं के आसपास स्थानीयकृत सतह प्लास्मोंस और नैनोस्केल अपर्चर और नैनोस्केल शार्प टिप्स, [[निकट-क्षेत्र स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी]] (एसएनओएम) या (एनएसओएम) <ref name="ReferenceA">{{cite journal |last1=Pohl |first1=D.W. |last2=Denk |first2=W. |last3=Lanz |first3=M. |title=ऑप्टिकल स्टेथोस्कोपी: रेजोल्यूशन λ/20 के साथ इमेज रिकॉर्डिंग|journal=Appl. Phys. Lett. |date=1984 |volume=44 |issue=7 |pages=651–653|doi=10.1063/1.94865 |bibcode=1984ApPhL..44..651P }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Dürig |first1=U. |last2=Pohl|first2=D. W. |last3=Rohner|first3=F. |title=नियर-फील्ड ऑप्टिकल स्कैनिंग माइक्रोस्कोपी|journal=J. Appl. Phys. |date=1986 |volume=59 |issue=10 |pages=3318–3327|doi=10.1063/1.336848 |bibcode=1986JAP....59.3318D }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Betzig |first1=E. |last2=Harootunian |first2=A.|last3=Isaacson |first3=M. |last4=Kratschmer |first4=E. |title=फील्ड स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी (एनएसओएम) के पास|journal=Biophys. J.|date=1986 |volume=49 |issue=1 |pages=269–279 |doi=10.1016/s0006-3495(86)83640-2 |pmid=19431633 |pmc=1329633 |bibcode=1986BpJ....49..269B}}</ref> और फोटो असिस्टेड [[स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी]] में उपयोग किया जाता हैं। <ref>{{cite journal|last1=Hewakuruppu|first1=Yasitha L.|last2=Dombrovsky|first2=Leonid A.|last3=Chen|first3=Chuyang|last4=Timchenko|first4=Victoria|last5=Jiang|first5=Xuchuan|last6=Baek|first6=Sung|last7=Taylor|first7=Robert A.|title=अर्ध-पारदर्शी नैनोफ्लूड्स का अध्ययन करने के लिए प्लाज़्मोनिक "पंप-प्रोब" विधि|journal=Applied Optics|volume=52|issue=24|year=2013|pages=6041–6050|pmid=24085009|doi=10.1364/AO.52.006041|bibcode=2013ApOpt..52.6041H}}</ref> | सामान्य ऑप्टिकल घटक जैसे लेंस और सूक्ष्मदर्शी, आमतौर पर [[विवर्तन सीमा]] (rayleidh criterion) के कारण प्रकाश को नैनोमीटर (डीप [[सबवेवलेंथ]]) स्केल पर केंद्रित नहीं कर सकते हैं। फिर भी, अन्य तकनीकों का उपयोग करके नैनोमीटर स्केल में प्रकाश पे दबाव डालना संभव है उदाहरण के लिए, सतह प्लास्मोंस, नैनोस्केल धातु की वस्तुओं के आसपास स्थानीयकृत सतह प्लास्मोंस और नैनोस्केल अपर्चर और नैनोस्केल शार्प टिप्स, [[निकट-क्षेत्र स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी]] (एसएनओएम) या (एनएसओएम) <ref name="ReferenceA">{{cite journal |last1=Pohl |first1=D.W. |last2=Denk |first2=W. |last3=Lanz |first3=M. |title=ऑप्टिकल स्टेथोस्कोपी: रेजोल्यूशन λ/20 के साथ इमेज रिकॉर्डिंग|journal=Appl. Phys. Lett. |date=1984 |volume=44 |issue=7 |pages=651–653|doi=10.1063/1.94865 |bibcode=1984ApPhL..44..651P }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Dürig |first1=U. |last2=Pohl|first2=D. W. |last3=Rohner|first3=F. |title=नियर-फील्ड ऑप्टिकल स्कैनिंग माइक्रोस्कोपी|journal=J. Appl. Phys. |date=1986 |volume=59 |issue=10 |pages=3318–3327|doi=10.1063/1.336848 |bibcode=1986JAP....59.3318D }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Betzig |first1=E. |last2=Harootunian |first2=A.|last3=Isaacson |first3=M. |last4=Kratschmer |first4=E. |title=फील्ड स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी (एनएसओएम) के पास|journal=Biophys. J.|date=1986 |volume=49 |issue=1 |pages=269–279 |doi=10.1016/s0006-3495(86)83640-2 |pmid=19431633 |pmc=1329633 |bibcode=1986BpJ....49..269B}}</ref> और फोटो असिस्टेड [[स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी]] में उपयोग किया जाता हैं। <ref>{{cite journal|last1=Hewakuruppu|first1=Yasitha L.|last2=Dombrovsky|first2=Leonid A.|last3=Chen|first3=Chuyang|last4=Timchenko|first4=Victoria|last5=Jiang|first5=Xuchuan|last6=Baek|first6=Sung|last7=Taylor|first7=Robert A.|title=अर्ध-पारदर्शी नैनोफ्लूड्स का अध्ययन करने के लिए प्लाज़्मोनिक "पंप-प्रोब" विधि|journal=Applied Optics|volume=52|issue=24|year=2013|pages=6041–6050|pmid=24085009|doi=10.1364/AO.52.006041|bibcode=2013ApOpt..52.6041H}}</ref> | ||
== आवेदन == | == आवेदन == | ||
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=== ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक === | === ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक === | ||
यदि प्रकाश को कम मात्रा में निचोड़ा जा सकता है, तो इसे एक छोटे | यदि प्रकाश को कम मात्रा में निचोड़ा जा सकता है, तो इसे एक छोटे संसूचक द्वारा अवशोषित और पता लगाया जा सकता है। छोटे [[फोटोडिटेक्टर]] में कम शोर, उच्च गति, और कम वोल्टेज और शक्ति सहित विभिन्न प्रकार के वांछनीय गुण होते हैं।<ref>{{cite journal |journal=Nature |title=नैनोफोटोनिक ऑन-चिप ऑप्टिकल इंटरकनेक्ट्स के लिए जर्मेनियम हिमस्खलन फोटोडिटेक्टर का पुन: आविष्कार|doi=10.1038/nature08813 |pmid=20203606 |year=2010 |last1=Assefa |first1=Solomon |last2=Xia |first2=Fengnian |last3=Vlasov |first3=Yurii A. |volume=464 |issue=7285 |pages=80–4 |bibcode = 2010Natur.464...80A |s2cid=4372660 }}</ref><ref name="tadias1">{{cite web|url=http://www.tadias.com/03/08/2010/research-discovery-by-ethiopian-scientist-at-ibm/ |title=आईबीएम में इथियोपियाई वैज्ञानिक द्वारा शोध खोज|work=Tadias Magazine |access-date=2010-03-15}}</ref><ref>{{cite web|url=https://physicsworld.com/a/avalanche-photodetector-breaks-speed-record/ |title=हिमस्खलन फोटोडेटेक्टर ने स्पीड रिकॉर्ड तोड़ा|publisher=Physics World |date=2010-03-04|author=Dumé, Isabelle }}</ref> | ||
छोटे [[लेज़र|लेसरों]] में [[ऑप्टिकल संचार]] के लिए कम थ्रेशोल्ड करंट (जो बिजली दक्षता में मदद करता है) और तेज़ मॉड्यूलेशन<ref>{{Cite journal |doi = 10.1038/nphys3103 |title = सतह प्लास्मोन आवृत्ति के पास अल्ट्राफास्ट प्लास्मोनिक नैनोवायर लेजर|journal = Nature Physics | date = 2014|bibcode = 2014NatPh..10..870S |volume=10 |issue = 11 |pages=870–876|hdl = 10044/1/18641 |hdl-access = free |last1 = Sidiropoulos |first1 = Themistoklis P. H. |last2 = Röder |first2 = Robert |last3 = Geburt |first3 = Sebastian |last4 = Hess |first4 = Ortwin |last5 = Maier |first5 = Stefan A. |last6 = Ronning |first6 = Carsten |last7 = Oulton |first7 = Rupert F. }} [http://www3.imperial.ac.uk/newsandeventspggrp/imperialcollege/newssummary/news_29-9-2014-8-43-35 Press release] {{webarchive |url=https://web.archive.org/web/20161225035129/http://www3.imperial.ac.uk/newsandeventspggrp/imperialcollege/newssummary/news_29-9-2014-8-43-35 |date=December 25, 2016 }}</ref> (जिसका अर्थ है अधिक डेटा ट्रांसमिशन) सहित विभिन्न वांछनीय गुण होते हैं। बहुत छोटे लेज़रों को सबवेवलेंथ [[ऑप्टिकल गुहा|ऑप्टिकल कैविटी]] की आवश्यकता होती है। एक उदाहरण है [[सैर|स्पैसर]], लेज़रों का सतह प्लास्मोन संस्करण। | |||
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[[ | इंटीग्रेटेड सर्किट [[फोटोलिथोग्राफी]] यानी प्रकाश के संपर्क में आने से बनते हैं। बहुत छोटे ट्रांजिस्टर बनाने के लिए प्रकाश को अत्यधिक तीक्ष्ण छवियों में केंद्रित करने की आवश्यकता होती है। [[विसर्जन लिथोग्राफी|इमर्शन लिथोग्राफी]] और फेज-शिफ्टिंग [[photomask|फोटोमास्क]] जैसी विभिन्न तकनीकों का उपयोग करके वास्तव में छवियों को तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत बेहतर बनाना संभव हो गया है, उदाहरण के लिए- 193 nm प्रकाश का उपयोग करके 30 nm की रेखाएं खींचना।<ref>{{cite web | first=Aaron | last=Hand | title=हाई-इंडेक्स लेंस 32 एनएम से परे विसर्जन को धक्का देते हैं| url=http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6319061 | access-date=2014-09-27 | archive-url=https://web.archive.org/web/20150929113253/http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6319061 | archive-date=2015-09-29 | url-status=dead }}</ref> इस अनुप्रयोगों के लिए प्लास्मोनिक तकनीक भी प्रस्तावित की गई है।<ref>{{cite journal |title=22 एनएम रिज़ॉल्यूशन पर मास्कलेस प्लास्मोनिक लिथोग्राफी|doi=10.1038/srep00175 |journal=Scientific Reports |date=2011|bibcode = 2011NatSR...1E.175P |volume=1 |pages=175 |pmid=22355690 |pmc=3240963|last1=Pan |first1=L. |last2=Park |first2=Y. |last3=Xiong |first3=Y. |last4=Ulin-Avila |first4=E. |last5=Wang |first5=Y. |last6=Zeng |first6=L. |last7=Xiong |first7=S. |last8=Rho |first8=J. |last9=Sun |first9=C. |last10=Bogy |first10=D. B. |last11=Zhang |first11=X. }}</ref> | ||
[[हीट-असिस्टेड मैग्नेटिक रिकॉर्डिंग]] डेटा की मात्रा बढ़ाने के लिए एक नैनोफोटोनिक दृष्टिकोण है जिसे मैग्नेटिक डिस्क ड्राइव स्टोर कर सकता है। डेटा लिखने से पहले चुंबकीय सामग्री के एक छोटे सबवेवलेंथ क्षेत्र को गर्म करने के लिए लेजर की आवश्यकता होती है। सही स्थान पर प्रकाश को केंद्रित करने के लिए चुंबकीय राइट-हेड में धातु के ऑप्टिकल घटक होंगे। | |||
[[Optoelectronics|ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स]] में लघुकरण, उदाहरण के लिए [[एकीकृत परिपथ|एकीकृत परिप]]थोंों में ट्रांजिस्टर के लघुकरण ने उनकी गति और लागत में सुधार किया है। हालाँकि, [[optoelectronic|ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स]] सर्किट को केवल छोटा किया जा सकता है यदि इलेक्ट्रॉनिक घटकों के साथ-साथ ऑप्टिकल घटकों को छोटा किया जाता है। यह ऑन-चिप ऑप्टिकल संचार के लिए प्रासंगिक है (अर्थात तार पर वोल्टेज को बदलने के बजाय ऑप्टिकल वेवगाइड्स के माध्यम से प्रकाश भेजकर माइक्रोचिप के एक हिस्से से दूसरे हिस्से तक जानकारी पहुंचाना)।<ref name="tadias1" /><ref>{{cite web|url=http://domino.research.ibm.com/comm/research_projects.nsf/pages/photonics.index.html |title=आईबीएम रिसर्च | आईबीएम रिसर्च | सिलिकॉन एकीकृत नैनोफोटोनिक्स|publisher=Domino.research.ibm.com |date=2010-03-04 |access-date=2010-03-15}}</ref> | |||
=== सौर सेल === | === सौर सेल === | ||
सौर सेल अक्सर सबसे अच्छा काम करते हैं जब प्रकाश सतह के बहुत करीब अवशोषित होता है | सौर सेल अक्सर सबसे अच्छा काम करते हैं जब प्रकाश सतह के बहुत करीब अवशोषित होता है क्योंकि सतह के पास इलेक्ट्रॉनों को एकत्र करने का बेहतर मौका होता है इसलिए डिवाइस को पतला बनाया जा सकता है जिससे लागत कम हो जाती है। शोधकर्ताओं ने सौर सेल के भीतर इष्टतम स्थानों में प्रकाश को तेज करने के लिए विभिन्न प्रकार की नैनोफोटोनिक तकनीकों की जांच की है।<ref>{{Cite journal |doi = 10.1002/adma.201000488 |pmid = 20814916 |volume = 22 |issue = 43 |pages = 4794–4808|title = प्लाज़्मोनिक फोटोवोल्टिक के लिए डिज़ाइन संबंधी विचार|journal = Advanced Materials |date = 2010|last1 = Ferry |first1 = Vivian E. |last2 = Munday |first2 = Jeremy N. |last3 = Atwater |first3 = Harry A. }}</ref> | ||
===कैंसर रोधी चिकित्सीय दवाओं का नियंत्रित विमोचन=== | |||
नैनोपोटोनिक्स को ट्रिपल-नकारात्मक स्तन कैंसर को लक्षित करने और एक्सोसाइटोसिस एंटी-कैंसर दवा प्रतिरोध तंत्र को कम करने और सामान्य प्रणालीगत ऊतकों और कोशिकाओं की विषाक्तता को कम करने के लिए नैनोपोरस ऑप्टिकल एंटेना से एड्रियामाइसिन जैसे एंटी-कैंसर थैरेप्यूटिक्स की नियंत्रित और ऑन-डिमांड रिलीज की सहायता में लाया गया हैं।<ref name=":1">{{Cite journal|date=2021-06-24|title=स्तन कैंसर के मॉडल में विशिष्ट दवा प्रतिरोध बाधाओं को दूर करने के लिए नैनोथेराप्यूटिक दृष्टिकोण|url=https://www.degruyter.com/document/doi/10.1515/nanoph-2021-0142/html|journal=Nanophotonics|language=en|pmid=34589378|doi=10.1515/nanoph-2021-0142|pmc=8478290|doi-access=free}}</ref> | |||
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नैनोपोटोनिक्स को ट्रिपल-नकारात्मक स्तन कैंसर को लक्षित करने और एक्सोसाइटोसिस एंटी-कैंसर दवा प्रतिरोध तंत्र को कम करने और | |||
=== [[स्पेक्ट्रोस्कोपी]] === | === [[स्पेक्ट्रोस्कोपी]] === | ||
उच्च शिखर तीव्रता बनाने के लिए नैनोफोटोनिक्स का उपयोग करना: यदि प्रकाश ऊर्जा की | उच्च शिखर तीव्रता बनाने के लिए नैनोफोटोनिक्स का उपयोग करना:-यदि दी गई प्रकाश ऊर्जा की एक छोटी से छोटी मात्रा (हॉट-स्पॉट) में निचोड़ा जाता है, तो हॉट-स्पॉट में तीव्रता बड़ी और बड़ी हो जाती है। यह अरेखीय प्रकाशिकी में विशेष रूप से सहायक है। उदाहरण सतह-संवर्धित रमन स्कैटरिंग है। पारंपरिक स्पेक्ट्रोस्कोपी विधियों के विपरीत यह हॉट-स्पॉट में स्थित एकल अणुओं के संवेदनशील स्पेक्ट्रोस्कोपी मापन की भी अनुमति देता है, जो लाखों या अरबों अणुओं का औसत लेती हैं।<ref>{{cite journal | doi = 10.1016/j.febslet.2014.06.016 | pmid=24928436 | volume=588 | issue=19 | title=नैनोफोटोनिक्स के साथ एकल-अणु प्रतिदीप्ति को बढ़ाना| journal=FEBS Letters | pages=3547–3552| year=2014 | last1=Acuna | first1=Guillermo | last2=Grohmann | first2=Dina | last3=Tinnefeld | first3=Philip | doi-access=free }}</ref><ref>{{cite journal |title=प्लास्मोन-एन्हांस्ड रमन स्कैटरिंग द्वारा एकल अणु का रासायनिक मानचित्रण|journal=Nature |volume=498 |issue=7452 |pages=82–86 |date=2013 |doi=10.1038/nature12151|bibcode = 2013Natur.498...82Z |pmid=23739426|s2cid=205233946 |last1=Zhang |first1=R. |last2=Zhang |first2=Y. |last3=Dong |first3=Z. C. |last4=Jiang |first4=S. |last5=Zhang |first5=C. |last6=Chen |first6=L. G. |last7=Zhang |first7=L. |last8=Liao |first8=Y. |last9=Aizpurua |first9=J. |last10=Luo |first10=Y. |last11=Yang |first11=J. L. |last12=Hou |first12=J. G. }}</ref> | ||
=== माइक्रोस्कोपी === | === माइक्रोस्कोपी === | ||
नैनोफोटोनिक्स का | नैनोफोटोनिक्स का लक्ष्य एक तथाकथित [[app|"सुपरलेंस"]] का निर्माण करना है, जो विवर्तन सीमा (डीप सबवेवलेंथ) से अधिक सटीक छवियों को बनाने के लिए [[मेटामेट्री|मेटामटेरियल्स]] (नीचे देखें) या अन्य तकनीकों का उपयोग करेगा। 1995 में, गुजरा (Guerra) ने हवा में 650nm तरंग दैर्ध्य वाली रोशनी के साथ 50nm लाइनों और रिक्त स्थान वाली सिलिकॉन झंझरी की इमेजिंग करके इसका प्रदर्शन किया।<ref>{{Cite journal |last=Guerra |first=John M. |date=1995-06-26 |title=विवर्तन-जनित क्षणभंगुर तरंगों द्वारा रोशनी के माध्यम से सुपर-रिज़ॉल्यूशन|url=https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.113814 |journal=Applied Physics Letters |volume=66 |issue=26 |pages=3555–3557 |doi=10.1063/1.113814 |issn=0003-6951}}</ref> यह एक विसर्जन माइक्रोस्कोप उद्देश्य (सुपरलेन्स) के साथ 50nm लाइनों और रिक्त स्थान ([[मेटामेट्री|मेटामटेरियल्स]]) वाले एक पारदर्शी चरण झंझरी को जोड़कर पूरा किया गया था। | ||
[[निकट-क्षेत्र स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप|नियर-फील्ड स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप]] (NSOM या SNOM) एक काफी अलग नैनोफोटोनिक तकनीक है जो तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत छोटे रिज़ॉल्यूशन वाली छवियों को लेने का एक ही लक्ष्य पूरा करती है। इसमें छवि लेने के लिए सतह पर एक बहुत तेज नोक या बहुत छोटा छिद्र रेखापुंज raster -स्कैनिंग शामिल है।<ref name="ReferenceA"/> | |||
नियर-फील्ड माइक्रोस्कोपी आमतौर पर नैनोस्केल, सबवेवलेंथ रेजोल्यूशन हासिल करने के लिए नियर-फील्ड (नीचे देखें) का उपयोग करने वाली किसी भी तकनीक को संदर्भित करता है। 1987 में, गुएरा (पोलरॉइड कॉर्पोरेशन में रहते हुए) ने एक गैर-स्कैनिंग होल-फ़ील्ड फोटॉन टनलिंग माइक्रोस्कोप के साथ इसे हासिल किया।<ref>{{Cite journal |last=Guerra |first=John M. |date=1990-09-10 |title=फोटॉन टनलिंग माइक्रोस्कोपी|url=https://opg.optica.org/ao/abstract.cfm?uri=ao-29-26-3741 |journal=Applied Optics |language=EN |volume=29 |issue=26 |pages=3741–3752 |doi=10.1364/AO.29.003741 |issn=2155-3165}}</ref> एक अन्य उदाहरण में, [[दोहरे ध्रुवीकरण इंटरफेरोमेट्री]] में वेवगाइड सतह के ऊपर लंबवत विमान में पिकोमीटर रिज़ॉल्यूशन होता है।{{citation needed|date=March 2016}} | |||
=== ऑप्टिकल डेटा | === ऑप्टिकल डेटा भंडारण === | ||
नैनोफोटोनिक्स सब-वेवलेंथ निकट-क्षेत्र ऑप्टिकल संरचनाओं के रूप में, या तो रिकॉर्डिंग मीडिया से अलग हैं, या रिकॉर्डिंग मीडिया में एकीकृत हैं, विवर्तन सीमा की अनुमति से बहुत अधिक ऑप्टिकल रिकॉर्डिंग घनत्व प्राप्त करने के लिए उपयोग किया गया था।<ref>{{Cite journal |last=Guerra |first=John |last2=Vezenov |first2=Dmitri |last3=Sullivan |first3=Paul |last4=Haimberger |first4=Walter |last5=Thulin |first5=Lukas |date=2002-03-30 |title=लो-फ्लाइंग हेड्स के बिना नियर-फील्ड ऑप्टिकल रिकॉर्डिंग: इंटीग्रल नियर-फील्ड ऑप्टिकल (INFO) मीडिया|url=http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.41.1866 |journal=Japanese Journal of Applied Physics |language=en |volume=41 |issue=Part 1, No. 3B |pages=1866–1875 |doi=10.1143/jjap.41.1866 |issn=0021-4922}}</ref> यह काम 1980 के दशक में Polaroid ऑप्टिकल इंजीनियरिंग (कैम्ब्रिज, मैसाचुसेट्स) में शुरू हुआ, और NIST एडवांस्ड टेक्नोलॉजी प्रोग्राम के समर्थन से कैलिमेट्रिक्स (बेडफोर्ड, मैसाचुसेट्स) में लाइसेंस के तहत जारी रहा। | |||
=== बैंड-गैप इंजीनियरिंग === | === बैंड-गैप इंजीनियरिंग === | ||
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=== सिलिकॉन नैनोफोटोनिक्स === | === सिलिकॉन नैनोफोटोनिक्स === | ||
{{Main article| | {{Main article|मुख्य लेख: सिलिकॉन फोटोनिक्स}} | ||
[[सिलिकॉन]] फोटोनिक्स नैनोफोटोनिक्स का एक सिलिकॉन-आधारित उपक्षेत्र है जिसमें सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स पर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की नैनो-स्केल संरचनाएं महसूस की जाती हैं और जो प्रकाश और इलेक्ट्रॉन दोनों को नियंत्रित करने में सक्षम हैं। वे एक ही उपकरण में युगल इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल कार्यक्षमता की अनुमति देते हैं। इस तरह के उपकरणों को | [[सिलिकॉन]] फोटोनिक्स नैनोफोटोनिक्स का एक सिलिकॉन-आधारित उपक्षेत्र है जिसमें सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स पर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की नैनो-स्केल संरचनाएं महसूस की जाती हैं और जो प्रकाश और इलेक्ट्रॉन दोनों को नियंत्रित करने में सक्षम हैं। वे एक ही उपकरण में युगल इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल कार्यक्षमता की अनुमति देते हैं। इस तरह के उपकरणों को शैक्षणिक सेटिंग्स के बाहर कई प्रकार के अनुप्रयोग मिलते हैं,<ref name=":0">{{Cite journal|last=Karabchevsky|first=Alina|last2=Katiyi|first2=Aviad|last3=Ang|first3=Angeleene S.|last4=Hazan|first4=Adir|date=2020-09-04|title=ऑन-चिप नैनोफोटोनिक्स और भविष्य की चुनौतियाँ|url=https://www.degruyter.com/document/doi/10.1515/nanoph-2020-0204/html|journal=Nanophotonics|language=en|volume=9|issue=12|pages=3733–3753|doi=10.1515/nanoph-2020-0204|issn=2192-8614|doi-access=free}}</ref> उदाहरण- मिड-इन्फ्रारेड और [[ओवरटोन बैंड|ओवरटोन स्पेक्ट्रोस्कोपी]], लॉजिक गेट्स और चिप पर क्रिप्टोग्राफी आदि।<ref name=":0" /> | ||
2016 तक सिलिकॉन फोटोनिक्स में प्रकाश मॉड्यूलेटर, [[ऑप्टिकल वेवगाइड]]्स और [[ऑप्टिकल इंटरकनेक्ट|इंटरकनेक्टर्स]], [[ऑप्टिकल एम्पलीफायर]]ों, फोटोडेटेक्टर्स, मेमोरी एलिमेंट्स, [[फोटोनिक क्रिस्टल]] आदि का अनुसंधान। | |||
विशेष रुचि का क्षेत्र सिलिकॉन नैनोस्ट्रक्चर है जो सौर प्रकाश से कुशलतापूर्वक विद्युत ऊर्जा उत्पन्न करने में सक्षम है (उदाहरण- सौर पैनल)।<ref>{{Cite web|title=सिलिकॉन नैनोफोटोनिक्स: मूल सिद्धांत, वर्तमान स्थिति और परिप्रेक्ष्य, दूसरा संस्करण|url=https://www.routledge.com/Silicon-Nanophotonics-Basic-Principles-Present-Status-and-Perspectives/Khriachtchev/p/book/9789814669764|access-date=2021-08-31|website=Routledge & CRC Press|language=en}}</ref> | |||
== सिद्धांत == | == सिद्धांत == | ||
===प्लास्मोंस और मेटल ऑप्टिक्स=== | ===प्लास्मोंस और मेटल ऑप्टिक्स=== | ||
{{main| | {{main|मुख्य लेख: प्लास्मोनिक्स और सरफेस प्लास्मोन|}} | ||
धातु प्रकाश को तरंग दैर्ध्य से बहुत नीचे तक सीमित करने का एक प्रभावी तरीका है। यह मूल रूप से रेडियो और [[माइक्रोवेव इंजीनियरिंग]] में इस्तेमाल किया गया था, जहां | धातु प्रकाश को तरंग दैर्ध्य से बहुत नीचे तक सीमित करने का एक प्रभावी तरीका है। यह मूल रूप से रेडियो और [[माइक्रोवेव इंजीनियरिंग]] में इस्तेमाल किया गया था, जहां धातु [[एंटीना (रेडियो)]] और [[वेवगाइड]] फ्री-स्पेस वेवलेंथ से सैकड़ों गुना छोटे हो सकते हैं। इसी कारण से, दृश्यमान प्रकाश नैनो-आकार की धातु संरचनाओं, जैसे नैनो-आकार की संरचनाओं, युक्तियों, अंतरालों आदि के माध्यम से नैनो-स्केल तक सीमित हो सकता है। कई नैनो-ऑप्टिक्स डिज़ाइन सामान्य माइक्रोवेव या रेडियोवेव सर्किट की तरह दिखते हैं, लेकिन सिकुड़ जाते हैं 100,000 या उससे अधिक के कारक से नीचे। आखिरकार, रेडियो तरंगें, सूक्ष्मतरंगें, और दृश्य प्रकाश सभी विद्युतचुम्बकीय विकिरण हैं; वे केवल आवृत्ति में भिन्न होते हैं। तो अन्य चीजें समान हैं, एक माइक्रोवेव सर्किट 100,000 के कारक से कम हो जाता है, वही व्यवहार करेगा लेकिन 100,000 गुना अधिक आवृत्ति पर। | ||
<ref name="Pohl">{{cite conference | <ref name="Pohl">{{cite conference | ||
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}}</ref> यह प्रभाव कुछ हद तक बिजली की छड़ के समान होता है, जहां क्षेत्र टिप पर केंद्रित होता है। | }}</ref> यह प्रभाव कुछ हद तक बिजली की छड़ के समान होता है, जहां क्षेत्र टिप पर केंद्रित होता है। | ||
तकनीकी क्षेत्र जो प्रकाश और धातुओं के बीच परस्पर क्रिया का उपयोग करता है, [[plasmonics]] कहलाता है। यह मौलिक रूप से इस तथ्य पर आधारित है कि धातु की पारगम्यता बहुत बड़ी और नकारात्मक है। बहुत उच्च आवृत्तियों पर ([[प्लाज्मा आवृत्ति]] के निकट और ऊपर, आमतौर पर पराबैंगनी), एक धातु की पारगम्यता इतनी बड़ी नहीं होती है, और धातु ध्यान केंद्रित करने के लिए उपयोगी होना बंद कर देती है। | तकनीकी क्षेत्र जो प्रकाश और धातुओं के बीच परस्पर क्रिया का उपयोग करता है, [[plasmonics|प्लास्मोनिक्स]] कहलाता है। यह मौलिक रूप से इस तथ्य पर आधारित है कि धातु की पारगम्यता बहुत बड़ी और नकारात्मक है। बहुत उच्च आवृत्तियों पर ([[प्लाज्मा आवृत्ति]] के निकट और ऊपर, आमतौर पर पराबैंगनी), एक धातु की पारगम्यता इतनी बड़ी नहीं होती है, और धातु ध्यान केंद्रित करने के लिए उपयोगी होना बंद कर देती है। | ||
[[File:SEM-Yagi-text.jpg|thumb|275px | [[File:SEM-Yagi-text.jpg|thumb|275px| ई-बीम लिथोग्राफी द्वारा निर्मित एक फ़ीड तत्व, एक परावर्तक, और तीन निदेशकों से युक्त एक पांच-तत्व यागी-उदय एंटीना की [[स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप|स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी]] (एसईएम) छवि।<ref>{{cite web|last1=van Hulst|first1=Niek|title=ऑप्टिकल नैनो-एंटीना एकल क्वांटम डॉट उत्सर्जन को नियंत्रित करता है|url=http://www.2physics.com/2010/10/optical-nano-antenna-controls-single.html|publisher=2physics}}</ref>]]उदाहरण के लिए, शोधकर्ताओं ने नैनो-ऑप्टिकल द्विध्रुव और यागी-उदय एंटेना को अनिवार्य रूप से उसी डिजाइन का अनुसरण करते हुए बनाया है जो रेडियो एंटेना के लिए उपयोग किया जाता है।<ref>{{cite journal |title=गुंजयमान ऑप्टिकल एंटेना|journal=Science |date=2005 |volume=308 |issue=5728 |pages=1607–9 |doi=10.1126/science.1111886 |pmid=15947182 |bibcode=2005Sci...308.1607M |s2cid=40214874 |url=http://infoscience.epfl.ch/record/164842 |last1=Muhlschlegel |first1=P. |last2=Eisler |first2=H. J. |last3=Martin |first3=O. J. |last4=Hecht |first4=B. |last5=Pohl |first5=D. W. }}</ref><ref>{{cite journal |journal=Nature Communications |title=3डी वैकल्पिक रूप से - उदाहरण के लिए नैनोएंटेना सरणी|volume=2 |number=267 |doi=10.1038/ncomms1268|bibcode = 2011NatCo...2..267D |pages=267 |pmid=21468019 |pmc=3104549|year=2011 |last1=Dregely |first1=Daniel |last2=Taubert |first2=Richard |last3=Dorfmüller |first3=Jens |last4=Vogelgesang |first4=Ralf |last5=Kern |first5=Klaus |last6=Giessen |first6=Harald }}</ref> | ||
धात्विक समानांतर-प्लेट [[waveguides]] (स्ट्रिपलाइन), गांठ-स्थिर [[विद्युत सर्किट]] तत्व जैसे कि [[अधिष्ठापन]] और [[समाई]] (दृश्यमान प्रकाश आवृत्तियों पर, बाद के मान क्रमशः फेम्टोहेनरी और एटोफैराड के क्रम के होते हैं), और [[द्विध्रुवीय]] [[एंटेना]] के प्रतिबाधा-मिलान संचरण लाइनों के लिए, [[माइक्रोवेव]] आवृत्तियों पर सभी परिचित तकनीकें, नैनोफोटोनिक्स विकास के कुछ वर्तमान क्षेत्र हैं। उस ने कहा, नैनो-ऑप्टिक्स और स्केल्ड-डाउन माइक्रोवेव सर्किट के बीच बहुत महत्वपूर्ण अंतर हैं। उदाहरण के लिए, ऑप्टिकल आवृत्ति पर, धातुएं आदर्श कंडक्टरों की तरह बहुत कम व्यवहार करती हैं, और [[गतिज अधिष्ठापन]] और [[सतह प्लासमॉन अनुनाद]] जैसे दिलचस्प प्लास्मोन-संबंधित प्रभाव भी प्रदर्शित करती हैं। इसी तरह, ऑप्टिकल क्षेत्र अर्धचालकों के साथ माइक्रोवेव की तुलना में मौलिक रूप से अलग तरीके से | धात्विक समानांतर-प्लेट [[waveguides|वेवगाइड्स]] (स्ट्रिपलाइन), गांठ-स्थिर [[विद्युत सर्किट]] तत्व जैसे कि [[अधिष्ठापन]] और [[समाई]] (दृश्यमान प्रकाश आवृत्तियों पर, बाद के मान क्रमशः फेम्टोहेनरी और एटोफैराड के क्रम के होते हैं), और [[द्विध्रुवीय]] [[एंटेना]] के प्रतिबाधा-मिलान संचरण लाइनों के लिए, [[माइक्रोवेव]] आवृत्तियों पर सभी परिचित तकनीकें, नैनोफोटोनिक्स विकास के कुछ वर्तमान क्षेत्र हैं। उस ने कहा, नैनो-ऑप्टिक्स और स्केल्ड-डाउन माइक्रोवेव सर्किट के बीच बहुत महत्वपूर्ण अंतर हैं। उदाहरण के लिए, ऑप्टिकल आवृत्ति पर, धातुएं आदर्श कंडक्टरों की तरह बहुत कम व्यवहार करती हैं, और [[गतिज अधिष्ठापन]] और [[सतह प्लासमॉन अनुनाद]] जैसे दिलचस्प प्लास्मोन-संबंधित प्रभाव भी प्रदर्शित करती हैं। इसी तरह, ऑप्टिकल क्षेत्र अर्धचालकों के साथ माइक्रोवेव की तुलना में मौलिक रूप से अलग तरीके से परस्पर प्रभाव रखते हैं। | ||
=== निकट-क्षेत्र प्रकाशिकी === | === निकट-क्षेत्र प्रकाशिकी === | ||
{{main| | {{main|मुख्य लेख: नियर-फील्ड ऑप्टिक्स और नियर एंड फार फील्ड|}} | ||
एक स्थानिक क्षेत्र वितरण के फूरियर परिवर्तन में विभिन्न स्थानिक आवृत्तियाँ होती हैं। उच्च स्थानिक आवृत्तियाँ बहुत महीन विशेषताओं और तेज किनारों के अनुरूप हैं। | एक स्थानिक क्षेत्र वितरण के फूरियर परिवर्तन में विभिन्न स्थानिक आवृत्तियाँ होती हैं। उच्च स्थानिक आवृत्तियाँ बहुत महीन विशेषताओं और तेज किनारों के अनुरूप हैं। | ||
नैनोपोटोनिक्स में, | नैनोपोटोनिक्स में, अत्यधिक स्थानीयकृत विकिरण स्रोत ([[द्विध्रुवीय एंटीना|द्विध्रुवीय]] उत्सर्जक जैसे फ्लोरोसेंट अणु) का अक्सर अध्ययन किया जाता है। इन स्रोतों को अलग-अलग लहरों के साथ समतल तरंगों के एक विशाल [[कोणीय स्पेक्ट्रम विधि]] में विघटित किया जा सकता है, जो कोणीय [[स्थानिक आवृत्तियों]] के अनुरूप है। प्रकाश के फ्री-स्पेस [[yahoo|वेवनंबर]] की तुलना में उच्च तरंग संख्या वाले आवृत्ति घटक क्षणभंगुर क्षेत्र बनाते हैं। क्षणभंगुर घटक केवल उत्सर्जक के निकट के क्षेत्र में मौजूद होते हैं और शुद्ध ऊर्जा को दूर के क्षेत्र में स्थानांतरित किए बिना क्षय हो जाते हैं। इस प्रकार, एमिटर से सबवेवलेंथ की जानकारी धुंधली हो जाती है; इसका परिणाम ऑप्टिकल सिस्टम में विवर्तन सीमा में होता है।<ref name="novotny-nano">{{cite book |last1=Novotny |first1=Lukas |last2=Hecht |first2=Bert |date= 2012 |title= नैनो-ऑप्टिक्स के सिद्धांत|location=Norwood |publisher=[[Cambridge University Press]] |isbn= 9780511794193}}</ref> | ||
नैनोफोटोनिक्स मुख्य रूप से निकट-क्षेत्र की वाष्पशील तरंगों से संबंधित है। उदाहरण के लिए, एक सुपरलेंस (ऊपर उल्लिखित) उच्च-रिज़ॉल्यूशन इमेजिंग की अनुमति देते हुए, क्षणभंगुर तरंग के क्षय को रोक देगा। | नैनोफोटोनिक्स मुख्य रूप से निकट-क्षेत्र की वाष्पशील तरंगों से संबंधित है। उदाहरण के लिए, एक सुपरलेंस (ऊपर उल्लिखित) उच्च-रिज़ॉल्यूशन इमेजिंग की अनुमति देते हुए, क्षणभंगुर तरंग के क्षय को रोक देगा। | ||
=== मेटामटेरियल्स === | === मेटामटेरियल्स === | ||
{{main| | {{main|मुख्य लेख: मेटामटेरियल्स}} | ||
मेटामटेरियल्स कृत्रिम पदार्थ हैं जो ऐसे गुण रखने के लिए इंजीनियर हैं जो प्रकृति में नहीं पाए जा सकते हैं। वे तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत छोटी संरचनाओं की एक सरणी बनाकर बनाए जाते हैं। संरचनाओं का छोटा (नैनो) आकार महत्वपूर्ण है: इस तरह, प्रकाश उनके साथ बातचीत करता है जैसे कि वे अलग-अलग संरचनाओं को बिखरने के बजाय एक समान, निरंतर माध्यम बनाते हैं। | मेटामटेरियल्स कृत्रिम पदार्थ हैं जो ऐसे गुण रखने के लिए इंजीनियर हैं जो प्रकृति में नहीं पाए जा सकते हैं। वे तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत छोटी संरचनाओं की एक सरणी बनाकर बनाए जाते हैं। संरचनाओं का छोटा (नैनो) आकार महत्वपूर्ण है: इस तरह, प्रकाश उनके साथ बातचीत करता है जैसे कि वे अलग-अलग संरचनाओं को बिखरने के बजाय एक समान, निरंतर माध्यम बनाते हैं। | ||
== यह भी देखें == | == यह भी देखें == | ||
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*[[अल्ट्रापरफॉर्मेंस नैनोफोटोनिक इंट्राचिप कम्युनिकेशंस]] | *[[अल्ट्रापरफॉर्मेंस नैनोफोटोनिक इंट्राचिप कम्युनिकेशंस]] | ||
*[[फोटोनिक्स स्पेक्ट्रा]] जर्नल | *[[फोटोनिक्स स्पेक्ट्रा]] जर्नल | ||
* फोटोनिक्स | * फोटोनिक्स | ||
==संदर्भ== | ==संदर्भ== | ||
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==बाहरी संबंध== | ==बाहरी संबंध== | ||
*[https://web.archive.org/web/20130614215703/http://nanophotonics.eu/ ePIXnet Nanostructuring Platform for Photonic Integration] | *[https://web.archive.org/web/20130614215703/http://nanophotonics.eu/ ePIXnet Nanostructuring Platform for Photonic Integration] | ||
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*''Nanophotonics, nano-optics and nanospectroscopy'' A. J. Meixner (Ed.) [http://www.beilstein-journals.org/bjnano/browse/singleSeries.htm?sn=5 Thematic Series] in the [[Open Access]] Beilstein Journal of Nanotechnology | *''Nanophotonics, nano-optics and nanospectroscopy'' A. J. Meixner (Ed.) [http://www.beilstein-journals.org/bjnano/browse/singleSeries.htm?sn=5 Thematic Series] in the [[Open Access]] Beilstein Journal of Nanotechnology | ||
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Latest revision as of 17:25, 23 August 2023
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नैनोफोटोनिक्स या नैनो-ऑप्टिक्स नैनोमीटर पैमाने पर प्रकाश के व्यवहार का अध्ययन है और प्रकाश के साथ नैनोमीटर-स्केल वस्तुओं के संपर्क का अध्ययन है। यह ऑप्टिक्स, ऑप्टिकल इंजीनियरिंग, इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग और नैनो टेक्नोलॉजी की एक शाखा है। इसमें अक्सर बिजली के धाराप्रवाह को रोकने वाली संरचनाएं शामिल होती हैं जैसे कि नैनोएंटेनस या धातु के घटक जो सतह प्लास्मोन पोलरिटोन के माध्यम से प्रकाश को परिवहन और ध्यान केंद्रित कर सकते हैं। [1]
नैनो-ऑप्टिक्स शब्द ऑप्टिक्स शब्द की तरह, आमतौर पर पराबैंगनी दृश्यमान और निकट-अवरक्त प्रकाश (300 से 1200 नैनोमीटर से मुक्त-अंतरिक्ष तरंग दैर्ध्य) से जुड़ी स्थितियों को संदर्भित करता है।
पृष्ठभूमि
सामान्य ऑप्टिकल घटक जैसे लेंस और सूक्ष्मदर्शी, आमतौर पर विवर्तन सीमा (rayleidh criterion) के कारण प्रकाश को नैनोमीटर (डीप सबवेवलेंथ) स्केल पर केंद्रित नहीं कर सकते हैं। फिर भी, अन्य तकनीकों का उपयोग करके नैनोमीटर स्केल में प्रकाश पे दबाव डालना संभव है उदाहरण के लिए, सतह प्लास्मोंस, नैनोस्केल धातु की वस्तुओं के आसपास स्थानीयकृत सतह प्लास्मोंस और नैनोस्केल अपर्चर और नैनोस्केल शार्प टिप्स, निकट-क्षेत्र स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी (एसएनओएम) या (एनएसओएम) [2][3][4] और फोटो असिस्टेड स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी में उपयोग किया जाता हैं। [5]
आवेदन
नैनोफोटोनिक्स शोधकर्ता जैव रसायन से लेकर इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग से लेकर कार्बन-मुक्त ऊर्जा तक के क्षेत्रों में लक्ष्यों की विस्तृत विविधता का पीछा करते हैं। इनमें से कुछ लक्ष्यों का सारांश नीचे दिया गया है।
ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक
यदि प्रकाश को कम मात्रा में निचोड़ा जा सकता है, तो इसे एक छोटे संसूचक द्वारा अवशोषित और पता लगाया जा सकता है। छोटे फोटोडिटेक्टर में कम शोर, उच्च गति, और कम वोल्टेज और शक्ति सहित विभिन्न प्रकार के वांछनीय गुण होते हैं।[6][7][8]
छोटे लेसरों में ऑप्टिकल संचार के लिए कम थ्रेशोल्ड करंट (जो बिजली दक्षता में मदद करता है) और तेज़ मॉड्यूलेशन[9] (जिसका अर्थ है अधिक डेटा ट्रांसमिशन) सहित विभिन्न वांछनीय गुण होते हैं। बहुत छोटे लेज़रों को सबवेवलेंथ ऑप्टिकल कैविटी की आवश्यकता होती है। एक उदाहरण है स्पैसर, लेज़रों का सतह प्लास्मोन संस्करण।
इंटीग्रेटेड सर्किट फोटोलिथोग्राफी यानी प्रकाश के संपर्क में आने से बनते हैं। बहुत छोटे ट्रांजिस्टर बनाने के लिए प्रकाश को अत्यधिक तीक्ष्ण छवियों में केंद्रित करने की आवश्यकता होती है। इमर्शन लिथोग्राफी और फेज-शिफ्टिंग फोटोमास्क जैसी विभिन्न तकनीकों का उपयोग करके वास्तव में छवियों को तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत बेहतर बनाना संभव हो गया है, उदाहरण के लिए- 193 nm प्रकाश का उपयोग करके 30 nm की रेखाएं खींचना।[10] इस अनुप्रयोगों के लिए प्लास्मोनिक तकनीक भी प्रस्तावित की गई है।[11]
हीट-असिस्टेड मैग्नेटिक रिकॉर्डिंग डेटा की मात्रा बढ़ाने के लिए एक नैनोफोटोनिक दृष्टिकोण है जिसे मैग्नेटिक डिस्क ड्राइव स्टोर कर सकता है। डेटा लिखने से पहले चुंबकीय सामग्री के एक छोटे सबवेवलेंथ क्षेत्र को गर्म करने के लिए लेजर की आवश्यकता होती है। सही स्थान पर प्रकाश को केंद्रित करने के लिए चुंबकीय राइट-हेड में धातु के ऑप्टिकल घटक होंगे।
ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स में लघुकरण, उदाहरण के लिए एकीकृत परिपथोंों में ट्रांजिस्टर के लघुकरण ने उनकी गति और लागत में सुधार किया है। हालाँकि, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स सर्किट को केवल छोटा किया जा सकता है यदि इलेक्ट्रॉनिक घटकों के साथ-साथ ऑप्टिकल घटकों को छोटा किया जाता है। यह ऑन-चिप ऑप्टिकल संचार के लिए प्रासंगिक है (अर्थात तार पर वोल्टेज को बदलने के बजाय ऑप्टिकल वेवगाइड्स के माध्यम से प्रकाश भेजकर माइक्रोचिप के एक हिस्से से दूसरे हिस्से तक जानकारी पहुंचाना)।[7][12]
सौर सेल
सौर सेल अक्सर सबसे अच्छा काम करते हैं जब प्रकाश सतह के बहुत करीब अवशोषित होता है क्योंकि सतह के पास इलेक्ट्रॉनों को एकत्र करने का बेहतर मौका होता है इसलिए डिवाइस को पतला बनाया जा सकता है जिससे लागत कम हो जाती है। शोधकर्ताओं ने सौर सेल के भीतर इष्टतम स्थानों में प्रकाश को तेज करने के लिए विभिन्न प्रकार की नैनोफोटोनिक तकनीकों की जांच की है।[13]
कैंसर रोधी चिकित्सीय दवाओं का नियंत्रित विमोचन
नैनोपोटोनिक्स को ट्रिपल-नकारात्मक स्तन कैंसर को लक्षित करने और एक्सोसाइटोसिस एंटी-कैंसर दवा प्रतिरोध तंत्र को कम करने और सामान्य प्रणालीगत ऊतकों और कोशिकाओं की विषाक्तता को कम करने के लिए नैनोपोरस ऑप्टिकल एंटेना से एड्रियामाइसिन जैसे एंटी-कैंसर थैरेप्यूटिक्स की नियंत्रित और ऑन-डिमांड रिलीज की सहायता में लाया गया हैं।[14]
स्पेक्ट्रोस्कोपी
उच्च शिखर तीव्रता बनाने के लिए नैनोफोटोनिक्स का उपयोग करना:-यदि दी गई प्रकाश ऊर्जा की एक छोटी से छोटी मात्रा (हॉट-स्पॉट) में निचोड़ा जाता है, तो हॉट-स्पॉट में तीव्रता बड़ी और बड़ी हो जाती है। यह अरेखीय प्रकाशिकी में विशेष रूप से सहायक है। उदाहरण सतह-संवर्धित रमन स्कैटरिंग है। पारंपरिक स्पेक्ट्रोस्कोपी विधियों के विपरीत यह हॉट-स्पॉट में स्थित एकल अणुओं के संवेदनशील स्पेक्ट्रोस्कोपी मापन की भी अनुमति देता है, जो लाखों या अरबों अणुओं का औसत लेती हैं।[15][16]
माइक्रोस्कोपी
नैनोफोटोनिक्स का लक्ष्य एक तथाकथित "सुपरलेंस" का निर्माण करना है, जो विवर्तन सीमा (डीप सबवेवलेंथ) से अधिक सटीक छवियों को बनाने के लिए मेटामटेरियल्स (नीचे देखें) या अन्य तकनीकों का उपयोग करेगा। 1995 में, गुजरा (Guerra) ने हवा में 650nm तरंग दैर्ध्य वाली रोशनी के साथ 50nm लाइनों और रिक्त स्थान वाली सिलिकॉन झंझरी की इमेजिंग करके इसका प्रदर्शन किया।[17] यह एक विसर्जन माइक्रोस्कोप उद्देश्य (सुपरलेन्स) के साथ 50nm लाइनों और रिक्त स्थान (मेटामटेरियल्स) वाले एक पारदर्शी चरण झंझरी को जोड़कर पूरा किया गया था।
नियर-फील्ड स्कैनिंग ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप (NSOM या SNOM) एक काफी अलग नैनोफोटोनिक तकनीक है जो तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत छोटे रिज़ॉल्यूशन वाली छवियों को लेने का एक ही लक्ष्य पूरा करती है। इसमें छवि लेने के लिए सतह पर एक बहुत तेज नोक या बहुत छोटा छिद्र रेखापुंज raster -स्कैनिंग शामिल है।[2]
नियर-फील्ड माइक्रोस्कोपी आमतौर पर नैनोस्केल, सबवेवलेंथ रेजोल्यूशन हासिल करने के लिए नियर-फील्ड (नीचे देखें) का उपयोग करने वाली किसी भी तकनीक को संदर्भित करता है। 1987 में, गुएरा (पोलरॉइड कॉर्पोरेशन में रहते हुए) ने एक गैर-स्कैनिंग होल-फ़ील्ड फोटॉन टनलिंग माइक्रोस्कोप के साथ इसे हासिल किया।[18] एक अन्य उदाहरण में, दोहरे ध्रुवीकरण इंटरफेरोमेट्री में वेवगाइड सतह के ऊपर लंबवत विमान में पिकोमीटर रिज़ॉल्यूशन होता है।[citation needed]
ऑप्टिकल डेटा भंडारण
नैनोफोटोनिक्स सब-वेवलेंथ निकट-क्षेत्र ऑप्टिकल संरचनाओं के रूप में, या तो रिकॉर्डिंग मीडिया से अलग हैं, या रिकॉर्डिंग मीडिया में एकीकृत हैं, विवर्तन सीमा की अनुमति से बहुत अधिक ऑप्टिकल रिकॉर्डिंग घनत्व प्राप्त करने के लिए उपयोग किया गया था।[19] यह काम 1980 के दशक में Polaroid ऑप्टिकल इंजीनियरिंग (कैम्ब्रिज, मैसाचुसेट्स) में शुरू हुआ, और NIST एडवांस्ड टेक्नोलॉजी प्रोग्राम के समर्थन से कैलिमेट्रिक्स (बेडफोर्ड, मैसाचुसेट्स) में लाइसेंस के तहत जारी रहा।
बैंड-गैप इंजीनियरिंग
2002 में, गुएरा (नैनोप्टेक कॉर्पोरेशन) ने प्रदर्शित किया कि अर्धचालकों की नैनो-ऑप्टिकल संरचनाएं प्रेरित तनाव के कारण बैंडगैप बदलाव प्रदर्शित करती हैं। टाइटेनियम डाइऑक्साइड के मामले में, 200 एनएम से कम चौड़ाई वाली संरचनाएं न केवल सौर स्पेक्ट्रम के सामान्य पराबैंगनी भाग में, बल्कि उच्च-ऊर्जा दृश्यमान नीले रंग में भी अवशोषित होंगी। 2008 में, थुलिन और गुएरा ने मॉडलिंग प्रकाशित की जिसमें न केवल बैंडगैप शिफ्ट, बल्कि बैंड-एज शिफ्ट और कम चार्ज पुनर्संयोजन के लिए उच्च छिद्र गतिशीलता भी दिखाई गई।[20] बैंड-गैप इंजीनियर टाइटेनियम डाइऑक्साइड का उपयोग सूर्य के प्रकाश और पानी से हाइड्रोजन ईंधन के कुशल फोटोलिटिक और फोटो-इलेक्ट्रो-केमिकल उत्पादन में फोटोएनोड के रूप में किया जाता है।
सिलिकॉन नैनोफोटोनिक्स
सिलिकॉन फोटोनिक्स नैनोफोटोनिक्स का एक सिलिकॉन-आधारित उपक्षेत्र है जिसमें सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स पर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की नैनो-स्केल संरचनाएं महसूस की जाती हैं और जो प्रकाश और इलेक्ट्रॉन दोनों को नियंत्रित करने में सक्षम हैं। वे एक ही उपकरण में युगल इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल कार्यक्षमता की अनुमति देते हैं। इस तरह के उपकरणों को शैक्षणिक सेटिंग्स के बाहर कई प्रकार के अनुप्रयोग मिलते हैं,[21] उदाहरण- मिड-इन्फ्रारेड और ओवरटोन स्पेक्ट्रोस्कोपी, लॉजिक गेट्स और चिप पर क्रिप्टोग्राफी आदि।[21]
2016 तक सिलिकॉन फोटोनिक्स में प्रकाश मॉड्यूलेटर, ऑप्टिकल वेवगाइड्स और इंटरकनेक्टर्स, ऑप्टिकल एम्पलीफायरों, फोटोडेटेक्टर्स, मेमोरी एलिमेंट्स, फोटोनिक क्रिस्टल आदि का अनुसंधान।
विशेष रुचि का क्षेत्र सिलिकॉन नैनोस्ट्रक्चर है जो सौर प्रकाश से कुशलतापूर्वक विद्युत ऊर्जा उत्पन्न करने में सक्षम है (उदाहरण- सौर पैनल)।[22]
सिद्धांत
प्लास्मोंस और मेटल ऑप्टिक्स
धातु प्रकाश को तरंग दैर्ध्य से बहुत नीचे तक सीमित करने का एक प्रभावी तरीका है। यह मूल रूप से रेडियो और माइक्रोवेव इंजीनियरिंग में इस्तेमाल किया गया था, जहां धातु एंटीना (रेडियो) और वेवगाइड फ्री-स्पेस वेवलेंथ से सैकड़ों गुना छोटे हो सकते हैं। इसी कारण से, दृश्यमान प्रकाश नैनो-आकार की धातु संरचनाओं, जैसे नैनो-आकार की संरचनाओं, युक्तियों, अंतरालों आदि के माध्यम से नैनो-स्केल तक सीमित हो सकता है। कई नैनो-ऑप्टिक्स डिज़ाइन सामान्य माइक्रोवेव या रेडियोवेव सर्किट की तरह दिखते हैं, लेकिन सिकुड़ जाते हैं 100,000 या उससे अधिक के कारक से नीचे। आखिरकार, रेडियो तरंगें, सूक्ष्मतरंगें, और दृश्य प्रकाश सभी विद्युतचुम्बकीय विकिरण हैं; वे केवल आवृत्ति में भिन्न होते हैं। तो अन्य चीजें समान हैं, एक माइक्रोवेव सर्किट 100,000 के कारक से कम हो जाता है, वही व्यवहार करेगा लेकिन 100,000 गुना अधिक आवृत्ति पर।
[23] यह प्रभाव कुछ हद तक बिजली की छड़ के समान होता है, जहां क्षेत्र टिप पर केंद्रित होता है।
तकनीकी क्षेत्र जो प्रकाश और धातुओं के बीच परस्पर क्रिया का उपयोग करता है, प्लास्मोनिक्स कहलाता है। यह मौलिक रूप से इस तथ्य पर आधारित है कि धातु की पारगम्यता बहुत बड़ी और नकारात्मक है। बहुत उच्च आवृत्तियों पर (प्लाज्मा आवृत्ति के निकट और ऊपर, आमतौर पर पराबैंगनी), एक धातु की पारगम्यता इतनी बड़ी नहीं होती है, और धातु ध्यान केंद्रित करने के लिए उपयोगी होना बंद कर देती है।
ई-बीम लिथोग्राफी द्वारा निर्मित एक फ़ीड तत्व, एक परावर्तक, और तीन निदेशकों से युक्त एक पांच-तत्व यागी-उदय एंटीना की स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (एसईएम) छवि।[24]
उदाहरण के लिए, शोधकर्ताओं ने नैनो-ऑप्टिकल द्विध्रुव और यागी-उदय एंटेना को अनिवार्य रूप से उसी डिजाइन का अनुसरण करते हुए बनाया है जो रेडियो एंटेना के लिए उपयोग किया जाता है।[25][26]
धात्विक समानांतर-प्लेट वेवगाइड्स (स्ट्रिपलाइन), गांठ-स्थिर विद्युत सर्किट तत्व जैसे कि अधिष्ठापन और समाई (दृश्यमान प्रकाश आवृत्तियों पर, बाद के मान क्रमशः फेम्टोहेनरी और एटोफैराड के क्रम के होते हैं), और द्विध्रुवीय एंटेना के प्रतिबाधा-मिलान संचरण लाइनों के लिए, माइक्रोवेव आवृत्तियों पर सभी परिचित तकनीकें, नैनोफोटोनिक्स विकास के कुछ वर्तमान क्षेत्र हैं। उस ने कहा, नैनो-ऑप्टिक्स और स्केल्ड-डाउन माइक्रोवेव सर्किट के बीच बहुत महत्वपूर्ण अंतर हैं। उदाहरण के लिए, ऑप्टिकल आवृत्ति पर, धातुएं आदर्श कंडक्टरों की तरह बहुत कम व्यवहार करती हैं, और गतिज अधिष्ठापन और सतह प्लासमॉन अनुनाद जैसे दिलचस्प प्लास्मोन-संबंधित प्रभाव भी प्रदर्शित करती हैं। इसी तरह, ऑप्टिकल क्षेत्र अर्धचालकों के साथ माइक्रोवेव की तुलना में मौलिक रूप से अलग तरीके से परस्पर प्रभाव रखते हैं।
निकट-क्षेत्र प्रकाशिकी
एक स्थानिक क्षेत्र वितरण के फूरियर परिवर्तन में विभिन्न स्थानिक आवृत्तियाँ होती हैं। उच्च स्थानिक आवृत्तियाँ बहुत महीन विशेषताओं और तेज किनारों के अनुरूप हैं।
नैनोपोटोनिक्स में, अत्यधिक स्थानीयकृत विकिरण स्रोत (द्विध्रुवीय उत्सर्जक जैसे फ्लोरोसेंट अणु) का अक्सर अध्ययन किया जाता है। इन स्रोतों को अलग-अलग लहरों के साथ समतल तरंगों के एक विशाल कोणीय स्पेक्ट्रम विधि में विघटित किया जा सकता है, जो कोणीय स्थानिक आवृत्तियों के अनुरूप है। प्रकाश के फ्री-स्पेस वेवनंबर की तुलना में उच्च तरंग संख्या वाले आवृत्ति घटक क्षणभंगुर क्षेत्र बनाते हैं। क्षणभंगुर घटक केवल उत्सर्जक के निकट के क्षेत्र में मौजूद होते हैं और शुद्ध ऊर्जा को दूर के क्षेत्र में स्थानांतरित किए बिना क्षय हो जाते हैं। इस प्रकार, एमिटर से सबवेवलेंथ की जानकारी धुंधली हो जाती है; इसका परिणाम ऑप्टिकल सिस्टम में विवर्तन सीमा में होता है।[27] नैनोफोटोनिक्स मुख्य रूप से निकट-क्षेत्र की वाष्पशील तरंगों से संबंधित है। उदाहरण के लिए, एक सुपरलेंस (ऊपर उल्लिखित) उच्च-रिज़ॉल्यूशन इमेजिंग की अनुमति देते हुए, क्षणभंगुर तरंग के क्षय को रोक देगा।
मेटामटेरियल्स
मेटामटेरियल्स कृत्रिम पदार्थ हैं जो ऐसे गुण रखने के लिए इंजीनियर हैं जो प्रकृति में नहीं पाए जा सकते हैं। वे तरंग दैर्ध्य की तुलना में बहुत छोटी संरचनाओं की एक सरणी बनाकर बनाए जाते हैं। संरचनाओं का छोटा (नैनो) आकार महत्वपूर्ण है: इस तरह, प्रकाश उनके साथ बातचीत करता है जैसे कि वे अलग-अलग संरचनाओं को बिखरने के बजाय एक समान, निरंतर माध्यम बनाते हैं।
यह भी देखें
- एसीएस फोटोनिक्स
- अल्ट्रापरफॉर्मेंस नैनोफोटोनिक इंट्राचिप कम्युनिकेशंस
- फोटोनिक्स स्पेक्ट्रा जर्नल
- फोटोनिक्स
संदर्भ
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बाहरी संबंध
- ePIXnet Nanostructuring Platform for Photonic Integration
- Optically induced mass transport in near fields
- "Photonics Breakthrough for Silicon Chips: Light can exert enough force to flip switches on a silicon chip," by Hong X. Tang, IEEE Spectrum, October 2009
- Nanophotonics, nano-optics and nanospectroscopy A. J. Meixner (Ed.) Thematic Series in the Open Access Beilstein Journal of Nanotechnology
