डेनार्ड स्केलिंग: Difference between revisions

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डेनार्ड स्केलिंग, जिसे MOSFET स्केलिंग के रूप में भी जाना जाता है, एक [[ स्केलिंग कानून ]] है जो मोटे तौर पर बताता है कि जैसे-जैसे ट्रांजिस्टर छोटे होते जाते हैं, उनका पावर घनत्व स्थिर रहता है, ताकि बिजली का उपयोग क्षेत्र के अनुपात में बना रहे; लंबाई के साथ [[ वोल्टेज ]] और [[ विद्युत प्रवाह ]] स्केल (नीचे की ओर) दोनों।<ref name=cartesian>{{cite web |url = http://cartesianproduct.wordpress.com/2013/04/15/the-end-of-dennard-scaling/ |title = The end of Dennard scaling |date = April 15, 2013 |last = McMenamin |first = Adrian |access-date = January 23, 2014}}</ref><ref>
सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स में, '''डेनार्ड स्केलिंग''', जिसे मॉसफेट [[ स्केलिंग कानून |स्केलिंग]] के रूप में भी जाना जाता है, एक स्केलिंग कानून है जो मोटे तौर पर बताता है कि जैसे-जैसे ट्रांजिस्टर छोटे होते जाते हैं, उनका पावर घनत्व स्थिर रहता है, जिससे बिजली का उपयोग लंबाई के साथ [[ वोल्टेज |वोल्टेज]] और धारा पैमाना (नीचे की ओर) दोनों क्षेत्र के अनुपात में रहता है।<ref name="cartesian">{{cite web |url = http://cartesianproduct.wordpress.com/2013/04/15/the-end-of-dennard-scaling/ |title = The end of Dennard scaling |date = April 15, 2013 |last = McMenamin |first = Adrian |access-date = January 23, 2014}}</ref><ref>
{{cite book |last1=Streetman | first1=Ben G. |last2=Banerjee |first2=Sanjay Kumar | title=Solid state electronic devices | publisher=Pearson | publication-place=Boston | year=2016 | isbn=978-1-292-06055-2 | oclc=908999844 | page=341}}
{{cite book |last1=Streetman | first1=Ben G. |last2=Banerjee |first2=Sanjay Kumar | title=Solid state electronic devices | publisher=Pearson | publication-place=Boston | year=2016 | isbn=978-1-292-06055-2 | oclc=908999844 | page=341}}
</ref> मूल रूप से [[ MOSFET ]]s के लिए तैयार किया गया कानून, रॉबर्ट एच. डेनार्ड द्वारा सह-लेखक 1974 के पेपर पर आधारित है, जिसके नाम पर इसका नाम रखा गया है।<ref>{{cite journal |first1 = Robert H. |last1 = Dennard |last2 = Gaensslen |first2 = Fritz |last3 = Yu |first3 = Hwa-Nien |last4 = Rideout |first4 = Leo |last5 = Bassous |first5 = Ernest |last6 = LeBlanc |first6 = Andre |title = Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions |date = October 1974 |journal = IEEE Journal of Solid-State Circuits |volume = SC-9 |number = 5 |doi=10.1109/JSSC.1974.1050511 |pages=256–268|bibcode = 1974IJSSC...9..256D |s2cid = 283984 }}<br/>{{cite journal |first1=R.H. |last1=Dennard |first2=F.H. |last2=Gaensslen |author3=Hwa-Nien Yu |first4=V.L. |last4=Rideout |first5=E. |last5=Bassous |first6=A.R. |last6=Leblanc |title=Classic Paper: Design Of Ion-implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions |journal=Proceedings of the IEEE |volume=87 |issue=4 |pages=668–678 |date=April 1999 |doi=10.1109/JPROC.1999.752522 |citeseerx=10.1.1.334.2417|s2cid=62193402 }}</ref>
</ref> मूल रूप से मॉसफेट के लिए तैयार किया गया कानून, 1974 के पेपर पर आधारित है, जिसके सह-लेखक हैं रॉबर्ट एच. डेनार्ड, जिनके नाम पर इसका नाम रखा गया है।<ref>{{cite journal |first1 = Robert H. |last1 = Dennard |last2 = Gaensslen |first2 = Fritz |last3 = Yu |first3 = Hwa-Nien |last4 = Rideout |first4 = Leo |last5 = Bassous |first5 = Ernest |last6 = LeBlanc |first6 = Andre |title = Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions |date = October 1974 |journal = IEEE Journal of Solid-State Circuits |volume = SC-9 |number = 5 |doi=10.1109/JSSC.1974.1050511 |pages=256–268|bibcode = 1974IJSSC...9..256D |s2cid = 283984 }}<br/>{{cite journal |first1=R.H. |last1=Dennard |first2=F.H. |last2=Gaensslen |author3=Hwa-Nien Yu |first4=V.L. |last4=Rideout |first5=E. |last5=Bassous |first6=A.R. |last6=Leblanc |title=Classic Paper: Design Of Ion-implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions |journal=Proceedings of the IEEE |volume=87 |issue=4 |pages=668–678 |date=April 1999 |doi=10.1109/JPROC.1999.752522 |citeseerx=10.1.1.334.2417|s2cid=62193402 }}</ref>
== व्युत्पत्ति ==
मॉसफेट स्केलिंग के डेनार्ड के मॉडल का अर्थ है कि प्रत्येक प्रौद्योगिकी पीढ़ी के साथ:


1. ट्रांजिस्टर आयामों को -30% (0.7×) तक बढ़ाया जा सकता है। इसका एक साथ निम्नलिखित प्रभाव पड़ता है:


== व्युत्पत्ति ==
* एक व्यक्तिगत उपकरण का क्षेत्रफल 50% कम हो जाता है क्योंकि क्षेत्रफल लंबाई गुणा चौड़ाई होता है।
MOSFET स्केलिंग के डेनार्ड के मॉडल का तात्पर्य है कि, प्रत्येक प्रौद्योगिकी पीढ़ी के साथ:
* उपकरण, C से जुड़ी धारिता 30% (0.7×) कम हो जाती है, क्योंकि धारिता दूरी के साथ क्षेत्र के साथ बदलती रहती है।
 
* विद्युत क्षेत्र को अपरिवर्तित रखने के लिए, वोल्टेज, वी, 30% (0.7×) से कम हो जाता है, क्योंकि वोल्टेज क्षेत्र की लंबाई है।
1. ट्रांजिस्टर के आयामों को -30% (0.7×) तक बढ़ाया जा सकता है। इसके निम्नलिखित प्रभाव एक साथ होते हैं:
* समाई और वोल्टेज के साथ उनके संबंध के कारण, धारा और संक्रमण समय जैसी विशेषताओं को इसी तरह 30% तक घटाया जाता है।
* माना जाता है कि समग्र परिपथ विलंब संक्रमण समय पर प्रभाव होता है, इसलिए यह भी 30% कम हो जाता है।


* एक व्यक्तिगत उपकरण का क्षेत्रफल 50% कम हो जाता है, क्योंकि क्षेत्रफल#आयतें।
2. उपरोक्त प्रभावों से परिचालन आवृत्ति, f में लगभग 40% (1.4×) की वृद्धि होती है, क्योंकि आवृत्ति एक से अधिक विलंब के साथ बदलती रहती है।
* डिवाइस, C से जुड़ी धारिता 30% (0.7×) कम हो जाती है, क्योंकि Capacitance#Capacitors।
* विद्युत क्षेत्र को अपरिवर्तित रखने के लिए, वोल्टेज, V, 30% (0.7×) कम हो जाता है, क्योंकि Electric_field#Uniform_fields।
* उनकी समाई#पारस्परिक_क्षमता के कारण, वर्तमान और संक्रमण समय जैसी विशेषताएं भी 30% तक कम हो जाती हैं।
* ओवरऑल सर्किट डिले को ट्रांजिशन टाइम पर हावी माना जाता है, इसलिए इसे भी 30% तक कम कर दिया जाता है।


2. उपरोक्त प्रभावों से ऑपरेटिंग फ़्रीक्वेंसी, f में लगभग 40% (1.4×) की वृद्धि होती है, क्योंकि फ़्रीक्वेंसी#परिभाषाएँ_और_इकाइयां।
3. एकल ट्रांजिस्टर की बिजली खपत 50% कम हो जाती है क्योंकि [[ सक्रिय शक्ति |सक्रिय शक्ति]] CV<sup>2</sup>f है।<ref name=Borkar>{{cite journal| url=http://cacm.acm.org/magazines/2011/5/107702-the-future-of-microprocessors/fulltext |access-date=2011-11-27 |title=The Future of Microprocessors|date=May 2011| first1 = Shekhar | last1 = Borkar | first2 = Andrew A. | last2 = Chien|journal=Communications of the ACM  |volume=54 |issue=5 |pages=67 | doi=10.1145/1941487.1941507|doi-access=free }}</ref>


3. व्यक्तिगत ट्रांजिस्टर की बिजली खपत 50% कम हो जाती है, क्योंकि सीवी [[ सक्रिय शक्ति ]] है<sup>2</sup>च.<ref name=Borkar>{{cite journal| url=http://cacm.acm.org/magazines/2011/5/107702-the-future-of-microprocessors/fulltext |access-date=2011-11-27 |title=The Future of Microprocessors|date=May 2011| first1 = Shekhar | last1 = Borkar | first2 = Andrew A. | last2 = Chien|journal=Communications of the ACM  |volume=54 |issue=5 |pages=67 | doi=10.1145/1941487.1941507|doi-access=free }}</ref>
इसलिए, प्रत्येक प्रौद्योगिकी उत्पादन में, अलग-अलग ट्रांजिस्टर का क्षेत्र और बिजली की खपत आधी हो जाती है। दूसरे शब्दों में, यदि ट्रांजिस्टर का घनत्व दोगुना हो जाता है, तो बिजली की खपत ([[ ट्रांजिस्टर घनत्व |ट्रांजिस्टर]] की संख्या के दोगुने होने पर) समान रहती है।
इसलिए, प्रत्येक प्रौद्योगिकी उत्पादन में, अलग-अलग ट्रांजिस्टर का क्षेत्र और बिजली की खपत आधी हो जाती है। दूसरे शब्दों में, यदि ट्रांजिस्टर का घनत्व दोगुना हो जाता है, तो बिजली की खपत ([[ ट्रांजिस्टर घनत्व ]] दोगुनी संख्या के साथ) समान रहती है।


==मूर के नियम और कंप्यूटिंग प्रदर्शन के साथ संबंध==
==मूर के नियम और कंप्यूटिंग प्रदर्शन के साथ संबंध==
मूर का नियम कहता है कि ट्रांजिस्टर की संख्या लगभग हर दो साल में दोगुनी हो जाती है। डेनार्ड स्केलिंग के साथ संयुक्त, इसका मतलब है कि [[ प्रति जूल प्रदर्शन ]] और भी तेजी से बढ़ता है, हर 18 महीने (1.5 साल) में दोगुना हो जाता है। इस प्रवृत्ति को कभी-कभी कूमी के नियम के रूप में जाना जाता है। दोहरीकरण की दर मूल रूप से कूमी द्वारा 1.57 वर्ष होने का सुझाव दिया गया था,<ref>{{cite web|url=http://www.technologyreview.com/news/425398/a-new-and-improved-moores-law/|title = A New and Improved Moore's Law: Under "Koomey's law," it's efficiency, not power, that doubles every year and a half.|publisher = [[Technology Review]]|date = September 12, 2011|access-date = January 23, 2014|last = Greene|first = Katie}}</ref> लेकिन हाल के अनुमान बताते हैं कि यह धीमा है।<ref>{{cite web|url=http://www.koomey.com/post/153838038643 |title=Our latest on energy efficiency of computing over time, now out in Electronic Design |website=koomey.com|first1=Jonathan G |last1=Koomey PhD |date=2016-11-29 |accessdate=2021-01-15}}</ref>
मूर का नियम कहता है कि ट्रांजिस्टर की संख्या हर दो साल में लगभग दोगुनी हो जाती है। डेनार्ड स्केलिंग के साथ संयुक्त, इसका मतलब है कि [[ प्रति जूल प्रदर्शन |प्रति जूल प्रदर्शन]] और भी तेजी से बढ़ता है, हर 18 महीने (1.5 वर्ष) में दोगुना हो जाता है। इस प्रवृत्ति को कभी-कभी कूमी का नियम कहा जाता है। कूमी ने मूल रूप से दोहरीकरण की दर 1.57 वर्ष होने का सुझाव दिया था,<ref>{{cite web|url=http://www.technologyreview.com/news/425398/a-new-and-improved-moores-law/|title = A New and Improved Moore's Law: Under "Koomey's law," it's efficiency, not power, that doubles every year and a half.|publisher = [[Technology Review]]|date = September 12, 2011|access-date = January 23, 2014|last = Greene|first = Katie}}</ref> लेकिन हाल के अनुमान बताते हैं कि यह धीमा है।<ref>{{cite web|url=http://www.koomey.com/post/153838038643 |title=Our latest on energy efficiency of computing over time, now out in Electronic Design |website=koomey.com|first1=Jonathan G |last1=Koomey PhD |date=2016-11-29 |accessdate=2021-01-15}}</ref>
 
== 2006 के आस-पास डेनार्ड स्केलिंग का ब्रेकडाउन ==
{{further|मॉसफेट स्केलिंग}}


== 2006 के आसपास डेनार्ड स्केलिंग का ब्रेकडाउन ==
सीएमओएस सर्किट की गतिशील (स्विचिंग) बिजली की खपत आवृत्ति के समानुपाती है।<ref name="cmospower">{{cite web |url = http://www.ti.com/lit/an/scaa035b/scaa035b.pdf |title = CMOS Power Consumption and CPD Calculation |publisher = [[Texas Instruments]] |date = June 1997 |access-date = March 9, 2016}}</ref> ऐतिहासिक रूप से, डेनार्ड स्केलिंग द्वारा वहन की जाने वाली ट्रांजिस्टर बिजली की कमी ने निर्माताओं को समग्र सर्किट बिजली की खपत में उल्लेखनीय वृद्धि किए बिना एक पीढ़ी से दूसरी पीढ़ी तक घड़ी की आवृत्ति को काफी बढ़ा दिया।
{{further|MOSFET#Scaling}}
सीएमओएस सर्किट की गतिशील (स्विचिंग) बिजली की खपत आवृत्ति के समानुपाती होती है।<ref name=cmospower>{{cite web |url = http://www.ti.com/lit/an/scaa035b/scaa035b.pdf |title = CMOS Power Consumption and CPD Calculation |publisher = [[Texas Instruments]] |date = June 1997 |access-date = March 9, 2016}}</ref>
ऐतिहासिक रूप से, डेनार्ड स्केलिंग द्वारा वहन की गई ट्रांजिस्टर बिजली की कमी ने निर्माताओं को समग्र सर्किट बिजली की खपत में उल्लेखनीय वृद्धि किए बिना घड़ी की आवृत्तियों को एक पीढ़ी से दूसरी पीढ़ी तक बढ़ाने की अनुमति दी।


2005-2007 के बाद से डेनार्ड स्केलिंग टूट गई प्रतीत होती है। 2016 तक, एकीकृत परिपथों में ट्रांजिस्टर की संख्या अभी भी बढ़ रही है, लेकिन प्रदर्शन में परिणामी सुधार महत्वपूर्ण आवृत्ति वृद्धि के परिणामस्वरूप गति-अप की तुलना में अधिक क्रमिक हैं।<ref name=cartesian/><ref name=retrospective>{{cite web |url = http://www.eng.auburn.edu/~agrawvd/COURSE/READING/LOWP/Boh07.pdf |title = A 30 Year Retrospective on Dennard's MOSFET Scaling Paper |publisher = Solid-State Circuits Society |last = Bohr |first = Mark |date = January 2007 |access-date = January 23, 2014}}</ref> ब्रेकडाउन के लिए उद्धृत प्राथमिक कारण यह है कि छोटे आकार में, वर्तमान रिसाव अधिक चुनौतियों का सामना करता है और चिप को गर्म करने का कारण भी बनता है, जो थर्मल पलायन का खतरा पैदा करता है और इसलिए ऊर्जा लागत को और बढ़ाता है।<ref name=cartesian/><ref name=retrospective/>
लगभग 2005-2007 के बाद से डेनार्ड स्केलिंग टूट गई है। 2016 तक, एकीकृत परिपथों में ट्रांजिस्टर की संख्या अभी भी बढ़ रही है, लेकिन प्रदर्शन में परिणामी सुधार महत्वपूर्ण आवृत्ति वृद्धि के परिणामस्वरूप होने वाले गति-अप की तुलना में अधिक क्रमिक हैं।<ref name="cartesian" /><ref name="retrospective">{{cite web |url = http://www.eng.auburn.edu/~agrawvd/COURSE/READING/LOWP/Boh07.pdf |title = A 30 Year Retrospective on Dennard's MOSFET Scaling Paper |publisher = Solid-State Circuits Society |last = Bohr |first = Mark |date = January 2007 |access-date = January 23, 2014}}</ref> ब्रेकडाउन का प्राथमिक कारण यह है कि छोटे आकार में, वर्तमान रिसाव अधिक चुनौतियों का सामना करता है और चिप को गर्म करने का कारण भी बनता है, जो थर्मल पलायन का खतरा पैदा करता है और इसलिए ऊर्जा की लागत में और वृद्धि करता है।<ref name="cartesian" /><ref name="retrospective" />


डेनार्ड स्केलिंग के टूटने और घड़ी की आवृत्तियों को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाने में असमर्थता के कारण अधिकांश सीपीयू निर्माताओं ने प्रदर्शन को बेहतर बनाने के वैकल्पिक तरीके के रूप में [[ मल्टीकोर प्रोसेसर ]] पर ध्यान केंद्रित किया है। एक बढ़ी हुई कोर गिनती से कई लोगों को लाभ होता है (हालांकि किसी भी तरह से - Amdahl का नियम देखें) वर्कलोड, लेकिन कई कोर होने से सक्रिय स्विचिंग तत्वों में वृद्धि के परिणामस्वरूप समग्र बिजली की खपत में वृद्धि होती है और इस प्रकार CPU बिजली अपव्यय के मुद्दे बिगड़ जाते हैं।<ref name=Dark-2012>{{cite book  |chapter=Dark silicon and the end of multicore scaling |chapter-url= |title=2011 38th Annual International Symposium on Computer Architecture (ISCA) |publisher=IEEE |year=2011 |isbn=978-1-4503-0472-6 |pages=365–376 |doi=10.1145/2000064.2000108 |citeseerx=10.1.1.222.8988|last1= Esmaeilzadeh|first1= Hadi|last2= Blem|first2= Emily|last3= St. Amant|first3= Renee|last4= Sankaralingam|first4= Karthikeyan|last5= Burger|first5= Doug|s2cid= 207188742}}</ref><ref>{{cite web |url = http://www.extremetech.com/computing/116561-the-death-of-cpu-scaling-from-one-core-to-many-and-why-were-still-stuck |title = The death of CPU scaling: From one core to many — and why we're still stuck |last = Hruska |first = Joel |date = February 1, 2012 |access-date = January 23, 2014 |publisher = [[ExtremeTech]]}}</ref> अंतिम परिणाम यह है कि एक एकीकृत परिपथ का केवल कुछ अंश वास्तव में किसी भी समय बिजली की कमी का उल्लंघन किए बिना सक्रिय हो सकता है। शेष (निष्क्रिय) क्षेत्र को [[ डार्क सिलिकॉन ]] कहा जाता है।
डेनार्ड स्केलिंग के टूटने और घड़ी की आवृत्तियों को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाने में असमर्थता ने अधिकांश सीपीयू निर्माताओं को [[ मल्टीकोर प्रोसेसर |मल्टीकोर प्रोसेसर]] पर प्रदर्शन को बेहतर बनाने के वैकल्पिक तरीके के रूप में ध्यान केंद्रित करने का कारण बना दिया है। एक बढ़ी हुई कोर गिनती से कई लोगों को लाभ होता है (हालांकि किसी भी तरह से - अमदहल का नियम देखें) कार्यभार, लेकिन कई कोर होने से सक्रिय स्विचिंग तत्वों में वृद्धि के परिणामस्वरूप अभी भी समग्र बिजली की खपत में वृद्धि होती है और इस प्रकार सीपीयू बिजली अपव्यय की समस्या बिगड़ जाती हैं।<ref name="Dark-2012">{{cite book  |chapter=Dark silicon and the end of multicore scaling |chapter-url= |title=2011 38th Annual International Symposium on Computer Architecture (ISCA) |publisher=IEEE |year=2011 |isbn=978-1-4503-0472-6 |pages=365–376 |doi=10.1145/2000064.2000108 |citeseerx=10.1.1.222.8988|last1= Esmaeilzadeh|first1= Hadi|last2= Blem|first2= Emily|last3= St. Amant|first3= Renee|last4= Sankaralingam|first4= Karthikeyan|last5= Burger|first5= Doug|s2cid= 207188742}}</ref><ref>{{cite web |url = http://www.extremetech.com/computing/116561-the-death-of-cpu-scaling-from-one-core-to-many-and-why-were-still-stuck |title = The death of CPU scaling: From one core to many — and why we're still stuck |last = Hruska |first = Joel |date = February 1, 2012 |access-date = January 23, 2014 |publisher = [[ExtremeTech]]}}</ref> अंतिम परिणाम यह है कि एकीकृत परिपथ का केवल कुछ अंश वास्तव में किसी भी समय बिजली की कमी का उल्लंघन किए बिना सक्रिय हो सकता है। शेष (निष्क्रिय) क्षेत्र को [[ डार्क सिलिकॉन |डार्क सिलिकॉन]] के रूप में संदर्भित किया जाता है।


==संदर्भ==
==संदर्भ==
{{Reflist}}
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Latest revision as of 15:19, 4 September 2023

सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स में, डेनार्ड स्केलिंग, जिसे मॉसफेट स्केलिंग के रूप में भी जाना जाता है, एक स्केलिंग कानून है जो मोटे तौर पर बताता है कि जैसे-जैसे ट्रांजिस्टर छोटे होते जाते हैं, उनका पावर घनत्व स्थिर रहता है, जिससे बिजली का उपयोग लंबाई के साथ वोल्टेज और धारा पैमाना (नीचे की ओर) दोनों क्षेत्र के अनुपात में रहता है।[1][2] मूल रूप से मॉसफेट के लिए तैयार किया गया कानून, 1974 के पेपर पर आधारित है, जिसके सह-लेखक हैं रॉबर्ट एच. डेनार्ड, जिनके नाम पर इसका नाम रखा गया है।[3]

व्युत्पत्ति

मॉसफेट स्केलिंग के डेनार्ड के मॉडल का अर्थ है कि प्रत्येक प्रौद्योगिकी पीढ़ी के साथ:

1. ट्रांजिस्टर आयामों को -30% (0.7×) तक बढ़ाया जा सकता है। इसका एक साथ निम्नलिखित प्रभाव पड़ता है:

  • एक व्यक्तिगत उपकरण का क्षेत्रफल 50% कम हो जाता है क्योंकि क्षेत्रफल लंबाई गुणा चौड़ाई होता है।
  • उपकरण, C से जुड़ी धारिता 30% (0.7×) कम हो जाती है, क्योंकि धारिता दूरी के साथ क्षेत्र के साथ बदलती रहती है।
  • विद्युत क्षेत्र को अपरिवर्तित रखने के लिए, वोल्टेज, वी, 30% (0.7×) से कम हो जाता है, क्योंकि वोल्टेज क्षेत्र की लंबाई है।
  • समाई और वोल्टेज के साथ उनके संबंध के कारण, धारा और संक्रमण समय जैसी विशेषताओं को इसी तरह 30% तक घटाया जाता है।
  • माना जाता है कि समग्र परिपथ विलंब संक्रमण समय पर प्रभाव होता है, इसलिए यह भी 30% कम हो जाता है।

2. उपरोक्त प्रभावों से परिचालन आवृत्ति, f में लगभग 40% (1.4×) की वृद्धि होती है, क्योंकि आवृत्ति एक से अधिक विलंब के साथ बदलती रहती है।

3. एकल ट्रांजिस्टर की बिजली खपत 50% कम हो जाती है क्योंकि सक्रिय शक्ति CV2f है।[4]

इसलिए, प्रत्येक प्रौद्योगिकी उत्पादन में, अलग-अलग ट्रांजिस्टर का क्षेत्र और बिजली की खपत आधी हो जाती है। दूसरे शब्दों में, यदि ट्रांजिस्टर का घनत्व दोगुना हो जाता है, तो बिजली की खपत (ट्रांजिस्टर की संख्या के दोगुने होने पर) समान रहती है।

मूर के नियम और कंप्यूटिंग प्रदर्शन के साथ संबंध

मूर का नियम कहता है कि ट्रांजिस्टर की संख्या हर दो साल में लगभग दोगुनी हो जाती है। डेनार्ड स्केलिंग के साथ संयुक्त, इसका मतलब है कि प्रति जूल प्रदर्शन और भी तेजी से बढ़ता है, हर 18 महीने (1.5 वर्ष) में दोगुना हो जाता है। इस प्रवृत्ति को कभी-कभी कूमी का नियम कहा जाता है। कूमी ने मूल रूप से दोहरीकरण की दर 1.57 वर्ष होने का सुझाव दिया था,[5] लेकिन हाल के अनुमान बताते हैं कि यह धीमा है।[6]

2006 के आस-पास डेनार्ड स्केलिंग का ब्रेकडाउन

Further information: मॉसफेट स्केलिंग

सीएमओएस सर्किट की गतिशील (स्विचिंग) बिजली की खपत आवृत्ति के समानुपाती है।[7] ऐतिहासिक रूप से, डेनार्ड स्केलिंग द्वारा वहन की जाने वाली ट्रांजिस्टर बिजली की कमी ने निर्माताओं को समग्र सर्किट बिजली की खपत में उल्लेखनीय वृद्धि किए बिना एक पीढ़ी से दूसरी पीढ़ी तक घड़ी की आवृत्ति को काफी बढ़ा दिया।

लगभग 2005-2007 के बाद से डेनार्ड स्केलिंग टूट गई है। 2016 तक, एकीकृत परिपथों में ट्रांजिस्टर की संख्या अभी भी बढ़ रही है, लेकिन प्रदर्शन में परिणामी सुधार महत्वपूर्ण आवृत्ति वृद्धि के परिणामस्वरूप होने वाले गति-अप की तुलना में अधिक क्रमिक हैं।[1][8] ब्रेकडाउन का प्राथमिक कारण यह है कि छोटे आकार में, वर्तमान रिसाव अधिक चुनौतियों का सामना करता है और चिप को गर्म करने का कारण भी बनता है, जो थर्मल पलायन का खतरा पैदा करता है और इसलिए ऊर्जा की लागत में और वृद्धि करता है।[1][8]

डेनार्ड स्केलिंग के टूटने और घड़ी की आवृत्तियों को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाने में असमर्थता ने अधिकांश सीपीयू निर्माताओं को मल्टीकोर प्रोसेसर पर प्रदर्शन को बेहतर बनाने के वैकल्पिक तरीके के रूप में ध्यान केंद्रित करने का कारण बना दिया है। एक बढ़ी हुई कोर गिनती से कई लोगों को लाभ होता है (हालांकि किसी भी तरह से - अमदहल का नियम देखें) कार्यभार, लेकिन कई कोर होने से सक्रिय स्विचिंग तत्वों में वृद्धि के परिणामस्वरूप अभी भी समग्र बिजली की खपत में वृद्धि होती है और इस प्रकार सीपीयू बिजली अपव्यय की समस्या बिगड़ जाती हैं।[9][10] अंतिम परिणाम यह है कि एकीकृत परिपथ का केवल कुछ अंश वास्तव में किसी भी समय बिजली की कमी का उल्लंघन किए बिना सक्रिय हो सकता है। शेष (निष्क्रिय) क्षेत्र को डार्क सिलिकॉन के रूप में संदर्भित किया जाता है।

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 McMenamin, Adrian (April 15, 2013). "The end of Dennard scaling". Retrieved January 23, 2014.
  2. ↑ Streetman, Ben G.; Banerjee, Sanjay Kumar (2016). Solid state electronic devices. Boston: Pearson. p. 341. ISBN 978-1-292-06055-2. OCLC 908999844.
  3. ↑ Dennard, Robert H.; Gaensslen, Fritz; Yu, Hwa-Nien; Rideout, Leo; Bassous, Ernest; LeBlanc, Andre (October 1974). "Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions". IEEE Journal of Solid-State Circuits. SC-9 (5): 256–268. Bibcode:1974IJSSC...9..256D. doi:10.1109/JSSC.1974.1050511. S2CID 283984.
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