ग्राउंड बाउंस: Difference between revisions
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ग्राउंड बाउंस आमतौर पर उच्च घनत्व वाले [[वीएलएसआई]] पर देखा जाता है जहां जमीन पर पर्याप्त रूप से कम प्रतिबाधा कनेक्शन (या पर्याप्त उच्च क्षमता) के साथ एक लॉजिक गेट की आपूर्ति के लिए अपर्याप्त सावधानी बरती जाती है। इस घटना में, जब एक एनपीएन ट्रांजिस्टर का आधार चालू होता है, बीजेटी # संरचना-बीजेटी # संरचना सर्किट के माध्यम से पर्याप्त वर्तमान प्रवाह होता है कि एमिटर-ग्राउंड कनेक्शन के तत्काल आसपास के सिलिकॉन को आंशिक रूप से उच्च खींचा जाता है, कभी-कभी कई वोल्ट से , इस प्रकार स्थानीय आधार को, जैसा कि गेट पर माना जाता है, वास्तविक आधार से उल्लेखनीय रूप से ऊपर उठाना। इस स्थानीय आधार के सापेक्ष, बेस वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है, इस प्रकार ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। जैसे ही अतिरिक्त स्थानीय आवेश समाप्त हो जाता है, ट्रांजिस्टर वापस चालू हो जाता है, संभवतः घटना की पुनरावृत्ति होती है, कभी-कभी आधा दर्जन बाउंस तक। | ग्राउंड बाउंस आमतौर पर उच्च घनत्व वाले [[वीएलएसआई]] पर देखा जाता है जहां जमीन पर पर्याप्त रूप से कम प्रतिबाधा कनेक्शन (या पर्याप्त उच्च क्षमता) के साथ एक लॉजिक गेट की आपूर्ति के लिए अपर्याप्त सावधानी बरती जाती है। इस घटना में, जब एक एनपीएन ट्रांजिस्टर का आधार चालू होता है, बीजेटी # संरचना-बीजेटी # संरचना सर्किट के माध्यम से पर्याप्त वर्तमान प्रवाह होता है कि एमिटर-ग्राउंड कनेक्शन के तत्काल आसपास के सिलिकॉन को आंशिक रूप से उच्च खींचा जाता है, कभी-कभी कई वोल्ट से , इस प्रकार स्थानीय आधार को, जैसा कि गेट पर माना जाता है, वास्तविक आधार से उल्लेखनीय रूप से ऊपर उठाना। इस स्थानीय आधार के सापेक्ष, बेस वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है, इस प्रकार ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। जैसे ही अतिरिक्त स्थानीय आवेश समाप्त हो जाता है, ट्रांजिस्टर वापस चालू हो जाता है, संभवतः घटना की पुनरावृत्ति होती है, कभी-कभी आधा दर्जन बाउंस तक। | ||
आधुनिक डिजिटल सर्किट डिजाइन में त्रिशंकु या [[मेटास्टेबल गेट]]्स के प्रमुख कारणों में से एक ग्राउंड बाउंस है। ऐसा इसलिए होता है क्योंकि ग्राउंड बाउंस [[फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] के इनपुट को प्रभावी ढंग से [[वोल्टेज का मामला]] पर रखता है जो घड़ी के समय न तो एक है और न ही शून्य है, या घड़ी में ही अप्रिय प्रभाव पैदा करता है। एक समान वोल्टेज शिथिलता घटना कलेक्टर की ओर देखी जा सकती है, जिसे आपूर्ति वोल्टेज शिथिलता (या ''वी'') कहा जाता है।<sub>CC</sub> सैग), जहां आईसी पावर-सप्लाई पिन | वी<sub>CC</sub>अस्वाभाविक रूप से नीचे खींचा जाता है। समग्र रूप से, वीएलएसआई में नैनोमीटर रेंज प्रौद्योगिकियों में ग्राउंड बाउंस एक प्रमुख मुद्दा है। | |||
ग्राउंड बाउंस तब भी हो सकता है जब सर्किट बोर्ड ने ग्राउंड पाथ को खराब तरीके से डिजाइन किया हो। अनुचित जमीन या वी<sub>CC</sub> विभिन्न घटकों के बीच जमीनी स्तर में स्थानीय भिन्नताएं पैदा कर सकता है। यह आमतौर पर ग्राउंड और V वाले सर्किट बोर्ड में देखा जाता है<sub>CC</sub> बोर्ड की सतहों पर पथ। | ग्राउंड बाउंस तब भी हो सकता है जब सर्किट बोर्ड ने ग्राउंड पाथ को खराब तरीके से डिजाइन किया हो। अनुचित जमीन या वी<sub>CC</sub> विभिन्न घटकों के बीच जमीनी स्तर में स्थानीय भिन्नताएं पैदा कर सकता है। यह आमतौर पर ग्राउंड और V वाले सर्किट बोर्ड में देखा जाता है<sub>CC</sub> बोर्ड की सतहों पर पथ। | ||
Revision as of 12:10, 7 June 2023
इलेक्ट्रॉनिक यन्त्रशास्त्र में, ग्राउंड बाउंस ट्रांजिस्टर स्विचिंग से जुड़ी एक घटना है जहां गेट वोल्टेज स्थानीय ग्राउंड क्षमता से कम दिखाई दे सकता है, जिससे तर्क द्वार का अस्थिर संचालन हो सकता है।
विवरण
ग्राउंड बाउंस आमतौर पर उच्च घनत्व वाले वीएलएसआई पर देखा जाता है जहां जमीन पर पर्याप्त रूप से कम प्रतिबाधा कनेक्शन (या पर्याप्त उच्च क्षमता) के साथ एक लॉजिक गेट की आपूर्ति के लिए अपर्याप्त सावधानी बरती जाती है। इस घटना में, जब एक एनपीएन ट्रांजिस्टर का आधार चालू होता है, बीजेटी # संरचना-बीजेटी # संरचना सर्किट के माध्यम से पर्याप्त वर्तमान प्रवाह होता है कि एमिटर-ग्राउंड कनेक्शन के तत्काल आसपास के सिलिकॉन को आंशिक रूप से उच्च खींचा जाता है, कभी-कभी कई वोल्ट से , इस प्रकार स्थानीय आधार को, जैसा कि गेट पर माना जाता है, वास्तविक आधार से उल्लेखनीय रूप से ऊपर उठाना। इस स्थानीय आधार के सापेक्ष, बेस वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है, इस प्रकार ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। जैसे ही अतिरिक्त स्थानीय आवेश समाप्त हो जाता है, ट्रांजिस्टर वापस चालू हो जाता है, संभवतः घटना की पुनरावृत्ति होती है, कभी-कभी आधा दर्जन बाउंस तक।
आधुनिक डिजिटल सर्किट डिजाइन में त्रिशंकु या मेटास्टेबल गेट्स के प्रमुख कारणों में से एक ग्राउंड बाउंस है। ऐसा इसलिए होता है क्योंकि ग्राउंड बाउंस फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स) के इनपुट को प्रभावी ढंग से वोल्टेज का मामला पर रखता है जो घड़ी के समय न तो एक है और न ही शून्य है, या घड़ी में ही अप्रिय प्रभाव पैदा करता है। एक समान वोल्टेज शिथिलता घटना कलेक्टर की ओर देखी जा सकती है, जिसे आपूर्ति वोल्टेज शिथिलता (या वी) कहा जाता है।CC सैग), जहां आईसी पावर-सप्लाई पिन | वीCCअस्वाभाविक रूप से नीचे खींचा जाता है। समग्र रूप से, वीएलएसआई में नैनोमीटर रेंज प्रौद्योगिकियों में ग्राउंड बाउंस एक प्रमुख मुद्दा है।
ग्राउंड बाउंस तब भी हो सकता है जब सर्किट बोर्ड ने ग्राउंड पाथ को खराब तरीके से डिजाइन किया हो। अनुचित जमीन या वीCC विभिन्न घटकों के बीच जमीनी स्तर में स्थानीय भिन्नताएं पैदा कर सकता है। यह आमतौर पर ग्राउंड और V वाले सर्किट बोर्ड में देखा जाता हैCC बोर्ड की सतहों पर पथ।
कमी
गेट स्विच के दौरान वर्तमान प्रवाह को सीमित करने के लिए स्विचिंग आउटपुट में से प्रत्येक के लिए श्रृंखला में 10-30 ओम अवरोधक लगाकर ग्राउंड बाउंस को कम किया जा सकता है।[1]
यह भी देखें
- इलेक्ट्रॉनिक्स में मेटास्टेबिलिटी
- असीमित nondeterminism
- बुरिदान का गधा
संदर्भ
- Jeff Barrow, Reducing Ground Bounce, (2007), Analog Devices
- Vikas Kumar, Ground Bounce Primer, (2005), TechOnLine (now EETimes).
- Ground Bounce in 8-Bit High-Speed Logic, Pericom Application Note.
- AN-640 Understanding and Minimizing Ground Bounce, (2003) Fairchild Semiconductor, Application Note 640.
- Minimizing Ground Bounce & VCC Sag, White Paper, (2001) Altera Corporation.
- Ground Bounce part-1 and part-2 by Douglas Brooks,Articles, Ultra Cad Design.
