जीडीडीआर4 एसडीआरएएम: Difference between revisions

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GDDR4 SDRAM, ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, [[JEDEC]] सेमीकंडक्टर मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट [[ चित्रोपमा पत्रक ]] [[रैंडम एक्सेस मेमोरी]] (SGRAM) का एक प्रकार है।<ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/SGRAM|title=Standards & Documents Search: sgram|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/GDDR4|title=Standards & Documents Search: gddr4|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref> यह Rambus|Rambus के [[XDR DRAM]] का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। GDDR4 [[DDR3 SDRAM]] तकनीक पर आधारित है और इसका उद्देश्य [[DDR2 SDRAM]]-आधारित [[GDDR3]] को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर [[GDDR5]] द्वारा बदल दिया गया।
GDDR4 SDRAM, ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, [[JEDEC]] सेमीकंडक्टर मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट [[ चित्रोपमा पत्रक |चित्रोपमा पत्रक]] [[रैंडम एक्सेस मेमोरी]] (SGRAM) का एक प्रकार है।<ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/SGRAM|title=Standards & Documents Search: sgram|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/GDDR4|title=Standards & Documents Search: gddr4|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref> यह Rambus|Rambus के [[XDR DRAM]] का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। GDDR4 [[DDR3 SDRAM]] कार्यपद्धति पर आधारित है और इसका उद्देश्य [[DDR2 SDRAM]]-आधारित [[GDDR3]] को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर [[GDDR5]] द्वारा बदल दिया गया।


== इतिहास ==
== इतिहास ==
* 26 अक्टूबर 2005 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी विकसित की है, एक 256-[[Mebibit]] चिप जो 2.5 Gibibit|Gbit/s पर चल रही है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 Gbit/s रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी खुलासा किया।<ref>{{cite web |title=Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM |url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-industrys-first-ultra-fast-gddr4-graphics-dram/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=8 July 2019 |date=October 26, 2005}}</ref>
* 26 अक्टूबर 2005 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी विकसित की है, एक 256-[[Mebibit]] चिप जो 2.5 Gbit/s पर चल रही है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 Gbit/s रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।<ref>{{cite web |title=Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM |url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-industrys-first-ultra-fast-gddr4-graphics-dram/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=8 July 2019 |date=October 26, 2005}}</ref>
* 2005 में, [[Hynix]] ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप विकसित की।<ref name="hynix2000s">{{cite web |title=History: 2000s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2000.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019}}</ref>
* 2005 में, [[Hynix]] ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप विकसित किया गया था।<ref name="hynix2000s">{{cite web |title=History: 2000s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2000.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019}}</ref>
* 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मॉड्यूल के लिए 12.8 जीबी/एस स्थानांतरित करने में सक्षम है।<ref>[http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060214_0000233753.htm Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density]</ref>
* 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबी/एस स्थानांतरित करने में सक्षम है।<ref>[http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060214_0000233753.htm Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density]</ref>
* 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.4 जीबीटी/एस प्रति पिन, या मॉड्यूल के लिए 9.6 जीबी/एस है। हालांकि हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने के लिए डिज़ाइन किया गया है, यह लो-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR प्रदर्शन से मेल खाने में सक्षम नहीं होगा।<ref>[https://web.archive.org/web/20060706142817/http://www.tgdaily.com/2006/07/05/samsung_gddr4/ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production]</ref>
* 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.4 जीबीटी/एस प्रति पिन, या मापांक के लिए 9.6 जीबी/एस है। चूंकि हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने के लिए डिज़ाइन किया गया है, यह लो-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR प्रदर्शन से मेल खाने में सक्षम नहीं होगा।<ref>[https://web.archive.org/web/20060706142817/http://www.tgdaily.com/2006/07/05/samsung_gddr4/ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production]</ref>
* 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबी/एस प्रति मॉड्यूल है। इस मॉड्यूल का उपयोग कुछ [[एएमडी]] कार्ड के लिए किया गया था।<ref>{{cite web |url=http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |title=Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM |work=[[The Inquirer]] |url-status=unfit |archive-url=https://web.archive.org/web/20070212033434/http://theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |archive-date=2007-02-12}}</ref>
* 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबी/एस प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ [[एएमडी]] कार्ड के लिए किया गया था।<ref>{{cite web |url=http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |title=Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM |work=[[The Inquirer]] |url-status=unfit |archive-url=https://web.archive.org/web/20070212033434/http://theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |archive-date=2007-02-12}}</ref>
* 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट GDDR4 SDRAM को 4.0 Gbit/s प्रति पिन या 16 GB/s पर मॉड्यूल के लिए रेट करने की घोषणा की और वर्ष 2007 के अंत तक व्यावसायिक रूप से उपलब्ध ग्राफिक्स कार्ड पर मेमोरी दिखाई देने की उम्मीद की। .<ref>[https://web.archive.org/web/20070225083354/http://www.tgdaily.com/2007/02/23/samsung_gddr/ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz]</ref>
* 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट GDDR4 SDRAM को 4.0 Gbit/s प्रति पिन या 16 GB/s पर मापांक के लिए रेट करने की घोषणा की और वर्ष 2007 के अंत तक व्यावसायिक रूप से उपलब्ध ग्राफिक्स कार्ड पर मेमोरी दिखाई देने की अपेक्षा की। .<ref>[https://web.archive.org/web/20070225083354/http://www.tgdaily.com/2007/02/23/samsung_gddr/ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz]</ref>




== टेक्नोलॉजीज ==
== टेक्नोलॉजीज ==
GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल पेश किया। [[प्रीफैच बफर]] को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।
GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। [[प्रीफैच बफर]] को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।


डेटा बस उलटा पता/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलटा है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस तरह, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।<ref>{{cite conference
डेटा बस उलटा पता/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलटा है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस प्रकार, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।<ref>{{cite conference
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सिग्नलिंग मोर्चे पर, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट प्रति दो चक्रों तक विस्तारित करता है, जिससे फट संचरण के दौरान अधिक निरंतर बैंडविड्थ की अनुमति मिलती है, लेकिन CAS लेटेंसी (CL) में उल्लेखनीय रूप से वृद्धि की कीमत पर, मुख्य रूप से दोहरे घटे हुए काउंट द्वारा निर्धारित किया जाता है। GDDR3 की तुलना में एड्रेस/कमांड पिन और हाफ-क्लॉक्ड DRAM सेल। एड्रेसिंग पिन की संख्या GDDR3 कोर की तुलना में आधी हो गई थी, और इसका उपयोग पावर और ग्राउंड के लिए किया गया था, जिससे विलंबता भी बढ़ जाती है। GDDR4 का एक अन्य लाभ ऊर्जा दक्षता है: 2.4 Gbit/s पर चल रहा है, यह 2.0 Gbit/s पर चलने वाले GDDR3 चिप्स की तुलना में 45% कम बिजली का उपयोग करता है।
सिग्नलिंग मोर्चे पर, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट प्रति दो चक्रों तक विस्तारित करता है, जिससे फट संचरण के समय अधिक निरंतर बैंडविड्थ की अनुमति मिलती है, लेकिन CAS लेटेंसी (CL) में उल्लेखनीय रूप से वृद्धि की कीमत पर, मुख्य रूप से दोहरे घटे हुए काउंट द्वारा निर्धारित किया जाता है। GDDR3 की समानता में एड्रेस/कमांड पिन और हाफ-क्लॉक्ड DRAM सेल। एड्रेसिंग पिन की संख्या GDDR3 कोर की समानता में आधी हो गई थी, और इसका उपयोग पावर और ग्राउंड के लिए किया गया था, जिससे विलंबता भी बढ़ जाती है। GDDR4 का एक अन्य लाभ ऊर्जा दक्षता है: 2.4 Gbit/s पर चल रहा है, यह 2.0 Gbit/s पर चलने वाले GDDR3 चिप्स की समानता में 45% कम बिजली का उपयोग करता है।


सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 [[SGRAM]]', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। हालाँकि, आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।
सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 [[SGRAM]]', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।


== दत्तक ग्रहण ==
== दत्तक ग्रहण ==
वीडियो मेमोरी निर्माता [[Qimonda]] (पूर्व में [[Infineon]] मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।<ref>[http://news.softpedia.com/news/Qimonda-Plans-GDDR5-50282.shtml Softpedia report]</ref>
वीडियो मेमोरी निर्माता [[Qimonda|किमोंडा]] (पूर्व में [[Infineon]] मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।<ref>[http://news.softpedia.com/news/Qimonda-Plans-GDDR5-50282.shtml Softpedia report]</ref>




Revision as of 23:29, 3 June 2023

This article is about डीडीआर ग्राफिक्स रैम (एसजीआरएएम). For नॉन-ग्राफिक्स (गतिशील) डीडीआर मेमोरी, see डीडीआर4 एसडीआरएएम.

GDDR4 SDRAM, ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, JEDEC सेमीकंडक्टर मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट चित्रोपमा पत्रक रैंडम एक्सेस मेमोरी (SGRAM) का एक प्रकार है।[1][2] यह Rambus|Rambus के XDR DRAM का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। GDDR4 DDR3 SDRAM कार्यपद्धति पर आधारित है और इसका उद्देश्य DDR2 SDRAM-आधारित GDDR3 को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर GDDR5 द्वारा बदल दिया गया।

इतिहास

  • 26 अक्टूबर 2005 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी विकसित की है, एक 256-Mebibit चिप जो 2.5 Gbit/s पर चल रही है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 Gbit/s रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।[3]
  • 2005 में, Hynix ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप विकसित किया गया था।[4]
  • 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबी/एस स्थानांतरित करने में सक्षम है।[5]
  • 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.4 जीबीटी/एस प्रति पिन, या मापांक के लिए 9.6 जीबी/एस है। चूंकि हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने के लिए डिज़ाइन किया गया है, यह लो-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR प्रदर्शन से मेल खाने में सक्षम नहीं होगा।[6]
  • 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबी/एस प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ एएमडी कार्ड के लिए किया गया था।[7]
  • 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट GDDR4 SDRAM को 4.0 Gbit/s प्रति पिन या 16 GB/s पर मापांक के लिए रेट करने की घोषणा की और वर्ष 2007 के अंत तक व्यावसायिक रूप से उपलब्ध ग्राफिक्स कार्ड पर मेमोरी दिखाई देने की अपेक्षा की। .[8]


टेक्नोलॉजीज

GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। प्रीफैच बफर को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।

डेटा बस उलटा पता/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलटा है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस प्रकार, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।[9]: 9  यह बिजली की खपत और जमीन उछाल को कम करता है।

सिग्नलिंग मोर्चे पर, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट प्रति दो चक्रों तक विस्तारित करता है, जिससे फट संचरण के समय अधिक निरंतर बैंडविड्थ की अनुमति मिलती है, लेकिन CAS लेटेंसी (CL) में उल्लेखनीय रूप से वृद्धि की कीमत पर, मुख्य रूप से दोहरे घटे हुए काउंट द्वारा निर्धारित किया जाता है। GDDR3 की समानता में एड्रेस/कमांड पिन और हाफ-क्लॉक्ड DRAM सेल। एड्रेसिंग पिन की संख्या GDDR3 कोर की समानता में आधी हो गई थी, और इसका उपयोग पावर और ग्राउंड के लिए किया गया था, जिससे विलंबता भी बढ़ जाती है। GDDR4 का एक अन्य लाभ ऊर्जा दक्षता है: 2.4 Gbit/s पर चल रहा है, यह 2.0 Gbit/s पर चलने वाले GDDR3 चिप्स की समानता में 45% कम बिजली का उपयोग करता है।

सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 SGRAM', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।

दत्तक ग्रहण

वीडियो मेमोरी निर्माता किमोंडा (पूर्व में Infineon मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।[10]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ "Standards & Documents Search: sgram". www.jedec.org. Retrieved 9 September 2013.
  2. ↑ "Standards & Documents Search: gddr4". www.jedec.org. Retrieved 9 September 2013.
  3. ↑ "Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM". Samsung Semiconductor. Samsung. October 26, 2005. Retrieved 8 July 2019.
  4. ↑ "History: 2000s". SK Hynix. Retrieved 8 July 2019.
  5. ↑ Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density
  6. ↑ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production
  7. ↑ "Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM". The Inquirer. Archived from the original on 2007-02-12.{{cite web}}: CS1 maint: unfit URL (link)
  8. ↑ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz
  9. ↑ Choi, J.S. (2011). DDR4 Mini Workshop (PDF). Server Memory Forum 2011. This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.
  10. ↑ Softpedia report


बाहरी संबंध

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