डाइसिंग टेप: Difference between revisions

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'''डाइसिंग टेप''' बैकिंग टेप है जिसका उपयोग [[वेफर डाइसिंग]] या कुछ अन्य माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट पृथक्करण के समय किया जाता है,वेफर ([[ इलेक्ट्रानिक्स ]]) या मॉड्यूल [[ microfabrication |माइक्रोफेब्रिकेसन]] के बाद [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] या अन्य सामग्री के टुकड़ों को अलग कारता है। काटने की प्रक्रिया के समय, डाई नामक वेफर के स्थिति में टेप सब्सट्रेट के टुकड़ों को एक साथ रखता है, उन्हें एक पतली धातु के फ्रेम पर चढ़ाता है। जिसे डाई कहा जाता है, बाद में इलेक्ट्रॉनिक्स निर्माण प्रक्रिया में डाइस/सब्सट्रेट के टुकड़ों को '''डाइसिंग टेप''' से हटा दिया जाता है। टेप सब्सट्रेट के टुकड़ों को एक साथ रखता है, उन्हें पतली धातु के फ्रेम पर चढ़ाता है। बाद मे [[वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] निर्माण प्रक्रिया में डाइस/सब्सट्रेट के टुकड़ों को डाइसिंग टेप से हटा दिया जाता है।
'''डाइसिंग टेप''' बैकिंग टेप है जिसका उपयोग [[वेफर डाइसिंग]] या कुछ अन्य माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट पृथक्करण के समय किया जाता है वेफर ([[ इलेक्ट्रानिक्स ]]) या मॉड्यूल [[ microfabrication |माइक्रोफेब्रिकेसन]] के बाद [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] या अन्य सामग्री के टुकड़ों को अलग कारता है। काटने की प्रक्रिया के समय, डाई नामक वेफर के स्थिति में टेप सब्सट्रेट के टुकड़ों को एक साथ रखता है, उन्हें एक पतली धातु के फ्रेम पर चढ़ाता है। जिसे डाई कहा जाता है, बाद में इलेक्ट्रॉनिक्स निर्माण प्रक्रिया में डाइस/सब्सट्रेट के टुकड़ों को डाइसिंग टेप से हटा दिया जाता है। टेप सब्सट्रेट के टुकड़ों को एक साथ रखता है, उन्हें पतली धातु के फ्रेम पर चढ़ाता है। बाद मे [[वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] निर्माण प्रक्रिया में डाइस/सब्सट्रेट के टुकड़ों को डाइसिंग टेप से हटा दिया जाता है।
[[File:A semiconductor wafer on a dicing (blue) tape. Few chips (dies) from the wafer have already been picked up (removed) for further manufacturing.png|thumb|डाइसिंग (नीला) टेप पर अर्धचालक वेफर। आगे के निर्माण के लिए वेफर से कुछ चिप्स (डाइज) पहले ही उठा लिए गए हैं (निकाल दिए गए हैं)।]]
[[File:A semiconductor wafer on a dicing (blue) tape. Few chips (dies) from the wafer have already been picked up (removed) for further manufacturing.png|thumb|डाइसिंग (नीला) टेप पर अर्धचालक वेफर। आगे के निर्माण के लिए वेफर से कुछ चिप्स (डाइज) पहले ही उठा लिए गए हैं (निकाल दिए गए हैं)।]]


== टेप प्रकार ==
== टेप प्रकार ==
'''डाइसिंग टेप''' [[पीवीसी]], [[polyolefin|पॉलीओलफिन]], या [[POLYETHYLENE|पॉली एथिलीन]] बैकिंग सामग्री सेडाइसिंग टेप पीवीसी से बनाया जाता है, वेफर या सब्सट्रेट को एक जगह में रखने के लिए आसंजक वाला पॉलीथीन बैकिंग सामग्री। जिसमें वेफर या सब्सट्रेट को रखने के लिए डाइसिंग टेप में एक रिलीज़ लाइनर होता है जिसे टेप वेफर्स के पीछे की ओर माउंट करने से पहले हटा दिया जाता है , विभिन्न प्रकार की आसंजक वाली बल के साथ, विभिन्न वेफर/सब्सट्रेट आकारों और सामग्रियों के लिए डिज़ाइन किया गया है। कुछ स्थितियों में डाइसिंग टेप में रिलीज़ लाइनर होते हैं। जिसे टेप को वेफर्स के पीछे की ओर माउंट करने से पहले हटा दिया जाता है , विभिन्न प्रकार की आसंजक वाली बल के साथ, विभिन्न वेफर/सब्सट्रेट आकारों और सामग्रियों के लिए डिज़ाइन किया गया।  
'''डाइसिंग टेप''' [[पीवीसी]] [[polyolefin|पॉलीओलफिन]], या [[POLYETHYLENE|पॉली एथिलीन]] बैकिंग सामग्री सेडाइसिंग टेप पीवीसी से बनाया जाता है वेफर या सब्सट्रेट को एक जगह में रखने के लिए आसंजक वाला पॉलीथीन बैकिंग सामग्री। जिसमें वेफर या सब्सट्रेट को रखने के लिए डाइसिंग टेप में एक रिलीज़ लाइनर होता है जिसे टेप वेफर्स के पीछे की ओर माउंट करने से पहले हटा दिया जाता है विभिन्न प्रकार की आसंजक वाली बल के साथ, विभिन्न वेफर/सब्सट्रेट आकारों और सामग्रियों के लिए डिज़ाइन किया गया है। कुछ स्थितियों में डाइसिंग टेप में रिलीज़ लाइनर होते हैं। जिसे टेप को वेफर्स के पीछे की ओर माउंट करने से पहले हटा दिया जाता है विभिन्न प्रकार की आसंजक वाली बल के साथ विभिन्न वेफर/सब्सट्रेट आकारों और सामग्रियों के लिए डिज़ाइन किया गया।  
* यूवी टेप डाइसिंग टेप होते हैं जिनमें डाइसिंग के बाद यूवी प्रकाश के संपर्क में आने से आसंजक वाला बंधन टूट जाता है, जिससे काटने के दौरान आसंजक वाला मजबूत हो जाता है जबकि साफ और आसानी से हटाने की अनुमति मिलती है।सेमीकंडक्टर टेप और सामग्री।आसंजक वाला साफ और आसानी से हटाने की अनुमति देते हुए काटने के समय शक्तिशाली हो जाता है। अर्धचालक टेप और सामग्री। यूवी उपकरण कम शक्ति (कुछ मेगावाट/सेमी<sup>2</sup>) से लेकर उच्च शक्ति (200 मेगावाट/सेमी<sup>2</sup> से अधिक) तक हो सकते हैं। उच्च शक्ति का परिणाम अधिक पूर्ण इलाज, कम आसंजन और कम आसंजक वाला अवशेष होता है, जबकि कम शक्ति सुरक्षित होती है।
* यूवी टेप डाइसिंग टेप होते हैं जिनमें डाइसिंग के बाद यूवी प्रकाश के संपर्क में आने से आसंजक वाला बंधन टूट जाता है, जिससे काटने के समय आसंजक वाला शक्तिशाली हो जाता है जबकि साफ और आसानी से हटाने की अनुमति मिलती है।सेमीकंडक्टर टेप और सामग्री आसंजक वाला साफ और आसानी से हटाने की अनुमति देते हुए काटने के समय शक्तिशाली हो जाता है। अर्धचालक टेप और सामग्री। यूवी उपकरण कम शक्ति (कुछ मेगावाट/सेमी<sup>2</sup>) से लेकर उच्च शक्ति (200 मेगावाट/सेमी<sup>2</sup> से अधिक) तक हो सकते हैं। उच्च शक्ति का परिणाम अधिक पूर्ण इलाज, कम आसंजन और कम आसंजक वाला अवशेष होता है, जबकि कम शक्ति सुरक्षित होती है।
* थर्मल रिलीज टेप (सामान्यतः पीईटी सामग्री) विशिष्ट स्थितियों के लिए विकसित किए गए हैं जब टेप स्थापित होने के बाद नक़्क़ाशी या सामग्री मुद्रण की आवश्यकता होती है। यदि आवश्यक हो तो ये टेप सिरेमिक सबस्ट्रेट्स या [[मुद्रित सर्किट बोर्ड|प्रिंटेड सर्किट बोर्ड]] (पीसीबी/पीडब्लूबी) जैसे भारी सबस्ट्रेट्स को भी संभाल सकते हैं। गर्मी होने पर उनका आसंजन विलुप्त हो जाता है (सामान्यतः 90 से 170 डिग्री सेल्सियस (194 से 338 डिग्री फारेनहाइट)) प्रयुक्त की गई है।
* थर्मल रिलीज टेप (सामान्यतः पीईटी सामग्री) विशिष्ट स्थितियों के लिए विकसित किए गए हैं जब टेप स्थापित होने के बाद नक़्क़ाशी या सामग्री मुद्रण की आवश्यकता होती है। यदि आवश्यक हो तो ये टेप सिरेमिक सबस्ट्रेट्स या [[मुद्रित सर्किट बोर्ड|प्रिंटेड सर्किट बोर्ड]] (पीसीबी/पीडब्लूबी) जैसे भारी सबस्ट्रेट्स को भी संभाल सकते हैं। गर्मी होने पर उनका आसंजन विलुप्त हो जाता है (सामान्यतः 90 से 170 डिग्री सेल्सियस (194 से 338 डिग्री फारेनहाइट)) प्रयुक्त की गई है।



Revision as of 11:47, 22 June 2023

डाइसिंग टेप बैकिंग टेप है जिसका उपयोग वेफर डाइसिंग या कुछ अन्य माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट पृथक्करण के समय किया जाता है वेफर (इलेक्ट्रानिक्स ) या मॉड्यूल माइक्रोफेब्रिकेसन के बाद अर्धचालक या अन्य सामग्री के टुकड़ों को अलग कारता है। काटने की प्रक्रिया के समय, डाई नामक वेफर के स्थिति में टेप सब्सट्रेट के टुकड़ों को एक साथ रखता है, उन्हें एक पतली धातु के फ्रेम पर चढ़ाता है। जिसे डाई कहा जाता है, बाद में इलेक्ट्रॉनिक्स निर्माण प्रक्रिया में डाइस/सब्सट्रेट के टुकड़ों को डाइसिंग टेप से हटा दिया जाता है। टेप सब्सट्रेट के टुकड़ों को एक साथ रखता है, उन्हें पतली धातु के फ्रेम पर चढ़ाता है। बाद मे वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स) निर्माण प्रक्रिया में डाइस/सब्सट्रेट के टुकड़ों को डाइसिंग टेप से हटा दिया जाता है।

डाइसिंग (नीला) टेप पर अर्धचालक वेफर। आगे के निर्माण के लिए वेफर से कुछ चिप्स (डाइज) पहले ही उठा लिए गए हैं (निकाल दिए गए हैं)।

टेप प्रकार

डाइसिंग टेप पीवीसी पॉलीओलफिन, या पॉली एथिलीन बैकिंग सामग्री सेडाइसिंग टेप पीवीसी से बनाया जाता है वेफर या सब्सट्रेट को एक जगह में रखने के लिए आसंजक वाला पॉलीथीन बैकिंग सामग्री। जिसमें वेफर या सब्सट्रेट को रखने के लिए डाइसिंग टेप में एक रिलीज़ लाइनर होता है जिसे टेप वेफर्स के पीछे की ओर माउंट करने से पहले हटा दिया जाता है विभिन्न प्रकार की आसंजक वाली बल के साथ, विभिन्न वेफर/सब्सट्रेट आकारों और सामग्रियों के लिए डिज़ाइन किया गया है। कुछ स्थितियों में डाइसिंग टेप में रिलीज़ लाइनर होते हैं। जिसे टेप को वेफर्स के पीछे की ओर माउंट करने से पहले हटा दिया जाता है विभिन्न प्रकार की आसंजक वाली बल के साथ विभिन्न वेफर/सब्सट्रेट आकारों और सामग्रियों के लिए डिज़ाइन किया गया।

  • यूवी टेप डाइसिंग टेप होते हैं जिनमें डाइसिंग के बाद यूवी प्रकाश के संपर्क में आने से आसंजक वाला बंधन टूट जाता है, जिससे काटने के समय आसंजक वाला शक्तिशाली हो जाता है जबकि साफ और आसानी से हटाने की अनुमति मिलती है।सेमीकंडक्टर टेप और सामग्री आसंजक वाला साफ और आसानी से हटाने की अनुमति देते हुए काटने के समय शक्तिशाली हो जाता है। अर्धचालक टेप और सामग्री। यूवी उपकरण कम शक्ति (कुछ मेगावाट/सेमी2) से लेकर उच्च शक्ति (200 मेगावाट/सेमी2 से अधिक) तक हो सकते हैं। उच्च शक्ति का परिणाम अधिक पूर्ण इलाज, कम आसंजन और कम आसंजक वाला अवशेष होता है, जबकि कम शक्ति सुरक्षित होती है।
  • थर्मल रिलीज टेप (सामान्यतः पीईटी सामग्री) विशिष्ट स्थितियों के लिए विकसित किए गए हैं जब टेप स्थापित होने के बाद नक़्क़ाशी या सामग्री मुद्रण की आवश्यकता होती है। यदि आवश्यक हो तो ये टेप सिरेमिक सबस्ट्रेट्स या प्रिंटेड सर्किट बोर्ड (पीसीबी/पीडब्लूबी) जैसे भारी सबस्ट्रेट्स को भी संभाल सकते हैं। गर्मी होने पर उनका आसंजन विलुप्त हो जाता है (सामान्यतः 90 से 170 डिग्री सेल्सियस (194 से 338 डिग्री फारेनहाइट)) प्रयुक्त की गई है।

संदर्भ


बाहरी संबंध