एमओएस कम्पोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर: Difference between revisions
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एमओएस कंपोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर (सीएसएमटी या एमसीएस) [[एसआई-थाइरिस्टर]] के [[कैस्कोड]] संबंध में जुड़े एमओएसएफईटी [[ट्रांजिस्टर]] का एक संयोजन है।<ref>{{cite web | title = एमओएस कम्पोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर| publisher = www.freepatentsonline.com | url = http://www.freepatentsonline.com/5323028.html | accessdate = 2009-02-21}}</ref> | एमओएस कंपोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर (सीएसएमटी या एमसीएस) [[एसआई-थाइरिस्टर]] के [[कैस्कोड]] संबंध में जुड़े एमओएसएफईटी [[ट्रांजिस्टर]] का एक संयोजन है।<ref>{{cite web | title = एमओएस कम्पोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर| publisher = www.freepatentsonline.com | url = http://www.freepatentsonline.com/5323028.html | accessdate = 2009-02-21}}</ref> | ||
एसआई थाइरिस्टर (एसआईटीएच) इकाई में एक गेट होता है जिससे एमओएस ट्रांजिस्टर का एक स्रोत वोल्टेज नियामक तत्व के माध्यम से जुड़ा होता है। जिससे की यह कम चालन हानि और प्रबल संरचना एमसीएस इसे रूपांतरण [[आईजीबीटी ट्रांजिस्टर]] की तुलना में अधिक अनुकूल बनाती है। | एसआई थाइरिस्टर (एसआईटीएच) इकाई में एक गेट होता है जिससे एमओएस ट्रांजिस्टर का एक स्रोत वोल्टेज नियामक तत्व के माध्यम से जुड़ा होता है। जिससे की यह कम चालन हानि और प्रबल संरचना एमसीएस इसे रूपांतरण [[आईजीबीटी ट्रांजिस्टर]] की तुलना में अधिक अनुकूल बनाती है। | ||
अवरुद्ध अवस्था में लगभग पूरा वोल्टेज SIth पर गिर जाता है। इस प्रकार मॉसफेट उच्च क्षेत्र तनाव के संपर्क में नहीं आता है। और तेजी से स्विच करने के लिए मॉसफेट केवल 30-50 V ब्लॉकिंग वोल्टेज के साथ सक्षम है। आईजीबीटी में एन-बेस परत में उत्सर्जक पक्ष पर चार्ज वाहक एकाग्रता कम है क्योंकि कलेक्टर से इंजेक्ट किए गए [[इलेक्ट्रॉन छिद्र]] सरलता से पी-बेस परत के माध्यम से उत्सर्जक इलेक्ट्रोड तक पहुंच जाते हैं। इस प्रकार वाइड-बेस [[ द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर |द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर]] अपने वर्तमान [[लाभ (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] विशेषताओं के आधार पर संचालित होता है, जिससे कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वर्तमान वोल्टेज में वृद्धि होती है। | अवरुद्ध अवस्था में लगभग पूरा वोल्टेज SIth पर गिर जाता है। इस प्रकार मॉसफेट उच्च क्षेत्र तनाव के संपर्क में नहीं आता है। और तेजी से स्विच करने के लिए मॉसफेट केवल 30-50 V ब्लॉकिंग वोल्टेज के साथ सक्षम है। आईजीबीटी में एन-बेस परत में उत्सर्जक पक्ष पर चार्ज वाहक एकाग्रता कम है क्योंकि कलेक्टर से इंजेक्ट किए गए [[इलेक्ट्रॉन छिद्र]] सरलता से पी-बेस परत के माध्यम से उत्सर्जक इलेक्ट्रोड तक पहुंच जाते हैं। इस प्रकार वाइड-बेस [[ द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर |द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर]] अपने वर्तमान [[लाभ (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] विशेषताओं के आधार पर संचालित होता है, जिससे कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वर्तमान वोल्टेज में वृद्धि होती है। | ||
एमसीएस में विनियमन तत्व के वोल्टेज और एमओएसएफईटी के संचालन वोल्टेज ड्रॉप के बीच सकारात्मक अंतर को पीएनपी ट्रांजिस्टर के कलेक्टर क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र के बीच स्थान पर प्रयुक्त किया जाता है। पीएनपी ट्रांजिस्टर के फॉरवर्ड बायस कलेक्टर-बेस जंक्शन के माध्यम से छेद प्रवाह की असंभवता के कारण एन-बेस परत में उत्सर्जक पक्ष पर छेद एकाग्रता जमा हो जाती है। एन-बेस में कैरियर वितरण संतृप्ति [[द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर]] के समान है और उच्च वोल्टेज रेटिंग पर भी एमसीएस की कम संतृप्ति वोल्टेज प्राप्त की जा सकती है। | एमसीएस में विनियमन तत्व के वोल्टेज और एमओएसएफईटी के संचालन वोल्टेज ड्रॉप के बीच सकारात्मक अंतर को पीएनपी ट्रांजिस्टर के कलेक्टर क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र के बीच स्थान पर प्रयुक्त किया जाता है। पीएनपी ट्रांजिस्टर के फॉरवर्ड बायस कलेक्टर-बेस जंक्शन के माध्यम से छेद प्रवाह की असंभवता के कारण एन-बेस परत में उत्सर्जक पक्ष पर छेद एकाग्रता जमा हो जाती है। एन-बेस में कैरियर वितरण संतृप्ति [[द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर]] के समान है और उच्च वोल्टेज रेटिंग पर भी एमसीएस की कम संतृप्ति वोल्टेज प्राप्त की जा सकती है। | ||
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Revision as of 11:20, 28 July 2023
एमओएस कंपोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर (सीएसएमटी या एमसीएस) एसआई-थाइरिस्टर के कैस्कोड संबंध में जुड़े एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर का एक संयोजन है।[1]
एसआई थाइरिस्टर (एसआईटीएच) इकाई में एक गेट होता है जिससे एमओएस ट्रांजिस्टर का एक स्रोत वोल्टेज नियामक तत्व के माध्यम से जुड़ा होता है। जिससे की यह कम चालन हानि और प्रबल संरचना एमसीएस इसे रूपांतरण आईजीबीटी ट्रांजिस्टर की तुलना में अधिक अनुकूल बनाती है।
अवरुद्ध अवस्था में लगभग पूरा वोल्टेज SIth पर गिर जाता है। इस प्रकार मॉसफेट उच्च क्षेत्र तनाव के संपर्क में नहीं आता है। और तेजी से स्विच करने के लिए मॉसफेट केवल 30-50 V ब्लॉकिंग वोल्टेज के साथ सक्षम है। आईजीबीटी में एन-बेस परत में उत्सर्जक पक्ष पर चार्ज वाहक एकाग्रता कम है क्योंकि कलेक्टर से इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन छिद्र सरलता से पी-बेस परत के माध्यम से उत्सर्जक इलेक्ट्रोड तक पहुंच जाते हैं। इस प्रकार वाइड-बेस द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर अपने वर्तमान लाभ (इलेक्ट्रॉनिक्स) विशेषताओं के आधार पर संचालित होता है, जिससे कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वर्तमान वोल्टेज में वृद्धि होती है।
एमसीएस में विनियमन तत्व के वोल्टेज और एमओएसएफईटी के संचालन वोल्टेज ड्रॉप के बीच सकारात्मक अंतर को पीएनपी ट्रांजिस्टर के कलेक्टर क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र के बीच स्थान पर प्रयुक्त किया जाता है। पीएनपी ट्रांजिस्टर के फॉरवर्ड बायस कलेक्टर-बेस जंक्शन के माध्यम से छेद प्रवाह की असंभवता के कारण एन-बेस परत में उत्सर्जक पक्ष पर छेद एकाग्रता जमा हो जाती है। एन-बेस में कैरियर वितरण संतृप्ति द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के समान है और उच्च वोल्टेज रेटिंग पर भी एमसीएस की कम संतृप्ति वोल्टेज प्राप्त की जा सकती है।
संदर्भ
- ↑ "एमओएस कम्पोजिट स्टैटिक इंडक्शन थाइरिस्टर". www.freepatentsonline.com. Retrieved 2009-02-21.
