एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड: Difference between revisions
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एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड का उपयोग GaAs आधारित हेटरोस्ट्रक्चर उपकरणों में बाधा सामग्री के रूप में किया जाता है। AlGaAs परत इलेक्ट्रॉनों को गैलियम आर्सेनाइड क्षेत्र तक सीमित रखती है। ऐसे उपकरण का | एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड का उपयोग GaAs आधारित हेटरोस्ट्रक्चर उपकरणों में बाधा सामग्री के रूप में किया जाता है। AlGaAs परत इलेक्ट्रॉनों को गैलियम आर्सेनाइड क्षेत्र तक सीमित रखती है। ऐसे उपकरण का उदाहरण क्वांटम वेल इंफ्रारेड फोटोडिटेक्टर ([[QWIP]]) है। | ||
इसका उपयोग आमतौर पर GaAs-आधारित [[लाल]] और निकट-[[ इन्फ़रा रेड ]]-उत्सर्जक (700-1100 एनएम) डबल-हेटेरो-स्ट्रक्चर [[ लेज़र डायोड ]] में किया जाता है। | इसका उपयोग आमतौर पर GaAs-आधारित [[लाल]] और निकट-[[ इन्फ़रा रेड ]]-उत्सर्जक (700-1100 एनएम) डबल-हेटेरो-स्ट्रक्चर [[ लेज़र डायोड ]] में किया जाता है। | ||
==सुरक्षा और विषाक्तता पहलू== | ==सुरक्षा और विषाक्तता पहलू== | ||
AlGaAs के विष विज्ञान की पूरी तरह से जांच नहीं की गई है। धूल त्वचा, आंखों और फेफड़ों के लिए हानिकारक है। एल्यूमीनियम गैलियम [[आर्सेन]]ाइड स्रोतों (जैसे [[ट्राइमेथिलगैलियम]] और आर्सिन) के पर्यावरण, स्वास्थ्य और सुरक्षा पहलुओं और मानक [[MOVPE]] स्रोतों के औद्योगिक स्वच्छता निगरानी अध्ययनों को हाल ही में | AlGaAs के विष विज्ञान की पूरी तरह से जांच नहीं की गई है। धूल त्वचा, आंखों और फेफड़ों के लिए हानिकारक है। एल्यूमीनियम गैलियम [[आर्सेन]]ाइड स्रोतों (जैसे [[ट्राइमेथिलगैलियम]] और आर्सिन) के पर्यावरण, स्वास्थ्य और सुरक्षा पहलुओं और मानक [[MOVPE]] स्रोतों के औद्योगिक स्वच्छता निगरानी अध्ययनों को हाल ही में समीक्षा में बताया गया है।<ref>{{ cite journal |author1=Shenai-Khatkhate, D. V. |author2=Goyette, R. J. |author3=DiCarlo, R. L. Jr. |author4=Dripps, G. | journal = Journal of Crystal Growth | year = 2004 | volume = 272 | issue = 1–4 | pages = 816–821 | doi = 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 | title = Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors }}</ref> | ||
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अल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड (गैलियम एल्युमीनियम आर्सेनाइड भी) (एल्युमीनियम)।xगैलियम1−xहरताल ) अर्धचालक पदार्थ है जिसमें गैलियम आर्सेनाइड के समान जाली स्थिरांक होता है, लेकिन बड़ा ऊर्जा अंतराल होता है। उपरोक्त सूत्र में x 0 और 1 के बीच की संख्या है - यह गैलियम आर्सेनाइड और एल्युमीनियम आर्सेनाइड के बीच मनमाना मिश्र धातु को इंगित करता है।
रासायनिक सूत्र AlGaAs को किसी विशेष अनुपात के बजाय उपरोक्त का संक्षिप्त रूप माना जाना चाहिए।
बैंडगैप 1.42 यह इलेक्ट्रॉनिक था (GaAs) और 2.16 eV (AlAs) के बीच भिन्न होता है। x <0.4 के लिए, प्रत्यक्ष बैंडगैप।
अपवर्तक सूचकांक क्रेमर्स-क्रोनिग संबंधों के माध्यम से बैंडगैप से संबंधित है और 2.9 (x = 1) और 3.5 (x = 0) के बीच भिन्न होता है। यह वीसीएसईएल, आरसीएलईडी और सब्सट्रेट-स्थानांतरित क्रिस्टलीय कोटिंग्स में उपयोग किए जाने वाले ब्रैग दर्पणों के निर्माण की अनुमति देता है।
एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड का उपयोग GaAs आधारित हेटरोस्ट्रक्चर उपकरणों में बाधा सामग्री के रूप में किया जाता है। AlGaAs परत इलेक्ट्रॉनों को गैलियम आर्सेनाइड क्षेत्र तक सीमित रखती है। ऐसे उपकरण का उदाहरण क्वांटम वेल इंफ्रारेड फोटोडिटेक्टर (QWIP) है।
इसका उपयोग आमतौर पर GaAs-आधारित लाल और निकट-इन्फ़रा रेड -उत्सर्जक (700-1100 एनएम) डबल-हेटेरो-स्ट्रक्चर लेज़र डायोड में किया जाता है।
सुरक्षा और विषाक्तता पहलू
AlGaAs के विष विज्ञान की पूरी तरह से जांच नहीं की गई है। धूल त्वचा, आंखों और फेफड़ों के लिए हानिकारक है। एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड स्रोतों (जैसे ट्राइमेथिलगैलियम और आर्सिन) के पर्यावरण, स्वास्थ्य और सुरक्षा पहलुओं और मानक MOVPE स्रोतों के औद्योगिक स्वच्छता निगरानी अध्ययनों को हाल ही में समीक्षा में बताया गया है।[1]
संदर्भ
- ↑ Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
बाहरी संबंध
- "AlxGa1−xAs". Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
