सीरियल उपस्थिति अनुसंधान: Difference between revisions
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{{Short description|Standardized way to automatically access information about a memory module}} | {{Short description|Standardized way to automatically access information about a memory module}} | ||
[[ कम्प्यूटिंग |कम्प्यूटिंग]] में, '''सीरियल उपस्थिति का | [[ कम्प्यूटिंग |कम्प्यूटिंग]] में, '''सीरियल उपस्थिति का एड्रेस लगाना''' (एसपीडी) एक [[मेमोरी मॉड्यूल]] के बारे में जानकारी को स्वचालित रूप से एक्सेस करने का एक मानकीकृत विधि है। पहले 72-पिन [[SIMM|एसआईएमएम]] में पाँच पिन सम्मिलित थे जो 'समानांतर उपस्थिति का एड्रेस लगाना' (पीपीडी) डेटा के पाँच बिट प्रदान करते थे, लेकिन 168-पिन [[DIMM|डीआईएमएम]] मानक अधिक जानकारी को एनकोड करने के लिए सीरियल उपस्थिति पहचान में बदल गया।<ref>{{Citation |url=http://findarticles.com/p/articles/mi_m0EKF/is_n2153_v43/ai_19102210/ |title=Serial Presence Detection poised for limelight |author1=Thomas P. Koenig |author2=Nathan John |journal=Electronic News |date=1997-02-03 |volume=43 |issue=2153}}</ref> | ||
जब साधारण आधुनिक कंप्यूटर को | जब साधारण आधुनिक कंप्यूटर को प्रारंभ किया जाता है, तो यह [[पावर ऑन सेल्फ टेस्ट]] (पीओएसटी) करके प्रारंभ होता है। 1990 के दशक के मध्य से, इस प्रक्रिया में वर्तमान में उपस्थित हार्डवेयर को स्वचालित रूप से विन्यास करना सम्मिलित है। एसपीडी एक मेमोरी हार्डवेयर फीचर है जो कंप्यूटर के लिए यह जानना संभव बनाता है कि कौन सी मेमोरी उपस्थित है, और मेमोरी तक पहुंचने के लिए किस [[स्मृति समय|मेमोरी समय]] का उपयोग करना है। | ||
कुछ कंप्यूटर पूरी तरह से स्वचालित रूप से हार्डवेयर परिवर्तनों के अनुकूल हो जाते हैं। | कुछ कंप्यूटर पूरी तरह से स्वचालित रूप से हार्डवेयर परिवर्तनों के अनुकूल हो जाते हैं। अधिकांश स्थितियों में, सेटिंग्स में परिवर्तन देखने और संभावित रूप से करने के लिए, [[BIOS|बीआईओएस]] मापदंडों तक पहुंचने के लिए विशेष वैकल्पिक प्रक्रिया है। यह नियंत्रित करना संभव हो सकता है कि कंप्यूटर मेमोरी एसपीडी डेटा का उपयोग कैसे करता है - सेटिंग्स चुनने के लिए, मेमोरी समय को श्रेष्ठ रूप से संशोधित करने के लिए, या संभवतः एसपीडी डेटा को पूरी तरह से ओवरराइड करने के लिएयह नियंत्रित करना संभव हो सकता है कि कंप्यूटर कैसे मेमोरी एसपीडी डेटा का उपयोग सेटिंग्स को चुनने के लिए करता है, मेमोरी टाइमिंग को श्रेष्ठ रूप से संशोधित करता है या संभवतः एसपीडी डेटा को पूरी तरह से ओवरराइड ([[ overclocking | ओवरक्लॉकिंग]] देखें) करता है। | ||
== संग्रहीत जानकारी == | == संग्रहीत जानकारी == | ||
एसपीडी का समर्थन करने के लिए मेमोरी मॉड्यूल के लिए, जेईडीईसी मानकों | एसपीडी का समर्थन करने के लिए मेमोरी मॉड्यूल के लिए, जेईडीईसी मानकों को मेमोरी मॉड्यूल पर स्थित ईईपीरोम के निचले 128 बाइट्स में कुछ पैरामीटर की आवश्यकता होती है। इन बाइट्स में मॉड्यूल के बारे में समय पैरामीटर, निर्माता, सीरियल संख्या और अन्य उपयोगी जानकारी होती है। मेमोरी का उपयोग करने वाले उपकरण इस जानकारी को पढ़कर स्वचालित रूप से मॉड्यूल के प्रमुख पैरामीटर निर्धारित करते हैं। उदाहरण के लिए, [[एसडीआरएएम]] मॉड्यूल पर एसपीडी डेटा सीएएस विलंबता के बारे में जानकारी प्रदान कर सकता है जिससे प्रणाली उपयोगकर्ता के हस्तक्षेप के बिना इसे सही विधि से सेट कर सके। | ||
एसपीडी [[EEPROM|ईईपीरोम]] फर्मवेयर को [[SMBus|एसएमबस]], I²C प्रोटोकॉल के एक प्रकार का उपयोग करके एक्सेस किया जाता है। यह मॉड्यूल पर संचार पिन की संख्या को केवल दो घड़ी सिग्नल और डेटा सिग्नल तक कम कर देता है। ईईपीरोम रैम के साथ ग्राउंड पिन साझा करता है, इसका अपना पावर पिन होता है, और स्लॉट की पहचान करने के लिए तीन अतिरिक्त पिन (SA0–2) होते हैं, जिनका उपयोग ईईपीरोम को 0x50–0x57 की सीमा में अद्वितीय एड्रेस देने के लिए किया जाता है। न केवल संचार लाइनों को 8 मेमोरी मॉड्यूल के बीच साझा किया जा सकता है, वही एसएमबस सामान्यतः मदरबोर्ड पर प्रणाली स्वास्थ्य निगरानी कार्यों जैसे बिजली आपूर्ति वोल्टेज, [[सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट]] तापमान और पंखे की गति पढ़ने के लिए उपयोग किया जाता है। | |||
एसपीडी ईईपीरोम भी I²C एड्रेस का जवाब देते हैं 0x30–0x37 अगर उन्हें सुरक्षित नहीं लिखा गया है, और एक्सटेंशन (टीएसई श्रृंखला) एक वैकल्पिक ऑन-चिप तापमान सेंसर तक पहुंचने के लिए एड्रेस 0x18–0x1F का उपयोग करता है। वे सभी मान SA0-2 के साथ डिवाइस प्रकार पहचानकर्ता कोड उपसर्ग (DTIC) द्वारा गठित सात-बिट I²C एड्रेस हैं: स्लॉट 3 से (1100) पढ़ने के लिए, एक <code>'''110 0'''011 = 0x33</code> का उपयोग करता है। अंतिम R/W बिट के साथ यह 8-बिट उपकरण सेलेक्ट कोड बनाता है।<ref>[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/4_01_04R21.pdf JEDEC Standard 21-C section 4.1.4] "Definition of the TSE2002av Serial Presence Detect (SPD) EEPROM with Temperature Sensor (TS) for Memory Module Applications"</ref> ध्यान दें कि स्लॉट-आईडी का सिमेंटिक्स राइट-प्रोटेक्शन ऑपरेशंस के लिए अलग है: उनके लिए उन्हें SA पिन द्वारा बिल्कुल भी पास नहीं किया जा सकता है।<ref>{{cite web |title=TN-04-42: Memory Module Serial Presence-Detect Write Protection |url=https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram-modules/tn_04_42.pdf |website=Micron}}</ref> | |||
एसपीडी से पहले, मेमोरी चिप्स को समानांतर उपस्थिति का एड्रेस लगाने (पीपीडी) के साथ देखा गया था। पीपीडी ने सूचना के प्रत्येक बिट के लिए एक अलग पिन का उपयोग किया, जिसका अर्थ था कि पिन के लिए सीमित स्थान के कारण केवल मेमोरी मॉड्यूल की गति और घनत्व को संग्रहीत किया जा सकता है। | एसपीडी से पहले, मेमोरी चिप्स को समानांतर उपस्थिति का एड्रेस लगाने (पीपीडी) के साथ देखा गया था। पीपीडी ने सूचना के प्रत्येक बिट के लिए एक अलग पिन का उपयोग किया, जिसका अर्थ था कि पिन के लिए सीमित स्थान के कारण केवल मेमोरी मॉड्यूल की गति और घनत्व को संग्रहीत किया जा सकता है। | ||
=== | === एसडीआर एसडीआरएएम === | ||
[[File:SPD SDRAM.jpg|thumb|एसडीआरएएम मॉड्यूल पर मेमोरी उपकरण, जिसमें एसपीडी डेटा होता है (लाल घेरा)]]पहला | [[File:SPD SDRAM.jpg|thumb|एसडीआरएएम मॉड्यूल पर मेमोरी उपकरण, जिसमें एसपीडी डेटा होता है (लाल घेरा)]]पहला एसपीडी विनिर्देश जेईडीईसी द्वारा जारी किया गया था और इंटेल द्वारा इसके [[PC100|पीसी100]] मेमोरी विनिर्देशन के भाग के रूप में कड़ा किया गया था।<ref>[http://www.memorytesters.com/ramcheck/rc_ap3.htm Application note INN-8668-APN3: SDRAM SPD Data Standards], memorytesters.com</ref> निर्दिष्ट अधिकांश मान [[बाइनरी-कोडित दशमलव]] रूप में हैं। सबसे महत्वपूर्ण [[ कुतरना | निबल]] में 10 से 15 तक मान हो सकते हैं, और कुछ स्थितियों में यह अधिक होता है। ऐसे स्थितियों में, 1, 2 और 3 के लिए एनकोडिंग का उपयोग इसके अतिरिक्त 16, 17 और 18 को एनकोड करने के लिए किया जाता है। 0 का सबसे महत्वपूर्ण निबल अपरिभाषित का प्रतिनिधित्व करने के लिए आरक्षित है। | ||
एसपीडी रोम बाइट 18 में सेट बिट्स द्वारा निर्दिष्ट तीन सीएएस विलंबता के लिए तीन डीरैम समय तक परिभाषित करता है। सबसे पहले उच्चतम सीएएस विलंबता (सबसे तेज़ घड़ी) आती है, फिर उत्तरोत्तर कम गति वाली दो निम्न सीएएस विलंबताएँ आती हैं। | |||
{|class=wikitable | {|class=wikitable | ||
|+ एसडीआर एसडीआरएएम के लिए एसपीडी विषय सूची<ref name=spd_pc100>{{Citation |url=http://www.taricorp.net/wp-content/uploads/2012/04/SPDSDRAM1.2a1.pdf |title=PC SDRAM Serial Presence Detect (SPD) Specification |date=December 1997 |version=1.2A |page=28}}</ref> | |+ एसडीआर एसडीआरएएम के लिए एसपीडी विषय सूची<ref name=spd_pc100>{{Citation |url=http://www.taricorp.net/wp-content/uploads/2012/04/SPDSDRAM1.2a1.pdf |title=PC SDRAM Serial Presence Detect (SPD) Specification |date=December 1997 |version=1.2A |page=28}}</ref> | ||
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! 7 !! 6 !! 5 !! 4 !! 3 !! 2 !! 1 !! 0 | ! 7 !! 6 !! 5 !! 4 !! 3 !! 2 !! 1 !! 0 | ||
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| 0 || 0x00 ||colspan=8| बाइट्स की संख्या | | 0 || 0x00 ||colspan=8| बाइट्स की संख्या उपस्थित है || सामान्यतः 128 | ||
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| 1 || 0x01 ||colspan=8| log<sub>2</sub>(एसपीडी ईईपीरोम का आकार) || सामान्यतः 8 (256 बाइट्स) | | 1 || 0x01 ||colspan=8| log<sub>2</sub>(एसपीडी ईईपीरोम का आकार) || सामान्यतः 8 (256 बाइट्स) | ||
| Line 130: | Line 131: | ||
=== डीडीआर एसडीआरएएम === | === डीडीआर एसडीआरएएम === | ||
डीडीआर डीआईएमएम एसपीडी प्रारूप एसडीआर एसडीआरएएम प्रारूप का विस्तार है। | डीडीआर डीआईएमएम एसपीडी प्रारूप एसडीआर एसडीआरएएम प्रारूप का विस्तार है। अधिकांश, उच्च गति को समायोजित करने के लिए पैरामीटर रेंज को फिर से बढ़ाया जाता है। | ||
{|class=wikitable | {|class=wikitable | ||
|+ डीडीआर एसडीआरएएम के लिए एसपीडी विषय सूची<ref name=spd_ddr/> | |+ डीडीआर एसडीआरएएम के लिए एसपीडी विषय सूची<ref name=spd_ddr/> | ||
| Line 216: | Line 217: | ||
| सुपरसेट की जानकारी | | सुपरसेट की जानकारी | ||
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| 41 || 0x29 ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/ | | 41 || 0x29 ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करने का समय (t<sub>RC</sub>) | ||
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| 42 || 0x2a ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || सक्रिय/ | | 42 || 0x2a ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || सक्रिय/रिफ्रेश करने के समय के लिए न्यूनतम रिफ्रेश करें (t<sub>RFC</sub>) | ||
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| 43 || 0x2b ||colspan=6| नैनोसेकंड (1–63, or 255: अधिकतम नहीं) || colspan="2" | 0.25 एनएस (0–0.75) || अधिकतम घड़ी चक्र समय (t<sub>CK</sub> max.) | | 43 || 0x2b ||colspan=6| नैनोसेकंड (1–63, or 255: अधिकतम नहीं) || colspan="2" | 0.25 एनएस (0–0.75) || अधिकतम घड़ी चक्र समय (t<sub>CK</sub> max.) | ||
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=== डीडीआर2 एसडीआरएएम === | === डीडीआर2 एसडीआरएएम === | ||
डीडीआर2 एसपीडी मानक में कई बदलाव किए गए हैं, लेकिन सामान्यतः उपरोक्त के समान है। एक उल्लेखनीय विलोपन डीआईएमएम के लिए विभिन्न आकारों के दो रैंकों के साथ भ्रामक और अल्प-प्रयुक्त समर्थन है। | |||
चक्र समय क्षेत्रों (बाइट्स 9, 23, 25 और 49) के लिए, जो बाइनरी-कोडेड दशमलव में एन्कोड किए गए हैं, कुछ अतिरिक्त एन्कोडिंग को दसवें अंक के लिए कुछ सामान्य समय का प्रतिनिधित्व करने के लिए परिभाषित किया गया है: | चक्र समय क्षेत्रों (बाइट्स 9, 23, 25 और 49) के लिए, जो बाइनरी-कोडेड दशमलव में एन्कोड किए गए हैं, कुछ अतिरिक्त एन्कोडिंग को दसवें अंक के लिए कुछ सामान्य समय का प्रतिनिधित्व करने के लिए परिभाषित किया गया है: | ||
| Line 366: | Line 367: | ||
| 38 || 0x26 ||colspan=6| नैनोसेकंड (1–63) || colspan="2" | 0.25 एनएस (0–0.75) || प्रीचार्ज कमांड विलंब के लिए आंतरिक रीड (t<sub>RTP</sub>) | | 38 || 0x26 ||colspan=6| नैनोसेकंड (1–63) || colspan="2" | 0.25 एनएस (0–0.75) || प्रीचार्ज कमांड विलंब के लिए आंतरिक रीड (t<sub>RTP</sub>) | ||
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| 39 || 0x27 ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || " | | 39 || 0x27 ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || "मेमोरी विश्लेषण जांच विशेषताओं" के लिए आरक्षित | ||
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| 40 || 0x28 || — ||colspan=3| t<sub>RC</sub> आंशिक एनएस (0–5):<br />0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75 || colspan="3" | t<sub>RFC</sub> fractional एनएस (0–5):<br />0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75 || t<sub>RFC</sub> + 256 एनएस || बाइट्स 41 और 42 का विस्तार। | | 40 || 0x28 || — ||colspan=3| t<sub>RC</sub> आंशिक एनएस (0–5):<br />0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75 || colspan="3" | t<sub>RFC</sub> fractional एनएस (0–5):<br />0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75 || t<sub>RFC</sub> + 256 एनएस || बाइट्स 41 और 42 का विस्तार। | ||
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| 41 || 0x29 ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/ | | 41 || 0x29 ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करने का समय (t<sub>RC</sub>) | ||
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| 42 || 0x2a ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || सक्रिय/ | | 42 || 0x2a ||colspan=8| नैनोसेकंड (1–255) || सक्रिय/रिफ्रेश करने के समय के लिए न्यूनतम रिफ्रेश करें (t<sub>RFC</sub>) | ||
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| 43 || 0x2b ||colspan=4| नैनोसेकंड (0–15) || colspan="4" | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) || अधिकतम घड़ी चक्र समय (t<sub>CK</sub> max) | | 43 || 0x2b ||colspan=4| नैनोसेकंड (0–15) || colspan="4" | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) || अधिकतम घड़ी चक्र समय (t<sub>CK</sub> max) | ||
| Line 384: | Line 385: | ||
| 47–61 || 0x2f–0x3d ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || भविष्य के मानकीकरण के लिए. | | 47–61 || 0x2f–0x3d ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || भविष्य के मानकीकरण के लिए. | ||
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| 62 || 0x3e ||colspan=4| प्रमुख संशोधन (0–9) || colspan="4" | | | 62 || 0x3e ||colspan=4| प्रमुख संशोधन (0–9) || colspan="4" | साधारण संशोधन (0.0–0.9) || एसपीडी संशोधन स्तर, आमतौर पर 1.0 | ||
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| 63 || 0x3f ||colspan=8| जाँच योग || बाइट्स का योग 0–62, अस्वीकृत नहीं | | 63 || 0x3f ||colspan=8| जाँच योग || बाइट्स का योग 0–62, अस्वीकृत नहीं | ||
| Line 407: | Line 408: | ||
=== डीडीआर3 एसडीआरएएम === | === डीडीआर3 एसडीआरएएम === | ||
डीडीआर3 एसडीरैम मानक महत्वपूर्ण रूप से एसपीडी विषय सूची लेआउट को ओवरहाल और सरल करता है। कई बीसीडी-एन्कोडेड नैनोसेकंद फ़ील्ड के अतिरिक्त, कुछ समयबेस इकाइयां उच्च परिशुद्धता के लिए निर्दिष्ट हैं, और विभिन्न समय पैरामीटर उस आधार इकाई के गुणकों के रूप में एन्कोड किए गए हैं।<ref>{{Cite web|url=http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?num=153|title=Understanding DDR3 Serial Presence Detect (SPD) Table}}</ref> इसके अतिरिक्त, सीएएस विलंबता के आधार पर अलग-अलग समय मानों को निर्दिष्ट करने की प्रथा को हटा दिया गया है; अब समय पैरामीटर्स का सिर्फ एक सेट है। | |||
संशोधन 1.1 कुछ मापदंडों को एक मध्यम समय आधार मूल्य और a (हस्ताक्षरित, -128 +127) ठीक समय आधार सुधार के रूप में व्यक्त करने देता है। सामान्यतः, मध्यम समय का आधार 1/8 एनएस (125 पीएस) होता है, और ठीक समय का आधार 1, 2.5 या 5 पीएस होता है। सुधार की कमी वाले पिछले संस्करणों के साथ संगतता के लिए, मध्यम समय आधार संख्या सामान्यतः गोल होती है और सुधार ऋणात्मक होता है। इस तरह काम करने वाले मान हैं: | संशोधन 1.1 कुछ मापदंडों को एक मध्यम समय आधार मूल्य और a (हस्ताक्षरित, -128 +127) ठीक समय आधार सुधार के रूप में व्यक्त करने देता है। सामान्यतः, मध्यम समय का आधार 1/8 एनएस (125 पीएस) होता है, और ठीक समय का आधार 1, 2.5 या 5 पीएस होता है। सुधार की कमी वाले पिछले संस्करणों के साथ संगतता के लिए, मध्यम समय आधार संख्या सामान्यतः गोल होती है और सुधार ऋणात्मक होता है। इस तरह काम करने वाले मान हैं: | ||
| Line 436: | Line 437: | ||
| 0 || 0x00 || सीआरसी से सीरियल को बाहर करें || colspan="3" | एसपीडी बाइट कुल (अपरिभाषित/256) || colspan="4" | प्रयुक्त एसपीडी बाइट (अपरिभाषित/128/176/256) || | | 0 || 0x00 || सीआरसी से सीरियल को बाहर करें || colspan="3" | एसपीडी बाइट कुल (अपरिभाषित/256) || colspan="4" | प्रयुक्त एसपीडी बाइट (अपरिभाषित/128/176/256) || | ||
|- | |- | ||
| 1 || 0x01 ||colspan=4| एसपीडी प्रमुख संशोधन || colspan="4" | एसपीडी | | 1 || 0x01 ||colspan=4| एसपीडी प्रमुख संशोधन || colspan="4" | एसपीडी साधारण संशोधन ||1.0, 1.1, 1.2 or 1.3 | ||
|- | |- | ||
| 2 || 0x02 ||colspan=8| बेसिक मेमोरी टाइप (11 = डीडीआर3 एसडीआरएएम) || रैम चिप्स का प्रकार | | 2 || 0x02 ||colspan=8| बेसिक मेमोरी टाइप (11 = डीडीआर3 एसडीआरएएम) || रैम चिप्स का प्रकार | ||
| Line 442: | Line 443: | ||
| 3 || 0x03 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=4| मॉड्यूल प्रकार || मॉड्यूल का प्रकार; उदाहरण के लिए, 2 = अनबफर्ड डीआईएमएम, 3 = एसओ-डीआईएमएम, 11 = एलआरडीआईएमएम | | 3 || 0x03 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=4| मॉड्यूल प्रकार || मॉड्यूल का प्रकार; उदाहरण के लिए, 2 = अनबफर्ड डीआईएमएम, 3 = एसओ-डीआईएमएम, 11 = एलआरडीआईएमएम | ||
|- | |- | ||
| 4 || 0x04 || {{n/a}} ||colspan=3| बैंक | | 4 || 0x04 || {{n/a}} ||colspan=3| बैंक एड्रेस बिट्स -3 || colspan="4" | log<sub>2</sub>(बिट्स प्रति चिप)−28 || शून्य का अर्थ है 8 बैंक, 256 मिबिट। | ||
|- | |- | ||
| 5 || 0x05 ||colspan=2 {{n/a}} ||colspan=3| पंक्ति | | 5 || 0x05 ||colspan=2 {{n/a}} ||colspan=3| पंक्ति एड्रेस बिट्स -12 || colspan="3" | कॉलम एड्रेस बिट्स-9 || | ||
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| 6 || 0x06 ||colspan=5 {{n/a|Reserved}} || 1.25 वी || 1.35 वी || 1.5 वी नहीं || मॉड्यूल वोल्टेज समर्थित। 1.5 वी डिफ़ॉल्ट है। | | 6 || 0x06 ||colspan=5 {{n/a|Reserved}} || 1.25 वी || 1.35 वी || 1.5 वी नहीं || मॉड्यूल वोल्टेज समर्थित। 1.5 वी डिफ़ॉल्ट है। | ||
| Line 482: | Line 483: | ||
| 23 || 0x17 ||colspan=8| न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करें, t<sub>RC</sub>min, बिट्स 7:0 || एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 396/8 एनएस. | | 23 || 0x17 ||colspan=8| न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करें, t<sub>RC</sub>min, बिट्स 7:0 || एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 396/8 एनएस. | ||
|- | |- | ||
| 24 || 0x18 ||colspan=8| न्यूनतम | | 24 || 0x18 ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब, t<sub>RFC</sub>min, बिट्स 7:0 || rowspan="2" | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 1280/8 एनएस. | ||
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| 25 || 0x19 ||colspan=8| न्यूनतम | | 25 || 0x19 ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब, t<sub>RFC</sub>min, बिट्स 15:8 | ||
|- | |- | ||
| 26 || 0x1a ||colspan=8| देरी पढ़ने के लिए न्यूनतम आंतरिक लेखन, t<sub>WTR</sub>min || एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | | 26 || 0x1a ||colspan=8| देरी पढ़ने के लिए न्यूनतम आंतरिक लेखन, t<sub>WTR</sub>min || एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | ||
| Line 498: | Line 499: | ||
| 31 || 0x1f || पीएएसआर ||colspan=3 {{n/a}} || ओडीटीएस || एएसआर || ईटीआर 1× || ईटीआर (95 °C) || एसडीआरएएम थर्मल और रिफ्रेश विकल्प | | 31 || 0x1f || पीएएसआर ||colspan=3 {{n/a}} || ओडीटीएस || एएसआर || ईटीआर 1× || ईटीआर (95 °C) || एसडीआरएएम थर्मल और रिफ्रेश विकल्प | ||
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| 32 || 0x20 || वर्तमान || colspan="7" | शुद्धता (टीबीडी; वर्तमान में 0 = अपरिभाषित) || डीआईएमएम थर्मल सेंसर | | 32 || 0x20 || वर्तमान || colspan="7" | शुद्धता (टीबीडी; वर्तमान में 0 = अपरिभाषित) || डीआईएमएम थर्मल सेंसर उपस्थित है? | ||
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| 33 || 0x21 || गैर मानक। || colspan="3" | डाई काउंट ||colspan=2 {{n/a}} ||colspan=2| सिग्नल लोड || गैर-मानक एसडीआरएएम उपकरण प्रकार (उदा., स्टैक्ड डाई) | | 33 || 0x21 || गैर मानक। || colspan="3" | डाई काउंट ||colspan=2 {{n/a}} ||colspan=2| सिग्नल लोड || गैर-मानक एसडीआरएएम उपकरण प्रकार (उदा., स्टैक्ड डाई) | ||
| Line 553: | Line 554: | ||
=== डीडीआर4 एसडीआरएएम === | === डीडीआर4 एसडीआरएएम === | ||
एसपीडी के लिए डीडीआर4 एसडीआरएएम एनेक्स एल मानक उपयोग किए गए ईईपीरोम मॉड्यूल को बदलता है। पुराने AT24C02-संगत 256-बाइट | एसपीडी के लिए डीडीआर4 एसडीआरएएम एनेक्स एल मानक उपयोग किए गए ईईपीरोम मॉड्यूल को बदलता है। पुराने AT24C02-संगत 256-बाइट ईईपीरोम के अतिरिक्त, जेईडीईसी अब नए गैर-मानक EE1004 प्रकार को एसएमबस स्तर पर दो पृष्ठों के साथ प्रत्येक 256 बाइट्स के साथ परिभाषित करता है। नई मेमोरी अभी भी पुराने 0x50–0x57 एड्रेस का उपयोग करती है, लेकिन 0x36 (SPA0) और 0x37 (SPA1) पर दो अतिरिक्त एड्रेस अब बस के लिए वर्तमान-सक्रिय पृष्ठ का चयन करने के लिए कमांड प्राप्त करने के लिए उपयोग किए जाते हैं, जो [[बैंक स्विचिंग]] का रूप है।<ref>{{cite web |last1=Delvare |first1=Jean |title=[PATCH] eeprom: New ee1004 driver for DDR4 memory |url=https://lkml.org/lkml/2017/11/20/131 |website=LKML |accessdate=7 November 2019}}</ref> आंतरिक रूप से प्रत्येक तार्किक पृष्ठ को 128 बाइट्स के दो भौतिक ब्लॉकों में विभाजित किया जाता है, जिनमें से प्रत्येक कुल चार ब्लॉक और 512 बाइट्स होते हैं।<ref name=annex_l>{{cite web |author1=JEDEC |title=अनुलग्नक L: DDR4 SDRAM मॉड्यूल के लिए सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD)।|url=http://www.softnology.biz/pdf/4_01_02_AnnexL-R25_SPD_for_DDR4_SDRAM_Release_3_Sep2015.pdf}</ref> विशेष एड्रेस श्रेणियों के लिए अन्य सिमेंटिक्स समान रहते हैं, चूंकि लेखन सुरक्षा को अब ब्लॉकों द्वारा संबोधित किया जाता है और SA0 पर उच्च वोल्टेज को अब इसकी स्थिति बदलने की आवश्यकता है।<ref>TSE2004 >{{cite web |author1=JEDEC |title=EE1004 और TSE2004 डिवाइस विशिष्टता (ड्राफ्ट)|url=http://www.softnology.biz/pdf/ee1004_tse2004.pdf |accessdate=7 November 2019}}</ref> | ||
अनुलग्नक एल मेमोरी मॉड्यूल के प्रकार के आधार पर कुछ अलग-अलग लेआउट को परिभाषित करता है जिन्हें 512-बाइट (जिनमें से अधिकतम 320 बाइट्स परिभाषित हैं) टेम्पलेट में प्लग किया जा सकता है। बिट परिभाषाएँ | अनुलग्नक एल मेमोरी मॉड्यूल के प्रकार के आधार पर कुछ अलग-अलग लेआउट को परिभाषित करता है जिन्हें 512-बाइट (जिनमें से अधिकतम 320 बाइट्स परिभाषित हैं) टेम्पलेट में प्लग किया जा सकता है। बिट परिभाषाएँ डीडीआर3 के समान हैं।<ref name=annex_l/> | ||
{|class=wikitable | {|class=wikitable | ||
| Line 566: | Line 567: | ||
! डेक !! हेक्स !! 7 !! 6 !! 5 !! 4 !! 3 !! 2 !! 1 !! 0 | ! डेक !! हेक्स !! 7 !! 6 !! 5 !! 4 !! 3 !! 2 !! 1 !! 0 | ||
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| 0 || 0x00 ||colspan=8| एसपीडी बाइट्स का | | 0 || 0x00 ||colspan=8| एसपीडी बाइट्स का उपयोग किया | ||
|- | |- | ||
| 1 || 0x01 ||colspan=8| एसपीडी संशोधन एन || सामान्यतः 0x10, 0x11, 0x12 | | 1 || 0x01 ||colspan=8| एसपीडी संशोधन एन || सामान्यतः 0x10, 0x11, 0x12 | ||
| Line 574: | Line 575: | ||
| 3 || 0x03 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=4| मॉड्यूल प्रकार || मॉड्यूल का प्रकार; उदाहरण के लिए, 2 = अनबफर्ड डीआईएमएम, 3 = एसओ-डीआईएमएम, 11 = एलआरडीआईएमएम | | 3 || 0x03 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=4| मॉड्यूल प्रकार || मॉड्यूल का प्रकार; उदाहरण के लिए, 2 = अनबफर्ड डीआईएमएम, 3 = एसओ-डीआईएमएम, 11 = एलआरडीआईएमएम | ||
|- | |- | ||
| 4 || 0x04 ||colspan=2| बैंक समूह बिट्स || colspan="2" | बैंक | | 4 || 0x04 ||colspan=2| बैंक समूह बिट्स || colspan="2" | बैंक एड्रेस बिट्स-2 || colspan="4" | जीबी में कुल एसडीआरएएम क्षमता प्रति डाई || शून्य का अर्थ है कोई बैंक समूह नहीं, 4 बैंक, 256 मिबिट. | ||
|- | |- | ||
| 5 || 0x05 ||colspan=2 {{n/a|Reserved}} ||colspan=3| पंक्ति | | 5 || 0x05 ||colspan=2 {{n/a|Reserved}} ||colspan=3| पंक्ति एड्रेस बिट्स -12 || colspan="3" | कॉलम एड्रेस बिट्स-9 || | ||
|- | |- | ||
| 6 || 0x06 || प्राथमिक एसडीआरएएम पैकेज प्रकार || colspan="3" | डाई काउंट ||colspan=2 {{n/a|Reserved}} ||colspan=2| सिग्नल लोड हो रहा है | | 6 || 0x06 || प्राथमिक एसडीआरएएम पैकेज प्रकार || colspan="3" | डाई काउंट ||colspan=2 {{n/a|Reserved}} ||colspan=2| सिग्नल लोड हो रहा है | ||
| Line 600: | Line 601: | ||
| 16 || 0x10 ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} | | 16 || 0x10 ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} | ||
|- | |- | ||
| 17 || 0x11 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=2| मीडियम | | 17 || 0x11 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=2| मीडियम समय आधार (एमटीबी)|| colspan="2" | फाइन समय आधार (एफटीबी) || पीएस में मापा गया। | ||
|- | |- | ||
| 18 || 0x12 ||colspan=8| न्यूनतम एसडीआरएएम चक्र समय, t<sub>CKAVG</sub>min || एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 100/8 एनएस. | | 18 || 0x12 ||colspan=8| न्यूनतम एसडीआरएएम चक्र समय, t<sub>CKAVG</sub>min || एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 100/8 एनएस. | ||
| Line 624: | Line 625: | ||
| 28 || 0x1c ||colspan=8| देरी के समय को प्रीचार्ज करने के लिए न्यूनतम सक्रिय, t<sub>RAS</sub>min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | | 28 || 0x1c ||colspan=8| देरी के समय को प्रीचार्ज करने के लिए न्यूनतम सक्रिय, t<sub>RAS</sub>min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 29 || 0x1d ||colspan=8| न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/ | | 29 || 0x1d ||colspan=8| न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश विलंब समय, t<sub>RC</sub>min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 30 || 0x1e ||colspan=8| न्यूनतम | | 30 || 0x1e ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, t<sub>RFC1</sub>min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 31 || 0x1f ||colspan=8| न्यूनतम | | 31 || 0x1f ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, t<sub>RFC1</sub>min सबसे महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 32 || 0x20 ||colspan=8| न्यूनतम | | 32 || 0x20 ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, t<sub>RFC2</sub>min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 33 || 0x21 ||colspan=8| न्यूनतम | | 33 || 0x21 ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, t<sub>RFC2</sub>min सबसे महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
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| 34 || 0x22 ||colspan=8| न्यूनतम | | 34 || 0x22 ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, t<sub>RFC4</sub>min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 35 || 0x23 ||colspan=8| न्यूनतम | | 35 || 0x23 ||colspan=8| न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, t<sub>RFC4</sub>min सबसे महत्वपूर्ण बाइट || एमटीबी के गुणकों में | ||
|- | |- | ||
| 36 || 0x24 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=4| t<sub>FAW</sub>min सबसे महत्वपूर्ण निब्ब्ल | | 36 || 0x24 ||colspan=4 {{n/a|Reserved}} ||colspan=4| t<sub>FAW</sub>min सबसे महत्वपूर्ण निब्ब्ल | ||
| Line 664: | Line 665: | ||
| 78–116 || 0x4e–0x74 ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || आधार विन्यास खंड | | 78–116 || 0x4e–0x74 ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || आधार विन्यास खंड | ||
|- | |- | ||
| 117 || 0x75 ||colspan=8| न्यूनतम सीएएस से सीएएस विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>CCD_L</sub>min, | | 117 || 0x75 ||colspan=8| न्यूनतम सीएएस से सीएएस विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>CCD_L</sub>min, एक ही बैंक || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | ||
|- | |- | ||
| 118 || 0x76 ||colspan=8| देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>RRD_L</sub>min, एक ही बैंक समूह || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | | 118 || 0x76 ||colspan=8| देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>RRD_L</sub>min, एक ही बैंक समूह || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | ||
| Line 670: | Line 671: | ||
| 119 || 0x77 ||colspan=8| देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>RRD_S</sub>min, विभिन्न बैंक समूह || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | | 119 || 0x77 ||colspan=8| देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>RRD_S</sub>min, विभिन्न बैंक समूह || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | ||
|- | |- | ||
| 120 || 0x78 ||colspan=8| न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/ | | 120 || 0x78 ||colspan=8| न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश विलंब समय के लिए फ़ाइन ऑफ़सेट, t<sub>RC</sub>min || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | ||
|- | |- | ||
| 121 || 0x79 ||colspan=8| न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>RP</sub>min || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | | 121 || 0x79 ||colspan=8| न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, t<sub>RP</sub>min || एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | ||
| Line 717: | Line 718: | ||
=== डीडीआर5 एसडीआरएएम === | === डीडीआर5 एसडीआरएएम === | ||
जेईएसडी400-5 विनिर्देश के आधार पर डीडीआर5 के लिए प्रारंभिक तालिका। | |||
डीडीआर5 एसपीडी तालिका को 1024-बाइट तक विस्तृत करता है। डीडीआर5 का एसपीडी [[I3C (बस)]] बस का उपयोग कर रहा है। | |||
{|class=wikitable | {|class=wikitable | ||
| Line 732: | Line 733: | ||
| 0 || 0x00 ||colspan=8| एसपीडी डिवाइस में बाइट्स की संख्या || | | 0 || 0x00 ||colspan=8| एसपीडी डिवाइस में बाइट्स की संख्या || | ||
|- | |- | ||
| 1 || 0x01 ||colspan=8| बेस | | 1 || 0x01 ||colspan=8| बेस विन्यासेशन पैरामीटर के लिए एसपीडी संशोधन || | ||
|- | |- | ||
| 2 || 0x02 ||colspan=8| कुंजी बाइट / होस्ट बस कमांड प्रोटोकॉल प्रकार || | | 2 || 0x02 ||colspan=8| कुंजी बाइट / होस्ट बस कमांड प्रोटोकॉल प्रकार || | ||
| Line 756: | Line 757: | ||
| 12 || 0x0c ||colspan=8| एसडीआरएएम वैकल्पिक विशेषताएं || | | 12 || 0x0c ||colspan=8| एसडीआरएएम वैकल्पिक विशेषताएं || | ||
|- | |- | ||
| 13 || 0x0d ||colspan=8| थर्मल और | | 13 || 0x0d ||colspan=8| थर्मल और रिफ्रेश विकल्प || | ||
|- | |- | ||
| 14 || 0x0e ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || | | 14 || 0x0e ||colspan=8 {{n/a|Reserved}} || | ||
| Line 768: | Line 769: | ||
== एक्सटेंशन == | == एक्सटेंशन == | ||
जेईडीईसी मानक केवल कुछ एसपीडी बाइट्स निर्दिष्ट करता है। वास्तव में महत्वपूर्ण डेटा पहले 64 बाइट्स में फिट बैठता है,<ref name=spd_ddr>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_04R13.PDF JEDEC Standard 21-C section 4.1.2.4] DDR SDRAM के लिए SPDs </ref><ref name=spd_ddr2>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_10R13.pdf JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2.10] DDR2 SDRAM के लिए विशिष्ट SPDs </ref><ref name=spd_ddr3>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_11R18.pdf JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2.11] DDR3 SDRAM मॉड्यूल के लिए सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (SPD) </ref><ref name=spd_base>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_00r9.pdf JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2] सीरियल उपस्थिति का पता लगाने का मानक, सामान्य मानक </ref><ref name=spd_sdr>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_05R12.PDF JEDEC Standard 21-C खंड 4.1.2.5] सिंक्रोनस DRAM (SDRAM) के लिए विशिष्ट PDs </ref> जबकि कुछ शेष निर्माता की पहचान के लिए निर्धारित | जेईडीईसी मानक केवल कुछ एसपीडी बाइट्स निर्दिष्ट करता है। वास्तव में महत्वपूर्ण डेटा पहले 64 बाइट्स में फिट बैठता है,<ref name=spd_ddr>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_04R13.PDF JEDEC Standard 21-C section 4.1.2.4] DDR SDRAM के लिए SPDs </ref><ref name=spd_ddr2>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_10R13.pdf JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2.10] DDR2 SDRAM के लिए विशिष्ट SPDs </ref><ref name=spd_ddr3>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_11R18.pdf JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2.11] DDR3 SDRAM मॉड्यूल के लिए सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (SPD) </ref><ref name=spd_base>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_00r9.pdf JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2] सीरियल उपस्थिति का पता लगाने का मानक, सामान्य मानक </ref><ref name=spd_sdr>[http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_05R12.PDF JEDEC Standard 21-C खंड 4.1.2.5] सिंक्रोनस DRAM (SDRAM) के लिए विशिष्ट PDs </ref> जबकि कुछ शेष निर्माता की पहचान के लिए निर्धारित हैं। चूँकि, 256-बाइट ईईपीरोम सामान्यतः प्रदान किया जाता है। शेष स्थान का अनेक उपयोग किया गया है। | ||
=== उन्नत प्रदर्शन प्रोफाइल (ईपीपी) === | === उन्नत प्रदर्शन प्रोफाइल (ईपीपी) === | ||
सभी प्रणालियों पर बुनियादी कार्यक्षमता सुनिश्चित करने के लिए मेमोरी सामान्यतः एसपीडी रोम में रूढ़िवादी समय अनुशंसाओं के साथ आती है। उत्साही | सभी प्रणालियों पर बुनियादी कार्यक्षमता सुनिश्चित करने के लिए मेमोरी सामान्यतः एसपीडी रोम में रूढ़िवादी समय अनुशंसाओं के साथ आती है। उत्साही अधिकांश उच्च गति के लिए मेमोरी समय को मानवीकृत रूप से समायोजित करने में काफी समय व्यतीत करते हैं। | ||
उन्नत प्रदर्शन प्रोफ़ाइल एसपीडी का विस्तार है, जिसे [[NVIDIA]] और [[कोर्सेर गेमिंग]] द्वारा विकसित किया गया है, जिसमें [[डीडीआर2 एसडीआरएएम]] के उच्च-प्रदर्शन संचालन के लिए अतिरिक्त जानकारी सम्मिलित है, जिसमें आपूर्ति वोल्टेज और कमांड | उन्नत प्रदर्शन प्रोफ़ाइल एसपीडी का विस्तार है, जिसे [[NVIDIA|एनवीडिया]] और [[कोर्सेर गेमिंग]] द्वारा विकसित किया गया है, जिसमें [[डीडीआर2 एसडीआरएएम]] के उच्च-प्रदर्शन संचालन के लिए अतिरिक्त जानकारी सम्मिलित है, जिसमें आपूर्ति वोल्टेज और कमांड समय जानकारी सम्मिलित है जो जेईडीईसी एसपीडी स्पेक में सम्मिलित नहीं है। ईपीपी जानकारी उसी ईईपीरोम में संग्रहीत होती है, लेकिन बाइट्स 99-127 में, जो मानक डीडीआर2 एसपीडी द्वारा उपयोग नहीं की जाती हैं।<ref>{{Citation |url=http://www.nvidia.com/content/epp/epp_specifications.pdf |title=DDR2 UDIMM Enhanced Performance Profiles Design Specification |publisher=[[Nvidia]] |date=2006-05-12 |accessdate=2009-05-05}}</ref> | ||
{|class=wikitable | {|class=wikitable | ||
| Line 790: | Line 791: | ||
| 122–127 || 6 || प्रोफाइल एपी4 | | 122–127 || 6 || प्रोफाइल एपी4 | ||
|} | |} | ||
मापदंडों को विशेष रूप से [[NForce 500]], [[NForce 600]] और [[NForce 700]] चिपसेट पर मेमोरी कंट्रोलर को फिट करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। | मापदंडों को विशेष रूप से [[NForce 500|एनफोर्स 500]], [[NForce 600|एनफोर्स 600]] और [[NForce 700|एनफोर्स 700]] चिपसेट पर मेमोरी कंट्रोलर को फिट करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। एनवीडिया अपने हाई-एंड मदरबोर्ड चिपसेट के लिए बीआईओएस में ईपीपी के लिए समर्थन को प्रोत्साहित करता है। इसका उद्देश्य न्यूनतम प्रयास के साथ बेहतर प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए एक-क्लिक ओवरक्लॉकिंग प्रदान करना है। | ||
ईपीपी मेमोरी के लिए एनवीडिया का नाम जो प्रदर्शन और स्थिरता के लिए योग्य है, एसएलआई-तैयार मेमोरी है।<ref>http://www.nvidia.com/docs/CP/45121/sli_memory.pdf {{Bare URL PDF|date=March 2022}}</ref> एसएलआई-रेडी-मेमोरी शब्द ने कुछ भ्रम पैदा किया है, क्योंकि इसका [[ स्केलेबल लिंक इंटरफ़ेस ]] से कोई लेना-देना नहीं है। कोई एकल वीडियो कार्ड (यहां तक कि गैर-एनवीडिया कार्ड) के साथ ईपीपी/एसएलआई मेमोरी का उपयोग कर सकता है, और कोई ईपीपी/एसएलआई मेमोरी के बिना मल्टी-कार्ड एसएलआई वीडियो सेटअप चला सकता है। | ईपीपी मेमोरी के लिए एनवीडिया का नाम जो प्रदर्शन और स्थिरता के लिए योग्य है, एसएलआई-तैयार मेमोरी है।<ref>http://www.nvidia.com/docs/CP/45121/sli_memory.pdf {{Bare URL PDF|date=March 2022}}</ref> एसएलआई-रेडी-मेमोरी शब्द ने कुछ भ्रम पैदा किया है, क्योंकि इसका [[ स्केलेबल लिंक इंटरफ़ेस ]] से कोई लेना-देना नहीं है। कोई एकल वीडियो कार्ड (यहां तक कि गैर-एनवीडिया कार्ड) के साथ ईपीपी/एसएलआई मेमोरी का उपयोग कर सकता है, और कोई ईपीपी/एसएलआई मेमोरी के बिना मल्टी-कार्ड एसएलआई वीडियो सेटअप चला सकता है। | ||
विस्तारित संस्करण, | विस्तारित संस्करण, ईपीपी 2.0, डीडीआर3 मेमोरी को भी सपोर्ट करता है।<ref>[http://www.nvidia.com/docs/IO/52280/NVIDIA_EPP2_TB.pdf Enhanced Performance Profiles 2.0] (pp. 2–3)</ref> | ||
=== [[इंटेल]] एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (एक्सएमपी) === | === [[इंटेल]] एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (एक्सएमपी) === | ||
समान, इंटेल द्वारा विकसित | एक समान, इंटेल द्वारा विकसित जेईडीईसी एसपीडी एक्सटेंशन [[DDR3 SDRAM|डीडीआर3 एसडीरैम]] डीआईएमएम के लिए विकसित किया गया था, जिसे बाद में डीडीआर3 एसडीरैम में भी उपयोग किया गया था। एक्सएमपी बाइट 176–255 का उपयोग करता है, जो उच्च-प्रदर्शन मेमोरी टाइमिंग को एनकोड करने के लिए जेईडीईसी द्वारा आवंटित नहीं किए जाते हैं।।<ref>{{Cite web |title=What Is Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP)? |url=https://www.intel.co.uk/content/www/uk/en/gaming/extreme-memory-profile-xmp.html |website=Intel |access-date=September 26, 2022}}</ref> | ||
बाद | |||
इसके बाद, एएमडी ने एएमपी को एएमडी प्लेटफॉर्म में उपयोग के लिए अनुकूलित मेमोरी मॉड्यूल की "राडॉन मेमोरी" लाइन में उपयोग के लिए एक्सएमपी के समकक्ष विधि विकसित किया था।<ref>{{cite web |title=मेमोरी प्रोफाइल टेक्नोलॉजी - एएमपी अप योर रैम|url=https://www.amd.com/en/technologies/amp |website=AMD |date=2012 |access-date=January 8, 2018}}</ref><ref>{{cite web |last1=Martin |first1=Ryan |date=July 23, 2012 |title=AMD ने अपना XMP-समतुल्य AMP - eTeknix पेश किया|url=https://www.eteknix.com/amd-introduces-its-xmp-equivalent-amp/ |website=eTeknix |access-date=January 8, 2018}}</ref> इसके अतिरिक्त, मदरबोर्ड डेवलपर्स ने अपने एएमडी-आधारित मदरबोर्ड को एक्सएमपी प्रोफाइल पढ़ने की अनुमति देने के लिए अपनी स्वयं की विधियों को प्रायुक्त किया: एमएसआई ए-एक्सएमपी प्रदान करता है,<ref>{{cite web |title=MSI is worlds first brand to enable A-XMP on Ryzen for best DDR4 performance, launches new models |url=https://www.msi.com/news/detail/0ec96be397dd6d3cf2fecb4a2d627c1c |website=MSI |date=March 21, 2017 |access-date=January 8, 2018}}</ref> असुस में डीओसीपी (डायरेक्ट ओवर क्लॉक प्रोफाइल) है, और गीगाबाइट में ईओसीपी (एक्सटेंडेड ओवर क्लॉक प्रोफाइल) है।<ref>{{cite web |author=Tradesman1 |title=XMP, DOCP, EOCP का क्या मतलब है - सॉल्व्ड - मेमोरी|url=http://www.tomshardware.com/answers/id-3167421/xmp-docp-eocp.html#r18503260 |website=Tom's Hardware Forums |date=August 26, 2016 |access-date=January 8, 2018}}</ref> | |||
{|class=wikitable | {|class=wikitable | ||
|+ एक्सएमपी एसपीडी रोम उपयोग<ref name="xmp1.1">{{Cite web |title=Intel Extreme Memory Profile (XMP) Specification, Rev 1.1 |url=http://www.softnology.biz/pdf/Intel_XMP_Spec_Rev1.1.pdf |archive-url=https://web.archive.org/web/20120306230940/http://www.softnology.biz/pdf/IntelXMP_Rev1.1.pdf |website=Intel |archive-date=March 6, 2012 |date=October 2007 |access-date=May 25, 2010}}</ref> | |+ एक्सएमपी एसपीडी रोम उपयोग<ref name="xmp1.1">{{Cite web |title=Intel Extreme Memory Profile (XMP) Specification, Rev 1.1 |url=http://www.softnology.biz/pdf/Intel_XMP_Spec_Rev1.1.pdf |archive-url=https://web.archive.org/web/20120306230940/http://www.softnology.biz/pdf/IntelXMP_Rev1.1.pdf |website=Intel |archive-date=March 6, 2012 |date=October 2007 |access-date=May 25, 2010}}</ref> | ||
| Line 811: | Line 813: | ||
| 220–254 || 36 || एक्सएमपी प्रोफ़ाइल 2 ("चरम" सेटिंग्स) | | 220–254 || 36 || एक्सएमपी प्रोफ़ाइल 2 ("चरम" सेटिंग्स) | ||
|} | |} | ||
हेडर में निम्न डेटा होता है। सबसे महत्वपूर्ण बात यह है कि इसमें नैनोसेकंड की तर्कसंगत संख्या के रूप में एक मध्यम समयबेस मान एमटीबी | हेडर में निम्न डेटा होता है। सबसे महत्वपूर्ण बात यह है कि इसमें नैनोसेकंड की तर्कसंगत संख्या के रूप में एक मध्यम समयबेस मान एमटीबी (सामान्य मान 1/8, 1/12 और 1/16 एनएस हैं) होता है। कई अन्य बाद के समय मानों को एमटीबी इकाइयों की पूर्णांक संख्या के रूप में व्यक्त किया जाता है। | ||
हेडर में प्रति मेमोरी चैनल डीआईएमएम की संख्या भी सम्मिलित | हेडर में प्रति मेमोरी चैनल डीआईएमएम की संख्या भी सम्मिलित है जिसे प्रोफ़ाइल को समर्थन देने के लिए डिज़ाइन किया गया है; अधिक डीआईएमएम सहित अच्छी तरह से काम नहीं कर सकता है। | ||
{|class="wikitable" | {|class="wikitable" | ||
|+ एक्सएमपी हेडर बाइट्स<ref name="xmp1.1"/> | |+ एक्सएमपी हेडर बाइट्स<ref name="xmp1.1"/> | ||
| Line 837: | Line 839: | ||
| 7:4 || एक्सएमपी प्रमुख संस्करण संख्या (0.x or 1.x) | | 7:4 || एक्सएमपी प्रमुख संस्करण संख्या (0.x or 1.x) | ||
|- | |- | ||
| 180 || 7:0 || प्रोफ़ाइल के लिए मध्यम | | 180 || 7:0 || प्रोफ़ाइल के लिए मध्यम समय आधार लाभांश 1 | ||
|- | |- | ||
| 181 || 7:0 || प्रोफ़ाइल 1 के लिए मध्यम | | 181 || 7:0 || प्रोफ़ाइल 1 के लिए मध्यम समय आधार भाजक (एमटीबी = लाभांश/भाजक एनएस) | ||
|- | |- | ||
| 182 || 7:0 || प्रोफ़ाइल के लिए मध्यम | | 182 || 7:0 || प्रोफ़ाइल के लिए मध्यम समय आधार लाभांश 2 (जैसे. 8) | ||
|- | |- | ||
| 183 || 7:0 || प्रोफ़ाइल 2 के लिए मध्यम | | 183 || 7:0 || प्रोफ़ाइल 2 के लिए मध्यम समय आधार विभाजक (उदाहरण के लिए 1, एमटीबी = 1/8 एनएस दे रहा है) | ||
|- | |- | ||
| 184 || 7:0 || {{n/a|Reserved}} | | 184 || 7:0 || {{n/a|Reserved}} | ||
| Line 884: | Line 886: | ||
| 195 || 230 || 7:0 || देरी के समय को प्रीचार्ज करने के लिए न्यूनतम सक्रिय t<sub>RAS</sub>min बिट्स 7:0 (एमटीबी इकाइयां) | | 195 || 230 || 7:0 || देरी के समय को प्रीचार्ज करने के लिए न्यूनतम सक्रिय t<sub>RAS</sub>min बिट्स 7:0 (एमटीबी इकाइयां) | ||
|- | |- | ||
| 196 || 231 || 7:0 || न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/ | | 196 || 231 || 7:0 || न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश विलंब समय t<sub>RC</sub>min बिट्स 7:0 (एमटीबी इकाइयां) | ||
|- | |- | ||
| 197 || 232 || 7:0 || अधिकतम औसत | | 197 || 232 || 7:0 || अधिकतम औसत रिफ्रेश अंतराल t<sub>REFI</sub> एलएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) | ||
|- | |- | ||
| 198 || 233 || 7:0 || अधिकतम औसत | | 198 || 233 || 7:0 || अधिकतम औसत रिफ्रेश अंतराल t<sub>REFI</sub> एमएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) | ||
|- | |- | ||
| 199 || 234 || 7:0 || न्यूनतम | | 199 || 234 || 7:0 || न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय t<sub>RFC</sub>min एलएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) | ||
|- | |- | ||
| 200 || 235 || 7:0 || न्यूनतम | | 200 || 235 || 7:0 || न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय t<sub>RFC</sub>min एमएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) | ||
|- | |- | ||
| 201 || 236 || 7:0 || न्यूनतम प्रीचार्ज कमांड विलंब के लिए आंतरिक रीड time t<sub>RTP</sub>min (एमटीबी इकाइयां) | | 201 || 236 || 7:0 || न्यूनतम प्रीचार्ज कमांड विलंब के लिए आंतरिक रीड time t<sub>RTP</sub>min (एमटीबी इकाइयां) | ||
| Line 920: | Line 922: | ||
| 7:4 || {{n/a|Reserved}} | | 7:4 || {{n/a|Reserved}} | ||
|- | |- | ||
| 208 || 243 || 7:0 || | | 208 || 243 || 7:0 || प्रणाली सीएमडी दर मोड। 0 = जेटीजी डिफ़ॉल्ट, अन्यथा एमटीबी-×-टीसीके/एनएस की विशिष्ट इकाइयों में। | ||
उदा. यदि एमटीबी 1/8 एनएस है, तो यह 1/8 घड़ी चक्र की इकाइयों में है। | उदा. यदि एमटीबी 1/8 एनएस है, तो यह 1/8 घड़ी चक्र की इकाइयों में है। | ||
|- | |- | ||
| Line 930: | Line 932: | ||
| 219 || 254 || 7:0 || आरक्षित, विक्रेता-विशिष्ट व्यक्तित्व कोड। | | 219 || 254 || 7:0 || आरक्षित, विक्रेता-विशिष्ट व्यक्तित्व कोड। | ||
|} | |} | ||
उपरोक्त सभी डेटा | उपरोक्त सभी डेटा डीडीआर3 (एक्सएमपी 1.1) के लिए हैं; डीडीआर4 विनिर्देश अभी तक उपलब्ध नहीं हैं। | ||
=== ओवरक्लॉकिंग के लिए एएमडी विस्तारित प्रोफाइल (एक्सपो) === | |||
एएमडी का ओवरक्लॉकिंग के लिए विस्तारित प्रोफाइल (एक्सपो) एक जेईडीईसी एसपीडी एक्सटेंशन है जिसे [[दर सदराम|डीडीआर5]] डीआईएमएम के लिए प्रणाली मेमोरी में एक-क्लिक स्वचालित ओवरक्लॉकिंग प्रोफाइल लागू करने के लिए विकसित किया गया है।<ref>{{cite web |title=ओवरक्लॉकिंग के लिए एएमडी विस्तारित प्रोफाइल|url=https://www.amd.com/en/technologies/expo |website=AMD |access-date=September 26, 2022}}</ref><ref name="JRoachDigitalTrends">{{cite web |last1=Roach |first1=Jacob |date=September 6, 2022 |title=What is AMD EXPO and should my DDR5 have it? |url=https://www.digitaltrends.com/computing/what-is-amd-expo/ |website=Digital Trends |access-date=September 26, 2022}}</ref> एएमडी एक्सपो-प्रमाणित डीआईएमएम में अनुकूलित समय सम्मिलित है जो इसके [[यह 4 था|जेन 4 प्रोसेसर]] के प्रदर्शन को अनुकूलित करता है।<ref>{{cite web |last1=Bonshor |first1=Gavin |date=August 30, 2022 |title=AMD EXPO Memory Technology: One Click Overclocking Profiles For Ryzen 7000 |url=https://www.anandtech.com/show/17556/amd-expo-memory-one-click-overclocking-profiles-for-ryzen-7000-feat-gskill-and-corsair |website=AnandTech |access-date=September 26, 2022}}</ref> इंटेल के बंद मानक एक्सएमपी के विपरीत, एक्स्पो मानक खुला और रॉयल्टी-मुक्त है।<ref name="JRoachDigitalTrends" /> इसे इंटेल प्लेटफॉर्म पर उपयोग किया जा सकता है।<ref name="JRoachDigitalTrends" /> सितंबर 2022 में लॉन्च होने पर, एक्सपो-सर्टिफिकेशन के साथ 15 पार्टनर रैम किट उपलब्ध हैं जो 6400 एमटी/एस तक पहुंचती हैं।<ref>{{cite web |title=AMD announces EXPO technology for DDR5 memory overclocking |url=https://videocardz.com/newz/amd-announces-expo-technology-for-ddr5-memory-overclocking |website=VideoCardz |date=August 30, 2022 |access-date=September 26, 2022}}</ref> | |||
< | === विक्रेता-विशिष्ट मेमोरी === | ||
विशिष्ट प्रणाली के लिए विक्रेता-विशिष्ट मेमोरी मॉड्यूल को बाध्य करने के लिए कुछ मेमोरी क्षेत्रों में जानकारी लिखना सामान्य दुरुपयोग है। [[Fujitsu Technology Solutions|फुजित्सु प्रौद्योगिकी समाधान]] ऐसा करने के लिए जाने जाते हैं। प्रणाली में विभिन्न मेमोरी मॉड्यूल जोड़ने से सामान्यतः इनकार या अन्य काउंटर-उपाय (जैसे प्रत्येक बूट पर एफ 1 दबाना) होते हैं।<syntaxhighlight lang="d"> | |||
02 0E 00 01-00 00 00 EF-02 03 19 4D-BC 47 C3 46 ...........M.G.F | 02 0E 00 01-00 00 00 EF-02 03 19 4D-BC 47 C3 46 ...........M.G.F | ||
53 43 00 04-EF 4F 8D 1F-00 01 70 00-01 03 C1 CF SC...O....p..... | 53 43 00 04-EF 4F 8D 1F-00 01 70 00-01 03 C1 CF SC...O....p..... | ||
</ | </syntaxhighlight>ऍफ़एससी स्ट्रिंग पर ध्यान दें, यह फुजित्सु-सीमेंस कंप्यूटर के लिए ब्रांडेड माइक्रोन टेक्नोलॉजीज के 512 एमबी मेमोरी मॉड्यूल का आउटपुट है। | ||
प्रणाली बीआईओएस उन मेमोरी मॉड्यूल को अस्वीकार कर देता है जिनमें यह जानकारी ऑफ़सेट 128h से प्रारंभ नहीं होती है। | |||
कुछ पैकर्ड बेल एएमडी लैपटॉप भी इस विधि का उपयोग करते हैं, इस मामले में लक्षण भिन्न हो सकते हैं लेकिन यह बीप पैटर्न के | कुछ पैकर्ड बेल एएमडी लैपटॉप भी इस विधि का उपयोग करते हैं, इस मामले में लक्षण भिन्न हो सकते हैं लेकिन यह बीप पैटर्न के अतिरिक्त फ्लैशिंग कर्सर का कारण बन सकता है। संयोग से यह बीआईओएस भ्रष्टाचार का भी लक्षण हो सकता है।<ref>{{Cite web|url=https://forums.tomshardware.com/threads/packard-bell-lj65-ram-upgrade.1651388/|title=Packard Bell LJ65 RAM upgrade|website=Tom's Hardware Forum}}</ref> चूंकि 2GB को 4GB में अपग्रेड करने से भी समस्या हो सकती है। | ||
== एसपीडी जानकारी पढ़ना और लिखना == | == एसपीडी जानकारी पढ़ना और लिखना == | ||
मेमोरी मॉड्यूल निर्माता मॉड्यूल पर ईईपीरोम को | मेमोरी मॉड्यूल निर्माता मॉड्यूल पर ईईपीरोम को एसपीडी जानकारी लिखते हैं। मेमोरी नियंत्रक को विन्यास करने के लिए मदरबोर्ड बीआईओएस एसपीडी जानकारी पढ़ता है। ऐसे कई प्रोग्राम उपस्थित हैं जो एसपीडी जानकारी को पढ़ने और संशोधित करने में सक्षम हैं, लेकिन सभी मदरबोर्ड चिपसेट पर नहीं। | ||
* [http://www.nongnu.org/dmidecode/ | * [http://www.nongnu.org/dmidecode/ डमाइडकोड] प्रोग्राम जो मेमोरी (और अन्य चीजों) के बारे में जानकारी को डिकोड कर सकता है और [[Linux|लिनक्स]], [[FreeBSD|फ्रीबीएसडी]], [[NetBSD|नेटबीएसडी]], [[OpenBSD|ओपनबीएसडी]], [[BeOS|बेओएस]], [[Cygwin|साइगविन]] और सोलारिस (ऑपरेटिंग प्रणाली) पर चलता है। डमाइडकोड सीधे एसपीडी जानकारी तक नहीं पहुँचता है; यह मेमोरी के बारे में [[SMBIOS|एसएमबीआईओएस]] डेटा की रिपोर्ट करता है।<ref>{{Cite web|url=https://www.linux.com/news/dmidecode-whats-it-good|title=dmidecode: What's it good for?|date=29 November 2004|website=Linux.com | The source for Linux information}}</ref> यह जानकारी सीमित या गलत हो सकती है। | ||
* | * लिनक्स प्रणाली और फ्रीबीएसडी पर, i2c-उपकरण द्वारा प्रदान किया गया [[ उपयोक्ता स्थान ]] प्रोग्राम डिकोड-डिम कंप्यूटर में एसपीडी जानकारी के साथ किसी भी मेमोरी पर जानकारी को डिकोड और प्रिंट करता है।<ref>{{cite web|title=डिकोड-मंद(1)|website=Debian Manpage |url=http://manpages.debian.org/testing/i2c-tools/decode-dimms.1.en.html|accessdate=2020-12-16}}</ref><ref>{{Cite web|title=डिकोड-मंद|url=https://www.freebsd.org/cgi/man.cgi?query=डिकोड-मंद|access-date=2021-01-24|website=www.freebsd.org}}</ref> इसके लिए कर्नेल, ईईपीरोम कर्नेल ड्राइवर में [[सिस्टम प्रबंधन बस|प्रणाली प्रबंधन बस]] नियंत्रक समर्थन की आवश्यकता होती है, और यह भी कि एसपीडी ईईपीरोम एसएमबस से जुड़े होते हैं। पुराने लिनक्स वितरणों पर, डीकोड-डीआईएमएमs.पीएल एलएम_सेंसर के भाग के रूप में उपलब्ध था। | ||
* | * ओपनबीएसडी में मेमोरी मॉड्यूल के बारे में जानकारी प्रदान करने के लिए वर्जन 4.3 से एक ड्राइवर ([https://man.openbsd.org/spdmem.4 एसपीडीमेम(4)]) सम्मिलित है। ड्राइवर को नेटबीएसडी से पोर्ट किया गया था, जहां यह रिलीज 5.0 के बाद से उपलब्ध है। | ||
* [[कोरबूट]] समय, आकार और अन्य गुणों के साथ कंप्यूटर में सभी मेमोरी नियंत्रकों को प्रारंभ करने के लिए एसपीडी जानकारी पढ़ता है और उसका उपयोग करता है। | * [[कोरबूट]] समय, आकार और अन्य गुणों के साथ कंप्यूटर में सभी मेमोरी नियंत्रकों को प्रारंभ करने के लिए एसपीडी जानकारी पढ़ता है और उसका उपयोग करता है। | ||
* [[ माइक्रोसॉफ़्ट विंडोज़ ]] | * [[ माइक्रोसॉफ़्ट विंडोज़ ]] प्रणाली [[HWiNFO|एचविन्फो]] जैसे प्रोग्राम का उपयोग करते हैं,<ref>{{Cite web|url=https://www.hwinfo.com/|title=HWiNFO - प्रोफेशनल सिस्टम इंफॉर्मेशन एंड डायग्नोस्टिक्स|website=HWiNFO}}</ref> [[CPU-Z|सीपीयू-जेड]] और [[Speccy|विशिष्टता]], जो एसपीडी से डीरैम मॉड्यूल की जानकारी को पढ़ और प्रदर्शित कर सकते हैं। | ||
एसपीडी सूचना का चिपसेट-स्वतंत्र पठन और लेखन इप्रोम प्रोग्रामर हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर के साथ सीधे मेमोरी के ईईपीरोम तक पहुंच कर किया जाता है। | एसपीडी सूचना का चिपसेट-स्वतंत्र पठन और लेखन इप्रोम प्रोग्रामर हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर के साथ सीधे मेमोरी के ईईपीरोम तक पहुंच कर किया जाता है। | ||
पुराने लैपटॉप के लिए सामान्य | पुराने लैपटॉप के लिए सामान्य एसएमबस पाठकों के रूप में इतना सामान्य उपयोग नहीं है, क्योंकि बीआईओएस द्वारा इसे पढ़ने के बाद मॉड्यूल पर आंतरिक ईईपीरोम को अक्षम किया जा सकता है, इसलिए बस अनिवार्य रूप से उपयोग के लिए उपलब्ध है। उपयोग की जाने वाली विधि A0, A1 लाइनों को कम करने के लिए है जिससे आंतरिक मेमोरी बंद हो जाए, बाहरी उपकरण को एसएमबस तक पहुंचने की अनुमति मिल सके। एक बार यह हो जाने के बाद, कस्टम लिनक्स बिल्ड या डॉस एप्लिकेशन बाहरी उपकरण तक पहुंच सकता है। सामान्य उपयोग एलसीडी पैनल मेमोरी चिप्स से सामान्य पैनल को मालिकाना लैपटॉप में फिर से फिट करने के लिए डेटा को पुनर्प्राप्त कर रहा है। | ||
कुछ चिप्स पर राइट प्रोटेक्ट लाइन को अलग करना भी अच्छा विचार है | |||
एक संबंधित | कुछ चिप्स पर राइट प्रोटेक्ट लाइन को अलग करना भी अच्छा विचार है जिससे रीप्रोग्रामिंग के दौरान ऑनबोर्ड चिप्स साफ न हों। | ||
एक संबंधित विधि अधिकांश कई लैपटॉप के साथ सम्मिलित वेबकैम पर चिप को फिर से लिख रही है क्योंकि बस की गति काफी अधिक है और इसे संशोधित भी किया जा सकता है जिससे चिप विफलता की स्थिति में यूईएफआई के बाद के क्लोनिंग के लिए 25x संगत चिप्स को वापस पढ़ा जा सके। | |||
यह दुर्भाग्य से केवल | यह दुर्भाग्य से केवल डीडीआर3 और नीचे काम करता है, क्योंकि डीडीआर4 विभिन्न सुरक्षा का उपयोग करता है और सामान्यतः केवल पढ़ा जा सकता है। एसपीडीटूल या इसी तरह के उपकरण का उपयोग करना संभव है और चिप को एक के साथ बदलें जिसकी डब्ल्यूपी लाइन मुक्त है जिससे इसे सीटू में बदला जा सके। | ||
कुछ चिपसेट पर संदेश असंगत | कुछ चिपसेट पर संदेश असंगत एसएमबस ड्राइवर? देखा जा सकता है इसलिए पढ़ना भी रोका जाता है। | ||
=== आरजीबी एलईडी नियंत्रण === | === आरजीबी एलईडी नियंत्रण === | ||
कुछ मेमोरी मॉड्यूल (विशेषकर [[गेमिंग पीसी]] पर)<ref>{{Cite web|title=VENGEANCE RGB PRO series DDR4 memory {{!}} Desktop Memory {{!}} CORSAIR|url=https://www.corsair.com/us/en/vengeance-rgb-pro-memory|access-date=2020-11-26|website=www.corsair.com}}</ref> आरजीबी एलईडी का समर्थन करें जो मालिकाना एसएमबीस कमांड द्वारा नियंत्रित होते हैं। यह अतिरिक्त कनेक्टर्स और केबलों के बिना एलईडी रंग नियंत्रण की अनुमति देता है। रोशनी को नियंत्रित करने के लिए आवश्यक कई निर्माताओं के कर्नेल ड्राइवरों का उपयोग अकेले 2020 में कई बार पूर्ण कर्नेल मेमोरी एक्सेस से लेकर | कुछ मेमोरी मॉड्यूल (विशेषकर [[गेमिंग पीसी]] पर)<ref>{{Cite web|title=VENGEANCE RGB PRO series DDR4 memory {{!}} Desktop Memory {{!}} CORSAIR|url=https://www.corsair.com/us/en/vengeance-rgb-pro-memory|access-date=2020-11-26|website=www.corsair.com}}</ref> आरजीबी एलईडी का समर्थन करें जो मालिकाना एसएमबीस कमांड द्वारा नियंत्रित होते हैं। यह अतिरिक्त कनेक्टर्स और केबलों के बिना एलईडी रंग नियंत्रण की अनुमति देता है। रोशनी को नियंत्रित करने के लिए आवश्यक कई निर्माताओं के कर्नेल ड्राइवरों का उपयोग अकेले 2020 में कई बार पूर्ण कर्नेल मेमोरी एक्सेस से लेकर एमएसआर और I/O पोर्ट नियंत्रण तक पहुंच प्राप्त करने के लिए किया गया है।<ref>{{cite techreport |title=वाइपर आरजीबी चालक स्थानीय विशेषाधिकार वृद्धि|id={{CVE|2019-18845}} |author=ActiveCyber |via=MITRE Corporation |url=https://www.activecyber.us/activelabs/viper-rgb-driver-local-privilege-escalation-cve-2019-18845}}</ref><ref>{{cite techreport |title=CORSAIR iCUE Driver Local Privilege Escalation (CVE-2020-8808) |id={{CVE|2020-8808}} |author=ActiveCyber |via=MITRE Corporation |url=https://www.activecyber.us/activelabs/corsair-icue-driver-local-privilege-escalation-cve-2020-8808}}</ref><ref>{{cite techreport |title=ACTIVE-2020-003: Trident Z Lighting Control Driver Local Privilege Escalation |id={{CVE|2020-12446}} |author=ActiveCyber |via=MITRE Corporation |url=https://www.activecyber.us/activelabs/active-2020-003-trident-z-lighting-control-driver-local-privilege-escalation}}</ref> | ||
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* [http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_10R17.pdf SPD Rev1.3 for DDR2 SDRAM] | * [http://www.jedec.org/download/search/4_01_02_10R17.pdf SPD Rev1.3 for DDR2 SDRAM] | ||
* [http://www.jedec.org/download/search/JESD208.pdf SPECIALITY DDR2-1066 SDRAM] | * [http://www.jedec.org/download/search/JESD208.pdf SPECIALITY DDR2-1066 SDRAM] | ||
* | * लिनक्स package [https://i2c.wiki.kernel.org/index.php/I2C_Tools i2c-उपकरण] | ||
* [http://ornellas.apanela.com/dokuwiki/pub:spd Instructions on how to use lm- | * [http://ornellas.apanela.com/dokuwiki/pub:spd Instructions on how to use lm-सेंसर or i2c-उपकरण to read the data] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070519080941/http://ornellas.apanela.com/dokuwiki/pub:spd |date=19 May 2007 }} | ||
* [http://www.anandtech.com/show/6372/memory-performance-16gb-ddr31333-to-ddr32400-on-ivy-bridge-igp-with-gskill Memory Performance: 16GB DDR3-1333 to DDR3-2400 on Ivy Bridge IGP with G.Skill]{{snd}} explanation of various timing मानs | * [http://www.anandtech.com/show/6372/memory-performance-16gb-ddr31333-to-ddr32400-on-ivy-bridge-igp-with-gskill Memory Performance: 16GB DDR3-1333 to DDR3-2400 on Ivy Bridge IGP with G.Skill]{{snd}} explanation of various timing मानs | ||
Revision as of 11:33, 10 March 2023
कम्प्यूटिंग में, सीरियल उपस्थिति का एड्रेस लगाना (एसपीडी) एक मेमोरी मॉड्यूल के बारे में जानकारी को स्वचालित रूप से एक्सेस करने का एक मानकीकृत विधि है। पहले 72-पिन एसआईएमएम में पाँच पिन सम्मिलित थे जो 'समानांतर उपस्थिति का एड्रेस लगाना' (पीपीडी) डेटा के पाँच बिट प्रदान करते थे, लेकिन 168-पिन डीआईएमएम मानक अधिक जानकारी को एनकोड करने के लिए सीरियल उपस्थिति पहचान में बदल गया।[1]
जब साधारण आधुनिक कंप्यूटर को प्रारंभ किया जाता है, तो यह पावर ऑन सेल्फ टेस्ट (पीओएसटी) करके प्रारंभ होता है। 1990 के दशक के मध्य से, इस प्रक्रिया में वर्तमान में उपस्थित हार्डवेयर को स्वचालित रूप से विन्यास करना सम्मिलित है। एसपीडी एक मेमोरी हार्डवेयर फीचर है जो कंप्यूटर के लिए यह जानना संभव बनाता है कि कौन सी मेमोरी उपस्थित है, और मेमोरी तक पहुंचने के लिए किस मेमोरी समय का उपयोग करना है।
कुछ कंप्यूटर पूरी तरह से स्वचालित रूप से हार्डवेयर परिवर्तनों के अनुकूल हो जाते हैं। अधिकांश स्थितियों में, सेटिंग्स में परिवर्तन देखने और संभावित रूप से करने के लिए, बीआईओएस मापदंडों तक पहुंचने के लिए विशेष वैकल्पिक प्रक्रिया है। यह नियंत्रित करना संभव हो सकता है कि कंप्यूटर मेमोरी एसपीडी डेटा का उपयोग कैसे करता है - सेटिंग्स चुनने के लिए, मेमोरी समय को श्रेष्ठ रूप से संशोधित करने के लिए, या संभवतः एसपीडी डेटा को पूरी तरह से ओवरराइड करने के लिएयह नियंत्रित करना संभव हो सकता है कि कंप्यूटर कैसे मेमोरी एसपीडी डेटा का उपयोग सेटिंग्स को चुनने के लिए करता है, मेमोरी टाइमिंग को श्रेष्ठ रूप से संशोधित करता है या संभवतः एसपीडी डेटा को पूरी तरह से ओवरराइड ( ओवरक्लॉकिंग देखें) करता है।
संग्रहीत जानकारी
एसपीडी का समर्थन करने के लिए मेमोरी मॉड्यूल के लिए, जेईडीईसी मानकों को मेमोरी मॉड्यूल पर स्थित ईईपीरोम के निचले 128 बाइट्स में कुछ पैरामीटर की आवश्यकता होती है। इन बाइट्स में मॉड्यूल के बारे में समय पैरामीटर, निर्माता, सीरियल संख्या और अन्य उपयोगी जानकारी होती है। मेमोरी का उपयोग करने वाले उपकरण इस जानकारी को पढ़कर स्वचालित रूप से मॉड्यूल के प्रमुख पैरामीटर निर्धारित करते हैं। उदाहरण के लिए, एसडीआरएएम मॉड्यूल पर एसपीडी डेटा सीएएस विलंबता के बारे में जानकारी प्रदान कर सकता है जिससे प्रणाली उपयोगकर्ता के हस्तक्षेप के बिना इसे सही विधि से सेट कर सके।
एसपीडी ईईपीरोम फर्मवेयर को एसएमबस, I²C प्रोटोकॉल के एक प्रकार का उपयोग करके एक्सेस किया जाता है। यह मॉड्यूल पर संचार पिन की संख्या को केवल दो घड़ी सिग्नल और डेटा सिग्नल तक कम कर देता है। ईईपीरोम रैम के साथ ग्राउंड पिन साझा करता है, इसका अपना पावर पिन होता है, और स्लॉट की पहचान करने के लिए तीन अतिरिक्त पिन (SA0–2) होते हैं, जिनका उपयोग ईईपीरोम को 0x50–0x57 की सीमा में अद्वितीय एड्रेस देने के लिए किया जाता है। न केवल संचार लाइनों को 8 मेमोरी मॉड्यूल के बीच साझा किया जा सकता है, वही एसएमबस सामान्यतः मदरबोर्ड पर प्रणाली स्वास्थ्य निगरानी कार्यों जैसे बिजली आपूर्ति वोल्टेज, सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट तापमान और पंखे की गति पढ़ने के लिए उपयोग किया जाता है।
एसपीडी ईईपीरोम भी I²C एड्रेस का जवाब देते हैं 0x30–0x37 अगर उन्हें सुरक्षित नहीं लिखा गया है, और एक्सटेंशन (टीएसई श्रृंखला) एक वैकल्पिक ऑन-चिप तापमान सेंसर तक पहुंचने के लिए एड्रेस 0x18–0x1F का उपयोग करता है। वे सभी मान SA0-2 के साथ डिवाइस प्रकार पहचानकर्ता कोड उपसर्ग (DTIC) द्वारा गठित सात-बिट I²C एड्रेस हैं: स्लॉट 3 से (1100) पढ़ने के लिए, एक 110 0011 = 0x33 का उपयोग करता है। अंतिम R/W बिट के साथ यह 8-बिट उपकरण सेलेक्ट कोड बनाता है।[2] ध्यान दें कि स्लॉट-आईडी का सिमेंटिक्स राइट-प्रोटेक्शन ऑपरेशंस के लिए अलग है: उनके लिए उन्हें SA पिन द्वारा बिल्कुल भी पास नहीं किया जा सकता है।[3]
एसपीडी से पहले, मेमोरी चिप्स को समानांतर उपस्थिति का एड्रेस लगाने (पीपीडी) के साथ देखा गया था। पीपीडी ने सूचना के प्रत्येक बिट के लिए एक अलग पिन का उपयोग किया, जिसका अर्थ था कि पिन के लिए सीमित स्थान के कारण केवल मेमोरी मॉड्यूल की गति और घनत्व को संग्रहीत किया जा सकता है।
एसडीआर एसडीआरएएम
पहला एसपीडी विनिर्देश जेईडीईसी द्वारा जारी किया गया था और इंटेल द्वारा इसके पीसी100 मेमोरी विनिर्देशन के भाग के रूप में कड़ा किया गया था।[4] निर्दिष्ट अधिकांश मान बाइनरी-कोडित दशमलव रूप में हैं। सबसे महत्वपूर्ण निबल में 10 से 15 तक मान हो सकते हैं, और कुछ स्थितियों में यह अधिक होता है। ऐसे स्थितियों में, 1, 2 और 3 के लिए एनकोडिंग का उपयोग इसके अतिरिक्त 16, 17 और 18 को एनकोड करने के लिए किया जाता है। 0 का सबसे महत्वपूर्ण निबल अपरिभाषित का प्रतिनिधित्व करने के लिए आरक्षित है।
एसपीडी रोम बाइट 18 में सेट बिट्स द्वारा निर्दिष्ट तीन सीएएस विलंबता के लिए तीन डीरैम समय तक परिभाषित करता है। सबसे पहले उच्चतम सीएएस विलंबता (सबसे तेज़ घड़ी) आती है, फिर उत्तरोत्तर कम गति वाली दो निम्न सीएएस विलंबताएँ आती हैं।
| बाइट | बिट | टिप्पणियाँ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (डेक.) | (हेक्स.) | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |
| 0 | 0x00 | बाइट्स की संख्या उपस्थित है | सामान्यतः 128 | |||||||
| 1 | 0x01 | log2(एसपीडी ईईपीरोम का आकार) | सामान्यतः 8 (256 बाइट्स) | |||||||
| 2 | 0x02 | मूल मेमोरी प्रकार (4: एसपीडी एसडीआरएएम) | ||||||||
| 3 | 0x03 | बैंक 2 पंक्ति एड्रेस बिट्स (0–15) | बैंक 1 पंक्ति एड्रेस बिट (1-15) | बैंक 2 0 है यदि बैंक 1 के समान है | ||||||
| 4 | 0x04 | बैंक 2 स्तंभ एड्रेस बिट्स (0–15) | बैंक 1 स्तंभ एड्रेस बिट्स (1-15) | बैंक 2 0 है यदि बैंक 1 के समान है | ||||||
| 5 | 0x05 | मॉड्यूल पर रैम बैंकों की संख्या (1-255) | आमतौर पर 1 या 2 | |||||||
| 6 | 0x06 | मॉड्यूल डेटा चौड़ाई कम बाइट | ईसीसी डीआईएमएम के लिए आम तौर पर 64, या 72 | |||||||
| 7 | 0x07 | मॉड्यूल डेटा चौड़ाई उच्च बाइट | 0, जब तक कि चौड़ाई ≥ 256 बिट न हो | |||||||
| 8 | 0x08 | इस असेंबली का इंटरफ़ेस वोल्टेज स्तर (Vcc आपूर्ति वोल्टेज के समान नहीं) (0–4) | तालिका लुकअप द्वारा डिकोड किया गया | |||||||
| 9 | 0x09 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | उच्चतम सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय | ||||||
| 10 | 0x0a | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | घड़ी से एसडीआरएएम एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 11 | 0x0b | डीआईएमएम विन्यास प्रकार (0–2): गैर-ईसीसी, समता, ईसीसी | सारणी अवलोकन | |||||||
| 12 | 0x0c | स्वयं | रिफ्रेश अवधि (0–5): 64, 256, 128, 32, 16, 8 किलोहर्ट्ज | आवश्यकताओं को रिफ्रेश करें | ||||||
| 13 | 0x0d | बैंक 2 2× | बैंक 1 प्राथमिक एसडीआरएएम चौड़ाई (1–127, सामान्यतः 8) | बैंक 1 डेटा एसडीआरएएम उपकरणों की चौड़ाई। यदि बिट 7 सेट है तो बैंक 2 समान चौड़ाई, या 2× चौड़ाई हो सकती है। | ||||||
| 14 | 0x0e | बैंक 2 2× | बैंक 1 ईसीसी एसडीआरएएम चौड़ाई (0–127) | बैंक 1 ईसीसी/समता एसडीआरएएम उपकरणों की चौड़ाई। यदि बिट 7 सेट है तो बैंक 2 समान चौड़ाई, या 2× चौड़ाई हो सकती है। | ||||||
| 15 | 0x0f | अनियमित स्तंभ पढ़ने के लिए घड़ी की देरी | सामान्यतः 1 | |||||||
| 16 | 0x10 | पृष्ठ | — | — | — | 8 | 4 | 2 | 1 | बर्स्ट लंबाई समर्थित (बिटमैप) |
| 17 | 0x11 | एसडीआरएएम उपकरण प्रति बैंक (1–255) | सामान्यतः 2 या 4 | |||||||
| 18 | 0x12 | — | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | CAS विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 19 | 0x13 | — | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | CS विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 20 | 0x14 | — | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | WE विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 21 | 0x15 | — | अनावश्यक | अंतर घड़ी | पंजीकृत डेटा | बफर डेटा | ऑन-कार्ड पीएलएल | पंजीकृत एड्रेस | बफ़र एड्रेस | मेमोरी मॉड्यूल फीचर बिटमैप |
| 22 | 0x16 | — | — | ऊपरी Vcc (आपूर्ति वोल्टेज) सहिष्णुता | कम Vcc (आपूर्ति वोल्टेज) सहिष्णुता | लिखें/1 पढ़ें फट | सभी को प्रीचार्ज करें | ऑटो-प्रीचार्ज | प्रारंभिक RAS प्रीचार्ज | मेमोरी चिप सुविधा बिटमैप का समर्थन करती है |
| 23 | 0x17 | नैनोसेकंड (4-18) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0–9: 0.0–0.9) | मध्यम सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय | ||||||
| 24 | 0x18 | नैनोसेकंड (4-18) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0–9: 0.0–0.9) | क्लॉक से डेटा एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 25 | 0x19 | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25एनएस (0–3: 0.00–0.75) | लघु सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय। | ||||||
| 26 | 0x1a | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25एनएस (0–3: 0.00–0.75) | क्लॉक से डेटा एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 27 | 0x1b | नैनोसेकंड (1–255) | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज समय (tRP) | |||||||
| 28 | 0x1c | नैनोसेकंड (1–255) | न्यूनतम पंक्ति सक्रिय-पंक्ति सक्रिय विलंब (tRRD) | |||||||
| 29 | 0x1d | नैनोसेकंड (1–255) | न्यूनतम RAS to CAS विलंब (tRCD) | |||||||
| 30 | 0x1e | नैनोसेकंड (1–255) | प्रीचार्ज समय के लिए न्यूनतम सक्रिय (tRAS) | |||||||
| 31 | 0x1f | 512एमआईबी | 256एमआईबी | 128एमआईबी | 64एमआईबी | 32एमआईबी | 16एमआईबी | 8एमआईबी | 4एमआईबी | मॉड्यूल बैंक घनत्व (बिटमैप)। अलग-अलग आकार के बैंक होने पर दो बिट सेट होते हैं। |
| 32 | 0x20 | साइन (1: −) | नैनोसेकंड (0–7) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0–9: 0.0–0.9) | घड़ी से एड्रेस/कमांड सेटअप समय | |||||
| 33 | 0x21 | साइन (1: −) | नैनोसेकंड (0–7) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0–9: 0.0–0.9) | घड़ी के बाद एड्रेस/कमांड नियन्त्रित समय | |||||
| 34 | 0x22 | साइन (1: −) | नैनोसेकंड (0–7) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0–9: 0.0–0.9) | घड़ी से डेटा इनपुट व्यवस्था समय | |||||
| 35 | 0x23 | साइन (1: −) | नैनोसेकंड (0–7) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0–9: 0.0–0.9) | डेटा इनपुट घड़ी के बाद का समय नियंत्रित करता है | |||||
| 36–61 | 0x24–0x3d | Reserved | भविष्य के मानकीकरण के लिए | |||||||
| 62 | 0x3e | प्रमुख संशोधन (0–9) | सामान्य संशोधन (0–9) | एसपीडी संशोधन स्तर; उदा., 1.2 | ||||||
| 63 | 0x3f | जाँच योग | बाइट्स का योग 0-62, फिर अस्वीकृत नहीं | |||||||
| 64–71 | 0x40–47 | निर्माता जेईडीईसी आईडी. | संग्रहित छोटा-एंडियन, अनुगामी शून्य-पैडेड | |||||||
| 72 | 0x48 | मॉड्यूल निर्माण स्थान | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 73–90 | 0x49–0x5a | मॉड्यूल भाग संख्या | एएससीआईआई, अंतरिक्ष-गद्देदार | |||||||
| 91–92 | 0x5b–0x5c | मॉड्यूल संशोधन कोड | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 93 | 0x5d | दसियों वर्ष (0–9: 0–90) | वर्षों (0–9) | निर्माण तिथि (वाईवाईडब्ल्यूडब्ल्यू) | ||||||
| 94 | 0x5e | दसियों सप्ताह (0–5: 0–50) | हफ्तों (0–9) | |||||||
| 95–98 | 0x5f–0x62 | मॉड्यूल सीरियल संख्या | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 99–125 | 0x63–0x7f | निर्माता-विशिष्ट डेटा | प्रदर्शन प्रोफाइल बढ़ाया जा सकता है | |||||||
| 126 | 0x7e | 0x66 [sic] 66 मेगाहर्ट्ज के लिए, 0x64 100 मेगाहर्ट्ज के लिए | इंटेल आवृत्ति समर्थन | |||||||
| 127 | 0x7f | सीएलके0 | सीएलके1 | सीएलके3 | सीएलके3 | 90/100°C | सीएल3 | सीएल2 | समवर्ती एपी | इंटेल फीचर बिटमैप |
डीडीआर एसडीआरएएम
डीडीआर डीआईएमएम एसपीडी प्रारूप एसडीआर एसडीआरएएम प्रारूप का विस्तार है। अधिकांश, उच्च गति को समायोजित करने के लिए पैरामीटर रेंज को फिर से बढ़ाया जाता है।
| बाइट | बिट | टिप्पणियाँ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (डेक.) | (हेक्स.) | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |
| 0 | 0x00 | लिखे गए बाइट्स की संख्या | सामान्यतः 128 | |||||||
| 1 | 0x01 | log2(एसपीडी ईईपीरोम का आकार) | सामान्यतः 8 (256 बाइट्स) | |||||||
| 2 | 0x02 | मूल मेमोरी प्रकार (7 = डीडीआर एसडीआरएएम) | ||||||||
| 3 | 0x03 | बैंक 2 पंक्ति एड्रेस बिट्स (0–15) | बैंक 1 पंक्ति एड्रेस बिट (1-15) | बैंक 2 0 है यदि बैंक 1 के समान है. | ||||||
| 4 | 0x04 | बैंक 2 स्तंभ एड्रेस बिट्स (0–15) | बैंक 1 स्तंभ एड्रेस बिट्स (1-15) | बैंक 2 0 है यदि बैंक 1 के समान है. | ||||||
| 5 | 0x05 | मॉड्यूल पर रैम बैंकों की संख्या (1-255) | आमतौर पर 1 या 2 | |||||||
| 6 | 0x06 | मॉड्यूल डेटा चौड़ाई कम बाइट | ईसीसी डीआईएमएम के लिए आम तौर पर 64, या 72 | |||||||
| 7 | 0x07 | मॉड्यूल डेटा चौड़ाई उच्च बाइट | 0, जब तक कि चौड़ाई ≥ 256 बिट न हो | |||||||
| 8 | 0x08 | इस असेंबली का इंटरफ़ेस वोल्टेज स्तर (Vcc आपूर्ति वोल्टेज के समान नहीं) (0–5) | तालिका लुकअप द्वारा डिकोड किया गया | |||||||
| 9 | 0x09 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | उच्चतम सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय. | ||||||
| 10 | 0x0a | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी से एसडीआरएएम एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 11 | 0x0b | डीआईएमएम विन्यास प्रकार (0–2): गैर-ईसीसी, समता, ईसीसी | सारणी अवलोकन | |||||||
| 12 | 0x0c | स्वयं | रिफ्रेश करने की अवधि (0–5): 64, 256, 128, 32, 16, 8 kHz | आवश्यकताओं को रिफ्रेश करें | ||||||
| 13 | 0x0d | बैंक 2 2× | बैंक 1 प्राथमिक एसडीआरएएम चौड़ाई (1–127) | बैंक 1 डेटा एसडीआरएएम उपकरणों की चौड़ाई। यदि बिट 7 सेट है तो बैंक 2 समान चौड़ाई, या 2× चौड़ाई हो सकती है। | ||||||
| 14 | 0x0e | बैंक 2 2× | बैंक 1 ईसीसी एसडीआरएएम चौड़ाई (0–127) | बैंक 1 ईसीसी/समता एसडीआरएएम उपकरणों की चौड़ाई। यदि बिट 7 सेट है तो बैंक 2 समान चौड़ाई, या 2× चौड़ाई हो सकती है। | ||||||
| 15 | 0x0f | अनियमित स्तंभ पढ़ने के लिए घड़ी की देरी | सामान्यतः 1 | |||||||
| 16 | 0x10 | पृष्ठ | — | — | — | 8 | 4 | 2 | 1 | बर्स्ट लंबाई समर्थित (बिटमैप) |
| 17 | 0x11 | एसडीआरएएम उपकरण प्रति बैंक (1–255) | सामान्यतः 4 | |||||||
| 18 | 0x12 | — | 4 | 3.5 | 3 | 2.5 | 2 | 1.5 | 1 | CAS विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 19 | 0x13 | — | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | CS विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 20 | 0x14 | — | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | WE विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 21 | 0x15 | — | x | डिफ घड़ी | एफईटी स्विच बाहरी सक्षम करें | एफईटी स्विच ऑन-बोर्ड सक्षम | ऑन-कार्ड पीएलएल | पंजीकृत | बफ़र | मेमोरी मॉड्यूल फीचर बिटमैप |
| 22 | 0x16 | तेज एपी | समवर्ती ऑटो प्रीचार्ज | ऊपरी Vcc (आपूर्ति वोल्टेज) सहिष्णुता | कम Vcc (आपूर्ति वोल्टेज) सहिष्णुता | — | — | — | कमजोर चालक सम्मिलित हैं | मेमोरी चिप फीचर बिटमैप |
| 23 | 0x17 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | मध्यम सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय. | ||||||
| 24 | 0x18 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | क्लॉक से डेटा एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 25 | 0x19 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | लघु सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय। | ||||||
| 26 | 0x1a | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | क्लॉक से डेटा एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 27 | 0x1b | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज समय (tRP) | ||||||
| 28 | 0x1c | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम पंक्ति सक्रिय-पंक्ति सक्रिय विलंब (tRRD) | ||||||
| 29 | 0x1d | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम RAS to CAS विलंब (tRCD) | ||||||
| 30 | 0x1e | नैनोसेकंड (1–255) | प्रीचार्ज समय के लिए न्यूनतम सक्रिय (tRAS) | |||||||
| 31 | 0x1f | 512 एमआईबी | 256 एमआईबी | 128 एमआईबी | 64 एमआईबी | 32 एमआईबी | 16 एमआईबी/ 4 GiB |
8 एमआईबी/ 2 GiB |
4 एमआईबी/ 1 GiB |
मॉड्यूल बैंक घनत्व (बिटमैप)। अलग-अलग आकार के बैंक होने पर दो बिट सेट होते हैं। |
| 32 | 0x20 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी से एड्रेस/कमांड सेटअप समय | ||||||
| 33 | 0x21 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी के बाद एड्रेस/कमांड नियन्त्रित समय | ||||||
| 34 | 0x22 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी से डेटा इनपुट व्यवस्था समय | ||||||
| 35 | 0x23 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | डेटा इनपुट घड़ी के बाद का समय नियंत्रित करता है | ||||||
| 36–40 | 0x24–0x28 | Reserved | सुपरसेट की जानकारी | |||||||
| 41 | 0x29 | नैनोसेकंड (1–255) | न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करने का समय (tRC) | |||||||
| 42 | 0x2a | नैनोसेकंड (1–255) | सक्रिय/रिफ्रेश करने के समय के लिए न्यूनतम रिफ्रेश करें (tRFC) | |||||||
| 43 | 0x2b | नैनोसेकंड (1–63, or 255: अधिकतम नहीं) | 0.25 एनएस (0–0.75) | अधिकतम घड़ी चक्र समय (tCK max.) | ||||||
| 44 | 0x2c | सौवां नैनोसेकंड (0.01–2.55) | अधिकतम तिरछा, किसी भी डीक्यू के लिए डीक्यूएस। (tDQSQ max.) | |||||||
| 45 | 0x2d | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–1.2) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | डेटा होल्ड स्क्यू फैक्टर पढ़ें (tQHS) | ||||||
| 46 | 0x2e | Reserved | भविष्य के मानकीकरण के लिए | |||||||
| 47 | 0x2f | — | ऊंचाई | डीआईएमएम मॉड्यूल की ऊंचाई, सारणी अवलोकन | ||||||
| 48–61 | 0x30–0x3d | Reserved | भविष्य के मानकीकरण के लिए | |||||||
| 62 | 0x3e | प्रमुख संशोधन (0–9) | सामान्य संशोधन (0–9) | एसपीडी संशोधन स्तर, 0.0 या 1.0 | ||||||
| 63 | 0x3f | जाँच योग | बाइट्स का योग 0-62, फिर अस्वीकृत नहीं | |||||||
| 64–71 | 0x40–47 | निर्माता जेईडीईसी आईडी. | संग्रहित छोटा-एंडियन, अनुगामी शून्य-पैडेड | |||||||
| 72 | 0x48 | मॉड्यूल निर्माण स्थान | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 73–90 | 0x49–0x5a | मॉड्यूल भाग संख्या | एएससीआईआई, अंतरिक्ष-गद्देदार | |||||||
| 91–92 | 0x5b–0x5c | मॉड्यूल संशोधन कोड | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 93 | 0x5d | दसियों साल (0–90) | वर्षों (0–9) | निर्माण तिथि (वाईवाईडब्ल्यूडब्ल्यू) | ||||||
| 94 | 0x5e | दसियों सप्ताह (0–50) | हफ्तों (0–9) | |||||||
| 95–98 | 0x5f–0x62 | मॉड्यूल सीरियल संख्या | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 99–127 | 0x63–0x7f | निर्माता-विशिष्ट डेटा | प्रदर्शन प्रोफाइल बढ़ाया जा सकता है | |||||||
डीडीआर2 एसडीआरएएम
डीडीआर2 एसपीडी मानक में कई बदलाव किए गए हैं, लेकिन सामान्यतः उपरोक्त के समान है। एक उल्लेखनीय विलोपन डीआईएमएम के लिए विभिन्न आकारों के दो रैंकों के साथ भ्रामक और अल्प-प्रयुक्त समर्थन है।
चक्र समय क्षेत्रों (बाइट्स 9, 23, 25 और 49) के लिए, जो बाइनरी-कोडेड दशमलव में एन्कोड किए गए हैं, कुछ अतिरिक्त एन्कोडिंग को दसवें अंक के लिए कुछ सामान्य समय का प्रतिनिधित्व करने के लिए परिभाषित किया गया है:
| हेक्स | बाइनरी | महत्व |
|---|---|---|
| A | 1010 | 0.25 (¼) |
| B | 1011 | 0.33 (⅓) |
| C | 1100 | 0.66 (⅔) |
| D | 1101 | 0.75 (¾) |
| E | 1110 | 0.875 (⅞, एनवीडिया एक्सएमपी विस्तार) |
| F | 1111 | Reserved |
| बाइट | बिट | टिप्पणियाँ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| डेक | Hex | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |
| 0 | 0x00 | लिखे गए बाइट्स की संख्या | सामान्यतः 128 | |||||||
| 1 | 0x01 | log2(एसपीडी ईईपीरोम का आकार) | सामान्यतः 8 (256 बाइट्स) | |||||||
| 2 | 0x02 | बेसिक मेमोरी प्रकार (8 = डीडीआर2 एसडीआरएएम) | ||||||||
| 3 | 0x03 | Reserved | पंक्ति एड्रेस बिट (1–15) | |||||||
| 4 | 0x04 | Reserved | स्तंभ एड्रेस बिट (1–15) | |||||||
| 5 | 0x05 | खड़ी ऊंचाई | स्टैक? | कॉनसी? | रैंक−1 (1–8) | आम तौर पर 0 या 1, जिसका अर्थ 1 या 2 होता है | ||||
| 6 | 0x06 | मॉड्यूल डेटा चौड़ाई | ईसीसी डीआईएमएम के लिए आम तौर पर 64, या 72 | |||||||
| 7 | 0x07 | Reserved | ||||||||
| 8 | 0x08 | इस असेंबली का इंटरफ़ेस वोल्टेज स्तर (Vcc आपूर्ति वोल्टेज के समान नहीं) (0–5) | तालिका लुकअप द्वारा डिकोड किया गया. आमतौर पर 5 = एसएसटीएल 1.8 वी | |||||||
| 9 | 0x09 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | उच्चतम सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय. | ||||||
| 10 | 0x0a | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी से एसडीआरएएम एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 11 | 0x0b | डीआईएमएम विन्यास प्रकार (0–2): गैर-ईसीसी, समता, ईसीसी | सारणी अवलोकन | |||||||
| 12 | 0x0c | स्वयं | रिफ्रेश करने की अवधि (0–5): 64, 256, 128, 32, 16, 8 kHz | आवश्यकताओं को रिफ्रेश करें | ||||||
| 13 | 0x0d | प्राथमिक एसडीआरएएम चौड़ाई (1–255) | आमतौर पर 8 (×8 भागों से निर्मित मॉड्यूल) या 16 | |||||||
| 14 | 0x0e | ईसीसी एसडीआरएएम चौड़ाई (0–255) | बैंक ईसीसी/पैरिटी एसडीआरएएम उपकरणों की चौड़ाई। आमतौर पर 0 या 8। | |||||||
| 15 | 0x0f | Reserved | ||||||||
| 16 | 0x10 | — | — | — | — | 8 | 4 | — | — | बर्स्ट लंबाई समर्थित (बिटमैप) |
| 17 | 0x11 | एसडीआरएएम उपकरण प्रति बैंक (1–255) | सामान्यतः 4 या 8 | |||||||
| 18 | 0x12 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | — | — | CAS विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 19 | 0x13 | Reserved | ||||||||
| 20 | 0x14 | — | — | मिनी-यूडीआईएमएम | मिनी-आरडीआईएमएम | माइक्रो-डीआईएमएम | एसओ-डीआईएमएम | यूडीआईएमएम | आरडीआईएमएम | इस असेंबली का डीआईएमएम प्रकार (बिटमैप) |
| 21 | 0x15 | — | मॉड्यूल विश्लेषण जांच है | — | एफईटी स्विच बाहरी सक्षम करें | — | — | — | — | मेमोरी मॉड्यूल फीचर बिटमैप |
| 22 | 0x16 | — | — | — | — | — | — | — | कमजोर चालक सम्मिलित हैं | मेमोरी चिप फीचर बिटमैप |
| 23 | 0x17 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | मध्यम सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय. | ||||||
| 24 | 0x18 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | क्लॉक से डेटा एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 25 | 0x19 | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | लघु सीएएस विलंबता पर घड़ी चक्र का समय। | ||||||
| 26 | 0x1a | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | क्लॉक से डेटा एक्सेस समय (tAC) | ||||||
| 27 | 0x1b | नैनोसेकंड (1–63) | 1/4 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज समय (tRP) | ||||||
| 28 | 0x1c | नैनोसेकंड (1–63) | 1/4 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम पंक्ति सक्रिय-पंक्ति सक्रिय विलंब (tRRD) | ||||||
| 29 | 0x1d | नैनोसेकंड (1–63) | 1/4 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम RAS to CAS विलबं (tRCD) | ||||||
| 30 | 0x1e | नैनोसेकंड (1–255) | प्रीचार्ज समय के लिए न्यूनतम सक्रिय (tRAS) | |||||||
| 31 | 0x1f | 512 एमआईबी | 256 एमआईबी | 128 एमआईबी | 16 GiB | 8 GiB | 4 GiB | 2 GiB | 1 GiB | प्रत्येक रैंक का आकार (बिटमैप)। |
| 32 | 0x20 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–1.2) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी से एड्रेस/कमांड सेटअप समय | ||||||
| 33 | 0x21 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–1.2) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | घड़ी के बाद एड्रेस/कमांड नियन्त्रित समय | ||||||
| 34 | 0x22 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | स्ट्रोब से डेटा इनपुट सेटअप समय | ||||||
| 35 | 0x23 | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | सौवां नैनोसेकंड (0.00–0.09) | स्ट्रोब के बाद डेटा इनपुट होल्ड टाइम | ||||||
| 36 | 0x24 | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25 एनएस (0–0.75) | न्यूनतम लेखन पुनर्प्राप्ति समय (tWR) | ||||||
| 37 | 0x25 | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25 एनएस (0–0.75) | कमांड विलंब पढ़ने के लिए आंतरिक लेखन (tWTR) | ||||||
| 38 | 0x26 | नैनोसेकंड (1–63) | 0.25 एनएस (0–0.75) | प्रीचार्ज कमांड विलंब के लिए आंतरिक रीड (tRTP) | ||||||
| 39 | 0x27 | Reserved | "मेमोरी विश्लेषण जांच विशेषताओं" के लिए आरक्षित | |||||||
| 40 | 0x28 | — | tRC आंशिक एनएस (0–5): 0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75 |
tRFC fractional एनएस (0–5): 0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75 |
tRFC + 256 एनएस | बाइट्स 41 और 42 का विस्तार। | ||||
| 41 | 0x29 | नैनोसेकंड (1–255) | न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करने का समय (tRC) | |||||||
| 42 | 0x2a | नैनोसेकंड (1–255) | सक्रिय/रिफ्रेश करने के समय के लिए न्यूनतम रिफ्रेश करें (tRFC) | |||||||
| 43 | 0x2b | नैनोसेकंड (0–15) | नैनोसेकंड का दसवां भाग (0.0–0.9) | अधिकतम घड़ी चक्र समय (tCK max) | ||||||
| 44 | 0x2c | सौवां नैनोसेकंड (0.01–2.55) | अधिकतम तिरछा, किसी भी डीक्यू के लिए डीक्यूएस। (tDQSQ max) | |||||||
| 45 | 0x2d | सौवां नैनोसेकंड (0.01–2.55) | डेटा होल्ड स्क्यू फैक्टर पढ़ें (tQHS) | |||||||
| 46 | 0x2e | माइक्रोसेकंड (1–255) | पीएलएल रीलॉक टाइम | |||||||
| 47–61 | 0x2f–0x3d | Reserved | भविष्य के मानकीकरण के लिए. | |||||||
| 62 | 0x3e | प्रमुख संशोधन (0–9) | साधारण संशोधन (0.0–0.9) | एसपीडी संशोधन स्तर, आमतौर पर 1.0 | ||||||
| 63 | 0x3f | जाँच योग | बाइट्स का योग 0–62, अस्वीकृत नहीं | |||||||
| 64–71 | 0x40–47 | निर्माता जेईडीईसी आईडी | स्टोर्ड लिटिल-एंडियन, ट्रेलिंग जीरो-पैड | |||||||
| 72 | 0x48 | मॉड्यूल निर्माण स्थान | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 73–90 | 0x49–0x5a | मॉड्यूल भाग संख्या | एएससीआईआई, अंतरिक्ष-गद्देदार ( (,-,), A–Z, a–z, 0–9, तक सीमित स्थान है) | |||||||
| 91–92 | 0x5b–0x5c | मॉड्यूल संशोधन कोड | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 93 | 0x5d | 2000 से वर्ष (0–255) | निर्माण तिथि (वाईवाईडब्ल्यूडब्ल्यू) | |||||||
| 94 | 0x5e | हफ्तों (1–52) | ||||||||
| 95–98 | 0x5f–0x62 | मॉड्यूल सीरियल संख्या | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 99–127 | 0x63–0x7f | निर्माता-विशिष्ट डेटा | प्रदर्शन प्रोफाइल बढ़ाया जा सकता है | |||||||
डीडीआर3 एसडीआरएएम
डीडीआर3 एसडीरैम मानक महत्वपूर्ण रूप से एसपीडी विषय सूची लेआउट को ओवरहाल और सरल करता है। कई बीसीडी-एन्कोडेड नैनोसेकंद फ़ील्ड के अतिरिक्त, कुछ समयबेस इकाइयां उच्च परिशुद्धता के लिए निर्दिष्ट हैं, और विभिन्न समय पैरामीटर उस आधार इकाई के गुणकों के रूप में एन्कोड किए गए हैं।[8] इसके अतिरिक्त, सीएएस विलंबता के आधार पर अलग-अलग समय मानों को निर्दिष्ट करने की प्रथा को हटा दिया गया है; अब समय पैरामीटर्स का सिर्फ एक सेट है।
संशोधन 1.1 कुछ मापदंडों को एक मध्यम समय आधार मूल्य और a (हस्ताक्षरित, -128 +127) ठीक समय आधार सुधार के रूप में व्यक्त करने देता है। सामान्यतः, मध्यम समय का आधार 1/8 एनएस (125 पीएस) होता है, और ठीक समय का आधार 1, 2.5 या 5 पीएस होता है। सुधार की कमी वाले पिछले संस्करणों के साथ संगतता के लिए, मध्यम समय आधार संख्या सामान्यतः गोल होती है और सुधार ऋणात्मक होता है। इस तरह काम करने वाले मान हैं:
| एमटीबी बाइट | एफटीबी बाइट | मान |
|---|---|---|
| 12 | 34 | tCKmin, न्यूनतम घड़ी अवधि |
| 16 | 35 | tAAmin, न्यूनतम सीएएस विलंबता समय |
| 18 | 36 | tRCDmin, न्यूनतम आरएएस# से सीएएस# विलंब |
| 20 | 37 | tRPmin, न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज विलंब |
| 21, 23 | 38 | tRCmin,न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/प्रीचार्ज विलंब |
| बाइट | बिट | टिप्पणियाँ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| डेक | हेक्स | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |
| 0 | 0x00 | सीआरसी से सीरियल को बाहर करें | एसपीडी बाइट कुल (अपरिभाषित/256) | प्रयुक्त एसपीडी बाइट (अपरिभाषित/128/176/256) | ||||||
| 1 | 0x01 | एसपीडी प्रमुख संशोधन | एसपीडी साधारण संशोधन | 1.0, 1.1, 1.2 or 1.3 | ||||||
| 2 | 0x02 | बेसिक मेमोरी टाइप (11 = डीडीआर3 एसडीआरएएम) | रैम चिप्स का प्रकार | |||||||
| 3 | 0x03 | Reserved | मॉड्यूल प्रकार | मॉड्यूल का प्रकार; उदाहरण के लिए, 2 = अनबफर्ड डीआईएमएम, 3 = एसओ-डीआईएमएम, 11 = एलआरडीआईएमएम | ||||||
| 4 | 0x04 | — | बैंक एड्रेस बिट्स -3 | log2(बिट्स प्रति चिप)−28 | शून्य का अर्थ है 8 बैंक, 256 मिबिट। | |||||
| 5 | 0x05 | — | पंक्ति एड्रेस बिट्स -12 | कॉलम एड्रेस बिट्स-9 | ||||||
| 6 | 0x06 | Reserved | 1.25 वी | 1.35 वी | 1.5 वी नहीं | मॉड्यूल वोल्टेज समर्थित। 1.5 वी डिफ़ॉल्ट है। | ||||
| 7 | 0x07 | — | रैंक -1 | log2(आई/ओ बिट्स/चिप)−2 | मॉड्यूल संगठन | |||||
| 8 | 0x08 | — | ईसीसी बिट्स (001=8) | log2(डेटा बिट्स)−3 | 64-बिट, गैर-ईसीसी डीआईएमएम के लिए 0x03। | |||||
| 9 | 0x09 | लाभांश, पिकोसेकंड (1–15) | भाजक, पिकोसेकंड (1–15) | फाइन टाइम बेस, लाभांश/भाजक | ||||||
| 10 | 0x0a | लाभांश, नैनोसेकंड (1–255) | मध्यम समय आधार, लाभांश/भाजक; आमतौर पर 1/8 | |||||||
| 11 | 0x0b | भाजक, नैनोसेकंड (1–255) | ||||||||
| 12 | 0x0c | न्यूनतम चक्र समय tCKmin | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 13 | 0x0d | Reserved | ||||||||
| 14 | 0x0e | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | सीएएस विलंबता समर्थित (बिटमैप) |
| 15 | 0x0f | — | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | |
| 16 | 0x10 | न्यूनतम सीएएस विलंबता समय, tAAmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 80/8 एनएस. | |||||||
| 17 | 0x11 | न्यूनतम लेखन पुनर्प्राप्ति समय, tWRmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 120/8 एनएस. | |||||||
| 18 | 0x12 | न्यूनतम आरएएस से सीएएस विलंब समय, tRCDmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 100/8 एनएस. | |||||||
| 19 | 0x13 | न्यूनतम पंक्ति से पंक्ति सक्रिय विलंब समय, tRRDmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | |||||||
| 20 | 0x14 | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज समय, tRPmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 100/8 एनएस. | |||||||
| 21 | 0x15 | tRCmin, बिट्स 11:8 | tRASmin, बिट्स 11:8 | बाइट्स 23 और 22 के ऊपरी 4 बिट | ||||||
| 22 | 0x16 | समय के लिए न्यूनतम सक्रिय, tRASmin, बिट्स 7:0 | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 280/8 एनएस. | |||||||
| 23 | 0x17 | न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश करें, tRCmin, बिट्स 7:0 | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 396/8 एनएस. | |||||||
| 24 | 0x18 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब, tRFCmin, बिट्स 7:0 | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 1280/8 एनएस. | |||||||
| 25 | 0x19 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब, tRFCmin, बिट्स 15:8 | ||||||||
| 26 | 0x1a | देरी पढ़ने के लिए न्यूनतम आंतरिक लेखन, tWTRmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | |||||||
| 27 | 0x1b | प्रीचार्ज विलंब के लिए न्यूनतम आंतरिक रीड, tRTPmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | |||||||
| 28 | 0x1c | Reserved | tFAWmin, बिट्स 11:8 | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 240/8 एनएस. | ||||||
| 29 | 0x1d | न्यूनतम चार सक्रिय विंडो विलंब tFAWmin, बिट्स 7:0 | ||||||||
| 30 | 0x1e | डीएलएल-बंद | — | आरजेडक्यू/7 | आरजेडक्यू/6 | एसडीआरएएम वैकल्पिक विशेषताएं बिटमैप का समर्थन करती हैं | ||||
| 31 | 0x1f | पीएएसआर | — | ओडीटीएस | एएसआर | ईटीआर 1× | ईटीआर (95 °C) | एसडीआरएएम थर्मल और रिफ्रेश विकल्प | ||
| 32 | 0x20 | वर्तमान | शुद्धता (टीबीडी; वर्तमान में 0 = अपरिभाषित) | डीआईएमएम थर्मल सेंसर उपस्थित है? | ||||||
| 33 | 0x21 | गैर मानक। | डाई काउंट | — | सिग्नल लोड | गैर-मानक एसडीआरएएम उपकरण प्रकार (उदा., स्टैक्ड डाई) | ||||
| 34 | 0x22 | tCKmin सुधार (1.1 के लिए नया) | एफटीबी के गुणक पर हस्ताक्षर किए, बाइट 12 में जोड़े गए | |||||||
| 35 | 0x23 | tAAmin सुधार (1.1 के लिए नया) | एफटीबी के गुणक पर हस्ताक्षर किए, बाइट 16 में जोड़े गए | |||||||
| 36 | 0x24 | tRCDmin सुधार (1.1 के लिए नया) | एफटीबी के गुणक पर हस्ताक्षर किए, बाइट 18 में जोड़े गए | |||||||
| 37 | 0x25 | tRPmin सुधार (1.1 के लिए नया) | एफटीबी के गुणक पर हस्ताक्षर किए, बाइट 20 में जोड़े गए | |||||||
| 38 | 0x26 | tRCmin सुधार (1.1 के लिए नया) | एफटीबी के गुणक पर हस्ताक्षर किए, बाइट 23 में जोड़े गए | |||||||
| 39–40 | 0x27–0x28 | Reserved | भविष्य के मानकीकरण के लिए. | |||||||
| 41 | 0x29 | विक्रेता विशिष्ट | tMAW | अधिकतम सक्रिय गणना (मैक) (अपरीक्षित/700k/600k/.../200k/आरक्षित/∞) | पंक्ति हथौड़ा शमन के लिए | |||||
| 42–59 | 0x2a–0x3b | Reserved | भविष्य के मानकीकरण के लिए. | |||||||
| 60 | 0x3c | — | मॉड्यूल ऊंचाई, मिमी (1–31, >45) | मॉड्यूल नाममात्र ऊंचाई | ||||||
| 61 | 0x3d | पीछे की मोटाई, मिमी (1–16) | सामने की मोटाई, मिमी (1–16) | मॉड्यूल की मोटाई, मान = छत (मिमी) - 1 | ||||||
| 62 | 0x3e | डिज़ाइन | दोहराव | जेईडीईसी डिजाइन संख्या | जेईडीईसी संदर्भ डिजाइन प्रयुक्त (11111 = कोई नहीं) | |||||
| 63–116 | 0x3f–0x74 | मॉड्यूल-विशिष्ट खंड | पंजीकृत / असंबद्ध के बीच अंतर | |||||||
| 117 | 0x75 | मॉड्यूल निर्माता आईडी, आईएसबाइट | जेईपी-106 द्वारा सौंपा गया | |||||||
| 118 | 0x76 | मॉड्यूल निर्माता आईडी, एमएसबाइट | ||||||||
| 119 | 0x77 | मॉड्यूल निर्माण स्थान | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 120 | 0x78 | दसियों साल | वर्षों | निर्माण वर्ष (बीसीडी) | ||||||
| 121 | 0x79 | दसियों सप्ताह | हफ्तों | विनिर्माण सप्ताह (बीसीडी) | ||||||
| 122–125 | 0x7a–0x7d | मॉड्यूल सीरियल संख्या | विक्रेता-विशिष्ट कोड | |||||||
| 126–127 | 0x7e–0x7f | एसपीडी सीआरसी-16 | बाइट्स 0-116 या 0-125 सम्मिलित हैं; बाइट 0 बिट 7 देखें | |||||||
| 128–145 | 0x80–0x91 | मॉड्यूल भाग संख्या | एएससीआईआई सबसेट, स्पेस-पैडेड | |||||||
| 146–147 | 0x92–0x93 | मॉड्यूल संशोधन कोड | विक्रेता परिभाषित | |||||||
| 148–149 | 0x94–0x95 | डीरैम निर्माता आईडी | मॉड्यूल निर्माता से अलग के रूप में | |||||||
| 150–175 | 0x96–0xAF | निर्माता-विशिष्ट डेटा | ||||||||
| 176–255 | 0xB0–0xFF | ग्राहक उपयोग के लिए उपलब्ध है | ||||||||
मॉड्यूल की मेमोरी क्षमता की गणना बाइट्स 4, 7 और 8 से की जा सकती है। मॉड्यूल चौड़ाई (बाइट 8) प्रति चिप बिट्स की संख्या से विभाजित (बाइट 7) प्रति रैंक चिप्स की संख्या देती है। इसके बाद प्रति-चिप क्षमता (बाइट 4) और मॉड्यूल पर चिप्स के रैंक की संख्या (सामान्यतः 1 या 2, बाइट 7 से) से गुणा किया जा सकता है।
डीडीआर4 एसडीआरएएम
एसपीडी के लिए डीडीआर4 एसडीआरएएम एनेक्स एल मानक उपयोग किए गए ईईपीरोम मॉड्यूल को बदलता है। पुराने AT24C02-संगत 256-बाइट ईईपीरोम के अतिरिक्त, जेईडीईसी अब नए गैर-मानक EE1004 प्रकार को एसएमबस स्तर पर दो पृष्ठों के साथ प्रत्येक 256 बाइट्स के साथ परिभाषित करता है। नई मेमोरी अभी भी पुराने 0x50–0x57 एड्रेस का उपयोग करती है, लेकिन 0x36 (SPA0) और 0x37 (SPA1) पर दो अतिरिक्त एड्रेस अब बस के लिए वर्तमान-सक्रिय पृष्ठ का चयन करने के लिए कमांड प्राप्त करने के लिए उपयोग किए जाते हैं, जो बैंक स्विचिंग का रूप है।[9] आंतरिक रूप से प्रत्येक तार्किक पृष्ठ को 128 बाइट्स के दो भौतिक ब्लॉकों में विभाजित किया जाता है, जिनमें से प्रत्येक कुल चार ब्लॉक और 512 बाइट्स होते हैं।[10] विशेष एड्रेस श्रेणियों के लिए अन्य सिमेंटिक्स समान रहते हैं, चूंकि लेखन सुरक्षा को अब ब्लॉकों द्वारा संबोधित किया जाता है और SA0 पर उच्च वोल्टेज को अब इसकी स्थिति बदलने की आवश्यकता है।[11]
अनुलग्नक एल मेमोरी मॉड्यूल के प्रकार के आधार पर कुछ अलग-अलग लेआउट को परिभाषित करता है जिन्हें 512-बाइट (जिनमें से अधिकतम 320 बाइट्स परिभाषित हैं) टेम्पलेट में प्लग किया जा सकता है। बिट परिभाषाएँ डीडीआर3 के समान हैं।[10]
| बाइट | बिट | टिप्पणियाँ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| डेक | हेक्स | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |
| 0 | 0x00 | एसपीडी बाइट्स का उपयोग किया | ||||||||
| 1 | 0x01 | एसपीडी संशोधन एन | सामान्यतः 0x10, 0x11, 0x12 | |||||||
| 2 | 0x02 | बेसिक मेमोरी टाइप (12 = डीडीआर4 एसडीआरएएम) | रैम चिप्स का प्रकार | |||||||
| 3 | 0x03 | Reserved | मॉड्यूल प्रकार | मॉड्यूल का प्रकार; उदाहरण के लिए, 2 = अनबफर्ड डीआईएमएम, 3 = एसओ-डीआईएमएम, 11 = एलआरडीआईएमएम | ||||||
| 4 | 0x04 | बैंक समूह बिट्स | बैंक एड्रेस बिट्स-2 | जीबी में कुल एसडीआरएएम क्षमता प्रति डाई | शून्य का अर्थ है कोई बैंक समूह नहीं, 4 बैंक, 256 मिबिट. | |||||
| 5 | 0x05 | Reserved | पंक्ति एड्रेस बिट्स -12 | कॉलम एड्रेस बिट्स-9 | ||||||
| 6 | 0x06 | प्राथमिक एसडीआरएएम पैकेज प्रकार | डाई काउंट | Reserved | सिग्नल लोड हो रहा है | |||||
| 7 | 0x07 | Reserved | अधिकतम सक्रिय विंडो (tMAW) | अधिकतम सक्रिय गणना (मैक) | एसडीआरएएम वैकल्पिक विशेषताएं | |||||
| 8 | 0x08 | Reserved | एसडीआरएएम थर्मल और रिफ्रेश विकल्प | |||||||
| 9 | 0x09 | पोस्ट पैकेज मरम्मत (पीपीआर) | सॉफ्ट पीपीआर | Reserved | अन्य एसडीआरएएम वैकल्पिक विशेषताएं | |||||
| 10 | 0x0a | एसडीआरएएम पैकेज प्रकार | डाई काउंट−1 | डीरैम घनत्व अनुपात | सिग्नल लोड हो रहा है | माध्यमिक एसडीआरएएम पैकेज प्रकार | ||||
| 11 | 0x0b | Reserved | स्थायी झंडा | चलने योग्य झंडा | मॉड्यूल नाममात्र वोल्टेज, वीडीडी | |||||
| 12 | 0x0c | Reserved | रैंक मिक्स | पैकेज रैंक प्रति डीआईएमएम-1 | एसडीआरएएम डिवाइस की चौड़ाई | मॉड्यूल संगठन | ||||
| 13 | 0x0d | Reserved | बस की चौड़ाई का विस्तार | प्राथमिक बस चौड़ाई | बिट्स में मॉड्यूल मेमोरी बस चौड़ाई | |||||
| 14 | 0x0e | थर्मल सेंसर | Reserved | मापांक थर्मल सेंसर | ||||||
| 15 | 0x0f | Reserved | विस्तारित आधार मॉड्यूल प्रकार | |||||||
| 16 | 0x10 | Reserved | ||||||||
| 17 | 0x11 | Reserved | मीडियम समय आधार (एमटीबी) | फाइन समय आधार (एफटीबी) | पीएस में मापा गया। | |||||
| 18 | 0x12 | न्यूनतम एसडीआरएएम चक्र समय, tCKAVGmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 100/8 एनएस. | |||||||
| 19 | 0x13 | अधिकतम एसडीआरएएम चक्र समय, tCKAVGmax | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | |||||||
| 20 | 0x14 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | सीएएस विलंबता ने बिट-मास्क का समर्थन किया |
| 21 | 0x15 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | सीएएस विलंबता ने बिट-मास्क का समर्थन किया |
| 22 | 0x16 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | सीएएस विलंबता ने बिट-मास्क का समर्थन किया |
| 23 | 0x17 | कम सीएल रेंज | Reserved | 36 | 35 | 34 | 33 | 32 | 31 | सीएएस विलंबता ने बिट-मास्क का समर्थन किया |
| 24 | 0x18 | न्यूनतम सीएएस विलंबता समय, tAAmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 1280/8 एनएस. | |||||||
| 25 | 0x19 | न्यूनतम आरएएस से सीएएस विलंब समय, tRCDmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | |||||||
| 26 | 0x1a | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज विलंब time, tRPmin | एमटीबी के गुणकों में; जैसे, 60/8 एनएस. | |||||||
| 27 | 0x1b | tRASmin और tRCmin के लिए ऊपरी निबल्स | ||||||||
| 28 | 0x1c | देरी के समय को प्रीचार्ज करने के लिए न्यूनतम सक्रिय, tRASmin कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 29 | 0x1d | न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश विलंब समय, tRCmin कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 30 | 0x1e | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, tRFC1min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 31 | 0x1f | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, tRFC1min सबसे महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 32 | 0x20 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, tRFC2min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 33 | 0x21 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, tRFC2min सबसे महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 34 | 0x22 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, tRFC4min कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 35 | 0x23 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय, tRFC4min सबसे महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 36 | 0x24 | Reserved | tFAWmin सबसे महत्वपूर्ण निब्ब्ल | |||||||
| 37 | 0x25 | न्यूनतम चार सक्रिय विंडो विलंब समय, tFAWmin कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 38 | 0x26 | देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय, tRRD_Smin, विभिन्न बैंक समूह | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 39 | 0x27 | देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय, tRRD_Lmin, एक ही बैंक समूह | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 40 | 0x28 | न्यूनतम सीएएस से सीएएस विलंब समय, tCCD_Lmin, एक ही बैंक समूह | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 41 | 0x29 | tWRmin के लिए ऊपरी निब्ब्ल | ||||||||
| 42 | 0x2a | न्यूनतम लेखन पुनर्प्राप्ति समय, tWRmin | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 43 | 0x2b | tWTRmin के लिए ऊपरी निब्ब्ल | ||||||||
| 44 | 0x2c | पढ़ने के लिए लिखने का न्यूनतम समय, tWTR_Smin, विभिन्न बैंक समूह | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 45 | 0x2d | पढ़ने के लिए लिखने का न्यूनतम समय, tWTR_Lmin, एक ही बैंक समूह | एमटीबी के गुणकों में | |||||||
| 49–59 | 0x2e–0x3b | Reserved | आधार विन्यास खंड | |||||||
| 60–77 | 0x3c–0x4d | एसडीआरएएम बिट मैपिंग के लिए कनेक्टर | ||||||||
| 78–116 | 0x4e–0x74 | Reserved | आधार विन्यास खंड | |||||||
| 117 | 0x75 | न्यूनतम सीएएस से सीएएस विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, tCCD_Lmin, एक ही बैंक | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 118 | 0x76 | देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय के लिए ठीक ऑफसेट, tRRD_Lmin, एक ही बैंक समूह | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 119 | 0x77 | देरी के समय को सक्रिय करने के लिए न्यूनतम सक्रिय के लिए ठीक ऑफसेट, tRRD_Smin, विभिन्न बैंक समूह | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 120 | 0x78 | न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश विलंब समय के लिए फ़ाइन ऑफ़सेट, tRCmin | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 121 | 0x79 | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, tRPmin | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 122 | 0x7a | न्यूनतम आरएएस से सीएएस विलंब समय के लिए ठीक ऑफसेट, tRCDmin | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 123 | 0x7b | न्यूनतम सीएएस विलंबता समय के लिए ठीक ऑफसेट, tAAmin | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 124 | 0x7c | एसडीआरएएम अधिकतम चक्र समय के लिए ठीक ऑफसेट, tCKAVGmax | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 125 | 0x7d | एसडीआरएएम न्यूनतम चक्र समय के लिए ठीक ऑफसेट, tCKAVGmin | एफटीबी इकाइयों के लिए दो का पूरक गुणक | |||||||
| 126 | 0x7e | आधार विन्यास अनुभाग के लिए चक्रीय अतिरेक कोड (सीआरसी), कम से कम महत्वपूर्ण बाइट | सीआरसी16 एल्गोरिथम | |||||||
| 127 | 0x7f | बेस कॉन्फ़िग सेक्शन के लिए साइक्लिक रिडंडेंसी कोड (सीआरसी), सबसे महत्वपूर्ण बाइट | सीआरसी16 एल्गोरिथम | |||||||
| 128–191 | 0x80–0xbf | मॉड्यूल-विशिष्ट खंड | मेमोरी मॉड्यूल परिवार पर निर्भर (यूडीआईएमएम, आरडीआईएमएम, एलआरडीआईएमएम) | |||||||
| 192–255 | 0xc0–0xff | हाइब्रिड मेमोरी आर्किटेक्चर विशिष्ट पैरामीटर | ||||||||
| 256–319 | 0x100–0x13f | विस्तारित फ़ंक्शन पैरामीटर ब्लॉक | ||||||||
| 320–321 | 0x140–0x141 | मॉड्यूल निर्माता | जेईपी-106 देखें | |||||||
| 322 | 0x142 | मॉड्यूल निर्माण स्थान | निर्माता-परिभाषित विनिर्माण स्थान कोड | |||||||
| 323 | 0x143 | मॉड्यूल निर्माण वर्ष | बाइनरी कोडेड डेसीमल (बीसीडी) में प्रतिनिधित्व | |||||||
| 324 | 0x144 | मॉड्यूल निर्माण सप्ताह | बाइनरी कोडेड डेसीमल (बीसीडी) में प्रतिनिधित्व | |||||||
| 325–328 | 0x145–0x148 | मॉड्यूल सीरियल संख्या | भाग संख्याओं में एक अद्वितीय सीरियल नंबर के लिए निर्माता-परिभाषित प्रारूप | |||||||
| 329–348 | 0x149–0x15c | मॉड्यूल भाग संख्या | एएससीआईआई भाग संख्या, अप्रयुक्त अंकों को 0x20 पर सेट किया जाना चाहिए | |||||||
| 349 | 0x15d | मॉड्यूल संशोधन कोड | निर्माता-परिभाषित संशोधन कोड | |||||||
| 350–351 | 0x15e–0x15f | डीरैम निर्माता आईडी कोड | जेईपी-106 देखें | |||||||
| 352 | 0x160 | डीरैम कदम | निर्माता-परिभाषित स्टेपिंग या 0xFF यदि उपयोग नहीं किया जाता है | |||||||
| 353–381 | 0x161–0x17d | निर्माता का विशिष्ट डेटा | ||||||||
| 382–383 | 0x17e–0x17f | Reserved | ||||||||
डीडीआर5 एसडीआरएएम
जेईएसडी400-5 विनिर्देश के आधार पर डीडीआर5 के लिए प्रारंभिक तालिका।
डीडीआर5 एसपीडी तालिका को 1024-बाइट तक विस्तृत करता है। डीडीआर5 का एसपीडी I3C (बस) बस का उपयोग कर रहा है।
| बाइट | बिट | टिप्पणियाँ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| डेक | हेक्स | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |
| 0 | 0x00 | एसपीडी डिवाइस में बाइट्स की संख्या | ||||||||
| 1 | 0x01 | बेस विन्यासेशन पैरामीटर के लिए एसपीडी संशोधन | ||||||||
| 2 | 0x02 | कुंजी बाइट / होस्ट बस कमांड प्रोटोकॉल प्रकार | ||||||||
| 3 | 0x03 | कुंजी बाइट / मॉड्यूल प्रकार | ||||||||
| 4 | 0x04 | पहला एसडीआरएएम घनत्व और पैकेज | ||||||||
| 5 | 0x05 | पहला एसडीआरएएम एड्रेसिंग | ||||||||
| 6 | 0x06 | पहला एसडीआरएएम आई/ओ चौड़ाई | ||||||||
| 7 | 0x07 | पहले एसडीआरएएम बैंक समूह और बैंक प्रति बैंक समूह | ||||||||
| 8 | 0x08 | दूसरा एसडीआरएएम घनत्व और पैकेज | ||||||||
| 9 | 0x09 | दूसरा एसडीआरएएम एड्रेसिंग | ||||||||
| 10 | 0x0a | दूसरा एसडीआरएएम आई/ओ चौड़ाई | ||||||||
| 11 | 0x0b | दूसरा एसडीआरएएम बैंक समूह और बैंक प्रति बैंक समूह | ||||||||
| 12 | 0x0c | एसडीआरएएम वैकल्पिक विशेषताएं | ||||||||
| 13 | 0x0d | थर्मल और रिफ्रेश विकल्प | ||||||||
| 14 | 0x0e | Reserved | ||||||||
| 15 | 0x0f | Reserved | ||||||||
| 16 | 0x10 | एसडीआरएएम नाममात्र वोल्टेज, वीडीडी | ||||||||
एक्सटेंशन
जेईडीईसी मानक केवल कुछ एसपीडी बाइट्स निर्दिष्ट करता है। वास्तव में महत्वपूर्ण डेटा पहले 64 बाइट्स में फिट बैठता है,[6][7][13][14][15] जबकि कुछ शेष निर्माता की पहचान के लिए निर्धारित हैं। चूँकि, 256-बाइट ईईपीरोम सामान्यतः प्रदान किया जाता है। शेष स्थान का अनेक उपयोग किया गया है।
उन्नत प्रदर्शन प्रोफाइल (ईपीपी)
सभी प्रणालियों पर बुनियादी कार्यक्षमता सुनिश्चित करने के लिए मेमोरी सामान्यतः एसपीडी रोम में रूढ़िवादी समय अनुशंसाओं के साथ आती है। उत्साही अधिकांश उच्च गति के लिए मेमोरी समय को मानवीकृत रूप से समायोजित करने में काफी समय व्यतीत करते हैं।
उन्नत प्रदर्शन प्रोफ़ाइल एसपीडी का विस्तार है, जिसे एनवीडिया और कोर्सेर गेमिंग द्वारा विकसित किया गया है, जिसमें डीडीआर2 एसडीआरएएम के उच्च-प्रदर्शन संचालन के लिए अतिरिक्त जानकारी सम्मिलित है, जिसमें आपूर्ति वोल्टेज और कमांड समय जानकारी सम्मिलित है जो जेईडीईसी एसपीडी स्पेक में सम्मिलित नहीं है। ईपीपी जानकारी उसी ईईपीरोम में संग्रहीत होती है, लेकिन बाइट्स 99-127 में, जो मानक डीडीआर2 एसपीडी द्वारा उपयोग नहीं की जाती हैं।[16]
| बाइट्स | आकार | पूर्ण प्रोफ़ाइल | संक्षिप्त प्रोफाइल |
|---|---|---|---|
| 99–103 | 5 | ईपीपी हेडर | |
| 104–109 | 6 | प्रोफाइल एफपी1 | प्रोफाइल एपी1 |
| 110–115 | 6 | प्रोफाइल एपी2 | |
| 116–121 | 6 | प्रोफाइल एफपी2 | प्रोफाइल एपी3 |
| 122–127 | 6 | प्रोफाइल एपी4 | |
मापदंडों को विशेष रूप से एनफोर्स 500, एनफोर्स 600 और एनफोर्स 700 चिपसेट पर मेमोरी कंट्रोलर को फिट करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। एनवीडिया अपने हाई-एंड मदरबोर्ड चिपसेट के लिए बीआईओएस में ईपीपी के लिए समर्थन को प्रोत्साहित करता है। इसका उद्देश्य न्यूनतम प्रयास के साथ बेहतर प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए एक-क्लिक ओवरक्लॉकिंग प्रदान करना है।
ईपीपी मेमोरी के लिए एनवीडिया का नाम जो प्रदर्शन और स्थिरता के लिए योग्य है, एसएलआई-तैयार मेमोरी है।[17] एसएलआई-रेडी-मेमोरी शब्द ने कुछ भ्रम पैदा किया है, क्योंकि इसका स्केलेबल लिंक इंटरफ़ेस से कोई लेना-देना नहीं है। कोई एकल वीडियो कार्ड (यहां तक कि गैर-एनवीडिया कार्ड) के साथ ईपीपी/एसएलआई मेमोरी का उपयोग कर सकता है, और कोई ईपीपी/एसएलआई मेमोरी के बिना मल्टी-कार्ड एसएलआई वीडियो सेटअप चला सकता है।
विस्तारित संस्करण, ईपीपी 2.0, डीडीआर3 मेमोरी को भी सपोर्ट करता है।[18]
इंटेल एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (एक्सएमपी)
एक समान, इंटेल द्वारा विकसित जेईडीईसी एसपीडी एक्सटेंशन डीडीआर3 एसडीरैम डीआईएमएम के लिए विकसित किया गया था, जिसे बाद में डीडीआर3 एसडीरैम में भी उपयोग किया गया था। एक्सएमपी बाइट 176–255 का उपयोग करता है, जो उच्च-प्रदर्शन मेमोरी टाइमिंग को एनकोड करने के लिए जेईडीईसी द्वारा आवंटित नहीं किए जाते हैं।।[19]
इसके बाद, एएमडी ने एएमपी को एएमडी प्लेटफॉर्म में उपयोग के लिए अनुकूलित मेमोरी मॉड्यूल की "राडॉन मेमोरी" लाइन में उपयोग के लिए एक्सएमपी के समकक्ष विधि विकसित किया था।[20][21] इसके अतिरिक्त, मदरबोर्ड डेवलपर्स ने अपने एएमडी-आधारित मदरबोर्ड को एक्सएमपी प्रोफाइल पढ़ने की अनुमति देने के लिए अपनी स्वयं की विधियों को प्रायुक्त किया: एमएसआई ए-एक्सएमपी प्रदान करता है,[22] असुस में डीओसीपी (डायरेक्ट ओवर क्लॉक प्रोफाइल) है, और गीगाबाइट में ईओसीपी (एक्सटेंडेड ओवर क्लॉक प्रोफाइल) है।[23]
| डीडीआर3 बाइट्स | आकार | उपयोग |
|---|---|---|
| 176–184 | 10 | एक्सएमपी हेडर |
| 185–219 | 33 | एक्सएमपी प्रोफ़ाइल 1 ("उत्साही" सेटिंग) |
| 220–254 | 36 | एक्सएमपी प्रोफ़ाइल 2 ("चरम" सेटिंग्स) |
हेडर में निम्न डेटा होता है। सबसे महत्वपूर्ण बात यह है कि इसमें नैनोसेकंड की तर्कसंगत संख्या के रूप में एक मध्यम समयबेस मान एमटीबी (सामान्य मान 1/8, 1/12 और 1/16 एनएस हैं) होता है। कई अन्य बाद के समय मानों को एमटीबी इकाइयों की पूर्णांक संख्या के रूप में व्यक्त किया जाता है।
हेडर में प्रति मेमोरी चैनल डीआईएमएम की संख्या भी सम्मिलित है जिसे प्रोफ़ाइल को समर्थन देने के लिए डिज़ाइन किया गया है; अधिक डीआईएमएम सहित अच्छी तरह से काम नहीं कर सकता है।
| डीडीआर3 बाइट | बिट्स | उपयोग |
|---|---|---|
| 176 | 7:0 | एक्सएमपी मैजिक नंबर बाइट 1 0x0C |
| 177 | 7:0 | एक्सएमपी मैजिक नंबर बाइट 2 0x4A |
| 178 | 0 | प्रोफाइल 1 सक्षम (यदि 0, अक्षम) |
| 1 | प्रोफ़ाइल 2 सक्षम | |
| 3:2 | प्रोफ़ाइल 1 डीआईएमएम प्रति चैनल (1–4 0–3 के रूप में एन्कोडेड) | |
| 5:4 | प्रोफाइल 2 डीआईएमएम प्रति चैनल | |
| 7:6 | Reserved | |
| 179 | 3:0 | एक्सएमपी लघु संस्करण संख्या (x.0 or x.1) |
| 7:4 | एक्सएमपी प्रमुख संस्करण संख्या (0.x or 1.x) | |
| 180 | 7:0 | प्रोफ़ाइल के लिए मध्यम समय आधार लाभांश 1 |
| 181 | 7:0 | प्रोफ़ाइल 1 के लिए मध्यम समय आधार भाजक (एमटीबी = लाभांश/भाजक एनएस) |
| 182 | 7:0 | प्रोफ़ाइल के लिए मध्यम समय आधार लाभांश 2 (जैसे. 8) |
| 183 | 7:0 | प्रोफ़ाइल 2 के लिए मध्यम समय आधार विभाजक (उदाहरण के लिए 1, एमटीबी = 1/8 एनएस दे रहा है) |
| 184 | 7:0 | Reserved |
| डीडीआर3 बाइट 1 | डीडीआर3 बाइट 2 | बिट्स | Use |
|---|---|---|---|
| 185 | 220 | 0 | मॉड्यूल वीडीडी वोल्टेज बीसवीं (0.00 या 0.05) |
| 4:1 | मॉड्यूल वीडीडी वोल्टेज दसवां (0.0-0.9) | ||
| 6:5 | मॉड्यूल वीडीडी वोल्टेज इकाइयां (0-2) | ||
| 7 | Reserved | ||
| 186 | 221 | 7:0 | न्यूनतम एसडीआरएएम क्लॉक अवधि tCKmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 187 | 222 | 7:0 | न्यूनतम सीएएस विलंबता समय tAAmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 188 | 223 | 7:0 | सीएएस विलंबता समर्थित (बिटमैप, 4-11 बिट्स 0-7 के रूप में एन्कोडेड) |
| 189 | 224 | 6:0 | सीएएस विलंबता समर्थित (बिटमैप, 12-18 बिट्स 0-6 के रूप में एन्कोडेड) |
| 7 | Reserved | ||
| 190 | 225 | 7:0 | न्यूनतम सीएएस लेखन विलंबता समय tCWLmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 191 | 226 | 7:0 | न्यूनतम पंक्ति प्रीचार्ज विलंब समय tRPmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 192 | 227 | 7:0 | न्यूनतम आरएएस से सीएएस विलंब समय tRCDmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 193 | 228 | 7:0 | न्यूनतम लेखन पुनर्प्राप्ति समय tWRmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 194 | 229 | 3:0 | tRASmin ऊपर निबल (बिट्स 11:8) |
| 7:4 | tRCmin ऊपर निबल (बिट्स 11:8) | ||
| 195 | 230 | 7:0 | देरी के समय को प्रीचार्ज करने के लिए न्यूनतम सक्रिय tRASmin बिट्स 7:0 (एमटीबी इकाइयां) |
| 196 | 231 | 7:0 | न्यूनतम सक्रिय से सक्रिय/रिफ्रेश विलंब समय tRCmin बिट्स 7:0 (एमटीबी इकाइयां) |
| 197 | 232 | 7:0 | अधिकतम औसत रिफ्रेश अंतराल tREFI एलएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) |
| 198 | 233 | 7:0 | अधिकतम औसत रिफ्रेश अंतराल tREFI एमएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) |
| 199 | 234 | 7:0 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय tRFCmin एलएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) |
| 200 | 235 | 7:0 | न्यूनतम रिफ्रेश पुनर्प्राप्ति विलंब समय tRFCmin एमएसबाइट (एमटीबी इकाइयां) |
| 201 | 236 | 7:0 | न्यूनतम प्रीचार्ज कमांड विलंब के लिए आंतरिक रीड time tRTPmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 202 | 237 | 7:0 | न्यूनतम पंक्ति सक्रिय से पंक्ति सक्रिय विलंब समय tRRDmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 203 | 238 | 3:0 | tFAWmin ऊपर निबल (बिट्स 11:8) |
| 7:4 | Reserved | ||
| 204 | 239 | 7:0 | न्यूनतम चार सक्रिय विंडो विलंब समय tFAWmin बिट्स 7:0 (एमटीबी इकाइयां) |
| 205 | 240 | 7:0 | न्यूनतम कमांड विलंब पढ़ने के लिए आंतरिक लेखन time tWTRmin (एमटीबी इकाइयां) |
| 206 | 241 | 2:0 | कमांड टर्नअराउंड समय समायोजन पढ़ने के लिए लिखें (0–7 घड़ी चक्र) |
| 3 | कमांड टर्नअराउंड एडजस्टमेंट साइन पढ़ने के लिए लिखें (0=पुल-इन, 1=पुश-आउट) | ||
| 6:4 | कमांड टर्नअराउंड टाइम एडजस्टमेंट (0–7 घड़ी चक्र) लिखने के लिए पढ़ें | ||
| 7 | कमांड टर्नअराउंड एडजस्टमेंट साइन लिखने के लिए पढ़ें (0=पुल-इन, 1=पुश-आउट) | ||
| 207 | 242 | 2:0 | लगातार कमांड टर्नअराउंड समय समायोजन (0–7 घड़ी चक्र) |
| 3 | लगातार टर्नअराउंड एडजस्टमेंट साइन (0=पुल-इन, 1=पुश-आउट) | ||
| 7:4 | Reserved | ||
| 208 | 243 | 7:0 | प्रणाली सीएमडी दर मोड। 0 = जेटीजी डिफ़ॉल्ट, अन्यथा एमटीबी-×-टीसीके/एनएस की विशिष्ट इकाइयों में।
उदा. यदि एमटीबी 1/8 एनएस है, तो यह 1/8 घड़ी चक्र की इकाइयों में है। |
| 209 | 244 | 7:0 | एसडीआरएएम ऑटो सेल्फ रिफ्रेश प्रदर्शन।
मानक संस्करण 1.1 कहता है कि दस्तावेज़ीकरण टीबीडी है। |
| 210–218 | 245–253 | 7:0 | Reserved |
| 219 | 254 | 7:0 | आरक्षित, विक्रेता-विशिष्ट व्यक्तित्व कोड। |
उपरोक्त सभी डेटा डीडीआर3 (एक्सएमपी 1.1) के लिए हैं; डीडीआर4 विनिर्देश अभी तक उपलब्ध नहीं हैं।
ओवरक्लॉकिंग के लिए एएमडी विस्तारित प्रोफाइल (एक्सपो)
एएमडी का ओवरक्लॉकिंग के लिए विस्तारित प्रोफाइल (एक्सपो) एक जेईडीईसी एसपीडी एक्सटेंशन है जिसे डीडीआर5 डीआईएमएम के लिए प्रणाली मेमोरी में एक-क्लिक स्वचालित ओवरक्लॉकिंग प्रोफाइल लागू करने के लिए विकसित किया गया है।[25][26] एएमडी एक्सपो-प्रमाणित डीआईएमएम में अनुकूलित समय सम्मिलित है जो इसके जेन 4 प्रोसेसर के प्रदर्शन को अनुकूलित करता है।[27] इंटेल के बंद मानक एक्सएमपी के विपरीत, एक्स्पो मानक खुला और रॉयल्टी-मुक्त है।[26] इसे इंटेल प्लेटफॉर्म पर उपयोग किया जा सकता है।[26] सितंबर 2022 में लॉन्च होने पर, एक्सपो-सर्टिफिकेशन के साथ 15 पार्टनर रैम किट उपलब्ध हैं जो 6400 एमटी/एस तक पहुंचती हैं।[28]
विक्रेता-विशिष्ट मेमोरी
विशिष्ट प्रणाली के लिए विक्रेता-विशिष्ट मेमोरी मॉड्यूल को बाध्य करने के लिए कुछ मेमोरी क्षेत्रों में जानकारी लिखना सामान्य दुरुपयोग है। फुजित्सु प्रौद्योगिकी समाधान ऐसा करने के लिए जाने जाते हैं। प्रणाली में विभिन्न मेमोरी मॉड्यूल जोड़ने से सामान्यतः इनकार या अन्य काउंटर-उपाय (जैसे प्रत्येक बूट पर एफ 1 दबाना) होते हैं।
02 0E 00 01-00 00 00 EF-02 03 19 4D-BC 47 C3 46 ...........M.G.F
53 43 00 04-EF 4F 8D 1F-00 01 70 00-01 03 C1 CF SC...O....p.....
ऍफ़एससी स्ट्रिंग पर ध्यान दें, यह फुजित्सु-सीमेंस कंप्यूटर के लिए ब्रांडेड माइक्रोन टेक्नोलॉजीज के 512 एमबी मेमोरी मॉड्यूल का आउटपुट है।
प्रणाली बीआईओएस उन मेमोरी मॉड्यूल को अस्वीकार कर देता है जिनमें यह जानकारी ऑफ़सेट 128h से प्रारंभ नहीं होती है।
कुछ पैकर्ड बेल एएमडी लैपटॉप भी इस विधि का उपयोग करते हैं, इस मामले में लक्षण भिन्न हो सकते हैं लेकिन यह बीप पैटर्न के अतिरिक्त फ्लैशिंग कर्सर का कारण बन सकता है। संयोग से यह बीआईओएस भ्रष्टाचार का भी लक्षण हो सकता है।[29] चूंकि 2GB को 4GB में अपग्रेड करने से भी समस्या हो सकती है।
एसपीडी जानकारी पढ़ना और लिखना
मेमोरी मॉड्यूल निर्माता मॉड्यूल पर ईईपीरोम को एसपीडी जानकारी लिखते हैं। मेमोरी नियंत्रक को विन्यास करने के लिए मदरबोर्ड बीआईओएस एसपीडी जानकारी पढ़ता है। ऐसे कई प्रोग्राम उपस्थित हैं जो एसपीडी जानकारी को पढ़ने और संशोधित करने में सक्षम हैं, लेकिन सभी मदरबोर्ड चिपसेट पर नहीं।
- डमाइडकोड प्रोग्राम जो मेमोरी (और अन्य चीजों) के बारे में जानकारी को डिकोड कर सकता है और लिनक्स, फ्रीबीएसडी, नेटबीएसडी, ओपनबीएसडी, बेओएस, साइगविन और सोलारिस (ऑपरेटिंग प्रणाली) पर चलता है। डमाइडकोड सीधे एसपीडी जानकारी तक नहीं पहुँचता है; यह मेमोरी के बारे में एसएमबीआईओएस डेटा की रिपोर्ट करता है।[30] यह जानकारी सीमित या गलत हो सकती है।
- लिनक्स प्रणाली और फ्रीबीएसडी पर, i2c-उपकरण द्वारा प्रदान किया गया उपयोक्ता स्थान प्रोग्राम डिकोड-डिम कंप्यूटर में एसपीडी जानकारी के साथ किसी भी मेमोरी पर जानकारी को डिकोड और प्रिंट करता है।[31][32] इसके लिए कर्नेल, ईईपीरोम कर्नेल ड्राइवर में प्रणाली प्रबंधन बस नियंत्रक समर्थन की आवश्यकता होती है, और यह भी कि एसपीडी ईईपीरोम एसएमबस से जुड़े होते हैं। पुराने लिनक्स वितरणों पर, डीकोड-डीआईएमएमs.पीएल एलएम_सेंसर के भाग के रूप में उपलब्ध था।
- ओपनबीएसडी में मेमोरी मॉड्यूल के बारे में जानकारी प्रदान करने के लिए वर्जन 4.3 से एक ड्राइवर (एसपीडीमेम(4)) सम्मिलित है। ड्राइवर को नेटबीएसडी से पोर्ट किया गया था, जहां यह रिलीज 5.0 के बाद से उपलब्ध है।
- कोरबूट समय, आकार और अन्य गुणों के साथ कंप्यूटर में सभी मेमोरी नियंत्रकों को प्रारंभ करने के लिए एसपीडी जानकारी पढ़ता है और उसका उपयोग करता है।
- माइक्रोसॉफ़्ट विंडोज़ प्रणाली एचविन्फो जैसे प्रोग्राम का उपयोग करते हैं,[33] सीपीयू-जेड और विशिष्टता, जो एसपीडी से डीरैम मॉड्यूल की जानकारी को पढ़ और प्रदर्शित कर सकते हैं।
एसपीडी सूचना का चिपसेट-स्वतंत्र पठन और लेखन इप्रोम प्रोग्रामर हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर के साथ सीधे मेमोरी के ईईपीरोम तक पहुंच कर किया जाता है।
पुराने लैपटॉप के लिए सामान्य एसएमबस पाठकों के रूप में इतना सामान्य उपयोग नहीं है, क्योंकि बीआईओएस द्वारा इसे पढ़ने के बाद मॉड्यूल पर आंतरिक ईईपीरोम को अक्षम किया जा सकता है, इसलिए बस अनिवार्य रूप से उपयोग के लिए उपलब्ध है। उपयोग की जाने वाली विधि A0, A1 लाइनों को कम करने के लिए है जिससे आंतरिक मेमोरी बंद हो जाए, बाहरी उपकरण को एसएमबस तक पहुंचने की अनुमति मिल सके। एक बार यह हो जाने के बाद, कस्टम लिनक्स बिल्ड या डॉस एप्लिकेशन बाहरी उपकरण तक पहुंच सकता है। सामान्य उपयोग एलसीडी पैनल मेमोरी चिप्स से सामान्य पैनल को मालिकाना लैपटॉप में फिर से फिट करने के लिए डेटा को पुनर्प्राप्त कर रहा है।
कुछ चिप्स पर राइट प्रोटेक्ट लाइन को अलग करना भी अच्छा विचार है जिससे रीप्रोग्रामिंग के दौरान ऑनबोर्ड चिप्स साफ न हों।
एक संबंधित विधि अधिकांश कई लैपटॉप के साथ सम्मिलित वेबकैम पर चिप को फिर से लिख रही है क्योंकि बस की गति काफी अधिक है और इसे संशोधित भी किया जा सकता है जिससे चिप विफलता की स्थिति में यूईएफआई के बाद के क्लोनिंग के लिए 25x संगत चिप्स को वापस पढ़ा जा सके।
यह दुर्भाग्य से केवल डीडीआर3 और नीचे काम करता है, क्योंकि डीडीआर4 विभिन्न सुरक्षा का उपयोग करता है और सामान्यतः केवल पढ़ा जा सकता है। एसपीडीटूल या इसी तरह के उपकरण का उपयोग करना संभव है और चिप को एक के साथ बदलें जिसकी डब्ल्यूपी लाइन मुक्त है जिससे इसे सीटू में बदला जा सके। कुछ चिपसेट पर संदेश असंगत एसएमबस ड्राइवर? देखा जा सकता है इसलिए पढ़ना भी रोका जाता है।
आरजीबी एलईडी नियंत्रण
कुछ मेमोरी मॉड्यूल (विशेषकर गेमिंग पीसी पर)[34] आरजीबी एलईडी का समर्थन करें जो मालिकाना एसएमबीस कमांड द्वारा नियंत्रित होते हैं। यह अतिरिक्त कनेक्टर्स और केबलों के बिना एलईडी रंग नियंत्रण की अनुमति देता है। रोशनी को नियंत्रित करने के लिए आवश्यक कई निर्माताओं के कर्नेल ड्राइवरों का उपयोग अकेले 2020 में कई बार पूर्ण कर्नेल मेमोरी एक्सेस से लेकर एमएसआर और I/O पोर्ट नियंत्रण तक पहुंच प्राप्त करने के लिए किया गया है।[35][36][37]
पुराने उपकरणों पर
कुछ पुराने उपकरणों को समानांतर उपस्थिति का एड्रेस लगाने वाले एसआईएमएम के उपयोग की आवश्यकता होती है (सामान्यतः उपस्थिति का एड्रेस लगाने या पीडी कहा जाता है)। इनमें से कुछ उपकरण विशेष रूप से गैर-मानक पीडी कोडिंग, आईबीएम कंप्यूटर और हेवलेट पैकर्ड लेज़र और अन्य प्रिंटर का उपयोग करते हैं।
यह भी देखें
संदर्भ
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- ↑ JEDEC मानक 21-C खंड 4.1.2.11 DDR3 SDRAM मॉड्यूल के लिए सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (SPD)
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- ↑ JEDEC Standard 21-C खंड 4.1.2.5 सिंक्रोनस DRAM (SDRAM) के लिए विशिष्ट PDs
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बाहरी संबंध
- Serial Presence Detect Standard, General Standard
- SPD Rev1.0 for DDR SDRAM
- SPD Rev1.2 for DDR2 SDRAM
- SPD Rev1.3 for DDR2 SDRAM
- SPECIALITY DDR2-1066 SDRAM
- लिनक्स package i2c-उपकरण
- Instructions on how to use lm-सेंसर or i2c-उपकरण to read the data Archived 19 May 2007 at the Wayback Machine
- Memory Performance: 16GB DDR3-1333 to DDR3-2400 on Ivy Bridge IGP with G.Skill – explanation of various timing मानs
