विद्युत तत्व: Difference between revisions

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विद्युत तत्व वैचारिक अमूर्त हैं जो आदर्शित विद्युत घटक एस का प्रतिनिधित्व करते हैंCite error: Closing </ref> missing for <ref> tag

विद्युत विद्युतवर्द्धकता: विद्युतीय संबंध को निम्न रूप में परिभाषित किया जाता है $f(V,I)=0$ में से किसी भी दो चरणों के लिए।।
समाई: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया $f(V,Q)=0$ में से किसी भी दो चरणों के लिए।
इंडक्शन: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया $f(\Phi ,I)=0$ में से किसी भी दो चरणों के लिए।
यादगार: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया $f(\Phi ,Q)=0$ में से किसी भी दो चरणों के लिए।

जहाँ

f(x,y)

दो चरणों के लिए किसी भी दो चरणों के लिए किसी भी विशिष्ट फ़ंक्शन हो सकता है।

कुछ विशेष स्थितियों में संवैधानिक संबंध एक चर के एक समारोह के लिए सरल करता है।यह सभी रैखिक तत्वों के लिए मामला है, किन्तु उदाहरण के लिए, एक आदर्श डायोड , जो सर्किट सिद्धांत में एक गैर-रैखिक अवरोधक है, का रूप का एक संवैधानिक संबंध है $V=f(I)$ ।दोनों स्वतंत्र वोल्टेज, और स्वतंत्र वर्तमान स्रोतों को इस परिभाषा के अनुसार गैर-रैखिक प्रतिरोध माना जा सकता है^[1]

चौथा निष्क्रिय तत्व, मेम्टर, 1971 के एक पेपर में लियोन चुआ के माध्यम से प्रस्तावित किया गया था, किन्तु एक भौतिक घटक जो यादगार प्रदर्शन का प्रदर्शन करता है, वह सैंतीस साल बाद तक नहीं बनाया गया था। यह 30 अप्रैल, 2008 को बताया गया था कि एक कार्यशील मेमिस्टर को एचपी लैब्स में एक टीम के माध्यम से विकसित किया गया था, जिसका नेतृत्व वैज्ञानिक आर। स्टेनली विलियम्स ने किया था^[2]^[3]^[4]^[5] मेम्टर के आगमन के साथ, चार चर की प्रत्येक जोड़ी अब संबंधित हो सकती है।

दो विशेष गैर-रैखिक तत्व भी हैं जो कभी-कभी विश्लेषण में उपयोग किए जाते हैं किन्तु जो किसी भी वास्तविक घटक के आदर्श समकक्ष नहीं हैं:

नलक : के रूप में परिभाषित किया गया $V=I=0$
नॉरटोर : एक तत्व के रूप में परिभाषित किया गया है जो वोल्टेज और वर्तमान पर कोई प्रतिबंध नहीं रखता है।

इन्हें कभी -कभी दो से अधिक टर्मिनलों वाले घटकों के मॉडल में उपयोग किया जाता है: उदाहरण के लिए ट्रांजिस्टर^[1]

दो-पोर्ट तत्व

उपरोक्त उल्लिखित सभी तत्व दो-टर्मिनल याएक-पोर्ट तत्व हैं, अपेक्षा नियमित स्रोतों के। नेटवर्क विश्लेषण में सामान्यतः पेश किए जाने वाले दो लॉसलेस, पैसिव, रैखिक दो-पोर्ट तत्व होते हैं। मैट्रिक्स नोटेशन में उनके संरचनात्मक संबंध होते हैं।

ट्रांसफार्मर
: ${\begin{bmatrix}V_{1}\\I_{2}\end{bmatrix}}={\begin{bmatrix}0&n\\-n&0\end{bmatrix}}{\begin{bmatrix}I_{1}\\V_{2}\end{bmatrix}}$

जायरेटर

{\begin{bmatrix}V_{1}\\V_{2}\end{bmatrix}}={\begin{bmatrix}0&-r\\r&0\end{bmatrix}}{\begin{bmatrix}I_{1}\\I_{2}\end{bmatrix}}

ट्रांसफार्मर एक पोर्ट पर एक वोल्टेज को दूसरे पोर्ट पर n के अनुपात में वोल्टेज में मानचित्रित करता है। उसी दो-पोर्ट के बीच वर्तमान को 1/n से मानचित्रित किया जाता है। दूसरी तरफ, गाइरेटर, एक पोर्ट पर एक वोल्टेज को दूसरे पोर्ट पर एक करंट में मानचित्रित करता है। उसी तरह, करंट को वोल्टेज में मानचित्रित किया जाता है। मैट्रिक्स में r मात्रिक्स के इकाई रिसिस्टेंस के इकाई में होता है। विश्लेषण में जाइरेटर एक आवश्यक तत्व है क्योंकि यह असमान होने के कारण आपको उत्पन्न नहीं करने देता। मूल रैखिक तत्वों से बने नेटवर्क समानांतर होने के लिए आवश्यक होते हैं और इसलिए एक असमान नेटवर्क को उत्पन्न करने के लिए खुद इन्हें प्रतिनिधित्व के रूप में उपयोग नहीं किया जा सकता है। हालांकि, ट्रांसफार्मर और जाइरेटर दोनों का होना आवश्यक नहीं है। दो जाइरेटर के संयोग से एक ट्रांसफार्मर के समान हो जाते हैं, लेकिन सुविधा के लिए ट्रांसफार्मर आमतौर पर बरकरार रखा जाता है। इन्हें अस्तित्व में आने वाले कैपैसिटेंस या इंडक्टन्स भी अनिवार्य नहीं होते हैं क्योंकि एक जाइरेटर पोर्ट 2 पर इनमें से किसी एक के साथ समाप्त होने पर पोर्ट 1 पर दूसरे के समान होता है। हालांकि, ट्रांसफार्मर, कैपैसिटेंस और इंडक्टन्स सामान्यतया विश्लेषण में बरकरार रखे जाते हैं क्योंकि वे बुनियादी भौतिक घटकट्रांसफार्मर ,प्रारंभ करनेवाला और कैपेसिटर चूँकि एक प्रैक्टिकल गाइरेटर को एक्टिव सर्किट के रूप में निर्मित किया जाना चाहिए।^[6]^[7]^[8]

उदाहरण

निम्नलिखित विद्युत तत्वों के माध्यम से घटकों के प्रतिनिधित्व के उदाहरण हैं।

पहले स्तर पर, एक बैटरी को एक वोल्टेज स्रोत द्वारा प्रतिनिधित्व किया जाता है। एक और रिफाइंड मॉडल भी शामिल होता है, जिसमें बैटरी की आंतरिक रोधकता को दर्शाने के लिए एक वोल्टेज स्रोत के साथ एक प्रतिरोध जोड़ा जाता है (जो बैटरी को उष्ण होने और इस्तेमाल करने पर वोल्टेज गिरने के नतीजे में आता है)। एक धारणा स्रोत संयुक्त में जोड़ा जा सकता है ताकि इसकी लीकेज (जो लंबे समय तक बैटरी को डिस्चार्ज करती है) को दर्शाया जा सके।
पहले स्तर पर, एक रोकनेवाला को एक प्रतिरोध द्वारा प्रतिनिधित्व किया जाता है। एक और रिफाइंड मॉडल में, इसके लीड इंडक्टेंस के प्रभाव को दर्शाने के लिए एक श्रृंखला इंडक्टेंस भी शामिल हो सकती है (स्पाइरल के रूप में निर्मित रेसिस्टर में अधिक महत्वपूर्ण इंडक्टेंस होती है)। एक पारलल कैपैसिटेंस भी जोड़ा जा सकता है ताकि रेसिस्टर लीडों की एक दूसरे के पास होने के क्षमताओं को दर्शाया जा सके। एक तार को एक कम मूल्य वाले रेसिस्टर के रूप में दर्शाया जा सकता है।
अधिकतर समय सेमीकंडक्टर का प्रतिनिधित्व करते समय धारणा स्रोत का उपयोग किया जाता है। उदाहरण के लिए, पहले स्तर पर, एक बाइपोलरट्रांजिस्टर को एक चलती धारा स्रोत द्वारा प्रतिनिधित्व किया जा सकता है जो इनपुट धारा द्वारा नियंत्रित होता है।

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 === गैर-रैखिक तत्व ===
 [[File:Two-terminal non-linear circuit elements.svg|thumb|right|अवरोधक, संधारित्र, प्रारंभ करनेवाला और मेमिस्टर के वैचारिक समरूपता।]]
-वास्तव में, सभी सर्किट घटक गैर-रैखिक होते हैं और एकमात्र  एक निश्चित सीमा पर रैखिक के लिए अनुमानित किया जा सकता है।निष्क्रिय तत्वों का अधिक वर्णन करने के लिए, उनके  [[ संवैधानिक संबंध ]] का उपयोग सरल आनुपातिकता के अतिरिक्त  किया जाता है।सर्किट चर के किसी भी दो से छह संवैधानिक संबंध हैं जो बन सकते हैं।इससे यह माना जाता है कि एक सैद्धांतिक चौथा निष्क्रिय तत्व है क्योंकि रैखिक नेटवर्क विश्लेषण में पाए जाने वाले कुल मिलाकर कुल पांच तत्व (विभिन्न आश्रित स्रोतों को सम्मलित  नहीं करते हैं)।इस अतिरिक्त तत्व को  [[ मेमेंडर ]] कहा जाता है।इसका एकमात्र  समय-निर्भर गैर-रैखिक तत्व के रूप में कोई अर्थ है;एक समय-स्वतंत्र रैखिक तत्व के रूप में यह एक नियमित अवरोधक को कम करता है।इसलिए, यह  [[ LTI सिस्टम थ्योरी |  रैखिक समय-अपरिवर्तनीय (LTI) ]] सर्किट मॉडल में सम्मलित  नहीं है।निष्क्रिय तत्वों के संवैधानिक संबंध  के माध्यम से  दिए गए हैं<ref name=Trajkovic>Ljiljana Trajković, Nonlinear सर्किट, '' द इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग हैंडबुक '' (एड: वाई-काई चेन), पीपी .75–77, अकादमिक प्रेस, 2005 {{ISBN|0-12-170960-4}}</ref>
+वास्तविकता में, सभी सर्किट घटक गैर-रैखिक होते हैं और एक निश्चित सीमा के अंतर्गत ही रैखिक के लिए अनुमान लगाया जा सकता है। पैसिव घटकों को और अधिक सटीकता से वर्णन करने के लिए, उनकी[[ संवैधानिक संबंध ]] का उपयोग सरल अनुपातता के बजाय किया जाता है। सर्किट चरणों के किसी भी दो चरणों से, छः निर्माणशील संबंध बनाए जा सकते हैं। इससे संभव होता है कि एक सिद्धांतीय चौथा पैसिव घटक होता है क्योंकि रैखिक नेटवर्क विश्लेषण में केवल पाँच घटक होते हैं (विभिन्न निर्भर स्रोतों को शामिल न करते हुए)। इस अतिरिक्त घटक को [[ मेमेंडर | मेम्रिस्टर]] कहा जाता है।यह केवल एक समय-विभाजन गैर-रैखिक घटक के रूप में किसी अर्थ का होता है; एक समय-विभाजन रैखिक घटक के रूप में इसका अर्थ कुछ नहीं होता है। इसलिए, इसे[[ LTI सिस्टम थ्योरी |  रैखिक समय-अपरिवर्तनीय (LTI) ]] सर्किट मॉडल में सम्मलित नहीं है।निष्क्रिय तत्वों के संवैधानिक संबंध  के माध्यम से  दिए गए हैं<ref name=Trajkovic>Ljiljana Trajković, Nonlinear सर्किट, '' द इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग हैंडबुक '' (एड: वाई-काई चेन), पीपी .75–77, अकादमिक प्रेस, 2005 {{ISBN|0-12-170960-4}}</ref>
-*प्रतिरोध: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(V, I)=0</math>।
+*विद्युत विद्युतवर्द्धकता: विद्युतीय संबंध को निम्न रूप में परिभाषित किया जाता है <math>f(V, I)=0</math>  में से किसी भी दो चरणों के लिए।।
-*समाई: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(V, Q)=0</math>।
+*समाई: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(V, Q)=0</math> में से किसी भी दो चरणों के लिए।
-*इंडक्शन: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(\Phi, I)=0</math>।
+*इंडक्शन: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(\Phi, I)=0</math> में से किसी भी दो चरणों के लिए।
-*यादगार: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(\Phi, Q)=0</math>।
+*यादगार: संवैधानिक संबंध के रूप में परिभाषित किया गया <math>f(\Phi, Q)=0</math> में से किसी भी दो चरणों के लिए।
-:कहाँ पे <math>f(x,y)</math> दो चर का एक इच्छानुसार कार्य है।
+:जहाँ  <math>f(x,y)</math> दो चरणों के लिए किसी भी दो चरणों के लिए किसी भी विशिष्ट फ़ंक्शन हो सकता है।
 कुछ विशेष स्थितियों में संवैधानिक संबंध एक चर के एक समारोह के लिए सरल करता है।यह सभी रैखिक तत्वों के लिए मामला है, किन्तु उदाहरण के लिए, एक आदर्श  [[ डायोड ]], जो सर्किट सिद्धांत में एक गैर-रैखिक अवरोधक है, का रूप का एक संवैधानिक संबंध है <math> V = f(I)</math>।दोनों स्वतंत्र वोल्टेज, और स्वतंत्र वर्तमान स्रोतों को इस परिभाषा के अनुसार  गैर-रैखिक प्रतिरोध माना जा सकता है<ref name=Trajkovic/>
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 == दो-पोर्ट तत्व ==
-उपरोक्त सभी दो-टर्मिनल हैं, या  [[ एक-पोर्ट ]], आश्रित स्रोतों के अपवाद के साथ तत्व हैं।दो दोषरहित, निष्क्रिय, रैखिक  [[ दो-पोर्ट नेटवर्क |  दो-पोर्ट ]] तत्व हैं जो सामान्य रूप से नेटवर्क विश्लेषण में प्रस्तुत किए जाते हैं। मैट्रिक्स संकेतन में उनके संवैधानिक संबंध हैं;
+उपरोक्त उल्लिखित सभी तत्व दो-टर्मिनल या[[ एक-पोर्ट ]]तत्व हैं, अपेक्षा नियमित स्रोतों के। नेटवर्क विश्लेषण में सामान्यतः पेश किए जाने वाले दो लॉसलेस, पैसिव, रैखिक[[ दो-पोर्ट नेटवर्क | दो-पोर्ट]] तत्व होते हैं। मैट्रिक्स नोटेशन में उनके संरचनात्मक संबंध होते हैं।
-; ट्रांसफार्मर:
+; ट्रांसफार्मर
+;
+:<math> \begin{bmatrix}  V_1  \\ I_2  \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} 0 & n \\ -n & 0 \end{bmatrix}\begin{bmatrix} I_1  \\ V_2 \end{bmatrix}</math>
-: <math> \begin{bmatrix}  V_1  \\ I_2  \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} 0 & n \\ -n & 0 \end{bmatrix}\begin{bmatrix} I_1  \\ V_2 \end{bmatrix}</math>
+; जायरेटर
-; जायरेटर :
 : <math> \begin{bmatrix}  V_1  \\ V_2  \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} 0 & -r \\ r & 0 \end{bmatrix}\begin{bmatrix} I_1  \\ I_2 \end{bmatrix}</math>
-ट्रांसफार्मर एक बंदरगाह पर एक वोल्टेज को '' एन '' के अनुपात में दूसरे पर एक वोल्टेज पर मैप करता है। एक ही दो बंदरगाह के बीच का वर्तमान 1/'' n ''  के माध्यम से  मैप किया जाता है। दूसरी ओर  [[ गाइरेटर ]], एक बंदरगाह पर एक वोल्टेज को दूसरे पर एक करंट पर मैप करता है। इसी प्रकार, धाराओं को वोल्टेज के लिए मैप किया जाता है। मैट्रिक्स में मात्रा '' आर '' प्रतिरोध की इकाइयों में है। जायरेटर विश्लेषण में एक आवश्यक तत्व है क्योंकि यह  [[ पारस्परिकता (विद्युत नेटवर्क) |  पारस्परिक ]] नहीं है। मूल रैखिक तत्वों से निर्मित नेटवर्क एकमात्र  पारस्परिक होने के लिए बाध्य हैं और इसलिए गैर-प्राप्त प्रणाली का प्रतिनिधित्व करने के लिए स्वयं  के माध्यम से  उपयोग नहीं किया जा सकता है। यह आवश्यक नहीं है, चूंकि, ट्रांसफार्मर और गाइटर दोनों के लिए। कैस्केड में दो गाइरेटर एक ट्रांसफार्मर के समान हैं, किन्तु ट्रांसफार्मर को सामान्यतः सुविधा के लिए बनाए रखा जाता है। जायरेटर का परिचय भी या तो कैपेसिटेंस या इंडक्शन को गैर-आवश्यक बनाता है क्योंकि पोर्ट 2 में इनमें से एक के साथ समाप्त एक गाइरेटर पोर्ट 1 पर दूसरे के समान होगा। चूंकि, ट्रांसफार्मर, कैपेसिटेंस और इंडक्शन को सामान्य रूप से विश्लेषण में बनाए रखा जाता है क्योंकि वे हैं क्योंकि वे हैं बुनियादी भौतिक घटकों के आदर्श गुण[[ ट्रांसफार्मर ]],[[ प्रारंभ करनेवाला |प्रारंभ करनेवाला]] और  [[ कैपेसिटर ]]चूँकि  एक [[ गाइरेटर#कार्यान्वयन: एक नकली प्रारंभ करनेवाला |प्रैक्टिकल गाइरेटर]] को एक सक्रिय सर्किट के रूप में बनाया जाना चाहिए<ref>वधवा, सी। एल।, '' नेटवर्क एनालिसिस एंड सिंथेसिस '', पीपी .17–22, न्यू एज इंटरनेशनल, {{ISBN|81-224-1753-1}}</ref><ref>हर्बर्ट जे। कार्लिन, पियर पाओलो सिवलेरी, '' वाइडबैंड सर्किट डिज़ाइन '', पीपी .171–172, सीआरसी प्रेस, 1998 {{ISBN|0-8493-7897-4}}</ref><ref>Vjekoslav damić, जॉन मोंटगोमरी, '' मेकैट्रोनिक्स बाय बॉन्ड ग्राफ़: मॉडलिंग और सिमुलेशन के लिए एक ऑब्जेक्ट-ओरिएंटेड दृष्टिकोण '', pp.32–33, स्प्रिंगर, 2003 {{ISBN|3-540-42375-3}}</ref>
+ट्रांसफार्मर एक पोर्ट पर एक वोल्टेज को दूसरे पोर्ट पर n के अनुपात में वोल्टेज में मानचित्रित करता है। उसी दो-पोर्ट के बीच वर्तमान को 1/n से मानचित्रित किया जाता है। दूसरी तरफ,[[ गाइरेटर | गाइरेटर]], एक पोर्ट पर एक वोल्टेज को दूसरे पोर्ट पर एक करंट में मानचित्रित करता है। उसी तरह, करंट को वोल्टेज में मानचित्रित किया जाता है। मैट्रिक्स में r मात्रिक्स के इकाई रिसिस्टेंस के इकाई में होता है। विश्लेषण में जाइरेटर एक आवश्यक तत्व है क्योंकि यह असमान होने के कारण आपको उत्पन्न नहीं करने देता। मूल रैखिक तत्वों से बने नेटवर्क समानांतर होने के लिए आवश्यक होते हैं और इसलिए एक असमान नेटवर्क को उत्पन्न करने के लिए खुद इन्हें प्रतिनिधित्व के रूप में उपयोग नहीं किया जा सकता है। हालांकि, ट्रांसफार्मर और जाइरेटर दोनों का होना आवश्यक नहीं है। दो जाइरेटर के संयोग से एक ट्रांसफार्मर के समान हो जाते हैं, लेकिन सुविधा के लिए ट्रांसफार्मर आमतौर पर बरकरार रखा जाता है। इन्हें अस्तित्व में आने वाले कैपैसिटेंस या इंडक्टन्स भी अनिवार्य नहीं होते हैं क्योंकि एक जाइरेटर पोर्ट 2 पर इनमें से किसी एक के साथ समाप्त होने पर पोर्ट 1 पर दूसरे के समान होता है। हालांकि, ट्रांसफार्मर, कैपैसिटेंस और इंडक्टन्स सामान्यतया विश्लेषण में बरकरार रखे जाते हैं क्योंकि वे बुनियादी भौतिक घटक[[ ट्रांसफार्मर ]],[[ प्रारंभ करनेवाला |प्रारंभ करनेवाला]] और [[ कैपेसिटर |कैपेसिटर]] चूँकि  एक [[ गाइरेटर#कार्यान्वयन: एक नकली प्रारंभ करनेवाला |प्रैक्टिकल गाइरेटर]] को एक्टिव सर्किट के रूप में निर्मित किया जाना चाहिए।<ref>वधवा, सी। एल।, '' नेटवर्क एनालिसिस एंड सिंथेसिस '', पीपी .17–22, न्यू एज इंटरनेशनल, {{ISBN|81-224-1753-1}}</ref><ref>हर्बर्ट जे। कार्लिन, पियर पाओलो सिवलेरी, '' वाइडबैंड सर्किट डिज़ाइन '', पीपी .171–172, सीआरसी प्रेस, 1998 {{ISBN|0-8493-7897-4}}</ref><ref>Vjekoslav damić, जॉन मोंटगोमरी, '' मेकैट्रोनिक्स बाय बॉन्ड ग्राफ़: मॉडलिंग और सिमुलेशन के लिए एक ऑब्जेक्ट-ओरिएंटेड दृष्टिकोण '', pp.32–33, स्प्रिंगर, 2003 {{ISBN|3-540-42375-3}}</ref>
 == उदाहरण ==
 निम्नलिखित विद्युत तत्वों के माध्यम से घटकों के प्रतिनिधित्व के उदाहरण हैं।
-* सन्निकटन की पहली डिग्री पर,  [[ बैटरी (बिजली) |  बैटरी ]] को वोल्टेज स्रोत  के माध्यम से  दर्शाया गया है। एक अधिक परिष्कृत मॉडल में वोल्टेज स्रोत के साथ श्रृंखला में एक प्रतिरोध भी सम्मलित  है, बैटरी के आंतरिक प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करने के लिए (जिसके परिणामस्वरूप बैटरी हीटिंग और उपयोग में होने पर वोल्टेज ड्रॉपिंग होती है)। समानांतर में एक वर्तमान स्रोत को इसके रिसाव का प्रतिनिधित्व करने के लिए जोड़ा जा सकता है (जो लंबे समय तक बैटरी का निर्वहन करता है)।
+* पहले स्तर पर, एक [[ बैटरी (बिजली) |बैटरी]] को एक वोल्टेज स्रोत द्वारा प्रतिनिधित्व किया जाता है। एक और रिफाइंड मॉडल भी शामिल होता है, जिसमें बैटरी की आंतरिक रोधकता को दर्शाने के लिए एक वोल्टेज स्रोत के साथ एक प्रतिरोध जोड़ा जाता है (जो बैटरी को उष्ण होने और इस्तेमाल करने पर वोल्टेज गिरने के नतीजे में आता है)। एक धारणा स्रोत संयुक्त में जोड़ा जा सकता है ताकि इसकी लीकेज (जो लंबे समय तक बैटरी को डिस्चार्ज करती है) को दर्शाया जा सके।
-* सन्निकटन की पहली डिग्री पर,  [[ रोकनेवाला ]] को एक प्रतिरोध  के माध्यम से  दर्शाया गया है। एक अधिक परिष्कृत मॉडल में एक श्रृंखला इंडक्शन भी सम्मलित  है, इसके लीड इंडक्शन के प्रभावों का प्रतिनिधित्व करने के लिए (एक सर्पिल के रूप में निर्मित प्रतिरोधों में अधिक महत्वपूर्ण इंडक्शन होता है)। समानांतर में एक समाई को जोड़ा जा सकता है जिससे प्रतिरोधक की निकटता के कैपेसिटिव प्रभाव का प्रतिनिधित्व किया जा सके। एक तार को कम-मूल्य अवरोधक के रूप में दर्शाया जा सकता है
+* पहले स्तर पर, एक [[ रोकनेवाला ]] को एक प्रतिरोध द्वारा प्रतिनिधित्व किया जाता है। एक और रिफाइंड मॉडल में, इसके लीड इंडक्टेंस के प्रभाव को दर्शाने के लिए एक श्रृंखला इंडक्टेंस भी शामिल हो सकती है (स्पाइरल के रूप में निर्मित रेसिस्टर में अधिक महत्वपूर्ण इंडक्टेंस होती है)। एक पारलल कैपैसिटेंस भी जोड़ा जा सकता है ताकि रेसिस्टर लीडों की एक दूसरे के पास होने के क्षमताओं को दर्शाया जा सके। एक तार को एक कम मूल्य वाले रेसिस्टर के रूप में दर्शाया जा सकता है।
-*  [[ सेमीकंडक्टर ]] एस का प्रतिनिधित्व करते समय वर्तमान स्रोतों का अधिक उपयोग किया जाता है। उदाहरण के लिए, सन्निकटन की पहली डिग्री पर, एक द्विध्रुवी  [[ ट्रांजिस्टर ]] को एक चर वर्तमान स्रोत  के माध्यम से  दर्शाया जा सकता है जो इनपुट करंट  के माध्यम से  नियंत्रित होता है।
+*  अधिकतर समय [[ सेमीकंडक्टर |सेमीकंडक्टर]]  का प्रतिनिधित्व करते समय धारणा स्रोत का उपयोग किया जाता है। उदाहरण के लिए, पहले स्तर पर, एक बाइपोलर[[ ट्रांजिस्टर ]]को एक चलती धारा स्रोत द्वारा प्रतिनिधित्व किया जा सकता है जो इनपुट धारा द्वारा नियंत्रित होता है।
 ==See also==
-* [[संचरण लाइन
+* संचरण लाइन
-]
 [[Category: Machine Translated Page]]

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